CN103999210A - 布线基板以及电子装置 - Google Patents

布线基板以及电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103999210A
CN103999210A CN201280061874.7A CN201280061874A CN103999210A CN 103999210 A CN103999210 A CN 103999210A CN 201280061874 A CN201280061874 A CN 201280061874A CN 103999210 A CN103999210 A CN 103999210A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat transfer
electronic unit
circuit board
base portion
insulating body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280061874.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103999210B (zh
Inventor
川越弘
须田育典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN103999210A publication Critical patent/CN103999210A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103999210B publication Critical patent/CN103999210B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20436—Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/205—Heat-dissipating body thermally connected to heat generating element via thermal paths through printed circuit board [PCB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0207—Cooling of mounted components using internal conductor planes parallel to the surface for thermal conduction, e.g. power planes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10174—Diode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10416—Metallic blocks or heatsinks completely inserted in a PCB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

本发明的课题在于使收容在绝缘基体的凹部内的电子部件的动作特性提高。为此，本发明的布线基板(1)包含绝缘基体(11)和设置于绝缘基体(11)内的传热构件(12)。绝缘基体(11)具有上表面和设置于上表面的凹部(11b)，在上表面具有第1电子部件(2)的第1搭载区域(11a)，在凹部(11b)内具有第2电子部件(3)的第2搭载区域。传热构件(12)设置于绝缘基体(11)内使得在俯视时与第1搭载区域(11a)以及第2搭载区域相重叠，传热构件(12)的一部分在凹部(11b)内露出。

Description

布线基板以及电子装置
技术领域
本发明涉及布线基板以及电子装置。
背景技术
作为搭载电子部件(例如，发光二极管等的发光元件)的布线基板，例如，如下述专利文献1所示，提出了一种布线基板，其具有从绝缘基体的上表面一直设置到下表面的传热构件。电子部件搭载于传热构件的上方，由电子部件产生的热通过传热构件而传递到安装基板。
此外，还提出了在具有多个电子部件(例如，发光元件以及保护元件)的电子装置中，多个电子部件中的一部分电子部件(例如，保护元件)被收容到绝缘基体的凹部内。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2006-66409号公报
专利文献2：JP特开2008-85296号公报
发明内容
发明要解决的课题
虽然通过上述具有传热构件的结构可以实现散热性的提高，但是关于多个电子部件中的一部分电子部件被收容在凹部内的结构中的凹部内的蓄热仍然存在课题。若在凹部内蓄热，则收容在凹部内的电子部件的动作特性有可能下降。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式，布线基板包含有绝缘基体和设置于绝缘基体内的传热构件。绝缘基体具有上表面和设置于上表面的凹部，并在上表面具有第1电子部件的第1搭载区域，在凹部内具有第2电子部件的第2搭载区域。传热构件设置于绝缘基体内使得在俯视时与第1搭载区域以及第2搭载区域相重叠，传热构件的一部分在凹部内露出。
根据本发明的其他方式，电子装置包含有上述构成的布线基板、设置于布线基板的第1搭载区域的第1电子部件、和设置于布线基板的第2搭载区域的第2电子部件。
发明效果
本发明的一个方式的布线基板通过传热构件设置于绝缘基体内使得在俯视时与第1搭载区域以及第2搭载区域相重叠，且传热构件的一部分在凹部内露出，从而能够高效率地消除凹部内的热，并且能够实现使设置于凹部内的第2电子部件的动作特性得到了提高的电子装置。
根据本发明的其他方式的电子装置，通过包含上述构成的布线基板，能够使凹部内的蓄热得到降低，从而使动作特性得到提高。
附图说明
图1的(a)示出了本发明的实施方式中的电子装置的俯视图，(b)示出了在(a)所示的电子装置中，去掉了第1以及第2电子部件、上表面传热层、上表面布线导体以及键合引线之后的结构的俯视图。
图2的(a)示出了图1的(a)以及图1的(b)所示的电子装置的示意性纵剖视图，(b)示出了关于(a)所示的电子装置的其他例的示意性纵剖视图。
图3示出了关于图2所示的电子装置的其他例的示意性纵剖视图。
图4示出了关于图2所示的电子装置的变形例的示意性纵剖视图。
图5示出了关于图4所示的电子装置的变形例的示意性纵剖视图。
图6示出了关于图5所示的电子装置的变形例的示意性纵剖视图。
图7示出了关于图6所示的电子装置的变形例的示意性纵剖视图。
图8示出了关于图6所示的电子装置的变形例的示意性纵剖视图。
图9示出了关于图2所示的电子装置的层叠结构例的示意性纵剖视图。
图10的(a)示出了在将图9所示的层叠结构的技术性设计应用于图8所示的结构例的情况下的电子装置的俯视图，(b)示出了在(a)所示的电子装置中，去掉了第1以及第2电子部件、上表面传热层以及上表面布线导体之后的结构的俯视图。
图11示出了图10的(a)以及(b)所示的电子装置的仰视图。
图12示出了图10的(a)、(b)以及图11所示的电子装置中的电连接结构。
图13示出了图10的(a)、(b)以及图11所示的电子装置的示意性纵剖视图。
图14示出了关于图2所示的电子装置的其他例的示意性纵剖视图。
图15示出了关于图2所示的电子装置的其他例的示意性纵剖视图。
图16示出了关于图9所示的电子装置的其他例的示意性纵剖视图。
图17是在图9所示的电子装置中详细地示出了凹部的周边的示意性纵剖视图。
图18是表示图17所示的传热支部的形成方法的示意图。
图19是关于图17所示的传热支部的其他例的示意性纵剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的示例性的实施方式进行说明。
本实施方式中的电子装置，例如，涉及一种具有发光二极管(LED)等电子部件的发光装置等。
如图1(a)、图1(b)以及图2(a)所示，本实施方式中的电子装置包含有布线基板1、安装于布线基板1的第1电子部件2以及第2电子部件3。在图1(a)～图2(a)所示的示例中，电子装置包含有多个第2电子部件3。另外，第1电子部件2例如是发光二极管(LED)等发光元件，第2电子部件3例如是齐纳二极管等保护元件。
此外，在需要保护第1电子部件2等的情况下，电子装置还包含覆盖构件4。在图1(a)以及图1(b)中，覆盖构件4的图示被省略。
布线基板1包含有绝缘基体11、设置于绝缘基体11内的传热构件12、设置于绝缘基体11的上表面的上表面传热层13、和设置于绝缘基体11的下表面的下表面传热层14(以下，也称为第1下表面传热层14)。
绝缘基体11例如由陶瓷或树脂等的绝缘材料构成，具有上表面和设置于上表面的凹部11b，并在上表面具有第1电子部件2的第1搭载区域11a(以下，有时简单称为搭载区域11a)，在凹部11b内具有第2电子部件3的第2搭载区域。在图1(b)中，搭载区域11a通过双点划线而虚拟示出。
对于凹部11b，例如在第1电子部件2是发光元件的情况下，为了使第1电子部件2与第2电子部件3的安装位置的高度不同而设置，使得第2电子部件3难以阻碍从第1电子部件2辐射出的光的行进。
凹部11b配置在搭载区域11a的周围区域。若凹部11b配置在搭载区域11a的附近，则便于进行用于第1电子部件2以及第2电子部件3的布线设计。
布线基板1还包含有设置于绝缘基体11的上表面的上表面布线导体17。在图1以及图2所示的示例中，布线基板1包含有多个上表面布线导体17，该多个上表面布线导体17配置在搭载区域11a的周围区域，使得包围第1电子部件2的搭载区域11a。
上表面布线导体17用于对第1电子部件2以及第2电子部件3提供基准电压。基准电压例如是电源电压VDD或接地电压GND，在图2(a)中，示意性地示出了提供电源电压VDD。第1电子部件2以及第2电子部件3例如通过键合引线而与上表面布线导体17电连接。
传热构件12包含例如铜钨(CuW)等金属材料。传热构件12也作为对第1电子部件2以及第2电子部件3提供基准电压的布线导体而发挥作用。基准电压例如是电源电压VDD或接地电压GND，在图2(a)中，示意性地示出了提供接地电压GND的情况。
如图1(b)所示，传热构件12配置为在俯视时与搭载区域11a以及凹部11b相重叠。图1(b)示出了在布线基板1中省略了上表面传热层13以及上表面布线导体17的结构，传热构件12中的由绝缘基体11覆盖的部分通过虚线来表示。
另外，传热构件12只要与凹部11b重叠至能进行第2电子部件3的安装的程度即可，无需一定在凹部11b的整个区域进行重叠。在图1(b)所示的示例中，传热构件12与凹部11b的一部分相重叠。
传热构件12的一部分在凹部11b中从绝缘基体11露出。以下，将传热构件12中从绝缘基体11露出的部分也称为露出部。第2电子部件3在该露出部与传热构件12电连接，基准电压经由露出部被提供给第2电子部件3。
传热构件12包含：传热基部12a，其配置为在俯视时与搭载区域11a相重叠；和传热支部12b，其从凹部11b一直设置到传热基部12a。
传热基部12a例如从绝缘基体11的上表面一直设置到下表面。另外，如图3所示，也可以是如下结构：传热基部12a被埋设于绝缘基体11内，传热基部12a的上表面以及下表面由绝缘基体11来覆盖。
在该图3所示的结构中，由于不能够将传热构件12用作基准电压的供给路径，因此需要例如通过设置基准电压供给用的布线导体等其他方法对第1电子部件2以及第2电子部件3提供基准电压。
再次参照图1(a)～图2(a)，在俯视时，若传热基部12a具有与搭载区域11a的尺寸(即，第1电子部件2的尺寸)相比较大尺寸的上表面，则能够使安装第1电子部件2的部分的平坦性提高。若平坦性得到提高，则例如在第1电子部件2是发光元件的情况下，能够使从第1电子部件2辐射出的光的强度分布的偏差降低，布线基板1能够实现关于发光特性得到了提高的电子装置。
此外，在俯视时，若传热基部12a具有与搭载区域11a的尺寸(即，第1电子部件2的尺寸)相比较大尺寸的上表面，则第1电子部件2所产生的热在布线基板1的上表面就容易向水平方向传导，第1电子部件2的散热效率得到提高。
传热支部12b的一部分在凹部11b中从绝缘基体11露出。另外，在图1(b)中，传热支部12b的一部分以透过绝缘基体11的状态通过虚线来表示。以下，将传热支部12b中从绝缘基体11露出的部分也称为露出部。第2电子部件3被安装于该露出部，并且在该露出部与传热支部12b电连接，基准电压经由露出部被提供给第2电子部件3。
如图2(a)所示，若传热支部12b沿水平方向(即纸面的左右方向)延伸，则从凹部11b到传热基部12a的传热路径成为最短，容易进一步降低凹部12b内的蓄热。
上表面传热层13例如覆盖传热基部12a的上表面，并与传热基部12a的上表面热耦合。在图2(a)所示的示例中，上表面传热层13与传热基部12a的上表面相接，从而与传热基部12a热耦合。
上表面传热层13若在俯视时具有比搭载区域11a大的面积，则能够使安装第1电子部件2的部分的平坦性提高。若平坦性得到提高，则例如在第1电子部件2是发光元件的情况下，能够使从第1电子部件2辐射出的光的强度分布的偏差降低，布线基板1能够实现关于发光特性得到了提高的电子装置。
上表面传热层13若在俯视时具有比传热基部12a的上表面大的面积，则能够覆盖传热基部12a与绝缘基体11的边界，能够抑制有可能产生在该边界的高低差所引起的搭载区域11a的平坦性的下降。
上表面传热层13若与传热基部12a的上表面相接，则与传热基部12a电连接，并作为给第1电子部件2的基准电压的供给路径而发挥作用。
下表面传热层14例如覆盖传热基部12a的下表面，并与传热基部12a的下表面热耦合。在图2(a)所示的示例中，下表面传热层14与传热基部12a的下表面相接，从而与传热基部12a热耦合。
若下表面传热层14在仰视时具有比传热基部12a大的面积，则关于传热基部12a对安装基板的电连接以及热耦合得到强化。
下表面传热层14若与传热基部12a的下表面相接，则与传热基部12a电连接，并作为给第1电子部件2以及第2电子部件3的基准电压的供给路径而发挥作用。
第1电子部件2是例如发光元件，发光元件的示例为由半导体材料构成的发光二极管(LED)。在第1电子部件2是发光元件的情况下，第1电子部件2根据驱动电流例如辐射紫外区域或蓝色区域的波长的第1次光。
第1电子部件2搭载在上表面传热层13上，并且与上表面传热层13电连接。此外，第1电子部件2通过键合引线而与上表面布线导体17电连接。
第1电子部件2经由上表面传热层13例如接受接地电压GND等的基准电压的供给，并经由上表面布线导体17例如接受电源电压VDD等的基准电压的供给。
第2电子部件3例如是齐纳二极管等保护元件。
第2电子部件3搭载在传热支部12b上，并且与传热支部12b电连接。此外，第2电子部件3通过键合引线而与上表面布线导体17电连接。
第2电子部件3经由传热支部12b例如接受接地电压GND等的基准电压的供给，并经由上表面布线导体17例如接受电源电压VDD等的基准电压的供给。
覆盖构件4设置在绝缘基体11上，覆盖了第1以及第2电子部件2、3以及多个键合引线。
在本实施方式的电子装置是发光装置的情况下，覆盖构件4由透光性构件、以及根据需要而分散设置于透光性构件内的多个荧光粒子构成。
在本实施方式的电子装置是发光装置的情况下，透光性构件例如由硅酮树脂等的树脂材料构成。多个荧光粒子通过从第1电子部件2(即，发光元件)辐射出的第1次光来激励而辐射具有与第1次光相比较长波长的第2次光。第2次光例如在第1电子部件2辐射紫外光的情况下，具有蓝色、绿色以及红色的波长，例如在第1电子部件2辐射蓝色光的情况下，具有黄色的波长。
另外，覆盖构件4也可以是图2(b)所示的那样的圆顶形状。
在本实施方式的电子装置中，布线基板1包含配置为在俯视时与第1电子部件2的搭载区域11a以及第2电子部件3的凹部11b相重叠的传热构件12，传热构件12的一部分在凹部11b中从绝缘基体11露出，由此能够高效率地消除凹部11b内的热，并能够使设置于凹部11b内的第2电子部件3的动作特性提高。
另外，在本实施方式的电子装置是例如具有发光元件(例如发光二极管)以及保护元件(例如齐纳二极管)的发光装置、第1电子部件2是发光元件、第2电子部件3是保护元件的情况下，能够高效率地消除由作为发光元件的第1电子部件2产生而传到凹部11b内的热，并能够使作为保护元件的第2电子部件3的动作特性提高。
此外，在本实施方式的电子装置是发光装置的情况下，通过高效率地消除传导到凹部11b内的热，能够使覆盖构件4进入到凹部11b内的部分及其附近的部分的热所引起的劣化降低。只要能够使覆盖构件4的热所引起的劣化降低，就能够降低从作为发光元件的第1电子部件2辐射出的光的损失，能够使作为发光装置的电子装置的发光特性提高。
另外，如图4所示，在传热支部12b一直设置到绝缘基体11的侧面的情况下，容易通过传热支部12b将凹部11b内的热也向绝缘基体11的侧面传导，能够使从绝缘基体11的侧面的散热性提高。在图4中，通过方框箭头示意性地示出了绝缘基体11的侧面的热扩散。
此外，如图5所示，在布线基板1还包含有设置于绝缘基体11的侧面且与传热支部12b热耦合的侧面散热层15的情况下，能够进一步使绝缘基体11的侧面的散热性得到提高。在图5中，通过方框箭头示意性地示出了绝缘基体11的侧面的热扩散。
此外，如图6所示，在布线基板1还包含有设置于绝缘基体11的下表面且与侧面散热层15热耦合的下表面传热层16(以下，也称为第2下表面传热层16)的情况下，能够实现使传到侧面散热层15的热从绝缘基体11的下表面高效率地传导到安装基板。在图6中，通过方框箭头示意性地示出了绝缘基体11的下表面的热传导。
此外，如图7所示，在布线基板1还包含有设置于绝缘基体11内且与传热支部12b和下表面传热层16热耦合的导通导体22的情况下，能够使传热支部12b上的热高效率地传导到绝缘基体11的下表面。在图7中，通过方框箭头示意性地示出了导通导体22所进行的热传导。
另外，图7所示的通过导通导体22向绝缘基体11的下表面进行传热这种技术性设计也能够应用于图1～图6所示的构成。
此外，如图8所示，也可以是如下结构：在布线基板1中，绝缘基体11包含有包围第1电子部件2的框部11c。另外，图8所示的技术性设计也能够应用于图1～图7所示的构成。
此外，在本实施方式中的布线基板1通过层叠型陶瓷基板来实现的情况下，传热构件12也可以具有图9所示那样的层叠结构。
传热构件12包含有多个金属块12c和从凹部11b一直设置到多个金属块12c之间的金属层12d。在图9中，金属层12d在符号12d的后面附上数字而被表示为12d1、12d2。金属层12d可以是一体地形成的金属层，由多个金属块12c夹着的部分被表示为符号12d1，设置为从凹部11b延伸的部分被表示为符号12d2。
在图2等中被表示为传热基部12a的部分由多个金属块12c和作为金属层12d的一部分的符号12d1所示的部分构成。在图2等中被表示为传热支部12b的部分由作为金属层12d的一部分的由符号12d2所示的部分构成。
另外，图9所示的层叠结构也能够应用于图1～图8所示的构成。
以下，参照图10(a)～图12对例如将图9所示的层叠结构应用于图8所示的构成的示例进行说明。另外，在图10(a)、图10(b)以及图11中，实体圆圈表示导通导体的上端位于的部分，空体圆圈表示导通导体的下端位于的部分。
如图10(a)所示，第1电子部件2(例如发光元件)搭载于上表面传热层13，并通过键合引线而与上表面布线导体17电连接。第1电子部件2也与上表面传热层13电连接。上表面传热层13接受基准电压(例如接地电压GND)的供给，上表面布线导体17接受基准电压(例如电源电压VDD)的供给。因此，第1电子部件2经由上表面传热层13以及上表面布线导体17，接受基准电压(接地电压GND以及电源电压VDD)的供给。
如图10(a)以及图10(b)所示，上表面传热层13通过导通导体18a而与位于下层的传热支部12b电连接。如图10(a)以及图11所示，传热支部12b通过导通导体18b而与设置于绝缘基体11的下表面的下表面传热层14电连接。此外，上表面传热层13通过传热基部12a而与下表面传热层14电连接。下表面传热层14接受基准电压(例如接地电压GND)的供给。
如图10(a)以及图10(b)所示，上表面布线导体17通过导通导体18c而与下层的内层布线导体19电连接。如图10(b)以及图11所示，内层布线导体19通过设置于绝缘基体11的侧面的侧面布线导体20而与设置于绝缘基体11的下表面的下表面布线导体18电连接。下表面布线导体18接受基准电压(例如电源电压VDD)的供给。
如图10(a)以及图10(b)所示，第2电子部件3(例如，齐纳二极管等保护元件)搭载于传热支部12b中在凹部11b内从绝缘基体11露出的部分，并通过键合引线而与上表面布线导体17电连接。第2电子部件3也与传热支部12b电连接。第2电子部件3经由传热支部12b以及上表面布线导体17，接受基准电压(接地电压GND以及电源电压VDD)的供给。
参照图12对上述电子装置(例如发光装置)中的电连接结构进行说明。
第1电子部件2(例如发光元件)以及第2电子部件(例如齐纳二极管等保护元件)在节点17(即上表面布线导体17)以及节点12b(即传热支部12b)之间并联连接。
在第1电子部件2是发光二极管等发光元件的情况下，第1电子部件的阳极电极与节点17电连接，阴极电极与节点12b电连接。
在第2电子部件3是齐纳二极管等保护元件的情况下，第2电子部件3的阳极电极与节点12b电连接，阴极电极与节点17电连接。
节点17与外部端子18(即下表面布线导体18)电连接，节点12b与外部端子14以及16(即下表面传热层14以及16)电连接。参照图13对图10(a)～图12所示的电子装置中的热传导以及热扩散进行说明。在图13中，通过方框箭头示意性地示出了热传导以及热扩散的样态。
由第1电子部件2产生的热经由多个金属块12c以及金属层12d1所构成的传热基部12a向下表面传热层14传导，并从下表面传热层14向安装基板传导。
此外，例如由第1电子部件2产生而传到凹部11b的热经由金属层12d2(即，传热支部12b)向传热基部12a传导，并且经由金属层12d2向侧面散热层15传导，从而从侧面层热层15扩散。此外，传到至侧面散热层15的热的一部分向下表面传热层16传导，并从下表面传热层16向安装基板传导。
另外，作为图2等所示的电子装置的其他结构例，如图14所示，具有如下的结构例：传热构件12包含传热基部12a，传热基部的一部分在凹部11b中从绝缘基体11露出。传热基部12a配置为在俯视时与搭载区域11a以及凹部11b相重叠。
此外，作为图2等所示的电子装置的其他结构例，如图15所示，具有凹部11b设置于绝缘基体11的下表面的结构例。
从这里开始，对例如图9所示的布线基板1通过陶瓷而形成的示例进一步详细说明。
绝缘基体11具有包含第1电子部件2的搭载区域11a的上表面，并在俯视时具有矩形板状的形状。绝缘基体11作为用于支撑第1以及第2电子部件2、3的支撑体而发挥作用，第1电子部件2经由低熔点钎料或导电性树脂等的接合材料而粘接并且固定在搭载区域11a上。
绝缘基体11的材料例如是氧化铝材质的烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝材质的烧结体或莫来石材质的烧结体等陶瓷。
对于绝缘基体11，例如若是氧化铝材质的烧结体的情况下，通过在氧化铝、氧化硅、氧化镁以及氧化钙等的原料粉末中添加适当的有机粘合剂以及溶剂等来进行混合而成为泥浆状。将其通过刮刀法或压延辊法等而成型为片状，从而得到陶瓷生片。对陶瓷生片进行冲压加工的同时对多个陶瓷生片进行层叠，以高温(约1300℃～1400℃)进行烧结，由此制作成布线基板1。
传热基部12a用于将在安装于布线基板1的第1以及第2电子部件2、3产生的热向布线基板1的外部传导以提高电子装置的散热性，并被埋设于绝缘基体11。
此外，传热基部12a例如具有在俯视时角部为圆弧状的矩形状或圆形状的柱状的形状。另外，传热基部12a具有在俯视时比第1电子部件2大的形状。传热基部12a作为主要成分而包含有铜钨(CuW)。在此，所谓主要成分是在传热基部12a的含有成分中最多的成分。以下，所谓主要成分也是指在含有成分中最多的成分。
传热基部12a通过将成为传热基部12a的金属片或金属膏剂配置到在绝缘基体11用的陶瓷生片上利用模具或冲孔的冲压加工或激光加工而设置的孔并进行烧结而制作成。
传热基部12a也可以是如图16所示，在俯视时上表面侧与下表面侧的大小不同且在上表面侧与下表面侧之间设有阶差。该结构对于在绝缘基体11的上表面确保用于配置上表面布线导体17的区域是有效的。
具有这样的结构的传热基部12a通过如下处理而形成：在上侧的陶瓷生片形成第1贯通孔，在下侧的陶瓷生片形成与第1贯通孔相比直径较大的第2贯通孔，埋设与这些多个贯通孔的每个贯通孔相符的大小的金属片或金属膏剂，将上侧与下侧的陶瓷生片层叠起来进行烧结。
在这样的传热基部12a例如使用金属片来制作的情况下，金属片是与设置于绝缘基体11用的陶瓷生片的孔为相同形状且具有与陶瓷生片的孔的深度相同厚度的金属片。金属片被埋设为填充陶瓷生片的孔。
另外，若在陶瓷生片上通过冲压加工来设置孔的同时埋设金属片，则可以高效率地制作成型体。例如，若将金属片配置于绝缘基体11用的陶瓷生片的上表面并使用在陶瓷生片上形成贯通孔的冲压模具从金属片侧对金属片与陶瓷生片进行冲压，则能够在陶瓷生片的贯通孔内，嵌入被冲压为与该贯通孔冲压相同尺寸的金属片。
对于这样的金属片的制作方法，首先在金属粉末中添加有机粘合剂以及有机溶剂并根据需要添加规定量的可塑剂以及分散剂而得到浆料。接着，将浆料通过刮刀法、唇涂(lip coater)法或模涂(die coater)法等成型方法而涂敷在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等的树脂或纸制的支撑体上以成型为片状。然后，通过热风干燥、真空干燥或远红外干燥等干燥方法进行干燥，由此制作出来。
作为金属粉末而使用由钨(W)以及铜(Cu)构成的粉末。金属粉末可以是混合、合金的任意一种形态。若使用混合了Cu粉末和W粉末而得到的金属片，则能够形成由散热性优异的铜钨(CuW)构成的传热基部12a。
传热基部12a用的金属膏剂通过如下处理而制作成：在作为主要成分的上述的金属粉末中添加有机粘合剂以及有机溶剂并同时根据需要添加分散剂等，通过球磨机、三辊研磨机或行星式混合机等混炼手段来进行混合以及混炼。
用于这样的传热基部12a用的金属膏剂的有机粘合剂的添加量只要是在烧结时容易被分解、被除去、并且能够使金属粉末分散的量即可，期望相对于金属粉末为5至20质量％程度的量。溶剂以相对于金属粉末4至15质量％的量来添加，并调整为15000至40000cps程度。
另外，在金属膏剂中，也可以为了与烧结时的陶瓷生片的烧结收缩行为或收缩率相一致、或为了确保烧结后的布线导体4的接合强度而添加玻璃或陶瓷的粉末。
此外，在作为传热构件12a用的金属材料而使用金属膏剂的情况下，金属膏剂只要调整为能够保持在陶瓷生片的孔中那样的粘度即可，但优选事先将陶瓷生片的孔设为有底的孔。
传热支部12b(即布线导体)按照与传热基部12a相连接的方式设置于绝缘基体12内，且一部分从绝缘基体12露出。即，传热支部12b具有从绝缘基体12露出的露出部。
传热支部12b用于将搭载于布线基板1的第1以及第2电子部件2、3彼此电连接、或将第1以及第2电子部件2、3与外部的电路基板电连接。另外，传热支部12b也可以与作为传热基部12a的焊接区图案的部分相连接。
在此，参照图17对凹部11b的周边结构进一步详细说明。
传热基部12a为了降低与绝缘基体11的热膨胀率之差，例如将CuW作为主要成分而含有。
在传热支部12b中，至少露出部12b1例如作为主要成分而包含有钼(Mo)。也可以整个传热支部12b都作为主要成分而包含有钼。另外，在传热支部12b(特别是露出部12b1)作为主要成为而包含CuW的情况下，在烧结时熔融了的铜部分被拉向传热基部12a侧。由于钨部分在布线基板1的烧结温度下难以烧结，因而传热支部12b(特别是露出部12b1)对于绝缘基体11的接合强度较低，有可能发生传热支部12b的剥落。
因此，在传热支部12b中，只要至少露出部12b1作为主要成分而包含有在布线基板1的烧结温度下会烧结的钼即可。
另外，如图18中示意性地示出那样，在烧结时熔融了的传热基部12a的铜部分的一部分流入到了传热支部12b的钼粒子的间隙中。因此，传热支部12b在作为主要成为而包含钼的同时也包含有铜。图18的上段示出了铜部分的熔融前的状态，下段示出了熔融后的状态。
布线基板1还包含以传热支部12b的铜部分为起点而形成于传热支部12b的表面的镀敷层21。一般而言，难以以钼部分为起点来形成镀敷层，但由于铜部分存在于传热支部12b，因而能够以该铜部分为起点来形成镀敷层21。
镀敷层21例如是具有1～10μm程度的厚度的镀镍层、以及具有0.1～3μm程度的厚度的镀金层。由于布线基板1包含有镀敷层21，因而传热支部12b的腐蚀得到了抑制，并且第2电子部件3的接合强度得到了提高。
另外，作为容易在传热支部12b的露出部12b1设置镀敷层21的其他结构例，也可以如图19所示，露出部12b1作为主要成分而包含有CuW。镀敷层21以露出部12b1的Cu部分为起点来形成。
在该结构例的情况下，若露出部12b1的CuW部分与传热基部12a的CuW部分相接，则露出部12b1的Cu部分会在熔融时，被向传热基部12a拉近，由于露出部12b1成为作为主要成分而包含钨的状态，与绝缘基体11的接合强度下降，因而只要阻挡部12b2介于露出部12b1与传热基部12a之间即可。
阻挡部12b2只要与CuW部分彼此相接的状态相比能够降低铜部分的移动即可，例如能够作为主要成分而包含钼、或作为主要成分而包含钨。
另外，虽然露出部12b1的钨通过布线基板1的烧结温度难以烧结，但由于铜部分存在于钨部分的间隙中，因而对绝缘基体11的接合强度也得到充分确保。
符号说明
1   布线基板
11  绝缘基体
12  传热构件
12a 传热基部
12b 传热支部
13  上表面传热层
14  下表面传热层
15  侧面传热层
16  下表面传热层
17  上表面布线导体
2   第1电子部件
3   第2电子部件
4   覆盖构件

Claims (9)

1.一种布线基板，其特征在于，具备：
绝缘基体，其具有上表面和设置于该上表面的凹部，在所述上表面具有第1电子部件的第1搭载区域，在所述凹部内具有第2电子部件的第2搭载区域；和
传热构件，其设置于所述绝缘基体内，使得在俯视时与所述第1搭载区域以及所述第2搭载区域相重叠，
所述传热构件的一部分在所述凹部内露出。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述传热构件包含：传热基部，其设置于在俯视时与所述第1搭载区域相重叠的位置；和传热支部，其从所述传热基部一直设置到所述第2搭载区域。
3.根据权利要求2所述的布线基板，其特征在于，
所述传热支部的一部分在所述绝缘基体的侧面露出。
4.根据权利要求3所述的布线基板，其特征在于，
还具备侧面传热层，该侧面传热层设置于所述绝缘基体的所述侧面，并与所述传热支部相接。
5.根据权利要求4所述的布线基板，其特征在于，
还具备下表面传热层，该下表面传热层设置于所述绝缘基体的下表面，并与所述侧面传热层相接。
6.根据权利要求2所述的布线基板，其特征在于，
所述传热基部由设置在上下方向上的多个金属块构成，所述传热支部设置为延伸至相邻的所述金属块之间。
7.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述传热构件包含被设置为在俯视时与所述第1搭载区域以及所述第2搭载区域相重叠的传热基部，
该传热基部的一部分在所述凹部内露出。
8.根据权利要求2～5中任意一项所述的布线基板，其特征在于，
所述传热基部包含铜钨作为主要成分，
所述传热支部包含作为主要成分的钼和作为其他成分的铜，
在所述第2搭载区域的所述传热支部覆盖了镀敷层。
9.一种电子装置，其特征在于，具备：
权利要求1至权利要求8中任意一项所述的布线基板；
第1电子部件，其设置于所述第1搭载区域；和
第2电子部件，其设置于所述第2搭载区域。
CN201280061874.7A 2011-12-22 2012-12-21 布线基板以及电子装置 Active CN103999210B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011281721 2011-12-22
JP2011-281721 2011-12-22
PCT/JP2012/083340 WO2013094755A1 (ja) 2011-12-22 2012-12-21 配線基板および電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103999210A true CN103999210A (zh) 2014-08-20
CN103999210B CN103999210B (zh) 2016-11-02

Family

ID=48668632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280061874.7A Active CN103999210B (zh) 2011-12-22 2012-12-21 布线基板以及电子装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10165669B2 (zh)
JP (1) JP5873108B2 (zh)
CN (1) CN103999210B (zh)
WO (1) WO2013094755A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109983335A (zh) * 2016-11-28 2019-07-05 京瓷株式会社 传感器用布线基板、传感器用封装件以及传感器装置
JP2019536282A (ja) * 2016-11-16 2019-12-12 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー 欠陥感受性が低減されたパワーモジュール及びその使用
CN111009505A (zh) * 2018-10-05 2020-04-14 日本特殊陶业株式会社 布线基板

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012113014A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Epcos Ag Bauelementträger und Bauelementträgeranordnung
JP6423141B2 (ja) * 2013-08-26 2018-11-14 京セラ株式会社 発光素子搭載用部品および発光装置
JP6367980B2 (ja) * 2014-06-18 2018-08-01 エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド 一体型のダイヤモンドヒートスプレッダを有する電子デバイス構成要素
JP6736260B2 (ja) * 2015-05-13 2020-08-05 ローム株式会社 半導体発光装置
CN106488686B (zh) * 2015-08-31 2020-09-29 上海伯乐电子有限公司 照明器件、电气组件、柔性电路及热传递方法
KR102413224B1 (ko) * 2015-10-01 2022-06-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈
US11355427B2 (en) * 2016-07-01 2022-06-07 Intel Corporation Device, method and system for providing recessed interconnect structures of a substrate
US10943854B2 (en) 2016-11-28 2021-03-09 Kyocera Corporation Semiconductor package and semiconductor apparatus for use with high-frequency signals and improved heat dissipation
JP6612723B2 (ja) * 2016-12-07 2019-11-27 株式会社東芝 基板装置
DE102017118490A1 (de) * 2017-08-14 2019-02-14 Tdk Electronics Ag LED Modul
JP7131933B2 (ja) * 2018-03-15 2022-09-06 株式会社東芝 半導体装置用パッケージおよび半導体装置
JP7135382B2 (ja) * 2018-03-30 2022-09-13 住友大阪セメント株式会社 光変調器、及び光送信装置
JP7056364B2 (ja) * 2018-05-11 2022-04-19 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路構成体及び電気接続箱
US11189543B2 (en) * 2019-07-31 2021-11-30 Microchip Technology Caldicot Limited Board assembly with chemical vapor deposition diamond (CVDD) windows for thermal transport

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5991162A (en) * 1997-06-27 1999-11-23 Nec Corporation High-frequency integrated circuit device and manufacture method thereof
JP2006066519A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
US20080043444A1 (en) * 2004-04-27 2008-02-21 Kyocera Corporation Wiring Board for Light-Emitting Element
JP2008085296A (ja) * 2006-09-01 2008-04-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943470A (en) * 1985-01-11 1990-07-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic substrate for electrical devices
US4831212A (en) * 1986-05-09 1989-05-16 Nissin Electric Company, Limited Package for packing semiconductor devices and process for producing the same
CA1303248C (en) 1987-06-30 1992-06-09 Hitoyuki Sakanoue Semiconductor heat dissipating apparatus
CA1308494C (en) 1987-07-03 1992-10-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Connection structure between components for semiconductor apparatus
CA1284536C (en) 1987-07-03 1991-05-28 Akira Sasame Member for semiconductor apparatus
EP0366082B1 (en) 1988-10-28 1996-04-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for carrying semiconductor device
US5285352A (en) * 1992-07-15 1994-02-08 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same
JP3671457B2 (ja) * 1995-06-07 2005-07-13 株式会社デンソー 多層基板
JP3845925B2 (ja) 1996-02-05 2006-11-15 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法
US6783867B2 (en) 1996-02-05 2004-08-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for semiconductor device using an aluminum nitride substrate material, and method of manufacturing the same
JP3856640B2 (ja) 2000-01-26 2006-12-13 株式会社アライドマテリアル 半導体搭載用放熱基板材料、その製造方法、及びそれを用いたセラミックパッケージ
US7083759B2 (en) 2000-01-26 2006-08-01 A.L.M.T. Corp. Method of producing a heat dissipation substrate of molybdenum powder impregnated with copper with rolling in primary and secondary directions
US7122069B2 (en) 2000-03-29 2006-10-17 Osram Sylvania Inc. Mo-Cu composite powder
JP2002158328A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2002246515A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6844621B2 (en) * 2002-08-13 2005-01-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of relaxing thermal stress
US20040246682A1 (en) 2003-06-09 2004-12-09 Sumitomo Metal (Smi) Eectronics Devices Inc. Apparatus and package for high frequency usages and their manufacturing method
JP3922642B2 (ja) * 2003-07-30 2007-05-30 日本無線株式会社 熱伝導部材付きプリント基板及びその製造方法
JP2006066409A (ja) * 2004-07-28 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
JP4882439B2 (ja) * 2006-01-13 2012-02-22 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US8026533B2 (en) * 2007-07-19 2011-09-27 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4241870B2 (ja) * 2007-07-19 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5155890B2 (ja) * 2008-06-12 2013-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20100149756A1 (en) 2008-12-16 2010-06-17 David Rowcliffe Heat spreader
JP5640632B2 (ja) * 2010-03-12 2014-12-17 旭硝子株式会社 発光装置
KR101028329B1 (ko) 2010-04-28 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP5678085B2 (ja) 2010-10-27 2015-02-25 京セラ株式会社 配線基板、電子装置および多数個取り配線基板
TWI553903B (zh) 2010-12-20 2016-10-11 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光元件及其製造方法
CN103688598B (zh) * 2011-07-22 2017-06-09 京瓷株式会社 布线基板以及电子装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5991162A (en) * 1997-06-27 1999-11-23 Nec Corporation High-frequency integrated circuit device and manufacture method thereof
US20080043444A1 (en) * 2004-04-27 2008-02-21 Kyocera Corporation Wiring Board for Light-Emitting Element
JP2006066519A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP2008085296A (ja) * 2006-09-01 2008-04-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019536282A (ja) * 2016-11-16 2019-12-12 テーデーカー エレクトロニクス アーゲー 欠陥感受性が低減されたパワーモジュール及びその使用
CN109983335A (zh) * 2016-11-28 2019-07-05 京瓷株式会社 传感器用布线基板、传感器用封装件以及传感器装置
CN111009505A (zh) * 2018-10-05 2020-04-14 日本特殊陶业株式会社 布线基板
CN111009505B (zh) * 2018-10-05 2024-03-26 日本特殊陶业株式会社 布线基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP5873108B2 (ja) 2016-03-01
CN103999210B (zh) 2016-11-02
JPWO2013094755A1 (ja) 2015-04-27
WO2013094755A1 (ja) 2013-06-27
US10165669B2 (en) 2018-12-25
US20150334877A1 (en) 2015-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103999210A (zh) 布线基板以及电子装置
US9401462B2 (en) Light emitting device exhibiting excellent heat resistance and good color reproducibility through fluorescent material arrangement
CN100583472C (zh) 发光元件安装用基板、发光模块及照明装置
CN101779303B (zh) 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统
JP5640632B2 (ja) 発光装置
CN1190999C (zh) 电子元件设备及其制造方法
CN103688598B (zh) 布线基板以及电子装置
CN102201524A (zh) 发光元件用基板及发光装置
CN101114689A (zh) 半导体发光器件及其制造方法
CN103094264A (zh) 高功率发光二极管
CN101065842A (zh) 电子元器件及其制造方法
CN102770977A (zh) 发光元件搭载用基板及发光装置
CN101725854A (zh) 发光模块及照明装置
CN107251245A (zh) 发光元件搭载用封装体、发光装置以及发光模块
CN106233456A (zh) 电子元件安装用基板以及电子装置
CN107534268A (zh) 光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块
CN102290408A (zh) 发光装置以及照明装置
CN102386176A (zh) 发光二极管封装件及其制造方法
CN100420049C (zh) 发光二极管模块的基板结构
CN106463476A (zh) 布线基板、电子装置以及电子模块
CN107690714B (zh) 发光元件搭载用基板、发光装置以及发光模块
US20120267674A1 (en) Mounting substrate, light emitting body, and method for manufacturing mounting substrate
JP2013229490A (ja) 配線基板および電子装置
JP6046421B2 (ja) 配線基板および電子装置
JP5197562B2 (ja) 発光素子パッケージ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant