CN104411446A - 用于处理工件的方法及设备 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种用于处理一工件的设备，其例示性特征在于包括：一处理工具，其具有一处理区域，可在该处理区域内处理一工件；及一照明系统，其经组态以将侦测光引导至该处理区域中。在此实施例中，可由该照明系统引导的侦测光具有对其而言该工件为至少部分不透明的一波长。该设备可进一步包括：一影像传感器，其经组态以侦测透射穿过该处理区域的该侦测光的一特性；及一卡盘，其经组态以支撑一工件使得该工件的至少一部分可安置在该处理区域内且可由该侦测光照亮。也揭示用于处理一工件的方法。

Description

用于处理工件的方法及设备
背景技术
例示性描述于本文中的本发明的实施例大致上是关于用于处理工件的方法及设备。更特定而言，例示性描述于本文中的本发明的实施例是关于用于处理工件的方法及设备，其中光引导至一处理工件的一侧上且该光在该工件的另一侧上被侦测到。
在半导体产业中，基板切割是促进总成制程中的全部后续操作的封装总成的关键态样。在习知上使用机械锯执行切割。半导体基板(通常由硅形成)的厚度可减小以实现硅穿通孔(TSV)、堆栈内存、插入器、微机电(MEM)及封装中系统(SIP)技术。然而，当厚度减小至低于约50μm时，该基板逐渐变成可挠性、易碎的并且难以通过传统机械切割技术切割。已开发使用激光光来通过烧蚀移除基板材料的基于激光的切割技术来解决传统机械切割的缺点。然而，可能难以确保移除恰当量的材料来切割基板。若过多激光能量施加至基板区域，则激光可能损坏支撑结构诸如晶粒附着膜(DAF)、卡盘等等。若施加过少激光能量，则基板将不被切割。
发明内容
例示性描述于本文中的一实施例的特征可在于一种用于处理工件的设备，其中该设备包括：处理工具，该处理工具具有处理区域，可在该处理区域内处理工件；及照明系统，其经组态以将侦测光引导至该处理区域中。在此实施例中，可由该照明系统引导的侦测光具有对其而言工件为至少部分不透明的波长。该设备可进一步包括：影像传感器，其经组态以侦测透射穿过该处理区域的侦测光的特性；及卡盘，其经组态以支撑工件使得工件的至少一部分可安置在该处理区域内并且可由侦测光照亮。
例示性描述于本文中的另一实施例的特征可在于一种处理工件的方法，其中该方法包括配置工件使得该工件的一部分安置在处理工具的处理区域内并且在该处理区域内用处理工具处理工件。侦测光可被引导至处理区域中并至工件的部分上。在此实施例中，侦测光可具有对其而言工件为至少部分不透明的波长。在该处理后，可侦测到透射穿过处理区域的侦测光的特性。
附图说明
图1示意示出根据本发明的一实施例的工件处理设备。
图2是示意示出可由图1所示的工件处理设备处理的工件的一实施例的透视图。
图3至图5示意示出在工件处理的不同处理阶段由图1所示的影像传感器所侦测的侦测光的例示性影像。
图6示意示出根据本发明的一实施例的可用于判定工件的处理状态的参考影像。
图7示意示出根据本发明的一实施例用于扫描激光能量束以处理工件的例示性路径。
具体实施方式
将在下文参考附图更全面地描述本发明的例示性实施例。应明白此等实施例可变更且可以许多不同形式实施并且不应被解释为限于本文所陈述的论述。而是，此等实施例经提供使得本揭示内容将为透彻且完整，并且将充分传达本发明的范畴给熟习此项技术者。在图中，层及区域的大小及相对大小可为清楚起见而扩大。
本文中所使用的术语是仅出于描述特定例示性实施例的目的并非旨在限制本发明。如本文中所使用，单数形式「一」、「一个」、及「该」旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。应进一步了解术语「包括(comprises及/或comprising)」当用在本说明书中时指定存在所述特征、整数、步骤、操作、组件及/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、组件及/或其群组。
