CN104409663A - 封装方法、封装结构及显示装置 - Google Patents

封装方法、封装结构及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104409663A
CN104409663A CN201410645978.3A CN201410645978A CN104409663A CN 104409663 A CN104409663 A CN 104409663A CN 201410645978 A CN201410645978 A CN 201410645978A CN 104409663 A CN104409663 A CN 104409663A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
nano
layer
packaging area
encapsulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410645978.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104409663B (zh
Inventor
杨久霞
白峰
王瑞勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410645978.3A priority Critical patent/CN104409663B/zh
Publication of CN104409663A publication Critical patent/CN104409663A/zh
Priority to PCT/CN2015/077671 priority patent/WO2016074445A1/zh
Priority to US14/785,643 priority patent/US9680134B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104409663B publication Critical patent/CN104409663B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种封装方法、封装结构及显示装置，该封装方法包括：在第一基板的封装区域上形成封装胶的图案，在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域上形成散热结构；将所述第一基板与所述第二基板贴合，并使所述第一基板的封装区域与所述第二基板的封装区域对位；对所述封装胶的图案进行激光照射，将封装胶熔融烧结，以在所述第一基板与所述第二基板之间形成封装胶结构。本发明通过在封装区域上制作散热结构，当进行激光照射使封装胶熔融时，通过该散热结构能够使热量快速散去，有效抑制由于激光照射而造成的基板温度的快速上升，减小对驱动背板造成的损伤。

Description

封装方法、封装结构及显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种封装方法、封装结构及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)内的发光材料和功能材料对水和气比较敏感，因此，对氧的密封要求以及对水的阻隔要求均较高，为防止水汽和氧气对OLED器件的影响，目前中小尺寸的OLED显示器件多采用激光封装(Laser sealing)工艺和Frit材料(玻璃材料)进行封装，即利用激光束移动加热玻璃封装胶熔化，熔化的玻璃封装胶在上下两玻璃基板间形成密闭的封装连接，从而提供气密式密封，然而，封装过程中的瞬间温度会达到几百度，如此高的封装温度会损伤OLED器件中驱动晶体管的背板结构，从而影响器件的寿命。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是提供一种封装方法、封装结构及显示装置，能够有效抑制由于激光照射而造成的基板温度的快速上升，减小对驱动背板造成的损伤。
(二)技术方案
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种封装方法，包括：
在第一基板的封装区域上形成封装胶的图案，在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域上形成散热结构；
将所述第一基板与所述第二基板贴合，并使所述第一基板的封装区域与所述第二基板的封装区域对位；
对所述封装胶的图案进行激光照射，将封装胶熔融烧结，以在所述第一基板与所述第二基板之间形成封装胶结构。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种封装结构，包括第一基板、第二基板以及位于封装区域以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装胶结构，所述封装区域还设有位于所述第一基板与所述第二基板之间的散热结构。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的封装结构。
(三)有益效果
本发明通过在封装区域上制作散热结构，当进行激光照射使封装胶熔融时，通过该散热结构能够使热量快速散去，有效抑制由于激光照射而造成的基板温度的快速上升，减小对驱动背板造成的损伤。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图；
图2是本发明实施方式提供的碳纳米管材料制作散热结构的流程图；
图3是本发明实施方式提供的碳纳米管薄膜拉模方向的示意图；
图4是本发明实施方式提供的石墨烯材料制作散热结构的流程图；
图5是本发明实施方式提供的采用石墨烯材料形成的散热结构的示意图；
图6是本发明实施方式提供的一种封装结构的示意图；
图7是本发明实施方式提供的一种封装胶结构的示意图；
图8是本发明实施方式提供的一种散热结构的示意图；
图9是本发明实施方式提供的另一种封装结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
图1是本发明实施方式提供的一种封装方法的流程图，该封装方法包括：
S11:在第一基板的封装区域上形成封装胶的图案，在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域上形成散热结构；
S12:将所述第一基板与所述第二基板贴合，并使所述第一基板的封装区域与所述第二基板的封装区域对位；
S13:对所述封装胶的图案进行激光照射，将封装胶熔融烧结，以在所述第一基板与所述第二基板之间形成封装胶结构。
本发明实施方式提供的封装方法，通过在封装区域上制作散热结构，当进行激光照射使封装胶熔融时，通过该散热结构能够使热量快速散去，有效抑制由于激光照射而造成的基板温度的快速上升，减小对驱动背板造成的损伤。
本发明实施方式提供的封装方法可用于有机电致发光器件(OLED)的封装，其中，形成散热结构的材料可以为金属或者纳米碳材料等材料，具体地，可在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域上形成纳米碳层作为所述散热结构，其中，纳米碳层可以采用碳纳米管材料或石墨烯材料，优选地，为了提高散热效果，可设置多层纳米碳层作为所述散热结构。
优选地，为了进一步地提高散热效果，可在上述制作散热结构的过程中增加以下步骤：对碳纳米层进行金属化合物粒子掺杂形成掺杂层。具体地，可采用真空蒸镀的方式进行掺杂形成掺杂层。
其中，上述金属化合物粒子的粒径可以为10nm～50nm，例如，可以为20nm、30nm、40nm，金属化合物粒子的材料可以为氯化铝、碘化锌等材料。通过在散热结构中增加金属化合物形成的掺杂层，其散热效果可提升30％～40％，如表1所示，例如，对于序号8的散热结构，其组分仅包括两层石墨烯层，其传热系数为4180 W/m*K，当采用粒径10nm的氯化铝粒子进行掺杂时(如序号1的散热结构，包括两层石墨烯层和一层氯化铝粒子形成的掺杂层)，其传热系数可达到6000W/m*K，大大提高了散热效果。
表1
优选地，对于包含多层纳米碳层的散热结构，上述的掺杂层可以形成在多层纳米碳层之间。
其中，上述在任一个基板的封装区域中形成纳米碳层包括：在任一个基板的封装区域上形成与该基板的封装区域形状相匹配的纳米碳层，具体地，可通过以下方法在基板的封装区域上形成纳米碳层：
方法一：
在基板的的封装区域中形成粘合区；
形成纳米碳薄膜，对所述纳米碳薄膜进行图案化处理，以在该基板的的封装区域上形成与该基板的封装区域形状相匹配的纳米碳层。
方法二：
获取与基板的封装区域形状相匹配的纳米碳薄膜；
在该基板的的封装区域中形成粘合区；
将获取的纳米碳薄膜贴附至所述粘合区。
参见图2，图2是采用上述方法一和碳纳米管材料制作散热结构的流程图，包括：
S21：在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域中形成粘合区；例如，对于有机电致发光器件(OLED)，第一基板可以为盖板，第二基板为BP基板(TFT基板)，该粘合区可采用UV胶形成，具体地，可首先在BP基板(TFT基板)上涂布UV胶，涂布UV胶的工艺可以采用印刷、Spin(旋转涂布)、Slit(狭缝式涂布)、Spin&Slit(先采用狭缝式方式涂胶，后采用旋转方式将胶涂布均匀、平坦化)工艺等，而后将上述涂布有UV胶的基板进行预烘烤，挥发部分溶剂形成上述的粘合区；
S22：在所述粘合区上采用拉模工艺形成碳纳米管薄膜，具体地，在预烘烤后的基板上，在形成有UV胶的区域上覆盖碳纳米管，碳纳米管覆盖工艺可采用拉膜的形式形成，具体的碳纳米管覆盖结构可通过如图3所示的不同拉膜方向形成，在图3中，碳纳米管层2上的黑线为拉模方向，例如，对于图3中a方式，其拉模方向为BP基板1的短边方向，对于图3中的b方式，其拉模方向为BP基板1的长边方向；
S23：拉模工艺后对粘合区进行固化处理，将形成有碳纳米管薄膜的UV胶区域进行UV固化；
S24：去除所述粘合区之外的碳纳米管，将UV胶区域之外的碳纳米管进行清理，具体可采用清洗或气吹等方式；
S25：对所述粘合区进行烘烤坚膜处理。
其中，在上述的散热结构的制作方法中，UV胶用于形成粘合区，粘合区的形成也可采用热固化树脂等其它材料，此外，若在步骤S21中采用热固化树脂形成粘合区，则在步骤S23中采用热固化工艺进行固化处理。
对于有机电致发光器件(OLED)，上述的散热结构可制作在BP基板或者盖板上，优选地，可制作在BP基板，此外，为了在不影响封装效果的前提下使散热的效果更加显著，在上述封装的过程中，可使封装胶的图案形状与散热结构的图案形状相同，并使两者正对设置。
参见图4，图4是采用上述方法一和石墨烯材料制作散热结构的流程图，包括：
S31：在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域中形成粘合区；例如，对于有机电致发光器件(OLED)，第一基板可以为盖板，第二基板为BP基板(TFT基板)，可在BP基板的封装区域上涂布热固化树脂，涂布热固化树脂的工艺可以采用印刷、Spin、Slit、Spin&Slit工艺等，
S32：在该任一个基板上形成石墨烯薄膜，将石墨烯薄膜贴通过粘合区贴附至BP基板，并将贴附后的BP基板进行热固化处理；
S33：在所述石墨烯薄膜上形成光刻胶层，例如，可在石墨烯薄膜表面涂布UV胶，并将UV胶进行预烘处理形成光刻胶层；
S34：对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成图案化的光刻胶层，而后对BP基板进行后烘坚膜处理；
S35：刻蚀掉暴漏出的石墨烯后剥离剩余的光刻胶，从而形成所述的散热结构，具体地，参见图5，可采用刻蚀工艺对石墨烯薄膜进行刻蚀，而后将UV胶剥离并进行清洗，从而在BP基板1上形成散热结构3。
对于上述方法二，例如，可通过直接将预先设定图案及规格的石墨烯薄膜贴附于BP基板上的工艺完成，即预先获取图案化的石墨烯层，而后将该图案化的石墨烯层直接贴附至粘合区即可。
优选地，为了防止上述的散热结构对封装效果的影响，上述散热结构中还形成有垂直所述第一基板方向的通孔，其中，该通孔可在制作与封装区域形状相匹配的步骤中一起形成，也可在制作与封装区域形状相匹配的纳米碳层之后，再在纳米碳层上形成通孔，例如，可以采用激光灰化工艺或光刻工艺在与封装区域形状相匹配的纳米碳层上再次形成相应的通孔图案，通过上述通孔，可增强散热结构的两侧结构之间的粘结性，降低散热结构对后续封装的效果的影响。
本发明实施方式提供的封装方法，通过在封装区域上制作散热结构，当进行激光照射使封装胶熔融时，通过该散热结构能够使热量快速散去，有效抑制由于激光照射而造成的基板温度的快速上升，减小对驱动背板造成的损伤，同时也不会因为散热结构的引入而产生LSD(Laser Sealing Damage，激光封装损坏)不良，进而提高产品的封装良率，此外，采用纳米碳材料，具有成本低，工艺简单的优点，且由于纳米碳结构具有热传导系数大，散热性能好，能够进一步地提高散热效果。
此外，参见图6，本发明实施方式还提供了一种封装结构，该封装结构包括第一基板4、第二基板7以及位于封装区域8以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装胶结构5，其中，所述封装区域8还设有位于所述第一基板4与所述第二基板7之间的散热结构6。例如，对于有机电致发光器件(OLED)，第一基板可以为盖板，第二基板为BP基板(TFT基板)。
优选地，为了防止散热结构对封装效果的影响，所述散热结构上还形成有垂直所述第一基板方向的通孔。
其中，所述封装胶结构可以为玻璃(Frit)材料，优选地，所述散热结构为纳米碳材料，例如，可以为碳纳米管材料、石墨烯材料等。
其中，封装胶结构5的形状如图7所示，为了在不影响封装效果的前提下使散热的效果更加显著，可以使散热结构6的图案形状与封装胶结构5的图案形状相同，即形成如图8所示的形状。
优选地，本发明实施方式中的散热结构不但包括纳米碳层，还包括通过对碳纳米层进行金属化合物粒子掺杂形成的掺杂层，如图9所示，该封装结构包括第一基板4、第二基板7以及位于封装区域8以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装胶结构5，其中，所述封装区域8还设有位于所述第一基板4与所述第二基板7之间的散热结构6，其中散热结构包括第一纳米碳层61、第二纳米碳层61以及设置在第一纳米碳层61和第二纳米碳层61之间掺杂层63，通过在散热结构中增加掺杂层63，可以显著的提高散热结构的散热效果。
其中，上述金属化合物粒子的粒径可以为10nm～50nm，例如，可以为20nm、30nm、40nm，金属化合物粒子的材料可以为氯化铝、碘化锌等材料。
此外，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的封装结构。本发明实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (15)

1.一种封装方法，其特征在于，包括：
在第一基板的封装区域上形成封装胶的图案，在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域上形成散热结构；
将所述第一基板与所述第二基板贴合，并使所述第一基板的封装区域与所述第二基板的封装区域对位；
对所述封装胶的图案进行激光照射，将封装胶熔融烧结，以在所述第一基板与所述第二基板之间形成封装胶结构。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域上形成散热结构包括：
在所述任一个基板的封装区域中形成纳米碳层。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在第一基板和第二基板中任一个基板的封装区域上形成散热结构还包括：
对所述碳纳米层进行金属化合物粒子掺杂形成掺杂层。
4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述金属化合物粒子的粒径为10nm～50nm。
5.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述金属化合物粒子的材料包括:氯化铝、碘化锌。
6.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述纳米碳层为多层，所述掺杂层形成在所述多层纳米碳层之间。
7.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述任一个基板的封装区域中形成纳米碳层包括：
在所述任一个基板的封装区域中形成粘合区；
在所述粘合区上采用拉模工艺形成碳纳米管薄膜；
对所述粘合区进行固化处理；
去除所述粘合区之外的碳纳米管；
对所述粘合区进行烘烤坚膜处理。
8.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在所述任一个基板的封装区域中形成纳米碳层包括：
在所述任一个基板的封装区域中形成粘合区：
在所述任一个基板上形成石墨烯薄膜；
在所述石墨烯薄膜上形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成图案化的光刻胶层；
刻蚀掉暴漏出的石墨烯后剥离剩余的光刻胶。
9.根据权利要求1-8任一所述的封装方法，其特征在于，所述散热结构上还形成有垂直所述第一基板方向的通孔。
10.一种封装结构，包括第一基板、第二基板以及位于封装区域以将所述第一基板与所述第二基板密封的封装胶结构，其特征在于，所述封装区域还设有位于所述第一基板与所述第二基板之间的散热结构。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述散热结构包括形成在所述封装区域上的纳米碳层。
12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述散热结构还包括通过对所述碳纳米层进行金属化合物粒子掺杂形成的掺杂层。
13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述纳米碳层为多层，所述掺杂层形成在所述多层纳米碳层之间。
14.根据权利要求10-13任一所述的封装结构，其特征在于，所述散热结构上还形成有垂直所述第一基板方向的通孔。
15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11-14任一所述的封装结构。
CN201410645978.3A 2014-11-12 2014-11-12 封装方法、封装结构及显示装置 Active CN104409663B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410645978.3A CN104409663B (zh) 2014-11-12 2014-11-12 封装方法、封装结构及显示装置
PCT/CN2015/077671 WO2016074445A1 (zh) 2014-11-12 2015-04-28 封装方法、封装结构及显示装置
US14/785,643 US9680134B2 (en) 2014-11-12 2015-04-28 Packaging method, packaging structure and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410645978.3A CN104409663B (zh) 2014-11-12 2014-11-12 封装方法、封装结构及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104409663A true CN104409663A (zh) 2015-03-11
CN104409663B CN104409663B (zh) 2017-01-18

Family

ID=52647275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410645978.3A Active CN104409663B (zh) 2014-11-12 2014-11-12 封装方法、封装结构及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9680134B2 (zh)
CN (1) CN104409663B (zh)
WO (1) WO2016074445A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016074445A1 (zh) * 2014-11-12 2016-05-19 京东方科技集团股份有限公司 封装方法、封装结构及显示装置
CN105895825A (zh) * 2016-06-15 2016-08-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种封装结构、封装方法及电子器件
CN106206474A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 昆山国显光电有限公司 一种提高Frit封装机械强度的封装结构及其封装方法
CN106206988A (zh) * 2016-08-26 2016-12-07 昆山国显光电有限公司 封装结构及其制备方法、以及应用
CN108428806A (zh) * 2018-05-14 2018-08-21 昆山国显光电有限公司 显示屏及其制造方法、显示装置
CN108962935A (zh) * 2017-11-30 2018-12-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 柔性显示器件及其制备方法
CN111864117A (zh) * 2020-07-30 2020-10-30 福建华佳彩有限公司 一种显示面板封装结构及其封装方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105161515B (zh) * 2015-08-11 2018-03-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置
CN108511620B (zh) * 2018-03-02 2020-09-08 江苏壹光科技有限公司 一种激光封装oled照明面板及封装方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1742364A (zh) * 2003-01-24 2006-03-01 纳米传导公司 使用自组装纳米线从集成电路除去热量的方法及设备
KR100714000B1 (ko) * 2006-07-25 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US20110241541A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Au Optronics Corporation Display Panel Package Structure and Fabricating Method Thereof
US20110241528A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-06 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display device and encapsulation substrate thereof
CN102754524A (zh) * 2010-07-23 2012-10-24 松下电器产业株式会社 显示面板及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080006304A (ko) * 2006-07-12 2008-01-16 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7652305B2 (en) * 2007-02-23 2010-01-26 Corning Incorporated Methods and apparatus to improve frit-sealed glass package
JP5532557B2 (ja) * 2007-07-09 2014-06-25 大日本印刷株式会社 ガスバリア性シート、ガスバリア性シートの製造方法、封止体、及び有機ｅｌディスプレイ
TWI394732B (zh) 2008-02-28 2013-05-01 Corning Inc 密封玻璃包封之方法
KR101518735B1 (ko) * 2009-02-19 2015-05-18 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 채용한 가열 부재 및 이를 채용한 정착장치
WO2012067432A2 (ko) * 2010-11-17 2012-05-24 (주)엘지하우시스 방열과 발열 기능을 가지는 전지 조립체
KR102038844B1 (ko) * 2011-06-16 2019-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치
JP5816029B2 (ja) * 2011-08-24 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9441416B2 (en) * 2012-09-27 2016-09-13 Guardian Industries Corp. Low temperature hermetic sealing via laser
KR102160829B1 (ko) * 2012-11-02 2020-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체 및 밀봉체의 제작 방법
TWI636875B (zh) * 2013-02-04 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 玻璃層的形成方法及密封結構的製造方法
US9178032B2 (en) * 2013-02-15 2015-11-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Gas sensor and manufacturing method thereof
JP5701920B2 (ja) * 2013-03-19 2015-04-15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
CN103367623B (zh) 2013-07-18 2015-10-28 深圳市华星光电技术有限公司 发光器件及其制作方法
CN104409663B (zh) 2014-11-12 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 封装方法、封装结构及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1742364A (zh) * 2003-01-24 2006-03-01 纳米传导公司 使用自组装纳米线从集成电路除去热量的方法及设备
KR100714000B1 (ko) * 2006-07-25 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US20110241541A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Au Optronics Corporation Display Panel Package Structure and Fabricating Method Thereof
US20110241528A1 (en) * 2010-04-01 2011-10-06 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display device and encapsulation substrate thereof
