TWI663758B - 用於有機電子裝置之基板 - Google Patents

用於有機電子裝置之基板 Download PDF

Info

Publication number
TWI663758B
TWI663758B TW102127403A TW102127403A TWI663758B TW I663758 B TWI663758 B TW I663758B TW 102127403 A TW102127403 A TW 102127403A TW 102127403 A TW102127403 A TW 102127403A TW I663758 B TWI663758 B TW I663758B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
particles
electrode layer
substrate
patent application
Prior art date
Application number
TW102127403A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201424075A (zh
Inventor
朴珉春
孫世煥
李淵
安庸植
金正斗
金智嬉
朴祥準
金勇男
Original Assignee
Ｌｇ化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｌｇ化學股份有限公司 filed Critical Ｌｇ化學股份有限公司
Publication of TW201424075A publication Critical patent/TW201424075A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI663758B publication Critical patent/TWI663758B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y10T428/24372—Particulate matter
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24752—Laterally noncoextensive components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249971—Preformed hollow element-containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本發明提供一種用於一有機電子裝置的基板(OED)、一種有機電子系統、以及一種照明。由於具有包括光萃取效率之優異的性能、可防止水分及氣體自外部環境滲入、並可控制黑點生成，因此，該可形成OED的基板可確保其優異性能及可靠性。

Description

用於有機電子裝置之基板
本發明係關於一種用於一有機電子裝置(OED)的基板。
有機電子裝置(OED)可為一種透過一電極層及一有機材料之間的電荷交換來表現其功能的裝置。該OED可為一有機發光裝置(OLED)、一有機太陽能電池、一有機光導體(OPC)、或一有機電晶體。
在習知技術中，一OLED，其為一代表性的OED，依序包括一基板、一第一電極層、一包括一發光層的有機層、以及一第二電極層。
在一已知作為一底部發光裝置的結構中，該第一電極層可形成作為一透明電極層，且該第二電極層可形成作為一反射電極層。此外，在一已知作為一頂部發光裝置的結構中，該第一電極層可形成作為一反射電極層，且該第二電極層可形成作為一透明電極層。
分別透過兩個電極層以注入電子及電洞，且所注入的電子及電洞在發光層中再結合以產生光線。該光線 可發射至在該底部發光裝置中的基板、或發射至在該頂部發光裝置中的該第二電極層。
在該OLED的結構中，一般用來作為透明電極層的銦錫氧化物(ITO)、一有機層、以及一般以玻璃所構成之基板，其折射率分別約為2.0、1.8及1.5。在這類折射率的關係中，例如，由於內部全反射的緣故，產生於底部發光裝置中的有機發光層中的光線係被捕捉於一介於該有機層及該第一電極層之間的介面或在該基板中，而僅發射極少量的光線。
本發明係直接提供一種用於一有機電子裝置(OED)的基板，以及該OED。
本發明之一態樣係提供一種用於一有機電子裝置(OED)的基板，其包括：一基底層；以及一平坦化層。例如，該平坦化層可形成於該基底層上。圖1顯示一示例性基板100，包括一基底層101以及一形成於其上的平坦化層102。用於本說明書中之「平坦化層」一詞可意指一能夠提供一平坦化表面之膜層，且一OED可形成於該平坦化表面上。例如，一OED可形成於該平坦化層之一表面上，且該表面與一與該基底層接觸的表面相對，且該表面的最大高度粗糙度可為1或0.5μm或以下。該最大高度粗糙度可意指通過一粗糙曲線之最高點的直線以及一通過最低點的直線之間的距離，其係平行於切斷粗糙曲線的中心線，且例如，一對應於在一平坦化表面上的一面積為100μm2 的選擇性區域所測量之值。例如，該平坦化層可形成與該基底層接觸。
該平坦化層可為一高折射率層。用於本說明書中之「高折射率層」一詞可意指一折射率約為1.8至2.5、1.8至2.2、或1.8至2.0的膜層。用於本說明書中之「折射率」一詞，除非特別定義否則可意指，對應於波長約550或633nm的折射率。此外，該平坦化層可具有光散射特性。亦即，該平坦化層可發散、擴散、或折射入射光。
作為該基底層，可使用一適合的材料而沒有特別限制。例如，當一底部發光OLED係使用一基板所製造，可使用一透明基底層，例如，一對於在可見光區域的光之穿透率為50%或以上的基底層。作為該透明基底層，可使用一玻璃基底層或一透明聚合物基底層。作為該玻璃基底層，可使用一基底層，其包括鹼石灰玻璃、含鋇/鍶玻璃、鉛玻璃、矽鋁酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、或石英；以及作為該聚合物基底層，可使用，包括聚醯亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、丙烯酸樹脂、聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)、聚(醚硫醚)(PES)、或聚碸(PS)之基底層，然本發明並不以此為限。因應需要，該基底層可為一具有一驅動TFT的TFT基板。
例如，當使用一基板來設置一頂部發光裝置，該基底層不必然為一透明基底層，以及因應需要，可使用一在該基底層的一表面上具有一使用鋁所形成的反射層之反射基底層。
該平坦化層可包括，例如，一黏結劑、高折射率粒子(下文中，意指為「第一粒子」)以及散射粒子(下文中，意指為「第二粒子」)。例如，可使用一藉由將該第一及第二粒子與該黏結劑混和所製備的組成物來形成該平坦化層。這類平坦化層可提供其上可形成一包括一電極層的OED的一表面，並且由於光散射特性而可改善該裝置的光萃取效率。在一例子中，該平坦化層的折射率可高於或等於一鄰近電極層的折射率，例如，1.8或以上。該平坦化層的折射率可為，例如，3.5或以下、3.0或以下、2.5或以下或2.0或以下。
在本發明中，作為該黏結劑，可使用一習知的材料而沒有特別限制。作為該黏結劑，可使用，例如，在所屬技術領域中所習知的各種不同的有機黏結劑、無機黏結劑、或有機/無機黏結劑。考量該裝置的壽命或對於在一製造過程中所進行的高溫製程、光製程或蝕刻製程之優異的抗性，可使用一具有優異耐熱性或耐化學性之無機或有機/無機黏結劑，然而當必要時，亦可使用一有機黏結劑。該黏結劑的折射率可約為，例如，1.4或以上、1.45或以上、1.5或以上、1.6或以上、1.65或以上或1.7或以上。該黏結劑的折射率上限可選擇落在滿足該平坦化層的折射率之範圍內。作為該黏結劑，可使用，例如，聚醯亞胺、一具有一芴環的卡多樹脂、聚氨酯、一環氧化物、聚酯、或一丙烯酸酯類熱固化或光固化單體、寡聚體、或聚合物有機材料、一無機材料(像是矽氧化物、矽氮化物、矽氧氮化物、 或聚矽氧烷)、或一有機/無機結合材料。
例如，作為該黏結劑，可使用聚矽氧烷、聚醯胺酸或聚醯亞胺。在本發明中，藉由聚縮合可形成該聚矽氧烷，例如，一縮合矽烷化合物或矽氧烷寡聚物，且該黏結劑可基於矽及氧之間的鍵結(Si-O)而形成一基質。在形成該黏結劑的期間，藉由控制縮合條件可形成基於該鍵結(Si-O)之黏結劑基質，或者可保留一些有機基團(例如一烷基)或縮合官能基團(例如一烷氧基)。
作為該聚醯胺酸或聚醯亞胺黏結劑，可使用，例如，對於波長為550或633nm的光線之折射率約為1.5、1.6、1.65或1.7或以上的一黏結劑。該聚醯胺酸或聚醯亞胺的製備可使用，例如，一將氟原子、硫原子或磷原子以外的鹵素原子納入的單體。
作為該黏結劑，可使用，例如，由於存在有一能夠與粒子結合的部分(像是羧基)而能夠增強粒子的分散穩定度之一聚醯胺酸。
作為該聚醯胺酸，可使用，例如，一包括式1之重複單元的化合物。
在式1中，n係一個正數。
該重複單元可選擇性地由至少一個取代基所取代。作為該取代基，可使用一氟以外的鹵素原子、苯基、苯甲基、萘基、苯硫基、硫原子或磷原子的官能基。
該聚醯胺酸可為一僅利用式1之重複單元所形成的均聚物、或一包括具有式1之重複單元及其他單元之共聚物。在該共聚物中，另一重複單元的類型或比例可適當選擇落在，例如，不會阻礙所欲折射率、耐熱性或透光度的範圍中。
作為式1之重複單元的一具體例子，可使用一式2之重複單元。
在式2中，n係一個正數。
藉由凝膠滲透層析法(GPC)，經由標準聚苯乙烯換算，所測得之該聚醯胺酸的重量平均分子量可約為10,000至100,000或10,000至50,000。該具有式1之重複單元的聚醯胺酸在可見光區域的透光度亦可為80、85或90%或以上，並且具有優異的耐熱性。
作為該黏結劑，可使用一高折射率黏結劑或一低折射率黏結劑。用於本說明書中之「高折射率黏結劑」一詞可意指一折射率約為1.7至2.5或1.7至2.0的黏結劑，而用於本說明書中之「低折射率黏結劑」一詞可意指一折 射率約為1.4或以上並且小於1.7的黏結劑。各種不同種類的該黏結劑為所屬技術領域中所習知的，並且可自上述各種不同種類的黏結劑及其它習知的黏結劑中選擇適當的黏結劑來使用。
該平坦化層可包括高折射率粒子(第一粒子)。用於本說明書中之「高折射率粒子」一詞可意指，例如，折射率為1.5、1.8、2.0、2.2、2.5、2.6或2.7或以上的粒子。考量例如混合至其中的該黏結劑之折射率，該高折射率粒子之折射率的上限可選擇落在滿足該平坦化層的折射率之範圍內。該高折射率粒子的平均粒徑，例如，可小於將於下文中所述的散射粒子(第二粒子)之平均粒徑。例如，該高折射率粒子的平均粒徑可達到使得光線不會散射的程度。例如，該高折射率粒子的平均粒徑可約為100、90、80、70、60、50或45nm或以下。此外，該高折射率粒子(第一粒子)的平均粒徑可為，例如，1、5或10nm或以上。作為該高折射率粒子，可使用氧化鋁、矽酸鋁、氧化鈦或氧化鋯。作為該高折射率粒子，例如，作為折射率為高於2.3、或2.4或2.5或以上、或2.5至3.0的粒子，可使用金紅石型(rutile-type)氧化鈦。當使用該金紅石型氧化鈦，即使在該材料中之高折射率粒子的含量相當低，仍可實現一具有高折射率的平坦化層。
在該平坦化層中之高折射率粒子(第一粒子)的比例沒有特別限制，而可控制在一範圍內，該範圍可確保上述的該平坦化層之折射率。考量該平坦化層的物理性質， 例如，該平坦化層的水分或蒸氣滲透性或脫氣(outgassing)，以100重量份的該黏結劑為基準，該高折射率粒子(第一粒子)可以300、250、200、150或120重量份或以下而包括於該平坦化層中。此外，該第一粒子的比例可為，例如，40、60、80、90、或100重量份或以上。除非特別定義，否則用於本說明書中之「重量份」單位意指，在組份之間的一重量比。當如上所述來維持該黏結劑及該第一粒子之比例，例如，當形成該OED，提升外部量子效率，防止氣體或水分自外部環境滲入，並且減少脫氣，藉此提供具有優異性能及可靠性的裝置。
該平坦化層可更包括散射粒子(第二粒子)。用於本說明書中之「散射粒子」一詞可意指由於其具有不同於該平坦化層的該黏結劑之折射率以及一適當的大小因而能夠將入射光散射、折射或繞射之粒子。例如，該第二粒子的折射率可低於該平坦化層或該黏結劑及該第一粒子的一混合物之折射率。例如，該散射粒子的折射率可約為0.5至2.0、0.5至1.5或0.8至1.5。該第二粒子與該平坦化層(或該黏結劑及該第一粒子的混合物)之折射率的差值可約為0.8或0.7或以下。例如，與該平坦化層(或該黏結劑及該第一粒子的混合物)之折射率的差值可約為，例如，0.2或0.4或以上。此外，該散射粒子的平均粒徑可約為，例如，100nm或以上、或高於100nm、或100至20,000、100至15,000、100至10,000、100至5,000、100至1,000、或100至500nm。該散射粒子可具有一球形、橢圓形、多邊形或不規則形， 然其形狀沒有特別限制。作為該散射粒子，可使用，例如，包括一有機材料(例如，聚苯乙烯或一其衍生物、一丙烯酸樹脂或一其衍生物、一矽氧樹脂或一其衍生物、或一酚醛清漆樹脂或一其衍生物)、或一無機材料(例如，二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、或氧化鋯)的粒子。該散射粒子可包括任一上述材料或至少其中兩者。例如，作為該散射粒子，亦可使用中空粒子(例如，中空氧化矽)或具有一核/殼結構的粒子。
以100重量份的該黏結劑為基準，可包括，例如，10至100重量份的散射粒子，且在此比例中可確保適當的散射特性。
可藉由使用一包括該黏結劑、該散射粒子(第二粒子)以及該高折射率粒子(第一粒子)的塗佈溶液之一濕式塗佈或一溶膠-凝膠方法來形成該平坦化層。
在該平坦化層中，該高折射率粒子(第一粒子)的重量(A)對該散射粒子(第二粒子)的重量(B)之一比值(A/B)可約為，例如，0.9至8、1至8、或1至7。
在該平坦化層中，該高折射率粒子(第一粒子)的重量(A)及該散射粒子(第二粒子)的重量(B)之總和(A+B)對該黏結劑的重量(C)之一比值((A+B)/C)可約為，例如，1至5、1至4.5、1至4、1.2至4.0、1.2至3.8、1.2至3.6、1.2至3.4、1.2至3.2、或1.2至3.0。在此範圍內，可優異地維持該平坦化層的散射特性及其他所需的物理性質。
例如，考慮本發明中所使用的該黏結劑之折射 率，可改變該黏結劑、該第一粒子以及該第二粒子的比值。例如，該平坦化層可包括該低折射率黏結劑，並且在此情況下，該高折射率粒子(第一粒子)的重量(A)及該散射粒子(第二粒子)的重量(B)之總和(A+B)對該黏結劑的重量(C)之該比值((A+B)/C)可約為，例如，2至5。此外，當該平坦化層包括上述高折射率黏結劑，該高折射率粒子(第一粒子)的重量(A)及該散射粒子(第二粒子)的重量(B)之總和(A+B)對該黏結劑的重量(C)之該比值((A+B)/C)可為1至2、或1或以上並且小於2。在此範圍中，該平坦化層的物理性質(例如，折射率或耐久性)可維持在一適當的程度。
該平坦化層可更包括折射率高於該平坦化層(或該黏結劑及該第一粒子的混合物)的粒子以作為散射粒子。例如，可更包括折射率高於該平坦化層(或該黏結劑及該第一粒子的混合物)且在約為2.1至3.5或2.2至3.0的範圍內之粒子以作為散射粒子。這類散射粒子與該平坦化層(或該黏結劑及該第一粒子的混合物)之折射率的差值可約為高於0.8。與該平坦化層(或該黏結劑及該第一粒子的混合物)之折射率的差值可約為，例如，1.5或1.0或以下。這類散射粒子的平均粒徑可約為，例如，100nm或以上、或高於100nm、或100至20,000nm、100至15,000nm、100至10,000nm、100至5,000nm、100至1,000nm、或100至500nm。作為這類散射粒子，可使用，例如，包括一有機材料(例如，聚苯乙烯或一其衍生物、一丙烯酸樹脂或一其衍生物、一矽氧樹脂或一其衍生物、或一酚醛清漆樹脂或一其衍生 物)、或一無機材料(例如二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、或氧化鋯)的粒子。
該平坦化層的形成可藉由，例如，使用包括一黏結劑、散射粒子以及高折射率粒子的塗佈溶液之一濕式塗佈方法、一溶膠-凝膠方法、一譬如化學氣相沉積(CVD)或物理性相沉積(PVD)的沉積方法、或一微壓印方法。
該基板可更包括一電極層。例如，該電極層可形成於該平坦化層上，且與該平坦化層接觸。作為該電極層，可形成，例如，常見之用來製造一OED(例如一OLED)的電洞注入或電子注入電極層。
該電洞注入電極層的形成可使用，例如，一具有相對高功函數的材料，以及當必要時，可使用一透明材料。例如，該電洞注入電極層可包括一金屬、合金、功函數約為4.0eV或以上的導電化合物、或上述至少兩者的混合物。這類材料可為一金屬，例如，金、CuI、ITO、銦鋅氧化物(IZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、鋁、或經銦摻雜的氧化鋅、鎂銦氧化物、鎳鎢氧化物；一氧化物材料，例如，ZnO、SnO2或In2O3；一金屬氮化物，例如，氮化鎵；一金屬硒化物，例如，硒化鋅；或一金屬硫化物，例如，硫化鋅。亦可使用像是Au、Ag或Cu的金屬薄膜以及像是ZnS、TiO2或ITO的高折射率透明材料之堆疊結構來形成一透明電洞注入電極層。
可選擇性地透過例如沉積、濺鍍、化學沉積或電化學方法形成該電洞注入電極層。此外，因應需要，可 透過已知的光微影技術(photolithography)利用陰影光罩(shadow mask)的製程將該所形成的電極層圖案化。該電洞注入電極層的厚度依據透光度或表面阻抗而有所不同，然而一般而言可在500nm或10至200nm的範圍內。
該電子注入透明電極層的形成可利用，例如，一具有相對低之功函數的透明材料，例如，可使用一適合用來形成該電洞注入電極層的材料，然本發明並不以此為限。該電子注入電極層的形成可利用，例如，沉積或濺鍍，且當必要時，可適當地進行圖案化。因應需要，該電子注入電極層可形成為一適當的厚度。
當形成該電極層，該平坦化層的投射面積小於該電極層的投射面積。在此情況下，該平坦化層的投射面積小於該基底層的投射面積。用於本說明書中之「投射面積」一詞意指當從上方或下方，於平行該基板的一表面之法線方向的方向觀察該基板時所辨識的一目標物(例如，該基底層，平坦化層、或電極層)之投射面積。因此，例如，當藉由從上方觀察該平坦化層所辨識的面積小於從上方觀察該電極層所辨識的面積時，即使因該平坦化層之一不均勻的表面使得該平坦化層的實質面積大於該電極層的實質面積，應理解為該平坦化層的投射面積小於該電極層。
可以各種不同的形狀來呈現該平坦化層，只要其投射面積小於該基底層的投射面積，並且其投射面積小於該電極層的投射面積即可。例如，如圖2所示，一平坦化層102可僅形成於除了該基底層101之除了邊緣之外的部 分上，或者該平坦化層的一部分可位於該基底層的邊緣處。
圖3係圖2的基板之一俯視圖。如圖3所示，藉由從上方觀察該基板所辨識的一電極層201之一面積(A)，亦即，該電極201的一投射面積(A)，係大於形成於該電極層之下的該平坦化層102之一投射面積(B)。該電極層201的一投射面積(A)對該平坦化層102或散射層的一投射面積(B)之一比值(A/B)可為，例如，1.04、1.06、1.08、1.1或1.15或以上。由於其中將於下文中所述的一平坦化層未暴露於外部環境之結構，若該平坦化層之投射面積係小於該電極層的投射面積，該投射面積之比值(A/B)的上限沒有特別限制。考量製造基板的一般環境，該比值(A/B)的上限可約為，例如，2.0、1.5、1.4、1.3或1.25。在該基板中，該電極層亦可形成於其上方沒有形成該平坦化層的該基底層之上。該電極層可形成為與該基底層接觸，或者可形成以包括一介於該電極層及該基底層之間的額外元件。依據這類結構，在獲得一OED時可實現其中平坦化層沒有暴露於外部環境之結構。
例如，如圖3所示，該電極層201可形成於一區域，當從上方觀察時，其包括一超過全部的該平坦化層102之外圍部分的區域。在此情況下，例如，當複數個平坦化層位於該基底層上時，一電極層可形成於包括超過至少一平坦化層之全部外圍部分的區域，例如，一有機層將形成於一平坦化層之上。在上述結構中，藉由將於下文中將 描述的封裝結構貼附至其下方沒有形成平坦化層的一電極層，可形成其中平坦化層未暴露於外部環境之結構。因此，可防止該平坦化層成為外部水分或氧氣的滲入途徑，且可穩定地確保介於一封裝結構或一電極與該基板之間的附著強度，並且可優異地維持該裝置外部之表面硬度。
本發明的另一態樣提供一種有機電子系統。該示範性有機電子系統可包括一用於一有機電子裝置(OED)的基板，以及一形成於該基板上(例如，於該基板的一平坦化層上)的OED。該OED可包括，例如，一第一電極層、一有機層以及一第二電極層，依序形成於該平坦化層上。在一例子中，該OED可為一OLED。當該OED為一OLED時，該OED可具有，例如，其中一包括至少一發光層的有機層介於一電洞注入電極層與一電子注入電極層之間的一結構。該電洞注入電極層或該電子注入電極層可為一位於上述基板的平坦化層上之電極層。
在該OLED中，位於該電子及電洞注入電極層之間的有機層可包括至少一發光層。該有機層可包括多個，亦即，至少兩個發光層。當包括該至少兩個發光層，該些發光層可具有一藉由具有電荷產生特性的中間電極層(inter-electrode)或一電荷產生層(CGL)所分隔的結構，然本發明並不以此為限。
該發光層的形成可使用，例如，在所屬技術領域中所習知的各種不同的螢光或磷光有機材料。能夠用於該發光層中的材料之例子可為，但不限於，一Alq類材料， 例如，三(4-甲基-8-喹啉)鋁(III)(Alg3)、4-MAlq3或Gaq3；一環戊二烯衍生物，例如，C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺旋-FPA、Ph3Si(PhTDAOXD)、1,2,3,4,5-戊苯基-1,3-環戊二烯(PPCP)；4,4’-雙(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-聯苯(DPVBi)、二苯乙烯基苯、或其衍生物；4-(二氰基亞甲基)-2-第三丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-哌喃(DCJTB)、DDP、AAAP或NPAMLI；或一磷光材料，例如，Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)，bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]銥(III)(FIrppy)、或雙(2-(2’-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶-N,C3’)銥(乙醯丙酮酸鹽)(Btp2Ir(acac))。該發光層可包括作為一主體的材料、以及一主體-摻雜系統(host-dopant system)，其包括作為一摻雜物的苝(perylene)、二苯乙烯基聯苯(distyrylbiphenyl)、DPT、喹吖酮(quinacridone)、紅螢烯(rubrene)、BTX、ABTX或DCJTB。
可藉由使用擇自展現將於下文中所述之優異發光特性的接受電子有機化合物或供給電子有機化合物中的一適當類型來形成該發光層。
該有機層可形成於更包括在所屬技術領域中所習知的各種不同的功能層之各種不同的結構中，只要包括該發光層即可。作為能夠包括於該有機層中的膜層，可使用一電子注入層、一電洞阻隔層(hole blocking layer)、一 電子傳輸層(electron transport layer)、一電洞傳輸層(hole transport layer)或一電洞注入層。
可使用，例如，一電子接受有機化合物形成該電子注入層或該電子傳輸層。在本說明書中，作為該接受電子有機化合物，可使用一習知的可選擇的化合物而沒有特別限制。作為該有機化合物，可使用：一多環化合物(polycyclic compound)，例如，對三聯苯(p-terphenyl)、四聯苯(quaterphenyl)或其衍生物；一多環烴化合物(polycyclic hydrocarbon compound)，例如，萘(naphthalene)、稠四苯(tetracene)、芘(pyrene)、蔻(coronene)、苯并菲(chrysene)、蒽(anthracene)、二苯基蒽(diphenylanthracene)、稠四苯(naphthacene)、菲(phenanthrene)或其衍生物；或一雜環化合物(heterocyclic compound)，例如，啡啉(phenanthroline)、菲咯啉(bathophenanthroline)、啡啶(phenanthridine)、吖啶(acridine)、喹啉(quinoline)、喹噁啉(quinoxaline)、吩嗪(phenazine)或其衍生物。此外，熒光素(fluoroceine)、苝(perylene)、酞苝(phthaloperylene)、萘苝(naphthaloperylene)、紫環酮(perynone)，酞菁紫環酮(phthaloperynone)、萘紫環酮(naphthaloperynone)、二苯基丁二烯(diphenylbutadiene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、噁二唑(oxadiazole)、醛連氮(aldazine)、雙苯并噁唑(bisbenzoxazoline)、雙苯乙烯基(bisstyryl)、吡嗪(pyrazine)、環戊二烯(cyclopentadiene)、喹啉(oxine)、胺喹啉(aminoquinoline)、亞胺(imine)、二苯基乙烯(diphenylethylene)、乙烯蒽(vinylanthracene)、二胺基咔唑 (diaminocarbazole)、吡喃(pyrane)、噻喃(thiopyrane)、聚甲炔(polymethine)、部花青素(merocyanine)、喹吖酮(quinacridone)、紅螢烯(rubrene)或其衍生物；於日本專利申請案公開號No.1988-295695、日本專利申請案公開號No.1996-22557、日本專利申請案公開號No.1996-81472、日本專利申請案公開號No.1993-009470、或日本專利申請案公開號No.1993-017764揭露之金屬螯合複合物化合物，例如，一具有至少一金屬螯合吲哚化合物(metal chelated oxinoid compound)之金屬螯合物，例如，8-羥基喹啉化合物(8-quinolatos)，包括三(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-quinolinolato)aluminum)、雙(8-羥基喹啉)鎂(bis(8-quinolinolato)magnesium)、雙[苯并(f)-8-羥基喹啉]鋅(bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁(bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、三(8-羥基喹啉)銦(tris(8-quinolinolato)indium)、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁(tris(5-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、8-羥基喹啉鋰(8-quinolinolatolithium)、三(5-氯-8-羥基喹啉)鎵(tris(5-chloro-8-quinolinolato)gallium)、雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣(bis(5-chloro-8-quinolinolato)calcium)及其衍生物作為一協調物(coordinator)；於日本專利申請案公開號No.1993-202011、日本專利申請案公開號No.1995-179394、日本專利申請案公開號No.1995-278124或日本專利申請案公開號No.1995-228579揭露之噁二唑(oxadiazole)化合物；於日本專利申請案公開號No.1995-157473揭露之三嗪(triazine)化合物； 於日本專利申請案公開號No.1994-203963揭露之芪類(stilbene)衍生物；一二苯乙烯基亞芳基衍生物(distyrylarylene derivative)；於日本專利申請案公開號No.1994-132080或日本專利申請案公開號No.1994-88072揭露之苯乙烯基(styryl)衍生物；於日本專利申請案公開號No.1994-100857或日本專利申請案公開號No.1994-207170揭露之二烯烴(diolefin)衍生物；一螢光增白劑，例如，一苯并噁唑化合物(benzooxazole compound)、一苯并噻唑化合物(benzothiazole compound)或一苯并咪唑化合物(benzoimidazole compound)；一二苯乙烯基苯化合物，例如，1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(2-methylstyryl)benzene)、1,4-雙(3-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(3-methylstyryl)benzene)、1,4-雙(4-甲基苯乙烯基)苯(1,4-bis(4-methylstyryl)benzene)、二苯乙烯基苯(distyrylbenzene)、1,4-雙(2-乙基苯乙烯基)苄基(1,4-bis(2-ethylstyryl)benzyl)、1,4-雙(3-乙基苯乙烯基)苯(1,4-bis(3-ethylstyryl)benzene)、1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-甲苯(1,4-bis(2-methylstyryl)-2-methylbenzene)或1,4-雙(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯(1,4-bis(2-methylstyryl)-2-ethylbenzene)；一二苯乙烯基吡嗪(distyrylpyrazine)化合物，例如，2,5雙(4-甲基苯乙烯基)吡嗪(2,5-bis(4-methylstyryl)pyrazine)、2,5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪(2,5-bis(4-ethylstyryl)pyrazine)、2,5-雙[2-(1-萘)乙烯基]吡嗪(2,5-bis[2-(1-naphthyl)vinyl]pyrazine)、2,5-雙(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪(2,5-bis(4-methoxystyryl)pyrazine)、2,5-雙[2-(4-聯苯)乙烯基] 吡嗪(2,5-bis[2-(4-biphenyl)vinyl]pyrazine)或2,5-雙[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪(2,5-bis[2-(1-pyrenyl)vinyl]pyrazine)；一二亞甲基化合物(dimethylidene compound)，例如，1,4-伸苯基二亞甲基(1,4-phenylenedimethylidene)、4,4’-伸苯基二亞甲基(4,4’-phenylenedimethylidene)、2,5-二甲苯二亞甲基(2,5-xylene dimethylidene)、2,6-伸萘基二亞甲基(2,6-naphthylenedimethylidene)、1,4-二伸苯基二亞甲基(1,4-biphenylenedimethylidene)、1,4-對-四苯基二亞甲基(1,4-para-terephenylene dimethylidene)、9,10-蒽二基二亞甲基(9,10-anthracenediyldimethylidine)、4,4'-(2,2-二-鈦-丁基苯基)聯苯(4,4’-(2,2-di-ti-butylphenylvinyl)biphenyl、或4,4'-(2,2-二苯基乙烯基)聯苯基(4,4’-(2,2-diphenylvinyl)biphenyl)或其衍生物；於日本專利申請案公開號No.1994-49079或日本專利申請案公開號No.1994-293778揭露之矽烷胺(silanamine)衍生物；於日本專利申請案公開號No.1994-279322或日本專利申請案公開號No.1994-279323揭露多官能基之苯乙烯基化合物；於日本專利申請案公開號No.1994-107648或日本專利申請案公開號No.1994-092947揭露之多功能基之噁二唑衍生物；於日本專利申請案公開號No.1994-206865揭露之蒽(anthracene)化合物；於日本專利申請案公開號No.1994-145146揭露之喹啉(oxinate)衍生物；於日本專利申請案公開號No.1992-96990揭露之四苯基丁二烯(tetraphenyl butadiene)化合物；如日本專利申請案公開號No.1991-296595揭露之有機三官能基化合物；於日本專利申請案公開號 No.1990-191694揭露之香豆素(coumarin)衍生物；於日本專利申請案公開號No.1990-196885揭露之苝(perylene)衍生物；於日本專利申請案公開號No.1990-255789揭露之萘(naphthalene)衍生物；於日本專利申請案公開號No.1990-289676或日本專利申請案公開號No.1990-88689揭露之酞菁紫環酮(phthaloperynone)衍生物；或於日本專利申請案公開號No.1990-250292揭露之苯乙烯基胺(styryl amine)衍生物可用以作為包含於低反射層中的電子接受有機化合物。此外，在本說明書中，該電子注入層之形成可使用，例如，一像是LiF或CsF的材料。
該電洞阻隔層可為一能夠增強裝置的壽命與效率的膜層，其係藉由防止由電洞注入電極所注入的電洞穿過該發光層至電子注入電極的方法，並且當必要時可使用一習知的材料而將該電洞阻隔層形成於一介於該發光層與該電子注入電極之間的適當部分。
該電洞注入層或電洞傳輸層可包括，例如，一供給電子有機化合物。作為該供給電子有機化合物，可使用N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯基(N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminophenyl)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二氨基聯苯(N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-4,4’-diaminobiphenyl)、2,2-雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)丙烷(2,2-bis(4-di-p-tollylaminophenyl)propane)、N,N,N’,N’-四-對-甲苯基-4,4’-二氨基聯苯 (N,N,N’,N’-tetra-p-tollyl-4,4’-diaminobiphenyl)、雙(4-二-對-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷(bis(4-di-p-tollylaminophenyl)phenylmethane)、N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基聯苯(N,N’-diphenyl-N,N’-di(4-methoxyphenyl)-4,4’-diaminobiphenyl)、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯基醚(N,N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminodiphenylether)、4,4’-雙(二苯基氨基)四苯基(4,4’-bis(diphenylamino)quadriphenyl)、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯(4-N,N-diphenylamino-(2-diphenylvinyl)benzene)、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯(3-methoxy-4’-N,N-diphenylaminostyrylbenzene)、N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)環己烷(1,1-bis(4-di-p-triaminophenyl)cyclohexane)、1,1-雙(4-二-對-三氨基苯基)-4-苯基環己烯(1,1-bis(4-di-p-triaminophenyl)-4-phenylcyclohexane)、雙(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷(bis(4-dimethylamino-2-methylphenyl)phenylmethane)、N,N,N-三(對-甲苯基)胺(N,N,N-tri(p-tollyl)amine)、4-(二-對-甲苯基氨基)-4’-[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(4-(di-p-tollylamino)-4’-[4-(di-p-tollylamino)styryl]stilbene)、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基聯苯-N-苯基咔唑(N,N,N’,N’-tetraphenyl-4,4’-diaminobiphenyl N-phenylcarbazole)、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl)、4,4”-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]對-三聯苯(4,4”-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]p-terphenyl)、4,4’-雙[N-(2-萘基)-N苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4’-雙[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(3-acenaphthenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、1,5-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘(1,5-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]naphthalene)、4,4’-雙[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]聯苯苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(9-anthryl)-N-phenylamino]biphenylphenylamino]biphenyl)、4,4’-雙[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-對三聯苯(4,4’-bis[N-(1-anthryl)-N-phenylamino]-p-terphenyl、4,4’-雙[N-(2-菲基)-N-苯基胺基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-phenanthryl)-N-phenylamin0]bipheny1)、4,4’-雙[N-(8-熒蒽)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(8-fluoranthenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4’-雙[N-(2-芘基)-N-苯基胺基]聯苯、4,4’-雙[N-(2-苝基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(2-pyrenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、4,4’-雙[N-(1-蒄基)-N-苯基氨基]聯苯(4,4’-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl)、2,6-雙(二-對-甲苯基氨基)萘(2,6-bis(di-p-tollylamino)naphthalene)、 2,6-雙[二-(1-萘基)氨基]萘(2,6-bis[di-(1-naphthyl)amino]naphthalene)、2,6-雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘(2,6-bis[N-(1-naphthyl)-N-(2-naphthyl)amino]naphthalene)、4,4’-雙[N,N-二(2-萘基)氨基]三聯苯(4,4’-bis[N,N-di(2-naphthyl)amino]terphenyl)、4,4’-雙{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}聯苯(4,4’-bis{N-phenyl-N-[4-(1-naphthyl)phenyl]amino}biphenyl)、4,4’-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯苯(4,4’-bis[N-phenyl-N-(2-pyrenyl)amino]biphenyl)、2,6-雙[N,N-二-(2-萘基)氨基]氟(2,6-bis[N,N-di-(2-naphthyl)amino]fluorine)、或4,4’-雙(N,N-二-對-甲苯基氨基)三聯苯(4,4’-bis(N,N-di-p-tollylamino)terphenyl)、或一像是雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺(bis(N-1-naphthyl)(N-2-naphthyl)amine)的芳胺類化合物，然本發明並不以此為限。
可藉由將有機化合物分散於一聚合物中或使用衍生自有機化合物的一聚合物來形成該電洞注入層或電洞傳輸層。此外，亦可使用一像是聚對伸苯基乙烯與其衍生物之π-共軛聚合物、一像是聚(N-乙烯基咔唑)的電洞傳輸非-共軛聚合物、或一聚矽烷的σ-共軛聚合物。
該電洞注入層的形成可使用一導電聚合物，例如，金屬酞青(metal phthalocyanine)，如銅酞菁(copper phthalocyanine)、或一非-金屬酞青、一碳層或聚苯胺，或者 藉由使用作為一氧化劑的該胺基芳化合物來與一路易士酸(Lewis acid)相反應。
例如，該OLED可形成為下列的類型：(1)一電洞注入電極層/一有機發光層/一電子注入電極層；(2)一電洞注入電極層/一電洞注入層/一有機發光層/一電子注入電極層；(3)一電洞注入電極層/一有機發光層/一電子注入層/一電子注入電極層；(4)一電洞注入電極層/一電洞注入層/一有機發光層/一電子注入層/一電子注入電極層；(5)一電洞注入電極層/一有機半導體層/一有機發光層/一電子注入電極層；(6)一電洞注入電極層/一有機半導體層/一電子障蔽層(electron barrier layer)/一有機發光層/一電子注入電極層；(7)一電洞注入電極層/一有機半導體層/一有機發光層/一黏著-促進層(adhesion-improving layer)/一電子注入電極層；(8)一電洞注入電極層/一電洞注入層/一電洞傳輸層/一有機發光層/一電子注入層/一電子注入電極層；(9)一電洞注入電極層/一絕緣層(insulating layer)/一有機發光層/一絕緣層/一電子注入電極層；(10)一電洞注入電極層/一無機半導體層/一絕緣層/一有機發光層/一絕緣層/一電子注入電極層；(11)一電洞注入電極層/一有機半導體層/一絕緣層/一有機發光層/一絕緣層/一電子注入電極層；(12)一電洞注入電極層/一絕緣層/一電洞注入層/一電洞傳輸層/一有機發光層/一絕緣層/一電子注入電極層；或(13)一電洞注入電極層/一絕緣層/一電洞注入層/一電洞傳輸層/一有機發光層/一電子注入層/一電子注入電極層，其可依序地自該基板的平坦化層形成， 以及在一些情況中，該OLED可具有一介於一電洞注入電極層與一電子注入電極層之間的有機層，在該有機層之結構中，至少兩層發光層係藉由一具有一電荷產生特性之極間層(inter-electrode layer)或CGL所分隔，然本發明並不以此為限。
用來形成一電洞或電子注入電極層以及一有機層之各種不同的材料，例如，一發光層、一電子注入或傳輸層、或一電洞注入或傳輸層，以及形成其的方法係所屬技術領域中所習知的，並且可應用上述的所有方法來製造該有機電子系統。
該有機電子系統可更包括一封裝結構。該封裝結構可為一用來防止一像是水分或氧氣的外部材料的流入至該有機電子系統的有機層中之保護結構。該封裝結構可為，例如，一像是一玻璃罐或金屬罐的罐體、或一覆蓋該有機層的整個表面之薄膜。
圖4顯示形成於一包括依序形成的基底層101、平坦化層102以及一第一電極層501的基板上的有機層701及第二電極層702，係藉由一具有譬如玻璃罐或金屬罐的罐體結構之封裝結構703所保護。例如，圖4的封裝結構703可藉由黏著劑貼附。該封裝結構703可貼附於，例如，電極層501，於電極層501下方未設有該平坦化層102於基板上。例如，如圖2所示，該封裝結構703可藉由一黏著劑而貼附於該基板的末端。依據此方法，可最佳化一藉由該封裝結構的保護效用。
該封裝結構可為，例如，一塗佈該有機層與該第二電極層的整個表面之薄膜。圖5顯示覆蓋該有機層701及該第二電極層702的整個表面之一薄膜類型的封裝結構703。例如，如圖所示5，該薄膜類型的封裝結構703可覆蓋該有機層701及該第二電極層702的整個表面，並且具有其中一包括該基底層101、該平坦化層102以及該電極層501之基板黏著於一配置在其上的第二基板801之一結構。例如，作為該第二基板801，可使用一玻璃基板、一金屬基板、一聚合物膜、或一障蔽層。該薄膜-類型的封裝結構之形成可藉由，例如，塗佈一藉由熱或UV照射所固化之像是環氧樹脂的液體材料，以及固化該液體材料，或者使用一先前使用環氧樹脂所製造之呈薄膜類型的黏著片來層壓該基板及上面的基板。
當必要時，該封裝結構可包括一水分吸附劑(water adsorbent)或一吸氣劑(getter)，例如，一像是氧化鈣或氧化鈹的金屬氧化物、一像是氯化鈣之金屬鹵化物、或五氧化二磷。例如，該水分吸附劑或該吸氣劑可包括於一薄膜-類型的封裝結構中或位於一罐體-類型的封裝結構中之一預定位置。該封裝結構可更包括一障蔽膜或導電膜。
如圖4或5所示，該封裝結構可貼附於，例如，其下方沒有形成該平坦化層102的該第一電極層上方。因此，可以實現一其中該平坦化層未暴露於外部環境的密封結構。該密封結構可意指，例如，其中藉由該基底層、該電極層及/或該封裝結構所圍繞、或藉由形成為包括該基底 層、該電極層及/或該封裝結構的密封結構所圍繞，使得該平坦化層的整個表面未暴露於外部環境之狀態。只要該平坦化層不會暴露於外部環境，該密封結構可形成為僅包括該基底層、該電極層及/或該封裝結構，或包括該基底層、該電極層、該封裝結構、以及另一組件，例如，一輔助電極。例如，在圖4或5中，另一組件可位於一其中該基底層101與該電極層501接觸的部分、或一其中該電極層501與該封裝結構703接觸的部分、或其他位置。作為該另一組件，可使用具有低水分通透性的有機材料、無機材料、或有機/無機組合材料、一絕緣層、或一輔助電極。
本發明的又另一個態樣係提供該OED的一種用途，例如，OLED。該OLED可有效地應用於液晶顯示器(LCD)的背光、照明、感測器、印表機或影印機之光源、用於汽車儀表之光源、信號光、指示燈、顯示裝置、用於平面發光裝置之光源、顯示器、裝飾或其他種類的光源。於一實施例中，本發明係關於一包括該OLED之照明裝置。當該OLED應用於該照明裝置或用於其他用途時，組成該裝置之其他元件或組成該裝置之方法沒有特別限制，而可使用該相關技術領域中所習知的所有選擇性材料或方法，只要它們是用於OLED即可。
依據本發明，可提供該能夠形成一OED的基板，由於OED可具有包括光萃取效率、可防止水分及氣體自外部環境滲入、以及可控制黑點生成等的優異性能因此可確保其優異性能及可靠性。
100，200‧‧‧用於OED的基板
101‧‧‧基底層
102‧‧‧平坦化層
201‧‧‧電極層
501‧‧‧第一電極層
701‧‧‧有機層
702‧‧‧第二電極層
703‧‧‧封裝結構
801‧‧‧第二基板
圖1至3係一示範性基板的示意圖；圖4及5係一示範性有機電子系統的示意圖；圖6及7係分別依據實施例1與2，顯示發光狀態的圖式；以及圖8係依據比較例1，顯示一發光狀態的圖式。
在下文中，將參照依據本發明的實施例以及非依據本發明的比較例來更詳細地描述本發明，然本發明的範疇並不以下列實施例為限。
實施例1
作為一黏結劑，使用藉由習知合成聚醯胺酸的方法且使用一式A的化合物(3,3’-磺醯基二苯胺)及一式B的化合物(3,3’,4,4’-二苯基四羧酸二酐)所合成且折射率約為1.7至1.8的聚醯胺酸，以及藉由將作為散射粒子且平均粒徑約為200至300nm的中空氧化矽粒子(核的折射率約為1.0，而殼的折射率約為1.5；第二粒子)及平均粒徑約為20nm且折射率約為2.6的高折射率粒子(金紅石型氧化鈦；第一粒子)混合至該黏結劑中以製備一塗佈溶液(黏結劑：第一粒子：第二粒子=1：1.5：0.25(重量比))。藉由將所製得的塗佈溶液塗佈至一玻璃基板上以形成一平坦化層。之後，藉由將雷射照射至所形成的膜層來移除一部分的平坦化層，而使得殘留的平坦化層之位置對應於一將依序形成 的有機層之發光區域。在移除該平坦化層之後，藉由一習知的濺鍍方法而在該玻璃基板的整個表面上形成一預定厚度之一包括ITO的電洞注入電極層。隨後，藉由使用習知的材料及方法將一能夠發白光的有機層形成於該ITO層上，以及藉由一真空沉積法將一作為電子注入反射電極的鋁(Al)電極形成於該有機層的頂部，以製備一裝置。
實施例2
如實施例1中所述來製造一裝置，除了在塗佈溶液的製備中改變黏結劑以及第一與第二粒子的比例(改變之後的比例=黏結劑：第一粒子：第二粒子=1：1：0.8(重量比))。
比較例1
如實施例1中所述來製造一裝置，除了在塗佈 溶液的製備中改變黏結劑以及第一與第二粒子的比例(改變之後的比例=黏結劑：第一粒子：第二粒子=1：1：1.4(重量比))。
試驗例1.裝置的可靠性之評估
圖6及7係分別依據實施例1與2，顯示發光狀態的圖式，而圖8係依據比較例1，顯示一發光狀態的圖式。從圖6至8中可確認，從依據比較例1的裝置中有觀察到許多點斑，因此該裝置展現較差的發光狀態，然而從依據實施例1及2的裝置中沒有觀察到點斑，因此該些裝置維持在穩定的發光狀態。
雖然已參照特定的示範性實施例來顯示及描述本發明，熟習此技藝者可知悉，在不背離由檢附的申請專利範圍所界定之本發明的精神與範疇下可在形式與細節上進行各種不同的變化。

Claims (15)

  1. 一種用於有機電子裝置的基板，包括：一基底層；以及一平坦化層，其位於該基底層上並且包括一黏結劑、一第一粒子，其折射率為1.8或以上且其平均粒徑為50nm或以下、以及一第二粒子，其折射率低於該黏結劑及該第一粒子之折射率且其平均粒徑為100nm或以上，其中該第一粒子的重量(A)及該第二粒子的重量(B)之比值(A/B)係自0.8至8，且其中該平坦化層係與該基底層接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該平坦化層之一表面具有最大高度粗糙度的範圍係1μm或以下，且該表面係與接觸該基底層之一表面相對。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該第一粒子之折射率的範圍係2.2或以上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該第一粒子的重量(A)與該第二粒子的重量(B)之總和對該黏結劑的重量(C)之一比值((A+B)/C)係自1至5。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該黏結劑係聚矽氧烷、聚醯胺酸、或聚醯亞胺。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該黏結劑的折射率係1.4或以上並且小於1.7。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板，其中該第一粒子的重量(A)與該第二粒子的重量(B)之總和對該黏結劑的重量(C)之一比值((A+B)/C)係自2至5。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該黏結劑的折射率係1.7或以上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板，其中該第一粒子的重量(A)與該第二粒子的重量(B)之總和對該黏結劑的重量(C)之該比值((A+B)/C)係1或以上並且小於2。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之基板，其中該第二粒子係一中空粒子或一具有一核/殼結構的粒子。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之基板，於該平坦化層上更包括一電極層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基板，其中該平坦化層的投射面積係小於該電極層的投射面積，且該電極層係形成於該平坦化層以及未形成該平坦化層之該基底層之上。
  13. 一種有機電子裝置，包括：如申請專利範圍第1項所述之基板；以及一第一電極層、一包括一發光層的有機層、以及一第二電極層，其係依序形成於該基板上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置，其中該有機層包括一發光層。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之有機電子裝置，其中該基板之該平坦化層的投射面積係小於該第一電極層的投射面積，且該第一電極層係形成於該平坦化層以及未形成該平坦化層之該基底層之上。
TW102127403A 2012-07-31 2013-07-31 用於有機電子裝置之基板 TWI663758B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120084211 2012-07-31
??10-2012-0084211 2012-07-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201424075A TW201424075A (zh) 2014-06-16
TWI663758B true TWI663758B (zh) 2019-06-21

Family

ID=50266075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102127403A TWI663758B (zh) 2012-07-31 2013-07-31 用於有機電子裝置之基板

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9391301B2 (zh)
EP (1) EP2882007A4 (zh)
JP (2) JP2015530700A (zh)
KR (1) KR101678261B1 (zh)
CN (1) CN104521020B (zh)
TW (1) TWI663758B (zh)
WO (1) WO2014021644A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102477262B1 (ko) * 2016-08-05 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR102093147B1 (ko) * 2018-11-26 2020-03-25 삼성전기주식회사 코일 부품
JP7329952B2 (ja) * 2019-04-02 2023-08-21 エルジー・ケム・リミテッド 耐熱性電子機器用基材

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909314A (en) * 1994-02-15 1999-06-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical functional materials and process for producing the same
US20070241668A1 (en) * 2004-04-22 2007-10-18 Schott Ag Organic, Eelectro-Optical Element With Increased Decoupling Efficiency
CN101790899A (zh) * 2007-08-27 2010-07-28 松下电工株式会社 有机el发光元件
WO2011099641A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Antireflection coating film and antireflection coating material for optical element and optical element
TW201203649A (en) * 2010-04-08 2012-01-16 Asahi Glass Co Ltd Organic led element, translucent substrate, and method for manufacturing organic led element
KR101114916B1 (ko) * 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US5612128A (en) * 1988-09-09 1997-03-18 Hitachi, Ltd. Ultra fine particles having uneven surfaces and treatment plate using same
JPH0288689A (ja) 1988-09-26 1990-03-28 Mitsubishi Kasei Corp 電界発光素子
JPH02289676A (ja) 1989-01-13 1990-11-29 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2651233B2 (ja) 1989-01-20 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜有機ｅｌ素子
JPH02196885A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP2879080B2 (ja) 1989-03-23 1999-04-05 株式会社リコー 電界発光素子
JPH02255789A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Asahi Chem Ind Co Ltd 有機電場発光素子
JPH03296595A (ja) 1990-04-13 1991-12-27 Kao Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JP2997021B2 (ja) 1990-08-10 2000-01-11 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891783B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2891784B2 (ja) 1991-02-06 1999-05-17 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05202011A (ja) 1992-01-27 1993-08-10 Toshiba Corp オキサジアゾール誘導体
JPH0649079A (ja) 1992-04-02 1994-02-22 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法並びに該シラナミン誘導体を用いたｅｌ素子
DE4210941A1 (de) 1992-04-02 1993-10-07 Bayer Ag Neue 9-Fluor-7.oxo-7H-pyrido[1,2,3-d,e][1,4]benzoxacin-6-carbonsäuren und -ester
JPH06107648A (ja) 1992-09-29 1994-04-19 Ricoh Co Ltd 新規なオキサジアゾール化合物
JP3341090B2 (ja) 1992-07-27 2002-11-05 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体ならびにその製造法
JP3228301B2 (ja) 1992-09-07 2001-11-12 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3163589B2 (ja) 1992-09-21 2001-05-08 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06206865A (ja) 1992-10-14 1994-07-26 Chisso Corp 新規アントラセン化合物と該化合物を用いる電界発光素子
JP3287421B2 (ja) 1992-10-19 2002-06-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06145146A (ja) 1992-11-06 1994-05-24 Chisso Corp オキシネイト誘導体
JP3366401B2 (ja) 1992-11-20 2003-01-14 出光興産株式会社 白色有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06203963A (ja) 1993-01-08 1994-07-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3211994B2 (ja) 1993-03-26 2001-09-25 出光興産株式会社 ４官能スチリル化合物およびその製造法
JP3214674B2 (ja) 1993-03-26 2001-10-02 出光興産株式会社 新規スチリル化合物，その製造法およびそれからなる有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2734338B2 (ja) 1993-06-18 1998-03-30 住友電気工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06293778A (ja) 1993-04-05 1994-10-21 Idemitsu Kosan Co Ltd シラナミン誘導体およびその製造方法
JPH07157473A (ja) 1993-12-06 1995-06-20 Chisso Corp トリアジン誘導体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子
JP3300827B2 (ja) 1993-12-21 2002-07-08 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3539995B2 (ja) 1993-12-21 2004-07-07 株式会社リコー オキサジアゾール化合物およびその製造法
JP3496080B2 (ja) 1993-12-24 2004-02-09 株式会社リコー オキサジアゾール誘導体およびその製造方法
US6064355A (en) 1994-05-24 2000-05-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for playback with a virtual reality system
DE69526614T2 (de) 1994-09-12 2002-09-19 Motorola Inc Lichtemittierende Vorrichtungen die Organometallische Komplexe enthalten.
JP2000056297A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Victor Co Of Japan Ltd 液晶表示デバイス
JP2005024885A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶表示装置
CN1638585A (zh) * 2003-12-26 2005-07-13 日东电工株式会社 电致发光装置，平面光源和使用该平面光源的显示器
JP2005190931A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Nitto Denko Corp エレクトロルミネッセンス素子とこれを用いた面光源および表示装置
US7709084B2 (en) * 2004-02-18 2010-05-04 Kimoto Co., Ltd Anti-newton ring sheet and touch panel using the same
JP2007041547A (ja) * 2005-06-29 2007-02-15 Fujifilm Corp 光学フィルム、反射防止フィルム、偏光板、および画像表示装置
JP4155337B1 (ja) * 2007-02-21 2008-09-24 ソニー株式会社 防眩性フィルムおよびその製造方法、ならびに表示装置
US8163393B2 (en) * 2007-03-19 2012-04-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Anti-dazzling optical laminate
JP5065776B2 (ja) * 2007-06-22 2012-11-07 パナソニック株式会社 面発光体
JP5536977B2 (ja) * 2007-03-30 2014-07-02 パナソニック株式会社 面発光体
KR20090019752A (ko) * 2007-08-21 2009-02-25 후지필름 가부시키가이샤 산란 부재 및 그것을 사용하는 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치
JP2009122490A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Toppan Printing Co Ltd 防眩フィルム
JP5422393B2 (ja) * 2007-12-17 2014-02-19 三井化学株式会社 重合性組成物、該重合性組成物から得られる透明部材およびその用途
JP2009245786A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2010205650A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
JP5700209B2 (ja) * 2010-03-09 2015-04-15 Jsr株式会社 光電変換素子およびその製造方法、並びに、光導波路形成用組成物およびその硬化物
JP5578987B2 (ja) * 2010-08-23 2014-08-27 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 微粒子層転写材料、並びに有機電界発光素子及びその製造方法
CN103098223A (zh) * 2010-08-31 2013-05-08 康宁股份有限公司 散射覆材的颗粒掺杂方法
JP5520752B2 (ja) * 2010-09-01 2014-06-11 株式会社日立製作所 粘着シート，粘着シートを用いた光学部材，有機発光素子および照明装置並びにそれらの製造方法
KR20120024358A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
JP5610623B2 (ja) * 2010-09-21 2014-10-22 日東電工株式会社 有機ｅｌデバイス
KR101114352B1 (ko) * 2010-10-07 2012-02-13 주식회사 엘지화학 유기전자소자용 기판 및 그 제조방법
JP5676214B2 (ja) * 2010-11-04 2015-02-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909314A (en) * 1994-02-15 1999-06-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical functional materials and process for producing the same
US20070241668A1 (en) * 2004-04-22 2007-10-18 Schott Ag Organic, Eelectro-Optical Element With Increased Decoupling Efficiency
CN101790899A (zh) * 2007-08-27 2010-07-28 松下电工株式会社 有机el发光元件
WO2011099641A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Antireflection coating film and antireflection coating material for optical element and optical element
TW201203649A (en) * 2010-04-08 2012-01-16 Asahi Glass Co Ltd Organic led element, translucent substrate, and method for manufacturing organic led element
KR101114916B1 (ko) * 2010-12-27 2012-02-14 주식회사 엘지화학 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP6561396B2 (ja) 2019-08-21
KR101678261B1 (ko) 2016-11-21
CN104521020B (zh) 2017-06-20
TW201424075A (zh) 2014-06-16
KR20140017458A (ko) 2014-02-11
JP2017103243A (ja) 2017-06-08
US9391301B2 (en) 2016-07-12
EP2882007A1 (en) 2015-06-10
JP2015530700A (ja) 2015-10-15
CN104521020A (zh) 2015-04-15
EP2882007A4 (en) 2016-03-16
US20150137109A1 (en) 2015-05-21
WO2014021644A1 (ko) 2014-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI551446B (zh) 用於有機電子裝置之基板
US9368758B2 (en) Substrate for organic electronic device
KR101589342B1 (ko) 유기전자소자용 기판
JP2015530698A (ja) 有機電子素子用基板
JP6561396B2 (ja) 有機電子装置及び照明
TWI526508B (zh) 用於有機電子裝置之基板
US9385330B2 (en) Substrate for organic electronic device, organic electronic system and lighting each with particle-containing layer having light-scattering particles and second particles different from the light-scattering particles
KR20130111486A (ko) 유기전자소자용 기판