TWI507959B - 配合自容式觸控面板之校正裝置及校正方法 - Google Patents

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Description

配合自容式觸控面板之校正裝置及校正方法
本發明與觸控系統相關，尤其與用以校正觸控面板之感應結果的技術相關。
隨著科技日益進步，近年來各種電子產品的操作介面都愈來愈人性化。舉例而言，透過觸控螢幕，使用者可直接以手指或觸控筆在螢幕上操作程式、輸入訊息/文字/圖樣，省去使用鍵盤或按鍵等輸入裝置的麻煩。實際上，觸控螢幕通常係由一感應面板及設置於感應面板後方的顯示器組成。電子裝置係根據使用者在感應面板上所觸碰的位置，以及當時顯示器所呈現的畫面，來判斷該次觸碰的意涵，並執行相對應的操作結果。
現有的電容式觸控技術可分為自容式(self-capacitance)和互容式(mutual-capacitance)兩類。相對於互容式觸控面板，自容式觸控面板能藉由製程較單純的單層電極結構實現，具有成本較低的優點，因此被廣泛應用在低階電子產品中。
圖一為一自容式(self-capacitance)觸控面板的電極配置範例。以虛線框表示的感應區域100內設有多個在X方向上交錯排列的三角形電極。每個電極可被各自連接至用以偵測其電容變化量之感應器(未繪示)。複數個感應器測得的電容變化量會被傳送至一控制器(未繪示)，供該控制器據以判斷發生使用者碰觸的位置。如本發明所屬技術領域中具有通常知 識者所知，受限於觸控面板本身之感應精準度(與電極數量/形狀、感應器數量等因素相關)，使用者的實際觸碰位置和電子裝置判定的觸碰發生位置或多或少會存在差異。就圖一呈現的電極形狀/配置而言，當使用者觸碰感應區域100之左側或右側邉緣時，感應結果中的Y座標通常會出現相當大的誤差。可想見的是，若感應結果的誤差過大，可能會導致電子裝置誤判使用者的觸碰意圖，進而引發錯誤的操作結果。因此，校正機制是必要的。
現行的校正方式大多是預先建立一查找表，於其中儲存各種可能的感應結果及其相對應的校正結果。以感應結果為X/Y二維座標的情況為例，若感應結果有N種X/Y組合的可能性，查找表中即須儲存N組校正前二維座標(X/Y)及其各自對應的校正後二維座標(X”/Y”)總共N組。這種做法的主要缺點在於該查找表需要龐大的記憶體空間。
為解決上述問題，本發明提出一種新的校正裝置和校正方法。藉由找出校正後座標與校正前座標之間的關連性，並將該關聯性歸納為數學運算式，根據本發明之校正裝置及校正方法可利用運算式計算出校正後座標。根據本發明之校正裝置及校正方法可不需要任何的查找表，因而得以降低觸控系統的硬體成本。
根據本發明之一具體實施例為一種用以配合一自容式觸控面板的校正裝置，其中包含一初始座標計算模組、一校正參數計算模組、一補償量計算模組與一校正模組。該觸控面板包含複數個上方電極與複數個下方電極。該複數個下方電極於一第一參考方向上與該複數個上方電極交錯排列。該初始座標計算模組係用以根據與該複數個上方電極相關之至少一感應結果以及與該複數個下方電極相關之至少一感應結果，計算出一觸碰發生位置於該第一參考方向上之一第一初始座標以及於一第二參考方向 上之一第二初始座標。該第二參考方向垂直於該第一參考方向。該校正參數計算模組係用以根據與該複數個下方電極相關之該至少一感應結果計算出一第一校正參數，並根據與該複數個上方電極相關之該至少一感應結果計算出一第二校正參數。該補償量計算模組係用以根據該第一校正參數、該第二校正參數與該第一初始座標計算出一補償量。該校正模組係用以根據該補償量校正該第二初始座標。
根據本發明之另一具體實施例為一種用以配合一自容式觸控面板之校正方法。該觸控面板包含複數個上方電極與複數個下方電極。該複數個下方電極於一第一參考方向上與該複數個上方電極交錯排列。該校正方法首先執行一初始座標計算步驟：根據與該複數個上方電極相關之至少一感應結果以及與該複數個下方電極相關之至少一感應結果，計算出一觸碰發生位置於該第一參考方向上之一第一初始座標以及於一第二參考方向上之一第二初始座標。該第二參考方向垂直於該第一參考方向。隨後，該方法執行一校正參數步驟：根據與該複數個下方電極相關之該至少一感應結果計算出一第一校正參數，並根據與該複數個上方電極相關之該至少一感應結果計算出一第二校正參數。接著，根據該第一校正參數、該第二校正參數與該第一初始座標，一補償量被計算出來，且該補償量被用以校正該第二初始座標。
關於本發明的優點與精神可以藉由以下發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
100‧‧‧感應區域
111~113、121~123‧‧‧電極
200‧‧‧校正裝置
210‧‧‧初始座標計算模組
220‧‧‧校正參數計算模組
230‧‧‧補償量計算模組
240‧‧‧校正模組
300‧‧‧自容式觸控面板
380A~380D‧‧‧角落區域
385A~385D‧‧‧交界區域
390‧‧‧觸碰位置
S51~S54‧‧‧流程步驟
圖一為一自容式觸控面板的電極配置範例。
圖二為根據本發明之一實施例中的校正裝置之功能方塊圖。
圖三呈現交錯排列之上方電極與下方電極之相對關係。
圖四呈現角落區域、交界區域與中間區域的範圍範例。
圖五為根據本發明之一實施例中的校正方法之流程圖。
根據本發明之一具體實施例為一種校正裝置，其功能方塊圖呈現於圖二。校正裝置200係用以配合自容式觸控面板300，並且包含一初始座標計算模組210、一校正參數計算模組220、一補償量計算模組230與一校正模組240。於本發明之實施例中，自容式觸控面板300包含複數個上方電極與複數個下方電極，且該等下方電極於一第一參考方向X上與該等上方電極交錯排列。以下說明主要以圖一所呈現的電極形狀/配置(上方電極、下方電極兩兩對應且平面形狀各自近似一直角三角形)為例，來說明校正裝置200的運作方式。圖一中的電極被重繪於圖三，其中被繪示為填充以左斜灰線的電極為上方電極，而未被填充圖樣的白色電極為下方電極。
如圖二所示，自容式觸控面板300會將與該複數個上方電極相關的感應結果以及與該複數個下方電極相關的感應結果提供至初始座標計算模組210。初始座標計算模組210負責根據與該等感應結果計算出觸碰發生位置於第一參考方向X上之第一初始座標x 以及於一第二參考方向Y上之第二初始座標y 。校正裝置200的主要功能便是校正第二初始座標y 。於一實施例中，初始座標計算模組210首先將所有的感應結果分組(grouping)，找出最有可能是觸碰發生位置的一個感應結果群組。以圖三中的電極為例，假設實際觸碰發生位置為虛線圓圈390所標示處，上方電極111~113和下方電極121~123所貢獻的電容變化量會明顯高於其他電極。在這個情況下，初始座標計算模組210於計算第一初始座標x 、第二初始座標y 時可僅考量上方電極111~113和下方電極121~123貢獻之電容變化量構成的感應結果群組，忽略與其他電極相關的感應結果。
假設初始座標計算模組210總共將與上方電極相關的N個電容變化量以及與下方電極相關的P個電容變化量納入考量(N、P各自為一自然數)，初始座標計算模組210可根據下列運算式計算第一初始座標x 、第二初始座標y ： 其中i為範圍在1到N之間的整數指標，k 為範圍在1到P之間的整數指標，C i 代表該N個電容感應量中的第i 個電容變化量，X i 代表該第一參考方向上對應於該第i 個電容變化量之一X方向重心座標，C k 代表該P個電容感應量中的第k 個電容變化量，X k 代表該第一參考方向上對應於該第k 個電容變化量之一X方向重心座標，而L 代表單一電極在Y方向上的高度(如圖三所示)。由於式一、式二所表示的初始座標運算為本發明所屬技術領域中具有通常知識者所知，於此不贅述細節。
如圖二所示，自容式觸控面板300也會將與該複數個上方電極相關的感應結果以及與該複數個下方電極相關的感應結果提供至校正參數計算模組220。校正參數計算模組220負責根據與該複數個下方電極相關之感應結果計算出一第一校正參數x 1 ，並根據與該複數個上方電極相關之該感應結果計算出一第二校正參數x 2 。於一實施例中，校正參數計算模組220係根據下列運算式計算第一校正參數x 1 與第二校正參數x 2 ：
由式三和式四可看出，第一校正參數x 1 可被視為僅考慮與下方電極相關之感應結果所計算出的一個X座標，而第二校正參數x 2 可被視為僅考慮與上方電極相關之感應結果所計算出的另一個X座標。
