CN106058058A - 一种半透明钙钛矿太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体光电子器件领域,具体为一种半透明钙钛矿太阳能电池,该电池结构从下至上依次为透明衬底、第一透明电极层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、第二透明电极层;其中第二透明电极层作为电池阴极,具体为电子提取层/导电层复合结构,其中导电层为超薄金属Ag或导电高分子材料PEDOT:PSS PH1000;其中,除钙钛矿吸光层为半透明结构外,其他层结构均为透明结构。该太阳能电池结构具有低成本、高效率等优点,利用半透明特性可将其整合到各式各样的产品,为钙钛矿的最终商业化提供新的思路。
Description
技术领域
本发明属于半导体光电子器件领域,具体涉及一种高效率、低成本半透明钙钛矿太阳能电池。
背景技术
随着煤炭、石油和天然气等非可再生资源日益枯竭,新能源尤其是太阳能电池成为国内外研究关注的一个热点。目前无机太阳能电池已产业化,然而其成本太高,有机太阳能电池效率太低,前景都不明朗。钙钛矿太阳能电池自2009年第一次报道以来,以其超低成本溶液法制备工艺而受到研究人员的青睐,能量转换效率由最初的3.8%提升到了20.2%,随着研究的不断深入,电池的效率极有可能超过目前发展成熟的单晶硅太阳能电池。
当前,大多数太阳能电池是完全不透明的,从而使得入射到电池上的所有光基本上都被电池吸收,最大化光吸收将使得太阳能电池产生的电力最大化。然而,在某些应用中,期望在允许某些光通过器件的布置(例如窗户、天窗或者顶棚)中使用电池器件,这样半透明钙钛矿太阳能电池的研究变得很有必要。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述背景技术中存在的问题,利用透明电极和半透明功能层实现半透明钙钛矿太阳能电池。
本发明所提供的一种半透明钙钛矿太阳能电池,该电池结构从下至上依次为透明衬底、第一透明电极层、半透明功能层、第二透明电极层;其中,半透明功能层由三层结构组成,从下至上依次为空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层;
所述第一透明电极层作为电池器件阳极,材料为ITO,由溅射镀膜制得,厚度为100纳米,为透明结构;
所述空穴传输层和电子传输层为载流子传输层,空穴传输层材料为PEDOT:PSSAI4083、NiOx,厚度为40-80纳米;电子传输层材料为PCBM、ZnO,厚度为50-70纳米,均为透明结构;
所述钙钛矿吸光层材料为CH3NH3PbI3-xClx、CH3NH3PbI3,厚度为100-200纳米,优选为140-180纳米,为半透明结构;
载流子传输层和钙钛矿吸光层采用旋转涂布溶液法加工成膜;
所述第二透明电极层作为电池器件阴极,具体为电子提取层/导电层复合结构,其中电子提取层为Rhodamine101、LiF等;导电层为超薄金属Ag或导电高分子材料PEDOT:PSSPH1000。超薄金属Ag的厚度为8-10纳米,由热蒸发制得;导电高分子材料PEDOT:PSS PH1000的厚度为100纳米,由旋涂制得,均为透明结构。
本发明所提供的半透明钙钛矿太阳能电池克服了背景技术中的不足,该太阳能电池结构具有低成本、高效率等优点,利用半透明特性还可将其整合到各式各样的产品,为钙钛矿的最终商业化提供了新的思路。
附图说明
图1为本发明所提供的一种半透明钙钛矿太阳能电池的结构示意图;其中,101为透明衬底,102为第一透明电极层,103为空穴传输层,104为钙钛矿吸光层,105为电子传输层,106为第二透明电极层;半透明功能层包括103、104和105。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
实施例1
本实施例提供一种基于超薄金属Ag阴极的半透明钙钛矿太阳能电池,电池结构示意图如附图1所示,电池结构从下至上依次为:透明衬底101,材料为石英玻璃;第一透明电极层102,材料为ITO,作为器件阳极,厚度为100纳米;空穴传输层103,材料为PEDOT:PSSAI4083,厚度为40纳米;钙钛矿吸光层104,材料为CH3NH3PbI3,厚度为140纳米;电子传输层105,材料为PCBM,厚度为50纳米;第二透明电极层106为电子提取层/导电层复合结构,电子提取层为Rhodamine101/LiF,其中Rhodamine101和LiF的厚度均为1纳米,导电层为超薄金属Ag,厚度为10纳米。
本实施例所提供的钙钛矿太阳能电池的制备方法为:在石英玻璃上溅射镀膜形成ITO阳极,方阻低于10Ω/□。在洁净环境中旋转涂布AI4083,转速5000RPM。将基片转移至手套箱中,依次旋转涂布CH3NH3PbI3、PCBM、Rhodamine101,将1:1摩尔比的MAI/PbI2溶在DMF中形成40wt%的CH3NH3PbI3前驱体溶液,在60度下加热30分钟,之后加入100ul HI/1ml钙钛矿溶液,将钙钛矿前驱体70度加热,在3000RPM的转速下旋转涂布200秒,100度下退火2分钟,形成厚度约为140nm的吸光层。将PCBM溶在氯苯中,配成20mg/ml的溶液,在3000RPM的转速下制得厚度约为50nm的电子传输层。在2000RPM转速下,制备1纳米Rhodamine101(0.05wt%,IPA)。将基片转移至热阻蒸发镀膜机腔室,蒸镀1纳米LiF和10纳米超薄Ag电极,完成器件的制备。
实施例2
本实施例提供一种基于PH1000阴极的半透明钙钛矿太阳能电池,电池结构示意图如附图1所示,电池结构从下至上依次为:透明衬底101,材料为石英玻璃;第一透明电极层102,材料为ITO,作为器件阳极,厚度为100纳米;空穴传输层103,材料为PEDOT:PSSAI4083,厚度为40纳米;钙钛矿吸光层104,材料为CH3NH3PbI3-xClx,厚度为160纳米;电子传输层105,材料为PCBM,厚度为50纳米;第二透明电极层106为电子提取层/导电层复合结构,电子提取层为Rhodamine101/LiF,其中Rhodamine101和LiF的厚度均为1纳米,导电层为高分子材料PH1000,厚度为100纳米。
本实施例所提供的钙钛矿太阳能电池的制备方法为:在石英玻璃上溅射镀膜形成ITO阳极,方阻低于10Ω/□。在洁净环境中旋转涂布AI4083,形成约60纳米的薄膜。将基片转移至手套箱中,依次旋转涂布CH3NH3PbI3-XClX、PCBM、Rhodamine101,CH3NH3PbI3-XClX由0.08M PbCl2、0.97M PbI2和1MMAI溶在体积比为3:7的DMSO/GBL混合有机溶剂中,将钙钛矿前驱体70度加热,旋涂条件为第一步1000RPM(20秒)、第二步5500RPM(60秒),在40秒的时候用160ul无水甲苯萃取,得到表面光滑的钙钛矿薄膜,在100度下退火20分钟,形成厚度约为160nm的吸光层。将PCBM溶在氯苯中,配成20mg/ml的溶液,在3000RPM的转速下制得厚度约为50nm的电子传输层。在2000RPM转速下,制备1纳米Rhodamine101(0.05wt%,IPA)。将基片转移至热阻蒸发镀膜机腔室,蒸镀1纳米LiF,最后,涂布一层100nm厚的PH1000阴极,完成半透明电池的制备。
实施例3
本实施例提供一种基于超薄金属Ag阴极的半透明钙钛矿太阳能电池,电池结构示意图如附图1所示,电池结构从下至上依次为:透明衬底101,材料为石英玻璃;第一透明电极层102,材料为ITO,作为器件阳极,厚度为100纳米;空穴传输层103,材料为NiOx,厚度为80纳米;钙钛矿吸光层104,材料为CH3NH3PbI3,厚度为180纳米;电子传输层105,材料为ZnO,厚度为70纳米;第二透明电极层106为电子提取层/导电层复合结构,电子提取层为LiF,其中LiF的厚度为1纳米,导电层为超薄金属Ag,厚度为8纳米。
本实施例所提供的钙钛矿太阳能电池的制备方法为:在石英玻璃上溅射镀膜形成ITO阳极,方阻低于10Ω/□。在洁净环境中,旋涂NiOx前驱体溶液,在300度下退火60分钟形成空穴传输层。将基片转移至手套箱中,依次旋转涂布CH3NH3PbI3、ZnO,将1:1摩尔比的MAI/PbI2溶在DMF中形成40wt%的CH3NH3PbI3前驱体溶液,在60度下加热30分钟,之后加入100ulHI/1ml钙钛矿溶液,将钙钛矿前驱体70度加热,在2500RPM的转速下旋转涂布200秒,100度下退火2分钟,形成厚度约为180nm的吸光层。将ZnO分散在氯苯中,形成质量比为2%的溶液,旋涂制得厚度约为70nm的电子传输层。将基片转移至热阻蒸发镀膜机腔室,蒸镀1纳米LiF和8纳米超薄Ag电极,完成器件的制备。
最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (1)
1.一种半透明钙钛矿太阳能电池,其特征在于,该电池结构从下至上依次为透明衬底、第一透明电极层、半透明功能层、第二透明电极层;其中,半透明功能层由三层结构组成,从下至上依次为空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层;
所述第一透明电极层作为电池器件阳极,材料为ITO;
所述空穴传输层和电子传输层为载流子传输层,空穴传输层材料为PEDOT:PSSAI4083、NiOx;电子传输层材料为PCBM、ZnO,均为透明结构;
所述钙钛矿吸光层材料为CH3NH3PbI3-xClx、CH3NH3PbI3,厚度为100-200纳米,优选为140-180纳米,为半透明结构;
所述第二透明电极层作为电池器件阴极,具体为电子提取层/导电层复合结构,其中电子提取层为Rhodamine101、LiF,导电层为超薄金属Ag或导电高分子材料PEDOT:PSSPH1000,超薄金属Ag的厚度为8-10纳米,导电高分子材料PEDOT:PSS PH1000的厚度为100纳米,均为透明结构。
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