TWI506515B - 單層電容觸控裝置的座標計算方法及觸控模組 - Google Patents

Description

單層電容觸控裝置的座標計算方法及觸控模組

本發明相關於一種座標計算方法及觸控模組，尤相關於一種用於具有複數個感測端對的一單層電容觸控裝置座標計算的方法及觸控模組。

近年來，觸控面板由於具有人機互動的特性，已被廣泛應用於儀器的外埠輸入介面上。而隨著消費性電子產品的應用面發展越來越廣，將觸控功能與顯示器結合而形成觸控顯示面板之應用產品也越來越多，包括行動電話(mobile phone)、衛星導航系統(GPS navigator system)、平板電腦(tablet PC)、個人數位助理(PDA)以及筆記型電腦(laptop PC)等。觸控面板中的觸控原理主要分為電阻式、電容式、音波式以及紅外線式，其中又以電阻式與電容式較為工業界上所利用。此外，由於電容式觸控裝置具有耐受性佳以及較佳的觸控感受等特色，而逐漸取代電阻式觸控螢幕成為主流。

請參考第1圖，第1圖為習知一投射電容式觸控(Projective Capacitance Touch，PCT)裝置10之感測墊架構圖。投射電容觸控裝置10運用了兩層導電層來製作感測墊，以方便進行電路的掃描動作，主要包含一觸控面板，例如，採用玻璃觸控面板，其包含有一配置於該玻璃板上之覆蓋層。於玻璃板的上層表面以固定間隔配置 多個Y軸感測墊100(位於軸線y1、y2、y3、y4上)。在玻璃板的下層表面則以固定間隔配置X軸感測墊102(位於軸線x1、x2、x3、x4上)，其中X軸感測墊102係與Y軸感測墊100正交。當手指觸摸或靠近覆蓋層時，在觸摸位置的X軸感測墊102及Y軸感測墊100的電容發生變化，經由偵測電路的偵測，即可檢測出X軸座標資料及Y軸座標資料。運用此種雙層電容式觸控裝置10，需要在該玻璃板的上表面及下表面分別鋪設X軸感測墊102及Y軸感測墊100，一般為採用銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)來製作為透明感測墊，因此生產成本較高。為解決雙層電容式觸控裝置10的不足之處，單層電容觸控裝置應運而生。

請參考第2圖，第2圖為習知一單層電容觸控裝置20的示意圖。單層電容觸控裝置20與雙層電容式觸控裝置10不同之處在於，單層電容觸控裝置20只在玻璃板的單一表面上鋪設一層感測墊。感測墊是在玻璃板的X軸以固定間隔設置多個三角形感測墊200，每兩個三角形感測墊200呈對稱而使得每對三角形感測墊形成細長型且平行於Y軸，多個平行之三角型感測墊對堆疊後，即可形成Y軸排列之複數個感測墊對202。藉由讀取各感應墊對202兩端(即感測端A1~A8、B1~B8)之感應電容值。如此一來，單層電容觸控裝置20僅需單層的銦錫氧化物(即感測墊)即可達成二維座標的多點觸控的設計，進而降低生產成本。

此外，若增加單層電容觸控裝置20中對應於感測端A1~A8、 B1~B8之感測墊對202的數量，即可提昇單層電容觸控裝置20的觸控解析度。請參考第3圖，第3圖為習知的一單層電容觸控裝置30的示意圖。不同於單層電容觸控裝置20，位於單層電容觸控裝置30邊緣之感測端A1、A8、B1、B8分別對應於兩對感測墊對202，而位於單層電容觸控裝置30中間之感測端A2~A7、B2~B7則對應於三對感測墊對202。相較於單層電容觸控裝置20，透過增加對應於感測端A1~A8、B1~B8之感測墊對202的數量，單層電容觸控裝置30的觸控解析度及觸控精確度可有效增加。

然而，由於單層電容觸控裝置僅讀取單方向(譬如為Y軸)之感應電容變化，因此單層電容觸控裝置需藉由特殊的座標演算法，以取得確切之觸控點座標。換言之，於使用具有輕薄及低生產成本等特色之單層電容觸控裝置時，必須透過良好設計的座標演算法，以獲得良好的觸控解析度及觸控精確度。

因此，本發明提出一種多點座標計算的方法及觸控模組，用於一單層電容觸控裝置。

本發明揭露一種座標計算方法，用於具有複數個感測端對的一單層電容觸控裝置，每一感測端對對應於至少一感測墊對、一第一端以及一第二端，該座標計算方法包含有取得對應於該複數個感測端對的複數個第一端感應電容值以及複數個第二端感應電容值；計 算該複數個第一端感應電容值以及該複數個第二端感應電容值分別與相對應的複數個第一端基準電容值以及複數個第二端基準電容值間之差值，以取得複數個第一端感應電容差值以及複數個第二端感應電容差值；將對應於各感測端對的第一端感應電容差值以及第二端感應電容差值相加，以取得複數個總和電容值；以及根據該複數個總和電容值，判斷該單層電容觸控裝置是否被按壓，並於判斷該單層電容觸控裝置被按壓時，根據該複數個第一端感應電容差值、該複數個第二端感應電容差值、該複數個總和電容值以及各複數個感測端對的一第一軸座標及一第二軸座標，輸出至少一按壓點之座標。

本發明另揭露一種觸控模組。該觸控模組包含有一單層電容觸控裝置，包含有對應於至少一感測墊對之複數個感測端對，每一感測端對包含有一第一端以及一第二端；一處理單元；以及一儲存單元，用來儲存一程式碼，該程式碼指示該處理單元執行以下步驟取得對應於該複數個感測端對的複數個第一端感應電容值以及複數個第二端感應電容值；計算該複數個第一端感應電容值以及該複數個第二端感應電容值分別與相對應的複數個第一端基準電容值以及複數個第二端基準電容值間之差值，以取得複數個第一端感應電容差值以及複數個第二端感應電容差值；將對應於各感測端對的第一端感應電容差值以及第二端感應電容差值相加，以取得複數個總和電容值；以及根據該複數個總和電容值，判斷該單層電容觸控裝置是否被按壓，並於判斷該單層電容觸控裝置被按壓時，根據該複數個 第一端感應電容差值、該複數個第二端感應電容差值、該複數個總和電容值以及各複數個感測端對的一第一軸座標及一第二軸座標，輸出至少一按壓點之座標。

請參考第4圖，第4圖為本發明實施例一電容式觸控模組40的示意圖。電容式觸控模組40可用於一多媒體行動系統，但不限於此。電容式觸控模組40包含有一單層電容觸控裝置400、一處理單元410以及一儲存單元420。單層電容觸控裝置400可為一單層電容觸控面板，其具有對應於至少一感測墊對之複數個感測端對，但不在此限。處理單元410可為一微處理器或一特定應用積體電路(application-specific integrated circuit，ASIC)。儲存單元420可為任一可被處理單元410存取的資料儲存單元，用以儲存一程式碼424，而處理單元410可讀取及執行程式碼424。舉例來說，儲存單元420可為唯讀式記憶體(read-only memory，ROM)、快閃式記憶體(flash memory)、隨機存取記憶體(random-access memory，RAM)、光碟唯讀記憶體(CD-ROM/DVD-ROM)、磁帶(magnetic tape)、硬碟(hard disk)及光學資料儲存單元(optical data storage device)等，而不限於此。

請參考第5圖，第5圖為本發明實施例一座標計算方法50的流程圖。座標計算方法50用於一電容式觸控模組中一單層電容觸控裝置，其中單層電容觸控裝置具有對應於至少一感測墊對的感測端對 S1~Sn。此外，感測端對S1~Sn分別包含有感測端對A1~An與感測端對B1~Bn，且感測端對A1~An與感測端對B1~Bn係分別位於感測墊對S1~Sn之不同側。座標計算方法50可被編譯為第4圖所示的程式碼424，且包含以下步驟：

步驟500：開始。

步驟502：取得對應於各感測端A1~An、B1~Bn的感應電容值C_A1~C_An、C_B1~C_Bn。

步驟504：計算感應電容值C_A1~C_An、C_B1~C_Bn分別與基準電容值BC_A1~BC_An、BC_B1~BC_Bn間之差值，以取得感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn。

步驟506：將對應於各感測墊對S1~Sn的感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn相加，以取得總和電容值TC_S1~TC_Sn。

步驟508：根據總和電容值TC_S1~TC_Sn以及一臨界值TH，判斷單層電容觸控裝置是否被按壓，並於判斷單層電容觸控裝置被按壓時，根據感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn、總和電容值TC_S1~TC_S以及各感測端對S1~Sn的第一軸座標及第二軸座標輸出至少一按壓點之一第一軸座標以及一第二軸座標。

步驟510：結束。

以下將對座標計算方法50之步驟作詳細說明。由於電容式觸控模組係透過量測單層電容觸控裝置被按壓時所產生的電容變化量或是相對於環境電容的電容變化量，來計算單層電容觸控裝置上按壓點的座標。因此，電容式觸控模組首先取得對應於各感測端A1~An、B1~Bn的感應電容值C_A1~C_An、C_B1~C_Bn，並計算感應電容值C_A1~C_An、C_B1~C_Bn與基準電容值BC_A1~BC_An、BC_B1~BC_Bn間之差值，以取得感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn(步驟502、504)。其中，基準電容值BC_A1~BC_An、BC_B1~BC_Bn係於電容式觸控模組初始化時，藉由量測環境電容值(如電容式觸控模組之表面玻璃、金屬走線、銦錫氧化物走線等所造成的環境電容值)來作為基準電容值BC_A1~BC_An、BC_B1~BC_Bn。接下來，電容式觸控模組會將對應於各感測端對S1~Sn的感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn相加，以取得總和電容值TC_S1~TC_Sn(步驟506)。由於當單層電容觸控裝置被按壓時，被按壓之感應端對之電容值會遠大於基準電容值，因此，根據對應於感應端對S1~Sn之總和電容值TC_S1~TC_Sn是否大於臨界值TH，電容式觸控模組可判斷單層電容觸控裝置是否被按壓，並於判斷單層電容觸控裝置被按壓時得知按壓點的數目。當判斷單層電容觸控裝置被按壓時，電容式觸控模組可根據感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn、總和電容值TC_S1~TC_Sn以及對應於各感測端對S1~Sn的第一軸座標及第二軸座標，計算按壓點之座標。

依據不同應用，根據感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn、總和電容值TC_S1~TC_Sn以及對應於各感測端對S1~Sn的第一軸座標及第二軸座標計算按壓點座標的方式可據以變換。請參考第6A圖及第6B圖，第6A圖及第6B圖為第5圖所示之座標計算方法50一實現方式的示意圖。如第6圖所示，一座標計算方法60之步驟包含有：

步驟600：開始。

步驟602：取得對應於各感測端A1~An、B1~Bn的感應電容值C_A1~C_An、C_B1~C_Bn。

步驟604：計算感應電容值C_A1~C_An、C_B1~C_Bn分別與基準電容值BC_A1~BC_An、BC_B1~BC_Bn間之差值，以取得感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn。

步驟606：將對應於各感測墊對S1~Sn的感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn相加，以取得總和電容值TC_S1~TC_Sn。

步驟608：比較總和電容值TC_S1~TC_Sn以及一臨界值TH之大小關係。當總和電容值TC_S1~TC_Sn其中之一大於臨界值TH時，判斷對應於大於臨界值TH之總和電容值TC_S1~TC_Sn的感測端對為有效按壓感測端對，並執行步驟610；反之，判斷對應於大於臨界值TH之總和電容TC_S1~TC_Sn的感測端對為無效按壓感測端對，並執行步驟618。

步驟610：比較有效按壓感測端對之總和電容值是否大於相鄰於有效按壓感測端對之感測端對之總和電容值，並於一有效按壓感測端對之總和電容值大於相鄰於有效按壓感測端對之感測端對之總和電容值時，判斷此有效按壓感測端對為一中心按壓感測端對。

步驟612：調整位於該單層電容觸控裝置邊緣之感測端對的總和電容值。

步驟614：根據對應於中心按壓感測端對以及相鄰於中心按壓感測端對的感測端對的總和電容值以及第一軸座標，輸出按壓點之第一軸座標。

步驟616：根據對應於中心按壓感測端對以及相鄰於中心按壓感測端對的感測端對的總和電容值、感應電容差值以及第二軸座標，輸出按壓點之第二軸座標。

步驟618：以感應電容值C_A1~C_An、C_B1~C_Bn中對應於未超過臨界值TH之總和電容值TC_S1~TC_Sn的感應電容值，更新對應於未超過臨界值TH之總和電容值TC_S1~TC_Sn的基準電容值。

步驟620：結束。

關於座標計算方法60詳細說明如下。其中，步驟602~606相似於座標計算方法50之步驟502~506，為求簡潔，在此不贅述。於取得感應電容差值DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn、總和電容值TC_S1~TC_Sn後，電容式觸控模組透過比較總和電容值 TC_S1~TC_Sn是否大於臨界值TH，判斷單層電容觸控裝置是否被按壓。當單層電容觸控裝置被按壓時，被按壓之感應端對之電容值會遠大於較基準電容值。因此，當總和電容值TC_S1~TC_Sn其中之一大於臨界值TH時，電容式觸控模組判斷對應於大於臨界值TH之總和電容值的感測端對為有效按壓感測端對。通常而言，越靠近按壓點之感測端對具有越大的感應電容差值。因此，電容式觸控模組比較有效按壓感測端對之總和電容值是否大於相鄰於有效按壓感測端對之感測端對的總和電容值，並於一有效按壓感測端對之總和電容值大於相鄰於有效按壓感測端對之感測端對之總和電容值時，判斷此有效按壓感測端對為中心按壓感測端對(步驟608、610)。

接下來，由於單層電容觸控裝置之架構並不對稱，因此於計算按壓點座標前，電容式觸控模組需調整位於邊緣之感測端對的感應電容差值以及總和電容值，以獲得較準確之計算結果(步驟612)。隨後，根據對應於中心按壓感測端對以及相鄰於中心按壓感測端對的感測端對的總和電容值、感應電容差值、第一軸座標以及第二軸座標，電容式觸控模組可計算並輸出按壓點之第一軸座標以及第二軸座標(步驟614、616)。於計算完所有按壓點之第一軸座標以及第二軸座標後，電容式觸控模組需將對應於無效按壓感測端對的基準電容值，更新為對應於無效按壓感測端對之感應電容，以校準基準電容值(步驟618)。需注意的是，若總和電容值TC_S1~TC_Sn皆小於臨界值TH(即無有效按壓感測端對)，電容式觸控模組可直接執行步驟618。

關於座標計算方法60舉例說明如下。請同時參考第7圖，第7圖為一範例單層電容觸控裝置70的示意圖。如第7圖所示，單層電容觸控裝置70包含有以Y軸平行排列之感測端對S1~S8，且具有按壓點P1、P2於感測端對S2、S7之上。其中，感測端對S1~S8分別對應於感測端A1~A8、感測端B1~B8以及X軸座標X1~X8。此外，感測端A1~A8、感測端B1~B8則分別對應於Y軸座標0以及Y軸座標256。在總和電容值TC_S1~TC_S8中，總和電容值TC_S1、TC_S2、TC_S7、TC_S8皆大於臨界值TH，因此判斷感測端對S1、S2、S7、S8為有效按壓感測端對，且判斷感測端對S3~S6為無效按壓感測端對。此外，由於總和電容值TC_S2大於總和電容值TC_S1、TC_S3，因此判斷感測端對S2為中心按壓感測端對。相似地，感測端對S7亦為中心按壓感測端對。值得注意的是，為求方便說明，在此實施例中並未調整位於單層電容觸控裝置70邊緣之感測端對S1、S8之感應電容差值DC_A1、DC_A8以及總和電容值TC_S 1、TC_S 8。

接下來，根據中心按壓感測端對S2、S7之總和電容值TC_S2、TC_S7以及相鄰於中心按壓感測端對S2、S7之感測端對S1、S3、S6、S8的總和電容值TC_S1、TC_S3、TC_S6、TC_S8，可計算出按壓點P1、P2之X軸座標XP1、XP2。在此實施例中，係利用重心法計算按壓點P1、P2之X軸座標XP1、XP2，但不在此限。計算按壓點P1之X軸座標XP1之公式可表示為：

相似地，計算按壓點P2之X軸座標XP2之公式可表示為：

如此一來，即可得知按壓點P1、P2之X軸座標XP1、XP2。相似地，按壓點P1、P2之Y軸座標YP1、YP2之公式可分別表示為：以及

最後，對應於感測端對S3~S6(無效按壓感測端對)之基準電容值BC_A3~BC_A6、BC_B3~BC_B6之值將會被分別更新為C_A3~C_A6、C_B3~C_B6。

需注意的是，本發明之主要精神在於根據一單層電容觸控裝置之感應電容值，準確計算出單層電容觸控裝置上按壓點之座標。根據不同應用，本領域熟知技藝者應可據以實施適當之改變及修改。舉例來說，感測端A1~A8、B1~B8之感應電容值C_A1~C_A8、C_B1~C_B8可能會受環境雜訊影響。因此，於取得感應電容值C_A1~C_A8、C_B1~C_B8時，可利用低通濾波器來濾除雜訊。 低通濾波器可以類比方式或數位方式實現，此外，低通濾波器可為無限脈衝響應(Infinite Impulse Response，IIR)濾波器、有限脈衝響應(finite Impulse Response，IIR)濾波器或是中位數濾波器等種類，但不在此限。

另一方面，當複數個按壓點位於同一感測端對時，會發生誤判為同一按壓點之情況。因此，上述實施例所揭露之座標計算方法可於輸出之按壓點數目少於先前輸出之按壓點數目時(譬如按壓點數目由2變為1)，執行一虛擬按壓點演算法。虛擬按壓點演算法係根據先前輸出之按壓點座標，計算是否發生複數個按壓點移動至同一感測端對上之情況，並於發生複數個按壓點移動至同一感測端對上之情況時，計算複數個按壓點之虛擬按壓點座標。

值得注意的是，上述所有步驟，包含所建議的步驟，可透過硬體、韌體(即硬體裝置與電腦指令的組合，硬體裝置中的資料為唯讀軟體資料)或電子系統等方式實現。硬體可包含類比、數位及混合電路(即微電路、微晶片或矽晶片)。電子系統可包含系統單晶片(system on chip，SOC)、系統封裝(system in package，Sip)、電腦模組(computer on module，COM)及電容式觸控模組40。

綜上所述，上述實施例所揭露之座標計算方法可應用於具有單層電容觸控裝置的電容式觸控模組中，且可準確計算出位於單層電容觸控裝置上之按壓點位置。如此一來，設計者即可於將具有輕薄 及低製造成本特色之單層電容觸控裝置應用於電子產品時，取得良好之觸控準確度及觸控解析度。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10‧‧‧投射電容觸控裝置

100‧‧‧Y軸感測墊

102‧‧‧X軸感測墊

20、30‧‧‧單層電容觸控裝置

200‧‧‧三角形感測墊

202‧‧‧感測墊對202

40‧‧‧電容式觸控模組

400‧‧‧單層電容觸控裝置

410‧‧‧處理單元

420‧‧‧儲存單元

424‧‧‧程式碼

50‧‧‧座標計算方法

500~510‧‧‧步驟

60‧‧‧座標計算方法

600~620‧‧‧步驟

A1~A8、B1~B8‧‧‧感測端

BC_A1~BC_An、BC_B1~BC_Bn‧‧‧基準電容值

C_A1~C_An、C_B1~C_Bn‧‧‧感應電容值

DC_A1~DC_An、DC_B1~DC_Bn‧‧‧感應電容差值

P1、P2‧‧‧按壓點

S1~Sn‧‧‧感測端對

TC_S1~TC_Sn‧‧‧總和電容值

TH‧‧‧臨界值

XP1、XP2‧‧‧X軸座標

YP1、YP2‧‧‧Y軸座標

第1圖為習知一投射電容觸控裝置之感測墊架構圖。

第2圖為習知一單層電容觸控裝置的示意圖。

第3圖為習知另一單層電容觸控裝置的示意圖。

第4圖為本發明實施例一電容式觸控模組的示意圖。

第5圖為本發明實施例一座標計算方法的流程圖。

第6A圖與第6B圖為第5圖所示之座標計算方法一實現方式的示意圖。

第7圖為一範例單層電容觸控裝置的示意圖。

50‧‧‧座標計算方法

500~510‧‧‧步驟

Claims (16)

1. 一種座標計算方法，用於具有複數個感測端對的一單層電容觸控裝置，每一感測端對對應於至少一感測墊對、一第一端以及一第二端，該方法包含有：取得對應於該複數個感測端對的複數個第一端感應電容值以及複數個第二端感應電容值；計算該複數個第一端感應電容值以及該複數個第二端感應電容值分別與相對應的複數個第一端基準電容值以及複數個第二端基準電容值間之差值，以取得複數個第一端感應電容差值以及複數個第二端感應電容差值；將對應於各感測端對的第一端感應電容差值以及第二端感應電容差值相加，以取得複數個總和電容值；以及根據該複數個總和電容值以及一臨界值，判斷該單層電容觸控裝置是否被按壓，並於判斷該單層電容觸控裝置被按壓時，根據該複數個第一端感應電容差值、該複數個第二端感應電容差值、該複數個總和電容值以及各複數個感測端對的一第一軸座標及一第二軸座標，輸出至少一按壓點之座標。
2. 如請求項1所述之座標計算方法，其另包含有：濾波該複數個第一端感應電容差值以及該複數個第二端感應電容差值。
3. 如請求項1所述之座標計算方法，其中根據該複數個總和電容值以及該臨界值，判斷該單層電容觸控裝置是否被按壓之步驟包含有：當該複數個總和電容值中一第一總合電容值小於該臨界值時，將對應於該第一總和電容值之一第一感測端對的第一端基準電容值以及第二端基準電容值分別更新為對應於該第一感測端對的第一端感應電容值以及第二端感應電容值。
4. 如請求項1所述之座標計算方法，其中根據該複數個第一端感應電容差值、該複數個第二端感應電容差值以及該複數個總和電容值，判斷該單層電容觸控裝置是否被按壓之步驟包含有：當該複數個總和電容值中一第一總和電容值大於該臨界值時，判斷該第一總和電容值是否大於相鄰於該第一總和電容值對應的一第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值。
5. 如請求項4所述之座標計算方法，其另包含有：當該第一總和電容值大於相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值時，調整位於該單層電容觸控裝置邊緣之感測端對的感應電容差值以及總和電容值；根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值以及第一軸座標，輸出一按壓點座標之一第一軸座標；以及根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少 一感測端對的總和電容值、第一端感應電容差值、第二端感應電容差值以及第二軸座標，輸出該按壓點座標之一第二軸座標。
6. 如請求項5所述之座標計算方法，其中根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值，輸出該按壓點座標之該第一軸座標之步驟包含有：根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值間之比例關係以及第一軸座標，輸出該按壓點座標之該第一軸座標。
7. 如請求項5所述之座標計算方法，其中根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值、第一端感應電容差值以及第二端感應電容差值，輸出該按壓點座標之該第二軸座標之步驟包含有：根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值、第一端感應電容差值以及第二端感應電容差值之間的比例關係以及第二軸座標，輸出該按壓點座標之該第二軸座標。
8. 如請求項5所述之座標計算方法，其另包含有：於輸出之按壓點數目少於先前輸出之按壓點數數目時，執行一虛擬演算法，以根據先前輸出之複數個按壓點的複數個第 一軸座標以及複數個第二軸座標，輸出複數個虛擬按壓點的複數個虛擬第一軸座標以及複數個虛擬第二軸座標。
9. 一種觸控模組，包含有：一單層電容觸控裝置，包含有對應於至少一感測墊對之複數個感測端對，每一感測端對包含有一第一端以及一第二端；一處理單元；以及一儲存單元，用來儲存一程式碼，該程式碼指示該處理單元執行以下步驟：取得對應於該複數個感測端對的複數個第一端感應電容值以及複數個第二端感應電容值；計算該複數個第一端感應電容值以及該複數個第二端感應電容值分別與相對應的複數個第一端基準電容值以及複數個第二端基準電容值間之差值，以取得複數個第一端感應電容差值以及複數個第二端感應電容差值；將對應於各感測端對的第一端感應電容差值以及第二端感應電容差值相加，以取得複數個總和電容值；以及根據該複數個總和電容值以及一臨界值，判斷該單層電容觸控裝置是否被按壓，並於判斷該單層電容觸控裝置被按壓時，根據該複數個第一端感應電容差值、該複數個第二端感應電容差值、該複數個總和電容值以及各複數個感測端對的一第一軸座標及一第二軸座標，輸出至少一按壓點之座標。
10. 如請求項9所述之觸控模組，其中該程式碼另指示該處理單元濾波該複數個第一端感應電容差值以及該複數個第二端感應電容差值。
11. 如請求項9所述之觸控模組，其中當該複數個總和電容值中一第一總合電容值小於該臨界值時，該處理單元將對應於該第一總和電容值之一第一感測端對的第一端基準電容值以及第二端基準電容值分別更新為對應於該第一感測端對的第一端感應電容值以及第二端感應電容值。
12. 如請求項9所述之觸控模組，其中當該複數個總和電容值中一第一總和電容值大於一臨界值時，該處理單元另判斷該第一總和電容值是否大於相鄰於該第一總和電容值對應的一第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值。
13. 如請求項12所述之觸控模組，其中當該第一總和電容值大於相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值時，該處理單元另執行下列步驟：調整位於該單層電容觸控裝置邊緣之感測端對的濾波電容值；根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值以及第一軸座標，輸出該按壓點座標之一第一軸座標；以及 根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之至少一感測端對的總和電容值、第一端感應電容差值、第二端感應電容差值以及第二軸座標，輸出該按壓點座標之一第二軸座標。
14. 如請求項13所述之觸控模組，其中該處理單元係根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之感測端對的總和電容值間之比例關係以及第一軸座標，輸出該按壓點座標之該第一軸座標。
15. 如請求項13所述之觸控模組，其中該處理單元係根據對應於該第一感測端對以及相鄰於該第一感測端對之感測端對的總和電容值、第一端感應電容差值以及第二端感應電容差值之間的比例關係以及第二軸座標，輸出該按壓點座標之該第二軸座標。
16. 如請求項13所述之觸控模組，其中該程式碼另指示該處理單元執行以下步驟：於輸出之按壓點數目少於先前輸出之按壓點數數目時，執行一虛擬演算法，以根據先前輸出之複數個按壓點的複數個第一軸座標以及複數個第二軸座標，輸出複數個虛擬按壓點的複數個虛擬第一軸座標以及複數個虛擬第二軸座標。