CN101859872B - 一种有机光电子器件的封装对位装置及其封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，包括盖板、定位板和压紧板，所述盖板上与基片接触的一侧设置有与基片相对应的盖板凹槽，并设有两根以上的定位柱，所述定位板设置有定位孔和与定位柱配合工作的限位孔，所述定位孔的尺寸与基片一致，通过限位孔将定位板嵌套在定位柱上，将基片设置有有机光电子器件功能层的一侧面向盖板导入定位孔；压紧板设置有与定位柱配合工作的卡位孔，并通过卡位孔将压紧板嵌套在定位柱上，使盖板、定位板和压紧板精确对位，同时将基片和盖板压紧。该封装对位装置解决了器件封装过程中由于对位缺陷所引起的基片定位精度不足，使生产工艺更加简单且易于操作，提高封装效率。

Description

一种有机光电子器件的封装对位装置及其封装方法
技术领域
本发明涉及电子元器件中有机电致发光技术领域，具体涉及一种有机光电子器件的封装对位装置和基于该装置的封装方法。 
背景技术
光电子技术是继微电子技术之后迅速发展的高科技含量很高的产业。随着光电子技术的快速发展，太阳能电池、光影像感测器、电浆平面显示器、电致发光显示器、薄膜晶体管以及液晶显示器面板等光电子产品，都逐渐发展成熟，它们大大改善了人类的生活。同时，光电子信息技术在社会生活各个领域的广泛应用，也创造了日益增长的巨大市场。发达国家都把光电信息产业作为重点发展的领域之一，光电子信息领域的竞争正在世界范围展开。 
有机材料在光电子器件中的广泛应用为光电子技术的发展起到了推波助澜的作用。自1987年，美国柯达公司邓青云等人在总结前人的基础上发明了三明治结构超薄有机电致发光器件后，有机光电子器件进入高速发展的时期。有机材料被广泛应用于光电探测、太阳能电池、显示器件等领域。通过有机材料的应用，光电子器件的生产成本大幅度降低，性能有了很大提高 
有机光电子器件是目前国际光电子领域最引人注目的新技术热点及未来主要发展方向之一，包括有机电致发光器件(organic light-emitting device，OLED)、有机光伏电池(organic photovoltaic cell，OPVC)和有机薄膜晶体管(organic thinfilm transistor，OTFT)，具有易加工、低能耗、柔性、IC兼容性高等优点，由此引发的光电技术的热潮更是席卷全球。 
尽管有机光电子器件已取得了有目共睹的成果，但更多的研究开发工作仍在继续进行。如现有的有机光电子器件材料从性能上来说，使用寿命较短，未来的研究方向是设法延长有机光电子器件的使用寿命，由于有机光电子器件易受水氧等影响而严重影响寿命，而封装工艺能使有机光电子器件在长期工作过程中的退化和失效得到很好的抑制，因此研制长寿命器件封装至关重要。 
现阶段存在的另一最大障碍是如何建立完善的生产工艺流程及全球标准化的生产模式。迄今有机光电子器件尚未有标准的生产流程及测试设备，标准的生产线还在建造之中，制造工艺技术还有待于进一步的改善。需值得强调的一点是在未来的数年内要使有机光电子器件进入批量化生产仍是一项颇为艰巨的任务。目前为止，有机光电子器件的封装方法都存在一定的不足，现有的平板显示、照明器件、有机光伏电池及有机薄膜传感器的封装装置，均不能满足或兼容有机光电子器件工艺。同时，如何保证封装过程中有机光电子器件的定位，一直困扰有机光电子器件封装工艺，而研发一种新型的器件封装对位装置及其技术，是解决本问题的最佳途径之一。 
发明内容
本发明所要解决的问题是：如何提供一种有机光电子器件的封装对位装置及其封装方法，该封装对位装置解决了器件封装过程中由于对位缺陷所引起的基片定位精度不足，使生产工艺更加简单且易于操作，提高封装效率，另降低了对设备的要求和生产成本，针对各种尺寸基片的封装均能满足生产与科研要求。 
本发明所提出的技术问题是这样解决的：提供一种有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，包括盖板1、定位板2和压紧板4，所述盖板1上与基片3接触的一侧设置有与基片3相对应的盖板凹槽7，并设有两根以上的定位柱6，所述定位板2设置有定位孔8和与定位柱6配合工作的限位孔9，所述定位孔8的尺寸与基片3一致，通过限位孔9将定位板2嵌套在定位柱6上，将基片3设置有有机光电子器件功能层的一侧面向盖板1导入定位孔8；压紧板4设置有与定位柱6配合工作的卡位孔10，并通过卡位孔10将压紧板4嵌套在定位柱6上，使盖板1、定位板2和压紧板4精确对位，同时将基片3和盖板1压紧。 
按照本发明所提供的一种有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，所述盖板凹槽7内放置有除气剂5。 
按照本发明所提供的一种有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，所述定位柱6的横截面形状是圆形、正方形、十字形、等边三角形、正六边形中的一种，圆柱形的定位柱截面圆直径为2mm～10mm，正方形的定位柱的边长为2mm～10mm，十字形的定位柱的边长为1mm～5mm，等边三角形的定位柱的 边长为3mm～10mm，等边六边形的边长为2mm～5mm。 
按照本发明所提供的一种有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，基片3的厚度为0.05mm～4mm，所述定位板2的厚度比基片的厚度薄0～0.4mm。 
按照本发明所提供的一种有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，所述盖板1是玻璃、金属、有机材料板中的一种或它们的复合体系，有机材料板是热固性塑料，如酚醛树脂、脲醛树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂、有机硅树脂、聚氨酯、氨基塑料和聚硅醚中的一种；所述定位板2是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系；所述压紧板4是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系。 
一种有机光电子器件的封装对位装置的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 
①.把制备有机光电子器件功能层的基片3和盖板1放入充满惰性气体的手套箱中，按照基片3的尺寸要求在盖板1上涂覆紫外曝光胶，在盖板凹槽7内放入除气剂； 
②.将涂覆有紫外曝光胶的基片3和盖板1放入充满惰性气体的真空密封系统中； 
③.通过限位孔9将定位板2嵌套在定位柱6上，使盖板凹槽7和定位板2的定位孔8相对应； 
④.将基片3设置有机光电子器件功能层的一侧面向盖板1导入定位孔8，之后在基片3上边缘涂覆紫外曝光胶； 
⑤.通过卡位孔10将压紧板4嵌套在定位柱10上，使盖板1、定位板2和压紧板4精确对位，同时将基片3与盖板1压紧； 
⑥.进行后续封装步骤，完成整个封装流程； 
⑦.取出步骤⑥测试器件的光电特性参数。 
本发明所提供的有机光电子器件的封装对位装置，结构简单，操作方便，进而使有机光电子器件得以批量化生产。盖板上所设置的定位柱有效的解决了在封装过程中由于对位缺陷和压力差异造成的盖板、定位板和压紧板之间的错位和滑动，实用于各种不同的封装压紧方法，有效的提高了封装精度。封装对位形式简 单，操作过程易于控制，对于大规模的对位封装和快速的量产提供了一种高精度和快速的封装方法，且针对各种尺寸基片的封装均能满足要求。 
附图说明
图1是本发明所提供的有机光电子器件的封装对位装置的三视图的主视图； 
图2是本发明所提供的有机光电子器件的封装对位装置的盖板的平面示意图； 
图3是本发明所提供的有机光电子器件的封装对位装置的定位板的平面示意图； 
图4是按封装工序顺序表示本发明的封装对位装置的三视图的主视图； 
其中，1、盖板，2、定位板，3、基片，4、压紧板，5、除气剂，6、定位柱，7、盖板凹槽，8、定位孔，9、限位孔，10、卡位孔。 
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述： 
本发明的封装对位装置如图1所示，包括盖板1、定位板2、压紧板4，盖板1上与基片3接触面上设置有与基片3相对应的盖板凹槽7(如图2所示)，盖板凹槽7内放置有除气剂5，定位板2设置有定位孔8(如图3所示)，定位孔8的大小尺寸与所述基片3一致，定位板2设置有限位孔9，限位孔9的大小尺寸与所述盖板定位柱6精确吻合，定位板2通过定位柱套在盖板1上，将所述基片3设置有机光电子器件(其中有机电致发光器件功能层包括阳极层、空穴传输层、电子传输层、发光层和阴极层的组合，有机光伏电池功能层包括阳极层、电子受体材料层、电子给体材料层和阴极层的组合，有机薄膜晶体管功能层包括栅电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极的组合)的一侧面向盖板1导入所述定位孔8内，压紧板4安装在基片3上方，将基片3和盖板1紧密结合，基片3上下均沿边缘处在定位过程中涂有紫外光固化胶。 
本发明中的盖板1材料为玻璃、金属、有机材料板中的一种或复合体，盖板1的尺寸大小与定位板2、压紧板4的尺寸大小一致。 
本发明中的定位板2材料为玻璃、有机材料板和金属板中的一种或者它们对应材料的复合体系，其厚度比所述有机电致发光器件的基片厚度薄0.05mm～ 4mm。 
本发明中的基片3为有机光电子器件，其衬底为有机功能层的依托，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性，它可以是玻璃、Si片或柔性基片，柔性基片采用聚酯类、聚酞亚胺化合物、特氟龙中的一种材料或较薄的金属。 
本发明中的压紧板4为与盖板对应的整片结构，材料为玻璃、有机材料板和金属板中的一种或者它们对应材料的复合体系。 
本发明中的除气剂5为物理性除气剂、化学性除气剂或者二者的混合物，其中物理性除气剂包括—纳米沸石及无机粘着剂。 
本发明中的定位柱6在制作盖板时一体成型，与盖板所使用材料一致，其横截面包括但不限于圆形、正方形、十字形、等边三角形、正六边形中的一种。圆柱形的定位柱截面圆直径为2mm～10mm，正方形的定位柱边长为2mm～10mm，十字形的定位柱边长为1mm～5mm，等边三角形的定位柱边长为3mm～10mm，等边六边形的边长为2mm～5mm。 
本发明中的盖板凹槽7为根据基片3大小尺寸事先制备在盖板1上的凹槽，其尺寸小于基片大小并与基片3一一对应。 
本发明中的定位孔8为根据实际生产需要在定位板2上贯穿定位板的孔洞，其尺寸大小与所述基片3尺寸一致。 
本发明中的限位孔9为根据定位柱6大小尺寸事先制备在定位板1上的空洞，其尺寸大小与定位柱6尺寸一致。 
本发明中的卡位孔10为根据定位柱6大小尺寸事先制备在压紧板4上的孔洞，其尺寸大小与定位柱6尺寸一致。 
以下是本发明的具体实施例： 
实施例1 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Mg:Ag(100nm)。 
制备方法如下： 
①.利用丙酮溶液、去离子水和乙醇溶液对导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为12Ω/sq，膜厚为180nm； 
②.将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理10分钟，溅射功率为0～20W； 
③.将处理后的基片在高真空度的蒸法室中，其气压为2×10-4Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述的器件结构依次蒸镀空穴传输材料NPB为50nm，电子传输材料和发光材料Alq3层30nm，各有机层的蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控； 
④.在有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。其气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为～1nm/s，合金中Mg∶Ag比例为～10∶1，膜层厚度为100nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控； 
⑤.把制备好有机电致发光功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂覆紫外曝光胶，在槽内放入除气剂； 
⑥.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并通过限位孔将定位板嵌套在所述定位柱上； 
⑦.将基板设置有机电致发光层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶； 
⑧.通过卡位孔将压紧板嵌套在所述定位柱上，使压紧板、基片和盖板三者紧密结合； 
⑨.进行后续封装步骤，完成整个封装流程； 
⑩.测试器件的光电特性参数。 
实施例2 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/CuPc(20nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(40nm):C545T(2％)/Alq3(20nm)/Mg:Ag(100nm)。 
制备方法如下： 
①.利用丙酮溶液、去离子水和乙醇溶液对导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为12Ω/sq，膜厚为180nm； 
②.将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理10分钟，溅射功率为0～20W； 
③.将处理后的基片在高真空度的蒸法室中，其气压为2×10-4Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述的器件结构依次蒸镀缓冲层CuPc为20nm，空穴传输材料α-NPD为60nm，采用共蒸手段蒸镀Alq3:C545T(40nm)，其中C545T掺杂比为2％，电子传输材料Alq3层20nm，各有机层的蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控； 
④.在有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。其气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为～1nm/s，合金中Mg∶Ag比例为～10∶1，膜层厚度为100nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控； 
⑤.把制备好有机电致发光功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂紫外曝光胶，在槽内放入除气剂； 
⑥.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并通过限位孔将定位板嵌套在所述定位柱上； 
⑦.将基板设置有机电致发光层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶； 
⑧.通过卡位孔将压紧板嵌套在所述定位柱上，使压紧板、基片和盖板三者紧密结合； 
