CN104205217B - 热辅助磁记录用的磁记录介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能维持磁性晶粒之间的磁分离、并具有10K/nm以上的dT/dx的能适用于热辅助记录的磁记录介质。本发明的热辅助磁记录用的磁记录介质至少包括非磁性基体和磁记录层，磁记录层具有下部磁记录层与上部磁记录层，下部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒状结构，该非磁性晶界包围磁性晶粒，且由以碳为主要成分的材料构成，上部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒状结构，该非磁性晶界包围磁性晶粒，且由与下部磁记录层的非磁性晶界不同的材料构成。

Description

热辅助磁记录用的磁记录介质

技术领域

本发明涉及热辅助磁记录所使用的磁记录介质。

背景技术

作为实现磁记录的高密度化的技术，采用垂直磁记录方式。垂直磁记录介质至少包含非磁性基板和由硬质磁性材料形成的磁记录层。垂直磁记录介质还可以任意选择性地包括由软磁性材料形成、起到使磁头所产生的磁通集中到磁记录层的作用的衬底层、用于使磁记录层的硬质磁性材料朝向目的方向的基底层、保护磁记录层的表面的保护膜等。

日本专利特开2001-291230号公报、日本专利特开平08-083418号公报以及国际公开第2002/039433号刊物中，作为用于形成垂直磁记录介质的磁记录层的材料，记载有粒状磁性材料(参照专利文献1～3等)。粒状磁性材料包含磁性晶粒和以包围磁性晶粒的周围的方式偏析的非磁性体。粒状磁性材料中的各个磁性晶粒通过非磁性体而磁分离。

近年来，为了进一步提高垂直磁记录介质的记录密度，迫切需要缩小粒状磁性材料中的磁性晶粒的粒径。另一方面，缩小磁性晶粒的粒径会使所记录的磁化(信号)的热稳定性降低。因此，为了补偿因缩小磁性晶粒的粒径而导致的热稳定性的降低，要求使用具有更高的晶体磁各向异性的材料来形成粒状磁性材料中的磁性晶粒。

此外，在以粒状磁性材料形成的磁记录层中，发现了如下问题点：即、多个磁性晶粒会形成一个磁化反转单位(clustering：群集)。该问题点被认为是因磁性晶粒之间的交换相互作用而引起的。为了解决该问题点，日本专利特开2011-119006号公报记载有通过层叠第一层与第二层来抑制交换相互作用的磁记录层，该第一层作为非磁性体包含Ru、Cr、Ti、Ir或这些的金属氧化物，且具有负的交换相互作用，该第二层作为非磁性体包含SiO₂，且具有正的交换相互作用(参照专利文献4)。

作为具有所要求的较高的晶体磁各向异性的材料，提出L1₀类有序合金。日本专利第3318204号公报、日本专利第3010156号公报、日本专利特开2001-101645号公报、日本专利特开2004-178753号公报、以及日本专利特表2010-503139号公报中，作为L1₀类有序合金记载有FePt、CoPt、FePd、CoPd等包含从Fe、Co以及Ni所构成的组中选择的至少一种元素和从Pt、Pd、Au以及Ir所构成的组中选择的至少一种元素的合金(参照专利文献5～9)。并且，上述专利文献记载有L1₀类有序合金薄膜的各种制造方法(参照专利文献5～9)。

另一方面，基本上磁记录层的膜厚在介质面内方向上相同，因此使磁化反转单位(磁性晶粒)缩小意味着使具有一定高度的磁化反转单位(磁性晶粒)的截面积缩小。其结果是，作用于磁化反转单位(磁性晶粒)自身的退磁场变小，用于使磁化反转单位(磁性晶粒)的磁化反转所需的磁场(反转磁场)变大。由此，在考虑磁化反转单位(磁性晶粒)的形状的情况下，记录密度的提高意味着在记录(写入)信号(磁化)时，需要更大的磁场。

对于增加用于进行记录的磁场(写入能力)的问题，提出利用具有磁记录层的加热功能的头部的热辅助记录方式。这利用了磁性材料中磁各向异性常数(Ku)的温度依赖性、即温度越高Ku越小的特性。即，通过使磁记录层的温度升高来暂时性地降低Ku，从而降低反转磁场，并在此期间进行写入。降温后，Ku会回到原来较高的值，因此能保持稳定的记录信号(磁化)。在应用热辅助记录方式的情况下，除了现有的设计导则以外，也需要考虑温度特性来设计磁记录层。

2004年社团法人电子信息通信学会的通信技术报MR2004-39中刊登的五十岚等著的“利用模拟进行的热辅助记录的研究-记录方式的研究-”中，记载有如下研究：热辅助记录方式中的记录比特之间的转移幅度由头部磁场斜率以及温度斜率所决定(参照非专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2001-291230号公报

专利文献2：日本专利特开平08-083418号公报

专利文献3：国际公开第2002/039433号刊物

专利文献4：日本专利特开2011-119006号公报

专利文献5：日本专利第3318204号公报

专利文献6：日本专利第3010156号公报

专利文献7：日本专利特开2001-101645号公报

专利文献8：日本专利特开2004-178753号公报

专利文献9：日本专利特表2010-503139号公报

非专利文献

非专利文献1：五十嵐他、「シュミレーションによる熱アシスト記録の検討-記録方式の検討-」、信学技報、社団法人電子情報通信学会、2004年、MR2004-39(五十岚等著的“利用模拟进行的热辅助记录的研究-记录方式的研究-”、社团法人电子信息通信学会的通信技术报、2004年、MR2004-39)

发明内容

发明所要解决的技术问题

热辅助磁记录中，为了正确地决定记录比特的范围，减少记录比特之间的转移噪声，磁记录层的面内方向的温度效率dT/dx变得较为重要。在热辅助磁记录的介质设计中，需要将dT/dx设为10K/nm以上。此处，x表示磁记录介质主面中的位置，T表示位置x的磁记录层的平均温度。

本发明人利用有限元素法进行热解析，从而发现为了使dT/dx增大，妨碍磁记录层的面内方向的导热、使面内方向和深度方面的热传导差异(热各向异性)增大是较为有效的。并且，能利用热传导率较低的材料形成包围磁性晶粒(磁性粒子)的非磁性部，从而发现妨碍了磁记录层的面内方向的导热，并使热各向异性增大，dT/dx增大。

然而，可知在作为非磁性部使用热传导率较低的材料即氧化硅或者氧化钛来制作磁记录介质时，难以完全包围磁性晶粒(磁性粒子)，不能维持磁分离。另一方面，可知为了完全包围磁性晶粒(磁性粒子)、维持磁分离，需要形成以碳为主要成分的非磁性部(非磁性晶界)。然而，根据热解析的结果可知，由于以碳为主要成分的非磁性部(非磁性晶界)的热传导率过大，因此不能将dT/dx设为10K/nm以上。即，维持磁性晶粒之间的磁分离、并将dT/dx设为10K/nm以上成为问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种具有能适用于热辅助记录的粒状结构的磁记录层的磁记录介质。

解决技术问题的技术方案

作为满足上述条件，解决现有问题的方法，本发明人研究了各种材料构成。其结果是，发现通过采用层叠具有促进磁分离的粒状结构的层和具有使面方向的热阻增大的粒状结构的层而形成的层叠粒状结构，能满足上述条件。具体而言，通过将使包围磁性晶粒(磁性粒子)的非磁性部由以碳为主要成分的材料构成的粒状结构的层、与使包围磁性晶粒(磁性粒子)的非磁性部由以硅或者钛的氧化物或者氮化物为主要成分的材料构成的粒状结构的层按此顺序层叠来形成磁记录层，从而能维持磁性晶粒之间的磁分离，并使磁记录层的面内方向的温度斜率dT/dx为10K/nm以上。

基于上述认知，本发明的热辅助磁记录用的磁记录介质的特征在于，至少包括非磁性基体和磁记录层，所述磁记录层具有下部磁记录层与上部磁记录层，所述下部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒状结构，该非磁性部包围所述磁性晶粒，且由以碳为主要成分的材料构成，所述上部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒状结构，该非磁性部包围所述磁性晶粒，且由与所述下部磁记录层的非磁性部不同的材料构成。此处，上部磁记录层的非磁性部可以由从氧化硅、氮化硅、氧化钛、以及氮化钛所构成的组中选择的材料构成。下部磁记录层的磁性晶粒以及上部磁记录层的磁性晶粒可以由有序合金形成，优选为由包含从Fe、Co以及Ni所构成的组中选择的至少一种元素和从Pt、Pd、Au以及Ir所构成的组中选择的至少一种元素的合金形成，进一步优选为由从FePt、CoPt、FePd以及CoPd所构成的组中选择的材料形成。

本发明的热辅助磁记录用的磁记录介质也可以在非磁性基体和磁记录层之间还包含从散热层以及籽晶层所构成的组中选择的一层或者多层。除此以外，本发明的热辅助磁记录用的磁记录介质也可以在磁记录层上还包括保护层。

发明效果

在采用上述结构的本发明的热辅助磁记录用的磁记录介质中，能维持磁记录层中的磁性晶粒的磁分离，并能将磁记录层的面内方向的温度斜率dT/dx设为10K/nm以上。根据上述特征，利用本发明的磁记录介质，能进行降低了噪声的良好的热辅助记录。

附图说明

图1是本发明的磁记录介质的概要剖视图。

图2是表示本发明的磁记录介质的磁记录层的粒状结构的透射电子显微镜照片。

具体实施方式

如图1所示，本发明的磁记录介质包含非磁性基体10和磁记录层40。图1中示出了具有非磁性基体10、散热层20、籽晶层30、磁记录层40以及保护层50的本发明的磁记录介质的结构例。磁记录层40具有至少层叠下部磁记录层41和上部磁记录层42这两层的结构。并且，下部磁记录层41以及上部磁记录层42分别由磁性晶粒(41A、42A)以及非磁性部(41B、42B)构成。在图1所示的本发明的磁记录介质的结构例中，散热层20、籽晶层30以及保护层50是可以任意选择性设置的层。并且，本发明的磁记录介质在非磁性基体10和磁记录层40之间还可以包含粘接层、软磁性衬底层、中间层等。

非磁性基体10也可以是表面平滑的各种基体。例如，能利用磁记录介质中通常使用的材料(实施了镀NiP的Al合金、强化玻璃、微晶玻璃等)来形成非磁性基体10。

散热层20是用于高效地吸收在进行热辅助磁记录时所产生的磁记录层40的多余的热量的层。散热层20能利用热传导率以及比热容量高的金属来形成。此外，从强度等观点出发，能利用Al-Si合金、Cu-B合金等形成散热层20。并且，利用铁硅铝(FeSiAl)合金、软磁性的CoFe合金等来形成散热层20，也能对散热层20附加软磁性衬底层的功能(使头部产生的垂直方向磁场集中于磁记录层40的功能)。散热层20的膜厚的最适合值根据进行热辅助磁记录时的热量以及热分布、及磁记录介质的层结构以及各结构层的厚度而变化。在以与其他的结构层连续成膜的方式形成散热层20的情况等下，考虑到与生产性的平衡，优选散热层20的膜厚在10nm以上100nm以下。散热层20能利用溅射法(包括DC磁控溅射法等)、真空蒸镀法等在该技术中众所周知的任意方法来形成。通常利用溅射法来形成散热层20。

籽晶层30的作用在于：确保散热层20和磁记录层40之间的紧密粘接性；控制作为上层的磁记录层40的磁性晶粒(41A、42A)的粒径以及晶体取向；以及作为隔热层控制磁记录层40的温度上升以及温度分布。为了控制磁记录层40的温度上升以及温度分布，籽晶层30需要同时具有在热辅助记录过程中对磁记录层40进行加热时迅速使磁记录层40的温度上升的功能、及在磁记录层40的面内方向发生导热之前利用深度方向的导热将磁记录层40的热量传导至散热层20的功能。此外，优选籽晶层30为非磁性。

为了达到上述功能，与磁记录层40的材料(具体而言是磁性晶粒(41A、42A)的材料)相匹配地适当选择籽晶层30的材料。例如，在以CoPt、FePt等的L1₀型有序合金形成磁记录层40的磁性晶粒(41A、42A)的情况下，能利用NiW、Ta、Cr、SrTiO₃、TiN、MgO、或者它们的混合物来形成籽晶层30。此外，能够层叠由上述材料构成的多个层，来形成籽晶层30。从磁记录层40(磁性晶粒(41A、42A))的结晶性的提高、在进行热辅助记录时从头部提供的热量(磁记录层40的温度上升以及温度分布的控制)、以及生产性的提高的观点出发，籽晶层30优选为具有40nm以上60nm以下的膜厚。籽晶层30能利用溅射法(包括DC磁控溅射法等)、真空蒸镀法等在该技术中众所周知的任意方法来形成。

磁记录层40具有至少层叠下部磁记录层41和上部磁记录层42这两层而得到的结构。下部磁记录层41以及上部磁记录层42分别具有由磁性晶粒(41A、42A)以及非磁性部(41B、42B)构成的粒状结构。在作为平面方向(与非磁性基体10的表面平行的方向)的截面的透射电子显微镜照片的图2中示出了磁记录层40(下部磁记录层41以及上部磁记录层42)的粒状结构。磁记录层40(下部磁记录层41以及上部磁记录层42)具有以磁性元素作为主体的柱状的磁性晶粒(41A、42A)由非磁性部(41B、42B)隔开的结构。此处，磁性晶粒(41A、42A)具有4～10nm左右的直径，非磁性部(41B、42B)具有0.1～2nm左右的厚度。为了应对记录密度的增加，优选磁性晶粒(41A、42A)的排列间隔(间距)较短的情况。另一方面，从防止热起伏以及易于读取信号(磁化)的观点出发，优选磁性晶粒(41A、42A)较大的情况。因此，非磁性部(41B、42B)优选为在能与磁性晶粒(41A、42A)磁分离的范围内具有尽量小的厚度。

磁性晶粒(41A、42A)能利用L1₀类有序合金来形成。能使用的L1₀类有序合金是FePt、CoPt、FePd、CoPd等的包含从Fe、Co以及Ni所构成的组中选择的至少一种元素和从Pt、Pd、Au以及Ir所构成的组中选择的至少一种元素的合金。为了降低有序合金的有序化所需的温度，可以对L1₀类有序合金添加Cu等金属。

磁记录层40(下部磁记录层41以及上部磁记录层42)能利用磁控溅射法等来形成。此处，如图1所示，优选如下结构：将上部磁记录层42的磁性晶粒42A配置在下部磁记录层41的磁性晶粒41A上，具有贯穿下部磁记录层41以及上部磁记录层42的一体柱状结构的磁性晶粒(41A、42A)。通过采用这样的结构，能降低磁记录时的噪声。这是因为，上述一体柱状结构的磁性晶粒(41A、42A)在下部磁记录层41及上部磁记录层42中分别通过非磁性部(41B、42B)与相邻的磁性晶粒相隔离，能作为一体进行磁化反转。

另一方面，在热辅助磁记录中，在磁记录层的高温区域中写入信号(磁化)，在低温区域不写入(磁化)。即，在热辅助记录中，利用磁记录层的温度差来控制磁化反转。因记录时的热辅助磁记录用头的激光而产生的热量会留在记录比特内，优选为在记录结束后，迅速将磁记录层40冷却到信号记录温度以下。因此，如上所述，优选为使磁记录层40的面内方向的热阻变大，深度方向的热阻变小，并使磁记录层40的dT/dx变大。一般而言，磁性晶粒(41A、42A)具有较高的热传导率。因此，通过增大非磁性部(41B、42B)的热阻能期待满足上述要求。

在图1所示的2层结构的磁记录层40中，使下部磁记录层41具有促进磁性晶粒41A的磁分离的粒状结构，使上部磁记录层42具有使面内方向的热阻增大的粒状结构。本发明人通过采用上述结构，发现能维持磁性晶粒(41A、42A)的磁分离，且能使磁记录层40的面内方向的温度斜率dT/dx在10K/nm以上。具体而言，在具有促进磁分离的粒状结构的下部磁记录层41中，非磁性部41B由以碳为主要成分的材料构成。

此外，在具有使面内方向的热阻增大的粒状结构的上部磁记录层42中，非磁性部42B由具有比碳更低的热传导率、且易于形成粒状结构的材料形成。本发明中，上部磁记录层42的非磁性部42B作为主要成分包括从氧化硅、氮化硅、氧化钛、以及氮化钛所构成的组中选择的材料。优选为上部磁记录层42的非磁性部42B由从氧化硅、氮化硅、氧化钛、以及氮化钛所构成的组中选择的材料构成。

另外，在下部磁记录层41的非磁性部41B由以氧化硅、氮化硅、氧化钛、以及氮化钛为主要成分的材料构成，上部磁记录层42的非磁性部42B由以碳为主要成分的材料构成的情况下，会产生上部磁记录层42中的非磁性部42B的一部分没有被形成、磁性晶粒42A与相邻磁性晶粒相连结的现象。因此，磁性晶粒(41A、42A)之间的磁分离不充分，会获得噪声较大的磁记录介质。

从易于对磁记录层40写入信号(磁化)、以及易于从磁记录层读取出信号(磁化)的观点出发，优选为构成磁记录层40的下部磁记录层41以及上部磁记录层42分别具有1nm以上15nm以下的膜厚。

保护层50能利用在磁记录介质的领域中惯用的材料(以碳为主体的材料等)来形成。此外，保护层50可以是单层，也可以具有层叠结构。层叠结构的保护层50例如可以是特性不同的两种碳类材料的层叠结构、金属和碳类材料的层叠结构、或者金属氧化物膜和碳类材料的层叠结构。保护层50能利用溅射法(包含DC磁控溅射法等)、真空蒸镀法等的在该技术中众所周知的任意方法来形成。

此外，本发明的磁记录介质也可以任意选择性地在保护层50上还设有液体润滑剂层(未图示)。液体润滑剂层能利用在磁记录介质的领域中惯用的材料(例如全氟聚醚类润滑剂等)来形成。液体润滑剂层例如能利用浸涂法、旋涂法等涂布法来形成。

实施例1

(实施例1)

洗净具有平滑的表面的化学强化玻璃基体(HOYA社制N-10玻璃基体)，来准备非磁性基体10。将洗净后的非磁性基体10导入溅射装置内。在压力为0.67Pa的Ar气体中通过使用CuSi靶的DC磁控溅射法来形成膜厚50nm的CuSi散热层20。

接着，形成由Ta层以及MgO层构成的二层结构的籽晶层30。具体而言，在压力为0.67Pa的Ar气体中通过使用Ta靶的DC磁控溅射法来形成膜厚10nm的Ta层。接着，将形成有Ta层的层叠体加热至250℃，利用在压力为0.06Pa的Ar气体中使用MgO靶的RF溅射法来形成膜厚5nm的MgO层，从而获得籽晶层30。

接着，将形成有籽晶层30的层叠体加热至500℃，使用混合Fe₅₀Pt₅₀以及C的80体积％(Fe₅₀Pt₅₀)-20体积％C靶，形成由Fe₅₀Pt₅₀-C构成的下部磁记录层41。接着，使用混合Fe₅₀Pt₅₀以及SiO₂的80体积％(Fe₅₀Pt₅₀)-20体积％SiO₂靶，形成由Fe₅₀Pt₅₀-SiO₂构成的上部磁记录层42，从而获得磁记录层。此处，下部磁记录层41以及上部磁记录层42的膜厚分别在2～8nm的范围内变化。

接着，在Ar气体气氛中通过使用碳靶的DC磁控溅射法形成膜厚2nm的碳保护层50。在形成保护层50之后，从溅射装置中取出层叠体。

最后，利用浸涂法来涂布全氟聚醚以形成膜厚2nm的液体润滑层，从而获得磁记录介质。

(实施例2)

除了使用混合Fe₅₀Pt₅₀以及TiO₂的75体积％(Fe₅₀Pt₅₀)-25体积％TiO₂靶，形成由Fe₅₀Pt₅₀-TiO₂构成的上部磁记录层42以外，重复与实施例1相同的步骤，从而获得磁记录介质。本实施例中，下部磁记录层41以及上部磁记录层42的膜厚也分别在2～8nm的范围内变化。

(比较例1)

除了没有形成上部磁记录层42(Fe₅₀Pt₅₀-SiO₂层或者Fe₅₀Pt₅₀-TiO₂层)、以及下部磁记录层41(Fe₅₀Pt₅₀-C层)的膜厚在2～12nm的范围内变化以外，重复实施例1的步骤，从而获得具有单层结构的磁记录层的磁记录介质。

(比较例2)

除了没有形成下部磁记录层41(Fe₅₀Pt₅₀-C层)、以及上部磁记录层42(Fe₅₀Pt₅₀-SiO₂层)的膜厚在2～12nm的范围内变化以外，重复实施例1的步骤，从而获得具有单层结构的磁记录层的磁记录介质。

(比较例3)

除了没有形成下部磁记录层41(Fe₅₀Pt₅₀-C层)、以及上部磁记录层42(Fe₅₀Pt₅₀-TiO₂层)的膜厚在2～12nm的范围内变化以外，重复实施例2的步骤，从而获得具有单层结构的磁记录层的磁记录介质。

(评价)

利用安装有热辅助方式的磁记录头的市场有售的旋转支架，通过测定记录再生信号的信号杂音比(SNR)特性来评价磁记录介质，该热辅助方式的磁记录头包括发出波长785nm的光的激光器、光导波路径、以及用于产生近场光的散射体。

具体而言，在以5400rpm旋转的磁记录介质的半径R＝19mm的部分，固定头部磁场电流，在取得最大SNR的激光输出中进行1000kFCI处的记录，从而测定信号输出以及噪声输出。基于下式，根据测定到的记录信号输出以及噪声输出来求出SNR值(dB)。

SNR(dB)＝10×log[(信号输出)/(噪声输出)]

判定中，将SNR在12dB以上的磁记录介质判定为“良”，在10dB以上且小于12dB的磁记录介质判定为“可”、将小于10dB的磁记录介质判定为“不良”。在第一表(上部磁记录层42由Fe₅₀Pt₅₀-SiO₂形成的情况)以及第二表(上部磁记录层42由Fe₅₀Pt₅₀-TiO₂形成的情况)中表示磁记录介质的结构、SNR值以及判定结果。

[表1]

第一表：磁记录层的结构以及磁记录介质的评价

(上部磁记录层：Fe₅₀Pt₅₀-SiO₂)

[表2]

第二表：磁记录层的结构以及磁记录介质的评价

(上部磁记录层：Fe₅₀Pt₅₀-TiO₂)

根据第一表及第二表可知，具有层叠Fe₅₀Pt₅₀-C下部磁记录层41和Fe₅₀Pt₅₀-SiO₂上部磁记录层42而得到的磁记录层40的实施例1的磁记录介质以及具有层叠Fe₅₀Pt₅₀-C下部磁记录层41和Fe₅₀Pt₅₀-TiO₂上部磁记录层42而得到的磁记录层40的实施例2的磁记录介质都示出10dB以上的SNR，可判定为“良”或者“可”。与此相对，仅具有Fe₅₀Pt₅₀-C下部磁记录层41的单层的磁记录层的比较例1的磁记录介质、仅具有Fe₅₀Pt₅₀-SiO₂上部磁记录层42的单层的磁记录层的比较例2的磁记录介质、以及仅具有Fe₅₀Pt₅₀-TiO₂上部磁记录层42的单层的磁记录层的比较例3的磁记录介质都示出小于10dB的SNR，判定为“不良”。

标号说明

10 非磁性基体

20 散热层

30 籽晶层

40 磁记录层

41 下部磁记录层

42 上部磁记录层

41A、42A 磁性晶粒

41B、42B 非磁性部

50 保护层

Claims (6)

1.一种热辅助磁记录用的磁记录介质，其特征在于，

至少包括非磁性基体和磁记录层，

所述磁记录层具有下部磁记录层与上部磁记录层，

所述下部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒状结构，该非磁性部包围所述磁性晶粒，且由以碳为主要成分的材料构成，

所述上部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒状结构，该非磁性部包围所述磁性晶粒，且由从氮化硅、氧化钛、以及氮化钛所构成的组中选择的材料构成。

2.如权利要求1所述的热辅助磁记录用的磁记录介质，其特征在于，

所述下部磁记录层的磁性晶粒以及所述上部磁记录层的磁性晶粒由有序合金构成。

3.如权利要求2所述的热辅助磁记录用的磁记录介质，其特征在于，

所述有序合金是包含从Fe、Co以及Ni所构成的组中选择的至少一种元素和从Pt、Pd、Au以及Ir所构成的组中选择的至少一种元素的合金。

4.如权利要求3所述的热辅助磁记录用的磁记录介质，其特征在于，

所述有序合金从FePt、CoPt、FePd以及CoPd所构成的组中选择。

5.如权利要求1至4的任一项所述的热辅助磁记录用的磁记录介质，其特征在于，

在所述非磁性基体和所述磁记录层之间还包含从散热层以及籽晶层所构成的组中选择的一层或者多层。

6.如权利要求1至4的任一项所述的热辅助磁记录用的磁记录介质，其特征在于，

在所述磁记录层上还包括保护层。