CN104362259A - 发光二极管显示面板及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管显示面板及其封装方法，涉及显示技术领域。所述发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料，在所述发光二极管显示面板的非显示区域中，所述第一基板和所述第二基板中的一者上设置有第一吸附层，另一者上设置有第二吸附层，所述第一吸附层和所述第二吸附层之间能够通过磁力互相吸引。本发明可以有效避免封接料熔化过程中，第一基板与第二基板之间由于应力释放而导致的分离，从而改善了由此造成的封装不良问题。同时，铁磁性材料导热性良好，还可以作为导热层，减少封接料熔化时释放的热量对发光单元的不良影响。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管显示面板及其封装方法。
背景技术
目前发光二极管显示面板主要采用封接料(Frit)来进行封装。图1是现有发光二极管显示面板的截面示意图，第一基板1和第二基板2之间通过封接料3封装在一起，其中第二基板2上设置有发光单元4。封装过程中，使用激光照射封接料3使之熔化，在封接料3再次固化的过程中，就能够将第一基板1和第二基板2封装在一起。
由于激光一次只能对局部的封接料3进行照射，因此局部封接料3熔化时，第一基板1与第二基板2之间会发生应力释放，释放的应力容易使两者分离，导致封接料3不能有效封装第一基板1和第二基板3，发生封装不良问题。
现有技术中的一种解决方法是在第一基板1的外侧设置受热膨胀层和其它夹层，当封接料3受到激光照射熔化时，产生的热量同时传递给受热膨胀层，受热膨胀层受热后发生膨胀，进而将第一基板1压附在第二基板2上，从而防止两者由于应力释放而发生分离。这种方法需要保持激光由下向上照射，既不方便操作，同时由于该受热膨胀层采用有机高分子材料或者弹性橡胶材料制作，容易造成污染。
现有技术中的另一种解决方法是在第一基板1与第二基板2外侧添加压板组件，为第一基板1和第二基板2提供夹持力，同时设置传感器感应两者之间压力的大小，避免由于夹持力太小造成密封效果差，或者因为夹持力过大而造成器件损伤，从而改善封装质量。这种方法在封装时，由于第一基板1与第二基板2的间距非常小(通常在20μm以下)，传感器很难有效感应压板组件压力的大小，而且如何实现传感器与显示器件的有效整合也是个难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管显示面板及其封装方法，以改善封接料熔化时，发光二极管显示面板的两基板之间由于应力释放而导致的封装不良问题。
为解决上述技术问题，作为本发明的第一个方面，提供一种发光二极管显示面板，包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料，在所述发光二极管显示面板的非显示区域中，所述第一基板和所述第二基板中的一者上设置有第一吸附层，另一者上设置有第二吸附层，所述第一吸附层和所述第二吸附层之间能够通过磁力互相吸引。
优选地，所述第一吸附层包括铁磁性材料，所述第二吸附层包括电磁体。
优选地，所述第一吸附层位于所述第一基板和所述第二基板之间。
优选地，所述第一吸附层包括设置在所述封接料外侧的部分、和/或设置在所述封接料内侧的部分。
优选地，所述第一吸附层与所述第二吸附层在所述第一基板和/或所述第二基板上的正投影至少部分重合。
优选地，所述电磁体包括多个子电磁体，多个所述子电磁体环绕所述发光二极管显示面板的显示区域设置。
优选地，多个所述子电磁体的磁极顺次连接后形成的图形所在的平面与所述第一吸附层所在的平面平行。
优选地，所述发光二极管显示面板还包括隔离层，所述隔离层设置在所述电磁体与所述第一基板和所述第二基板中设置有所述电磁体的一者之间，所述隔离层由非铁磁性材料制成。
优选地，所述电磁体可拆卸地设置在所述第一基板或所述第二基板上。
优选地，所述第一吸附层的厚度小于所述封接料熔化后的厚度。
作为本发明的第二个方面，还提供一种发光二极管显示面板的封装方法，所述发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料，所述封装方法包括以下步骤：
在所述第一基板和所述第二基板中的至少一者上设置固态的封接料；
在所述第一基板和所述第二基板中的一者上设置第一吸附层；
在所述第一基板和所述第二基板中的另一者上设置第二吸附层；
将所述第一基板和所述第二基板对盒；
熔化所述封接料，以将所述第一基板和所述第二基板连接，其中，当所述封接料熔化时，所述第一吸附层和所述第二吸附层之间通过磁力互相吸引；
将熔化的封接料固化。
优选地，所述第一吸附层包括铁磁性材料，所述第二吸附层包括电磁体，在熔化所述封接料的步骤中，向所述电磁体通电，以使所述第二吸附层产生磁力，在将熔化的封接料固化的步骤中，停止向所述电磁体通电。
优选地，在熔化所述封接料的步骤中，利用激光熔化所述封接料，所述电磁体包括多个子电磁体，多个所述子电磁体环绕是显示区域设置，在熔化所述封接料的步骤中，向激光照射的区域处的所述子电磁体通电。
优选地，通向所述子电磁体的电信号的强度随照射向设置所述子电磁体的区域的激光束的强度的增大而增大；
通向所述子电磁体的电信号的强度随照射向设置所述子电磁体的区域的激光束的强度的减小而减小。
本发明可以有效避免封接料熔化过程中，第一基板与第二基板之间由于应力释放而导致的分离，从而改善了由此造成的封装不良问题。同时，铁磁性材料导热性良好，还可以作为导热层，减少封接料熔化时释放的热量对发光单元的不良影响。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。
图1是现有发光二极管显示面板的截面示意图；
图2是本发明实施例中发光二极管显示面板的截面示意图之一；
图3是本发明实施例中发光二极管显示面板的立体示意图；
图4是本发明实施例中发光二极管显示面板的截面示意图之二；
图5是本发明实施例中发光二极管显示面板的截面示意图之三；
图6是本发明实施例中发光二极管显示面板的截面示意图之四。
在附图中，1：第一基板；2：第二基板；3：封接料；4：发光单元；5：第一吸附层；6：第二吸附层；7：隔离层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供了一种发光二极管显示面板，如图2和图5中所示，所述发光二极管显示面板包括第一基板1、第二基板2、以及用于连接第一基板1和第二基板2的封接料3。在所述发光二极管显示面板的非显示区域中，第一基板1和第二基板2中的一者上设置有第一吸附层5，另一者上设置有第二吸附层6，第一吸附层5和第二吸附层6之间能够通过磁力互相吸引。
这里的发光二极管显示面板可以是OLED(Organic LightEmitting Diode)显示面板，或者AMOLED(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode)显示面板。这里的第一基板1可以是盖板，第二基板2可以是包括发光单元4的显示基板，第二基板2上还包括薄膜晶体管器件、阴极、阳极等结构。
在制造发光二极管显示面板时，需要向第一基板1和第二基板2中的至少一者上设置封接料3，将第一基板1和第二基板2对盒后，需要将封接料3熔化，以将第一基板1和第二基板2连接，第一基板1和第二基板2连接之后，再将熔化状态的封接料3固化。本发明改善了发光二极管显示面板中第一基板1和第二基板2的设计，在封接料3熔化的过程中，第一吸附层5和第二吸附层6之间通过磁力互相吸引，使第一基板1和第二基板2很好地压附在一起，避免了封接料3熔化时第一基板1与第二基板2之间由于应力释放而导致的分离，从而改善了由此造成的封装不良问题。
与现有技术相比，磁力吸引的优点在于成本低、便于操作、并且不容易损伤显示面板。
在本发明中，对第一吸附层5、第二吸附层6的具体结构并没有特殊的限定。例如，第一吸附层5和第二吸附层6均为能够产生磁力的磁体，且第一吸附层5上朝向第二吸附层6一侧的磁极与第二吸附层6上朝向第一吸附层5一侧的磁极相反，从而可以使得第一吸附层5和第二吸附层6互相吸引。或者，第一吸附层5和第二吸附层6中的一者为能够产生磁力的磁体，另一者为能够被磁力所吸引的铁磁性材料。磁体可以是永磁体也可以是电磁体，为了便于控制，并且获得良好的显示效果，优选地，所述磁体可以为电磁体，仅在封接料3熔化时，向电磁体通电，在其他阶段都不需向电磁体通电。
具体地，第一吸附层5包括铁磁性材料，第二吸附层6包括电磁体。所述电磁体能够对第一吸附层5中的铁磁性材料产生吸附力，从而在封接料3的熔化过程中，使第一基板1和第二基板2均保持与熔化状态的封接料3贴合，即，可以保持第一基板1和第二基板2始终连接。
而且，铁磁性材料导热性良好，还可以作为导热层，以减少封接料3熔化时释放的热量对发光单元4的不良影响。尤其当发光单元4为有机发光单元时，这种改善效果更为明显。
本领域技术人员应当理解的是，在本发明中，铁磁性材料是指易于磁化的物质(如铁、钴、镍等)。
本发明对第一吸附层5的位置没有限定，例如，可以设置在第一基板1上背离第二基板2的一侧，或者可以设置在第二基板2上背离第一基板1的一侧，优选地，第一吸附层5位于第一基板1和第二基板2之间(包括第一吸附层5设置在第一基板1上的情况和第一吸附层5设置在第二基板2上两种情况，具体将在下文中进行描述)。与第一吸附层5位于第一基板1或第二基板2的外侧相比，其位于第一基板1和第二基板2之间能够减小第一吸附层5与第二吸附层6之间的距离，使得由第一吸附层5和第二吸附层6之间产生的吸附力能够更好地作用于第一基板1和第二基板2，使两基板压紧，有利于增强封装效果。
本发明中，第一吸附层5包括设置在封接料3外侧的部分、和/或设置在所述封接料内侧的部分。进一步地，第一吸附层5与第二吸附层6在第一基板1和/或第二基板2上的正投影至少部分重合。
由于第一吸附层5包括铁磁性材料，第二吸附层6包括电磁体，将第一吸附层5设置在封接料3的附近，并且使第一吸附层5与第二吸附层6的位置相对应，能够使所述电磁体对所述铁磁性材料的吸附力最大程度的作用于封接料3所在的区域，从而在封接料3熔化时，将第一基板1与第二基板压紧，避免由于应力释放而发生的两基板分离等封装不良。
下面以图2和图5中所示的结构分别进行说明。
在图2中，封接料3可以通过丝网印刷等方式设置在第一基板1上。发光单元4可以通过真空蒸镀、喷墨打印、旋涂等方式设置在第二基板2上，并且所述发光单元4可以是有机发光单元。第一吸附层5可以由铁、钴、镍及上述金属的合金等铁磁性材料组成，并且通过溅射、真空蒸镀等方式设置在第一基板1上。第二吸附层6为电磁体，通过粘贴等方式设置在第二基板2外侧，所述电磁体通过外接电源控制其磁性的大小。
为了防止所述电磁体直接贴附到第二基板2上时造成的污染，所述发光二极管显示面板还包括隔离层7，隔离层7设置在所述电磁体(包括在第二吸附层6中)与第二基板2之间，如图4中所示。
在图5中，封接料3可以通过丝网印刷等方式设置在第一基板1上。发光单元4可以通过真空蒸镀、喷墨打印、旋涂等方式设置在第二基板2上，并且所述发光单元4可以是有机发光单元。第一吸附层5可以由铁、钴、镍及上述金属的合金等铁磁性材料组成，并且通过溅射、真空蒸镀等方式设置在第二基板2上。第二吸附层6为电磁体，通过粘贴等方式设置在第一基板1外侧，所述电磁体通过外接电源控制其磁性的大小。
同样，为了防止所述电磁体直接贴附到第一基板1上时造成的污染，所述发光二极管显示面板还包括隔离层7，隔离层7设置在所述电磁体(包括在第二吸附层6中)与第一基板1之间，如图6中所示。
本发明中的隔离层7由非铁磁性材料制成，非铁磁性材料是指在磁场的作用下不会产生磁性的材料，但是，隔离层7不会对电磁体的磁场造成影响。
图3是本发明实施例中发光二极管显示面板的立体示意图，图3中第一吸附层5设置在封接料3的外侧。所述电磁体包括多个子电磁体，多个所述子电磁体环绕所述发光二极管显示面板的显示区域设置。例如在图3中，多个所述子电磁体的磁极顺次连接。
优选地，多个所述子电磁体的磁极顺次连接后形成的图形所在的平面与第一吸附层5所在的平面平行，以便于制作，并且能够使第一基板1与第二基板2之间受到的压力更加均匀。
在本发明中，所述电磁体可拆卸地设置在第一基板1或第二基板2上，有利于实现有机发光二极管显示面板的轻量化和小型化。
当第一吸附层5设置在第一基板1和第二基板2之间时，第一吸附层5的厚度应当小于封接料3熔化后的厚度，从而可以确保第一基板1以及第二基板2始终与熔化状态的封接料3接触。为了方便生产制作，第一吸附层5的厚度优选大于5nm。
如上所述，封接料3通过激光照射熔化，从而将第一基板1和第二基板2连接在一起，实现有机发光二极管显示面板的封装。在本发明中，可以使施加在所述电磁体上的电信号与照射封接料3的激光信号同步，即随着激光在封接料3上的扫描区域和光强的变化，调整所述电磁体磁场的范围和强度，及时对封接料3熔化区域及附近的第一基板1和第二基板2施加压力，减少由于第一基板1和第二基板2之间的应力释放所导致的封装不良。
与现有技术中，激光只能从下向上照射相比，本发明激光能够从多个方向以及多个角度入射，操作十分方便。
同时，本发明可以精确控制施加磁场的区域以及磁力的大小。例如在图3中，所述电磁体由四条N极、S极首尾相接的子电磁体构成，激光沿着封接料3移动扫描照射，可以选择只对激光正在照射的区域对应的子电磁体通电，并根据当前激光的光强，调整电信号的大小，使有机发光二极管显示面板在各个区域均匀封装。
本发明还提供了一种发光二极管显示面板的封装方法，所述发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料。
所述封装方法包括以下步骤：
在所述第一基板和所述第二基板中的至少一者上设置固态的封接料；
在所述第一基板和所述第二基板中的一者上设置第一吸附层；
在所述第一基板和所述第二基板中的另一者上设置第二吸附层；
将所述第一基板和所述第二基板对盒；
熔化所述封接料，以将所述第一基板和所述第二基板连接，其中，当所述封接料熔化时，所述第一吸附层和所述第二吸附层之间通过磁力互相吸引；
将熔化的封接料固化。
进一步地，所述第一吸附层包括铁磁性材料，所述第二吸附层包括电磁体，在熔化所述封接料的步骤中，向所述电磁体通电，以使所述第二吸附层产生磁力，在将熔化的封接料固化的步骤中，停止向所述电磁体通电。
进一步地，在熔化所述封接料的步骤中，利用激光熔化所述封接料，所述电磁体包括多个子电磁体，多个所述子电磁体环绕所述发光二极管显示面板的显示区域设置，在熔化所述封接料的步骤中，向激光正在照射的区域处的所述子电磁体通电。
进一步地，通向所述子电磁体的电信号的强度随照射向设置所述子电磁体的区域的激光的强度的增大而增大；
通向所述子电磁体的电信号的强度随照射向设置所述子电磁体的区域的激光的强度的减小而减小。
本发明可以有效避免封接料熔化过程中，第一基板与第二基板之间由于应力释放而导致的分离，从而改善了由此造成的封装不良问题。同时，铁磁性材料导热性良好，还可以作为导热层，减少封接料熔化时释放的热量对发光单元的不良影响。
下面根据图2和图5中所示的结构，对本发明提供的封装方法进行详细的描述。
对于图2中所示的结构，所述封装方法具体包括：
由传统的薄膜晶体管制作工艺及发光单元蒸镀工艺完成第二基板2和发光单元4的制作；
通过丝网印刷、喷涂等方式在第一基板1上完成封接料3的制作，并通过烘烤工艺，使封接料3成型；
在第一基板1上通过真空成膜及光刻等工艺完成第一吸附层5的制作，第一吸附层5包括铁磁性材料，其中，第一吸附层5的厚度优选大于5nm且小于封接料3熔化后的厚度；
在第二基板2的外侧设置第二吸附层6，这里指电磁体；
使第一基板1和第二基板2贴合，通过激光照射使封接料3熔化，将第一基板1与第二基板2连接在一起，同时，给所述电磁体加电压使之产生磁性，吸附第一吸附层5中的铁磁性材料，使第一基板1和第二基板2很好地压附在一起；
另外，可以使施加给所述电磁体的电压信号与激光扫描信号同步，针对第一基板1与第二基板2之间的应力变化情况，及时调整所述电磁体的吸附范围和磁场大小；
封接料3熔化并完成第一基板1与第二基板2的封装后，关闭施加在所述电磁体上的电压信号，完成封装过程。
对于图5中所示的结构，所述封装方法具体包括：
由传统的薄膜晶体管制作工艺及发光单元蒸镀工艺完成第二基板2和发光单元4的制作；
通过丝网印刷、喷涂等方式在第一基板1上完成封接料3的制作，并通过烘烤工艺，使封接料3成型；
在第二基板2上通过真空成膜及光刻等工艺完成第一吸附层5的制作，第一吸附层5包括铁磁性材料，其中，第一吸附层5的厚度优选大于5nm且小于封接料3熔化后的厚度；
在第一基板1的外侧设置第二吸附层6，这里指电磁体；
使第一基板1和第二基板2贴合，通过激光照射使封接料3熔化，将第一基板1与第二基板2连接在一起，同时，给所述电磁体加电压使之产生磁性，吸附第一吸附层5中的铁磁性材料，使第一基板1和第二基板2很好地压附在一起；
另外，可以使施加给所述电磁体的电压信号与激光扫描信号同步，针对第一基板1与第二基板2之间的应力变化情况，及时调整所述电磁体的吸附范围和磁场大小；
封接料3熔化并完成第一基板1与第二基板2的封装后，关闭施加在所述电磁体上的电压信号，完成封装过程。
本发明有效避免了封接料3熔化过程中，第一基板1与第二基板2之间由于应力释放而导致的分离，从而改善了由此造成的封装不良问题。同时，铁磁性材料导热性良好，还可以作为导热层，减少封接料3熔化时释放的热量对发光单元4的不良影响。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (14)
1.一种发光二极管显示面板，包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料，其特征在于，在所述发光二极管显示面板的非显示区域中，所述第一基板和所述第二基板中的一者上设置有第一吸附层，另一者上设置有第二吸附层，所述第一吸附层和所述第二吸附层之间能够通过磁力互相吸引。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一吸附层包括铁磁性材料，所述第二吸附层包括电磁体。
3.根据权利要求2所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一吸附层位于所述第一基板和所述第二基板之间。
4.根据权利要求3所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一吸附层包括设置在所述封接料外侧的部分、和/或设置在所述封接料内侧的部分。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一吸附层与所述第二吸附层在所述第一基板和/或所述第二基板上的正投影至少部分重合。
6.根据权利要求2至4中任意一项所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述电磁体包括多个子电磁体，多个所述子电磁体环绕所述发光二极管显示面板的显示区域设置。
7.根据权利要求6所述的发光二极管显示面板，其特征在于，多个所述子电磁体的磁极顺次连接后形成的图形所在的平面与所述第一吸附层所在的平面平行。
8.根据权利要求2至4中任意一项所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述发光二极管显示面板还包括隔离层，所述隔离层设置在所述电磁体与所述第一基板和所述第二基板中设置有所述电磁体的一者之间，所述隔离层由非铁磁性材料制成。
9.根据权利要求2至4中任意一项所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述电磁体可拆卸地设置在所述第一基板或所述第二基板上。
10.根据权利要求3或4所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一吸附层的厚度小于所述封接料熔化后的厚度。
11.一种发光二极管显示面板的封装方法，所述发光二极管显示面板包括第一基板、第二基板、以及用于连接所述第一基板和所述第二基板的封接料，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：
在所述第一基板和所述第二基板中的至少一者上设置固态的封接料；
在所述第一基板和所述第二基板中的一者上设置第一吸附层；
在所述第一基板和所述第二基板中的另一者上设置第二吸附层；
将所述第一基板和所述第二基板对盒；
熔化所述封接料，以将所述第一基板和所述第二基板连接，其中，当所述封接料熔化时，所述第一吸附层和所述第二吸附层之间通过磁力互相吸引；
将熔化的封接料固化。
12.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，所述第一吸附层包括铁磁性材料，所述第二吸附层包括电磁体，在熔化所述封接料的步骤中，向所述电磁体通电，以使所述第二吸附层产生磁力，在将熔化的封接料固化的步骤中，停止向所述电磁体通电。
13.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，在熔化所述封接料的步骤中，利用激光熔化所述封接料，所述电磁体包括多个子电磁体，多个所述子电磁体环绕所述发光二极管显示面板的显示区域设置，在熔化所述封接料的步骤中，向激光正在照射的区域处的所述子电磁体通电。
14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，通向所述子电磁体的电信号的强度随照射向设置所述子电磁体的区域的激光的强度的增大而增大；
通向所述子电磁体的电信号的强度随照射向设置所述子电磁体的区域的激光的强度的减小而减小。
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