⑨.进行后续封装步骤，完成整个封装流程； 
⑩.测试器件的光电特性参数。 
实施例3 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/PVK:PFC(100nm)/BCP(10nm)/Alq3(15nm)/Mg:Ag(100nm)。 
制备方法如下： 
①.利用丙酮溶液、去离子水和乙醇溶液对导电基片ITO玻璃进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干。其中玻璃衬底上面的ITO膜作为器件的阳极层，ITO膜的方块电阻为12Ω/sq，膜厚为180nm； 
②.将干燥后的基片移入真空室，在气压为20Pa的氧气压环境下对ITO玻璃进行低能氧等离子预处理10分钟，溅射功率为0～20W； 
③.将处理后的基片置于甩胶机上进行掺杂薄膜(空穴传输层和发光层)PVK:PFC的旋涂，通过控制不同的溶液浓度比例、甩胶机转速和时间来控制旋涂膜的厚度； 
④.将基片转移至高真空度的蒸法室中，其气压为2×10-4Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述的器件结构依次蒸镀空穴阻挡层BCP为10nm，电子传输材料Alq3层15nm，各有机层的蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控； 
⑤.在有机层蒸镀结束后进行金属电极的制备。其气压为3×10-3Pa，蒸镀速率为～1nm/s，合金中Mg∶Ag比例为～10∶1，膜层厚度为100nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控； 
⑥.把制备好有机电致发光功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂紫外曝光胶，在槽内放入除气剂； 
⑦.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并通过限位孔将定位板嵌套在所述定位柱上； 
⑧.将基板设置有机电致发光层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶； 
⑨.通过卡位孔将压紧板嵌套在所述定位柱上，使压紧板、基片和盖板三者紧密结合； 
⑩.进行后续封装步骤，完成整个封装流程； 
测试器件的光电特性参数。 
实施例4 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为200mm×200mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/TPD(20nm)/(tbt)2Ir(acac)(1nm)/NPB(5nm)/BCP(20nm)/Mg:Ag(100nm)。
器件的制备流程与实施例1相似。 
实施例5 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为200mm×200mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/PMMA:CuPc(100nm)/ruberene(50nm)/PBD(15nm)/Mg:Ag(100nm)。 
器件的制备流程与实施例2相似。 
实施例6-10 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的柔性基板(如PET等)，封装盖板采用有机聚合物。整个器件结构描述为：柔性基板/ITO/PS∶TPD(X∶Y)(X∶Y＝1∶9，3∶7，1∶1，7∶3，9∶1)/Alq3(50nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。 
器件的制备流程与实施例3相似。 
实施例11 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用金属盖板。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/NPB(30nm)/TPBTSi(30nm)/TPBI(10nm)/Alq3(10nm)/Mg:Ag(100nm)。 
器件的制备流程与实施例1相似。 
实施例12-17 
如图4所示有机电致发光器件(OLED)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的柔性基板(如PET等)，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：柔性基板/ITO/NPB(30nm)/BAlq(10nm)/m-TDATA(x nm，x＝0，1.8，3.6，4.2，6，18nm)/Alq3:DCJTB(2％)(10nm)/Mg:Ag(100nm)。 
器件的制备流程与实施例1相似。 
实施例18 
如图4所示有机光伏电池(OPVC)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的玻璃基板，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。整个器件结构描述为：玻璃衬底/ITO/CuPc(40nm)/C60(40nm)/Ag(100nm) 
器件的制备流程与实施例1相似。 
实施例19 
如图4所示有机薄膜晶体管(OTFT)封装系统的基本结构，器件基片为50mm×50mm的Si板，器件的基板为Si，栅极为Au，绝缘层为PVP，有机半导体层用并五苯，源、漏电极为Au，封装盖板采用钠钙玻璃刻蚀。 
制备方法如下： 
①.将Si基板放入热的H2SO4∶H2O2＝7∶3的溶液中中超声1小时后，使用超纯水清洗； 
②.将H2O∶NH3＝5∶1的溶液加热70℃后，加入1体积H2O2，加入基片浸泡15min后，使用超纯水清洗，最后用干燥氮气吹干； 
③.在Si基板的表面通过真空蒸镀或者溅射的方法蒸镀栅电极Au； 
④.通过光刻的方法刻蚀栅电极的图形； 
⑤.在镀有栅电极的Si板的另一侧通过旋涂的方法旋涂上有机绝缘层PVP，有机绝缘层PVP可以一次旋涂成膜，也可以分多次旋涂于Si基板上； 
⑥.放入真空蒸发有机导体膜并五苯，其气压为3×10-4Pa，蒸镀速率0.1nm/s，蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控； 
⑦.然后在有机半导体层上蒸镀源电极，漏电极Au。通过光刻形成源电极、漏电极图案。 
⑧.把制备好有机电致发光功能层的基板和盖板放入充满惰性气体的手套箱中，按照基板的尺寸要求在盖板上涂覆紫外曝光胶，在槽内放入除气剂； 
⑨.将涂上紫外曝光胶的基板和盖板放入充满惰性气体的真空密闭系统中，并通过限位孔将定位板嵌套在所述定位柱上； 
⑩.将基板设置有机电致发光层的一侧面向凹槽通过封装对位装置导入定位孔中，并在基片上方边缘涂上紫外曝光胶； 
Figure GSA00000057830200101
通过卡位孔将压紧板嵌套在所述定位柱上，使压紧板、基片和盖板三 者紧密结合； 
Figure GSA00000057830200111
进行后续封装步骤，完成整个封装流程，测试器件的光电特性参数。 

Claims (6)

1.一种有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，包括盖板(1)、定位板(2)和压紧板(4)，所述盖板(1)上与基片(3)接触的一侧设置有与基片(3)相对应的盖板凹槽(7)，并设有两根以上的定位柱(6)，所述定位板(2)设置有定位孔(8)和与定位柱(6)配合工作的限位孔(9)，所述定位孔(8)的尺寸与基片(3)一致，通过限位孔(9)将定位板(2)嵌套在定位柱(6)上，将基片(3)设置有有机光电子器件功能层的一侧面向盖板(1)导入定位孔(8)；压紧板(4)设置有与定位柱(6)配合工作的卡位孔(10)，并通过卡位孔(10)将压紧板(4)嵌套在定位柱(6)上，使盖板(1)、定位板(2)和压紧板(4)精确对位，同时将基片(3)和盖板(1)压紧。
2.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，所述盖板凹槽(7)内放置有除气剂(5)。
3.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，所述定位柱(6)的横截面形状是圆形、正方形、十字形、等边三角形、正六边形中的一种。
4.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，基片(3)的厚度为0.05mm～4mm，所述定位板(2)的厚度比基片(3)的厚度薄0～0.4mm。
5.根据权利要求1所述的有机光电子器件的封装对位装置，其特征在于，所述盖板(1)是玻璃、金属、有机材料板中的一种或它们的复合体系，有机材料板是热固性塑料；所述定位板(2)是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系；所述压紧板(4)是玻璃、有机材料板和金属板中的一种或它们的复合体系。
6.根据权利要求1～5任一所述的有机光电子器件的封装对位装置的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
①.把制备有机光电子器件功能层的基片(3)和盖板(1)放入充满惰性气体的手套箱中，按照基片(3)的尺寸要求在盖板(1)上涂覆紫外曝光胶，在盖板凹槽(7)内放入除气剂(5)；
②.将涂覆有紫外曝光胶的基片(3)和盖板(1)放入充满惰性气体的真空密封系统中；
③.通过限位孔(9)将定位板(2)嵌套在定位柱(6)上，使盖板凹槽(7)和定位板(2)的定位孔(8)相对应；
④.将基片(3)设置有机光电子器件功能层的一侧面向盖板(1)导入定位孔(8)，之后在基片(3)上边缘涂覆紫外曝光胶；
⑤.通过卡位孔(10)将压紧板(4)嵌套在定位柱(6)上，使盖板(1)、定位板(2)和压紧板(4)精确对位，同时将基片(3)与盖板(1)压紧；
⑥.进行后续封装步骤，完成整个封装流程；
⑦.取出步骤⑥测试器件的光电特性参数。
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