如本文所例示性描述，用于处理工件的设备(即，工件处理设备)包括处理工具，该处理工具经组态以处理(例如，切割、蚀刻、研磨、加热、烧蚀、熔融、蒸发、塑形等等)安置在其处理区域内的工件。可由工件处理设备处理的工件包括基板诸如硅(Si)晶圆、绝缘体上硅(SOI)晶圆、砷化镓(GaAs)晶圆、蓝宝石晶圆等等；印刷电路板(PCB)；可挠性印刷电路(FPC)；陶瓷件；金属件(例如，板、箔等等)；聚合物；相变材料(例如，基于硫族化物的相变材料，诸如GeSbTe、AgInSbTe、GaSb、InSb、InSbTe、(GeSn)SbTe、InSe,GaSeTe、GeSb(SeTe)、SbTe、SnSbTe、TeGeSbS、GeTe、InSbGe等等或其组合)。处理工具可处理工件以形成完全或部分延伸穿过工件的一个或多个特征(例如，通孔、孔、钻孔、槽、刻化线、基准标记等等)。可合并在工件处理设备内的例示性处理工具包括机械钻、机械锯、电浆蚀刻剂、化学蚀刻剂、激光系统等等或其组合。
工件处理设备也包括侦测系统，该侦测系统经组态以判定工件的处理状态。例如，该侦测系统可经组态以判定是否已因处理工具处理工件而按需形成特征。在一些实施例中，侦测系统可基于所判定的处理状态控制处理工具的操作。例如，若判定特征未按需形成，则侦测系统可控制处理工具的操作来重新处理工件直到按需形成特征为止。因此侦测系统可用作闭合回路控制器，从而允许工件由处理工具反复处理直到按需形成特征为止。通过用上文例示性描述的工件处理设备处理工件，特征的形成可容易地并且动态地用闭合回路回馈机构调节而非通过在处理工件之前设定处理反复次数。
在一些实施例中，该侦测系统可包括照明系统、影像传感器及控制器。该照明系统可经组态以将侦测光引导至处理工具的处理区域中，使得安置在处理区域内的工件的一部分可由该侦测光照亮。影像传感器可经组态以侦测透射穿过处理区域的侦测光的影像且产生对应于该所侦测影像的影像信号。该控制器耦合至影像传感器且经组态以基于影像信号判定工件的处理状态。
一般而言，待处理的工件将对侦测光至少部分不透明。因此，当工件安置在处理工具的处理区域内时，引导至处理区域中的侦测光的至少一部分被工件阻止透射穿过处理区域。然而，当用处理工具处理工件时，可完全薄化或移除工件的区域(例如延伸穿过工件的厚度)。因此，在处理工件之前被工件阻止透射穿过处理区域的侦测光可归因于经处理工件的薄化或移除区域的形成而可潜在地透射穿过处理区域。因此，当工件仍在处理区域中时，影像传感器可侦测透射穿过处理区域的任何侦测光的影像，且控制器可基于由影像传感器所产生的影像信号判定工件的处理状态。由于可在不必将工件的经处理部分移到处理区域外部的情况下判定工件的处理状态，故工件在处理区域内的任何部分的处理状态可被快速且重复判定而无需不合意地慢化工件处理的产量。
现将关于图1至图7描述用于处理工件的前述方法及设备的例示性实施例。在此例示性实施例中，旨在使用激光系统作为处理工具以形成特征诸如完全延伸穿过工件的刻划线而处理工件。然而，应明白本文所述的方法及设备可应用于形成其他特征诸如完全或部分延伸穿过工件的通孔、孔、钻孔、槽、基准标记等等，或甚至部分延伸穿过工件的刻划线。也应明白本文所述的方法及设备可与除激光系统以外的处理工具(例如，机械钻、机械锯、电浆蚀刻剂等等)一起使用。
参考图1，工件处理设备(诸如工件处理设备100)可例如包括处理工具，诸如激光系统102。该工件处理设备100也可包括晶圆支撑系统104以及侦测系统，该侦测系统包括照明系统106、影像传感器108及控制器110。
如例示性示出，激光系统102的处理区域由方框112描绘。激光系统102一般经组态以将激光能量束114引导至处理区域112中。在一实施例中，激光系统102包括束产生器116、扫描透镜118及束操纵系统120。该束产生器116经组态以产生具有一个或多个束参数诸如波长、功率、脉冲速率、脉冲持续时间等等的激光能量束(呈一系列激光脉冲的形式)114。在一实施例中，激光能量束114可具有一般对应于紫外(UV)光、绿光、红外(IR)光等等或其组合的波长。扫描透镜118经组态以聚焦激光能量束114使得当引导至安置在处理区域112内的工件(例如，工件122)的一部分上时，激光能量束114具有一个或多个参数诸如工件122表面上的光点大小及剂量。在一些实施例中，透镜驱动总成(未示出)可用于在z轴方向上移动扫描透镜118(例如，沿着箭头124所示的方向)，以改变激光能量束114在工件122表面上的光点大小及/或剂量。束操纵系统120经组态以在二维场(例如，X-Y场)内相对于工件122侧向扫描激光能量束114。因此，束操纵系统120可包括一个或多个检流计镜(galvanometric mirrors或「galvo-mirros」)(例如，X轴检流计镜及/或Y轴检流计镜)、一个或多个快速操纵镜(FSM)、一个或多个压力致动镜、一个或多个声光偏转器(AOD)、一个或多个电光偏转器(EOD)等等或其组合。
参考图1及图2，工件122可提供为具有多个主动区域202的半导体(例如，硅)晶圆200，其中集成电路(IC)、半导体内存、MEM装置等等形成在半导体晶圆200的前侧122a(本文中也称为「第一侧」)上。主动区域202通过在半导体晶圆200的前侧122a上形成晶格图案的刻划道204彼此分离。如在前侧122a与后侧122b之间量测的半导体晶圆的厚度可小于100μm。在一实施例中，半导体晶圆200的厚度可小于50μm。刻划道204的宽度的范围可为自约20μm至约30μm。视需要，半导体晶圆200可暂时黏附至DAF(未示出)以促进半导体晶圆200输送至工件处理设备100中并将其输送出工件处理设备100。
再参考图1，激光系统102的前述组件可协同控制以将激光能量束114引导至安置在处理区域112内的工件122的任何部分上以处理工件122。如例示性示出，激光系统102已处理工件122以自工件122移除材料且形成特征124a及124b，该等特征旨在成为形成在如图2所示的刻划道204内的刻划线)。应明白激光系统102的前述组件的任何组合可协同控制以在处理区域112内且相对于工件122侧向扫描激光能量束114以形成所要特征诸如刻划线、穿孔、槽等等或其组合。在一实施例中，激光系统102的前述组件的任何组合可协同控制以依描述于美国专利第7,947,575号中的方式将激光能量束114引导至工件122上，该案的全文以引用的方式并入。
工件支撑系统104经组态以支撑工件122使得工件122的至少一部分安置在处理区域112内。在所示实施例中，工件支撑系统104包括卡盘126及卡盘支撑件128。卡盘126一般经组态以支撑工件122使得工件122在处理期间不会不合意地移动。因此，卡盘126可提供为真空卡盘、电-静态式放电卡盘等等或其组合。如所示，卡盘126连续延伸在工件122的背侧122b(本文中也称为「第二侧」)的整体下方。然而，在其他实施例中，卡盘126可经组态以在少于背侧122a的整体下方延伸。例如，取决于工件122的大小、形状及/或硬度，卡盘126可经组态以接触背侧122a的周边。卡盘支撑件128耦合至卡盘126并且经组态以将卡盘126悬挂在影像传感器108上方。卡盘支撑件128也可相对于处理区域112移动且耦合至可操作以实现此移动的一个或多个运动控制台(例如，X-、Y-及/或Θ运动控制台，未示出)。在一实施例中，该一个或多个运动控制台的操作可由控制器110或另一控制系统控制。
如上文所述般构建，工件支撑系统104可支撑工件122的不同部分且可将该等部分移至处理区域112中并将其移出处理区域112。因此，在所有所要特征已形成在工件122安置在处理区域112内的一个部分(例如，第一部分)中后，工件支撑系统104可相对于处理区域112移动工件122使得所要特征可形成在工件122的另一部分(例如，第二部分)中。
照明系统106经组态以将侦测光130引导至处理区域112中并使其穿过处理区域112。在所示实施例中，照明系统106包括可操作以发射侦测光130的一个或多个发光装置132。在一个实施例中，一个或多个光发射装置132的操作可由控制器110或另一控制系统控制。如例示性所示，发光装置132安置在工件122上方，使得侦测光130可在激光能量束114引导至处理区域112中的大致相同方向上引导至处理区域112。因此，当工件122的一部分安置在处理区域112内时，工件122的安置在处理区域112中的部分的前侧122a可被侦测光130照亮。侦测光130可具有不同于激光能量束114的波长的波长。例如，若侦测光130的波长不同于激光能量束114，则侦测光130可具有对应于红光、黄光、蓝光、绿光、UV光、IR光等等的波长。
发光装置132经组态使得所发射的侦测光130至少部分被工件122阻止透射穿过处理区域112。因此，发光装置132的组态可取决于正被处理的工件122使得工件122将至少部分对所发射侦测光130不透明。例如，若工件122被提供为硅晶圆，则一个或多个发光装置132可经组态以发射波长在可见或紫外波长范围内(例如，低于约760nm)的侦测光130。然而，若工件122被提供为玻璃基板，则一个或多个发光装置132可经组态以发射波长在长波长或远红外波长范围内(例如，高于约8μm)的侦测光130。应明白一个或多个发光装置132可提供为发光二极管(LED)、有机发光装置(OLED)、弧灯、气体放电灯、感应灯等等或其组合。在一实施例中，其中如所示卡盘126连续延伸在工件122的背侧122a的整体下方，发光装置132经进一步组态使得所发射的侦测光130至少部分可透射穿过卡盘126。在一实施例中，卡盘126相比于工件122可对于侦测光130较透明。
如上文描述般构建，照明系统106将侦测光130引导至工件122上使得工件122在处理区域112内的部分的前侧122b可用侦测光130照亮。在此例示性实施例中，特征124a完全延伸穿过工件122，而特征124b仅部分延伸穿过工件122。因此，由照明系统106引导的侦测光130可通过特征124a透射穿过处理区域112至影像传感器(例如，如箭头134所示)。然而，由于特征124b仅部分延伸穿过工件122，故通过特征124b阻挡侦测光130到达影像传感器108。
影像传感器108经组态以侦测透射穿过处理区域112的侦测光130的特性(例如，影像)。影像传感器108可进一步经组态以产生对应于所侦测影像的影像信号。在一实施例中，影像传感器108可提供为一个或多个电荷耦合装置(CCD)传感器、一个或多个CMOS传感器等等或其组合。如例示性所示，影像传感器108安置在处理区域112下方且因此在工件122下方。然而，应明白若某改向机构(例如，一个或多个反射表面、一个或多个光纤等等或其组合)经提供以将影像传感器108光学耦合至已透射穿过处理区域112的侦测光130，则影像传感器108可相对于处理区域112安置在任何地方。
在一实施例中，光学滤光器诸如光学滤光器136安置在影像传感器108与处理区域112之间。光学滤光器136可经组态以相对于激光能量束114内的光选择性地(或优先地)传输侦测光130。例如，光学滤光器136可选择性地传输选定波长的侦测光130(影像传感器108对该光按需敏感)且可基本上阻挡(例如，散射、反射、吸收等等)来自激光能量束114的光到达影像传感器108。适合的光学滤光器的实例可包括长通滤光器、带通滤光器、短通滤光器等等或其组合。
如上文所述般构建，影像传感器108侦测透射穿过处理区域112的侦测光130的影像且产生对应于所侦测影像的影像信号。例如且参考图3，在工件122安置在处理区域112中后但在工件122被处理而按需形成特征(即，在本例示性实施例中，完全延伸穿过工件122的刻划线)前，被引导至工件122的第一侧122a上的全部侦测光130被阻止透射穿过处理区域112至影像传感器108上。因此，由影像传感器108在此工件处理阶段侦测到的影像可能看起来像影像300，其显示均匀、非照亮或「暗」区域302。
参考图4，在工件处理进一步进展但仍在按需形成特征之前，引导至工件122的第一侧122a上的一些侦测光130透射穿过处理区域112至影像传感器108上。因此，由影像传感器108在此工件处理阶段侦测到的影像可能看起来像影像400，其显示照亮区域402及非照亮区域404的型样。在所示实施例中，照亮区域402对应于工件122的已完全移除来形成特征(诸如图1所示的特征124a)的区域。非照亮区域404对应于工件122的尚未处理或已被处理来形成特征(诸如图1所示的特征124b)的区域。
参考图5，在工件处理仍进一步进展后，引导至工件122的第一侧122a上的更多侦测光130透射穿过处理区域112至影像传感器108上。因此，由影像传感器108在此工件处理阶段侦测到的侦测光130的影像可能看起来像影像500，其显示照亮区域502及非照亮区域504的型样。在所示实施例中，照亮区域502对应于工件122的已完全移除来形成类似于图1所示的特征124a的特征的区域。非照亮区域504可对应于工件122的未处理区域。因此，照亮区域502在影像500中的位置可对应于刻划道204在图2所示的半导体晶圆200上的位置。类似地，非照亮区域504在影像500中的位置可对应于主动区域202在图2所示的半导体晶圆200上的位置。
再参考图1，控制器110耦合至影像传感器108且经组态以判定工件122的处理状态。例如，控制器110可包括影像处理模组138，该影像处理模组138经组态以基于由影像传感器108所产生的影像信号判定工件122的处理状态。在一实施例中，影像处理模组138通过接收由影像传感器108所产生的影像信号及处理所接收的影像信号而判定工件122的处理状态。在一实施例中，可通过比较由所接收影像信号描述的影像(即，所接收「样本影像」)与参考影像以例如判定所接收样本影像是否充分匹配于参考影像而处理所接收影像信号。所接收样本影像是否充分匹配于参考影像可用于判定工件122的处理状态。应明白任何适合的基于计算机的影像处理算法可用于判定在合理时间量内(例如，在约50ms内)所接收样本影像是否充分匹配于参考影像。
例如，影像处理模组138可接收样本影像诸如影像300、400或500且比较所接收样本影像与参考影像诸如图6所示的参考影像600。如图6所示，参考影像600可包括可照亮目标区域602及非可照亮目标区域604。在所示实施例中，可照亮目标区域602对应于若工件122经处理而按需形成特征则应移除的工件122的区域。类似地，非可照亮目标区域604对应于若工件122经处理而按需形成特征则不应移除的工件122的区域。因此，可照亮目标区域602在参考影像600中的位置可对应于刻划道204在图2所示的半导体晶圆200上的位置。类似地，非可照亮目标区域604在参考影像600中的位置可对应于主动区域202在图2所示的半导体晶圆200上的位置。
在一实施例中，影像处理模组138可比较所接收样本影像与参考影像600以判定影像中所照亮区域是否与参考影像600中的对应的可照亮目标区域602充分一致(例如，重迭达至少80％)。例如，若影像400是样本影像，则影像处理模组138可比较影像400及600且判定样本影像400中的照亮区域402未与参考影像600中的对应可照亮目标区域602充分符合。因此，影像处理模组138可判定工件122的处理状态不完整。然而，若影像500是样本影像，则影像处理模组138可比较影像500与影像600且判定样本影像500中的照亮区域502与参考影像600中的对应可照亮目标区域602充分符合。因此，影像处理模组138可判定工件122的处理状态完整。影像处理模组138可产生对应于工件122的所判定处理状态的处理状态信号。
再参考图1，控制器110也可耦合至激光系统102且经组态以控制激光系统102的操作。在此例示性实施例中，控制器110可包括处理工具控制模组140，该处理工具控制模组140经组态以通过控制束产生器116产生具有前述束参数的激光能量束及也通过控制束操纵系统120以沿着工件122上的扫描路径相对于工件122侧向扫描激光能量束114以形成完全延伸穿过工件122的刻划线而控制激光系统102的操作。下文将关于图7更详细地论述控制激光系统102以形成特征(例如，完全延伸穿过工件122的刻划线)的例示性程序。
图7示出工件122安置在激光系统102的处理区域112中的部分且标示扫描激光能量束114来处理工件122且形成完全延伸穿过工件122的刻划线的例示性路径。在此例示性实施例中，例示性路径包括标注为P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7及P8的多个「子路径」。应明白路径可由更多或更少个子路径形成且子路径可为笔直(如所示)、弯曲或其任何组合。在本例示性实施例中，X及Y位置的单位为毫米，但可取决于工件122的处理期间待形成的特定特征而为厘米或微米。
参考图7，在时间t＝t1，控制器110(例如，处理工具控制模组140)控制束操纵系统120使得当束产生器116经致动以产生激光能量束114时，激光能量束114将在箭头P1尾部(即，第一子路径P1的起始处)撞击工件122。控制器110接着控制束产生器116及束操纵系统120以产生激光能量束114并沿着箭头P1所示的方向(即，沿着第一子路径P1)扫描该束使得激光能量束114在时间t＝t2在箭头P1的头部(即，第一子路径P1的末端)到达。接着，控制器110控制束产生器116以停止产生激光能量束114并控制束操纵系统120使得当束产生器116经致动以在时间t＝t3产生激光能量束114时，激光能量束114将在箭头P2的尾部(即，第二子路径P2的起始处)撞击工件122。控制器110接着控制束产生器116及束操纵系统120以产生激光能量束114并沿着箭头P2所示的方向(即，沿着第二子路径P2)扫描激光能量束114使得激光能量束114在时间t＝t4在箭头P2的头部(即，第二子路径P2的末端)到达。接着重复此程序使得激光能量束114沿着第三、第四、第五、第六、第七及第八子路径P3、P4、P5、P6、P7及P8依序扫描。
再参考图1，处理工具控制模组140可经组态以基于如由影像处理模组138所判定的工件122的处理状态控制激光系统102的操作。在一实施例中，处理工具控制模组140可基于由影像处理模组138所产生的处理状态信号控制激光系统102的操作。例如，在工件122沿着图7所示的整个路径初始处理后(即，在时间t＝t16后)，控制器110可将影像撷取触发信号发送至影像传感器108。当接收到影像撷取触发信号时，影像传感器108侦测到透射穿过处理区域112的侦测光130的影像并且将样本影像发送至影像处理模组138。影像处理模组138接着可比较所接收样本影像与参考影像(例如，参考影像600)以判定工件122的处理状态。若影像处理模组138判定工件122的处理状态不完整(例如，若所接收样本影像信号看起来像影像400)，则处理工具控制模组140可控制激光系统102以沿着图7所示的整个路径第二次处理工件122。工件122的处理状态接着可再次由影像处理模组138判定且若工件122的处理状态仍不完整，则处理工具控制模组可控制激光系统102以沿着图7所示的整个路径第三次处理工件122。可根据需要尽可能多次重复此程序直到工件122的处理状态可接着被判定为完整为止(例如，直到所接收样本影像看起来像影像500为止)。
虽然上文已描述影像处理模组138仅在工件122已沿整个路径处理后判定工件122的处理状态，但是应明白影像处理模组138可判定工件122在路径的一个或多个子路径之间的处理状态。例如，可在时间t＝tx(其中t8<tx<t9)判定工件122的处理状态。在另一实例中，当激光能量束114未引导至工件122安置在处理区域112中的任何部分上时，可在任意时间判定工件122的处理状态(例如，在时间t＝ty，其中t4<ty<t5，其中t10<ty<t11等等)。在又一实例中，当激光能量束114被引导至工件122上时，可判定工件122的处理状态。如应明白，影像信号可由影像传感器108产生，每次皆在影像处理模组138判定处理状态之前。在此等实施例中，通过比较所接收样本影像与唯一对应于工件122的应处理达一段时间的部分的参考影像，影像处理模组138可判定工件122的处理状态。或者或此外，通过比较所接收样本影像与完整参考影像(例如，如参考影像600)的对应区域，影像处理模组138可判定工件122的处理状态。在任何此等实施例中，处理工具控制模组140可控制激光系统102以沿着一个或多个个别子路径选择性地处理工件122直到工件112沿着一个或多个个别子路径的处理状态被判定为完整为止。
控制器110可为包括一个或多个组件的电子电路，包括数字电路、模拟电路或两者。控制器110可为软件及/或硬件可程序化类型；硬线、专用状态机或此等的组合。在一实施例中，控制器110为包括内存及一个或多个中央处理单元的可程序化微控制器固态集成电路类型。与控制器110相关的内存(若存在)可包括一个或多个组件且可为任何挥发性或非挥发性类型，包括固态种类、光学媒体种类、磁种类、此等的组合或如熟习此项技术者可想到的此不同配置。控制器110进一步包括呈以下形式的操作逻辑：软件指令、硬件指令、专用硬件或定义一个或多个控制程序之类或可通过诸如前述影像处理模组138及处理工具控制模组140的模组实施之类。
前述内容对本发明的实施例进行说明且将不被解释为限制本发明。虽然已描述本发明的一些例示性实施例，但是熟习此项技术者将容易明白在实质上不脱离本发明的新颖教示及优点的情况下可在例示性实施例中进行许多修改。例如，虽然已结合使用侦测透射穿过处理区域的侦测光130的影像的影像传感器(诸如影像传感器108)描述用于处理工件的设备及方法的实施例，但是应明白影像传感器108可侦测侦测光130的其他特性。例如，影像传感器可经组态以简单地侦测透射穿过处理区域112的侦测光130的存在或不存在、透射穿过处理区域112的侦测光130的强度、侦测光130透射穿过处理区域112的位置等等或其组合。
鉴于前述内容，应明白前述内容对本发明进行说明且不应被解释为限于所揭示的本发明的特定例示性实施例，且对所揭示的例示性实施例所做的修改以及其他实施例旨在包括在随附申请专利范围的范畴内。本发明由下列申请专利范围定义，申请专利范围的等效物包括于其中。

Claims (21)

1.一种用于处理一工件的设备，该设备包括：
一处理工具，其具有一处理区域，可在该处理区域内处理一工件；
一照明系统，其经组态以将侦测光引导至该处理区域中，其中可由该照明系统引导的侦测光具有对其而言该工件为至少部分不透明的一波长；
一影像传感器，其经组态以侦测透射穿过该处理区域的该侦测光的一特性；及
一卡盘，其经组态以支撑一工件使得该工件的至少一部分可安置在该处理区域内且可由该侦测光照亮。
2.如权利要求1的设备，其中该处理工具包括一激光系统，该激光系统经组态以将一激光能量束引导至该处理区域中。
3.如权利要求2的设备，其中该激光能量束经组态以自安置在该处理区域内的一工件移除材料。
4.如权利要求2的设备，其中该激光系统包括：
一束产生器，其可操作以产生该激光能量束；及
一束操纵系统，其可经组态以相对于该卡盘侧向扫描该激光能量束。
5.如权利要求4的设备，其中该束操纵系统包括一检流计镜。
6.如权利要求4的设备，其中该束操纵系统经组态以在该处理区域内沿着多个线侧向扫描该激光能量束。
7.如权利要求2的设备，其中该侦测光的该波长不同于该激光能量束的一波长。
8.如权利要求1的设备，其中该卡盘相比于该工件对于该侦测光较透明。
9.如权利要求1的设备，其中透射穿过该处理区域的该侦测光的该特性包括透射穿过该处理区域的该侦测光的一影像。
10.如权利要求1的设备，其进一步包括安置在该影像传感器与该处理区域之间的一光学滤光器，该光学滤光器经组态以选择性地传输透射穿过该处理区域的该侦测光的一部分，其中该影像传感器对由该光学滤光器选择性地传输的侦测光的该部分敏感。
11.如权利要求1的设备，其进一步包括耦合至该影像传感器的一控制器，其中
该影像传感器经组态以产生对应于传输穿过该处理区域的该侦测光的该所侦测特性的一影像信号，且
该控制器经组态以基于该影像信号判定该工件的一处理状态。
12.如权利要求11的设备，其中该控制器进一步耦合至该激光系统且经组态以基于该所判定的处理状态控制该处理工具的一操作。
13.一种处理一工件的方法，该方法包括：
配置一工件使得该工件的一部分安置在一处理工具的一处理区域内；
在该处理区域内，用该处理工具处理该工件；
将侦测光引导至该处理区域中并至该工件的该部分上，其中该侦测光具有对其而言该工件为至少部分不透明的一波长；及
在该处理后，侦测透射穿过该处理区域的该侦测光的一特性。
14.如权利要求13的方法，其中该工件包括一半导体晶圆。
15.如权利要求13的方法，其中处理该工件包括将一激光能量束引导至该工件上。
16.如权利要求15的方法，其中将一激光能量束引导至该工件上包括移除该工件的一部分。
17.如权利要求16的方法，其中移除该工件的该部分包括形成延伸穿过该工件的一特征。
18.如权利要求15的方法，其中处理该工件包括相对于该工件侧向扫描该激光能量束。
19.如权利要求13的方法，其中该侦测透射穿过该处理区域的该侦测光的该特性包括侦测透射穿过该处理区域的该侦测光的一影像。
20.如权利要求13的方法，其进一步包括基于该侦测判定该工件的一处理状态。
21.如权利要求20的方法，其进一步包括基于该工件的该所判定处理状态控制该处理工具的一操作。
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