隨後，補償量計算模組230根據第一校正參數x 1 、第二校正參數x 2 與第一初始座標x 計算出一補償量comp 。於一實施例中，補償量計算模組係根據下列運算式計算補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×b ，(式五)其中w 相關於一上方電極於第一參考方向X上之寬度(如圖三所示)，該寬度為w 之整數倍，a 、b 分別為一預設數值。由式五可看出，補償量comp 和第一初始座標x 之間的關係可用二次式表示，而該二次式中之一次項的係數與第一校正參數x 1 、第二校正參數x 2 的差值相關。預設數值a 、b 可由電路設計者預先經由模擬實驗找出，其設計原則為期待最小化校正後的Y座標誤差。
接著，校正模組240即根據補償量comp 校正第二初始座標y ，產生一校正後座標y” ：y "=y +comp 。(式六)
如先前所述，就圖一呈現的電極形狀/配置而言，當使用者觸碰感應區域100之左側或右側邉緣時，感應結果中的Y座標通常會出現相當大的誤差。於實際應用中，電路設計者可將校正裝置200設定為當第一初始座標x 與第二初始座標y 顯示觸碰發生在感應區域100的左側或右側邉緣時(邊緣區域的範圍由電路設計者自行定義)，才啟動校正機制。易言之，若使用者觸碰並非發生在感應區域100的左側或右側邉緣，校正裝置200便無須進行前述與校正相關的運算程序，而是直接採用第一初始座標x 和第二初始座標y 。
經過模擬實驗證明，當使用者觸碰發生在感應區域100之左右兩側邉緣，根據式一~式六所產生的校正後座標y” 會比校正前第二初始座標y 的更接近實際觸碰位置，提供良好的校正效果。
於另一實施例中，自容式觸控面板300中的上方電極和下方電極可被各自區分為兩類：中央電極與邊緣電極。以圖三呈現的電極為例，電路設計者可將最接近感應區域100左側的四個電極(上方電極111、112與下方電極121、122)與最接近感應區域100右側的四個電極定義為邊緣電極，並將其他電極定義為中央電極(例如上方電極113與下方電極123)。須說明的是，本發明的範疇不以此例為限；電路設計者可自行依據模擬實驗的結果決定邊緣電極的數量。
假設初始座標計算模組210於計算第一初始座標x 、第二初始座標y 時，總共將與上方電極相關之N個中央電容變化量、M個邊緣電容變化量，以及與下方電極相關之P個中央電容變化量與Q個邊緣電容變化量納入考量(N、M、P、Q各自為一自然數)，初始座標計算模組210可根據下列運算式計算第一初始座標x ： 其中i 為範圍在1到N之間的整數指標，j 為範圍在1到M之間的整數指標，k 為範圍在1到P之間的整數指標，l 為範圍在1到Q之間的整數指標。C i 代表該N個中央電容感應量中之第i 個中央電容變化量，X i 代表第一參考方向X上對應於該第i 個中央電容變化量之一重心座標。C j 代表該M個邊緣電容感應量中之第j 個邊緣電容變化量，X j 代表第一參考方向X上對應於該第j 個邊緣電容變化量之一重心座標。C k 代表該P個中央電容感應量中之第k 個中央電容變化量，X k 代表第一參考方向X上對應於該第k 個中央電容變化量之一重心座標。C l 代表該Q個邊緣電容感應量中之 第l 個邊緣電容變化量，X l 代表第一參考方向X上對應於該第l 個邊緣電容變化量之一重心座標。
式七中的α 1、α 2分別為一預設數值。於一較佳實施例中，預設數值α 1、α 2同時等於2，也就是增加邊緣電極於計算第一初始座標x 時貢獻的電容感應量之比重。比較式七和式一可看出，當數值α 1、α 2同時被設定為1，式七即等於式一。
根據本發明，補償量計算模組230可被設計為根據初始座標計算模組210估計出的觸碰發生位置選擇不同的補償量運算式。在這個情況下，第一初始座標x 與第二初始座標y 都會被提供至補償量計算模組230。為便於說明，圖三中的電極被重繪於圖四。於一實施例中，當第一初始座標x 與第二初始座標y 顯示觸碰發生位置落入角落區域380A~380D中的任一個角落區域，補償量計算模組230便根據下列運算式計算補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×c ，(式八)其中c 為一預設數值，且c 大於式五中的數值b 。相對地，若第一初始座標x 與第二初始座標y 顯示觸碰發生位置是出現在角落區域380A~380D之外的中間區域，則補償量計算模組230仍然採用式五計算補償量comp 。易言之，當觸碰發生在角落區域，補償量comp 會被提高。
於另一實施例中，當第一初始座標x 與第二初始座標y 顯示觸碰發生位置落在角落區域380A~380D和中間區域交界處的交界區域385A~385D，補償量計算模組230會根據下列運算式計算補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×d ，(式九)其中c 為一預設數值，且式八中的數值c 大於d ，d 大於式五中的數值b 。於此實施例中，若第一初始座標x 與第二初始座標y 顯示觸碰發生位置是 出現在角落區域380A~380D，則補償量計算模組230仍然採用式八計算補償量comp ；若第一初始座標x 與第二初始座標y 顯示觸碰發生位置是出現在角落區域380A~380D和交界區域385A~385D之外的中間區域，則補償量計算模組230仍然採用式五計算補償量comp 。額外考慮上述交界區域的原因在於避免角落區域和中間區域間的補償量變化過於激烈。
如同預設數值a 、b ，電路設計者可預先經由模擬實驗找出預設數值c 、d ，其設計原則亦為期待最小化校正後Y座標與實際觸碰位置之Y座標間的誤差。
根據本發明之另一具體實施例為一種用以配合一自容式觸控面板之校正方法，其流程圖係繪示於圖五。該觸控面板包含複數個上方電極與複數個下方電極。該複數個下方電極於一第一參考方向上與該複數個上方電極交錯排列。首先，步驟S51為根據與該複數個上方電極相關之至少一感應結果以及與該複數個下方電極相關之至少一感應結果，計算出一觸碰發生位置於該第一參考方向上之一第一初始座標以及於一第二參考方向上之一第二初始座標。該第二參考方向垂直於該第一參考方向。隨後，步驟S52為根據與該複數個下方電極相關之該至少一感應結果計算出一第一校正參數，並根據與該複數個上方電極相關之該至少一感應結果計算出一第二校正參數。接著，步驟S53為根據該第一校正參數、該第二校正參數與該第一初始座標計算一補償量。步驟S54為根據該補償量校正該第二初始座標。
本發明所屬技術領域中具有通常知識者可理解，先前在介紹校正裝置200時描述的各種操作變化(例如令步驟S51在計算第一初始座標時分別施加不同的比重於中央電極和邊緣電極的電容變化量，或是根據觸碰發生位置調整步驟S53於計算補償量時採用的運算式)亦可應用至圖五中的校正方法，其細節不再贅述。
須說明的是，本揭露書中的數學表示式係用以說明與本發明之實施例相關的原理和邏輯，除非有特別指明的情況，否則不對本發明之範疇構成限制。本發明所屬技術領域中具有通常知識者可理解，有多種技術可實現該等數學式所對應的物理表現形式。此外，本發明的圖式包含呈現多種彼此關聯之功能性模組的功能方塊圖。該等圖式並非細部電路圖，且其中的連接線僅用以表示信號流。功能性元件及/或程序間的多種互動關係不一定要透過直接的電性連結始能達成。此外，個別元件的功能不一定要如圖式中繪示的方式分配，且分散式的區塊不一定要以分散式的電子元件實現。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
200‧‧‧校正裝置
210‧‧‧初始座標計算模組
220‧‧‧校正參數計算模組
230‧‧‧補償量計算模組
240‧‧‧校正模組
300‧‧‧自容式觸控面板

Claims (14)

  1. 一種用以配合一自容式觸控面板之校正裝置，該觸控面板包含複數個上方電極與複數個下方電極，該複數個下方電極於一第一參考方向上與該複數個上方電極交錯排列，該校正裝置包含：一初始座標計算模組，用以根據與該複數個上方電極相關之至少一感應結果以及與該複數個下方電極相關之至少一感應結果，計算出一觸碰發生位置於該第一參考方向上之一第一初始座標以及於一第二參考方向上之一第二初始座標，該第二參考方向實質上垂直於該第一參考方向；一校正參數計算模組，用以根據與該複數個下方電極相關之該至少一感應結果計算出一第一校正參數，並根據與該複數個上方電極相關之該至少一感應結果計算出一第二校正參數；一補償量計算模組，用以根據該第一校正參數、該第二校正參數與該第一初始座標計算出一補償量；以及一校正模組，用以根據該補償量校正該第二初始座標。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之校正裝置，其中每一上方電極和每一下方電極之平面形狀各自近似一直角三角形，且每一上方電極各自與一下方電極相對應。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之校正裝置，其中與該複數個上方電極相關之該至少一感應結果包含N個中央電容變化量與M個邊緣電容變化量，與該複數個下方電極相關之該至少一感應結果包含P個中央電容變化量與Q個邊緣電容變化量，N、M、P、Q各自為一自然數，該初始座標計算模組係根據下列運算式計算該第一初始座標x： 其中i 為範圍在1到N之間的整數指標，j 為範圍在1到M之間的整數指標，k 為範圍在1到P之間的整數指標，l 為範圍在1到Q之間的整數指標，C i 代表該N個中央電容感應量中之第i 個中央電容變化量，X i 代表該第一參考方向上對應於該第i 個中央電容變化量之一重心座標，C j 代表該M個邊緣電容感應量中之第j 個邊緣電容變化量，X j 代表該第一參考方向上對應於該第j 個邊緣電容變化量之一重心座標，C k 代表該P個中央電容感應量中之第k 個中央電容變化量，X k 代表該第一參考方向上對應於該第k 個中央電容變化量之一重心座標，C l 代表該Q個邊緣電容感應量中之第l 個邊緣電容變化量，X l 代表該第一參考方向上對應於該第l 個邊緣電容變化量之一重心座標；α 1、α 2分別為一預設數值；該校正參數計算模組係根據下列運算式計算該第一校正參數x 1 與該第二校正參數x 2 ：
  4. 如申請專利範圍第3項所述之校正裝置，其中預設數值α 1、α 2同時等於1或同時等於2。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之校正裝置，其中該補償量計算模組係根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×b ，其中w 相關於一上方電極於該第一參考方向上之寬度，該寬度為w 之整數倍，a 、b 分別為一預設數值。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之校正裝置，其中當該第一初始座標與該第 二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一中間區域，該補償量計算模組係根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×b ；當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一角落區域，該補償量計算模組係根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×c ；其中w 大致等於一上方電極於該第一參考方向上之寬度，a 、b 、c 分別為一預設數值，且c 大於b 。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之校正裝置，其中當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一中間區域，該補償量計算模組係根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×b ；當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一角落區域，該補償量計算模組係根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×c ；當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入該中間區域與該角落區域間之一交界區域，該補償量計算模組係根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×d ；其中w 大致等於一上方電極於該第一參考方向上之寬度，a 、b 、c 、d 分別為一預設數值，且c 大於d ，d 大於b 。
  8. 一種用以配合一自容式觸控面板之校正方法，該觸控面板包含複數個上 方電極與複數個下方電極，該複數個下方電極於一第一參考方向上與該複數個上方電極交錯排列，該校正方法包含：(a)根據與該複數個上方電極相關之至少一感應結果以及與該複數個下方電極相關之至少一感應結果，計算出一觸碰發生位置於該第一參考方向上之一第一初始座標以及於一第二參考方向上之一第二初始座標，該第二參考方向實質上垂直於該第一參考方向；(b)根據與該複數個下方電極相關之該至少一感應結果計算出一第一校正參數；(c)根據與該複數個上方電極相關之該至少一感應結果計算出一第二校正參數；(d)根據該第一校正參數、該第二校正參數與該第一初始座標計算出一補償量；以及(e)根據該補償量校正該第二初始座標。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之校正方法，其中每一上方電極和每一下方電極之平面形狀各自近似一直角三角形，且每一上方電極各自與一下方電極相對應。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之校正方法，其中與該複數個上方電極相關之該至少一感應結果包含N個中央電容變化量與M個邊緣電容變化量，與該複數個下方電極相關之該至少一感應結果包含P個中央電容變化量與Q個邊緣電容變化量，N、M、P、Q各自為一自然數，步驟(a)包含根據下列運算式計算該第一初始座標x ： 其中i 為範圍在1到N之間的整數指標，j 為範圍在1到M之間的整數指標，k 為範圍在1到P之間的整數指標，l 為範圍在1到Q之間的整數指標，C i 代表 該N個中央電容感應量中之第i 個中央電容變化量，X i 代表該第一參考方向上對應於該第i 個中央電容變化量之一重心座標，C j 代表該M個邊緣電容感應量中之第j 個邊緣電容變化量，X j 代表該第一參考方向上對應於該第j 個邊緣電容變化量之一重心座標，C k 代表該P個中央電容感應量中之第k 個中央電容變化量，X k 代表該第一參考方向上對應於該第k 個中央電容變化量之一重心座標，C l 代表該Q個邊緣電容感應量中之第l 個邊緣電容變化量，X l 代表該第一參考方向上對應於該第l 個邊緣電容變化量之一重心座標；α 1、α 2分別為一預設數值；步驟(b)~步驟(c)包含根據下列運算式計算該第一校正參數x 1 與該第二校正參數x 2 ：
  11. 如申請專利範圍第10項所述之校正方法，其中預設數值α 1、α 2同時等於1或同時等於2。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之校正方法，其中步驟(d)包含根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×b ，其中w 相關於一上方電極於該第一參考方向上之寬度，該寬度為w 之整數倍，a 、b 分別為一預設數值。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之校正方法，其中步驟(d)包含：(d1)當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一中間區域，根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×b ；以及(d2)當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一角落區域，根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x×a +x 2 ×c ；其中w 大致等於一上方電極於該第一參考方向上之寬度，a 、b 、c 分別為一預設數值，且c 大於b 。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之校正方法，其中步驟(d)包含：(d1)當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一中間區域，根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×b ；(d2)當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入一角落區域，根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×c ；以及(d3)當該第一初始座標與該第二初始座標顯示該觸碰發生位置落入該中間區域與該角落區域間之一交界區域，根據下列運算式計算該補償量comp ：comp =(x 1 -x 2 +w )×x ×a +x 2 ×d ；其中w 大致等於一上方電極於該第一參考方向上之寬度，a 、b 、c 、d 分別為一預設數值，且c 大於d ，d 大於b 。
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