CN104662690B - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104662690B
CN104662690B CN201280075956.7A CN201280075956A CN104662690B CN 104662690 B CN104662690 B CN 104662690B CN 201280075956 A CN201280075956 A CN 201280075956A CN 104662690 B CN104662690 B CN 104662690B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic electroluminescence
electroluminescence device
preparation
negative electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201280075956.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104662690A (zh
Inventor
周明杰
王平
黄辉
陈吉星
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Publication of CN104662690A publication Critical patent/CN104662690A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104662690B publication Critical patent/CN104662690B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/381—Metal complexes comprising a group IIB metal element, e.g. comprising cadmium, mercury or zinc
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/321—Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/311—Phthalocyanine

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件是具有倒置结构的顶发射有机电致发光器件，制备方法为：用醋酸将氧化锌溶解，得到氧化锌溶液的浓度为0.3g/ml‑0.6g/ml，加入钛菁类物质，钛菁类物质质量占氧化锌质量的1％～10％，得到混合物，在玻璃基底(1)上旋涂所述混合物后干燥，得到阴极(2)，再依次蒸镀制备电子注入层(3)、电子传输层(4)、发光层(5)、空穴传输层(6)、空穴注入层(7)和阳极(8)，得到有机电致发光器件。该有机电致发光器件采用倒置结构，阴极(2)采用氧化锌及钛菁类物质为制备原料，提高了阴极(2)上的电子注入能力，并对光线进行反射，提高出光效率，改善出光效果，制备方法简单，成本低。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展，利用超薄薄膜技术制备出高亮度、高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)，电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的有机电致发光器件中，出光效率只有18％左右，其余大部分的光都是由于吸收、全反射等因素损耗掉，一般为底发射结构，玻璃的折射率为1.5，ITO的折射率为1.8，当光从有机层发射，穿过ITO到达玻璃表面时，由于折射率的差异，会发生全反射，而光由玻璃出射到空气中时也由于折射率的差异而存在全反射，降低了出光效率，最终使发光效率明显降低。
发明内容
为解决上述问题，本发明旨在提供一种有机电致发光器件的制备方法。该有机电致发光器件是具有倒置结构的顶发射有机电致发光器件，阴极由氧化锌及酞菁类物质制备得到，使电子注入能力提高，同时阴极中酞菁类物质的结晶对穿过阴极的光线进行散射，使向两侧的光被散射回到器件中路，可提高有机电致发光器件的出光效率。
本发明还提供一种有机电致发光器件。
一方面，本发明提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
提供清洁的玻璃基底，在玻璃基底上制备阴极，具体步骤是，用醋酸将氧化锌溶解，得到氧化锌溶液的浓度为0.3g/ml～0.6g/ml，加入酞菁类物质，所述酞菁类物质质量占所述氧化锌质量的百分比为1％～10％，混合均匀得到混合物，在玻璃基底上旋涂所述混合物后干燥，制备得到阴极，所述酞菁类物质为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁镁(MgPc)或酞菁钒(V2Pc5)；在阴极上依次蒸镀制备电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，得到有机电致发光器件。
阴极中，氧化锌溶解后锌离子电离出来，干燥后以锌离子的化合物的形式存在，起导电作用。同时易结晶的酞菁类物质在溶液中分散形成均一的悬浮液，干燥后结晶形成排列规整的晶体结构，可对光线进行散射，从而提高有机电致发光器件的正面发光强度及出光效率。
优选地，所述氧化锌的粒径为50nm～200nm。
所述醋酸为分析纯醋酸，所述氧化锌与醋酸发生反应生成醋酸锌，以锌离子化合物的形式存在。可以使用其他浓度的醋酸溶液，将氧化锌溶解后干燥除去水分及过量的醋酸即可，本发明采用醋酸是由于醋酸为弱酸，对玻璃基底的腐蚀性较弱，同时沸点较低，可以在较低温度下除去水分及过量的醋酸分子，并且极性较弱，不容易与其他物质发生键合。
优选地，所述阴极的厚度为10nm～50nm。
优选地，所述旋涂的转速为2000rpm～6000rpm，时间为10s～60s。更优选地，所述旋涂时的转速为3000rpm，时间为20s。
优选地，所述干燥的温度为100℃～200℃，时间为15min～60min。更优选地，所述干燥的温度为150℃，时间为30min。
所述的玻璃基底为市售普通玻璃。
优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、叠氮化铯(CsN3)或者氟化锂(LiF)。更优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯(Cs2CO3)。
优选地，所述电子注入层厚度为0.5nm～10nm。更优选地，所述电子注入层的厚度为1nm。
优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
更优选地，所述电子传输层的材质为Bphen。
优选地，所述电子传输层的厚度为40nm～80nm。更优选地，所述电子传输层的厚度为60nm。
优选地，所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)。更优选地，所述的发光层的材质为8-羟基喹啉铝(Alq3)。
优选地，所述发光层的厚度为5nm～40nm。更优选地，所述发光层的厚度为15nm。
优选地，所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB)。更优选地，所述的空穴传输层的材质为4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
优选地，所述空穴传输层的厚度为20nm～60nm。更优选地，所述空穴传输层的厚度为40nm。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼(MoO3)、三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5)。更优选地，所述的空穴注入层的材质为三氧化钼(MoO3)。
优选地，所述空穴注入层的厚度为20nm～80nm。更优选地，所述空穴注入层的厚度为30nm。
优选地，所述阳极的材质为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au)。更优选地，所述阳极的材质为银(Ag)。
优选地，所述阳极的厚度为80nm～250nm。更优选地，所述阳极的厚度为150nm。
优选地，所述蒸镀均采用真空蒸镀，蒸镀时的压力为2×10-5Pa～5×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～10nm/s。
更优选地，所述蒸镀时的压力为5×10-4Pa，蒸镀电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层时的蒸镀速率为1nm/s，蒸镀阳极时蒸镀速率为5nm/s。
另一方面，本发明提供一种有机电致发光器件，依次包括玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述阴极由氧化锌(ZnO)和酞菁类物质组成，所述酞菁类物质为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁镁(MgPc)或酞菁钒(V2Pc5)，所述酞菁类物质质量占所述氧化锌质量的百分比为1％～10％。
优选地，所述氧化锌的粒径为50nm～200nm。
优选地，所述阴极的厚度为10nm～50nm。
本发明的有机电致发光器件是具有倒置结构的顶发射有机电致发光器件，以氧化锌及酞菁类物质作为阴极的制备原料。阴极的主要制备原料为ZnO，ZnO功函数高达5.4eV(氧化锌溶解后生成醋酸锌，但功函数变化不大)，与电子注入层势垒接近，有利于电子的注入，提高了阴极的电子注入能力，利于提高有机电致发光器件的发光效率。此外，ITO(即铟锡氧化物)为稀有元素氧化物，具有一定的毒性，而本发明采用ZnO制备阴极，金属作为阳极，可以解决该问题。阴极中掺杂有酞菁类物质，其结晶后会形成排列规整的晶体结构，使光线在发射通过晶体时被散射，使向两侧的光被散射回到器件中路，提高正面发光强度及出光效率。
本发明提供的一种有机电致发光器件及其制备方法，有如下有益效果：
(1)本发明提供的制备方法中，在基底上由氧化锌及酞菁类物质制备得到阴极，所得阴极的电子注入能力提高，同时，阴极中的酞菁类物质易结晶，结晶后会形成排列规整的晶体结构，使光线在发射到晶体时被散射，使向两侧的光被散射回到器件中路，提高出光效率；
(2)本发明的有机电致发光器件采用倒置结构，出光效果改善显著，制备方法简单易行，应用前景广阔。
附图说明
图1为本发明制备的有机电致发光器件的结构图，包括玻璃基底1、阴极2、电子注入层3、电子传输层4、发光层5、空穴传输层6、空穴注入层7和阳极8。
图2是实施例一制备的有机电致发光器件与对比器件的亮度-电压变化曲线，分别对应曲线1和曲线2。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
实施例一
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)先将玻璃进行光刻处理，按尺寸2×2cm剪裁，发光面积为0.3×0.3cm，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；将粒径为100nm的氧化锌5g用10ml醋酸溶解后，得到氧化锌溶液的浓度为0.5g/ml，加入0.25g CuPc，混合均匀得到混合物，在玻璃上以4000转/分钟的速率旋涂所述混合物，旋涂时间为20s，然后在200℃下干燥15min，得到阴极，厚度为20nm；
(2)在阴极上依次蒸镀电子注入层Cs2CO3、电子传输层Bphen、发光层Alq3、空穴传输层TCTA、空穴注入层MoO3和阳极Ag，蒸镀均采用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa)进行，蒸镀时的压力均为5×10-4Pa，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层时的蒸镀速率均为1nm/s，阳极的蒸镀速率为5nm/s，蒸镀得到电子注入层的厚度为1nm，电子传输层厚度为60nm，发光层厚度为15nm，空穴传输层厚度为40nm，空穴注入层厚度为30nm，阳极厚度为150nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制得的有机电致发光器件是具有倒置结构的顶发射有机电致发光器件，依次包括玻璃基底1、阴极2、电子注入层3、电子传输层4、发光层5、空穴传输层6、空穴注入层7和阳极8，其结构参见图1，结构具体为：玻璃基底/(CuPc：ZnO)/Cs2CO3/Bphen/Alq3/TCTA/MoO3/Ag，(CuPc：ZnO)表示阴极的制备原料为CuPc和ZnO。
实施例二
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)先将玻璃进行光刻处理，按尺寸2×2cm剪裁，发光面积为0.3×0.3cm，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；将粒径为200nm的氧化锌3g用10ml醋酸溶解后，得到氧化锌溶液的浓度为0.3g/ml，加入0.03g ZnPc，混合均匀得到混合物，在玻璃上以2000转/分钟的速率旋涂所述混合物，旋涂时间为15s，然后在100℃下干燥60min，得到阴极，厚度为50nm；
(2)在阴极上依次蒸镀电子注入层CsF、电子传输层TPBi、发光层DCJTB、空穴传输层NPB、空穴注入层WO3和阳极Al，蒸镀均采用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa)进行，蒸镀时的压力均为5×10-3Pa，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层时的蒸镀速率均为0.5nm/s，阳极的蒸镀速率为10nm/s，蒸镀得到电子注入层的厚度为10nm，电子传输层厚度为80nm，发光层厚度为5nm，空穴传输层厚度为60nm，空穴注入层厚度为20nm，阳极厚度为250nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制得的有机电致发光器件是具有倒置结构的顶发射有机电致发光器件，依次包括玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，结构具体为：玻璃基底/(ZnPc：ZnO)/CsF/TPBi/DCJTB/NPB/WO3/Al，(ZnPc：ZnO)表示阴极的制备原料为ZnPc和ZnO。
实施例三
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)先将玻璃进行光刻处理，按尺寸2×2cm剪裁，发光面积为0.3×0.3cm，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；将粒径为50nm的氧化锌24g用40ml醋酸溶解后，得到氧化锌溶液的浓度为0.6g/ml，加入2.4g MgPc，混合均匀得到混合物，在玻璃上以6000转/分钟的速率旋涂所述混合物，旋涂时间为60s，然后在150℃下干燥30min，得到阴极，厚度为10nm；
(2)在阴极上依次蒸镀电子注入层CsN3、电子传输层Bphen、发光层BCzVBi、空穴传输层TCTA、空穴注入层V2O5和阳极Au，蒸镀均采用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa)进行，蒸镀时的压力均为2×10-5Pa，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层时的蒸镀速率均为0.1nm/s，阳极的蒸镀速率为7nm/s，蒸镀得到电子注入层的厚度为0.5nm，电子传输层厚度为60nm，发光层厚度为40nm，空穴传输层厚度为20nm，空穴注入层厚度为80nm，阳极厚度为120nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制得的有机电致发光器件是具有倒置结构的顶发射有机电致发光器件，依次包括玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，结构具体为：玻璃基底/(MgPc：ZnO)/CsN3/Bphen/BCzVBi/TCTA/V2O5/Au，(MgPc：ZnO)表示阴极的制备原料为MgPc和ZnO。
实施例四
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)先将玻璃进行光刻处理，按尺寸2×2cm剪裁，发光面积为0.3×0.3cm，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；将粒径为80nm的氧化锌9g用20ml醋酸溶解后，得到氧化锌溶液浓度为0.5g/ml，加入0.54g V2Pc5，混合均匀得到混合物，在玻璃上以2500转/分钟的速率旋涂所述混合物，旋涂时间为50s，然后在200℃下干燥25min，得到阴极，厚度为25nm；
(2)在阴极上依次蒸镀电子注入层LiF、电子传输层Bphen、发光层AND(吉林奥莱德公司)、空穴传输层NPB、空穴注入层WO3和阳极Pt，蒸镀均采用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强<1×10-3Pa)进行，蒸镀时的压力均为2×10-4Pa，电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层时的蒸镀速率均为0.2nm/s，阳极的蒸镀速率为6nm/s，蒸镀得到电子注入层的厚度为7nm，电子传输层厚度为45nm，发光层厚度为30nm，空穴传输层厚度为20nm，空穴注入层厚度为80nm，阳极厚度为80nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制得的有机电致发光器件是具有倒置结构的顶发射有机电致发光器件，依次包括玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，结构具体为：玻璃基底/(V2Pc5：ZnO)/LiF/Bphen/AND/NPB/WO3/Pt，(V2Pc5：ZnO)表示阴极的制备原料为V2Pc5和ZnO。
测试实施例
采用电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号：2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号：PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学，型号：ST-86LA)测试有机电致发光器件的亮度随电压的变化，测试对象包括实施例一～四制备的有机电致发光器件以及对比器件。对比器件的结构可简单表示为：玻璃基底/ITO/MoO3/TCTA/Alq3/Bphen/Cs2CO3/Al，玻璃基底以外的各物质依次对应阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极的材质，其中，玻璃基底与实施例一～四的一致，阳极为ITO，厚度为120nm，可直接购买ITO玻璃，其余各层厚度依次为：空穴注入层30nm、空穴传输层40nm、发光层15nm、电子传输层60nm、电子注入层1nm、阴极150nm，均采用常规蒸镀方法制备，是常见的底发射有机电致发光器件。实施例一～四制备的有机电致发光器件以及对比器件在电压为10V时的亮度数据见表1。
表1 实施例一～四制备的有机电致发光器件以及对比器件的亮度数据表
样品 实施例一 实施例二 实施例三 实施例四 对比器件
亮度/cd/m2 19351 14554 14205 18521 14161
图2是实施例一制备的有机电致发光器件与对比器件的亮度-电压变化曲线，分别对应曲线1和曲线2，可见，随电压增大，本发明的有机电致发光器件的亮度均比对比器件高。同时由表1数据可知，电压为10V时，对比器件的亮度仅为14161cd/m2，实施例一～四的有机电致发光器件亮度达到14205～19351cd/m2，其中，实施例一的有机电致发光器件亮度为19351cd/m2，与对比器件比较提高了35.6％。表明本发明将酞菁类物质与氧化锌掺杂制备得到阴极，提高了阴极的电子注入能力，且掺杂的易结晶性酞菁类物质使光线在通过阴极时发生散射，提高了有机电致发光器件的正面发光强度及出光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
提供清洁的玻璃基底，在玻璃基底上制备阴极，具体步骤是，用醋酸将氧化锌溶解，得到氧化锌溶液的浓度为0.3g/ml～0.6g/ml，加入酞菁类物质，所述酞菁类物质质量占所述氧化锌质量的百分比为1％～10％，混合均匀得到混合物，在玻璃基底上旋涂所述混合物后干燥，制备得到阴极，所述酞菁类物质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒；在阴极上依次蒸镀制备电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，得到有机电致发光器件。
2.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述氧化锌的粒径为50nm～200nm。
3.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述旋涂的转速为2000rpm～6000rpm，时间为10s～60s。
4.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述干燥的温度为100℃～200℃，时间为15min～60min。
5.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯或者氟化锂。
6.如权利要求1所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述蒸镀采用真空蒸镀，蒸镀时的压力为2×10-5Pa～5×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～10nm/s。
7.如权利要求6所述的一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述蒸镀时的压力为5×10-4Pa，蒸镀电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层时的蒸镀速率为1nm/s，蒸镀阳极时蒸镀速率为5nm/s。
CN201280075956.7A 2012-09-28 2012-09-28 一种有机电致发光器件及其制备方法 Active CN104662690B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2012/082281 WO2014047866A1 (zh) 2012-09-28 2012-09-28 一种有机电致发光器件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104662690A CN104662690A (zh) 2015-05-27
CN104662690B true CN104662690B (zh) 2016-10-26

Family

ID=50386842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280075956.7A Active CN104662690B (zh) 2012-09-28 2012-09-28 一种有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9570700B2 (zh)
EP (1) EP2903049B1 (zh)
JP (1) JP5945076B2 (zh)
CN (1) CN104662690B (zh)
WO (1) WO2014047866A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102447311B1 (ko) * 2015-10-28 2022-09-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101809813B1 (ko) * 2016-01-14 2017-12-15 광운대학교 산학협력단 계면 조절 첨가제가 도핑된 저분자 발광층에 기반한 자체계량 용액 공정 유기발광소자
CN111864105A (zh) * 2020-07-09 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
JP2022084143A (ja) * 2020-11-26 2022-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN113725374B (zh) * 2021-07-15 2024-02-02 桂林电子科技大学 倒置结构oled器件与制备方法
CN115915801A (zh) * 2021-09-18 2023-04-04 Tcl科技集团股份有限公司 一种光电器件及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1369938A2 (en) * 2002-06-03 2003-12-10 Eastman Kodak Company An organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering
CN1518132A (zh) * 2003-01-17 2004-08-04 友达光电股份有限公司 降低外界光线反射的有机发光二极体及其制程
CN102468446A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种阴极注入材料及其制备方法与应用

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189480B2 (ja) * 1993-04-02 2001-07-16 富士電機株式会社 有機薄膜発光素子
EP1044586B1 (en) * 1997-10-09 2006-02-01 The Trustees of Princeton University Method for fabricating highly transparent non-metallic cathodes
JP2001296678A (ja) 2000-04-11 2001-10-26 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体およびその製造方法
US6483236B1 (en) * 2000-05-24 2002-11-19 Eastman Kodak Company Low-voltage organic light-emitting device
US20040224182A1 (en) * 2003-01-07 2004-11-11 Lazarev Pavel I. Backlight polar organic light-emitting device
JP2005183168A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Denso Corp 有機ｅｌ素子
JP2006228573A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
WO2006117914A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN100369288C (zh) * 2005-05-11 2008-02-13 友达光电股份有限公司 有机电激发光显示元件
JP2008226464A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5618458B2 (ja) * 2007-08-10 2014-11-05 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、製造方法及び塗布液
GB201016366D0 (en) 2010-09-29 2010-11-10 Dzp Technologies Ltd Printable composition, method and uses thereof
EP2624324A4 (en) * 2010-09-30 2014-08-13 Oceans King Lighting Science ORGANIC ELECTROLUMINESCENZING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
JP5823988B2 (ja) 2011-01-31 2015-11-25 国立大学法人宇都宮大学 ポルフィリン型骨格を有する化合物の金属錯体の製造方法
EP2858099A4 (en) * 2012-06-01 2015-05-20 Mitsubishi Chem Corp PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER CONTAINING METAL OXIDE AND ELECTRONIC DEVICE

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1369938A2 (en) * 2002-06-03 2003-12-10 Eastman Kodak Company An organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering
CN1518132A (zh) * 2003-01-17 2004-08-04 友达光电股份有限公司 降低外界光线反射的有机发光二极体及其制程
CN102468446A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种阴极注入材料及其制备方法与应用

Also Published As

Publication number Publication date
US20150255745A1 (en) 2015-09-10
EP2903049A4 (en) 2016-06-01
US9570700B2 (en) 2017-02-14
EP2903049A1 (en) 2015-08-05
JP5945076B2 (ja) 2016-07-05
JP2015534230A (ja) 2015-11-26
CN104662690A (zh) 2015-05-27
EP2903049B1 (en) 2017-12-27
WO2014047866A1 (zh) 2014-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104662690B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103579526A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103311446A (zh) 倒置顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN103928622B (zh) 一种有机电致发光器件
CN104124368A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103579518A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124354A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103579527A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103579516A (zh) 倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法
CN104124362A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124342A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051641A (zh) 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN104124396A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103456898A (zh) 顶发射有机电致发光器件及其制备方法
CN104124338A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103928636A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN105895812B (zh) 一种有机电致发光器件的制备方法
CN103682125A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051662A (zh) 一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法
CN103579513A (zh) 倒置底发射有机电致发光器件及其制备方法
CN104124381A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051660A (zh) 一种复合阳极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法
CN105720214A (zh) 一种有机电致发光器件的制备方法
CN104037326A (zh) 一种叠层有机电致发光器件及其制备方法
CN104425743A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant