CN101807667B - 一种有机光电子器件的封装装置及其封装方法 - Google Patents

一种有机光电子器件的封装装置及其封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机光电子器件的封装装置，其特征在于：①包括盖板1、定位板2、压紧板4、位置卡紧机构7和封装压紧机构6；②所述盖板1上与基片3的接触面上设置有基片3相适配的盖板凹槽8，所述定位板2设置有定位孔9，定位孔9的尺寸大小与基片3一致，并与盖板凹槽8对应，所述定位板2安装在盖板1的上方，将基片3设置有机光电子器件功能层的一侧面向盖板1导入定位孔9内并与盖板凹槽8配合工作，所述压紧板4安装在基片3的上方，所述位置卡紧机构7将盖板1、定位板2和压紧板4的相对位置固定，在压紧板4上方和盖板1下方分别对应地安装封装压紧机构6，通过封装压紧机构6的压力使基片3和盖板1均匀紧密结合。

Description

一种有机光电子器件的封装装置及其封装方法
技术领域
本发明涉及电子元器件中有机光电子技术领域，具体涉及一种有机光电子器件的封装装置和基于该装置的封装方法。
背景技术
光电子技术是继微电子技术之后迅速发展的高科技含量很高的产业。随着光电子技术的快速发展，太阳能电池、光影像感测器、电浆平面显示器、电致发光显示器、薄膜晶体管以及液晶显示器面板等光电子产品，都逐渐发展成熟，它们大大改善了人类的生活。同时，光电子信息技术在社会生活各个领域的广泛应用，也创造了日益增长的巨大市场。发达国家都把光电信息产业作为重点发展的领域之一，光电子信息领域的竞争正在世界范围展开。
有机半导体材料在光电子器件中的广泛应用为光电子技术的发展起到了推波助澜的作用。自1987年，美国柯达公司邓青云等人在总结前人的基础上发明了三明治结构超薄有机电致发光器件后，有机光电子器件进入高速发展的时期。有机材料被广泛应用于光电探测、太阳能电池、显示器件等领域。通过有机材料的应用，光电子器件的生产成本大幅度降低，性能有了很大提高。
有机光电子器件是目前国际光电子领域最引人注目的新技术热点及未来主要发展方向之一，包括有机电致发光器件(organic light-emitting device，OLED)、有机光伏电池(organic photovoltaic cell，OPVC)和有机薄膜晶体管(organic thinfilm transistor，OTFT)，具有易加工、低能耗、柔性、IC兼容性高等优点，由此引发的光电技术的热潮更是席卷全球。
尽管有机光电子器件已取得了有目共睹的成果，但更多的研究开发工作仍在继续进行。如现有的有机光电子器件材料从性能上来说，使用寿命较短，未来的研究方向是设法延长有机光电子器件的使用寿命，由于有机光电子器件易受水氧等影响而严重影响寿命，因此尤其是研制长寿命封装至关重要。现阶段存在的另一最大障碍是如何建立完善的生产工艺流程及全球标准化的生产模式。迄今有机光电子器件尚未有标准的生产流程及测试设备，标准的生产线还在建造之中，制造工艺技术还有待于进一步的改善。需值得强调的一点是在未来的数年内要使有机光电子器件进入批量化生产仍是一项颇为艰巨的任务。目前为止，有机光电子器件的封装方法都存在一定的不足，现有的平板显示、照明器件、有机光伏电池及有机薄膜传感器的封装装置，均不能满足或兼容有机光电子器件工艺。因此，如何精确控制有机光电子器件封装过程中盖板与器件之间的结合力，一直是困扰有机光电子器件封装的关键问题，而研发一种新型的器件封装装置及其技术，是解决本问题的最佳途径之一。
发明内容
本发明所要解决的问题是：如何提供一种有机光电子器件的封装装置及其封装方法，该封装装置可以解决器件封装过程中常规压紧方法造成的压力不可精确控制的问题，保证了封装精度，提高了封装效率，降低了对设备的要求和生产成本，针对各种尺寸的基片封装均具有较强的可操作性，更好地满足科研和生产的需要。
本发明所提出的技术问题是这样解决的：提供一种有机光电子器件的封装装置，其特征在于：
①包括盖板1、定位板2、压紧板4、位置卡紧机构7和封装压紧机构6；
②所述盖板1上与基片3的接触面上设置有基片3相适配的盖板凹槽8，所述定位板2设置有定位孔9，定位孔的尺寸大小与基片3一致，并与盖板凹槽8对应，所述定位板2安装在盖板1的上方，将基片3设置有有机电致发光功能层的一侧面向盖板1导入定位孔9内并与盖板凹槽8配合工作，所述压紧板4安装在基片3的上方，所述位置卡紧机构7将盖板1、定位板2和压紧板4的相对位置固定，在压紧板4上方和盖板1下方分别对应地安装封装压紧机构6，通过封装压紧机构6的压力使基片3和盖板1均匀紧密结合。
按照本发明所提供的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述盖板凹槽内放置有除气剂5。
按照本发明所提供的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述压紧板4是与基片3对应的单片或者与盖板1相对应的整片结构。
按照本发明所提供的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述封装压紧机构6是能通过调节电流大小控制压力的电磁铁条形阵列或者矩形阵列，并在盖板1下方和压紧板4上方一一对应，其中电磁铁条形阵列按相同的步进排列贯穿整个面板，电磁铁矩形阵列对应于基片边缘且大小与定位孔9一致。
按照本发明所提供的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述电磁铁条形或矩形阵列的磁芯材料是软磁材料，包括金属软磁材料、铁氧体软磁材料、非晶微晶软磁材料和金属软磁粉芯，所述电磁铁的线圈材料是金、银、铜、铁、铝、钨、锰、钒、钛、镍、稀土金属及其合金。
按照本发明所提供的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，位置卡紧机构7的厚度大于或等于所述盖板1、基片3和压紧板4的厚度之和，限制盖板1、定位板2和压紧板4精确对位后的相对位置。基片3的厚度为0.05mm～4mm，定位板2的厚度比基片3的厚度薄0～0.4mm。按照本发明所提供的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述盖板是玻璃、有机薄膜、无机薄膜和金属箔中的一种或它们的复合体系；所述定位板是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系；所述压紧板是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系。
一种有机光电子器件的封装装置的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
①.把盖板1和制备有机光电子器件功能层的基片3放入充满惰性气体的手套箱中，按照基片3的尺寸要求在盖板1上涂覆紫外曝光胶，在盖板凹槽8内放入除气剂5；
②.将涂覆有紫外曝光胶的基片3和盖板1放入充满惰性气体的真空密封系统中，并将定位板2放置于盖板1之上；
③.调节盖板1和定位板2的位置，使盖板1的盖板凹槽8和定位板2的定位孔9相对应；
④.将基片3设置有机光电子器件功能层的一侧面向盖板凹槽8通过定位板2的定位孔9导入盖板凹槽8内，使基片1与定位板2精密对准；
⑤.根据基片3尺寸的大小要求采用相应的整片或单片压紧板4，压紧板4和基片3之间涂覆紫外曝光胶；
⑥.在盖板1下和压紧板4上对应设置封装压紧机构6，封装压紧机构6通过调节电流大小调整压力大小使各层紧密均匀结合；
⑦.进行后续封装步骤，完成整个封装流程；
⑧.测试器件的光电特性参数。
本发明的有益效果：本发明所提供的有机光电子器件的封装装置，结构简单，操作简便，有利于使封装技术精确化、流程化、自动化。电磁铁矩阵的压紧系统通过调节电流大小能够实时、灵活的调节压力大小，对于不同尺寸、厚度规格的基片封装均能简单调整生产线以符合流水线生产管理。同时，与传统的利用封装器件内外气压差压紧的封装过程相比较，省却了反复对封装室冲放惰性气体的过程，节省了成本，简化了器件封装步骤，达到了精确控制盖板与有机光电子器件间结合力的要求。
附图说明
图1是本发明所提供的有机光电子器件的封装装置的剖面结构示意图；
图2是本发明所提供的有机光电子器件的封装装置的定位板平面示意图；
图3是本发明所提供的有机光电子器件的封装装置的盖板平面示意图；
图4是本发明所提供的设置了电磁铁条型矩阵的有机光电子器件的封装装置的平面示意图；
图5是本发明所提供的电磁铁举行矩阵的有机光电子器件的封装装置的平面示意图。
其中，1、盖板，2、定位板，3、基片，4、压紧板，5、除气剂，6、电磁铁，7、位置卡紧机构，8、盖板凹槽，9、定位孔，10、电磁铁条型阵列，11、电磁铁矩形阵列。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述：
本发明的技术方案是提供一种有机光电子器件的封装装置，如图1所示，包括盖板1、定位板2、压紧板4和封装压紧机构6，盖板1上与设置有机光电子器件的基片3的接触面上设置有与基片3相对应的盖板凹槽8(如图2所示)，盖板凹槽8内放置有除气剂5，定位板2设置有定位孔9(如图3所示)，定位孔9的大小尺寸与基片3一致，定位板2安装在盖板1上方，将基片3设置有机光电子器件功能层(其中有机电致发光器件功能层包括阳极层、空穴传输层、电子传输层、发光层和阴极层的组合，有机光伏电池功能层包括阳极层、电子受体材料层、电子给体材料层和阴极层的组合，有机薄膜晶体管功能层包括栅电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极的组合)的一侧面向盖板1导入所述定位孔9内，所述压紧板4安装在基片3上方。所述基片3上下均沿边缘处在定位过程中涂有紫外光固化胶。所述盖板1、定位板2和压紧板4由对位标记对齐后，使用位置卡紧机构7将三块板(盖板1、定位板2和压紧板4)的相对位置固定，在压紧板4上方和盖板1下方分别对应地安装封装压紧机构6(包括电磁铁条型阵列10或电磁铁矩形阵列11)，通过封装压紧装置6的压力使得基片3和盖板1均匀紧密结合。
本发明中的盖板1材料为玻璃、有机薄膜、无机薄膜、金属箔中的一种或复合体系。
本发明中的基片3为有机光电子器件，其衬底为有机功能层的依托，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性，它可以是玻璃、Si板或柔性基片，柔性基片采用聚酯类、聚酞亚胺化合物、特氟龙中的一种材料、较薄的金属。
本发明中的定位板2材料为玻璃、有机材料板和金属板中的一种或者他们对应材料的复合体系，其厚度比所述有机光电子器件的基片厚度薄0～0.4mm。
本发明中的压紧板4为与基片对应的单片或者与盖板对应的整片结构，材料为玻璃、有机材料板和金属板中的一种或者它们对应材料的复合体系。
本发明中的除气剂5为物理性除气剂、化学性除气剂或者二者的混合物，其中物理性除气剂包括一纳米沸石及无机粘着剂。
本发明中的封装压紧机构6为电磁铁条形阵列或矩形阵列，所述电磁铁的磁芯材料是软磁材料，包括金属软磁材料、铁氧体软磁材料、非晶微晶软磁材料和金属软磁粉芯；所述电磁铁的线圈材料是金、银、铜、铁、铝、钨、锰、钒、钛、镍、稀土金属及其合金。
本发明中的位置卡紧机构7为金属、玻璃等刚性材料，其厚度大于等于所述盖板1、基片3和压紧板4的厚度之和，限制盖板1、定位板2和压紧板4精确对位后的相对位置。
本发明中的盖板凹槽8为根据基片3大小尺寸事先制备在盖板1上的凹槽，其尺寸小于基片大小并与基片3一一对应。
本发明中的定位孔9为根据实际生产需要在定位板2上贯穿定位板的孔洞，其尺寸大小与所述基片3尺寸一致。
本发明中的条形电磁铁10为排列在盖板下方和压紧板上方的电磁铁阵列并一一对应，根据基片3的大小尺寸调整间隔步进排列贯穿整个面板。
本发明中的矩形电磁铁11为排列在盖板下方和压紧板上方的电磁铁阵列并一一对应，每一个矩形电磁铁覆盖基片3边缘且大小与基片3大小一致。
以下是本发明的具体实施例：
实施例1
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Mg:Ag(100nm)。
制备方法如下：
①.利用丙酮溶液、去离子水和乙醇溶液对导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为12Ω/sq，膜厚为180nm；
②.将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理10分钟，溅射功率为0～20W；
③.将处理后的基片在高真空度的蒸法室中，其气压为2×10-4Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述的器件结构依次蒸镀空穴传输材料NPB为50nm，电子传输材料和发光材料Alq3层30nm，各有机层的蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
④.在有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。其气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为～1nm/s，合金中Mg∶Ag比例为～10∶1，膜层厚度为100nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
⑤.把制备好有机电致发光功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂紫外曝光胶，在槽内放入除气剂；
⑥.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并将定位板放置于盖板之上，调节盖板和定位板的位置使两者贴合，其中两者的孔、槽相对应；
⑦.将基板设置有机电致发光层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶，然后根据基片尺寸大小要求采用相应的整片或单片封装压紧板；
⑧.采用位置卡紧装置将精确对位的盖板卡紧，并在盖板下和压紧板上放置条形电磁铁整列；
⑨.通电调节电流大小，使基片、盖板和压紧板紧密均匀结合；
⑩.进行后续封装步骤，完成整个封装流程，测试器件的光电特性参数。
实施例2
如图5所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/CuPc(20nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(40nm):C545T(2％)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(100nm)。
制备方法如下：
①.利用丙酮溶液、去离子水和乙醇溶液对导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为12Ω/sq，膜厚为180nm；
②.将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理10分钟，溅射功率为0～20W；
③.将处理后的基片在高真空度的蒸法室中，其气压为2×10-4Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述的器件结构依次蒸镀缓冲层CuPc为20nm，空穴传输材料α-NPD为60nm，采用共蒸手段蒸镀Alq3:C545T(40nm)，其中C545T掺杂比为2％，电子传输材料Alq3层20nm，各有机层的蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
④.在有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。其气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为～1nm/s，合金中Mg∶Ag比例为～10∶1，膜层厚度为100nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
⑤.把制备好有机电致发光功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂紫外曝光胶，在槽内放入除气剂；
⑥.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并将定位板放置于盖板之上，调节盖板和定位板的位置使两者贴合，其中两者的孔、槽相对应；
⑦.将基板设置有机电致发光层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶，然后根据基片尺寸大小要求采用相应的整片或单片封装压紧板；
⑧.采用位置卡紧装置将精确对位的盖板卡紧，并在盖板下和压紧板上放置矩形电磁铁阵列，每一个矩形电磁铁覆盖基片边缘且大小与基片大小一致；
⑨.通电调节电流大小，使基片、盖板和压紧板紧密均匀结合；
⑩.进行后续封装步骤，完成整个封装流程，测试器件的光电特性参数。
实施例3
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/PVK:PFC(100nm)/BCP(10nm)/Alq3(15nm)/Mg:Ag(100nm)。
制备方法如下：
①.利用丙酮溶液、去离子水和乙醇溶液对导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为12Ω/sq，膜厚为180nm；
②.将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理10分钟，溅射功率为0～20W；
③.将处理后的基片置于甩胶机上进行掺杂薄膜(空穴传输层和发光层)PVK:PFC的旋涂，通过控制不同的溶液浓度比例、甩胶机转速和时间来控制旋涂膜的厚度；
④.将基片转移至高真空度的蒸法室中，其气压为2×10-4Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述的器件结构依次蒸镀空穴阻挡层BCP为10nm，电子传输材料Alq3层15nm，各有机层的蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
⑤.在有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。其气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为～1nm/s，合金中Mg∶Ag比例为～10∶1，膜层厚度为100nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
⑥.把制备好有机电致发光功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂紫外曝光胶，在槽内放入除气剂；
⑦.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并将定位板放置于盖板之上，调节盖板和定位板的位置使两者贴合，其中两者的孔、槽相对应；
⑧.将基板设置有机电致发光层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶，然后根据基片尺寸大小要求采用相应的整片或单片封装压紧板；
⑨.采用位置卡紧装置将精确对位的盖板卡紧，并在盖板下和压紧板上放置矩形电磁铁阵列，每一个矩形电磁铁覆盖基片边缘且大小与基片大小一致；
⑩.通电调节电流大小，使基片、盖板和压紧板紧密均匀结合，进行后续封装步骤，完成整个封装流程，测试器件的光电特性参数。
实施例4
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为200mm×200mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/TPD(20nm)/(tbt)2Ir(acac)(1nm)/NPB(5nm)/BCP(20nm)/Mg:Ag(100nm)。
器件的制备流程与实施例1相似。
实施例5
如图5所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为200mm×200mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/PMMA:CuPc(100nm)/ruberene(50nm)/PBD(15nm)/Mg:Ag(100nm)。
器件的制备流程与实施例2相似。
实施例6-10
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的柔性基板(如PET等)，封装盖板采用有机聚合物薄膜。整个器件结构描述为：柔性基板/ITO/PS:TPD(X∶Y)(X∶Y＝1∶9，3∶7，1∶1，7∶3，9∶1)/Alq3(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。
器件的制备流程与实施例3相似。
实施例11
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的柔性基板(如PET等)，封装盖板采用柔性基板(如PET等)。整个器件结构描述为：柔性基板/ITO/NPB(30nm)/TPBTSi(30nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(100nm)。
器件的制备流程与实施例1相似。
实施例12
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用金属盖板。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(30nm)/TPBTSi(30nm)/TPBI(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(100nm)。
器件的制备流程与实施例1相似。
实施例13-18
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的柔性基板(如PET等)，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：柔性基板/ITO/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/m-TDATA(x nm，x＝0，1.8，3.6，4.2，6，18nm)/Alq3:DCJTB(2％)(10nm)/Mg:Ag(100nm)。
器件的制备流程与实施例1相似。
实施例19
如图4所示有机光伏电池(OPVC)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/CuPc(40nm)/C60(40nm)/Ag(100nm)
器件的制备流程与实施例1相似。
实施例20
如图4所示有机薄膜晶体管(OTFT)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的Si板，器件的基板为Si，栅极为Au，绝缘层为PVP，有机半导体层用并五苯，源、漏电极为Au，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。
制备方法如下：
①.将Si基板放入热的H2SO4∶H2O2＝7∶3的溶液中中超声1小时后，使用超纯水清洗；
②.将H2O∶NH3＝5∶1的溶液加热70℃后，加入1体积H2O2，加入基片浸泡15min后，使用超纯水清洗，最后用干燥氮气吹干；
③.在Si基板的表面通过真空蒸镀或者溅射的方法蒸镀栅电极Au；
④.通过光刻的方法刻蚀栅电极的图形；
⑤.在镀有栅电极的Si板的另一侧通过旋涂的方法旋涂上有机绝缘层PVP，有机绝缘层PVP可以一次旋涂成膜，也可以分多次旋涂于Si基板上；
⑥.放入真空蒸发有机导体膜并五苯，其气压为3×10-4Pa，蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
⑦.然后在有机半导体层上蒸镀源电极，漏电极Au。通过光刻形成源电极、漏电极图案。
⑧.把制备好有机薄膜晶体管功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂紫外曝光胶，在槽内放入除气剂；
⑨.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并将定位板放置于盖板之上，调节盖板和定位板的位置使两者贴合，其中两者的孔、槽相对应；
⑩.将基板设置有机薄膜晶体管功能层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶，然后根据基片尺寸大小要求采用相应的整片或单片封装压紧板；
□.采用位置卡紧装置将精确对位的盖板卡紧，并在盖板下和压紧板上放置条形电磁铁整列；
□.通电调节电流大小，使基片、盖板和压紧板紧密均匀结合；
□.进行后续封装步骤，完成整个封装流程，测试器件的光电特性参数。

Claims (8)

1.一种有机光电子器件的封装装置，其特征在于：
①包括盖板(1)、定位板(2)、压紧板(4)、位置卡紧机构(7)和封装压紧机构(6)；
②所述盖板(1)上与基片(3)的接触面上设置有基片(3)相适配的盖板凹槽(8)，所述定位板(2)设置有定位孔(9)，定位孔的尺寸大小与基片(3)一致，并与盖板凹槽(8)对应，所述定位板(2)安装在盖板(1)的上方，将基片(3)设置有机光电子器件功能层的一侧面向盖板(1)导入定位孔(9)内并与盖板凹槽(8)配合工作，所述压紧板(4)安装在基片(3)的上方，所述位置卡紧机构(7)将盖板(1)、定位板(2)和压紧板(4)的相对位置固定，在压紧板(4)上方和盖板(1)下方分别对应地安装封装压紧机构(6)，通过封装压紧机构(6)的压力使基片(3)和盖板(1)均匀紧密结合。
2.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述盖板凹槽内放置有除气剂(5)。
3.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述压紧板(4)是与基片(3)对应的单片或者与盖板(1)相对应的整片结构。
4.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述封装压紧机构(6)是能通过调节电流大小控制压力的电磁铁条形阵列或者矩形阵列，并在盖板(1)下方和压紧板(4)上方一一对应，其中电磁铁条形阵列按相同的步进排列贯穿整个面板，电磁铁矩形阵列对应于基片边缘且大小与定位孔(9)一致。
5.根据权利要求4所述的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述电磁铁条形阵列或矩形阵列的磁芯材料是软磁材料，包括金属软磁材料、铁氧体软磁材料、非晶微晶软磁材料和金属软磁粉芯，所述电磁铁的线圈材料是金、银、铜、铁、铝、钨、锰、钒、钛、镍、稀土金属及其合金。
6.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，位置卡紧机构(7)的厚度大于等于所述盖板(1)、基片(3)和压紧板(4)的厚度之和，限制盖板(1)、定位板(2)和压紧板(4)精确对位后的相对位置。
7.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装装置，其特征在于，所述盖板是玻璃、有机薄膜、无机薄膜和金属箔中的一种或它们的复合体系；所述定位板是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系；所述压紧板是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系。
8.一种如权利要求1～7任一所述的有机光电子器件的封装装置的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
①.把盖板(1)和制备有有机光电子器件功能层的基片(3)放入充满惰性气体的手套箱中，按照基片(3)的尺寸要求在盖板(1)上涂覆紫外曝光胶，在盖板凹槽(8)内放入除气剂(5)；
②.将涂覆有紫外曝光胶的基片(3)和盖板(1)放入充满惰性气体的真空密封系统中，并将定位板(2)放置于盖板(1)之上；
③.调节盖板(1)和定位板(2)的位置，使盖板(1)的盖板凹槽(8)和定位板(2)的定位孔(9)相对应；
④.将基片(3)设置有机光电子器件功能层的一侧面向盖板凹槽(8)通过定位板(2)的定位孔(9)导入盖板凹槽(8)内，使基片(1)与定位板(2)精密对准；
⑤.根据基片(3)尺寸的大小要求采用相应的整片或单片压紧板(4)，压紧板(4)和基片(3)之间涂覆紫外曝光胶；
⑥.在盖板(1)下和压紧板(4)上对应设置封装压紧机构(6)，封装压紧机构(6)通过调节电流大小调整压力大小使各层紧密均匀结合；
⑦.进行后续封装步骤，完成整个封装流程；
⑧.测试器件的光电特性参数。
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