WO2014153892A1 - 基板封装方法 - Google Patents

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metal layer
glass frit
encapsulation method
molybdenum
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洪瑞
李周炫
金东焕
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京东方科技集团股份有限公司
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants

Definitions

  • Embodiments of the invention relate to a substrate packaging method. Background technique
  • the existing glass powder solution encapsulation process is as shown in FIG. 1.
  • the glass frit solution material 2 is coated on the glass substrate 1 by dispensing or printing, baked to remove the solvent, and then the substrate 3 and the strip with the light emitting device are used.
  • the substrate 1 having the glass frit material is bonded in the opposite direction, and finally the glass powder is melted at a high temperature by the laser 4 to bond the upper and lower substrates, thereby realizing the encapsulation of the upper and lower substrates.
  • Embodiments of the present invention provide a substrate packaging method capable of improving the melting effect of glass frit and enhancing the bonding force of the upper and lower substrates.
  • An embodiment of the present invention provides a substrate packaging method, the method comprising: forming a metal layer at a position of an inner surface of a first substrate to be coated with a glass frit solution; coating the glass powder on the metal layer a solution; heating the first substrate to remove a solvent in the glass frit solution; aligning the first substrate with a second substrate such that inner surfaces of the two substrates are opposite to each other; performing the metal layer Melting and simultaneously melting the glass frit; and encapsulating the first substrate and the second substrate with the molten metal layer and the glass frit.
  • the area of the coated area of the metal layer exceeds the area of the coated area of the glass frit solution.
  • the width and length of the coated region of the metal layer in a plane perpendicular to the thickness direction exceeds the width and length of the coated region of the glass frit solution by 0.5 to 2 mm.
  • the metal layer has a thickness of from 2,000 to 5,000 angstroms.
  • the material of the metal layer is molybdenum, molybdenum aluminum molybdenum, copper, molybdenum aluminum aluminum molybdenum, titanium, titanium aluminum titanium Or silver.
  • the first substrate is an array substrate, an electroluminescent substrate, a package substrate or a color film substrate.
  • the metal layer is formed by magnetron sputtering.
  • the metal layer includes a plurality of holes having a diameter of 0.1 to 0.3 mm.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of packaging by using a packaging method provided by an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a top view of a metal layer coated with a glass frit solution according to an embodiment of the present invention
  • the embodiment of the invention provides a substrate encapsulation method, and the method includes:
  • the first substrate and the second substrate are sealed by the molten metal layer and the glass frit.
  • a metal layer is first formed on the inner surface of the first substrate to be coated with the glass frit solution, and then the glass powder solution is coated on the metal layer. Heating to remove the solvent in the glass frit solution, at which time the first substrate and the second substrate are aligned and the inner surfaces are opposed to each other, and then the metal layer coated with the glass frit is melted, and the laser may be used for melting.
  • the first substrate and the second substrate are then encapsulated by a molten metal layer and glass frit.
  • the embodiment of the invention utilizes the characteristics that the metal absorption laser performance is stronger than the glass powder, effectively improves the process temperature, accelerates the melting of the glass powder, and enhances the bonding force of the upper and lower substrates.
  • a metal layer 5 is formed at a position of the inner surface of the glass substrate 1 to be coated with the glass frit solution 2
  • a glass frit solution 2 is coated on the metal layer 5, and heated to remove the glass frit solution
  • the solvent of the medium 2 the glass substrate 1 is aligned with the substrate 3 with the light-emitting device, and the inner surfaces of the two are opposed to each other, and the metal layer 5 is melted by the laser 4 while melting the glass frit, and the glass substrate 1 and the tape are
  • the substrate 3 with the light emitting device is packaged in a box.
  • the metal layer is melted by using a laser, and other common methods may be used according to actual conditions, and the embodiment of the present invention does not limit this.
  • the area of the coated region of the metal layer exceeds the coating of the glass frit solution. Area i or area.
  • the width and length of the coated region of the metal layer in the xy plane exceeds the width and length of the coated region of the glass frit solution by 0.5 to 2 mm.
  • the thickness of the metal layer is alternatively In the z direction) is 2000 to 5000 angstroms.
  • the material of the metal layer is any one of molybdenum, molybdenum aluminum molybdenum, copper, molybdenum aluminum aluminum molybdenum, titanium, titanium aluminum titanium or silver.
  • the above metal layer can be formed on an array substrate, an electroluminescence substrate, a package substrate or a color filter substrate.
  • the glass frit solution according to an embodiment of the present invention employs a glass frit solution commonly used in the art.
  • the metal layer when it is formed on the array substrate, it may be formed by the same process as the gate line or the source/drain electrodes of the array substrate, or may be formed by other separate processes.
  • the above metal layer is formed by magnetron sputtering.
  • the metal layer 5 includes a plurality of holes having a diameter of 0.1 to 0.3 mm.
  • the glass frit solution 2 When the glass frit solution 2 is coated on the metal layer including a plurality of holes, the glass frit solution 2 leaks into the holes, which corresponds to the glass frit solution 2 on the inside and inside of the metal layer 5, and the metal layer is formed by laser 5 When melting, the adhesion strength of the glass frit can be further increased, the bonding strength of the upper and lower substrates can be enhanced, and the product yield can be improved.
  • a process of forming the metal layer 5 including a plurality of holes will be described in detail below with reference to FIG.
  • the formed metal layer 5 includes a plurality of small holes, and the diameter of the holes is 0.1 to 0.3 mm, which may be 0.15 mm, and the thickness of the metal layer 5 is 2500 angstroms.
  • the laser wavelength is 810 nm and the power is 15W.
  • the adhesion strength of the glass frit can be increased, and the bonding strength between the upper and lower substrates can be enhanced.
  • the metal layer is not limited to be formed on the first substrate, but may be formed on the second substrate, or formed on the first and second substrates, or formed independently, that is, the metal layer is formed on the first substrate. Formed on the first substrate and/or on the second substrate, or formed separately.
  • the metal layer When the metal layer is formed on the first substrate and the second substrate, the metal layer includes a first metal layer formed on the first substrate and a second layer formed on the second substrate Metal layer.
  • the metal layer is added, and since the metal is significantly stronger than the glass powder in absorbing laser light, it is compared with the existing one.
  • the technology can effectively improve the process temperature, accelerate the melting of the glass powder, reduce the generation of the glass powder virtual welding, enhance the bonding force of the upper and lower substrates, and improve the product yield.

Abstract

一种基板封装方法，所述方法包括：在第一基板（1）的内表面的待涂覆玻璃粉溶液（2）的位置形成金属层（5）；在所述金属层（5）上涂覆所述玻璃粉溶液（2）；加热所述第一基板（1）以去除所述玻璃粉溶液（2）中的溶剂；将所述第一基板（1）与第二基板（2）对准且使得所述两个基板的内表面彼此相对；对所述金属层（5）进行熔融且同时使得玻璃粉发生熔融；以及将所述第一基板（1）与第二基板（2）利用熔融的所述金属层（5）和所述玻璃粉对盒封装。

Description

基板封装方法 技术领域
本发明的实施例涉及一种基板封装方法。 背景技术
目前，有源矩阵有机发光二极管（ AM-OLED, Active Matrix-Organic Light Emitting Diode )显示器的封装方案有很多种， 其中玻璃粉溶液封装由于其封 装工艺筒单， 能够对应顶发射的器件结构， 已经被广泛采用。
现有的玻璃粉溶液封装工艺如图 1所示， 首先通过点胶或者印刷将玻璃 粉溶液材料 2涂覆在玻璃基板 1上， 烘烤去除溶剂， 然后将带有发光器件的 基板 3和带有玻璃粉材料的基板 1对位贴合， 最后用激光 4将玻璃粉高温熔 化而将上下基板结合， 这样就实现了上下基板的封装。 发明内容
本发明的实施例提供一种基板封装方法， 能够提高玻璃粉的熔融效果， 增强上下基板的结合力。
本发明的实施例提供了一种基板封装方法， 所述方法包括： 在第一基板 的内表面的待涂覆玻璃粉溶液的位置形成金属层； 在所述金属层上涂覆所述 玻璃粉溶液； 加热所述第一基板以去除所述玻璃粉溶液中的溶剂； 将所述第 一基板与第二基板对准且使得所述两个基板的内表面彼此相对； 对所述金属 层进行熔融且同时使得玻璃粉发生熔融； 以及将所述第一基板与第二基板利 用熔融的所述金属层和所述玻璃粉对盒封装。
备选地， 所述金属层的涂覆区域的面积超过所述玻璃粉溶液的涂覆区域 的面积。
备选地， 所述金属层的涂覆区域在垂直于厚度方向的平面内的宽度及长 度超出所述玻璃粉溶液的涂覆区域的宽度及长度 0.5至 2mm。
备选地， 所述金属层厚度为 2000至 5000埃。
备选地， 所述金属层的材料为钼、 钼铝钼、 铜、 钼铝铝钼、 钛、 钛铝钛 或银。
备选地， 所述第一基板为阵列基板、 电致发光基板、 封装基板或彩膜基 板。
备选地， 所述金属层通过磁控溅射形成。
备选地， 所述金属层中包括多个孔， 孔的直径为 0.1至 0.3mm。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 筒单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。
图 1为现有技术中利用玻璃粉溶液进行封装的工艺；
图 2为利用本发明实施例提供的封装方法进行封装的示意图；
图 3为本发明实施例提供的涂覆玻璃粉溶液的金属层的俯视图； 具体实施方式
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种基板封装方法， 所述方法包括：
在第一基板的内表面的待涂覆玻璃粉溶液的位置处形成金属层； 在所述金属层上涂覆所述玻璃粉溶液；
加热所述第一基板以去除所述玻璃粉溶液中的溶剂；
将所述第一基板与第二基板对准且所述两个基板的内表面彼此相对； 对所述金属层进行熔融且同时使得所述玻璃粉熔融；
将所述第一基板与第二基板利用熔融的所述金属层和所述玻璃粉对盒封 装。
利用本发明实施例提供的方法进行封装时， 在第一基板的内表面的待涂 覆玻璃粉溶液的位置首先形成金属层， 然后在该金属层上涂覆玻璃粉溶液并 加热以去除所述玻璃粉溶液中的溶剂， 此时将第一基板和第二基板对准且内 表面彼此相对， 然后对涂覆了玻璃粉的金属层进行熔融， 可以利用激光来进 行熔融， 再将第一基板与第二基板利用熔融后的金属层和玻璃粉对盒封装。 本发明实施例利用了金属吸收激光性能比玻璃粉强的特征， 有效提高了工艺 温度， 加快了玻璃粉的熔化， 增强了上下基板的结合力。
下面参照附图结合具体的实施例对本发明实施例的技术方案进行详细描 述。
<实施例 > 2所示， 在玻璃基板 1的内表面的待涂覆玻璃粉溶液 2的位置形成金属层 5 , 在金属层 5上涂覆玻璃粉溶液 2, 加热以去除所述玻璃粉溶液中 2的溶剂， 将玻璃基板 1与带有发光器件的基板 3对准且二者的内表面彼此相对， 利用 激光 4对金属层 5进行熔融且同时使得玻璃粉熔融， 将玻璃基板 1与带有发 光器件的基板 3对盒封装。
需要说明的是， 在本发明的实施例中， 采用激光对金属层进行熔融， 当 然也可以根据实际情况采用其他常用方法， 本发明的实施例对此不做限制。
在对金属层进行熔融时， 为了更好的提高玻璃粉的熔化效果， 备选地， 在上述的基板封装方法中， 所述金属层的涂覆区域的面积超过所述玻璃粉溶 液的涂覆区 i或的面积。
进一步地，所述金属层的涂覆区域在 xy平面内（垂直于所述金属层厚度 的面内） 的宽度及长度超出所述玻璃粉溶液的涂覆区域的宽度及长度 0.5至 2mm。
上述金属层如果过薄， 会影响玻璃粉熔化的效果， 如果过厚， 又会增加 成本， 造成浪费， 因此， 在根据本发明实施例的基板封装方法中， 备选地所 述金属层厚度（在 z方向上）为 2000至 5000埃。
此外， 备选地， 在上述的基板封装方法中， 所述金属层的材料为钼、 钼 铝钼、 铜、 钼铝铝钼、 钛、 钛铝钛或银的任意一种。
上述金属层可以制作在阵列基板、 电致发光基板、 封装基板或彩膜基板 上。
备选地，根据本发明实施例的玻璃粉溶液采用本领域常用的玻璃粉溶液。 备选地， 当所述金属层制作在阵列基板上时， 可以与阵列基板的栅线或 者源漏电极采用同一工艺形成， 也可以采用其他单独的工艺来形成。
备选地， 上述的金属层通过磁控溅射来形成。
为了进一步提高玻璃粉的粘合强度， 备选地， 所述金属层 5中包括多个 孔， 孔的直径为 0.1至 0.3mm。
当在包括多个孔的金属层上涂覆玻璃粉溶液 2时， 玻璃粉溶液 2会漏进 孔内， 相当于在金属层 5上面和内部都有玻璃粉溶液 2, 在通过激光进行金 属层 5熔融时，能够进一步提高玻璃粉的粘合强度，增强上下基板的结合力， 进而提高产品良率。
下面参照图 3对形成包括多个孔的金属层 5的工艺进行详细说明。
示例性地， 通过与阵列基板的栅线采用同一工艺， 首先在阵列基板上沉 积形成金属层的材料， 然后利用构图工艺将被沉积的金属层材料刻蚀成需要 的图形， 从而将金属层 5制作在阵列基板上， 如图 3所示， 形成的金属层 5 包括多个小孔， 且孔的直径为 0.1至 0.3mm, 此处可以为 0.15mm, 金属层 5 厚度为 2500埃， 悍接的激光波长采用 810nm, 功率为 15w。
此时， 对金属层 5进行熔融时， 能够提高玻璃粉的粘合强度， 增强上下 基板的结合力。
当然， 上述的金属层并不局限于形成在第一基板上， 还可以形成在第二 基板上， 或形成在第一和第二基板上， 或独立形成， 即所述金属层形成于所 述第一基板上和 /或形成于所述第二基板上， 或者独立形成。
当所述金属层形成于所述第一基板上和第二基板上时， 所述金属层包括 形成于所述第一基板上的第一金属层和形成于所述第二基板上的第二金属 层。
在本发明实施例的基板封装方法中， 在利用激光使得玻璃粉熔融的过程 中， 增加了金属层， 由于金属相比于玻璃粉在吸收激光的性能上明显较强， 因此相比于现有技术能有效提高工艺温度， 加快玻璃粉的熔化， 减少玻璃粉 虚焊的产生， 增强上下基板的结合力， 并提高产品良率。
以上所述仅是本发明的实施方式， 应当指出， 对于本技术领域的普通技 术人员来说， 在不脱离本发明原理的前提下， 还可以做出若干改进和润饰， 这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims

权利要求书
1.一种基板封装方法， 包括：
在第一基板的内表面的待涂覆玻璃粉溶液的位置形成金属层；
在所述金属层上涂覆所述玻璃粉溶液；
加热所述第一基板以去除所述玻璃粉溶液中的溶剂；
将所述第一基板与第二基板对准且使得所述两个基板的内表面彼此相 对；
对所述金属层进行熔融且同时使得玻璃粉发生熔融； 以及
将所述第一基板与第二基板利用熔融的所述金属层和所述玻璃粉对盒封 装。
2. 如权利要求 1所述的基板封装方法，其中所述金属层的涂覆区域的面 积超过所述玻璃粉溶液的涂覆区域的面积。
3. 如权利要求 2所述的基板封装方法，其中所述金属层的涂覆区域在垂 直于厚度方向的平面内的宽度及长度超出所述玻璃粉溶液的涂覆区域的宽度 及长度 0.5至 2mm。
4. 如权利要求 1所述的基板封装方法， 其中所述金属层的厚度为 2000 至 5000埃。
5. 如权利要求 1所述的基板封装方法， 其中所述金属层的材料为钼、 钼 铝钼、 铜、 钼铝铝钼、 钛、 钛铝钛或银。
6. 如权利要求 1所述的基板封装方法， 其中所述第一基板为阵列基板、 电致发光基板、 封装基板或彩膜基板。
7. 如权利要求 1所述的基板封装方法，其中所述金属层通过磁控溅射形 成。
8. 如权利要求 1所述的基板封装方法， 其中所述金属层中包括多个孔， 所述孔的直径为 0.1至 0.3mm。
9. 如权利要求 1所述的基板封装方法，其中所述金属层还形成在所述所 述第二基板上。
10. 如权利要求 6所述的基板封装方法， 其中所述第一基板为阵列基板 时， 所述金属层与所述阵列基板的栅线通过同一工艺形成。
11. 如权利要求 6所述的基板封装方法， 其中所述第一基板为阵列基板 时， 所述金属层与所述阵列基板的源漏电极通过同一工艺形成。
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