CN102754524A (zh) * 2010-07-23 2012-10-24 松下电器产业株式会社 显示面板及其制造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016074445A1 (zh) * 2014-11-12 2016-05-19 京东方科技集团股份有限公司 封装方法、封装结构及显示装置
US9680134B2 (en) 2014-11-12 2017-06-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Packaging method, packaging structure and display device
CN105895825A (zh) * 2016-06-15 2016-08-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种封装结构、封装方法及电子器件
CN106206988A (zh) * 2016-08-26 2016-12-07 昆山国显光电有限公司 封装结构及其制备方法、以及应用
CN106206474A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 昆山国显光电有限公司 一种提高Frit封装机械强度的封装结构及其封装方法
CN106206474B (zh) * 2016-08-31 2019-12-13 昆山国显光电有限公司 一种提高Frit封装机械强度的封装结构及其封装方法
CN108962935A (zh) * 2017-11-30 2018-12-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 柔性显示器件及其制备方法
CN108962935B (zh) * 2017-11-30 2021-01-26 广东聚华印刷显示技术有限公司 柔性显示器件及其制备方法
CN108428806A (zh) * 2018-05-14 2018-08-21 昆山国显光电有限公司 显示屏及其制造方法、显示装置
CN108428806B (zh) * 2018-05-14 2020-02-14 昆山国显光电有限公司 显示屏及其制造方法、显示装置
CN111864117A (zh) * 2020-07-30 2020-10-30 福建华佳彩有限公司 一种显示面板封装结构及其封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160351844A1 (en) 2016-12-01
WO2016074445A1 (zh) 2016-05-19
US9680134B2 (en) 2017-06-13
CN104409663B (zh) 2017-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104409663A (zh) 封装方法、封装结构及显示装置
Li et al. Printable transparent conductive films for flexible electronics
US9508933B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) device, manufacturing method thereof and display device
WO2016179876A1 (zh) 窄边框柔性显示装置及其制作方法
TWI451610B (zh) 發光裝置之母板結構以及發光裝置及其製造方法
CN104201295B (zh) Oled的封装方法及oled结构
WO2016019637A1 (zh) Oled显示器件及其制作方法、显示装置
CN104867960B (zh) 显示面板及其封装方法、显示装置
WO2015196600A1 (zh) Oled器件的封装方法、oled显示面板及oled显示装置
WO2016095332A1 (zh) Oled触控显示装置及其制造方法
CN104409652A (zh) 玻璃薄膜的制备方法、光电器件及其封装方法、显示装置
WO2016082338A1 (zh) 导电柔性基板及其制作方法与oled显示装置及其制作方法
WO2016115806A1 (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
CN104795422B (zh) 有机发光二极管显示设备
WO2014153892A1 (zh) 基板封装方法
CN106816547B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
TWI523218B (zh) 有機發光二極體顯示面板及其製作方法
WO2020248431A1 (zh) 显示面板的制备方法及显示面板
CN103985739A (zh) 一种曲面显示面板和显示装置
US8568182B2 (en) Display
JP2015158672A (ja) アクティブマトリクス有機発光ダイオードパネル及びその実装方法
WO2016177267A1 (zh) 封装胶、封装方法、显示面板及显示装置
CN109585507A (zh) 显示装置及其制造方法
WO2023241275A1 (zh) 基板及其制备方法、电子装置
TWI629781B (zh) 製造有機發光二極體顯示器之方法以及製造觸控面板之方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant