JP5026161B2 - 垂直形封止装置を利用した有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents
垂直形封止装置を利用した有機電界発光表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5026161B2 JP5026161B2 JP2007163077A JP2007163077A JP5026161B2 JP 5026161 B2 JP5026161 B2 JP 5026161B2 JP 2007163077 A JP2007163077 A JP 2007163077A JP 2007163077 A JP2007163077 A JP 2007163077A JP 5026161 B2 JP5026161 B2 JP 5026161B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- sealing substrate
- substrate
- sealing
- glass frit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 137
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 32
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 27
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M dipotassium;hydroxide Chemical compound [OH-].[K+].[K+] FZFYOUJTOSBFPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法に係り、さらに詳細にはガラスフリット（ｆｒｉｔ）を封止基板上に形成して前記フリットが形成された封止基板と下部基板を垂直形封止装置に吸着固定してレーザーを照射することによって、封止基板と下部基板を合着する垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
一般的に、有機電界発光表示装置は電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）注入電極（ｃａｔｈｏｄｅ）と正孔（ｈｏｌｅ）注入電極（ａｎｏｄｅ）からそれぞれ電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）を発光層内部に注入させて、注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時発光する発光表示装置である。このような原理によって従来の液晶薄膜表示素子とは違って別途の光源を必要としないので素子の体積と重量を減らすことができる長所がある。
前記有機電界発光表示装置を駆動する方式は手動マトリックス方式（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）とアクティブマトリックス方式（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ）に分けることができる。前記手動マトリックス方式有機電界発光表示装置はその構成が単純であって製造方法も単純であるが、高い消費電力と表示素子の大面積化に難しさがあって配線の数が増加すればするほど開口率が低下する短所がある。したがって、小型の表示素子に適用する場合には手動マトリックス方式の有機電界発光表示装置を用いるのに対して、大面積の表示素子に適用する場合にはアクティブマトリックス方式の有機電界発光表示装置を用いる。
また、有機電界発光表示装置は発光層から発生した光が放出される方向によって背面発光構造と前面発光構造に分けることができるのに、背面発光構造は形成された基板側に光が放出されることであって上部電極で反射電極や反射膜が形成されて下部電極で透明電極が形成される。ここで、有機電界発光表示装置は薄膜トランジスタが形成されるアクティブマトリックス方式を採択する場合に薄膜トランジスタが形成された部分は光が透過できなくなるので光が出ることができる面積が減ることができる。これと違って、前面発光構造は上部電極で透明電極が形成されて下部電極で反射電極や反射膜が形成されることによって光が基板方向と反対される方向に放出されるので光が透過する面積が広くなるので輝度を向上することができる。
一方、有機電界発光表示装置の上部電極と下部電極間に積層される有機膜は酸素または水分と容易に反応して、これにより有機電界発光表示装置の特性が低下する現象が発生する。したがって有機電界発光表示装置の製作に使われる有機薄膜を水分または酸素等から保護するための方法で有機膜等が蒸着された基板に一定空間を維持した状態で高分子フィルムやステンレススチール等を主材料にするキャップをかぶせる封止工程（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）をするようになって前記キャップは内部に吸湿剤が装着されて有機膜等で発生するガス及び外部からの水分と酸素の影響を減少させるように製造される。
図１は従来の封止処理された有機電界発光表示装置を概略的に見せてくれる断面図である。
図１を参照すると、ガラスやステンレススチールで構成された下部基板１０上にアノードと少なくとも発光層を含む有機膜及びカソードが積層された有機電界発光素子１２が形成されていて、前記有機電界発光素子１２を密封するように封止基板１４が下部基板１０上の非発光領域上に接着剤（ｓｅａｌａｎｔ）１６で接着されている。ここで、封止基板１４の内側面には吸湿剤または乾燥剤（図示せず）が通常的に具備されていて内部で発生したり残存する水分及び酸素を除去するようになる。
図２は有機電界発光素子が形成された下部基板に対して封止基板を接着させる作業を遂行する封止装置を概略的に示す図面である。
図２を参照すると、封止装置５０は封止工程時高さが固定されていてその上面部に封止基板１４が固定付着される下部ステージ（ｌｏｗｅｒ ｓｔａｇｅ）３０と、前記下部ステージ３０に対応するように上部に具備されて封止工程時下降されて、下面部に工程対象物である下部基板１０が吸着固定される上部ステージ（ｕｐｐｅｒ ｓｔａｇｅ）２０を含む。したがって、下部ステージ３０上の封止基板１４の縁部に未図示されたシリンジ（ｓｙｒｉｎｇｅ）装置により接着剤（ｓｅａｌａｎｔ）（図１の１６）が塗布された後、前記下部ステージ３０に対して前記上部ステージ２０が下降して下面部に吸着固定された下部基板１０を下部ステージ３０上の封止基板１４に加圧密着させて塗布された接着剤１６が押されながら接着が行われる。
ここで、図示していないが上部ステージ２０にはその下面部に下部基板１０を固定するための真空吸着力を提供する真空ノズル（ｖａｃｕｕｍ ｎｏｚｚｌｅ）が具備されていて上部には上部ステージ２０と密着するように小さな大きさの固定ブラケット（ｂｒａｃｋｅｔ）２２が横切って具備されて固定ブラケット２２の両側上面部には昇下降のためのリニアシャフト（ｌｉｎｅａｒ ｓｈａｆｔ）２８がそれぞれ具備されている。
しかし、前記した従来の封止装置を利用した封止工程は下部基板１０と封止基板１４を水平状態に維持して工程を行なうことによって、図３に示したように、大面積の基板に適用する時上部ステージ２０により支持された下部基板１０が圧着及び封止工程中に変形されて基板が下に撓む問題点が発生して、封止基板１４と接触して有機電界発光素子の特性が低下する問題点が発生された。また、封止工程時真空状態で工程を遂行したりＵＶ照射をしなければならない等工程遂行上の多くの問題点と精密パターンをしにくい問題等があった。
特開１９９８−０７４５８３号公報
特開２００５−５１０８３１号公報
韓国出願公報２００５−００２１８２２号
韓国特許第０２７９５２８号
本発明は前記した従来技術の問題点を解決するためのものであって、下部基板と封止基板を垂直に位置させて、前記封止基板の縁にフリット（ｆｒｉｔ）を形成してレーザで照射することによって、水平封止装置で発生した封止時基板の撓み現象及び大型化された基板に適用時取扱上の難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて、大気中でも製作が可能な垂直形封止装置及びそれによる有機電界発光表示装置の製造方法を提供することに目的がある。
前記した目的を達成するために本発明による垂直形封止装置は、
接着される封止基板を垂直に安着する封止基板ステージと；
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて位置して、一側面に工程対象物である下部基板を吸着固定し、前記封止基板に対して封止作業が行われるように垂直に形成されている下部基板ステージと；
前記下部基板ステージを固定する固定ブラケットと；
前記固定ブラケットの他側面中心部に形成されていて、前記下部基板ステージを左右に一定間隔移動するようにする水平シャフトと；
前記水平シャフトの外側に嵌め込み結合していて前記水平シャフトをすべり作用により封止基板ステージに移動させることができるピローボールベアリングと；
前記ピローボールベアリングの外側を包む円筒状になっていて、前記固定ブラケットの中心部に形成された貫通孔に離脱しないように結合しているベアリングハウジングを含むことを特徴とする封止装置により達成される。
接着される封止基板を垂直に安着する封止基板ステージと；
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて位置して、一側面に工程対象物である下部基板を吸着固定し、前記封止基板に対して封止作業が行われるように垂直に形成されている下部基板ステージと；
前記下部基板ステージを固定する固定ブラケットと；
前記固定ブラケットの他側面中心部に形成されていて、前記下部基板ステージを左右に一定間隔移動するようにする水平シャフトと；
前記水平シャフトの外側に嵌め込み結合していて前記水平シャフトをすべり作用により封止基板ステージに移動させることができるピローボールベアリングと；
前記ピローボールベアリングの外側を包む円筒状になっていて、前記固定ブラケットの中心部に形成された貫通孔に離脱しないように結合しているベアリングハウジングを含むことを特徴とする封止装置により達成される。
また、前記目的を達成するための本発明による有機電界発光表示装置の製造方法は、
ガラスフリットが形成されている封止基板を垂直に形成されている封止基板ステージに安着して、
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて垂直に形成されている下部基板ステージに工程対象物である下部基板を吸着固定し、
前記下部基板ステージを封止基板ステージに移動して前記下部基板を封止基板ステージに固定付着されている封止基板に加圧密着して合着して、
前記封止基板ステージの外側に形成されているレーザを前記ガラスフリットに照射して前記封止基板を下部基板と接着することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法によっても達成される。
ガラスフリットが形成されている封止基板を垂直に形成されている封止基板ステージに安着して、
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて垂直に形成されている下部基板ステージに工程対象物である下部基板を吸着固定し、
前記下部基板ステージを封止基板ステージに移動して前記下部基板を封止基板ステージに固定付着されている封止基板に加圧密着して合着して、
前記封止基板ステージの外側に形成されているレーザを前記ガラスフリットに照射して前記封止基板を下部基板と接着することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法によっても達成される。
本発明の前記目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細な事項は本発明の望ましい実施形態を示している図面を参照した以下詳細な説明によりさらに明確に理解されることである。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されなくて他の形態に具体化されることができる。むしろここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底して完全になることができるようにそして当業者に本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために提供されることである。図面において、層が異なる層または基板“上”にあると言及される場合にそれは他の層または基板上に直接形成されることができたりまたはそれら間に第３の層が介在されることもある。本発明の望ましい実施形態を示している図面は明確な説明のために誇張されるように示される事もでき、明細書全体にかけて同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
上述したように本発明によると、水平型封止装置で発生された封止時下部基板の撓み現象及び大型化された基板における適用時取扱難しさ等を解決して精密パターンを遂行することができて大気中でも製作が可能な垂直形封止装置及び有機電界発光表示装置を得ることができる。
また、本願発明による封止工程前に垂直形蒸着方式で有機膜を成膜した場合には従来のように水平に下部基板を移動する必要がなく封止工程を遂行することができて生産性が向上して工程収率が向上する。
一方、前記内容は本発明の望ましい一実施形態を例示したことであって、本発明の当業者は本発明の要旨を変更させることがなく本発明に対する修正と変更を加えることができることが分かることである。
以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照してさらに詳細に説明する。
図４は本発明による有機電界発光表示装置の単位画素に対する平面図である。
図４を参考にすると、一方向に配列されたスキャンライン２、前記スキャンライン２と相互に絶縁されながら交差するデータライン１及び前記スキャンライン２と相互に絶縁されながら交差して前記データライン１に平行するように共通電源ライン３が位置する。前記スキャンライン２、前記データライン１及び共通電源ライン３により複数の単位画素、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のうちのいずれか一つを示す単位画素で定義される。
これによって、前記単位画素には前記スキャンライン２に印加された信号によって前記データライン１に印加されたデータ信号を、例えば、データ電圧と前記共通電源ライン３に印加された電圧差による電荷を蓄積するキャパシタ７及び前記キャパシタ７に蓄積された電荷による信号を前記スイッチング薄膜トランジスタ５を介して駆動薄膜トランジスタ６に入力する。続いて、データ信号を入力を受けた前記駆動薄膜トランジスタ６は下部電極８、上部電極及び両電極間に少なくとも有機発光層を含む有機膜を具備した前記有機電界発光素子９に電気的信号を送り光を放出するようにする。
図５Ａは図４の単位画素をＡ−Ａ’方向に切った断面を示した概略図であって、図５Ｂは図５ＡのＢ領域を拡大して単位画素を示した断面図である。
図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、下部基板１００上には有機電界発光素子２００が位置する。前記有機電界発光素子２００は単位画素で構成され、前記単位画素は配線、薄膜トランジスタ（Ｔｒ）、キャパシタ及び前記素子と連結された有機発光素子で構成される。
図面を参照して前記単位画素を形成することを細部的に説明すると、下部基板１００上に薄膜トランジスタ（Ｔｒ）を形成する。前記下部基板１００はガラスや合成樹脂、ステンレススチール等の材質で構成されることができる。前記薄膜トランジスタ（Ｔｒ）には半導体層１１０を形成して、前記半導体層１１０上にゲート絶縁膜とゲート電極１２０を形成して、前記半導体層１１０とコンタクトされるようにソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂを形成する。
次に、前記薄膜トランジスタ（Ｔｒ）上に絶縁膜１４１を形成する。前記絶縁膜１４１は無機膜、有機膜またはそれらの二重層であることがある。例えば、前記絶縁膜１４１は無機保護膜１３５、有機平坦化膜１４０、またはそれらの二重層であることがある。
続いて、前記絶縁膜１４１上にビアホールを形成して、その上部に導電膜を積層してパターニングすることによって下部電極１４５を形成する。次に、前記下部電極１４５上に絶縁膜を積層してパターニングすることによって前記下部電極１４５を露出させて画素領域Ｉを定義する画素定義膜１５０を形成する。
続いて、前記下部電極１４５上に少なくとも発光層を含む有機膜１６０を形成して前記有機膜１６０上部に上部電極１７０を形成することによって有機電界発光素子２００を完成するのに、前記下部電極１４５は基板１００上にＩＴＯ、ＩＺＯ等の伝導性の物質を蒸着してパターニングしてアノード電極で形成することができる。
また、前記下部電極１４５上に少なくとも発光層を含む有機膜１６０を形成するのに、前記有機膜１６０は前記下部電極１４５と後続されて形成される上部電極１７０間に形成されて、用途によって正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）のうち少なくとも発光層を含む一つの層以上でなった多層構造を有する。
また、前記有機膜１６０上に上部電極１７０を形成するのに、前記上部電極１７０はカソード電極で形成することができる。前記カソード電極としては仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が低いＣａ、Ｍｇ、Ａｌ等やこれらの合金等を用いることが望ましい。
前記した工程で有機膜１６０等の成膜は多様な方式で遂行することができる。すなわち、上向式回転成膜方式、上向蒸着方式、下向蒸着方式及び垂直形蒸着方式等を利用することができる。ここで、上向式回転成膜方式はクヌーセン（Ｋｎｕｄｓｅｎ）またはエフュージョン（Ｅｆｆｕｓｉｏｎ）形態の蒸着源に基板を回転させながら成膜することであって、上向蒸着方式は基板を水平移送させてエフュージョン方式を線形蒸着源を基板の下で移動させながら成膜したり基板を水平移送させてノズルを介した噴射方式の線形蒸着源を平面上に移動しながら成膜することである。また、下向蒸着方式は基板を水平に移送させながら蒸着源の線形または平面ノズルを介して有機物を下向噴射して成膜することであって、垂直形蒸着方式はエフュージョン方式またはノズル方式の垂直形線形蒸着源を固定させて基板を垂直に立てて移送しながら成膜することである。
続いて図６を参照すると、封止基板２６０を提供する。前記封止基板２６０は絶縁ガラスまたはプラスチックであることがある。続いて、前記封止基板２６０の一定領域に溝２７０（ｇｒｏｏｖｅ）を形成する。さらに詳細には前記封止基板に形成された溝２７０は前記有機電界発光素子２００の画素領域（図５ＢのＩ）に対応する前記封止基板２６０の外側面縁に形成される。さらに望ましくは前記有機電界発光素子２００の画素領域Ｉ外側面を完全に囲むように形成する。
この時、前記溝２７０はエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）、サンドブラスティング（ｓａｎｄ ｂｌａｓｔｉｎｇ）またはモールディング（ｍｏｌｄｉｎｇ）法を用いて形成することができるが、これに限られるのではない。また、前記溝２７０の形状は限定されることではないがシーラントがある領域はその角が緩やかでシーラントが溝に流れこんできやすくて、ガラスフリットがある領域はその角が垂直に形成されて流れ込んだシーラントがガラスフリットに接触しにくいように形成することが望ましい。
さらにひいては前記溝２７０は２０ないし３００μｍの深さＤを有するように形成することが望ましい。これは前記溝２７０の深さＤが２０μｍ以内ならば、今後形成されるシーラントが前記溝を充填しながらガラスフリットに接触できて、前記溝２７０の深さＤが３００μｍ以上ならば、前記封止基板２６０の耐久性が低下するという短所がある。また、前記溝２７０は０．１ないし５ｍｍの幅Ｗを有するように形成することが望ましい。これは前記溝２７０の幅が０．１ｍｍ以内ならば、今後形成されるシーラントが前記溝を充填しながらガラスフリットに接触できて、前記溝２７０の幅が５ｍｍ以上ならば、前記有機電界発光表示装置が不要に大きくなるという短所がある。
続いて、前記封止基板２６０に形成されている前記溝２７０の外周面に沿ってガラスフリット２８０を形成する。前記ガラスフリット２８０は酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、三酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、五酸化燐（Ｐ２Ｏ５）、三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３）及び二酸化硅素（ＳｉＯ２）で構成された群から選択された１種の物質またはこれらの組合で構成されることができる。また、前記ガラスフリット２８０はスクリーン印刷法またはディスペンシング法で形成することができる。この時、前記ガラスフリット２８０の高さは１０ないし３００μｍで形成することが望ましい。これは前記ガラスフリット２８０の高さが１０μｍ以下ならば、前記封止基板２６０と前記有機電界発光素子２１０が接触するようになって素子の信頼性を低下させることができて、前記ガラスフリット２８０の高さが３００μｍ以上であれば、有機電界発光表示装置の厚さが不要に厚くなる短所がある。
続いて、前記封止基板２６０の前記溝２７０により定義された領域内にシーラント２９０を形成することができる。前記シーラント２９０は前記下部基板１００の画素領域Ｉに対応した封止基板２６０上に位置することができる。
この時、前記シーラント２９０はＵＶ硬化型または熱硬化型の物質を用いることができて、例えば、アクリル系樹脂またはポリイミド系樹脂を用いることができるが、望ましくはウレタンアクリルを用いることができる。
また、前記シーラント２９０は透明シーラントであることが望ましい。これによって、前記有機電界発光素子２００から放出される光が前記封止基板２６０を介して外部に放出されることができて前面発光型有機電界発光表示装置を具現することができる。しかしこれに限られないで、前記下部基板１００を介して光を放出する背面発光型または前記下部基板１００及び前記封止基板２６０全てを介して光を放出する両面発光型有機電界発光表示装置を具現することも可能である。
図７は本発明による下部基板と封止基板を合着するための封止装置を示した断面図である。
図７を参照すると、封止装置３００は封止作業時固定されて側面上に接着される封止基板２６０が安着されて固定される封止基板ステージ３１０と、前記封止基板ステージ３１０に対応するように一側に具備されて封止作業時側面に移動されて工程対象物である下部基板３２０がホルダー３３５により吸着固定される下部基板ステージ３３０を含む。ここで、図示していないが、下部基板ステージ３３０にはその一側面上に下部基板３２０を固定するための真空吸着力を提供する真空ノズルが具備されるようになる。本発明によると下部基板ステージ３３０の一側面中心部には一定の長さの水平シャフト（ｓｈａｆｔ）３３２が具備されて水平シャフト３３２の一側にはピローボールベアリング（ｐｉｌｌｏｗ ｂａｌｌ ｂｅａｒｉｎｇ）３３４が嵌め込み結合されている。また、前記ピローボールベアリング３３４の外側を包むように円筒形のベアリングハウジング３３６が垂直方向に具備されて前記ベアリングハウジング３３６は側面に移動のためのリニアシャフト３２８がそれぞれ具備される固定ブラケット３２２の中心部に形成された貫通孔３２２ａが離脱しないように挿入されて結合されるようになる。これによって、前記下部基板ステージ３３０は固定ブラケット３２２に対して水平シャフト３３２のピローボールベアリング３３４のすべり作用によって自由に傾くように動くことができるようになって封止基板２６０に加圧時封止基板ステージ２６０に密着しながら正確に調整されることができる。また、前記固定ブラケット３２２の一側面上の中心部には他側面が開口されて内部の空いた空間部に水平方向にコイルスプリング（ｃｏｉｌ ｓｐｒｉｎｇ）３４０が内設されるスプリングハウジング３３８が固定具備されていて開口された面を介して水平シャフト３３２の上端の一部が挿入されて内設されたコイルスプリング３４０が水平シャフト３３２の球面ボール部３３２ａを押すように具備されており、前記水平シャフト３３２の球面ボール部３３２ａとコイルスプリング３４０間には押し板部材３４２が具備されていてさらに円滑に押す作用が可能にさせて前記水平シャフト３３２の球面ボール部３３２ａが円滑に滑るようになる。また、前記スプリングハウジング３３８内のコイルスプリング３４０上部には加圧板部材３４４が具備されていて前記加圧板部材３４４を加圧できるようにスプリングハウジング３３８の閉鎖された面を介して加圧調整用加圧ボルト３４６が締結されている。
続いて、前記下部基板３２０を封止基板ステージ３１０に固定付着されている封止基板２６０に加圧して密着することによって、前記下部基板３２０と封止基板２６０を合着する。
この時、シーラント２９０を形成した場合には前記シーラント２９０は前記下部基板３２０上に形成された有機電界発光素子（図５Ａの２００）を覆うようになる。これと同時に前記シーラント２９０は前記圧力により有機電界発光素子の画素領域（図５ＢのＩ）の外側方向に押し出される。しかし、前記外側方向に押し出されるシーラント２９０は前記溝２７０に会うようになって、前記溝２７０を充填しながら外側進行を止めるようになる。これによって、前記ガラスフリット２８０まで前記シーラント２９０が押し出される現象を防止して前記ガラスフリット２８０が汚染されることを防止することができる。
続いて、前記ガラスフリット２８０にレーザーを照射して、前記ガラスフリット２８０を溶融させて固相化して前記下部基板３２０と封止基板２６０を接着する。
次に、前記シーラント２９０に熱またはＵＶを照射することによって、前記シーラント２９０を硬化させる。
本発明の実施形態では前記ガラスフリット２８０にレーザーを照射した後、前記シーラント２９０にＵＶを照射して硬化したが、これとは違って、前記シーラント２９０にＵＶを照射して前記シーラント２９０を硬化させた後、前記ガラスフリット２８０にレーザーを照射して前記ガラスフリット２８０を鎔融して固相化できる。
これによって、本発明の実施形態による有機電界発光表示装置を完成する。
１：データライン
２：スキャンライン
３：共通電源ライン
５：スイッチング薄膜トランジスタ
６：駆動薄膜トランジスタ
７：キャパシタ
８、１４５：下部電極
９：有機電界発光素子
１０、１００、３２０：下部基板
１２、２００：有機電界発光素子
１４、２６０：封止基板
１６：接着剤
２０：上部ステージ
３０：下部ステージ
２８：リニアシャフト
５０、３００：封止装置
１１０：半導体層
１３０ａ：ソース電極
１３０ｂ：ドレイン電極
１３５：無機絶縁膜
１４０：平坦化膜
１４１：絶縁膜
１５０：画素定義膜
１６０：有機膜
１７０：上部電極
２６０：封止基板
２７０：溝
２８０：ガラスフリット
２９０：シーラント
３１０：封止基板ステージ
３２２：固定ブラケット
３２２ａ：貫通孔
３２８：リニアシャフト
３３０：下部基板ステージ
３３５：ホルダー
３３２：水平シャフト
３２２ａ：球面ボール部
３３４：ピローボールベアリング
３３６：ベアリングハウジング
３３８：スプリングハウジング
３４０：コイルスプリング
３４２：押し板部材
３４４：加圧板部材
３４６：加圧調整用加圧ボルト
２：スキャンライン
３：共通電源ライン
５：スイッチング薄膜トランジスタ
６：駆動薄膜トランジスタ
７：キャパシタ
８、１４５：下部電極
９：有機電界発光素子
１０、１００、３２０：下部基板
１２、２００：有機電界発光素子
１４、２６０：封止基板
１６：接着剤
２０：上部ステージ
３０：下部ステージ
２８：リニアシャフト
５０、３００：封止装置
１１０：半導体層
１３０ａ：ソース電極
１３０ｂ：ドレイン電極
１３５：無機絶縁膜
１４０：平坦化膜
１４１：絶縁膜
１５０：画素定義膜
１６０：有機膜
１７０：上部電極
２６０：封止基板
２７０：溝
２８０：ガラスフリット
２９０：シーラント
３１０：封止基板ステージ
３２２：固定ブラケット
３２２ａ：貫通孔
３２８：リニアシャフト
３３０：下部基板ステージ
３３５：ホルダー
３３２：水平シャフト
３２２ａ：球面ボール部
３３４：ピローボールベアリング
３３６：ベアリングハウジング
３３８：スプリングハウジング
３４０：コイルスプリング
３４２：押し板部材
３４４：加圧板部材
３４６：加圧調整用加圧ボルト
Claims (10)
- ガラスフリットが形成されている封止基板を垂直に形成されている封止基板ステージに安着して、
前記封止基板ステージと対応するように一定間隔離隔されて垂直に形成されている下部基板ステージに工程対象物である下部基板を吸着固定し、
前記下部基板ステージを封止基板ステージに移動して前記下部基板を封止基板ステージに固定付着されている封止基板に加圧密着して合着して、
前記封止基板ステージの外側に形成されているレーザを前記ガラスフリットに照射して前記封止基板を下部基板と接着することを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法であって、
前記下部基板の画素領域に対応する封止基板の領域とガラスフリット間に溝が形成されていて、
前記封止基板は下部基板の画素領域と対応する領域にシーラントが形成されていて、
前記シーラントと前記ガラスフリットは接触しないことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記ガラスフリットは下部基板の画素領域に対応する封止基板の外周面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ガラスフリットは酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、三酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、三酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、五酸化燐（Ｐ２Ｏ５）、三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３）及び二酸化硅素（ＳｉＯ２）で構成された群から選択された１種の物質またはこれらの組合で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ガラスフリットは高さが１０ないし３００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記溝は２０ないし３００μｍの深さで封止基板の外周面全体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記シーラントはＵＶ硬化型または熱硬化型であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記シーラントは透明シーラントであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記溝はエッチング、サンドブラスティングまたはモールディング法を利用して形成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記ガラスフリットはスクリーン印刷法またはディスペンシング法を利用して形成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
- 前記レーザをガラスフリットに照射することは大気中で遂行することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060078865A KR100793368B1 (ko) | 2006-08-21 | 2006-08-21 | 수직형 봉지장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의제조방법 |
| KR10-2006-0078865 | 2006-08-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008047514A JP2008047514A (ja) | 2008-02-28 |
| JP5026161B2 true JP5026161B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=39181023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007163077A Expired - Fee Related JP5026161B2 (ja) | 2006-08-21 | 2007-06-20 | 垂直形封止装置を利用した有機電界発光表示装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5026161B2 (ja) |
| KR (1) | KR100793368B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5334888B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2013-11-06 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
| US9087801B2 (en) | 2010-04-29 | 2015-07-21 | Apple Inc. | Power efficient organic light emitting diode display |
| KR101353738B1 (ko) * | 2012-09-07 | 2014-01-22 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시패널용 합착 기판 가압 장치 |
| CN112259700B (zh) * | 2020-10-23 | 2023-01-13 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的成型方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3080164B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2000-08-21 | 信越エンジニアリング株式会社 | エレクトロルミネセンス素子封止方法 |
| JP2000193985A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法及び製造装置 |
| JP2002023130A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-23 | Sharp Corp | 基板貼り合わせ装置 |
| US20020155320A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-24 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| TW517356B (en) * | 2001-10-09 | 2003-01-11 | Delta Optoelectronics Inc | Package structure of display device and its packaging method |
| JP2003216068A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置と表示装置用基板及びその製造方法 |
| JP4101547B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2008-06-18 | オプトレックス株式会社 | 有機ｅｌディスプレイの製造方法および有機ｅｌディスプレイ用基板 |
| JP2006501200A (ja) * | 2002-07-23 | 2006-01-12 | スミスクライン ビーチャム コーポレーション | キナーゼインヒビターとしてのピラゾロピリミジン |
| JP4701580B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置およびその製造方法、電子機器 |
| US6998776B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| JP4801346B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| KR100666550B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100603345B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치의 제조방법, 평판 표시장치, 및 평판표시장치의 패널 |
| KR100659114B1 (ko) | 2005-12-09 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 봉지 장치 및 봉지 방법 |
-
2006
- 2006-08-21 KR KR1020060078865A patent/KR100793368B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-06-20 JP JP2007163077A patent/JP5026161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008047514A (ja) | 2008-02-28 |
| KR100793368B1 (ko) | 2008-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4672677B2 (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| US8729796B2 (en) | Organic light emitting display device including a gap to improve image quality and method of fabricating the same | |
| US7825594B2 (en) | Organic light emitting display and fabricating method of the same | |
| US8415880B2 (en) | Organic light-emitting display device with frit seal and reinforcing structure | |
| US8796918B2 (en) | Organic light emitting display device and a method of manufacturing thereof | |
| US20070197120A1 (en) | Substrate adhesion apparatus and method for sealing organic light emitting display using the same | |
| US8125146B2 (en) | Organic light emitting display having a second frit portion configured to melt more easily than a frit portion | |
| US8063561B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| US8299705B2 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof | |
| EP1811589B1 (en) | Organic light emitting display and fabricating method of the same | |
| US7862396B2 (en) | Flat panel display device and fabrication apparatus thereof and fabrication method thereof | |
| US7749039B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US20070170423A1 (en) | Organic light-emitting display and method of making the same | |
| US20080138653A1 (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US7994534B2 (en) | Organic light emitting display device and a method of manufacturing thereof | |
| KR100712177B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2006049308A (ja) | 表示装置、その製造方法、及びその製造装置 | |
| JP5026161B2 (ja) | 垂直形封止装置を利用した有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| JP2007103164A (ja) | 自発光パネル、および自発光パネルの製造方法。 | |
| JP2002050471A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| KR101254640B1 (ko) | 유기 전계발광 표시장치와 그 제조 방법 | |
| WO2015145966A1 (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示パネルの製造方法及び有機ｅｌ素子の封止方法 | |
| JP2002008855A (ja) | 有機ｅｌパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090225 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100303 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100616 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120522 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120620 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |