CN104517615A - 磁记录头及具备其的盘装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供通过写入间隙的狭小化来提高记录分辨率和线记录密度的磁记录头及使用其的盘装置。根据实施方式，盘装置的记录头（58）具备：主磁极（60），其向记录介质的记录层施加记录磁场；写入屏蔽层（62），其隔着写入间隙与主磁极相对；记录线圈，其在主磁极产生磁场；和高频振荡器（65），其在主磁极的前端部和写入屏蔽层之间配置于写入间隙内。高频振荡器具有形成于主磁极上的中间层（74）和形成于该中间层上的振荡层（72）、自旋注入层（75）及界面磁性层（76），振荡层和自旋注入层在与写入间隙的间隙长度方向相交的方向上排列配置，自旋注入层与写入屏蔽层电连接。

Description

磁记录头及具备其的盘装置

本申请基于日本在先申请2013-207189号（申请日：2013年10月2日）并要求其优先权。该在先申请的全部内容通过引用并入此处。

技术领域

此处描述的实施方式涉及使用于盘装置的高频辅助记录用的磁记录头及具备该磁记录头的盘装置。

背景技术

作为盘装置，例如，磁盘装置具备：配置于盒内的磁盘，将磁盘支撑并使其旋转的主轴电机；对于磁盘进行信息的读取、写入的磁头；和将磁头相对于磁盘移动自如地支撑的滑架组件。磁头的头部的构成包括写入用的磁记录头和读取用的重放（再生）头。

近年来，为了实现磁盘装置的高记录密度化、大容量化或小型化，而提出了垂直磁记录用的磁头。在此类磁头中，记录头具有：产生垂直方向磁场的主磁极；在该主磁极的后缘（trailing）侧隔着写入间隙配置而在与磁盘之间使磁路封闭的写入屏蔽层（ライトシールド）；和用于使磁通量在主磁极流动的线圈。

提出了在主磁极和写入屏蔽层之间（写入间隙）配置自旋转矩（スピントルク）振荡器的高频辅助记录用的磁记录头。自旋转矩振荡器通过将振荡层、中间层、自旋注入层层叠而形成，且该自旋转矩振荡器和主磁极及写入屏蔽层电连接。

在此类构成的磁记录头中，写入间隙长度由自旋转矩振荡器的总厚度决定。另一方面，为了提高线记录密度即轨道长度方向的记录分辨率而需要缩小写入间隙。但是，在上述构成中，不能使磁记录头的写入间隙薄至自旋转矩振荡器的总厚度以下，且难以提高线记录密度。

发明内容

本发明要解决的问题是提供通过写入间隙的狭小化来提高记录分辨率和线记录密度的磁记录头及使用其的磁盘装置。

根据实施方式，一种磁记录头，具备：主磁极，其向记录介质的记录层施加记录磁场；写入屏蔽层，其隔着写入间隙与所述主磁极相对；记录线圈，其在所述主磁极产生磁场；和高频振荡器，其在所述主磁极的前端部和写入屏蔽层之间配置于所述写入间隙内。高频振荡器具有形成于所述主磁极上的中间层和形成于该中间层上的振荡层、自旋注入层及界面磁性层，所述振荡层和自旋注入层在与所述写入间隙的间隙长度方向相交的方向上排列配置，所述自旋注入层与所述写入屏蔽层电连接。

附图说明

图1是表示第一实施方式涉及的硬盘驱动器（以下，为HDD）的立体图。

图2是表示所述HDD的磁头及悬架的侧视图。

图3是将所述磁头的头部放大表示的剖视图。

图4是将所述磁头的磁记录头在轨道中心剖开并示意地表示的立体图。

图5是表示所述磁记录头的主磁极、后缘屏蔽层及高频振荡器的剖视图。

图6是从气垫面（ABS）观察所述磁记录头的写入间隙附近的俯视图。

图7是从ABS观察第二实施方式涉及的HDD的磁记录头的俯视图。

图8是从ABS观察第三实施方式涉及的HDD的磁记录头的俯视图。

具体实施方式

下面参照附图来说明各种实施方式。

（第一实施方式）

图1将第一实施方式涉及的HDD的顶盖取下以表示内部结构，图2是浮起状态的磁头。如图1所示，HDD具备壳体10。该壳体10具备上表面开口的矩形箱状的基体10a和未图示的矩形板状的顶盖。顶盖通过多个螺钉而螺钉固定于基体上，并将基体的上端开口封闭。这样，壳体10内部保持气密，仅能通过呼吸过滤器26而与外部通气。

在基体10a上，设有作为记录介质的磁盘12及机构部。机构部具备：支撑磁盘12并使其旋转的主轴电机13；对磁盘进行信息的记录、重放的多个、例如两个磁头33；将该磁头33相对于磁盘12的表面移动自如地支撑的头致动器14；和使头致动器转动及定位的音圈电机（以下称为VCM）16。此外，在基体10a上，设有：在磁头33移动到磁盘12的最外周时将磁头33保持于从磁盘12远离的位置的斜坡加载机构18；在HDD作用冲击等时将头致动器14保持于后退位置的闩锁机构20；以及安装有转换连接器等电子部件的基板单元17。

在基体10a的外表面，螺钉固定控制电路基板25，且与基体10a的底壁相对地定位。控制电路基板25经基板单元17控制主轴电机13、VCM16及磁头33的动作。

如图1所示，磁盘12由夹持弹簧15夹持并固定于凸轴（ハブ），该夹持弹簧15与主轴电机13的凸轴互相同轴地嵌合并且在凸轴的上端螺钉固定。磁盘12通过作为驱动电机的主轴电机13而以预定的速度在箭头B方向上旋转。

头致动器14具备在基体10a的底壁上固定的轴承部21和从轴承部21伸出的多个臂27。该臂27与磁盘12的表面平行且互相之间隔着预定的间隔地定位，并且从轴承部21向同一方向伸出。头致动器14具备能弹性变形的细长板状的悬架30。悬架30由板弹簧构成，且其基端通过点焊或粘接而固定于臂27的前端，并从臂27伸出。各悬架30可与对应的臂27一体形成。在各悬架30的伸出端支撑有磁头33。由臂27及悬架30构成头悬架，且由该头悬架和磁头33构成头悬架组件。

如图2所示，各磁头33具有大体长方形形状的浮动块42和在该浮动块的流出端（后缘端）设置的记录重放用的头部44。磁头33固定于在悬架30的前端部设置的万向弹簧41。各磁头33通过悬架30的弹性而被施加朝向磁盘12的表面的头载荷L。两个臂27隔着预定间隔地互相平行定位，在该臂27安装的悬架30及磁头33在其间放置磁盘12地互相相对。

各磁头33经在悬架30及臂27上固定的中继柔性印刷电路基板（以下称为中继FPC）35而与后述的主FPC38电连接。

如图1所示，基板单元17具有由柔性印刷电路基板形成的FPC主体36和从该FPC主体伸出的主FPC38。FPC主体36固定于基体10a的底面上。在FPC主体36上，安装有包括转换连接器37、头IC在内的电子部件。主FPC38的伸出端与头致动器14连接，并经各中继FPC35与磁头33连接。

VCM16具有从轴承部21向与臂27相反方向伸出的未图示的支撑框架以及由支撑框架支撑的音圈。在将头致动器14组装到基体10a中的状态下，音圈位于在基体10a上固定的一对磁轭34间，并与该磁轭34及固定于磁轭34的磁铁一同构成VCM16。

通过在磁盘12旋转的状态下向VCM16的音圈通电，而使头致动器14转动，磁头33移动至磁盘12的期望的轨道上并定位。此时，磁头33沿磁盘12的径向在磁盘的内周缘部和外周缘部之间移动。

其次，对磁盘12及磁头33的构成进行详细说明。图3是将磁头33的头部44及磁盘12放大表示的剖视图。

如图1至图3所示，磁盘12具有例如形成为直径约2.5英寸（6.35CM）的圆板状且由非磁性体构成的基板101。在基板101的各表面依次层叠以下各层：作为基底层而层叠有由表现出软磁特性的材料的构成的软磁性层102、在软磁性层102的上层部层叠有在相对于盘面垂直方向上具有磁各向异性的磁记录层103、在磁记录层103的上层部层叠有保护膜层104。

如图2及图3所示，磁头33构成为浮起型的头，且具有形成为大体长方体形状的浮动块42和在浮动块的流出端（后缘端）侧的端部形成的头部44。浮动块42由例如氧化铝和碳化钛的烧结体（アルチック（Al₃O₂·TiC））形成，且头部44通过将薄膜层叠而形成。

浮动块42具有与磁盘12的表面相对的矩形形状的盘相对面（气垫面（ABS））43。浮动块42通过利用磁盘12的旋转在盘表面和盘相对面43之间产生的空气流C而浮起。空气流C的方向与磁盘12的旋转方向B一致。浮动块42相对于磁盘12表面配置成盘相对面43的长度方向与空气流C的方向大体一致。

浮动块42具有位于空气流C的流入侧的前缘端42a及位于空气流C的流出侧的后缘端42b。在浮动块42的盘相对面43，形成有未图示的前缘台阶（ステップ）、后缘台阶、侧缘台阶、负压腔等。

如图3所示，头部44具有在浮动块42通过薄膜工艺而形成的重放头54及记录头（磁记录头）58，并形成为分离型的磁头。重放头54及记录头58除了在浮动块42的盘相对面43露出的部分之外由保护绝缘膜73覆盖。保护绝缘膜73构成了头部44的外形。

重放头54的构成包括：表现出磁阻效果的磁性膜55；和配置成在该磁性膜的后缘侧及前缘侧夹持磁性膜55的屏蔽膜56、57。该磁性膜55、屏蔽膜56、57的下端在浮动块42的盘相对面43露出。

记录头58相对于重放头54设置于浮动块42的后缘端42b侧。图4是将记录头58沿磁盘12上的轨道中心剖开并示意地表示的立体图，图5是放大表示记录头的主磁极、后缘屏蔽层及高频振荡器的剖视图，图6是从气垫面（ABS）观察记录头的写入间隙WG附近的俯视图。

如图3及图4所示，记录头58具备：由具有高饱和磁通量密度的软磁性体构成的主磁极60；配置于主磁极60的后缘侧且由具有高饱和磁通量密度的软磁性体构成的后缘屏蔽层（写入屏蔽层）62；为了在主磁极60流通磁通量而在包括主磁极60及后缘屏蔽层62在内的磁路卷绕地配置的记录线圈70；以及在主磁极60的前端部60a和后缘屏蔽层62之间且面对ABS43的部分配置的高频振荡元件、例如自旋转矩振荡器65。主磁极60为了使磁盘12的磁记录层103磁化而产生相对于磁盘12的表面垂直方向的记录磁场。后缘屏蔽层62设置用于经主磁极60正下的软磁性层102而高效地将磁路封闭。

如图3至图6所示，主磁极60相对于磁盘12的表面及ABS43大体垂直地延伸。主磁极60的磁盘12侧的前端部60a向ABS43前端变细地探出（絞り込まれる），并形成为相对于其他部分宽度较窄的柱状。主磁极60的前端面在浮动块42的ABS43露出。主磁极60的前端部60a的轨道相交（クロストラック）方向（轨道宽度方向）C的宽度W1与磁盘12的轨道的宽度大体对应。

后缘屏蔽层62形成为大体L形形状，且具有与主磁极60的前端部60a相对的前端部62a。后缘屏蔽层62的前端部62a形成为细长的矩形形状。后缘屏蔽层62的前端面在浮动块42的ABS43露出。前端部62a的前缘侧端面62c沿磁盘12的轨道的宽度方向延伸。该前缘侧端面62c与主磁极60的后缘侧端面60c隔着写入间隙WG（沿轨道（ダウントラック）方向D的间隙长度）而平行相对。

在本实施方式中，记录头58具有在主磁极60的轨道宽度方向两侧与主磁极60物理分离且与后缘屏蔽层62连接地配置的侧缘屏蔽层82。在本实施方式中，侧缘屏蔽层82与后缘屏蔽层62一体形成。

记录线圈70例如设置于主磁极60和后缘屏蔽层62之间。在记录线圈70连接端子95，且电源98与该端子95连接。从电源98向记录线圈70供给的电流由HDD的控制部控制。在向磁盘12写入信号时，从电源98向记录线圈70供给预定的电流，在主磁极60流通磁通量并产生磁场。

