CN104024997B - 带光学功能的静电电容方式触摸传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供低反射、厚度薄且窄边框化的带光学功能的静电电容方式触摸传感器。本发明是具备盖玻璃(2)和粘合在上述盖玻璃(2)的背面的静电电容方式的膜传感器部件(3)的静电电容方式触摸传感器，在上述盖玻璃(2)与上述膜传感器部件(3)之间具备偏光板(20)，而且上述膜传感器部件(3)具备：基体片，其包含λ/4相位差膜(6)，并且是透明的；透明导电膜(9)，其以具有中央窗部的电极图案以及外框部的细线布线电路图案(11)的方式分别形成在上述基体片的两面；和遮光性导电膜(12)，其分别层叠在上述透明导电膜(9)的上述细线布线电路图案(11)上。

Description

带光学功能的静电电容方式触摸传感器
技术领域
本发明是在安装于电子设备的液晶显示部上的盖玻璃的背面，粘合着膜传感器部件的静电电容方式触摸传感器，尤其涉及具有赋予圆偏光或相位差的光学功能的静电电容方式触摸传感器。
背景技术
目前，在电子设备显示窗的盖玻璃的背面粘合膜传感器部件而得的静电电容方式触摸传感器，隔着空气层配置到LCD(Liquid Crystal monitor)或OLED(Organic LightEmitting Diode)等的显示器上表面。此时，具有这样的问题：由于外光在空气层与膜传感器部件的界面、空气层与显示器的界面进行反射，从而降低显示器显示的对比度。
关于该反射的问题，可通过在盖玻璃与膜传感器部件之间追加偏光板来抑制50％的反射。即使将追加该偏光板后的触摸传感器配置在LCD时，只要使上述触摸传感器的偏光板的吸收轴与LCD一致，就不会降低LCD的亮度。
另外，如果在盖玻璃与膜传感器部件之间，以从盖玻璃侧依次追加偏光板、λ/4相位差膜即追加圆偏光过滤器的方式构成触摸传感器，则与仅追加偏光板相比，能够进一步抑制反射。
但是，按上述方式追加由偏光板、λ/4相位差膜构成的圆偏光过滤器的带圆偏光功能的静电电容方式触摸传感器，其厚度增加与圆偏光过滤器相应的量，结果，出现的新问题是组装了该触摸传感器的产品整体的厚度也会增加。因此，最近提出了如专利文献1的0071段所示的一种静电电容方式触摸传感器，具备：由2层方式的构造构成的膜传感器部件，即具有在上表面具备ITO等的第1导电性层的第1导电性膜和粘接在上述第1导电性层上且在上表面具备ITO等的第2导电性层的第2导电性膜；粘接在该膜传感器部件的上表面的偏光板以及盖玻璃，该静电电容方式触摸传感器使用λ/4相位差膜作为第2导电性膜的基体材料。因为在该专利文献1中记载的触摸传感器没有使λ/4相位差膜处于膜传感器部件上，而是兼用作膜传感器部件的导电性层用基体材料，所以能够提供薄型的带圆偏光功能的静电电容方式触摸传感器。
另外，一直以来，因为在隔着偏光太阳镜观察液晶画面时，会产生LCD侧的因偏光板角度而带来的上色以及透过率减少的问题，所以，作为其对策，专利文献2等公开了在偏光太阳镜与LCD之间配置λ/4相位差膜的技术。
专利文献1：日本特开2011-81810号公报
专利文献2：日本特开平03-174512号公报
发明内容
发明要解决的问题
在静电电容方式触摸传感器的市场中，需要的是上述的薄型化以及进一步的窄边框化(尽量增大可显示画面的中央窗部的尺寸，减小包围该窗部的外框部的尺寸)。但是，一般而言，触摸传感器的膜传感器部件中，形成在外框部的布线电路，基于采用银浆料的丝网印刷而成，所以追求窄边框化存在界限。
因此，本发明的目的是解决上述课题，提供发挥期望的光学功能并且组装产品的厚度较薄且窄边框化的带光学功能的静电电容方式触摸传感器。
解决问题的手段
根据本发明的第1方式，提供带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其具备盖玻璃和粘合在所述盖玻璃的背面的静电电容方式的膜传感器部件，其特征在于，所述膜传感器部件具备：基体片，其包含λ/4相位差膜，并且是透明的；透明导电膜，其以具有中央窗部的电极图案以及外框部的细线布线电路图案的方式分别形成在所述基体片的两面；以及遮光性导电膜，其分别层叠在所述透明导电膜的所述细线布线电路图案上。
根据本发明的第2方式，提供第1方式的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，在所述盖玻璃与所述膜传感器部件之间具备偏光板。
根据本发明的第3方式，提供第1方式或第2方式的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，所述膜传感器部件的所述基体片是单层的λ/4相位差膜。
根据本发明的第4方式，提供第1方式或第2方式的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，所述膜传感器部件的所述基体片是粘接着λ/4相位差膜与光学各向同性膜的层叠体。
根据本发明的第5方式，提供第2方式的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，在所述膜传感器部件与所述偏光板之间具备λ/2相位差膜。
根据本发明的第6方式，提供第2方式的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，所述膜传感器部件的所述基体片是粘接着λ/2相位差膜与λ/4相位差膜的层叠体，该层叠体的λ/2相位差膜配置在所述偏光板侧。
根据本发明的第7方式，提供第1～6方式中任意一项所述的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，所述膜传感器部件具备在形成有所述透明导电膜、所述遮光性导电膜的所述基体片的表面周缘部上形成的、由彩色抗蚀材料的曝光显影物构成的框状遮光层。
发明的效果
本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，因为膜传感器部件具备包含λ/4相位差膜的透明基体片，所以即使在隔着偏光太阳镜观察时也没有由于LCD侧的偏光板角度引起的上色以及透过率减少的问题。另外，还能够防止斜着观察时的干涉图案(条纹)。
本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，在盖玻璃与膜传感器部件之间具备偏光板，而且该膜传感器部件具备包含λ/4相位差膜的透明基体片，由上述偏光板和上述λ/4相位差膜构成圆偏光过滤器，所以能够阻断在空气层与膜传感器部件的界面、空气层与显示器的界面反射的外光，不会有降低显示器显示的对比度的问题。
另外，λ/4相位差膜不是在膜传感器部件上而是兼作膜传感器部件的导电性层用基体材料，所以能够实现薄型化。
此外，上述膜传感器部件具备包含λ/4相位差膜的透明基体片、以具有中央窗部的电极图案以及外框部的细线布线电路图案的方式分别形成在上述基体片的两面的透明导电膜、以及分别层叠在上述透明导电膜的上述细线布线电路图案上的遮光性导电膜，所以能够利用在光刻工序中获得的蚀刻抗蚀剂，对上述透明导电膜以及上述遮光性导电膜进行蚀刻，从而进行图案化。因此，能够获得细线布线电路的线宽以及间距较窄的、实现了窄边框化的带光学功能的静电电容方式触摸传感器。
附图说明
图1是示出本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的一实施例的分解剖视图。
图2是说明静电电容方式的膜传感器部件的电极图案以及细线布线电路图案的一例的图。
图3(a)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(b)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(c)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(d)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(e)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(f)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(g)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(h)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(i)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(j)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(k)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(l)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图3(m)是示出制造图1所示的膜传感器部件的工序的剖视图。
图4是说明在膜传感器部件的中央窗部形成的电极图案的形状以及配置方式的一例的俯视图。
图5是示出本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的其它实施例的分解剖视图。
图6是示出本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的其它实施例的分解剖视图。
图7是示出本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的其它实施例的分解剖视图。
图8是示出本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的其它实施例的分解剖视图。
图9是示出本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的其它实施例的分解剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本发明。图1是示出本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的一实施例的分解剖视图，图2是说明静电电容方式的膜传感器部件的电极图案以及细线布线电路图案的一例的图。图中，1表示带光学功能的静电电容方式触摸传感器，2表示盖玻璃，3表示膜传感器部件，4表示玻璃基板，5表示框状装饰层，6表示λ/4相位差膜，7表示中央窗部，8表示外框部，9表示透明导电膜，10表示电极图案，11表示细线布线电路图案，12表示遮光性导电膜，13表示端子部，14表示防锈功能层，15表示框状遮光层，20表示偏光板。此外，在附图的各个分解剖视图中，省略了将部件彼此粘接起来的粘结剂层而进行描述。
图1所示的带光学功能的静电电容方式触摸传感器1是带圆偏光功能的传感器，其具备：电子设备显示窗的盖玻璃2，其在透明的玻璃基板4的背面周缘部形成有由丝网印刷膜构成的框状装饰层5；以及静电电容方式的膜传感器部件3，其粘合在盖玻璃2的背面，静电电容方式触摸传感器1还在盖玻璃2与膜传感器部件3之间具有偏光板20。
电子设备显示窗的盖玻璃2配置在未图示的电子设备的显示器装置上，用于对其进行保护。
盖玻璃2的玻璃基板4例如可采用由无色透明的钠钙硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃、锂铝硅酸盐玻璃、石英玻璃、无碱玻璃和其它各种玻璃构成的透明玻璃板等。这样的玻璃基板4的板厚优选是0.3～0.7mm，更优选是0.4～0.55mm。当玻璃基板4的板厚是此范围时，所获得的本发明的盖玻璃2的强度、板厚以及重量的平衡良好，所以是优选的。另外，玻璃基板4不需要特别是平面状的基板，也可采用曲面状的玻璃基板。另外，作为反射导致的向玻璃面的射入的对策，可设置反射防止膜。另外，为了提高耐磨损性，可设置硬质覆膜。
盖玻璃2的框状装饰层5优选采用上色墨，该上色墨含有聚乙烯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酯类树脂、聚丙烯类树脂、聚氨酯类树脂、聚乙烯醇缩醛类树脂、聚酯型聚氨酯类树脂(ポリエステルウレタン系樹脂)或醇酸树脂等的树脂作为粘合剂，含有适当颜色的颜料或染料作为上色剂。
偏光板21根据需要在下述的偏光膜的单面或双面层叠保护层。作为偏光膜，例如可举出(i)在聚乙烯醇类膜、部分缩醛化聚乙烯醇类膜(部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム)、乙烯-醋酸乙烯共聚物类皂化膜、纤维素类膜这样的亲水性高分子膜上，使碘和/或双色性有机染料进行吸附取向而成的碘和/或双色性有机染料类偏光膜、(ii)对聚乙烯醇类膜进行脱水处理形成多烯后使其进行取向而成的多烯类偏光膜、(iii)对多烯氯乙烯膜进行脱盐酸处理形成多烯后使其进行取向而成的多烯类偏光膜等。这些膜通常使用具有10～80μm厚度的膜。保护层例如可由TAC(Triacetate Cellulose：三醋酸纤维素)膜等形成。
本发明的膜传感器部件3具备：透明的基体片，其由λ/4相位差膜6单层构成；透明导电膜9，其以具有中央窗部7的电极图案10以及外框部8的细线布线电路图案11的方式分别形成在基体片的两面；遮光性导电膜12，其以与细线布线电路图案11相同的宽度分别层叠在透明导电膜9的细线布线电路图案11上；防锈功能层14，其以覆盖端子部13以外的外框部8的方式分别层叠在形成有透明导电膜9以及遮光性导电膜12的基体片的两面；和框状遮光层15，其形成在形成有透明导电膜9、遮光性导电膜12以及防锈功能层14的基体片的表面周缘部，由彩色抗蚀材料的曝光显影物构成，该第二框状遮光层15的内缘与盖玻璃2的框状装饰层5的内缘相比，位于中央侧。
这里，针对形成在膜传感器部件3的中央窗部7上的电极图案10，说明一例。该电极图案10正反的图案不同。例如，在自身静电电容(Self Capacitance)方式的膜传感器部件的情况下，如图4所示，在基体片(λ/4相位差膜6)的背面，具备在俯视时具有菱形形状的菱形电极46和在图中纵向(Y方向)贯通多个该菱形电极46的连接配线469。多个菱形电极46与连接配线469相互电连接。另外，将这样的连接配线469以及被其贯通的多个菱形电极46作为一组，这一组在图中横方向(X方向)上反复排列。另一方面，与此相同，在基体片(λ/4相位差膜6)的正面具备多个菱形电极47和贯通它们的连接配线479。但在此情况下，连接配线479的延伸方向与连接配线469的延伸方向不同，是图中横方向(X方向)。另外，与此相伴，由连接配线479以及被其贯通的多个菱形电极47构成的一组反复排列的方向是图中纵方向(Y方向)。并且，由图4可知，菱形电极46被配置为填入多个连接配线479之间的间隙，另一方面，菱形电极47被配置为填入多个连接配线469之间的间隙。在图4中，菱形电极46与菱形电极47的配置关系是互补的。即，多个菱形电极47被排列成填入在将菱形电极46排列成矩阵状时产生的菱形形状的间隙。
这样，X方向电极以及Y方向电极被配置成在俯视时呈格子的形状，所以只要用户的手指等隔着盖玻璃2接触到该格子上的任一位置(例如，虚线圆标记FR的位置)，则在该手指等与其接触的X方向电极之间形成电容器，并且，在该手指等与其接触的Y方向电极之间形成电容器。通过形成该电容器，该X方向电极以及Y方向电极的静电电容增大。外部电路的位置检测部检测在这样的情况下产生的静电电容的变化量、或者进而检测具有最大静电电容的X方向电极以及Y方向电极，可作为特定值即X坐标值以及Y坐标值的组来获知与中央窗部7内的哪里接触。
以下，详细说明获得具有上述结构的膜传感器部件3的方法。
<透明导电膜9的图案化>
首先，在由λ/4相位差膜6单层构成的基体片的正反两面上分别依次整面地形成透明导电膜9、9、遮光性导电膜12、12、第一光抗蚀层16、16来获得导电性片(参照图3(a))，之后，正反分别载置期望图案的掩模17，进行曝光(参照图3(b))/显影，使第一光抗蚀层16图案化。此外，图3(b)所示的掩模17的位置表示第一光抗蚀层16为负型(若曝光，则相对于显影液，溶解性降低，在显影后保留曝光部分)的情况。在为正型(若曝光，则相对于显影液，溶解性增大，去除曝光部分)的情况下，利用掩模遮光的部分变为相反。
作为获得赋予λ/4相位差的膜的制法，例如可举出下述方法：通过使光弹性常数是70×10-12Pa-1以下的高分子构成的膜进行单轴延伸(或者，逐次或同时进行二轴延伸)，使高分子膜自身显现λ/4相位差的方法；或在光弹性常数是70×10-12Pa-1以下的高分子膜上设置使得显现λ/4相位差的化合物层(例如由高分子液晶构成的层)。
这里，所谓赋予λ/4相位差是在理想状态下对可见光区域的全部波长赋予λ/4相位差的意思。但是，只要波长550nm中的相位差是λ/4，即使其它波长中的相位差稍微偏离λ/4，在实际应用中也没有问题。波长550nm中的延迟(retardation)值(Δnd)优选是125～150nm，更优选是131～145nm。
透明导电膜9可举出由铟锡氧化物、锌氧化物等金属氧化物等构成的层，优选由真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀金法等形成。另外，透明导电膜9以几十～几百nm左右的厚度形成，且需要在三氯化铁等的溶液中容易与遮光性导电膜12一起蚀刻，但在酸性环境下的双氧水等遮光性导电膜12的蚀刻液中不容易蚀刻。另外，优选表现出80％以上的光线透过率、几mΩ至几百Ω的表面电阻值。
遮光性导电膜12可举出导电率高且遮光性良好的单一金属膜或者由它们的合金或化合物等构成的层，优选利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀金法等形成。另外，遮光性导电膜12还需要存在使得透明导电膜9不被蚀刻但遮光性导电膜12自身被蚀刻的蚀刻剂。作为其优选的金属的例子，可举出铝、镍、铜、银、锡等。特别是由铜箔构成的厚度20～1000nm的金属膜，在导电性、遮光性方面良好，即使在透明导电膜不被蚀刻的酸性环境下，也能够利用双氧水容易地进行蚀刻，所以非常优选。更优选厚度30nm以上。最优选设为100～500nm。其原因是通过设为100nm以上的厚度，可获得高导电性的遮光性导电膜12，通过设为500nm以下的厚度，可获得容易使用且加工性良好的遮光性导电膜12。
第一光抗蚀层16由可利用高压水银灯、超高压水银灯、激光光线或金属卤化物灯等进行曝光并利用碱溶液等进行显影的厚度10～20μm的丙烯酸类光抗蚀材料等构成。第一光抗蚀层16的形成方法除了凹版、丝网、胶印等通用的印刷法之外，还可以在利用各种涂布机的方法、涂装或浸涂等方法、干膜抗蚀剂法等各种方法整面形成之后进行曝光/显影来构图，其中更优选干膜抗蚀剂(dry film resist)法。
干膜抗蚀剂法使用的干膜抗蚀剂(DFR)，是利用基膜和盖膜夹住作为上述各个光抗蚀层的感光层而得的膜。上述的印刷法、涂层法、涂装法等仅仅能够进行单面涂层，从而具有效率差等问题，与此相对，干膜抗蚀剂法是在剥离盖膜之后利用加热辊粘接感光层的方法，因此生产性高且能应对多样的需求，从而成为主流。此外，通常，从基膜上配置掩模进行曝光(未图示)，在剥离基膜之后进行显影。作为干膜抗蚀剂的基膜，可采用由聚对苯二甲酸乙二醇酯等构成的膜。另外，作为干膜抗蚀剂的盖膜，可采用由聚乙烯等构成的膜。
在本发明中，在曝光时，遮光性导电膜12遮挡相对侧的面的曝光光线32，所以即使同时以不同的掩模图案进行曝光，也不会给相对侧的第一光抗蚀层16的图案带来影响。因此，能够两面同时进行曝光，所以容易进行第一光抗蚀层16的正反的定位，从而能够在一次的工序中进行两面图案化，使生产性提高。
此外，正掩模以及反掩模的对准可使用两面曝光装置的公知的掩模对准方法。例如是如下这样的方法：在正掩模以及反掩模上分别形成掩模用对准标记，通过照相机等光学性读入的传感器读取一对掩模用对准标记彼此间的重叠状态，获得正掩模以及反掩模的相对位置信息。然后，掩模位置调整机构根据所获得的位置信息，使正掩模以及反掩模相对地进行移动，以使一对掩模用对准标记彼此对准中心而重合，由此进行正掩模以及反掩模的对准。
接着，利用三氯化铁等的蚀刻液同时蚀刻透明导电膜9、9以及遮光性导电膜12、12，去除没有层叠已图案化的第一光抗蚀层16、16的部分的透明导电膜9、9以及遮光性导电膜12、12，由此在基体片两面的中央窗部7分别形成没有位置偏移地层叠有透明导电膜9、9以及遮光性导电膜12、12的电极图案10，并且在基体片两面的外框部8分别形成没有位置偏移地层叠有透明导电膜9、9以及遮光性导电膜12、12的细线布线电路图案11(参照图3(c))。
因为利用在光刻工序中精细地进行图案化的第一光抗蚀层16、16来蚀刻透明导电膜9、9以及遮光性导电膜12、12，所以能够使细线布线电路的线宽以及间距变窄。例如，可形成线宽为1mm以下的细线布线电路。
<去除不需要的遮光性导电膜12>
接着，在利用抗蚀剂剥离液对第一光抗蚀层16、16进行剥离而使遮光性导电膜12、12露出后，在两面上整面地形成第二光抗蚀层18、18(参照图3(d))。然后，载置掩模19、19进行曝光(参照图3(e))/显影后，使第二光抗蚀层18进行图案化(参照图3(f))。此外，图3(e)所示的掩模19的位置，表示第二光抗蚀层18为负型(若被曝光，则溶解性相对于显影液降低，在显影后保留曝光部分)的情况。另外，第二光抗蚀层18的材料以及形成方法可以是与第一光抗蚀层16同样的材料以及形成方法。
然后，利用进行了酸化的过氧化氢等的特殊蚀刻液进行蚀刻，仅去除没有层叠已图案化的第二光抗蚀层18、18的部分的遮光性导电膜12、12，由此在基体片两面的中央窗部7以及外框部8内的端子部25中分别露出透明导电膜9、9(参照图3(g)以及图2)。
另外，如果透明导电膜9是非结晶的材料，则优选在该蚀刻之前利用热处理等方法使其结晶化。这是因为通过结晶化使蚀刻耐性提高，能够更容易地选择性地仅蚀刻遮光性金属膜12。
<防锈功能层14的形成>
然后，利用抗蚀剂剥离液对第二光抗蚀层18、18进行剥离，使以与细线布线电路图案11同一宽度层叠在细线布线电路图案11上的遮光性导电膜12、12露出之后，整面地形成具有防锈性的第三光抗蚀层28、28(参照图3(h))。然后，载置掩模29、29进行曝光(参照图3(i))/显影，使第三光抗蚀层28、28图案化，将其作为防锈功能层14、14(参照图3(j))。此外，图3(i)所示掩模29的位置表示第三光抗蚀层28为负型(若被曝光，则溶解性相对于显影液降低，在显影后保留曝光部分)的情况。
具有防锈性的第三光抗蚀层28可采用在与第一光抗蚀层16同样的光抗蚀材料中添加防锈剂而得到的材料，或者采用上述的光抗蚀材料中的防锈性良好的材料。另外，第三光抗蚀层28的形成方法可以是与第一光抗蚀层16同样的形成方法。作为该防锈剂可使用已经作为防锈剂被公知采用的材料，作为具体例，可采用例如咪唑、三唑、苯并三唑、苯并咪唑、苯并噻唑、吡唑等。还可以举出它们的卤素、烷基、苯基置换体等的单环或多环式的吡咯系、苯胺等芳香族胺系、烷基胺等脂肪族胺、它们的盐等，另外，无需特别限定为以上记载的材料。
由于这样地形成防锈功能层14，所以即使来自外部的腐蚀液侵入或者在高温高湿等的环境试验下，布线电路中也不会发生腐蚀，从而能够维持电气特性。
<框状遮光层15的形成>
最后，仅在表面上整面地形成由彩色抗蚀材料构成的第四光抗蚀层30(参照图3(k))。然后，载置掩模31、31进行曝光(参照图3(l))/显影，使第四光抗蚀层30图案化，将其作为框状遮光层15(参照图3(m))。此外，图3(l)所示掩模31的位置表示第四光抗蚀层30为负型(若被曝光，则溶解性相对于显影液降低，在显影后保留曝光部分)的情况。
由于框状遮光层15通过图3(k)～图3(m)所示的光工艺形成，所以内缘的直线性非常良好。通过构成为使该框状遮光层15的内缘比利用丝网印刷形成的盖玻璃2的框状装饰层5的内缘更位于中央侧，获得透过盖玻璃2观察的显示画面的轮廓显得鲜明的效果。此外，框状遮光层15的内缘间尺寸与框状装饰层5的内缘间尺寸之差优选为0.1mm～0.3mm。当小于0.1mm时，由于框状装饰层5的印刷误差或粘合误差，有可能产生框状遮光层15未露出的边，当超过0.3mm时，不易实现窄边框化。
第四光抗蚀层30采用的彩色抗蚀材料可应用与构成用于液晶显示的滤色器的RGB以及黑矩阵(black matrix)等的抗蚀剂同样的材料。另外，第四光抗蚀层30的形成方法可以是与第一光抗蚀层16同样的形成方法。
在本发明中用于将部件彼此粘接起来的未图示的粘结剂层优选是在光学方面透明的粘结剂(optically clear adhesive：透明胶带；OCA)层。
以上，说明了带光学功能的静电电容方式触摸传感器的一实施例，但本发明不限于此。例如，基体片不限于图示的由λ/4相位差膜6单层构成的情况，也可将粘接着λ/4相位差膜6和光学各向同性膜21的层叠体作为基体片(参照图5)。在利用λ/4相位差膜6单层构成基体片的情况下，能够减少粘接层的层数，所以可降低漏光的可能性。
作为光学各向同性膜21，例如可举出延迟(Δnd)值为30nm以下的聚碳酸酯类树脂、聚砜、聚醚砜、聚芳砜等聚砜类树脂、聚烯烃类树脂、三乙酸纤维素等醋酸酯类树脂、聚芳酯类树脂等的膜，厚度是10～200μm。
作为λ/4相位差膜6与光学各向同性膜21的层叠手段，可举出经由粘结剂层的干层压等。无论在以下时机的哪个时机，都可进行λ/4相位差膜6与光学各向同性膜21的层叠，这些时机是在λ/4相位差膜6以及光学各向同性膜21上形成透明导电膜9之后、在层叠遮光性导电膜12之后、或在层叠第一光抗蚀层16之后。
另外，本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器1，可以在将上述λ/4相位差膜6单层作为基体片的膜传感器部件3与上述偏光板20之间具备λ/2相位差膜22(参照图6)。在此情况下，因为作为层叠体整体，赋予宽带性良好的λ/4相位差，所以是优选的。
作为获得赋予λ/2相位差的膜的制法，例如可举出通过使由光弹性常数是70×10-12Pa-1以下的高分子构成的膜进行单轴延伸(或者，逐次或同时进行二轴延伸)，使高分子膜自身显现λ/2相位差的方法、或在光弹性常数是70×10-12Pa-1以下的高分子膜上设置使λ/2相位差显现的化合物层(例如由高分子液晶构成的层)的方法。
另外，本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器1，可在膜传感器部件3与上述偏光板20之间，具有λ/2相位差膜22，该膜传感器部件3将粘接着上述λ/4相位差膜6和光学各向同性膜21的层叠体作为基体片(参照图7)。
另外，本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器1也可为下述形式，上述膜传感器部件3的上述基体片，是粘接着λ/2相位差膜22和λ/4相位差膜6的层叠体，该层叠体的λ/2相位差膜22配置在上述偏光板20侧(参照图8)。
作为λ/2相位差膜22与λ/4相位差膜6的层叠手段，可举出经由粘结剂层的干层压等。无论在以下时机的哪个时机，都可进行λ/2相位差膜22与λ/4相位差膜6的层叠，这些时机是在λ/2相位差膜22以及λ/4相位差膜6上形成透明导电膜9之后、在层叠遮光性导电膜12之后、或在层叠第一光抗蚀层16之后。
另外，本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器1也可省略防锈功能层14，还可省略框状遮光层15。
另外，在本发明的带光学功能的静电电容方式触摸传感器中，可使表面侧的防锈功能层成为由彩色抗蚀材料的曝光显影物构成的结构，使其兼作框状遮光层15。
另外，在图2、图4中示出了自身静电电容(Self Capacitance)方式的膜传感器部件的电极图案，但不限于此，也可形成相互静电电容(Mutual Capacitance)方式的电极。
以上，说明了在盖玻璃2与膜传感器部件3之间具有偏光板20的以圆偏光功能为目的的触摸传感器，但如图9所示，也可以是不具备偏光板20的仅以相位差赋予功能(具体地说是条纹(fringe)对策或应对偏光太阳镜)为目的的触摸传感器。此外，以条纹对策或应对偏光太阳镜为目的而赋予的相位差优选是80～120nm，最好是100nm。另外，当考虑到电极图案的形成精度即尺寸稳定性时，对相位差膜实施预退火(pre-annealing)处理，优选140℃×90℃下的加热收缩率为0.1％以下。另外，此时的各个构成要素及其形成方法除了存在偏光板20之外都是相同的，因此省略说明。
《实施例1》
将厚度200μm的λ/4相位差膜作为基体片，在其两面利用溅射法以200nm的厚度形成由铟锡氧化物构成的膜作为透明导电膜，在其上利用溅射法以500nm的厚度形成铜膜作为遮光性导电膜，从而准备了导电性膜。然后，采用具备能够利用1％碳酸钠溶液进行显影的负型的丙烯酸类感光层的干膜抗蚀剂，在上述导电性膜的两个面分别整面地形成厚度10nm的第一光抗蚀层，在正侧载置具有X方向的电极图案的掩模，在反侧载置具有Y方向的电极图案的掩模，利用金属卤化物灯对正反两面同时进行曝光，浸入1％碳酸钠溶液而进行了显影。
接着，在利用三氯化铁的蚀刻液同时蚀刻去除没有层叠该图案化的第一光抗蚀层的部分的铟锡氧化物膜以及铜膜之后，在由λ/4相位差膜构成的基体片的中央窗部正面露出地形成X方向的电极图案，在其反侧露出地形成Y方向的电极图案，在包围该中央窗部的外框部，在正反两面露出地形成平均线宽20μm的细线引导图案。
接着，在第一光抗蚀层剥离之后，采用具备能够利用1％碳酸钠溶液进行显影的负型的丙烯酸类感光层的干膜抗蚀剂，在两面分别整面地形成厚度10nm的第二光抗蚀层，在其上，在正侧以及反侧的除了端子部以外的外框部载置掩模，利用金属卤化物灯在正反两面同时进行曝光，浸入1％碳酸钠溶液而进行了显影。
然后，当浸入酸性环境下的双氧水时，露出的中央窗部所露出的铜膜被蚀刻去除，仅剩下在其下方形成的铟锡氧化物膜。
接着，在第二光抗蚀层剥离后，采用能够利用1％碳酸钠溶液进行显影且作为防锈剂添加了苯并咪唑而成的负型的丙烯酸类感光层的干膜抗蚀剂，在两面分别整面地形成厚度10nm的第三光抗蚀层，在其上，在除了端子部以外的外框部载置掩模，利用金属卤化物灯对正反两面同时进行曝光，浸入1％碳酸钠溶液而进行了显影，将剩下的第三光抗蚀层作为防锈功能层。
接着，采用具备能够利用1％碳酸钠溶液进行显影且由黑色的彩色抗蚀材料构成的负型的丙烯酸类感光层的干膜抗蚀剂，仅在正面整面地形成厚度5μm的第四光抗蚀层，在其上，载置掩模，利用金属卤化物灯仅对正面进行曝光，浸入1％碳酸钠溶液而进行了显影，将剩下的黑色第四光抗蚀层作为框状遮光层，然后，切割出一个膜传感器部件。
另一方面，在由厚度0.7mm的硼硅酸类玻璃构成的玻璃基体片的背面周缘部，采用黑色墨，利用丝网印刷，形成厚度7μm的框状装饰层，获得了盖玻璃。
另外，在含有碘作为偏光元素的单轴延伸聚乙烯醇膜的两面上经由粘结剂粘合三醋酸酯膜(Triacetate film)而获得了厚度150μm的偏光板20。
最后，以在中间夹着偏光板的方式利用盖玻璃背面的粘结剂粘合上述的膜传感器部件和偏光板，得到了带光学功能的静电电容方式触摸传感器。
《实施例2》
在厚度200μm的PC膜的单面，利用溅射法以200nm的厚度形成由铟锡氧化物构成的膜作为透明导电膜，在其上利用溅射法以500nm的厚度形成铜膜作为遮光性导电膜，从而准备了第1导电性膜。另外，在厚度200μm的λ/4相位差膜的单面，利用溅射法以200nm的厚度形成由铟锡氧化物构成的膜作为透明导电膜，在其上利用溅射法以500nm的厚度形成铜膜作为遮光性导电膜，从而准备了第2导电性膜。然后，采用粘结剂对第1以及第2导电性膜进行层压，获得在基体片的两面分别层叠着透明导电膜以及遮光性导电膜的层叠体，除此以外，都与实施例1相同。
《实施例3》
除了在膜传感器部件与偏光板之间夹设着厚度200μm的λ/2相位差膜以外，都与实施例1相同。
《实施例4》
除了在膜传感器部件与偏光板之间夹设厚度200μm的λ/2相位差膜以外，都与实施例2相同。
《实施例5》
除了采用厚度200μm的λ/2相位差膜取代第1导电性膜的PC膜以外，都与实施例2相同。
《实施例6》
除了在膜传感器部件与盖玻璃之间未夹入偏光板以外，都与实施例1相同。
无论哪个实施例中的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，都能够在发挥既定目的的光学功能的同时实现组装产品的厚度较薄及窄边框化。
工业上的可利用性
本发明是在PDA、简便终端等便携信息终端、复印机、传真机等OA设备、智能手机、便携电话机、便携游戏设备、电子词典、汽车导航系统、小型PC、数字照相机、摄像机、便携型MD(PMD)等电子设备的液晶显示部上安装的带光学功能的静电电容方式触摸传感器的发明。
标号说明
1 带光学功能的静电电容方式触摸传感器
2 盖玻璃
3 膜传感器部件
4 玻璃基板
5 框状装饰层
6 λ/4相位差膜
7 中央窗部
8  外框部
9  透明导电膜
10 电极图案
11 细线布线电路图案
12 遮光性导电膜
13 端子部
14 防锈功能层
15 框状遮光层
16 第一光抗蚀层
17 掩模
18 第二光抗蚀层
19 掩模
20 偏光板
21 光学各向同性膜
22 λ/2相位差膜
28 第三光抗蚀层
29 掩模
30 第四光抗蚀层
31 掩模
32 曝光光线
46、47 菱形电极
469、479 连接配线

Claims (7)

1.一种带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其具备盖玻璃和粘合在所述盖玻璃的背面的静电电容方式的膜传感器部件，其特征在于，
所述膜传感器部件具备：
基体片，其包含λ/4相位差膜，并且是透明的；
透明导电膜，其以具有中央窗部的电极图案以及外框部的细线布线电路图案的方式分别形成在所述基体片的两面；以及
遮光性导电膜，其分别层叠在所述透明导电膜的所述细线布线电路图案上。
2.根据权利要求1所述的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，
在所述盖玻璃与所述膜传感器部件之间具备偏光板。
3.根据权利要求1或2所述的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，
所述膜传感器部件的所述基体片是单层的λ/4相位差膜。
4.根据权利要求1或2所述的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，
所述膜传感器部件的所述基体片是粘接着λ/4相位差膜与光学各向同性膜的层叠体。
5.根据权利要求2所述的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，
在所述膜传感器部件与所述偏光板之间具备λ/2相位差膜。
6.根据权利要求2所述的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，
所述膜传感器部件的所述基体片是粘接着λ/2相位差膜与λ/4相位差膜的层叠体，该层叠体的λ/2相位差膜配置在所述偏光板侧。
7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的带光学功能的静电电容方式触摸传感器，其中，
所述膜传感器部件具备在形成有所述透明导电膜、所述遮光性导电膜的所述基体片的表面周缘部上形成的、由彩色抗蚀材料的曝光显影物构成的框状遮光层。
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