CN104521020A - 用于有机电子器件的基板 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及用于有机电子器件的基板、有机电子器件以及照明装置。本申请可提供能够形成有机电子器件的基板，所述基板由于具有优异的包括光提取效率的性能，且可以切断来自外部环境的水分和气体的渗入，并抑制暗点(dark spot)等的生长，因此能够确保优异性能和可靠性。

Description

用于有机电子器件的基板
技术领域
本发明涉及一种用于有机电子器件的基板。
背景技术
有机电子器件(OED；Organic Electronic Device)可为一种在电极层和有机材料之间通过电荷交换呈现功能的器件。有机电子器件可为有机发光器件(OLED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)、或有机晶体管等。
有机发光器件，其是一种代表性的有机电子器件，通常依次包括基板、第一电极层、包括发光层的有机层和第二电极层。
在已知的底部发光型器件(bottom emitting device)的结构中，所述第一电极层可形成为透明电极层，且所述第二电极层可形成为反射电极层。此外，在已知的顶部发光型器件(top emitting device)的结构中，所述第一电极层可形成为反射电极层，且所述第二电极层可形成为透明电极层。
通过两个电极层分别注入电子(electron)和空穴(hole)，且所注入的电子和空穴在发光层中再结合(recombination)以产生光。该光在底部发光型器件中可发射至基板侧，在顶部发光型器件中可发射至第二电极层侧。
在所述有机发光器件的结构中，通常使用铟锡氧化物(ITO)作为透明电极层、有机层、以及通常由玻璃形成的基板，其折射率分别为约2.0、1.8和1.5。在上述折射率的关系中，例如，在底部发光型器件的有机发光层中所产生的光由于全内反射(total internal reflection)而被捕集在有机层与第一电极层之间的界面处或者被捕集在基板内，仅发射出非常少量的光。
发明内容
技术问题
本发明提供一种用于有机电子器件的基板和一种有机电子器件。
技术方案
本发明的一个方面提供一种用于有机电子器件的基板，其包括基底层和平整层。例如，该平整层可在基底层上形成。图1示出了示例性基板100，该基板100包括基底层101和形成于基底层顶部的平整层102。本文所用的术语“平整层”可指能够提供可形成有机电子器件的平坦表面层。例如，该有机电子器件可形成于与基底层接触的面成相反侧的平整层的表面上，且形成有机电子器件的表面的最大高度粗糙度(maximum height roughness)可为1或0.5μm以下。最大高度粗糙度可以是指通过粗糙度曲线最高点的直线与通过粗糙度曲线最低点的直线之间的距离，且这些直线在截距(cut off)内平行于该粗糙度曲线的中心线，例如最大高度粗糙度可以为一个在平整表面上对于面积为100μm2的任意区域所测得的数值。例如，所述平整层可与所述基底层接触形成。
所述平整层可为高折射层。本文所用的术语“高折射层”可指折射率约为1.8至2.5、1.8至2.2或1.8至2.0的层。除非另有定义，否则本文所用的术语“折射率”可指对于波长约为550或633nm的折射率。此外，该平整层可具有光散射特性。也就是说，平整层可以散射、漫射或折射入射光。
作为基底层，可使用合适的材料而无特别限制。例如，当制造底部发光(bottom emission)型有机发光器件时，对于透明基底层，可使用相对于可见光区域具有50％以上透光率的基底层。对于透明基底层，可使用玻璃基底层或透明聚合物基底层。对于玻璃基底层，可使用包含钠钙玻璃、含钡/锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼硅酸钡玻璃或石英等基底层；对于聚合物基底层，可使用包括聚酰亚胺(polyimide(PI))、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate(PEN))、聚碳酸酯(polycarbonate(PC))、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二酯(poly(ethylene terephthalate)(PET))、聚硫醚(poly(ether sulfide)(PES))或聚砜(polysulfone(PS))等的基底层，但本发明不限于此。根据需要，所述基底层可为具有驱动用薄膜电晶体(TFT)的薄膜电晶体基板。
例如，当提供使用基板的顶部发光(top emission)型器件时，该基底层并不是必须为透光基底层，根据需要，可使用在基底层表面形成有使用铝等而形成反射层的反射基底层。
例如，所述平整层可包括粘合剂、高折射颗粒(以下可称为“第一颗粒”)和散射颗粒(以下可称为“第二颗粒”)。例如，可使用组合物来形成该平整层，所述组合物是通过将第一颗粒和第二颗粒与粘合剂混合而制备的。这种平整层可提供可形成包括电极层的有机电子器件的表面，并且由于具有光散射特性而改善该器件的光提取效率。在一个实例中，该平整层的折射率可大于或等于邻近电极层，例如为1.8以上。该平整层的折射率可为，例如3.5以下、3.0以下、2.5以下或2.0以下。
在本发明中，对于粘合剂，可使用已知的材料而无特别限制。对于粘合剂，例如，可使用本领域已知的各种有机粘合剂、无机粘合剂、或有机/无机粘合剂。考虑到该器件的寿命或在制造过程中所进行的高温工艺、光刻工艺或蚀刻工艺中的优异的耐受性等，可使用具有良好的耐热性和耐化学性的无机或有机/无机粘合剂，但根据需要，也可使用有机粘合剂。所使用的粘合剂的折射率可为，例如约1.4以上、约1.45以上、约1.5以上、约1.6以上、约1.65以上或约1.7以上。所述粘合剂的折射率的上限可选自满足所述平整层的折射率的范围。对于粘合剂，可使用，例如有机材料，聚酰亚胺、含有芴环的卡多树脂(caldoresin)、氨基甲酸酯、环氧树脂、聚酯或聚丙烯酸酯基可热固化或可光固化的单体、低聚物或聚合物；无机材料，例如氧化硅、氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(silicon oxynitride)或聚硅氧烷；或有机/无机复合材料等。
对于粘合剂，可使用例如聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺。此处的聚硅氧烷可通过例如可缩合的硅烷化合物或硅氧烷低聚物的缩聚形成，且基于硅与氧之间的(Si-O)键，该粘合剂可形成基体。在粘合剂形成的过程中，通过调节缩合条件等可形成聚硅氧烷仅基于硅与氧之间的键(Si-O)的粘合剂基体，或可形成保留一些有机官能团(如烷基)或可缩合官能团(如烷氧基)的基体。
对于聚酰胺酸或聚酰亚胺粘合剂，可使用对于550或633nm波长的光的折射率为约1.5以上、1.6以上、1.65以上或1.7以上的粘合剂。例如，可使用引入了氟以外的卤素原子、硫原子或磷原子的单体制备聚酰胺酸或聚酰亚胺。
对于粘合剂，例如，可使用具有能够键合颗粒的部位(如羧基)以增强颗粒分散稳定性的聚酰胺酸。
对于聚酰胺酸，例如，可使用包含如下述化学式1所示的重复单元的化合物。
[化学式1]
在化学式1中，n为正数。
所述重复单元可任选地被至少一个取代基取代。对于所述取代基，可以使用包含除氟之外的卤素原子、苯基、苄基、萘基或包括硫原子或磷原子的官能团如噻吩基。
聚酰胺酸可为仅使用化学式1重复单元形成的均聚物，或者是包含其他单元与化学式1重复单元的共聚物。在所述共聚物中，其他重复单元的种类或比例可以在例如期望的折射率、耐热性或透光率不会被抑制的范围内适当地选择。
作为化学式1的重复单元的具体实例，可以使用化学式2的重复单元。
[式2]
在化学式2中，n为正数。
通过凝胶渗透色谱(GPC)测得的基于标准聚苯乙烯换算的聚酰胺酸的重均分子量为约10,000至100,000或10,000至50,000。具有化学式1重复单元的聚酰胺酸还可以在可见光区域内具有80％以上、85％以上或90％以上的透光率，并具有优异的耐热性。
对于所述粘合剂，可使用高折射粘合剂或低折射粘合剂。本文所用的术语“高折射粘合剂”是指具有约1.7至2.5或1.7至2.0的折射率的粘合剂，本文所用的术语“低折射粘合剂”是指具有约为1.4以上且小于1.7折射率的粘合剂。上述各种粘合剂为本领域已知的粘合剂，且可从上述各种或其他已知的粘合剂中选择适当的粘合剂而使用。
所述平整层可包括高折射颗粒(第一颗粒)。本文所用的术语“高折射颗粒”可指例如折射率为1.5以上、1.8以上、2.0以上、2.2以上、2.5以上、2.6以上或2.7以上的颗粒。考虑其中所混合的粘合剂等的折射率等，该高折射颗粒的折射率上限可选自满足该平整层的折射率的范围。例如，该高折射颗粒的平均粒径可小于将在下文中描述的散射颗粒(第二颗粒)的平均直径。例如，所述高折射颗粒可具有使光不会散射程度的平均粒径。例如，所述高折射颗粒的平均粒径可为约100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、50nm以下或45nm以下。此外，所述高折射颗粒(第一颗粒)的平均粒径可为，例如1nm以上、5nm以上或10nm以上。对于所述高折射颗粒，可使用氧化铝、硅酸铝、氧化钛或氧化锆等。对于所述高折射颗粒，例如，对于折射率为大于2.3、或2.4以上或2.5以上、或约2.5至3.0的颗粒，可使用金红石型氧化钛。当使用金红石型氧化钛时，即使在材料中所述高折射颗粒的含量相对较少，仍可实现具有高折射率的平整层。
所述高折射颗粒(第一颗粒)在平整层中的比例没有特别的限制，而且可被控制在可确保上述平整层的折射率的范围内。考虑到所述平整层的物理特性，例如平整层的水分或湿气渗透性或排气(outgassing)等，所述高折射颗粒(第一颗粒)可以300重量份以下、250重量份以下、200重量份以下、150重量份以下或120重量份以下的比例包括在平整层中，基于100重量份的粘合剂计。此外，所述第一颗粒的比例可为例如40重量份以上、60重量份以上、80重量份以上、90重量份以上或100重量份以上。除非另有定义，本文所用的单位“重量份”是指组分之间的重量比例。例如，当粘合剂与第一颗粒保持如上所述的比例而形成有机电子器件时，可提高外部量子效率，防止气体或水分从外部环境渗入，并降低排气(outgassing)，从而提供具有优异性能和可靠性的器件。
所述平整层还可包括散射颗粒(第二颗粒)。本文所用的术语“散射颗粒”指的是例如具有与平整层的粘合剂不同的折射率并具有适当大小，能够使入射光散射、折射或漫射的颗粒。例如，第二颗粒的折射率小于所述平整层或所述粘合剂与所述第一颗粒的混合物的折射率。例如，所述散射颗粒可具有约为0.5至2.0、0.5至1.5或0.8至1.5的折射率。所述第二颗粒与所述平整层(或粘合剂与第一颗粒的混合物)的折射率的差值可约为0.8以下或0.7以下。例如，与所述平整层(或粘合剂与第一颗粒的混合物)的折射率的差值可为约0.2以上或约0.4以上。此外，散射颗粒的平均粒径可约为，例如100nm以上、大于100nm、100至20000nm、100至15000nm、100至10,000nm、100至5000nm、100至1000nm或100至500nm。散射颗粒可为球形、椭圆形、多面体或不规则形状，但其形状并不限于此。对于散射颗粒，可使用包括下述材料的颗粒，例如：有机材料，如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸树脂或其衍生物、硅树脂或其衍生物、或酚醛树脂或其衍生物；或无机材料，如二氧化硅、氧化铝、氧化钛或氧化锆。散射颗粒可包括上述材料中的任一种材料，或者可包括至少两种。例如，对于散射颗粒，还可使用中空颗粒(如中空型氧化硅(hollow silica))或具有核/壳结构的颗粒。
基于100重量份的粘合剂计，在平整层中可包括例如10至100重量份的所述散射颗粒(第二颗粒)，并且在所述比例内可确保适当的散射特性。
可使用含有粘合剂、散射颗粒(第二颗粒)和高折射颗粒(第一颗粒)的涂布溶液通过湿式涂布(wet coating)法或溶胶-凝胶法来形成该平整层。
在该平整层中，所述高折射颗粒(第一颗粒)的重量(A)与所述散射颗粒(第二颗粒)的重量(B)的比例(A/B)可为，例如约0.9至8、1至8或1至7。
在该平整层中，所述高折射颗粒(第一颗粒)的重量(A)和所述散射颗粒(第二颗粒)的重量(B)的总和(A+B)与粘合剂的重量(C)的比例((A+B)/(C))可约为1至5、1至4.5、1至4、1.2至4.0、1.2至3.8、1.2至3.6、1.2至3.4、1.2至3.2或1.2至3.0。在此比例范围内，可优异地保持该平整层的散射特性和其他所需的物理特性。
所述粘合剂与所述第一颗粒及所述第二颗粒间的比例可考虑例如本发明所用的粘合剂的折射率等进行改变。例如，在平整层包括低折射粘合剂时，所述高折射颗粒(第一颗粒)的重量(A)和所述散射颗粒(第二颗粒)的重量(B)的总和(A+B)与粘合剂的重量(C)的比例((A+B)/(C))可为例如约2至5。此外，当该平整层包括上述高折射粘合剂时，所述高折射颗粒(第一颗粒)的重量(A)和所述散射颗粒(第二颗粒)的重量(B)的总和(A+B)与粘合剂的重量(C)的比例((A+B)/(C))可为1至2、或大于等于1且小于2。在此比例范围内，所述平整层的物理特性(例如折射率或耐久性等)可保持适当的水平。
平整层还可包括折射率大于所述平整层(或所述粘合剂与第一颗粒的混合物)的颗粒作为散射颗粒。例如，还可包括约在2.1至3.5或2.2至3.0范围内折射率大于所述平整层的颗粒作为散射颗粒。所述散射颗粒与平整层(或粘合剂与第一颗粒的混合物)的折射率的差值可约为大于0.8。与所述平整层(或所述粘合剂与第一颗粒的混合物)的折射率的差值可为，例如约1.5以下或1.0以下。所述散射颗粒的平均粒径为，例如约100nm以上、大于100nm、或100至20000nm、100至15000nm、100至10,000nm、100至5000nm、100至1000nm或100至500nm。对于所述颗粒，可使用包括下述材料的颗粒：有机材料，如聚苯乙烯或其衍生物、丙烯酸树脂或其衍生物、硅树脂或其衍生物、或酚醛树脂或其衍生物；或无机材料，如二氧化硅、氧化铝、氧化钛或氧化锆。
所述平整层可通过——例如使用含有粘合剂、散射颗粒和高折射颗粒的湿式涂布(wet coating)法；溶胶-凝胶法；沉积法如化学气相沉积法(CVD)或物理气相沉积法(PVD)、或微压印法等——制备。
该基板还可包括电极层。例如，该电极层可在所述平整层的顶部形成，并与该平整层接触。作为该电极层，例如，可形成用于制造有机电子器件(如有机发光器件)的常规的空穴注入或电子注入电极层。
该空穴注入电极层例如可使用具有相对高功函数(work function)的材料而形成，且当必要时可使用透明材料。例如，该空穴注入电极层可包含功函数约为4.0eV以上的金属、合金、导电化合物，或者至少上述两种的混合物。该材料可为金属如金、碘化铜(CuI)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌锡氧化物(ZTO)、掺杂铝或铟的锌氧化物、镁铟氧化物或镍钨氧化物，氧化材料如ZnO、SnO2或In2O3，金属氮化物如氮化镓，金属硒化物如硒化锌，或金属硫化物如硫化锌。透明空穴注入电极层也可使用金属薄膜(如Au、Ag或Cu)和高折射透明材料(例如ZnS、TiO2或ITO)的层叠结构而形成。
空穴注入电极层可通过任意的方法——例如沉积、溅射、化学沉积或电化学方法——形成。此外，如需要，所形成的电极层可通过已知的方法如光刻法或蔽荫遮罩等实施图案化。该空穴注入电极层的膜厚度可根据透光率或表面电阻等而不同，但通常在500nm或10至200nm的范围内。
该透明电子注入电极层，例如可使用具有相对低功函数的透明材料而形成，例如，可使用用于形成该空穴注入电极层的材料中的适当材料而形成，但本发明并不限于此。该电子注入电极层也可使用例如沉积法或溅射法等而形成，且当必要时，可适当地实施图案化。该电子注入电极层可根据需要形成适当厚度。
当形成该电极层时，所述平整层可具有比所述电极层更小的投影面积。在此情况下，该平整层可具有比所述基底层更小的投影面积。本文所用的术语“投影面积”指的是，沿着平行于该基板的表面的法线方向的上方或下方观察该基板时，可辨认的目标物如所述基底层、平整层或电极层的投影面积。据此，例如，即使由于平整层的表面以凹凸形状形成等原因，使得平整层的实际表面积比电极层的实际表面积更大，但是当从上方观察该平整层所辨认到的面积比从上方观察该电极层所辨认到的面积更小时，也解释为该平整层具有比该电极层更小的投影面积。
该平整层可以各种不同的形式存在，只要该平整层等具有比基底层和电极层更小的投影面积。例如，如图2所示，该平整层102可仅形成于除了基底层101的边缘以外的部分，或者所述平整层等的一部分可保留在该基底层边缘等。
图3是当从上方观察图2的基板时的示意图。如图2所示，当从上方观察基板时所辨认的电极层201的面积(A)，即电极层201的投影面积(A)，大于形成于其下方的平整层102的投影面积(B)。该电极层201的投影面积(A)与该平整层102或散射层的投影面积(B)的比值(A/B)可为，例如1.04以上、1.06以上、1.08以上、1.1以上或1.15以上。当该平整层等的投影面积小于该电极层的投影面积时，由于可以实现下文中描述的平整层未暴露在外部环境的结构，因此对该投影面积的比值(A/B)的上限并无特别的限定。考虑到制造基板的一般环境，该比值(A/B)的上限可为，例如约2.0、约1.5、约1.4、约1.3或约1.25。在该基板中，该电极层也可在未形成有该平整层的所述基底层的顶部形成。该电极层可与该基底层接触而形成，或可以在该电极层与该基底层之间进一步包括额外的元件而形成。根据这样的结构，在实现有机电子器件时，可实现平整层等不暴露于外部环境的结构。
例如，如图3所示，当从上方观察时，该电极层201可在包括平整层102的全部周边区域以外的区域形成。在此情况下，例如，当多个平整层存在于该基底层上时，该电极层可在包含至少一个平整层的周边区域以外的区域形成，例如，在该平整层的顶部将形成有机层。在上述结构中，可通过将下述封装结构贴附于在其下方未形成有平整层的电极层而形成平整层等不暴露在外部环境中的结构。因此，可防止形成外部水分或氧气等穿过该平整层而渗入的通道，可稳定地确保该封装结构或电极层与该基板间的粘结强度，并且可极好地保持该器件边缘的表面硬度。
本发明的另一个方面是提供有机电子器件。示例性的有机电子器件可包括用于有机电子器件的基板和形成在该基板(例如基板的平整层)上的有机电子器件。所述有机电子器件可包括，例如，依次形成于平整层上的第一电极层、有机层和第二电极层。在一个实例中，该有机电子器件可为有机发光器件(OLED)。当该有机电子器件是有机发光器件时，该有机电子器件可具有，例如，其中包括至少发光层的有机层存在于空穴注入电极层和电子注入电极层之间的结构。该空穴注入电极层或该电子注入电极层可为如上所述的基板的平整层上的电极层。
在该有机发光器件中，存在于电子注入电极层和空穴注入电极层之间的有机层可包括至少一层的发光层。该有机层可包括至少两层的多层发光层。当包括至少两层的发光层时，该发光层可具有如下结构，即发光层被具有电荷生成特性的中间电极或电荷生成层(chargegenerating layer,CGL)等分隔的结构，但本发明并不限于此。
该发光层可使用例如本领域已知的各种荧光或磷光有机材料而形成。能够用于该发光层的材料的实例可为：Alq系材料如三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3；环戊二烯(cyclopenadiene)衍生物如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺环-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)、1,2,3,4,5-五苯基-1,3-环戊二烯(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene)(PPCP)；4,4’-二(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-联苯(4,4’-bis(2,2’-diphenylvinyl)-1,1’-biphenyl)(DPVBi)、二苯乙烯基苯(distyryl benzene)或其衍生物；4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼-9-烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)(DCJTB)、DDP、AAAP或NPAMLI；或磷光材料如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、面式-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]铱(III)(FIrppy)、或双(2-(2’-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3’)铱(乙酰丙酮化物)(bis(2-(2’-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’)iridium(acetylactonate))(Btp2Ir(acac))。该发光层可包括主体-掺杂系统(Host-Dopant system)，所述主体-掺杂剂系统包括作为主体(host)的上述材料和作为掺杂剂的苝(perylene)、二苯乙烯基联苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖啶酮(quinacridone)、红荧烯(rubrene)、BTX、ABTX或DCJTB等。
该发光层还可由选自下述的一种合适类型的化合物而形成，所述化合物为具有发光特性的电子接收有机化合物或电子给予有机化合物。
只要有机层包括发光层，该有机层可形成为还包括本领域已知的其他各种功能层的各种结构。作为能够包括在该有机层中的层，可使用：电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴传输层或空穴注入层。
该电子注入层或电子传输层可使用例如电子接收有机化合物(electron accepting organic compound)而形成。在此，作为该电子接收有机化合物，可使用已知的任选化合物而没有特别限制。作为该有机化合物，可使用：多环化合物如对三联苯(p-terphenyl)或四联苯(quaterphenyl)或其衍生物；多环烃化合物如萘(naphthalene)、并四苯(tetracene)、芘(pyrene)、蒄(coronene)、(chrysene)、蒽(anthracene)、二苯基蒽(diphenylanthracene)、并四苯(naphthacene)或菲(phenanthrene)或其衍生物；或杂环化合物如菲咯啉(phenanthroline)、红菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinoline)、喹喔啉(quinoxaline)或吩嗪(phenazine)或其衍生物。此外，荧光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘并苝(naphthaloperylene)、苝酮(perynone)、酞苝酮(phthaloperynone)、萘并苝酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、噁二唑(oxadiazole)、醛连氮(aldazine)、二苯并噁唑啉(bisbenzoxazoline)、联苯乙烯(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、环戊二烯(cyclopentadiene)、羟基喹啉(oxine)、氨基喹啉(aminoquinoline)、亚胺(imine)、二苯乙烯(diphenylethylene)、乙烯基蒽(vinylanthracene)、二氨基咔唑(diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖啶酮(quinacridone)、红荧烯(rubrene)或其衍生物；在日本专利公开第1988-295695号、第1996-22557号、第1996-81472号、第1993-009470号或第1993-017764号中公开的金属螯合络合化合物，例如，具有至少一种金属螯合喹啉化合物(如8-羟基喹啉)作为配位体的金属络合物，包括三(8-羟基喹啉)铝(tris(8-quinolinolato)aluminum)、双(8-羟基喹啉)镁、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟(tris(8-quinolinolato)indium)、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓、双(5-氯-8-羟基喹啉)钙及其衍生物；在日本专利公开第1993-202011号、第1995-179394号、第1995-278124号或第1995-228579号公报中公开的噁二唑(oxadiazole)化合物；在日本专利公开第1995-157473号公报中公开的三嗪化合物(triazine)；在日本专利公开第1994-203963号公报中公开的茋(stilbene)衍生物或二苯基乙烯基亚芳基(distyrylarylene)衍生物；在日本专利公开第1994-132080号或第1994-88072号公报中公开的苯乙烯基衍生物；在日本专利公开号第1994-100857号或第1994-207170号公报中公开的二烯烃衍生物；荧光增白剂，如苯并噁唑(benzooxazole)化合物、苯并噻唑(benzothiazole)或苯并咪唑(benzoimidazole)化合物；二苯乙烯基苯(distyrylbenzene)化合物，如1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯、1,4-双(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-双(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1,4-双(2-乙基苯乙烯基)苄基、1,4-双(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪(distyrylpyrazine)化合物，如2,5-双(4-甲基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-双(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(4-联苯基)乙烯基]吡嗪或2,5-双[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪；二甲川(dimethylidine)化合物，如1,4-亚苯基二甲川、4,4’-亚苯基二甲川、2,5-二甲苯二甲川、2,6-亚萘基二甲川、1,4-亚联苯基二甲川、1,4-对-亚苯基二甲川、9,10-蒽二基二甲川(9,10-anthracenediyldimethylidine)或4,4’-(2,2-二-叔-丁基苯基乙烯基)联苯、4,4’-(2,2-二苯基乙烯基)联苯或其衍生物；在日本专利公开第1994-49079号或第1994-293778号公报中公开的硅烷胺(silanamine)衍生物；在日本专利公开第1994-279322号或第1994-279323号公报中公开的多官能苯乙烯基化合物；在日本专利公开第1994-107648号或第1994-092947号公报中公开的噁二唑衍生物；在日本专利公开第1994-206865号公报中公开的蒽化合物；在日本专利公开第1994-145146号公报中公开的羟基喹啉(oxynate)衍生物；在日本专利公开第1992-96990号公报中公开的四苯基丁二烯化合物；在日本专利公开第1991-296595号公报中公开的有机三官能化合物；在日本专利公开第1990-191694号公报中公开的香豆素(coumarin)衍生物；在日本专利公开号第1990-196885号公报中公开的苝(perylene)衍生物；在日本专利公开第1990-255789号公报中公开的萘衍生物；在日本专利公开第1990-289676号或第1990-88689号公报中公开的酞苝酮(phthaloperynone)衍生物；或日本专利公开第1990-250292号公报中公开的苯乙烯基胺衍生物，这些也可作为包含于低折射层中的电子接收有机化合物。此外，在此可使用如LiF或CsF等材料形成该电子注入层。
该空穴阻挡层可为一种能够通过防止空穴注入电极层注入的空穴穿过发光层而进入至电子注入电极，从而改善器件的使用寿命及效率的层，并且必要时，使用已知材料形成于该发光层和该电子注入电极层之间的适当部分。
该空穴注入层或空穴传输层可包括，例如电子给予有机化合物(electron donating organic compound)。作为该电子给予有机化合物，可使用：N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯基、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二氨基联苯、2,2-双(4-二-对-甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-对-甲苯基-4,4’-二氨基联苯、双(4-二-对甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基联苯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯醚、4,4’-双(二苯基氨基)四联苯(4,4’-bis(diphenylamino)quadriphenyl)、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-双(4-二-对-三氨基苯基)环己烷、1,1-双(4-二-对-三氨基苯基)-4-苯基环己烷、双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(对-甲苯基)胺、4-(二-对甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯N-苯基咔唑、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对-三联苯、4,4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯、1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]对-三联苯、4,4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]联苯、4,4’-双[N-(1-晕苯基)-N-苯基氨基]联苯(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2,6-双(二-对-甲苯基氨基)萘、2,6-双[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4’-双[N,N-二(2-萘基)氨基]三联苯、4,4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯、4,4’-双[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯、2,6-双[N,N-二-(2-萘基)氨基]芴或4,4’-双(N,N-二-对-甲苯基氨基)三联苯；或芳胺类化合物，如双(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本发明并不限于此。
该空穴注入层或空穴传输层可通过在聚合物中分散该有机化合物，或者使用由该有机化合物所衍生的聚合物而形成。此外，还可使用π-共轭聚合物(π-conjugated polymers)，如聚对苯乙炔(polyparaphenylvinylene)及其衍生物；空穴传输非共轭聚合物，如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷的σ-共轭聚合物。
该空穴注入层可使用导电聚合物，例如金属酞菁如铜酞菁或非金属酞菁、碳膜、聚苯胺形成，或该空穴注入层可通过将芳胺化合物作为氧化剂与路易斯酸(Lewis acid)反应而形成。
例如，该有机发光器件可形成以下类型：(1)空穴注入电极层/有机发光层/电子注入电极层；(2)空穴注入电极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入电极层；(3)空穴注入电极层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层；(4)空穴注入电极层/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层；(5)空穴注入电极层/有机半导体层/有机发光层/电子注入电极层；(6)空穴注入电极层/有机半导体层/电子阻挡层/有机发光层/电子注入电极层；(7)空穴注入电极层/有机半导体层/有机发光层/粘附增强层/电子注入电极层；(8)空穴注入电极层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层；(9)空穴注入电极层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层；(10)空穴注入电极层/无机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层；(11)空穴注入电极层/有机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层；(12)空穴注入电极层/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极层；或(13)空穴注入电极层/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极层，其中，上述各层在基板的平整层上依次形成，并且，在某些情况下，该有机发光器件可具有如下结构：其中在空穴注入电极层和电子注入电极层之间具有至少两个发光层，该发光层由具有电荷生成特性的中间电极层或CGL分隔的结构，但本发明并不限于此。
用于形成空穴注入电极层或电子注入电极层及有机层(例如：发光层、电子注入层或电子传输层、或空穴注入层或空穴传输层)的各种材料以及形成上述各层的方法是本领域已知的，并且上述所有方法均可用于有机电子器件的制造中。
该有机电子器件还可包括一种封装结构。该封装结构可为保护结构，其用以防止外部物质(如水分或氧气等)流入至该有机电子器件的有机层。该封装结构可为，例如罐如玻璃罐或金属罐，或者是覆盖该有机层的整个表面的膜。
图4示出，在基板上形成的有机层701和第二电极层702被具有罐结构(如玻璃罐或金属罐)的封装结构703保护的示例，且所述基板包括依次形成的基底层101、平整层102以及第一电极层501。例如，图4的封装结构703可通过如粘附剂粘附。封装结构703可粘附在，例如下方并未设有基板平整层102的电极层501。例如，如图2所示，封装结构703可通过粘附剂粘附在基板的末端。根据上述方法，可优化该封装结构的保护效果。
该封装结构可为，例如覆盖在有机层和第二电极层的整个表面的膜。图5示出覆盖在有机层701和第二电极层702的整个表面的膜型封装结构703。例如，如图5所示，膜型封装结构703可具有如下结构：覆盖在有机层701和第二电极层702的整个表面，并使包括基底层101、平整层102和电极层501的基板与设在其上的第二基板801彼此粘附。例如，对于第二基板801，可使用例如玻璃基板、金属基板、聚合物膜或阻挡层。该膜型封装结构可通过，例如涂布通过加热或UV照射等固化的液体材料(如环氧树脂)并固化该涂布材料而形成；或者使用粘附片等堆叠该基板，其中所述粘附片是预先使用环氧树脂制造的膜型粘附片。
必要时，该封装结构可包括吸水剂或吸气剂，例如金属氧化物，如氧化钙或氧化铍；金属卤化物，如氯化钙；或五氧化二磷。例如，吸水剂或吸气剂可包括在膜型封装结构中，或者设在罐状封装结构的预定位置。所述封装结构还可包括阻挡膜或导电膜。
如图4或5所示，该封装结构可粘附至，例如下方未形成平整层102的第一电极层501的顶部。因此，可实现平整层不暴露在外部环境的密封结构。该密封结构可以指如下状态：例如平整层的整个表面被所述基底层、电极层和/或封装结构所包围，或者通过包括所述基底层、电极层和/或封装结构所形成的密封结构所包围，从而避免平整层暴露在外部环境中。只要平整层不暴露在外部环境中，则该密封结构就可仅包括基底层、电极层和/或封装结构形成，或者包括基底层、电极层、封装结构以及其他要素(如辅助电极等)。例如，在图4或图5中，其他要素可设在基底层101与电极层501接触的部分、或者设在电极层501与封装结构703接触的部分，或者其他位置。关于其他要素，可使用具有低渗水性的有机材料、无机材料或有机/无机复合材料，或使用绝缘层或辅助电极等。
本发明另一方面还提供有机电子器件(如有机发光器件)的用途。所述有机发光器件可有效地应用在液晶显示装置(LCD)的背光源、照明装置、各种传感器、打印机或影印机的光源、车辆仪表板的光源、信号灯、领航灯、显示装置、用于平面发光装置的光源、显示器、装饰或其他种类的光源等。在一个实施方案中，本发明涉及一种包括有机发光器件的照明装置。当所述有机发光器件应用于照明装置或其他用途时，组成所述装置的其他部件及组成所述装置的方法并无特别限定，所有用于本领域的已知的任何材料或任何方法均适用。
发明效果
根据本发明，可以提供能够形成有机电子器件的基板，所述基板具有优异的包括光提取效率等的性能，并且可以切断来自外部环境的水分或空气的渗入，并抑制暗点(dark spot)等的生长，由此确保有机电子器件具有优异性能和可靠性。
附图说明
图1至图3是示例性基板的示意图。
图4和图5是示例性有机电子器件的图。
图6和图7分别示出根据实施例1和2的发光状态的图。
图8示出对比实施例1的发光状态的图。
附图标记说明
100、200：用于有机电子器件的基板
101：基底层
102：平整层
201：电极层
501：第一电极层
701：有机层
702：第二电极层
703：封装结构
801：第二基板
本发明的实施方式
以下将通过根据本发明的实施例和不属于本发明的对比实施例更详细地说明本发明，然而，本发明的范围并不限于下文中公开的实施例。
实施例1
对于粘合剂，使用下述化学式A的化合物(3,3’-磺酰基二苯胺(3,3'-sulfonyldianiline))和下述化学式B的化合物(3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-bipheynyltetracarboxylic dianhydride))通过已知的合成聚酰胺酸(poly(amic acid))的方法合成的聚酰胺酸，并且使用的粘合剂的折射率约为1.7至1.8，并且涂布溶液(粘合剂:第一颗粒:第二颗粒＝1:1.5:0.25(重量比))是通过将作为散射颗粒的平均粒径约为200至300nm的中空氧化硅颗粒(核的折射率约为1.0，且壳的折射率约为1.5)(第二颗粒)、平均粒径约为20nm且折射率约为2.6的高折射颗粒(金红石型氧化钛)(第一颗粒)混入所述粘合剂中而制备的。将制备的涂布溶液涂布至玻璃基板上形成平整层。之后，通过激光照射至所形成的层来移除部分的平整层，而使得残留的平整层的位置对应于随后形成的有机层的发光区域。在经过移除后，通过已知的溅射方法在所述玻璃基板的整个表面上形成有预定厚度的含有ITO的空穴注入电极层。随后，通过使用已知的材料和方法将能够发白光的有机层形成于该ITO层上，并通过真空沉积法将作为电子注入反射电极的铝(Al)电极形成于该有机层的顶部，以制备一个器件。
化学式A
化学式B
实施例2
按照与实施例1相同的方式制备器件，除了在涂布溶液的制备中改变粘合剂、第一颗粒和第二颗粒的比例(改变后的比例＝粘合剂:第一颗粒:第二颗粒＝1:1:0.8(重量比))。
对比实施例1
按照与实施例1相同的方式制备器件，除了在涂布溶液的制备中改变粘合剂、第一颗粒和第二颗粒的比例(改变后的比例＝粘合剂:第一颗粒:第二颗粒＝1:1:1.4(重量比))。
试验实施例1：器件可靠性的评价
图6和图7分别示出实施例1和2的有机电子器件的发光状态的图，图8示出对比实施例1的发光状态的图。由图6至8可以确定，在对比实施例1的器件上可以观察到数个斑点(dot spot)，因此该器件具有较差的发光状态，然而实施例1和2的器件保持稳定的发光状态，在其上并没有观察到所述斑点。

Claims (17)

1.一种用于有机电子器件的基板，包括：
基底层；和
平整层，其设置于所述基底层上，并包括粘合剂、第一颗粒和第二颗粒，其中，所述第一颗粒的折射率为1.8以上且平均粒径为50nm以下，所述第二颗粒的折射率小于所述粘合剂和第一颗粒的折射率且平均粒径为100nm以上，所述第一颗粒的重量(A)与所述第二颗粒的重量(B)的比例(A/B)为0.8至8。
2.根据权利要求1所述的基板，其中平整层中与基底层接触的面成相反侧的表面的最大高度粗糙度在1μm以下。
3.根据权利要求1所述的基板，其中平整层与基底层接触。
4.根据权利要求1所述的基板，其中第一颗粒的折射率在2.2以上。
5.根据权利要求1所述的基板，其中第一颗粒的重量(A)和第二颗粒的重量(B)的总和与粘合剂的重量(C)的比例((A+B)/(C))为1至5。
6.根据权利要求1所述的基板，其中粘合剂为聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亚胺。
7.根据权利要求1所述的基板，其中粘合剂的折射率为1.4以上且小于1.7。
8.根据权利要求7所述的基板，其中第一颗粒的重量(A)和第二颗粒的重量(B)的总和与粘合剂的重量(C)的比例((A+B)/(C))为2至5。
9.根据权利要求1所述的基板，其中粘合剂的折射率为1.7以上。
10.根据权利要求9所述的基板，其中第一颗粒的重量(A)和第二颗粒的重量(B)的总和与粘合剂的重量(C)的比例((A+B)/(C))为1以上且小于2。
11.根据权利要求1所述的基板，其中第二颗粒为中空颗粒或具有核/壳结构的颗粒。
12.根据权利要求1所述的基板，还包括设置于平整层的顶部的电极层。
13.根据权利要求12所述的基板，平整层的投影面积小于电极层的投影面积，电极层形成在所述平整层的顶部和未形成有所述平整层的基底层的顶部。
14.一种有机电子器件，包括：
权利要求1所述的基板；和
依次形成在所述基板上的第一电极层、包括发光层的有机层、及第二电极层。
15.根据权利要求14所述的有机电子器件，其中有机层包括发光层。
16.根据权利要求14所述的有机电子器件，其中基板的平整层的投影面积小于第一电极层的投影面积，第一电极层形成在平整层的顶部和未形成有平整层的基底层的顶部。
17.一种照明装置，其包括权利要求14的有机电子器件。
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