如图5及图6所示，自旋转矩振荡器65在主磁极60的前端部60a和后缘屏蔽层62的前缘侧端面62c之间设置于写入间隙WG内。主磁极60由包括Fe、Co、Ni等的合金形成，且通过电镀法或溅射法形成。主磁极60的后缘侧端面60c通过CMP（化学机械抛光）而平坦化，且在该后缘侧端面60c上形成有自旋转矩振荡器65。

自旋转矩振荡器65具有振荡层72、中间层74、自旋注入层75和界面磁性层76。中间层74形成于主磁极60的后缘侧端面60c上，其下端部在ABS43露出。在该中间层74上层叠振荡层72及界面磁性层76，且还在界面磁性层上形成有自旋注入层75。这样，振荡层72、界面磁性层76及自旋注入层75在与写入间隙WG的间隙长度方向（沿轨道方向D）相交的方向、例如正交的方向（相对于ABS43垂直的方向）上排列形成。即、振荡层72、界面磁性层76及自旋注入层75配置于与中间层74平行的同一平面内。

振荡层72的下端在ABS43露出，且位于与ABS同一平面内。在振荡层72、界面磁性层76及自旋注入层75之间形成有绝缘层77a。还有，在自旋注入层75和后缘屏蔽层62之间形成有电极层78。这样，自旋注入层75经电极层78与后缘屏蔽层62电连接，并且经界面磁性层76及中间层74与主磁极60电连接。

在振荡层72及绝缘层77a和后缘屏蔽层62之间形成有绝缘层77b。这样，振荡层72由绝缘层77a、77b包围，并相对于后缘屏蔽层62电绝缘。

在本实施方式中，第一及第二电极层76、77、振荡层72、中间层74、自旋注入层75、界面磁性层76、电极层78及绝缘层的各自的轨道相交方向C的宽度形成得比写入间隙WG的轨道相交方向C的宽度W1小。再有，各层的宽度也可与W1大体相同，亦可比W1大。

形成于主磁极60上的中间层74由非磁性体形成。中间层74起到将来自自旋注入层75的涡流（スピン流）送至振荡层72的作用，因此优选由自旋扩散长度长的材料形成。例如，可使用Cu、Ag、Au等材料。例如，作为非磁性导体的Cu的自旋扩散长度在室温下为700nm左右。与此相对，强磁性体的自旋扩散长度为几nm～几十nm，且比Cu短。中间层74使用自旋扩散长度长的材料，从而能在比自旋扩散长度短的范围内在带高度（ストライプハイト）方向上伸展。

振荡层72除了FeCoAl之外还可使用CoFe、CoNiFe、NiFe、CoZrNb、FeN、FeSi、FeAlSi、FeCoAl、FeCoSi、CoFeB等饱和磁通量密度较大且在膜面内方向上具有磁各向异性的软磁性层和/或Colr等在膜面内方向上使磁化配向的CoCr系的磁性合金膜。此外，在振荡层72，为了调整饱和磁化和/或各向异性磁场，可使用层叠了多种上述材料的层叠膜。再有，在振荡层72，例如，可使用高Bs软磁性材料（FeCo/Ni层叠膜）的厚度为5～20nm的膜。

界面磁性层76可使用含有Fe、Co、Ni中至少一种元素以及从Cr、V、Mn、Ti、Sc所构成的组选取的至少一种元素的合金。从Cr、V、Mn、Ti、Sc所构成的组选取的至少一种元素的浓度可由以下的条件决定。最小元素浓度是在与现有的自旋注入层材料相反的通电方向上使振荡层振荡的浓度。最大元素浓度是磁化不消失的浓度。

自旋注入层75可使用以CoCrPt、CoCrTa、CoCrTaPt、CoCrTaNb等CoCr系合金、TbFeCo等RE-TM系非结晶合金、FeCo/Ni、CoFe/Ni、Co/Ni、Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt等人工晶格、FePt系和/或CoPt系的合金、SmCo系合金为代表的垂直磁化膜。

覆盖振荡层72的绝缘层77a、77b可使用Si氧化物、氮化物或Al氧化物、氮化物，例如使用SiOx。电极层78形成于自旋注入层75上。后缘屏蔽层62形成于绝缘层77a、77b上。后缘屏蔽层62由Fe、Co、Ni等的合金构成，并用电镀法、溅射法形成。

如图3及图4所示，电源94与主磁极60和后缘屏蔽层62连接，并从该电源94通过主磁极60、自旋转矩振荡器65、电极层78、后缘屏蔽层62而使电流串联流通地构成电路。

在通过主磁极60、中间层74、界面磁性层76、自旋注入层75、电极层78、后缘屏蔽层62向自旋转矩振荡器65通电时，因界面磁性层76、自旋注入层75而偏振的自旋电子在中间层74积蓄。积蓄的偏振自旋电子进入与中间层74接触的振荡层72，因此振荡层72的磁化开始前进运动，并产生高频磁场。

在向磁盘（记录介质）写入数据时，为了提高高频所形成的辅助效果，期望产生更大的高频磁场，但是，为了提高高频磁场强度，需要增大振荡层72的磁膜厚即磁化的大小和膜厚之积。已知磁化的大小存在上限，在提高磁膜厚时需要增大振荡层72的膜厚。但是，在将振荡层/中间层/自旋注入层层叠地形成于写入间隙内的现有磁记录头中，在为了提高高频磁场强度而增大振荡层的膜厚时间距长度也增大，难以获得良好的线记录密度。

与之相对，根据本实施方式，振荡层72及自旋注入层75在写入间隙WG内横向排列地形成，即、在写入间隙WG的与沿轨道方向相交的方向上排列设置。因此，即使振荡层72的膜厚增大一定程度，也能将写入间隙WG的间隙长度保持得较窄。因此，与以往相比，即使是相同的振荡层膜厚，也能使写入间隙WG的间隙长度变小，且能得到足够的线记录密度。此外，振荡层72不与后缘屏蔽层26电连接，且在振荡层72没有电流流通，因此能抑制焦耳热的产生。因此，能抑制热干扰所导致的振荡层的振荡恶化，且能提高作为振荡元件的可靠性。再有，生成高频磁场的振荡层72在ABS43露出，且形成于离磁盘近的部位，因此能提高作用于磁盘的高频磁场强度。

根据以上那样构成的HDD，通过驱动VCM16，而使头致动器14转动，磁头33移动到磁盘12的期望的轨道上并被定位。此外，磁头33利用通过磁盘12的旋转在盘表面和ABS43之间产生的空气流C而浮起。在HDD工作时，浮动块42的ABS43相对于盘表面保留间隙地相对。如图2所示，磁头33采用头部44的记录头58部分最接近磁盘12表面的姿势浮起。在该状态下，由重放头54对磁盘12进行记录信息的读取，并且由记录头58进行信息的写入。

在信息的写入中，如图3所示，从电源94向主磁极60、中间层74、界面磁性层76、自旋注入层75、电极层78、后缘屏蔽层62流通直流电流，并从自旋转矩振荡器65产生高频磁场，且将该高频磁场向磁盘12的磁记录层103施加。此外，通过从电源98向记录线圈70流通交流电流，而由记录线圈70将主磁极60励磁，并从主磁极向正下的磁盘12的磁记录层103施加垂直方向的记录磁场。这样，在磁记录层103以期望的轨道宽度记录信息。通过在记录磁场重叠高频磁场，而能进行高顽磁力（保磁力）及高磁各向异性能量的磁记录。

如上所述，根据第一实施方式，能得到通过写入间隙WG的狭小化来提高记录分辨率及线记录密度的磁记录头及具备该磁记录头的磁盘装置。

其次，对其他实施方式涉及的HDD的磁记录头进行说明。再有，在以下说明的其他实施方式中，对与所述第一实施方式相同的部分标注相同的参照标记并省略其详细说明，并以与第一实施方式不同的部分为中心来详细说明。

（第二实施方式）

图7是从ABS侧观察第二实施方式涉及的HDD中的磁记录头的前端部的俯视图。

根据第二实施方式，自旋转矩振荡器65在主磁极60的前端部60a和后缘屏蔽层62的前缘侧端面62c之间设置于写入间隙WG内。写入屏蔽层具有与后缘屏蔽层62一体的侧缘屏蔽层82。

自旋转矩振荡器65具有振荡层72、中间层74、自旋注入层75和界面磁性层76。中间层74形成于主磁极60的后缘侧端面60c上，其下端部在ABS43露出。在该中间层74上层叠振荡层72及界面磁性层76，且还在界面磁性层上形成有自旋注入层75。这样，振荡层72和界面磁性层76及自旋注入层75在与写入间隙WG的间隙长度方向（沿轨道方向D）相交的方向、例如轨道相交方向C（与ABS平行的方向）上排列形成。即、振荡层72和界面磁性层76及自旋注入层75配置于与中间层74平行的同一平面内。

振荡层72及自旋注入层75的下端在ABS43露出，且位于与ABS同一平面中。在振荡层72和后缘屏蔽层62的前缘侧端面62c之间形成有绝缘层77b。再有，在自旋注入层75和后缘屏蔽层62的前缘侧端面62c之间形成有电极层78。这样，自旋注入层75经电极层78与后缘屏蔽层62电连接，并且经界面磁性层76及中间层74与主磁极60电连接。

振荡层72和自旋注入层75之间以及其周围由Al₂O₃·TiC等绝缘层填充。这样，振荡层72相对于后缘屏蔽层62电绝缘。

这样，形成于中间层74上的振荡层72及自旋注入层75在与写入间隙WG的沿轨道方向D正交的轨道相交方向C上排列配置，且在与写入间隙WG相交的同一平面上排列配置。振荡层72位于主磁极60的轨道相交方向C的大体中央部，且自旋注入层75相对于振荡层72设置于侧缘屏蔽层82侧，且位于主磁极60的轨道相交方向的端部上。

在第二实施方式中，记录头58的其他构成与上述第一实施方式涉及的记录头相同。

根据上述构成，即使使振荡层72的膜厚增大一定程度，也能使写入间隙长度保持得较窄。因此，与以往相比，即使是相同的振荡层膜厚，也能减小写入间隙长度，且能获得足够的线记录密度。此外，由于在振荡层72没有流通电流，因此能抑制焦耳热的产生。因此，能抑制热干扰所导致的振荡恶化，且能提高作为元件的可靠性。

在第二实施方式中，能得到通过写入间隙WG的狭小化来提高记录分辨率及线记录密度的磁记录头及具备该磁记录头的磁盘装置。

（第三实施方式）

图8是从ABS侧观察第三实施方式涉及的磁记录头的俯视图。

根据本实施方式，HDD的记录头58是适用于单记录（シングル記録）方式磁记录头的记录头。

如图8所示，自旋转矩振荡器65在主磁极60的前端部60a和后缘屏蔽层62的前缘侧端面62c之间设置于写入间隙WG内。写入屏蔽层具有与后缘屏蔽层62一体的侧缘屏蔽层82。

自旋转矩振荡器65具有振荡层72、中间层74、自旋注入层75和界面磁性层76。非磁性体的中间层74形成于主磁极60的后缘侧端面60c上，其下端部在ABS43露出。在该中间层74上层叠两个振荡层72及界面磁性层76，且还在界面磁性层上形成有自旋注入层75。自旋注入层75形成于主磁极60的轨道相交方向C的中央，两个振荡层72分别形成于自旋注入层的两侧、即主磁极60的轨道相交方向C的两端部。这样，两个振荡层72和自旋注入层75在与写入间隙WG的沿轨道方向D相交的轨道相交方向C上排列形成，且在与写入间隙WG相交的同一平面上排列配置。两个振荡层72和自旋注入层75的下端在ABS露出，且与ABS共面。

在自旋注入层75和后缘屏蔽层62之间形成有电极层78。在各振荡层72和后缘屏蔽层62之间形成有绝缘层77b。此外，各振荡层72的周围由绝缘层77a包围，且振荡层与写入屏蔽层（后缘屏蔽层、侧缘屏蔽层）电绝缘。

在第三实施方式中，记录头58的其他构成与上述第一实施方式涉及的记录头相同。

单记录方式是边使记录头一点点挪动边在磁盘上书写数据从而形成细轨道的方式。根据本实施方式，通过挪动记录头以在形成有振荡层72一侧形成保存数据的部分，而在形成的细轨道的部分作用高频磁场，并能进行良好的单记录。根据本实施方式，由于在主磁极的两端形成有振荡层72，因此在进行单记录的情况下，能在磁记录介质的内周侧和外周侧分别使用两个振荡层。

此外，在本实施方式中，能得到通过写入间隙WG的狭小化来提高记录分辨率及线记录密度的磁记录头及具备该磁记录头的磁盘装置。

本发明不限于上述实施方式，在实施阶段，可在不脱离其主旨的范围内使构成要素变形来具体化。此外，通过上述实施方式公开的多个构成要素的适当组合，而能形成各种发明。例如，可从实施方式所示的全部构成要素删除几个构成要素。还有，可将不同的实施方式的构成要素适当组合。

例如，构成头部的要素的材料、形状、大小等可根据需要来改变。此外，在磁盘装置中，磁盘及磁头的数量可根据需要来增加，且磁盘的尺寸也能进行各种选择。

Claims (11)

1.一种磁记录头，其特征在于，

具备：

主磁极，其向记录介质的记录层施加记录磁场；

写入屏蔽层，其隔着写入间隙与所述主磁极相对；

记录线圈，其在所述主磁极产生磁场；和

高频振荡器，其在所述主磁极的前端部和写入屏蔽层之间配置于所述写入间隙内，

所述高频振荡器具有形成于所述主磁极上的中间层和形成于该中间层上的振荡层、自旋注入层及界面磁性层，所述振荡层和自旋注入层在与所述写入间隙的间隙长度方向相交的方向上排列配置，所述自旋注入层与所述写入屏蔽层电连接。

2.根据权利要求1所述的磁记录头，其特征在于，

具备与记录介质相对的介质相对面，

所述高频振荡器的振荡层及自旋注入层在与所述写入间隙的间隙长度方向相交的方向上在与所述介质相对面正交的同一平面上排列设置。

3.根据权利要求1所述的磁记录头，其特征在于，

具备与记录介质相对的介质相对面，

所述高频振荡器的振荡层及自旋注入层在与所述写入间隙的间隙长度方向相交的方向上在与所述介质相对面平行的轨道相交方向上排列设置。

4.根据权利要求3所述的磁记录头，其特征在于，

所述自旋注入层设置于所述主磁极的轨道相交方向的中央部，所述振荡层设置于所述主磁极的轨道相交方向的端部。

5.根据权利要求3所述的磁记录头，其特征在于，

所述振荡层设置于所述主磁极的轨道相交方向的中央部，所述自旋注入层设置于所述主磁极的轨道相交方向的端部。

6.根据权利要求5所述的磁记录头，其特征在于，

具备侧缘屏蔽层，该侧缘屏蔽层从所述写入屏蔽层伸出且隔着间隙位于所述主磁极的轨道相交方向两侧，

所述振荡层相对于所述自旋注入层设置于所述侧缘屏蔽层侧。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的磁记录头，其特征在于，

所述界面磁性层形成于所述中间层和自旋注入层之间，且所述自旋注入层经磁极层与所述写入屏蔽层接合。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的磁记录头，其特征在于，

具备设置于所述振荡层和写入屏蔽层之间的绝缘层以及设置于所述振荡层和自旋注入层之间的绝缘层。

9.一种盘装置，其特征在于，具备：

记录介质，其具有磁记录层；

驱动部，其使所述记录介质旋转；和

权利要求1所述的磁记录头，其对所述记录介质进行信息处理。

10.根据权利要求9所述的盘装置，其特征在于，

所述磁记录头具备与记录介质相对的介质相对面，

所述高频振荡器的振荡层及自旋注入层在与所述写入间隙的间隙长度方向相交的方向上在与所述介质相对面正交的同一平面上排列设置。

11.根据权利要求9所述的盘装置，其特征在于，

所述磁记录头具备与记录介质相对的介质相对面，

所述高频振荡器的振荡层及自旋注入层在与所述写入间隙的间隙长度方向相交的方向上在与所述介质相对面平行的轨道相交方向上排列设置。