CN104347819B - 柔性有机电致发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

柔性有机电致发光器件及其制造方法。公开的柔性有机电致发光器件包括：柔性基板；整个形成在所述柔性基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上并且构造为包括有源层的薄膜晶体管；形成为覆盖所述薄膜晶体管的平坦化膜；形成在所述平坦化膜上并且构造为包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管；以及形成在所述薄膜晶体管的所述有源层之上但是在所述平坦化膜之下并图案化成多个岛状图案的至少一个氮化硅层。

Description

柔性有机电致发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种柔性有机电致发光器件，尤其涉及一种提高捆扎(banding)性能的柔性有机电致发光器件及其制造方法。
背景技术
有机电致发光器件通过激活发光层中的激子使其从激发态跃迁到基态而发光。激子通过从电子注入电极和空穴注入电极注入到发光层的电子和空穴的复合而形成。
以上文提及的原理驱动的这种有机电致发光器件具有自发光性能。并且，因为不像液晶显示器件，不需要另外的光源，有机电致发光器件可减小厚度和重量。而且，有机电致发光器件具有诸如低功耗、高亮度、快速响应时间等优质属性。因而，有机电致发光器件被认为是移动电器的下一代显示器件。而且，有机电致发光器件可以通过简单的制造工序制造。据此，与液晶显示器件相比，有机电致发光器件可在很大程度上减少制造成本。
同时，显示器件要求具有柔性。因而，柔性显示器件被积极地研究。
图1是示出普通柔性有机电致发光器件的横截面图。详细地，图1是主要地示出有机发光二极管E和驱动薄膜晶体管TD的放大的横截面图。
参照图1，普通柔性有机电致发光器件包括形成在第一基板100上的开关薄膜晶体管(未示出)和驱动薄膜晶体管TD、覆盖该驱动薄膜晶体管TD的平坦化膜121以及有机发光二极管E。
该开关薄膜晶体管和该驱动薄膜晶体管TD可以以边缘栓塞结构和共面结构中的一个来形成。在下文中，共面结构的驱动薄膜晶体管TD将被解释。
具有共面结构的驱动晶体管TD包括：形成在基板100的整个表面上的缓冲层101；形成在缓冲层101上的有源层110；顺序地形成在有源层110上的栅绝缘膜114和栅极115；以及顺序地形成在栅极115上的层间绝缘膜116以及源极和漏极119a和119b。
有源层110被限定成形成在其两个末端中的沟道区112和源极/漏极区113和111。源极和漏极119a和119b连接到有源层110的源极和漏极区113和111。
有机发光二极管E包括：相对于像素形成在平坦化膜121上的第一电极131；形成在由覆盖第一电极131的边缘的有机堤形膜132限定的第一电极区中的有机发光层133；以及形成在有机发光层133上的第二电极134。
密封层140和前面膜150顺序地形成在有机发光二极管E的第二电极134上。
有源层110可成为低温多晶硅(LTPS)工艺形成的多晶硅膜。在这种情况下，必须对有源层110执行氢化工艺。这样的氢化工艺使得氮化硅(SiNx)层形成在驱动晶体管TD的上部或下部。然而，氮化硅(SiNx)层容易断裂。归因于此，在执行捆扎工艺时氮化硅(SiNx)层可导致断裂。
发明内容
此外，本申请的实施例关注于基本上消除归因于相关技术的限制和缺点的一个或多个的问题的柔性有机电致发光器件及其制造方法。
本发明的一个目的是提供适合于通过将氮化硅(SiNx)层图案化为像素而改进捆扎性能的柔性有机电致发光器件及其制造方法，在执行捆扎工艺时氮化硅(SiNx)层容易断裂。
实施例的附加特征和优点将在随后的说明书中详细解释，并且部分地从说明书中显而易见，或可通过实施例的实践而了解。实施例的目的和其它优点将通过在本申请中指出的结构而理解和实现。
为了获得这些和其它优点并且根据本发明的目的，正如具体地和广泛地记载的，柔性有机电致发光器件包括：柔性基板；整个形成在所述柔性基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上并且构造为包括有源层的薄膜晶体管；形成为覆盖所述薄膜晶体管的平坦化膜；形成在所述平坦化膜上并且构造为包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管；以及形成在所述薄膜晶体管的所述有源层之上但是在所述平坦化膜之下并图案化成多个岛状图案的至少一个氮化硅层。
根据本实施例的另一个普通方案的柔性有机电致发光器件的制造方法包括：制备柔性基板；在所述柔性基板的整个表面上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成构造为包括有源层的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由多晶硅形成的有源层；在具有所述薄膜晶体管的所述柔性基板的整个表面上形成平坦化膜；以及在所述平坦化膜上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极、有机发光层和第二电。所述薄膜晶体管的形成包括在所述薄膜晶体管的所述有源层之上形成至少一个氮化硅层，所述至少一个氮化硅层被图案化成多个岛状图案。
应当理解，前述总体说明和随后的详细说明二者是示例性的和解释性的，并且意在提供对本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供实施例的进一步理解并且并入本文以及构成这个申请的一部分，图解本发明的实施例并与说明书一起用于解释这个公开。在附图中：
图1是示出普通柔性有机电致发光器件的横截面图；
图2A是示出根据本公开的第一实施例的柔性有机电致发光器件的平视图；
图2B是主要地示出图2A的部分A的放大的平视图；
图3是沿着图2B中的线I-I’获取的横截面图；
图4A到4D是逐步地图解根据本公开的实施例的制造柔性有机电致发光器件的方法的横截面图；
图5是示出根据本公开的第二实施例的柔性有机电致发光器件的横截面图；以及
图6是示出根据本公开的第三实施例的柔性有机电致发光器件的横截面图。
具体实施方式
现在详细地参考根据本发明的实例实施例的柔性有机电致发光器件及其制造方法，其实例图解在附图中。下文中引入的这些实施例被提供为实例以便于传达它们的精神给本领域普通技术人员。因此，这些实施例可能被具体化为不同形式，因此不限于这里描述的这些实施例。而且，器件的尺寸和厚度可被表达为夸大的为了图中便利的目的。只要可能的任何地方，相同的附图标记将被在包括附图的这个公开的通篇使用以指代相同或相似部分。
图2A是示出根据本公开的第一实施例的柔性有机电致发光器件的平视图。换言之，图2A是示出红、绿和蓝子像素区的等效电路图。
参考图2A，本公开的柔性有机电致发光器件通过彼此交叉的选通线GL、数据线DL以及电源线PL限定成多个子像素区。
多个子像素区包括红、绿和蓝子像素区R、G和B。子像素区以矩阵形式排列并用于显示图像。
驱动单元A和有机发光二极管E形成在每个红、绿和蓝子像素区R、G和B中。有机发光二极管E连接到该驱动单元A。
驱动单元A包括开关薄膜晶体管TS、驱动薄膜晶体管TD以及存储电容器C。开关薄膜晶体管TS连接在选通线GL和数据线DL之间。驱动薄膜晶体管TD连接在开关薄膜晶体管TS、电源线PL和有机发光二极管E之间。存储电容器C连接在电源线PL和开关薄膜晶体管TS的漏极之间。
第二层间绝缘膜217和钝化膜220形成在每个子像素区中。第二层间绝缘膜217和钝化膜220由氮化硅SiNx形成并且图案化成相对于每个子像素区的岛状图案。因为易于断裂的氮化硅膜(或层)被图案化成相对于子像素区的岛状图案，有机电致发光器件可具有改进的捆扎性能。岛状图案形状依赖于各自的子像素形状。
捆扎应力可以是更小的，岛状图案之间的距离变得更大。然而，岛状图案必须实质上执行绝缘层的功能。考虑到这些点，岛状图案之间的距离优选地设置为2-30μm的范围。
图2B是主要地示出图2A的部分A的放大的平面图。换言之，图2B是详细图解图2A的等效电路图中的部分A的平面图。
正如图2B中所示，开关薄膜晶体管TS的栅极215’连接到选通线GL。开关薄膜晶体管TS的源极219a’连接到数据线DL。开关薄膜晶体管TS的漏极219b’连接到驱动薄膜晶体管TD的栅极215和存储电容器C。
驱动薄膜晶体管TD的源极219a连接到电源线PL。驱动薄膜晶体管TD的漏极219b连接到有机发光二极管E的第一电极。
存储电容器C包括连接到该电源线PL的上电极229和连接到驱动薄膜晶体管TD的栅极215的下电极225。而且，下电极225连接到开关薄膜晶体管TS的漏极219b’。
在扫描脉冲施加给选通线GL时开关薄膜晶体管TS接通。接通的开关薄膜晶体管TS向存储电容器C和驱动薄膜晶体管TD的栅极215传输施加给数据线DL的数据信号。驱动薄膜晶体管TD响应该施加给其栅极215的数据信号并控制从电源线PL流向有机发光二极管E的电流，因而调节有机发光二极管E的发光量。尽管开关薄膜晶体管TS被断开，充电到存储电容器C的电压不仅能使得驱动薄膜晶体管TD被施加到有机发光二极管E的恒电流I而且能使得有机发光二极管E的发光量被维持直到下一帧的另一个数据信号被施加。
图3是沿着图2B的线I-I’获取的横截面图。详细地，图3是主要地示出根据本公开的第一实施例的柔性有机电致发光器件的有机发光二极管E和驱动薄膜晶体管TD的横截面图。
参照图3，缓冲层201整个形成在基板200上。基板200可以是柔性基板。优选地，基板200由适合于在高温下不可改变地保持性能的有机膜形成。例如，基板200可由选自包括丙烯酸、聚乙烯、聚丙烯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚缩醛、聚酯薄膜和其它塑料材料的材料组中的至少一个形成。在材料组中，聚酰亚胺具有优良的机械性能和高抗热性能。因此，由聚酰亚胺形成的基板200可在执行形成稍后元件的高温过程中保持热稳定性。
因为基板200的厚度更小，基板200变得质量更轻和更柔性。然而，基板200必须稳定地支撑形成在基板200上的层和元件。因此，基板200优选地形成在大约10-100μm的厚度范围内。
在稍后形成有源层210或有机发光层233时，缓冲层201阻止杂质的扩散。例如，缓冲层201可以是由氮化硅SiNx形成的单层。可替换地，缓冲层201可通过交替地堆叠氧化硅SiOx和氮化硅SiNx而形成为多层结构(SiOx/SiNx/SiOx/SiNx/SiOx)。
驱动薄膜晶体管TD形成在缓冲层201上。尽管在附图中没有示出，开关薄膜晶体管TS(图2A和2B所示)也形成在缓冲层201上。驱动薄膜晶体管TD包括形成在缓冲层201上的有源层210、栅极215、源极219a和漏极219b。
详细地，有源层210由多晶硅形成。而且，有源层210包括源极区和漏极区213和211以及连接在源极区和漏极区213和211之间的沟道区212。
栅绝缘膜214形成在具有有源层210的基板200的整个表面上。栅绝缘膜214可由包括在无机绝缘材料组中的氮化硅SiNx和氧化硅SiO2中的一个形成。优选地，栅绝缘膜214由抵抗捆扎应力的氧化硅SiO2形成。
栅极215相对于有源层210的沟道区212形成在栅绝缘膜214上。这样的栅极215可由选自由MoW、Al、Cr、Ni、AlNd和Al/Cr组成的金属组中的一个形成。
覆盖栅极215的第一和第二层间绝缘膜216和217顺序地形成在具有栅极215的基板200的整个表面上。第一层间绝缘膜216可由氧化硅SiO2形成，并且第二层间绝缘膜217可由氮化硅SiNx形成。如上所述的，第二层间绝缘膜217图案化到每个子像素中。因此，在每个子像素区中的第二层间绝缘膜217可具有岛状图案形状。换言之，第二层间绝缘膜217可被图案化成相对于每个子像素的岛状图案。
第一和第二接触孔218a和218b每个贯穿第二层间绝缘膜217、第一层间绝缘膜216和栅绝缘膜214而形成。有源层210的源极区213通过第一接触孔218a暴露，并且有源层210的漏极区211通过第二接触孔218b暴露。源极219a通过第一接触孔218a电性连接到暴露的源极区213，并且漏极219b通过第二接触孔218b电性连接到暴露的漏极区211。这样的源极和漏极219a和219b可由诸如Ti/Al或Ti/Al/Ti的金属形成。
源极219a连接到电源线PL。连接到电源线PL的驱动薄膜晶体管TD用于控制流向有机发光二极管E的第一电极231的电流。电源线PL用于公共地将电源电压Vdd传输到多个子像素。
尽管解释的是形成为共面结构的驱动薄膜晶体管TD，但是本公开不限于此。换言之，驱动薄膜晶体管Td可被形成为目前已知的所有薄膜晶体管结构中的一种。例如，驱动薄膜晶体管TD可形成为倒置的共面结构、交错结构、倒置的交错结构或其等效结构中的一个。
钝化膜220和平坦化膜221顺序地形成在具有驱动薄膜晶体管TD的基板200的整个表面上。而且，顺序地穿透平坦化膜221和钝化膜220的漏极接触孔230被形成。漏极接触孔230暴露漏极219b的一部分。钝化膜220由氮化硅SiNx形成。而且，钝化膜220被图案化成相对于每个子像素的岛状图案，如同第二层间绝缘膜217。换言之，在每个子像素区中的钝化膜220具有岛状图案形状。
这样，本公开允许第二层间绝缘膜217和钝化膜220被图案化成子像素区。换言之，在捆扎过程中易于断裂的氮化硅(SiNx)膜(或层)被图案化成子像素区。据此，柔性有机电致发光器件的捆扎性能可被改善。
第一电极231形成在平坦化膜221上。第一电极231通过漏极接触孔230电连接到驱动薄膜晶体管TD的漏极219b。
第一电极231可被用作阳极电极。在此情况下，第一电极231可由选自包括ITO(氧化铟锡)、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、和ITO/Ag/IZO(氧化铟锌)的透明电极材料组中的一个形成，但是不限于这些透明电极材料。ITO可形成允许到有机发光层233的空穴注入势垒被降低的透明导电膜。
限定子像素的有机堤形膜232形成在具有第一电极231的平坦化膜221上。有机堤形膜232清晰地区别红、绿和蓝子像素区R、G和B之间的边界以使得子像素之间的发射边界被清晰地限定。而且，有机堤形膜232将相邻子像素的第一电极231彼此分离。这样的有机堤形膜232可由聚酰亚胺或其它形成，其不限于此。暴露第一电极231的一部分的开口形成在有机堤形膜232中。
有机发光层233形成在通过有机堤形膜232的开口暴露的第一电极231上。第二电极234以整个地覆盖显示区的方式形成在有机发光层233上。
有机发光层233可包括发光层EML、电子传输层ETL和空穴传输层HTL。发光层EML使用通过电子和空穴的复合形成的激子发光。电子传输层ETL适当地调节电子的漂移速度。空穴传输层HTL适当地调节空穴的漂移速度。而且，有机发光层233可包括电子注入层EIL和空穴注入层HIL。电子注入层EIL可改进电子传输层ETL的电子注入效率。空穴注入层HIL可改进空穴传输层HTL的空穴注入效率。
第二电极234可被用作阴极电极。在此情况下，第二电极234可由选自包括Al、Mg和Ag的合金、Mg和Ca的另一个合金等金属组的一个形成，但不限于这些金属。
这样的有机发光二极管E可通过第一电极232、有机发光层233和第二电极234的顺序形成而形成。
如果电压被施加在第一电极231和第二电极234之间，从第二电极234注入的电子和从第一电极231注入的空穴朝向有机发光层233漂移。漂移到有机发光层中的电子和空穴发生碰撞并彼此复合，因而发光。这个描述基于第一电极231用作阳极电极且第二电极234用作阴极电极的一般事实。
而且，密封层240和前面膜250顺序地形成在有机发光二极管E的第二电极234上。
图4A到4D是逐步地图解根据本公开的实施例的制造柔性有机电致发光器件的方法的横截面图。
参照图4A，根据本公开的第一实施例的柔性有机电致发光器件的制造方法首先在基板200的整个表面上形成缓冲层201。其后，有源层形成在缓冲层201上。
有源层210可通过形成非晶硅层的步骤、将该非晶硅层结晶成多晶硅半导体层的步骤、在该多晶硅半导体层上形成光刻胶图案的步骤、使用该光刻胶图案作为掩膜来蚀刻该多晶硅半导体层的步骤、以及从剩余的多晶硅半导体层上去除光刻胶图案的步骤而被形成。光刻步骤和蚀刻步骤可在非晶硅层的结晶之前被执行。
作为非晶硅层结晶的例子，RTA(快速热退火)方法、SPS(固相结晶)方法、ELA(准分子激光退火)方法、MIC(金属诱导结晶)方法、MILC(金属诱导横向结晶)方法、SGS(超晶硅)方法、SLS(循序性侧向结晶)方法、JIC(焦耳热结晶)方法等中的一个可被使用。然而，由塑料材料形成的基板200必须限制工艺温度。因而，LTPS(低温多晶硅)方法可被优选地使用在多晶硅的形成中。
LTPS方法对应于使用激光束在600以下的低温下形成薄膜晶体管(TFT)的技术。使用LTPS方法形成的薄膜晶体管(TFT)可在高速下驱动并提供优异的电学性能。
栅绝缘膜214形成在其中形成有有源层210的基板200上。而且，通过沉积栅极材料在栅绝缘膜214上并对该沉积的栅极材料执行上述的光刻和蚀刻步骤，栅极215相对于有源层210的中心部分形成在栅绝缘膜214上。
依序地，对基板200执行用于掺杂适当量的n+和p+掺杂剂的离子注入程序。离子注入程序包括使用栅极215作为掩膜在有源层210中形成低密度区的第一步骤和使用暴露源极和漏极区的光刻胶图案作为另一个掩膜在有源层210中形成高密度区的第二步骤。低密度区(未示出)用于降低驱动薄膜晶体管TD的截止电流。高密度区(未示出)变成源极和漏极区213和211。同时，在离子注入时被栅极215遮盖住的有源层210的部分用作沟道区212。可选地，栅极215替换光刻胶图案用作形成高密度区时的另一个掩膜。
其后，第一和第二层间绝缘膜216和217顺序地形成在具有栅极215的基板200上。第二层间绝缘膜217可通过在基板200的整个表面上(即在第一层间绝缘膜216上)涂覆氮化硅材料并进而将该涂覆的氮化硅材料岛状构图进子像素中而形成。因而，在每个子像素区中的第二层间绝缘层可具有岛状图案形状。
必须对第二层间绝缘膜217执行氢化工艺。相当于多晶硅和形成有源层210的多晶硅具有多个陷阱。归因于此，有源层210的诸如载流子迁移率、寿命等电学和光电性能可降低并且可导致漏电流。如果氢离子被引进有源层210，氢离子被存在于有源层210中的陷阱捕获。因而，有源层210的晶体结构可被稳定化。而且，有源层210的载流子迁移率和寿命可被提高，因为由陷阱对载流子的捕获被阻止。
为此目的，在氮化硅(SiNx)材料的第二层间绝缘膜形成之后对第二层间绝缘膜217执行使用退火方法等的氢化工艺。详细地，氢化工艺可在第二层间绝缘膜217被岛状图案化之前或之后被执行。
在执行用于第二层间绝缘膜217的形成的图案化工艺之后，形成穿透第二层间绝缘膜217、第一层间绝缘膜216和栅绝缘膜214并且暴露源极和漏极区213和211的第一和第二接触孔218a和218b。
然后，如图4B中所示，形成源极219a和漏极219b。源极219a通过第一接触孔219a连接到暴露的源极区213，并且漏极219b通过第二接触孔218b连接到暴露的漏极区211。而且，源极219a和漏极219b以在其之间具有栅极215而彼此分离开的方式排列在第二层间绝缘膜217上。这样的驱动薄膜晶体管TD通过上述工艺完成。
参照图4C，形成覆盖源极219a和漏极219b的钝化膜220。类似于第二层间绝缘膜217，可通过在具有图案化的第二层间绝缘膜217的上述基板200的整个表面上涂覆氮化硅(SiNx)材料并进而将该涂覆的氮化硅材料岛状图案化进子像素中而形成钝化膜220。因而，每个子像素区中的钝化膜220可具有岛状图案形状。
参照图4D，平坦化膜221形成在钝化膜220上，并进而形成穿透该平坦化膜221的漏极接触孔230。而且，相对于每个子像素的第一电极231形成在其中形成有该漏极接触孔230的平坦化膜221上。第一电极231通过漏极接触孔230连接到漏极219b。该第一电极231可通过沉积透明导电材料在平坦化膜221上并依序地对涂覆的透明导电材料执行光刻工艺和蚀刻工艺而形成。
其后，有机堤形膜232形成在具有第一电极231的基板200上。有机堤形膜232可通过沉积绝缘材料在具有第一电极231的基板200的整个表面上并通过光刻工艺和蚀刻工艺暴露第一电极231的一部分而形成。
有机堤形膜232将相邻的子像素的第一电极231彼此电性分离。这样的有机堤形膜232可由聚酰亚胺或其它形成。
有机发光层233和第二电极234顺序地形成在由有机堤形膜232暴露的第一电极231上。、据此，完成包括第一电极231、有机发光层233和第二电极234的有机发光二极管E。
其后，密封层240和前面膜250顺序地形成在具有有机发光二极管E的基板200的整个表面上。密封层240和前面膜250用于阻止湿气和/或氧气侵入有机发光二极管E。
密封层240可包括无机保护层和有机保护层中的至少一个。无机保护层可由选自包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)以及称为矾土的氧化铝(Al2O3)的无机绝缘材料组中的一个形成。有机保护层可由选自包括聚丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料中的一个形成。
无机保护层可使用CVD(化学气相沉积)方法或溅射设备形成。有机保护层可使用喷墨设备、喷嘴涂覆设备、杆式涂覆设备、狭缝涂覆设备、旋涂设备和印刷设备中的一个形成。
前面膜250用作保护包括有机发光层233的每个元件的部件并且通过制造工序形成。实际上，前面膜250可保护基板200上的元件免受刮擦。这样的前面膜250可由塑料材料形成。例如，前面膜250可由选自包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、PI(聚酰亚胺)、聚醚砜、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PC(聚碳酸酯)和聚苯乙烯的材料组中的一个形成。特别地，前面膜250可形成在多层结构中以便于阻止湿气和氧气的侵入。
根据本公开的上述的柔性有机电致发光器件不仅可以应用到顶部发光模式而且可以应用到底部发光模式。顶部发光模式允许从有机发光二极管E发射的光输出穿过密封层240。底部发光模式能使从有机发光二极管E发射的光输出穿过基板200。
图5是示出根据本公开的第二实施例的柔性有机电致发光器件的横截面图。详细地，图5是主要地示出根据本公开的第二实施例的柔性有机电致发光器件的有机发光二极管E和驱动薄膜晶体管TD的横截面图。
根据本公开的第二实施例的柔性有机电致发光器件具有与第一实施例相同的构造，除了钝化膜220(在图3中示出)被去除。因而，与第一实施例的那些具有相同功能和形状的第二实施例的构件将由相同的附图标记和名称表示。而且，与第一实施例重复的第二实施例的描述将被省略。
参照图5，根据第二实施例的柔性有机电致发光器件包括平坦化膜221，其直接地形成在具有驱动薄膜晶体管TD的基板200的整个表面上，而没有形成氮化硅(SiNx)的钝化膜。
第一电极231、有机堤形膜232、有机发光层233、第二电极234等形成在平坦化膜221上。
在这种方式中，第二实施例的柔性有机电致发光器件具有与第一实施例相同的构造，除了钝化膜220(在图3中)被去除。因而，类似于第一实施例，氮化硅(SiNx)的第二层间绝缘膜217形成在被岛状图案化进子像素中的平面结构中。
图6是示出根据本公开的第三实施例的柔性有机电致发光器件的横截面图。详细地，图6是主要地示出根据本公开的第三实施例的柔性有机电致发光器件的有机发光二极管E和驱动薄膜晶体管TD的横截面图。
根据本公开的第三实施例的柔性有机电致发光器件具有与第一实施例相同的结构，除了形成氧化硅(SiOx)的第三层间绝缘膜227替代氮化硅(SiNx)的第二层间绝缘膜217。因而，与第一实施例的那些具有相同功能和形状的第三实施例的元件将由相同的附图标记和名称表示。而且，与第一实施例重复的第三实施例的描述将被省略。
参照图6，根据第三实施例的柔性有机电致发光器件包括顺序地形成在具有栅极215的基板200的整个表面上的第一层间绝缘膜和第三层间绝缘膜227。
第三层间绝缘膜227由氧化硅(SiOx)形成。换言之，层间绝缘膜配置有由氧化硅(SiOx)形成的双层(即第一和第三层间绝缘膜216和227)。第三层间绝缘膜227不被图案化进子像素，不像第一实施例的第二层间绝缘膜217(示出在图3)中。这起因于氧化硅(SiOx)的第三层间绝缘膜227抵抗捆扎应力的事实。
第三实施例的柔性有机电致发光器件包括由氮化硅(SiNx)形成的钝化膜220，类似于第一实施例。钝化膜220还形成在被岛状图案化进子像素的平面结构中。
在本发明的柔性有机电致发光器件及其制造方法中可进行各种修改和变化而不脱离本发明的精神或范围，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。
本申请要求2013年7月30日提交的韩国专利申请No.10-2013-00090399的优先权，其因此通过引用而全部并入。

Claims (20)

1.一种柔性有机电致发光器件，所述柔性有机电致发光器件包括：
柔性基板；
整个形成在所述柔性基板上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上并且构造为包括有源层的薄膜晶体管；
形成为覆盖所述薄膜晶体管的平坦化膜；
形成在所述平坦化膜上并且构造为包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管；以及
形成在所述薄膜晶体管的所述有源层之上但是在所述平坦化膜之下的至少一个氮化硅层，
其中，所述至少一个氮化硅层被图案化成与被包括在所述柔性有机电致发光器件中的多个子像素一一对应的多个岛状图案。
2.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述岛状图案的形状依赖于子像素的形状。
4.根据权利要求3所述的柔性有机电致发光器件，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。
5.根据权利要求4所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述薄膜晶体管包括：
栅绝缘膜，其被形成以覆盖所述有源层；
栅极，其被形成在所述栅绝缘膜上；
氧化硅SiOx的第一层间绝缘膜，其被形成以覆盖所述栅极；以及
在所述第一层间绝缘膜上形成的源极和漏极，所述至少一个氮化硅层包括形成在所述第一层间绝缘膜与所述源极和所述漏极之间的第二层间绝缘膜。
6.根据权利要求5所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述至少一个氮化硅层进一步包括形成在所述源极和所述漏极与所述平坦化膜之间的钝化膜。
7.根据权利要求6所述的柔性有机电致发光器件，所述柔性有机电致发光器件进一步包括形成在具有所述有机发光二极管的所述柔性基板的整个表面上的密封层。
8.根据权利要求7所述的柔性有机电致发光器件，所述柔性有机电致发光器件进一步包括形成在所述密封层上的前面膜。
9.根据权利要求8所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述前面膜由选自包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺PI、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚碳酸酯PC和聚苯乙烯的材料组中的一个材料形成。
10.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述薄膜晶体管包括：
栅绝缘膜，其被形成以覆盖所述有源层；
栅极，其被形成在所述栅绝缘膜上；
氧化硅SiOx的第一层间绝缘膜，其被形成以覆盖所述栅极并且具有双层结构；以及
形成在所述第一层间绝缘膜上的源极和漏极，所述至少一个氮化硅层包括形成在所述源极和所述漏极与所述平坦化膜之间的钝化膜。
11.一种制造柔性有机电致发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：
制备柔性基板；
在所述柔性基板的整个表面上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成构造为包括有源层的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由多晶硅形成的有源层；
在具有所述薄膜晶体管的所述柔性基板的整个表面上形成平坦化膜；以及
在所述平坦化膜上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极、有机发光层和第二电极，
其中，所述薄膜晶体管的形成包括在所述薄膜晶体管的所述有源层之上形成至少一个氮化硅层，所述至少一个氮化硅层被图案化成与被包括在所述柔性有机电致发光器件中的多个子像素一一对应的多个岛状图案。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述岛状图案的形状依赖于子像素的形状。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述薄膜晶体管的形成进一步包括以下步骤：
在具有所述有源层的所述柔性基板的整个表面上形成栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上形成栅极；
在具有所述栅极的所述柔性基板的整个表面上形成氧化硅SiOx的第一层间绝缘膜；以及
在所述第一层间绝缘膜上形成源极和漏极，所述至少一个氮化硅层的形成在所述第一层间绝缘膜的形成与所述源极和所述漏极的形成之间被执行。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述至少一个氮化硅层进一步包括形成在所述源极和所述漏极与所述平坦化膜之间的钝化膜。
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法进一步包括：在具有所述有机发光二极管的所述柔性基板的整个表面上形成密封层。
18.根据权利要求17所述的方法，所述方法进一步包括：在所述密封层上形成前面膜。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述前面膜由选自包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺PI、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚碳酸酯PC和聚苯乙烯的材料组中的一个材料形成。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述薄膜晶体管的形成进一步包括以下步骤：
在具有所述所述有源层的所述柔性基板的整个表面上形成栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上形成栅极；
在具有所述栅极的所述柔性基板的整个表面上形成双层结构的氧化硅SiOx的第一层间绝缘膜；以及
在所述第一层间绝缘膜上形成源极和漏极，所述至少一个氮化硅层的形成在所述源极和所述漏极的形成与所述平坦化膜的形成之间被执行。
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