JP4967780B2 - 座標入力装置及び表示装置 - Google Patents
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Description
本発明は、例えばタッチパネルなどの座標入力装置及び表示装置に関するものである。
近年、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant：携帯情報端末機）やノート型パーソナルコンピュータなどの小型情報電子機器の普及に伴い、表示画面上に指やペンなどの物体を接触させることにより入力操作を行う、いわゆるタッチパネル機能が付加された表示装置が広く利用されている。このようなタッチパネルにおいて、指などの接触位置を検出する方法として静電容量方式がある。静電容量方式は、人間が指で表示面に触れることによって形成された静電容量を介して微弱な電流を流し、この電流量から接触位置の検出を行う方式である。ここで、静電容量方式では、平面状に形成された検出電極と検出電極上に積層された誘電体膜とを用いており、誘電体膜を指などで触れることで静電容量を形成している。
静電容量方式を用いたタッチパネルでは、二次元座標を検出する方法として、Ｘ座標を求めるための検出電極とＹ座標を求めるための検出電極とを用いてＸ座標及びＹ座標をそれぞれ求める方法がある（例えば、特許文献１から３参照）。
特開２０００−８１６１０号公報
特開１９９３−１９２３３号公報
米国特許６２８８７０７号明細書
しかしながら、上記従来の座標入力装置においても、以下の課題が残されている。すなわち、電気的な絶縁状態を確保するため、Ｘ座標を求めるための検出電極とＹ座標を求めるための検出電極とを絶縁膜を介した異なる層上に形成したり、絶縁膜を介した異なる２層上に配線を形成したりすることで立体的に交差させている。そのため、絶縁膜の上下層に検出電極や配線を形成する必要があり、少なくとも３層構造となる。したがって、製造工程が複雑になるという問題がある。
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、製造工程の簡略化が可能な座標入力装置及び表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる座標入力装置は、基板上の検出領域内で平面状に配置された複数の検出電極と、該複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の引廻配線と、前記複数の検出電極を被覆する被覆膜と、該被覆膜を介して前記複数の検出電極と被検出物との間に形成される静電容量の変化を検出する検出手段と、該検出手段の検出結果から前記静電容量の形成位置を算出する算出手段とを備え、前記複数の検出電極が、前記検出領域内の第１方向に沿って形成されると共に、該第１方向と交差する第２方向に沿って配列され、隣り合う一対の前記検出電極により検出電極対を複数構成し、該検出電極対を構成する前記一対の検出電極の一方の幅と他方の幅との比率が、前記第１方向に沿って変化し、前記複数の引廻配線のそれぞれが、前記検出電極のうち前記第１方向のいずれかの端部に接続されると共に、前記複数の検出電極と同層上に形成されており、前記複数の検出電極の外形が、それぞれ合同であり、前記検出電極対を構成する前記一方の検出電極の幅が、前記第１方向で一方から他方に向かうにしたがって小さくなり、前記他方の検出電極の幅が、前記第１方向で一方から他方に向かうにしたがって大きくなっており、前記複数の検出電極の前記第１方向に沿う一対の側辺が、直線状であり、前記複数の検出電極が、前記検出電極対を構成する前記一方の検出電極と該一方の検出電極と隣り合う他の前記検出電極対を構成する前記他方の検出電極とにより補正検出電極対を構成し、前記算出手段が、前記一方の検出電極での前記静電容量の変化量の和と、前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量の和とに基づいて、前記第１方向での前記検出位置である第１座標を算出する第１座標算出手段と、前記各検出電極対での前記静電容量の変化量と、前記一方の検出電極及び該一方の検出電極と隣り合う他の前記検出電極対を構成する前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量と、前記第１座標とから、前記第２方向での前記検出位置である第２座標を算出する第２座標算出手段とを備え、前記第２座標算出手段は、前記検出電極対の幅方向の中心線に対する前記補正検出電極対の幅方向の中心線の傾きに基づいて補正した前記第１座標を用いて前記第２座標を算出することを特徴とする。
本発明にかかる座標入力装置は、基板上の検出領域内で平面状に配置された複数の検出電極と、該複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の引廻配線と、前記複数の検出電極を被覆する被覆膜と、該被覆膜を介して前記複数の検出電極との間に形成される静電容量の変化を検出する検出手段と、該検出手段の検出結果から前記静電容量の形成位置を算出する算出手段とを備え、前記複数の検出電極が、前記検出領域内の第１方向に沿って形成されると共に、該第１方向と交差する第２方向に沿って配列され、隣り合う一対の前記検出電極により検出電極対を複数構成し、該検出電極対を構成する前記一対の検出電極の一方の幅と他方の幅との比率が、前記第１方向に沿って変化し、前記複数の引廻配線のそれぞれが、前記検出電極のうち前記第１方向のいずれかの端部に接続されると共に、前記複数の検出電極と同層上に形成されていることを特徴とする。
本発明にかかる座標入力装置は、基板上の検出領域内で平面状に配置された複数の検出電極と、該複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の引廻配線と、前記複数の検出電極を被覆する被覆膜と、該被覆膜を介して前記複数の検出電極との間に形成される静電容量の変化を検出する検出手段と、該検出手段の検出結果から前記静電容量の形成位置を算出する算出手段とを備え、前記複数の検出電極が、前記検出領域内の第１方向に沿って形成されると共に、該第１方向と交差する第２方向に沿って配列され、隣り合う一対の前記検出電極により検出電極対を複数構成し、該検出電極対を構成する前記一対の検出電極の一方の幅と他方の幅との比率が、前記第１方向に沿って変化し、前記複数の引廻配線のそれぞれが、前記検出電極のうち前記第１方向のいずれかの端部に接続されると共に、前記複数の検出電極と同層上に形成されていることを特徴とする。
この発明では、検出電極と引廻配線とを同層上に形成することで、製造工程が簡略化する。すなわち、第１方向に沿って形成された検出電極の第１方向における端部において、検出電極と引廻配線とを接続することで、複数の検出電極から引き廻された引廻配線同士を交差させる必要がなくなる。したがって、検出電極及び引廻配線を同層上に形成でき、製造工程の簡略化及び製造コストの削減が図れる。
ここで、検出電極対を構成する２つの検出電極の幅の比率を第１方向に沿って変化させることで、指などの接触により静電容量が形成されたとき、検出電極対を構成する一方の検出電極で検出される静電容量の変化量と他方の検出電極で検出される静電容量の変化量との比率が静電容量の形成位置に応じて変化する。そして、算出手段は、この検出結果の違いから、第１方向における静電容量の形成位置を算出する。また、第２方向に沿って帯状の複数の検出電極対を配置することで、静電容量が形成されたとき、検出電極対ごとで検出される変化量の比率が静電容量の形成位置に応じて変化する。そして、算出手段は、この検出結果の違いから、第２方向における静電容量の形成位置を算出する。このようにして、算出手段は、静電容量の形成位置に応じた二次元座標を算出する。
ここで、検出電極対を構成する２つの検出電極の幅の比率を第１方向に沿って変化させることで、指などの接触により静電容量が形成されたとき、検出電極対を構成する一方の検出電極で検出される静電容量の変化量と他方の検出電極で検出される静電容量の変化量との比率が静電容量の形成位置に応じて変化する。そして、算出手段は、この検出結果の違いから、第１方向における静電容量の形成位置を算出する。また、第２方向に沿って帯状の複数の検出電極対を配置することで、静電容量が形成されたとき、検出電極対ごとで検出される変化量の比率が静電容量の形成位置に応じて変化する。そして、算出手段は、この検出結果の違いから、第２方向における静電容量の形成位置を算出する。このようにして、算出手段は、静電容量の形成位置に応じた二次元座標を算出する。
また、本発明の座標入力装置は、前記複数の検出電極の外形が、それぞれ合同であり、前記検出電極対を構成する前記一方の検出電極の幅が、前記第１方向で一方から他方に向かうにしたがって小さくなり、前記他方の検出電極の幅が、前記第１方向で一方から他方に向かうにしたがって大きくなることが好ましい。
この発明では、検出電極の形状を同一とすることで、算出手段による二次元座標の検出を容易に行うことができる。
この発明では、検出電極の形状を同一とすることで、算出手段による二次元座標の検出を容易に行うことができる。
また、本発明の座標入力装置は、前記複数の検出電極の前記第１方向に沿う一対の側辺が、直線状であることが好ましい。
この発明では、側辺を直線状にすることで複数の検出電極を密に配置できる。これにより、算出手段による二次元座標の検出精度が向上する。
この発明では、側辺を直線状にすることで複数の検出電極を密に配置できる。これにより、算出手段による二次元座標の検出精度が向上する。
また、本発明の座標入力装置は、前記一対の側辺は、一方が前記第１方向と平行であると共に、他方が前記第１及び第２方向から傾いており、前記検出電極対を構成する前記一対の検出電極は、前記他方の側辺が対向配置されていることが好ましい。
この発明では、検出電極対の外形が、第１方向と平行である一対の辺を有するほぼ等幅の帯状になる。これにより、第２方向における静電容量の形成位置の算出が容易になると共にその検出精度が向上する。ここで、第１及び第２方向が互いに直交する場合には、検出電極対の外形がほぼ矩形状になる。
この発明では、検出電極対の外形が、第１方向と平行である一対の辺を有するほぼ等幅の帯状になる。これにより、第２方向における静電容量の形成位置の算出が容易になると共にその検出精度が向上する。ここで、第１及び第２方向が互いに直交する場合には、検出電極対の外形がほぼ矩形状になる。
また、本発明の座標入力装置は、前記算出手段が、前記一方の検出電極での前記静電容量の変化量の和と、前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量の和とに基づいて、前記第１方向での前記検出位置である第１座標を算出する第１座標算出手段と、前記各検出電極対での前記静電容量の変化量から、前記第２方向での前記検出位置である第２座標を算出する第２座標算出手段とを備えることとしてもよい。
この発明では、第１座標算出手段が、検出電極対を構成する一対の検出電極の一方で検出される静電容量と他方で検出される静電容量の変化量の比率から、第１方向における静電容量の形成位置である第１座標を算出する。また、第２座標算出手段が、各検出電極対で検出される静電容量の変化量の比率から、第２方向における静電容量の形成位置である第２座標を算出する。
この発明では、第１座標算出手段が、検出電極対を構成する一対の検出電極の一方で検出される静電容量と他方で検出される静電容量の変化量の比率から、第１方向における静電容量の形成位置である第１座標を算出する。また、第２座標算出手段が、各検出電極対で検出される静電容量の変化量の比率から、第２方向における静電容量の形成位置である第２座標を算出する。
また、本発明の座標入力装置は、前記複数の検出電極が、前記検出電極対を構成する前記一方の検出電極と該一方の検出電極と隣り合う他の前記検出電極対を構成する前記他方の検出電極とにより補正検出電極対を構成し、前記算出手段が、前記一方の検出電極での前記静電容量の変化量の和と、前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量の和とに基づいて、前記第１方向での前記検出位置である第１座標を算出する第１座標算出手段と、前記各検出電極対での前記静電容量の変化量と、前記一方の検出電極及び該一方の検出電極と隣り合う他の前記検出電極対を構成する前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量と、前記第１座標とから、前記第２方向での前記検出位置である第２座標を算出する第２座標算出手段とを備えることとしてもよい。
この発明では、各検出電極対での静電容量の変化量に加えて、補正検出電極対での静電容量の変化量に第１座標の値を考慮して第２座標を算出することで、第２座標の算出精度が向上する。
この発明では、各検出電極対での静電容量の変化量に加えて、補正検出電極対での静電容量の変化量に第１座標の値を考慮して第２座標を算出することで、第２座標の算出精度が向上する。
また、本発明の座標入力装置は、前記第２座標算出手段が、前記検出電極対の幅方向の中心線に対する前記補正検出電極対の幅方向の中心線の傾きに基づいて補正した前記第２座標を算出することとしてもよい。
この発明では、検出電極対の延在方向と、補正検出電極対の延在方向とが異なることから、互いの中心軸の傾きを考慮して第２座標を算出することで、第２座標の算出精度が向上する。
この発明では、検出電極対の延在方向と、補正検出電極対の延在方向とが異なることから、互いの中心軸の傾きを考慮して第２座標を算出することで、第２座標の算出精度が向上する。
また、本発明の座標入力装置は、前記算出手段が、前記一方の検出電極での前記静電容量の変化量の和と、前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量の和とに基づいて、前記第１方向での前記検出位置である第１座標を算出する第１座標算出手段と、前記一方の検出電極での前記静電容量の変化量の和と、前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量の和とに基づいて前記第２方向での前記検出位置である第２座標を算出する第２座標算出手段とを備えることとしてもよい。
この発明では、一方の検出電極と他方の検出電極とで個別に静電容量の変化量の和を算出し、これに基づいて第２座標を算出する。
この発明では、一方の検出電極と他方の検出電極とで個別に静電容量の変化量の和を算出し、これに基づいて第２座標を算出する。
また、本発明の座標入力装置は、前記複数の引廻配線のそれぞれが、前記検出電極のうち前記第１方向の一方の端部に接続されていることが好ましい。
この発明では、引廻配線による引き廻し長さを短くすることができる。これにより、引廻配線の構成材料として、抵抗率の高い材料により構成されている検出電極と同一材料を用いることができる。したがって、検出電極と引廻配線とを同一工程で形成でき、製造工程をさらに簡略化できると共に、製造コストをさらに削減できる。
この発明では、引廻配線による引き廻し長さを短くすることができる。これにより、引廻配線の構成材料として、抵抗率の高い材料により構成されている検出電極と同一材料を用いることができる。したがって、検出電極と引廻配線とを同一工程で形成でき、製造工程をさらに簡略化できると共に、製造コストをさらに削減できる。
また、本発明の表示装置は、上記記載の座標入力装置と、前記基板と電気光学層を介して対向配置された他の基板とを有することを特徴とする。
この発明では、上述と同様に、検出電極及び引廻配線を同層上に形成できるので、製造工程の簡略化及び製造コストの削減が図れる。
この発明では、上述と同様に、検出電極及び引廻配線を同層上に形成できるので、製造工程の簡略化及び製造コストの削減が図れる。
また、本発明の表示装置は、前記複数の検出電極が、前記基板のうち前記電気光学層から離間する側に形成されていることが好ましい。
この発明では、複数の検出電極を表示装置の外面側に設けることで、指などの接触位置の検出精度を向上させることができる。
この発明では、複数の検出電極を表示装置の外面側に設けることで、指などの接触位置の検出精度を向上させることができる。
また、本発明の表示装置は、前記複数の検出電極が、前記基板のうち前記電気光学層側に形成されていることが好ましい。
この発明では、表示装置を構成する部材と複数の検出電極及び引廻配線とを基板の同一面側に形成することで、製造工程の簡略化が図れる。
この発明では、表示装置を構成する部材と複数の検出電極及び引廻配線とを基板の同一面側に形成することで、製造工程の簡略化が図れる。
［第１の実施形態］
以下、本発明における座標入力装置及び表示装置の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は表示装置を示す概略構成図、図２は表示装置の等価回路図、図３は表示装置を示す断面図、図４は対向基板の外面側を示す平面図である。
以下、本発明における座標入力装置及び表示装置の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は表示装置を示す概略構成図、図２は表示装置の等価回路図、図３は表示装置を示す断面図、図４は対向基板の外面側を示す平面図である。
〔表示装置〕
本実施形態における表示装置１は、透過型のカラー液晶表示であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。
最初に、本実施形態における表示装置の概略構成について説明する。本実施形態における表示装置１は、図１に示すように、アクティブマトリックス基板である素子基板（他の基板）１１と、素子基板１１と対向配置された対向基板（基板）１２と、素子基板１１及び対向基板１２に挟持された液晶層（電気光学層）１３とを備えている。
そして、表示装置１は、素子基板１１と対向基板１２とが対向する対向領域の外周部に設けられた平面視でほぼ矩形の枠状のシール材１４を有しており、このシール材１４によって素子基板１１と対向基板１２とが貼り合わされている。ここで、表示装置１のうちシール材１４のうち側に、画像表示領域が形成される。また、表示装置１は、素子基板１１の外面側（液晶層１３から離間する側）から照明光を照射する構成となっている。
さらに、表示装置１は、素子基板１１の外面側に設けられた偏光板１５及び対向基板１２の外面側（液晶層１３から離間する側）に設けられた偏光板１６を備えている。また、表示装置１は、検出手段１７及び算出手段１８を備えている。
本実施形態における表示装置１は、透過型のカラー液晶表示であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素領域で１個の画素を構成する液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と称する。
最初に、本実施形態における表示装置の概略構成について説明する。本実施形態における表示装置１は、図１に示すように、アクティブマトリックス基板である素子基板（他の基板）１１と、素子基板１１と対向配置された対向基板（基板）１２と、素子基板１１及び対向基板１２に挟持された液晶層（電気光学層）１３とを備えている。
そして、表示装置１は、素子基板１１と対向基板１２とが対向する対向領域の外周部に設けられた平面視でほぼ矩形の枠状のシール材１４を有しており、このシール材１４によって素子基板１１と対向基板１２とが貼り合わされている。ここで、表示装置１のうちシール材１４のうち側に、画像表示領域が形成される。また、表示装置１は、素子基板１１の外面側（液晶層１３から離間する側）から照明光を照射する構成となっている。
さらに、表示装置１は、素子基板１１の外面側に設けられた偏光板１５及び対向基板１２の外面側（液晶層１３から離間する側）に設けられた偏光板１６を備えている。また、表示装置１は、検出手段１７及び算出手段１８を備えている。
また、表示装置１の画像表示領域には、図２に示すように、複数のサブ画素領域がマトリックス状に配置されている。この複数のサブ画素領域のそれぞれには、画素電極２１と、画素電極をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子２２とが形成されている。また、画像表示領域には、複数のデータ線２３及び走査線２４が格子状に配置されている。
ＴＦＴ素子２２は、ソースがデータ線２３に接続され、ゲートが走査線２４に接続され、ドレインが画素電極２１に接続されている。
データ線２３は、表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線２３は、画像信号Ｓ１〜Ｓｎをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線２３同士に対してグループごとに供給してもよい。
走査線２４は、表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線２４は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する構成となっている。
データ線２３は、表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、データ線２３は、画像信号Ｓ１〜Ｓｎをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線２３同士に対してグループごとに供給してもよい。
走査線２４は、表示装置１に設けられた駆動回路（図示略）から供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素領域に供給する構成となっている。ここで、走査線２４は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する構成となっている。
また、表示装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子２２が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線２３から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎが所定のタイミングで画素電極２１に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電極２１と後述する共通電極３６との間で一定期間保持される。
次に、表示装置１の詳細な構成について、図３及び図４を参照しながら説明する。
素子基板１１は、図３に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層１３側）の表面に順に形成された素子形成層３２、層間絶縁膜３３、電極絶縁膜３４及び配向膜３５とを備えている。また、素子基板１１は、層間絶縁膜３３の内側の表面に配置された共通電極３６と、電極絶縁膜３４の内側の表面に配置された画素電極２１とを備えている。
素子基板１１は、図３に示すように、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層１３側）の表面に順に形成された素子形成層３２、層間絶縁膜３３、電極絶縁膜３４及び配向膜３５とを備えている。また、素子基板１１は、層間絶縁膜３３の内側の表面に配置された共通電極３６と、電極絶縁膜３４の内側の表面に配置された画素電極２１とを備えている。
素子形成層３２は、絶縁膜や半導体膜、導体膜を積層した構成となっており、図２に示すデータ線２３や走査線２４などの配線部とＴＦＴ素子２２を構成している。
層間絶縁膜３３は、例えばアクリルなどの透光性材料で構成されており、素子形成層３２を覆うように設けられている。
電極絶縁膜３４は、例えばＳｉＮなどの透光性材料で構成されており、層間絶縁膜３３上に形成された共通電極３６を覆うように設けられている。
配向膜３５は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、電極絶縁膜３４上に形成された画素電極２１を覆うように設けられている。また、配向膜３５の表面には、液晶層１３を構成する液晶分子の初期配向状態を規制するための配向処理が施されている。
層間絶縁膜３３は、例えばアクリルなどの透光性材料で構成されており、素子形成層３２を覆うように設けられている。
電極絶縁膜３４は、例えばＳｉＮなどの透光性材料で構成されており、層間絶縁膜３３上に形成された共通電極３６を覆うように設けられている。
配向膜３５は、例えばポリイミドなどの樹脂材料で構成されており、電極絶縁膜３４上に形成された画素電極２１を覆うように設けられている。また、配向膜３５の表面には、液晶層１３を構成する液晶分子の初期配向状態を規制するための配向処理が施されている。
共通電極３６は、層間絶縁膜３３を覆うように形成されており、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で構成されている。そして、共通電極３６には、画素電極２１と素子形成層３２に形成されたＴＦＴ素子２２のドレインとを接続するための開口部（図示略）が形成されている。また、共通電極３６には、例えば液晶層１３の駆動に用いられる所定の一定の電圧あるいは０Ｖ、または所定の一定の電位とこれと異なる他の所定の一定の電位とが周期的（フレーム期間ごとまたはフィールド期間ごと）に切り替わる信号が印加される。
画素電極２１は、ストライプ状に間隔をあけて形成された複数の帯状部２１ａと、これら帯状部２１ａを互いに導通させる枠部２１ｂとを備えている。
以上より、表示装置１は、帯状部２１ａと共通電極３６との間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界（横電界）によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極２１及び共通電極３６は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の電極構造を構成している。
以上より、表示装置１は、帯状部２１ａと共通電極３６との間に電圧を印加し、これによって生じる基板平面方向の電界（横電界）によって液晶を駆動する構成となっている。これにより、画素電極２１及び共通電極３６は、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の電極構造を構成している。
一方、対向基板１２は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体４１と、基板本体４１の内側（液晶層１３側）の表面に順次積層された遮光膜４２、カラーフィルタ層４３及び配向膜４４とを備えている。また、対向基板１２は、図３及び図４に示すように、基板本体４１の外側の表面に形成された検出電極５１、５２と、引廻配線５３及び端子部５４と、検出電極５１、５２と、引廻配線５３及び端子部５４を被覆する被覆膜５５とを備えている。
遮光膜４２は、図３に示すように、基板本体４１の表面のうち平面視でサブ画素領域の縁部であって液晶層１３などを介してＴＦＴ素子２２やデータ線２３、走査線２４と重なる領域に、平面視でほぼ格子状に形成されている。そして、遮光膜４２は、サブ画素領域を縁取っている。
カラーフィルタ層４３は、遮光膜４２で区画された領域内であって各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。
配向膜４４は、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、遮光膜４２及びカラーフィルタ層４３を覆うように設けられている。そして、配向膜４４の内側の表面には、配向処理が施されている。
カラーフィルタ層４３は、遮光膜４２で区画された領域内であって各サブ画素領域に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素領域で表示する色に対応する色材を含有している。
配向膜４４は、例えばポリイミドなどの透光性の樹脂材料で構成されており、遮光膜４２及びカラーフィルタ層４３を覆うように設けられている。そして、配向膜４４の内側の表面には、配向処理が施されている。
検出電極５１、５２は、図４に示すように、画像表示領域と重なる検出領域Ａ内において複数（本実施形態では検出電極５１、５２共に５つずつ）形成されており、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透光性導電材料で構成されている。そして、検出電極５１、５２は、平面視でほぼ矩形状の検出領域Ａの一辺方向であるＸ軸方向（第１方向）に沿って形成されている。また、検出電極５１と検出電極５２とは、検出領域Ａの他の一辺方向であってＸ軸方向と直交するＹ軸方向（第２方向）に沿って交互に配置されている。
検出電極５１、５２は、検出電極５１、５２は、平面視でほぼ直角三角形状を有しており、その形状が同一となっている。
検出電極５１は、直角を挟む２辺がそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向と平行となっており、その斜辺がＸ軸方向及びＹ軸方向から傾いてＹ軸方向の一方（＋Ｙ側）を向くように形成されている。そして、検出電極５１は、Ｘ軸方向の一方（−Ｘ側）から他方（＋Ｘ側）に向かうにしたがってその幅が漸次狭くなっている。
一方、検出電極５２は、直角を挟む２辺がそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向と平行となっており、その斜辺がＸ軸方向及びＹ軸方向から傾いてＹ軸方向の他方（−Ｙ側）を向くように形成されている。そして、検出電極５２は、Ｘ軸方向の−Ｘ側から＋Ｘ側に向かうにしたがってその幅が漸次広くなっている。
ここで、複数の検出電極５１のうち、最も−Ｙ側に配置されているものから順に検出電極５１Ａ〜５１Ｅと称する。また、複数の検出電極５２のうち、最も−Ｙ側に配置されているものから順に検出電極５２Ａ〜５２Ｅと称する。
検出電極５１は、直角を挟む２辺がそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向と平行となっており、その斜辺がＸ軸方向及びＹ軸方向から傾いてＹ軸方向の一方（＋Ｙ側）を向くように形成されている。そして、検出電極５１は、Ｘ軸方向の一方（−Ｘ側）から他方（＋Ｘ側）に向かうにしたがってその幅が漸次狭くなっている。
一方、検出電極５２は、直角を挟む２辺がそれぞれＸ軸方向、Ｙ軸方向と平行となっており、その斜辺がＸ軸方向及びＹ軸方向から傾いてＹ軸方向の他方（−Ｙ側）を向くように形成されている。そして、検出電極５２は、Ｘ軸方向の−Ｘ側から＋Ｘ側に向かうにしたがってその幅が漸次広くなっている。
ここで、複数の検出電極５１のうち、最も−Ｙ側に配置されているものから順に検出電極５１Ａ〜５１Ｅと称する。また、複数の検出電極５２のうち、最も−Ｙ側に配置されているものから順に検出電極５２Ａ〜５２Ｅと称する。
また、ほぼ直角三角形状の検出電極５１、５２のうちＹ軸方向においてその斜辺が向かい合うように隣り合う２つの検出電極５１、５２は、検出電極対５６を構成している。したがって、一対の検出電極対５６は、一方の検出電極５１の幅と他方の検出電極５２の幅との比率が、Ｘ軸方向に沿って−Ｘ側から＋Ｘ側に向かって変化している。すなわち、Ｘ軸方向に沿って−Ｘ側から＋Ｘ側に向かって、検出電極対５６における検出電極５１の幅の比率が、漸次小さくなると共に、検出電極５２の幅の比率が漸次大きくなっている。
そして、この検出電極対５６の外形は、検出電極５１、５２の斜辺が向かい合っていることから、平面視でほぼ矩形状となっている。また、検出電極対５６は、検出電極５１、５２がそれぞれ５つずつ形成されていることから５対形成されている。
ここで、５対の検出電極対５６のうち、−Ｙ側に位置している側から順に検出電極対５６Ａ〜５６Ｅと称する。すなわち、検出電極５１Ａ、５２Ａにより検出電極対５６Ａが形成され、検出電極５１Ｂ、５２Ｂにより検出電極対５６Ｂが形成され、検出電極５１Ｃ、５２Ｃにより検出電極対５６Ｃが形成され、検出電極５１Ｄ、５２Ｄにより検出電極対５６Ｄが形成され、検出電極５１Ｅ、５２Ｅにより検出電極対５６Ｅが形成される。
そして、この検出電極対５６の外形は、検出電極５１、５２の斜辺が向かい合っていることから、平面視でほぼ矩形状となっている。また、検出電極対５６は、検出電極５１、５２がそれぞれ５つずつ形成されていることから５対形成されている。
ここで、５対の検出電極対５６のうち、−Ｙ側に位置している側から順に検出電極対５６Ａ〜５６Ｅと称する。すなわち、検出電極５１Ａ、５２Ａにより検出電極対５６Ａが形成され、検出電極５１Ｂ、５２Ｂにより検出電極対５６Ｂが形成され、検出電極５１Ｃ、５２Ｃにより検出電極対５６Ｃが形成され、検出電極５１Ｄ、５２Ｄにより検出電極対５６Ｄが形成され、検出電極５１Ｅ、５２Ｅにより検出電極対５６Ｅが形成される。
なお、図５に示すように、平面視でほぼ矩形状の検出領域Ａで検出可能なＸ軸方向の座標であるＸ座標及びＹ軸方向の座標であるＹ座標は、それぞれ０以上１以下、１以上５以下となっている。ここで、検出領域Ａの−Ｘ側の端辺と対応するＸ座標の値が０、検出領域Ａの＋Ｘ側の端辺と対応するＸ座標の値が１と対応している。また、検出電極対５６ＡのＸ軸方向と平行な中心線と対応するＹ座標の値が１、検出電極対５６ＢのＸ軸方向と平行な中心線と対応するＹ座標の値が２、検出電極対５６ＣのＸ軸方向と平行な中心線と対応するＹ座標の値が３、検出電極対５６ＤのＸ軸方向と平行な中心線と対応するＹ座標の値が４、検出電極対５６ＥのＸ軸方向と平行な中心線と対応するＹ座標の値が５となっている。
引廻配線５３は、図４に示すように、検出電極５１、５２と共に基板本体４１の外側の表面であって対向基板１２の外周に沿って形成されており、検出電極５１、５２と端子部５４とを接続している。また、引廻配線５３は、例えばＡｌ（アルミニウム）などのＩＴＯと比較して抵抗率の小さい導電材料で構成されている。そして、検出電極５１と接続される引廻配線５３は、検出電極５１の−Ｘ側の端部において検出電極５１に接続されている。また、検出電極５２と接続される引廻配線５３は、検出電極５２の＋Ｘ側の端部において検出電極５２に接続されている。
端子部５４は、検出電極５１、５２や引廻配線５３と共に基板本体４１の外側の表面であって検出領域Ａの−Ｙ側の外部に形成されており、対向基板１２の外部に設けられた検出手段１７に接続されている。そして、端子部５４を介して検出電極５１、５２に検出手段１７からの交流電圧が印加される。
端子部５４は、検出電極５１、５２や引廻配線５３と共に基板本体４１の外側の表面であって検出領域Ａの−Ｙ側の外部に形成されており、対向基板１２の外部に設けられた検出手段１７に接続されている。そして、端子部５４を介して検出電極５１、５２に検出手段１７からの交流電圧が印加される。
偏光板１５は、図３に示すように、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）の絶縁材料を用いて形成されたフィルムを基体として構成されている。
偏光板１６は、偏光板１５と同様にＰＶＡのフィルムを基体として構成されている。なお、偏光板１６の外面側には、偏光板１６を保護する保護フィルム（図示略）を設けてもよい。また、偏光板１６は、その透過軸が偏光板１５とほぼ直交するように設けられている。
ここで、偏光板１６の内側には、１／４波長板を配置してもよい。１／４波長板を配置することで、偏光板１６の外面から入射した外光が素子基板１１で反射して再び射出することを防止できる。なお、１／４波長板に合わせて、偏光板１６の透過軸を適宜変更する。
また、偏光板１５、１６の一方または双方の内側には、光学補償フィルム（図示略）を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、表示装置１を斜視した場合の液晶層１３の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙである二軸性媒体が用いられる。
偏光板１６は、偏光板１５と同様にＰＶＡのフィルムを基体として構成されている。なお、偏光板１６の外面側には、偏光板１６を保護する保護フィルム（図示略）を設けてもよい。また、偏光板１６は、その透過軸が偏光板１５とほぼ直交するように設けられている。
ここで、偏光板１６の内側には、１／４波長板を配置してもよい。１／４波長板を配置することで、偏光板１６の外面から入射した外光が素子基板１１で反射して再び射出することを防止できる。なお、１／４波長板に合わせて、偏光板１６の透過軸を適宜変更する。
また、偏光板１５、１６の一方または双方の内側には、光学補償フィルム（図示略）を配置してもよい。光学補償フィルムを配置することで、表示装置１を斜視した場合の液晶層１３の位相差を補償することができ、光漏れを減少させてコントラストを増加させることができる。光学補償フィルムとしては、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせたものや、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙである二軸性媒体が用いられる。
検出手段１７は、図１に示すように、端子部５４を介して検出電極５１、５２に交流電圧を印加し、偏光板１６及び被覆膜５５を介して検出電極５１、５２との間の静電容量を検出して指などを接触させていない基準状態において検出される電圧と、指などを接触させた状態において検出される電圧との差を静電容量の変化量として検出する構成となっている。
算出手段１８は、検出手段１７による各検出電極５１、５２の静電容量の変化量からＸ軸方向における座標を算出するＸ座標算出手段（第１座標算出手段）１８Ａと、Ｙ軸方向における座標を算出するＹ軸座標算出手段（第２座標算出手段）１８Ｂとを備えている。なお、算出手段１８による座標の算出方法については、後述する。
これら対向基板１２、偏光板１６、検出手段１７及び算出手段１８により、座標入力装置５７が構成される。
算出手段１８は、検出手段１７による各検出電極５１、５２の静電容量の変化量からＸ軸方向における座標を算出するＸ座標算出手段（第１座標算出手段）１８Ａと、Ｙ軸方向における座標を算出するＹ軸座標算出手段（第２座標算出手段）１８Ｂとを備えている。なお、算出手段１８による座標の算出方法については、後述する。
これら対向基板１２、偏光板１６、検出手段１７及び算出手段１８により、座標入力装置５７が構成される。
〔表示装置の動作〕
次に、以上のような構成の表示装置１の動作について説明する。素子基板１１の外面側から入射した光は、偏光板１５によって直線偏光に変換されて液晶層１３に入射する。
ここで、画素電極２１と共通電極３６との間に電圧が印加されていないオフ状態の場合であれば、液晶層１３に入射した直線偏光は、液晶層１３により入射時と同一の偏光状態で液晶層１３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板１６の透過軸と直交するため、偏光板１６で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
一方、画素電極２１と共通電極３６との間に電圧が印加されているオン状態の場合であれば、液晶層１３に入射した直線偏光は、液晶層１３により所定の位相差（１／２波長分）の位相差が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層１３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板１６の透過軸と平行であるため、偏光板１６を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。
次に、以上のような構成の表示装置１の動作について説明する。素子基板１１の外面側から入射した光は、偏光板１５によって直線偏光に変換されて液晶層１３に入射する。
ここで、画素電極２１と共通電極３６との間に電圧が印加されていないオフ状態の場合であれば、液晶層１３に入射した直線偏光は、液晶層１３により入射時と同一の偏光状態で液晶層１３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板１６の透過軸と直交するため、偏光板１６で遮断され、サブ画素領域が暗表示となる。
一方、画素電極２１と共通電極３６との間に電圧が印加されているオン状態の場合であれば、液晶層１３に入射した直線偏光は、液晶層１３により所定の位相差（１／２波長分）の位相差が付与され、入射時の偏光方向と直交する直線偏光に変換されて液晶層１３から射出する。そして、この直線偏光は、その偏光方向が偏光板１６の透過軸と平行であるため、偏光板１６を透過して表示光として視認され、サブ画素領域が明表示となる。
そして、検出電極５１、５２に交流電圧を印加した状態で偏光板１６に人間の指などが触れると、偏光板１６及び被覆膜５５を介して検出電極５１、５２と指などとの間で静電容量が形成される。そのため、検出電極５１、５２から静電容量を介して電流が流れる。検出手段１７は、静電容量が形成されることによって電流の変化量を静電容量の変化量として検出する。そして、算出手段１８は、検出手段１７において検出された静電容量の変化量から、検出領域Ａにおける指などの接触位置を算出する。
その後、算出した接触位置の情報に基づいて、画像表示領域に表示される画像を切り替えたり、偏光板１６の表面で移動する指の軌跡を画像表示領域に画像として表示させたりする。
その後、算出した接触位置の情報に基づいて、画像表示領域に表示される画像を切り替えたり、偏光板１６の表面で移動する指の軌跡を画像表示領域に画像として表示させたりする。
ここで、接触位置の算出方法について具体的に説明する。なお、図５は接触位置の算出方法を示す説明図、図６は接触位置の算出方法を示すフローチャートである。また、図５に示す符号Ｔは、偏光板１６に対する指の接触領域を示している。
まず、検出手段１７は、各検出電極５１、５２における静電容量の変化量ＣＬ、ＣＲを検出する（図６に示すステップＳＴ１）。ここでは、検出手段１７が、指などを接触させていない基準状態において各検出電極５１、５２で検出される静電容量と、指などを接触させた状態において各検出電極５１、５２で検出される静電容量との差を検出する。
まず、検出手段１７は、各検出電極５１、５２における静電容量の変化量ＣＬ、ＣＲを検出する（図６に示すステップＳＴ１）。ここでは、検出手段１７が、指などを接触させていない基準状態において各検出電極５１、５２で検出される静電容量と、指などを接触させた状態において各検出電極５１、５２で検出される静電容量との差を検出する。
また、Ｘ座標算出手段１８Ａは、各検出電極５１で検出した静電容量の変化量ＣＬの和であるΣＣＬを算出すると共に（図６に示すステップＳＴ２）、各検出電極５２で検出した静電容量の変化量ＣＲの和であるΣＣＲを算出する（図６に示すステップＳＴ３）。そして、Ｘ座標算出手段１８Ａは、ΣＣＬとΣＣＲとの比を計算し（図６に示すステップＳＴ４）、Ｘ座標を算出する（図６に示すステップＳＴ５）。
したがって、例えば図５に示すように、ΣＣＬとΣＣＲとの比が１：３である場合、ΣＣＬと（ΣＣＬ＋ΣＣＲ）との比が１：４であることから、Ｘ座標算出手段１８Ａは、Ｘ座標の値を０．７５として算出する。
したがって、例えば図５に示すように、ΣＣＬとΣＣＲとの比が１：３である場合、ΣＣＬと（ΣＣＬ＋ΣＣＲ）との比が１：４であることから、Ｘ座標算出手段１８Ａは、Ｘ座標の値を０．７５として算出する。
一方、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、各検出電極対５６Ａ〜５６Ｅにおける静電容量の変化量ＣＰを算出する（図６に示すステップＳＴ６）。そして、検出電極対５６Ａ〜５６Ｅにおける静電容量の変化の重心位置を算出するセントロイド計算を行う（図６に示すステップＳＴ７）。ここでは、下記の式（１）を用いてＹ座標を算出する（図６に示すステップＳＴ８）。
ｙ＝Σ（ｎ×ＣＰ）／ΣＣＰ…式（１）
ここで、ｎ×ＣＰは、検出電極対５６における静電容量の変化量ＣＰと、その検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図５に示すように、検出電極対５６Ａにおける静電容量の変化量ＣＰ１を０、検出電極対５６Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ２を１、検出電極対５６Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ３を４、検出電極対５６Ｄにおける静電容量の変化量ＣＰ４を３、検出電極対５６Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ５を０とする。このとき、（１×０＋２×１＋３×４＋４×２＋５×０）／（０＋１＋４＋２＋０）＝３．１４となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．１４として算出する。
以上のようにして、Ｘ座標及びＹ座標の値から指の接触位置を算出する。
ｙ＝Σ（ｎ×ＣＰ）／ΣＣＰ…式（１）
ここで、ｎ×ＣＰは、検出電極対５６における静電容量の変化量ＣＰと、その検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図５に示すように、検出電極対５６Ａにおける静電容量の変化量ＣＰ１を０、検出電極対５６Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ２を１、検出電極対５６Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ３を４、検出電極対５６Ｄにおける静電容量の変化量ＣＰ４を３、検出電極対５６Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ５を０とする。このとき、（１×０＋２×１＋３×４＋４×２＋５×０）／（０＋１＋４＋２＋０）＝３．１４となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．１４として算出する。
以上のようにして、Ｘ座標及びＹ座標の値から指の接触位置を算出する。
〔電子機器〕
以上のような構成の表示装置１は、例えば図７に示すようなＰＤＡ１００の表示部１０１として用いられる。また、ＰＤＡ１００には、電源入力スイッチなどのスイッチが適宜設けられている。
以上のような構成の表示装置１は、例えば図７に示すようなＰＤＡ１００の表示部１０１として用いられる。また、ＰＤＡ１００には、電源入力スイッチなどのスイッチが適宜設けられている。
以上のように、本実施形態における座標入力装置５７及びこれを備える表示装置１によれば、検出電極５１、５２と引廻配線５３と端子部５４とを同層上に形成できるので、製造工程の簡略化及び製造コストの削減が図れる。
また、検出電極５１、５２を対向基板１２のうち液晶層１３から離間した外面側に設けることで、偏光板１６に指などが接触した際の接触位置の高い検出精度が得られる。
また、検出電極５１、５２を対向基板１２のうち液晶層１３から離間した外面側に設けることで、偏光板１６に指などが接触した際の接触位置の高い検出精度が得られる。
［第２の実施形態］
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図８は接触位置の算出方法を示す説明図、図９は接触位置の算出方法を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、第１の実施形態と静電容量の検出位置の算出方法が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図８は接触位置の算出方法を示す説明図、図９は接触位置の算出方法を示すフローチャートである。なお、本実施形態では、第１の実施形態と静電容量の検出位置の算出方法が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
〔表示装置〕
本実施形態における表示装置では、図８に示すように、検出電極対５６を構成する一方の検出電極５１と、この検出電極５１と隣接する他の検出電極対５６を構成する他方の検出電極５２とにより、補正検出電極対１１０が構成されている。この補正検出電極対１１０の外形は、検出電極５１、５２のＸ軸方向に延在する辺が向かい合うように配置されていることから、平面視でほぼ平行四辺形状となっている。そして、補正検出電極対１１０は、４対形成されている。
ここで、４対の補正検出電極対１１０のうち、最も−Ｙ側に位置しているものから順に、補正検出電極対１１０Ａ〜１１０Ｄと称する。すなわち、検出電極５１Ｂ、５２Ａにより補正検出電極対１１０Ａが形成され、検出電極５１Ｃ、５２Ｂにより補正検出電極対１１０Ｂが形成され、検出電極５１Ｄ、５２Ｃにより補正検出電極対１１０Ｃが形成され、検出電極５１Ｅ、５２Ｄにより補正検出電極対１１０Ｄが形成される。
本実施形態における表示装置では、図８に示すように、検出電極対５６を構成する一方の検出電極５１と、この検出電極５１と隣接する他の検出電極対５６を構成する他方の検出電極５２とにより、補正検出電極対１１０が構成されている。この補正検出電極対１１０の外形は、検出電極５１、５２のＸ軸方向に延在する辺が向かい合うように配置されていることから、平面視でほぼ平行四辺形状となっている。そして、補正検出電極対１１０は、４対形成されている。
ここで、４対の補正検出電極対１１０のうち、最も−Ｙ側に位置しているものから順に、補正検出電極対１１０Ａ〜１１０Ｄと称する。すなわち、検出電極５１Ｂ、５２Ａにより補正検出電極対１１０Ａが形成され、検出電極５１Ｃ、５２Ｂにより補正検出電極対１１０Ｂが形成され、検出電極５１Ｄ、５２Ｃにより補正検出電極対１１０Ｃが形成され、検出電極５１Ｅ、５２Ｄにより補正検出電極対１１０Ｄが形成される。
〔表示装置の動作〕
まず、検出手段１７は、上述した第１の実施形態と同様に、各検出電極５１、５２における静電容量の変化量ＣＬ、ＣＲを検出する（図９に示すステップＳＴ１）。
そして、Ｘ座標算出手段１８Ａは、上述した第１の実施形態と同様に、Ｘ座標を算出する（図９に示すステップＳＴ２〜ＳＴ５）。
したがって、例えば図８に示すように、ΣＣＬとΣＣＲとの比が１：３である場合、Ｘ座標算出手段１８Ａは、０．７５の地点をＸ座標として算出する。
まず、検出手段１７は、上述した第１の実施形態と同様に、各検出電極５１、５２における静電容量の変化量ＣＬ、ＣＲを検出する（図９に示すステップＳＴ１）。
そして、Ｘ座標算出手段１８Ａは、上述した第１の実施形態と同様に、Ｘ座標を算出する（図９に示すステップＳＴ２〜ＳＴ５）。
したがって、例えば図８に示すように、ΣＣＬとΣＣＲとの比が１：３である場合、Ｘ座標算出手段１８Ａは、０．７５の地点をＸ座標として算出する。
そして、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、上述した第１の実施形態と同様に、各検出電極対５６Ａ〜５６Ｅにおける静電容量の変化量ＣＰを算出する（図９に示すステップＳＴ１０）。
また、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、補正検出電極対１１０Ａ〜１１０Ｄにおける静電容量の変化量ＣＰ’を算出する（図９に示すステップＳＴ１１）。ここで、補正検出電極対１１０は、平面視で平行四辺形状となっており、その中心軸がＸ軸方向に対して傾斜している。そのため、ＣＰ’を用いてセントロイド計算をする際、計算式をＸ座標の値に応じて適宜変更する必要がある。そこで、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｘ座標の値に応じてセントロイド計算に用いる計算式の補正を行う（図９に示すステップＳＴ１２）。
また、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、補正検出電極対１１０Ａ〜１１０Ｄにおける静電容量の変化量ＣＰ’を算出する（図９に示すステップＳＴ１１）。ここで、補正検出電極対１１０は、平面視で平行四辺形状となっており、その中心軸がＸ軸方向に対して傾斜している。そのため、ＣＰ’を用いてセントロイド計算をする際、計算式をＸ座標の値に応じて適宜変更する必要がある。そこで、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｘ座標の値に応じてセントロイド計算に用いる計算式の補正を行う（図９に示すステップＳＴ１２）。
例えば補正検出電極対１１０Ａでは、図１０に示すように、Ｘ座標の値が０であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が２であって、Ｘ座標の値が１であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１である。そのため、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値は、（２−ｘ）となる。同様に、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値は、補正検出電極対１１０Ｂで（３−ｘ）、補正検出電極対１１０Ｃで（４−ｘ）、補正検出電極対１１０Ｄで（５−ｘ）となる。
したがって、Ｘ座標の値が０．７５である場合には、それぞれの値が、１．２５、２．２５、３．２５、４．２５となる。
したがって、Ｘ座標の値が０．７５である場合には、それぞれの値が、１．２５、２．２５、３．２５、４．２５となる。
そして、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、ＣＰ及びＣＰ’を用いて静電容量の変化の重心位置を算出するセントロイド計算を行う（図９に示すステップＳＴ１３）。ここでは、下記の式（２）を用いてＹ軸方向におけるＹ座標を算出する（図９に示すステップＳＴ１４）。
ｙ＝（Σ（ｎ×ＣＰ）＋Σ（ｎ’×ＣＰ’））／（ΣＣＰ＋ΣＣＰ’）…式（２）
ここで、ｎ×ＣＰは、検出電極対５６における静電容量の変化量ＣＰと、その検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。また、ｎ’×ＣＰ’は、補正検出電極対１１０における静電容量の変化量ＣＰ’と、この補正検出電極対１１０のＸ座標の値がｘである際の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図８に示すように、変化量ＣＰ１を０、変化量ＣＰ２を１、変化量ＣＰ３を４、変化量ＣＰ４を３、変化量ＣＰ５を０とする。また、補正検出電極対１１０Ａにおける静電容量の変化量ＣＰ’１を０、補正検出電極対１１０Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ’２を１、補正検出電極対１１０Ｃにおける静電容量の変化量ＣＰ’３を３．５、補正検出電極対１１０Ｄにおける静電容量の変化量ＣＰ’４を０．５とする。このとき、（（１×０＋２×１＋３×４＋４×２＋５×０）＋（１．２５×０＋２．２５×１＋３．２５×３．５＋４．２５×１））／（（０＋１＋４＋２＋０）＋（０＋１＋３．５＋０．５））＝３．１５となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、３．１５の地点をＹ座標として算出する。
以上のようにして、Ｘ座標及びＹ座標の値から指の接触位置を算出する。
ｙ＝（Σ（ｎ×ＣＰ）＋Σ（ｎ’×ＣＰ’））／（ΣＣＰ＋ΣＣＰ’）…式（２）
ここで、ｎ×ＣＰは、検出電極対５６における静電容量の変化量ＣＰと、その検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。また、ｎ’×ＣＰ’は、補正検出電極対１１０における静電容量の変化量ＣＰ’と、この補正検出電極対１１０のＸ座標の値がｘである際の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図８に示すように、変化量ＣＰ１を０、変化量ＣＰ２を１、変化量ＣＰ３を４、変化量ＣＰ４を３、変化量ＣＰ５を０とする。また、補正検出電極対１１０Ａにおける静電容量の変化量ＣＰ’１を０、補正検出電極対１１０Ｂにおける静電容量の変化量ＣＰ’２を１、補正検出電極対１１０Ｃにおける静電容量の変化量ＣＰ’３を３．５、補正検出電極対１１０Ｄにおける静電容量の変化量ＣＰ’４を０．５とする。このとき、（（１×０＋２×１＋３×４＋４×２＋５×０）＋（１．２５×０＋２．２５×１＋３．２５×３．５＋４．２５×１））／（（０＋１＋４＋２＋０）＋（０＋１＋３．５＋０．５））＝３．１５となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、３．１５の地点をＹ座標として算出する。
以上のようにして、Ｘ座標及びＹ座標の値から指の接触位置を算出する。
以上のような構成の座標入力装置及びこれを備える表示装置においても、上述した第１の実施形態と同様の作用、効果を奏するが、補正検出電極対１１０により算出された静電容量の変化量も用いてＹ座標を算出するので、検出精度が向上する。ここで、補正検出電極対１１０の中心線のＸ軸方向に対する傾きを考慮してセントロイド計算の補正を行っているため、Ｙ座標の算出精度がより向上する。
［第３の実施形態］
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第３の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１１は接触位置の算出方法を示す説明図、図１２は接触位置の算出方法を示すフローチャートである。
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第３の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１１は接触位置の算出方法を示す説明図、図１２は接触位置の算出方法を示すフローチャートである。
次に、以上のような構成の表示装置による接触位置の算出方法について説明する。
まず、検出手段１７は、上述した第１の実施形態と同様に、各検出電極５１、５２における静電容量の変化量ＣＬ、ＣＲを検出する（図１２に示すステップＳＴ１）。
そして、Ｘ座標算出手段１８Ａは、上述した第１の実施形態と同様に、Ｘ座標を算出する（図１２に示すステップＳＴ２〜ＳＴ５）。
まず、検出手段１７は、上述した第１の実施形態と同様に、各検出電極５１、５２における静電容量の変化量ＣＬ、ＣＲを検出する（図１２に示すステップＳＴ１）。
そして、Ｘ座標算出手段１８Ａは、上述した第１の実施形態と同様に、Ｘ座標を算出する（図１２に示すステップＳＴ２〜ＳＴ５）。
そして、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、検出電極５１Ａ〜５１Ｅにおける静電容量の変化の重心位置を算出するセントロイド計算を行う（図１２に示すステップＳＴ２０）。ここでは、下記の式（３）を用いて第１Ｙ座標ｙ１を算出する。
ｙ１＝Σ（ｎ×ＣＬ）／ΣＣＬ…式（３）
ここで、ｎ×ＣＬは、検出電極５１における静電容量の変化量ＣＬと、その検出電極５１が形成する検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図１１に示すように、検出電極５１Ａにおける静電容量の変化量ＣＬ１を０、検出電極５１Ｂにおける静電容量の変化量ＣＬ２を０、検出電極５１Ｃにおける静電容量の変化量ＣＬ３を１、検出電極５１Ｄにおける静電容量の変化量ＣＬ４を１、検出電極５１Ｅにおける静電容量の変化量ＣＬ５を０とする。このとき、（１×０＋２×０＋３×１＋４×１＋５×０）／（０＋０＋１＋１＋０）＝３．５となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、ｙ１を３．５として算出する。
ｙ１＝Σ（ｎ×ＣＬ）／ΣＣＬ…式（３）
ここで、ｎ×ＣＬは、検出電極５１における静電容量の変化量ＣＬと、その検出電極５１が形成する検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図１１に示すように、検出電極５１Ａにおける静電容量の変化量ＣＬ１を０、検出電極５１Ｂにおける静電容量の変化量ＣＬ２を０、検出電極５１Ｃにおける静電容量の変化量ＣＬ３を１、検出電極５１Ｄにおける静電容量の変化量ＣＬ４を１、検出電極５１Ｅにおける静電容量の変化量ＣＬ５を０とする。このとき、（１×０＋２×０＋３×１＋４×１＋５×０）／（０＋０＋１＋１＋０）＝３．５となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、ｙ１を３．５として算出する。
さらに、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、検出電極５２Ａ〜５２Ｅにおける静電容量の変化の重心位置を算出するセントロイド計算を行う（図１２に示すステップＳＴ２１）。ここでは、下記の式（４）を用いて第２Ｙ座標ｙ２を算出する。
ｙ２＝Σ（ｎ×ＣＲ）／ΣＣＲ…式（４）
ここで、ｎ×ＣＲは、検出電極５２における静電容量の変化量ＣＲと、その検出電極５２が形成する検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図１１に示すように、検出電極５２Ａにおける静電容量の変化量ＣＲ１を０、検出電極５２Ｂにおける静電容量の変化量ＣＲ２を０．４、検出電極５２Ｃにおける静電容量の変化量ＣＲ３を３、検出電極５２Ｄにおける静電容量の変化量ＣＲ４を０．５、検出電極５２Ｅにおける静電容量の変化量ＣＲ５を０とする。このとき、（１×０＋２×０．４＋３×３＋４×０．５＋５×０）／（０＋０．４＋３＋０．５＋０）＝３．０３となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、ｙ２を３．０３として算出する。
ｙ２＝Σ（ｎ×ＣＲ）／ΣＣＲ…式（４）
ここで、ｎ×ＣＲは、検出電極５２における静電容量の変化量ＣＲと、その検出電極５２が形成する検出電極対５６の幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との積を示している。
したがって、例えば図１１に示すように、検出電極５２Ａにおける静電容量の変化量ＣＲ１を０、検出電極５２Ｂにおける静電容量の変化量ＣＲ２を０．４、検出電極５２Ｃにおける静電容量の変化量ＣＲ３を３、検出電極５２Ｄにおける静電容量の変化量ＣＲ４を０．５、検出電極５２Ｅにおける静電容量の変化量ＣＲ５を０とする。このとき、（１×０＋２×０．４＋３×３＋４×０．５＋５×０）／（０＋０．４＋３＋０．５＋０）＝３．０３となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、ｙ２を３．０３として算出する。
次に、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、第１及び第２Ｙ座標ｙ１、ｙ２の平均値を算出する（図１２に示すステップＳＴ２２）。そして、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、その平均値をＹ座標として算出する（図１２に示すステップＳＴ２３）。
したがって、例えばｙ１が３．５、ｙ２が３．０３である場合には、その平均値が３．２６となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．２６として算出する。 以上のようにして、Ｘ座標及びＹ座標の値から指の接触位置を算出する。
したがって、例えばｙ１が３．５、ｙ２が３．０３である場合には、その平均値が３．２６となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．２６として算出する。 以上のようにして、Ｘ座標及びＹ座標の値から指の接触位置を算出する。
以上のような構成の座標入力装置及びこれを備える表示装置においても、上述した第１の実施形態と同様の作用、効果を奏する。
なお、本実施形態においては、以下のようにしてＹ座標の算出を行ってもよい。すなわち、検出電極５１、５２は、共に平面視でほぼ直角三角形状となっているため、その中心軸がＸ軸方向に対して傾斜している。
例えば検出電極５１Ａでは、図１３に示すように、Ｘ座標の値が０であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１であって、Ｘ座標の値が１であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が０．５である。そのため、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値は、（１−ｘ／２）となる。そして、検出電極５１Ａが形成する検出電極対５６Ａの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１であることから、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との差は、（−ｘ／２）となる。
例えば検出電極５１Ａでは、図１３に示すように、Ｘ座標の値が０であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１であって、Ｘ座標の値が１であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が０．５である。そのため、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値は、（１−ｘ／２）となる。そして、検出電極５１Ａが形成する検出電極対５６Ａの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１であることから、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との差は、（−ｘ／２）となる。
一方、例えば検出電極５２Ａでは、Ｘ座標の値が０であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１．５であって、Ｘ座標の値が１であるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１である。そのため、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値は、（１．５−ｘ／２）となる。そして、検出電極５２Ａが形成する検出電極対５６Ａの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値が１であることから、Ｘ座標の値がｘであるときの幅方向の中心線と対応するＹ座標の値との差は、（０．５−ｘ／２）となる。
そこで、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、第１Ｙ座標ｙ１をセントロイド計算により算出した後（図１４に示すステップＳＴ２０）、第１Ｙ座標ｙ１に対して（−ｘ／２）を加える（図１４に示すステップＳＴ２５）。また、第２Ｙ座標ｙ２をセントロイド計算により算出した後（図１４に示すステップＳＴ２１）、第２Ｙ座標に対して（０．５−ｘ／２）を加える補正を行って補正後の第１及び第２Ｙ座標ｙ１’、ｙ２’を算出する（図１４に示すステップＳＴ２６）。
したがって、例えばｙ１が３．５、ｙ２が３．０３である場合には、ｙ１’が３．１３、ｙ２’が３．１５となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．１４として算出する。
このように、検出電極５１、５２の中心線のＸ軸方向に対する傾きに応じて算出したＹ座標の値を補正することで、中心線がＸ方向に対して傾いていることによる誤差の影響を抑制できる。
したがって、例えばｙ１が３．５、ｙ２が３．０３である場合には、ｙ１’が３．１３、ｙ２’が３．１５となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．１４として算出する。
このように、検出電極５１、５２の中心線のＸ軸方向に対する傾きに応じて算出したＹ座標の値を補正することで、中心線がＸ方向に対して傾いていることによる誤差の影響を抑制できる。
また、本実施形態においては、以下のようにしてＹ座標の算出を行ってもよい。すなわち、上述したように、検出電極５１、５２は、共に平面視でほぼ直角三角形状となっている。そのため、検出電極５１の幅が＋Ｘ側に向かうにしたがって狭くなっていると共に、検出電極５２の幅が＋Ｘ側に向かうにしたがって広くなっている。ここで、静電容量の形成位置の検出精度は、静電容量の形成位置における検出電極５１、５２の面積が広いほど向上する。
そこで、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、以下の式（５）を用いて、求めた第１及び第２Ｙ座標ｙ１、ｙ２に対してＸ座標の値に応じて重み付けした平均値をＹ座標の値として算出する（図１５に示すステップＳＴ２７、ＳＴ２３）。
ｙ＝（１−ｘ）×ｙ１＋ｘ×ｙ２…式（５）
したがって、例えばＸ座標の値が０．７５、ｙ１が３．５、ｙ２が３．０３である場合には、（１−０．７５）×３．５＋０．７５×３．０３＝３．１４となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．１４として算出する。
このように、Ｘ座標の値を用いて重み付けすることで、静電容量の形成位置における検出電極５１、５２の面積に応じた検出精度の誤差の影響を抑制できる。
そこで、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、以下の式（５）を用いて、求めた第１及び第２Ｙ座標ｙ１、ｙ２に対してＸ座標の値に応じて重み付けした平均値をＹ座標の値として算出する（図１５に示すステップＳＴ２７、ＳＴ２３）。
ｙ＝（１−ｘ）×ｙ１＋ｘ×ｙ２…式（５）
したがって、例えばＸ座標の値が０．７５、ｙ１が３．５、ｙ２が３．０３である場合には、（１−０．７５）×３．５＋０．７５×３．０３＝３．１４となる。よって、Ｙ座標算出手段１８Ｂは、Ｙ座標の値を３．１４として算出する。
このように、Ｘ座標の値を用いて重み付けすることで、静電容量の形成位置における検出電極５１、５２の面積に応じた検出精度の誤差の影響を抑制できる。
［第４の実施形態］
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第４の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１６は表示装置を示す概略構成図である。なお、本実施形態では検出電極の配置が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第４の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１６は表示装置を示す概略構成図である。なお、本実施形態では検出電極の配置が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態における表示装置１２０は、図１６に示すように、対向基板１２１に設けられた検出電極１２２、１２３が検出領域Ａの一辺方向であるＹ軸方向（第１方向）に沿って形成されている。そして、検出電極１２２、１２３は、Ｘ軸方向（第２方向）に沿って交互に配置されている。
引廻配線１２４は、検出電極１２２、１２３の−Ｙ側の端部に接続されており、検出電極１２２、１２３を構成するＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。このように、引廻配線１２４を検出電極１２２、１２３のうち端子部５４に近接している−Ｙ側の端部に接続することで、引廻配線１２４による引き廻し長さが短くなる。
また、端子部５４は、引廻配線１２４と同様に、検出電極１２２、１２３を構成するＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。
引廻配線１２４は、検出電極１２２、１２３の−Ｙ側の端部に接続されており、検出電極１２２、１２３を構成するＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。このように、引廻配線１２４を検出電極１２２、１２３のうち端子部５４に近接している−Ｙ側の端部に接続することで、引廻配線１２４による引き廻し長さが短くなる。
また、端子部５４は、引廻配線１２４と同様に、検出電極１２２、１２３を構成するＩＴＯなどの透光性導電材料で構成されている。
以上のような構成の座標入力装置及び表示装置１２０によれば、引廻配線１２４による引き廻し長さを短くすることで、引廻配線１２４及び端子部５４をＩＴＯなどの透光性導電材料で形成した場合であっても引廻配線１２４における抵抗値を抑制できる。このように引廻配線１２４及び端子部５４と検出電極１２２、１２３とを同一材料で構成することで、引廻配線１２４と検出電極１２２、１２３とを同一工程で形成でき、製造工程のさらなる簡略化及び製造コストのさらなる低減化が図れる。
なお、本実施形態における検出電極１２２、１２３及び引廻配線１２４の構成は、上述した第２実施形態や第３実施形態に適用されてもよい。
なお、本実施形態における検出電極１２２、１２３及び引廻配線１２４の構成は、上述した第２実施形態や第３実施形態に適用されてもよい。
［第５の実施形態］
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第５の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１７は表示装置を示す概略構成図である。なお、本実施形態では検出電極の配置が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明における座標入力装置及び表示装置の第５の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１７は表示装置を示す概略構成図である。なお、本実施形態では検出電極の配置が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態における表示装置１３０は、図１７に示すように、対向基板１３１を構成する基板本体４１の内側の表面に検出電極５１、５２が形成されている。
すなわち、基板本体４１の内側の表面には、検出電極５１、５２、引廻配線５３（図１７では図示略）及び端子部５４（図１７では図示略）が形成されている。そして、これら検出電極５１、５２、引廻配線５３及び端子部５４が被覆膜５５により被覆されている。
遮光膜４２及びカラーフィルタ層４３は、被覆膜５５の内側の表面に形成されている。
すなわち、基板本体４１の内側の表面には、検出電極５１、５２、引廻配線５３（図１７では図示略）及び端子部５４（図１７では図示略）が形成されている。そして、これら検出電極５１、５２、引廻配線５３及び端子部５４が被覆膜５５により被覆されている。
遮光膜４２及びカラーフィルタ層４３は、被覆膜５５の内側の表面に形成されている。
以上のような構成の座標入力装置及び表示装置１３０によれば、対向基板１３１の内側の面に検出電極５１、５２や遮光膜４２及びカラーフィルタ層４３などの各部材を形成するため、製造工程の簡略化が図れる。
なお、本実施形態における対向基板１３１の構成は、上述した第２から第４の実施形態に適用されてもよい。
なお、本実施形態における対向基板１３１の構成は、上述した第２から第４の実施形態に適用されてもよい。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、検出電極の外形は、ほぼ直角三角形状となっているが、他方の検出電極との間でＸ軸方向における幅の比率が変化すれば、他の形状であってもよい。すなわち、検出電極の外形は、一対の側辺の一方をＸ軸方向と平行にすると共に底辺をＹ軸方向と平行にした台形状であってもよい。また、検出電極の外形は、二等辺三角形状など一対の側辺がＸ軸から傾けた形状であってもよい。そして、検出電極の外形は、一対の側辺が直線状でなくてもよい。
また、一対の検出電極対を構成する各検出電極を合同とすることにより同一形状としているが、同一形状でなくてもよい。
例えば、検出電極の外形は、ほぼ直角三角形状となっているが、他方の検出電極との間でＸ軸方向における幅の比率が変化すれば、他の形状であってもよい。すなわち、検出電極の外形は、一対の側辺の一方をＸ軸方向と平行にすると共に底辺をＹ軸方向と平行にした台形状であってもよい。また、検出電極の外形は、二等辺三角形状など一対の側辺がＸ軸から傾けた形状であってもよい。そして、検出電極の外形は、一対の側辺が直線状でなくてもよい。
また、一対の検出電極対を構成する各検出電極を合同とすることにより同一形状としているが、同一形状でなくてもよい。
また、静電容量の形成位置を算出できれば、互いに直交するＸＹ座標系に限らず、検出領域内で互いに交差する２方向における座標を算出する構成としてもよい。
そして、算出手段は、上述した第１から第３の実施形態における算出方法に限らず、他の方法によって静電容量の形成位置を算出する構成としてもよい。
さらに、表示装置の画素電極及び共通電極の電極構造をＦＦＳ構造としているが、ＩＰＳ構造など、他の電極構造であってもよい。
そして、算出手段は、上述した第１から第３の実施形態における算出方法に限らず、他の方法によって静電容量の形成位置を算出する構成としてもよい。
さらに、表示装置の画素電極及び共通電極の電極構造をＦＦＳ構造としているが、ＩＰＳ構造など、他の電極構造であってもよい。
また、表示装置を備える電子機器としては、ＰＤＡに限らず、携帯電話機やハンディターミナル、電子ブック、ノート型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末など、種々の電子機器であってもよい。
そして、表示装置は、液晶表示装置を構成しているが、有機ＥＬ表示装置や電気泳動表示装置など、他の表示装置を構成してもよい。
ここで、座標入力装置を液晶表示装置に組み込んでいるが、液晶表示装置に組み込まずに座標入力装置単独の構成としてもよい。
そして、表示装置は、液晶表示装置を構成しているが、有機ＥＬ表示装置や電気泳動表示装置など、他の表示装置を構成してもよい。
ここで、座標入力装置を液晶表示装置に組み込んでいるが、液晶表示装置に組み込まずに座標入力装置単独の構成としてもよい。
１，１２０，１３０ 表示装置、１１ 素子基板（基板）、１２，１２１，１３１ 対向基板（他の基板）、１３ 液晶層（電気光学層）、１７ 検出手段、１８ 算出手段、１８Ａ Ｘ座標算出手段（第１座標算出手段）、１８Ｂ Ｙ座標算出手段（第２座標算出手段）、５１，５１Ａ〜５１Ｅ，１２２ 検出電極（一方の検出電極）、５２，５２Ａ〜５２Ｅ，１２３ 検出電極（他方の検出電極）、５３，１２４ 引廻配線、５５ 被覆膜、５６，５６Ａ〜５６Ｅ 検出電極対、５７ 座標入力装置、１００ ＰＤＡ（電子機器）、１１０，１１０Ａ〜１１０Ｄ 補正検出電極対、Ａ 検出領域
Claims (6)
- 基板上の検出領域内で平面状に配置された複数の検出電極と、
該複数の検出電極のそれぞれに接続された複数の引廻配線と、
前記複数の検出電極を被覆する被覆膜と、
該被覆膜を介して前記複数の検出電極と被検出物との間に形成される静電容量の変化を検出する検出手段と、
該検出手段の検出結果から前記静電容量の形成位置を算出する算出手段とを備え、
前記複数の検出電極が、前記検出領域内の第１方向に沿って形成されると共に、該第１方向と交差する第２方向に沿って配列され、隣り合う一対の前記検出電極により検出電極対を複数構成し、
該検出電極対を構成する前記一対の検出電極の一方の検出電極の幅と他方の検出電極の幅との比率が、前記第１方向に沿って変化し、
前記複数の引廻配線のそれぞれが、前記検出電極のうち前記第１方向のいずれかの端部に接続されると共に、前記複数の検出電極と同層上に形成されており、
前記複数の検出電極の外形が、それぞれ合同であり、前記検出電極対を構成する前記一方の検出電極の幅が、前記第１方向で一方から他方に向かうにしたがって小さくなり、前記他方の検出電極の幅が、前記第１方向で前記一方から他方に向かうにしたがって大きくなっており、
前記複数の検出電極は、それぞれ前記第１方向に沿う一対の側辺が、直線状であり、
前記複数の検出電極が、前記検出電極対を構成する前記一方の検出電極と該一方の検出電極と隣り合う他の前記検出電極対を構成する前記他方の検出電極とにより補正検出電極対を構成し、
前記算出手段が、前記一方の検出電極での前記静電容量の変化量の和と、前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量の和とに基づいて、前記第１方向での前記検出位置である第１座標を算出する第１座標算出手段と、
前記各検出電極対での前記静電容量の変化量と、前記一方の検出電極及び該一方の検出電極と隣り合う他の前記検出電極対を構成する前記他方の検出電極での前記静電容量の変化量と、前記第１座標とから、前記第２方向での前記検出位置である第２座標を算出する第２座標算出手段とを備え、
前記第２座標算出手段は、前記検出電極対の幅方向の中心線に対する前記補正検出電極対の幅方向の中心線の傾きに基づいて補正した前記第１座標を用いて前記第２座標を算出することを特徴とする座標入力装置。 - 前記一対の側辺は、一方が前記第１方向と平行であると共に、他方が前記第１及び第２方向から傾いており、
前記検出電極対を構成する前記一対の検出電極は、前記他方の側辺が対向配置されていることを特徴とする請求項１に記載の座標入力装置。 - 前記複数の引廻配線のそれぞれが、前記検出電極のうち前記第１方向の一方の端部に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の座標入力装置。
- 請求項１から３のいずれか１項に記載の座標入力装置と、前記基板と電気光学層を介して対向配置された他の基板とを有することを特徴とする表示装置。
- 前記複数の検出電極が、前記基板のうち前記電気光学層から離間する側に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
- 前記複数の検出電極が、前記基板のうち前記電気光学層側に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
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