CN103998649A - 薄膜的成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种成膜装置，在宝特瓶等容器的内表面、外表面中的任一方或双方形成DLC(Diamond Like Carbon)膜、SiOx膜、SiOC膜、SiOCN膜、SiNx膜、AlOx膜等气体阻隔性高的薄膜。成膜装置具备：用于使用发热体(21)在真空状态下在容器(4)的表面进行成膜的真空腔室；对真空腔室进行抽真空的真空排气单元；及在真空腔室的抽真空开始后，在真空腔室内使容器(4)与发热体(21)相对移动的相对移动单元。

Description

薄膜的成膜装置
技术领域
本发明涉及在宝特瓶(PET瓶)等容器的内表面、外表面中的任一方或双方形成DLC(Diamond Like Carbon)膜、SiOx膜、SiOC膜、SiOCN膜、SiNx膜、AlOx膜等气体阻隔性高的薄膜的成膜装置。
背景技术
以往，为了填充清凉饮料等而使用以宝特瓶为首的轻量的塑料制中空容器，但是从便利性、成本方面出发，饮料/食品领域中的塑料容器使用的扩大急速发展，目前，总容器的相当大的部分由宝特瓶所占据。然而，当塑料容器与金属罐、玻璃瓶相比时，气体阻隔性低，产生氧气向容器内的侵入、二氧化碳向容器外的放出等，内容物的品质保持性能有时会变差。因此，进行了将DLC膜等气体阻隔性高的薄膜形成于容器内表面上的尝试。DLC膜等气体阻隔性高的薄膜在处于真空减压下的真空腔室内通过等离子CVD法、金属蒸镀法、发热体CVD法、溅蚀法等，能够形成于容器内表面或外表面，从而能够飞跃性地提高对于氧气向容器内的流入、二氧化碳向容器外的放出等的气体阻隔性。
专利文献1：日本特开2008-127054号公报
专利文献2：日本特开2004-107781号公报
发明内容
当欲对在表面形成有DLC膜等薄膜的容器进行批量生产时，反复进行如下内容：在保持为真空状态的真空腔室内进行容器的成膜，在成膜结束后使真空腔室内恢复成大气压而将处理后的容器取出之后，将下一容器放入真空腔室，进行抽真空而成膜。因此，在进行真空腔室的抽真空时，始终成为从大气压起的抽真空，因此存在真空腔室的抽真空时间变长、周期时间延迟这样的问题点。为了缩短抽真空时间而实现少周期时间化，需要大型的真空泵，存在设备成本及运行成本上升这样的问题。
另外，发热体CVD法是也被称为热线CVD法、热丝CVD法、催化剂化学气相堆积法等的制法，在向容器表面形成薄膜的工序中，在容器附近配置发热体来进行成膜处理，因此发热体设置于真空腔室内。真空腔室在成膜工序结束后恢复成大气压，因此发热体定期地曝露于空气中。结果是，存在由氧化等引起的发热体的劣化进一步发展而使成膜功能下降这样的问题。
本发明鉴于上述的情况而作出，目的在于提供一种薄膜的成膜装置，在容器表面形成薄膜时，膜厚分布的形成容易，且能够防止发热体的劣化，并且在成膜时能够缩短对腔室内进行抽真空时的抽真空时间。
为了实现上述的目的，本发明的成膜装置的特征在于，具备：真空腔室，用于使用发热体在真空状态下在容器的表面进行成膜；真空排气单元，对所述真空腔室进行抽真空；及相对移动单元，在所述真空腔室的抽真空开始后，在所述真空腔室内使容器与发热体相对移动。发热体是指其自身实质上不挥发而是通过催化剂化学反应及/或利用热量使原料气体分解成化学物种的构件，例如是将钽、碳化钽、钨、碳化钨、镍‐铬合金或碳作为表层的主成分的丝线。
根据本发明，在将发热体向容器插入的阶段、使发热体与容器相对移动的阶段、将发热体从容器拔出的阶段中的任一阶段都能够进行成膜。插入/拔出不仅为1次，也可以反复进行。因此，在热变形的观点上成为成膜时间的制约的部位仅在短时间内就能够成膜，其他部分也能够充分地成膜，其结果是，容器整体的阻隔性的提高变得容易。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述相对移动单元使容器和所述发热体以可变速的方式相对移动。
根据本发明，由于能够使容器与发热体以可变速的方式相对移动，因此根据容器形状、容器耐热特性、对容器要求的性能，能够调整容器的各部分的成膜时间，阻隔性能、容器外观的调整变得容易，因此成为本发明的更优选的方案。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，将所述真空腔室分割成用于进行容器的成膜的成膜用腔室和用于将所述发热体保持为真空状态的发热体保护用腔室，在所述成膜用腔室与所述发热体保护用腔室之间设有真空隔离单元。
根据本发明，由于将真空腔室分割成用于放入容器进行成膜的成膜用腔室和用于将发热体保持成真空状态的发热体保护用腔室，因此能够将发热体保护用腔室内始终维持成真空状态。因此，能够防止发热体的劣化，成膜功能不会下降。而且，在成膜时将成膜用腔室从大气压进行抽真空而使成膜用腔室成为预定的真空压时，与处于比成膜用腔室低的真空压的发热体保护用腔室连通，由此能够降低成膜用腔室的真空压。即，发热体保护用腔室发挥真空缓冲功能，因此能够缩短成膜用腔室的抽真空时间，能够缩短周期时间。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述相对移动单元使所述发热体移动。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，将所述成膜用腔室和所述发热体保护用腔室分别与单独的真空排气单元连接。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，在容器成膜时所述成膜用腔室从大气压被抽真空而成为真空状态，在成膜结束后所述成膜用腔室恢复成大气压。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述发热体保护用腔室始终被维持成真空状态。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，在所述成膜用腔室被抽真空时所述真空隔离单元打开，使所述成膜用腔室与所述发热体保护用腔室连通。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，在所述真空隔离单元打开之后所述发热体向所述成膜用腔室内插入，在成膜结束后所述发热体返回到所述发热体保护用腔室。
根据本发明，由于能够将发热体始终保持为真空状态，因此能够防止发热体的劣化，成膜功能不会下降。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，在成膜结束后使所述发热体返回到所述发热体保护用腔室之后所述真空隔离单元关闭。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，将所述真空腔室分割成用于将所述发热体保持成真空状态并进行容器的成膜的成膜专用腔室和用于将容器向所述成膜专用腔室放入或从所述成膜专用腔室取出的容器取放用腔室，在所述成膜专用腔室与所述容器取放用腔室之间设有真空隔离单元。
根据本发明，由于将真空腔室分割成用于将发热体保持成真空状态并进行成膜的成膜专用腔室和用于将容器向成膜专用腔室放入或从成膜专用腔室取出的容器取放用腔室，因此能够将成膜专用腔室内始终维持成真空状态。因此，能够防止发热体的劣化，成膜功能不会下降。而且，仅将容器取放用腔室反复进行抽真空和向大气敞开，成膜专用腔室始终为真空状态，因此在成膜时只要仅将容器取放用腔室抽真空即可。因此，能够缩短成膜时的真空腔室整体的抽真空时间，能够缩短周期时间。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述相对移动单元使容器移动。尤其是当形成为能够调整使容器移动的移动速度的机构时，根据容器形状、容器耐热特性、对容器要求的性能，能够调整容器的各部分的成膜时间，阻隔性能、容器外观的调整变得容易，因此成为本发明的更优选的方案。
根据本发明，使容器在容器取放用腔室与成膜专用腔室之间升降，由此能够将未处理的容器从容器取放用腔室向成膜专用腔室供给，并且能够将处理完的容器从成膜专用腔室向容器取放用腔室取出。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，将所述成膜专用腔室和所述容器取放用腔室分别与单独的真空排气单元连接。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述成膜专用腔室始终被维持成真空状态。
根据本发明，由于成膜专用腔室始终被维持成真空状态，因此能够将发热体始终保持成真空状态，因此能够防止发热体的劣化，成膜功能不会下降。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，在容器成膜时所述容器取放用腔室从大气压被抽真空而成为真空状态，在成膜结束后的容器取出时所述容器取放用腔室恢复成大气压。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，在所述容器取放用腔室被抽真空而成为真空状态时所述真空隔离单元打开，使所述成膜专用腔室与所述容器取放用腔室连通。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，在使容器移动到所述成膜专用腔室内时，所述发热体向容器内插入。由此，在容器内表面进行成膜，因此在成膜后对薄膜进行保护以避免从容器外部施加的物理性的接触，容器的品质管理变得容易。
但是，在容器的外表面进行成膜的情况具有不与内容物接触等的长处，能够通过本发明的另一方案实施。在这种情况下，只要以发热体配置于容器的外部的方式构成所述成膜专用腔室即可。通过发热体的配置，能够选择为一次仅能够成膜容器外表面的一部分，或者一次能够成膜外表面的全部。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述容器取放用腔室具备用于向该容器取放用腔室放入容器或从该容器取放用腔室取出容器的开闭闸。
根据本发明，通过将开闭闸打开，能够将容器向容器取放用腔室放入或从容器取放用腔室取出。并且，将开闭闸关闭而使容器取放用腔室为气密之后能够通过真空泵对容器取放用腔室内进行抽真空。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述薄膜的成膜装置具备容器输送装置，该容器输送装置将未处理的容器从预定位置向所述容器取放用腔室输送，并将处理完的容器从所述瓶出入用腔室向预定位置输送。
根据本发明，通过容器输送装置，能够将未处理的容器从预定位置例如从输送机的搬运面向容器取放用腔室输送，而且能够将处理完的容器从容器取放用腔室向预定位置例如向输送机的搬运面输送。
在成膜专用腔室中将容器以倒立状态进行成膜处理时，容器输送装置包含翻转装置，容器输送装置通过翻转装置使处于预定位置例如处于输送机的搬运面上的未处理的容器翻转而形成为倒立状态之后，向容器取放用腔室输送。另外，也可以将容器在输送后在待机位置进行翻转。而且，容器输送装置将处理完的容器从容器取放用腔室输送到翻转装置之后，通过翻转装置进行翻转而形成为正立状态，从而返回到预定位置例如输送机的搬运面上。
在成膜专用腔室中将容器以正立状态进行成膜处理时，容器输送装置对处于预定位置例如输送机的搬运面上的未处理的容器进行保持而向容器取放用腔室输送。而且，容器输送装置在将处理完的容器从容器取放用腔室取出之后，向预定位置例如输送机的搬运面上输送。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述预定位置是输送机上的位置。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述成膜用腔室的容积小于所述发热体保护用腔室的容积。
根据本发明，在对成膜用腔室进行抽真空时，能够缩短抽真空的时间。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述成膜用腔室配置于上侧，所述发热体保护用腔室配置于下侧。
根据本发明，在成膜时将发热体从发热体保护用腔室向成膜用腔室内的容器内插入时，只要将容器形成为倒立状态并使发热体上升即可。而且，在成膜后将发热体从容器拉出而返回到发热体保护用腔室时，只要使发热体下降即可。因此，发热体的驱动机构可以采用升降用电动缸等单纯的机构。
根据本发明的优选的方案，其特征在于，所述成膜用腔室侧的真空泵的容量小于所述发热体保护用腔室侧的真空泵的容量。
根据本发明，能够使成膜用腔室侧的真空泵小型化。
发明效果
本发明起到以下列举的效果。
(1)在热变形的观点下成为成膜时间的制约的部位仅在短时间内就能够成膜，其他部分能够充分地成膜，其结果是，容器整体的阻隔性的提高变得容易。
(2)与容器的用途/要求外观品质对应的膜厚分布的形成变得容易。能够实现具有层次的呈色等。
(3)因此，作为防止容器热变形的对策，在将发热体完全插入之后开始成膜，但是根据本发明，能够从发热体向容器的插入阶段起开始成膜，因此能够削减周期时间。
(4)由于能够将发热体始终保持成真空状态，因此能够防止发热体的劣化，成膜功能不会下降。
(5)仅将容器取放用腔室反复进行抽真空和向大气敞开，且成膜专用腔室始终为真空状态，因此在成膜时只要仅对瓶出入用腔室进行抽真空即可。因此，能够缩短成膜时的真空腔室整体的抽真空时间，能够缩短周期时间。
(6)在将容器投入到瓶出入用腔室之后，在将容器取放用腔室从大气压进行抽真空而成为预定的真空压时，与处于比容器取放用腔室低的真空压的成膜专用腔室连通，由此能够降低容器取放用腔室的真空压。即，成膜专用腔室起到真空缓冲功能，因此能够缩短容器取放用腔室的抽真空时间，能够缩短周期时间。
(7)使多个容器在容器取放用腔室与成膜专用腔室之间升降，由此能够将多个未处理的容器从瓶出入用腔室向成膜专用腔室供给而同时对多个容器进行成膜处理。而且，能够将多个处理完的容器从成膜专用腔室向容器取放用腔室取出。
附图说明
图1是表示本发明的薄膜的成膜装置的整体结构的示意性剖视图。
图2是图1所示的成膜装置的侧向剖视图。
图3是表示本发明的第二实施方式的薄膜的成膜装置的整体结构的示意性剖视图。
图4是图3所示的薄膜的成膜装置的侧向剖视图。
图5是表示宝特瓶和插入到宝特瓶内的发热体线的示意性剖视图。
图6是表示容器和发热体的示意图。
图7是表示发热体距容器内表面的距离和发热体与容器的相对移动速度的关系的坐标图。
具体实施方式
以下，参照图1至图7，说明本发明的薄膜的成膜装置的实施方式。另外，在图1至图7中，对于同一或相当的结构要素，标注同一附图标记而省略重复的说明。
图1及图2是表示本发明的薄膜的成膜装置的第一实施方式的图。
图1是表示本发明的第一实施方式的薄膜的成膜装置的整体结构的示意性剖视图。图2是图1所示的成膜装置的侧向剖视图。如图1及图2所示，本发明的薄膜的成膜装置具备将真空腔室分割成成膜用腔室1和发热体保护用腔室2这两个腔室的结构。成膜用腔室1配置于上侧，发热体保护用腔室2配置于下侧。成膜用腔室1的容积设定得小于发热体保护用腔室2的容积。成膜用腔室1和发热体保护用腔室2经由作为真空隔离单元的闸阀3而连接。成膜用腔室1经由连接部1a而与作为真空排气单元的真空泵(未图示)连接，由真空泵对成膜用腔室1内进行抽真空。而且，成膜用腔室1具备在将宝特瓶4向成膜用腔室1放入或从成膜用腔室1取出时进行开闭的门或挡板(未图示)。在成膜用腔室1内设置有将宝特瓶4保持为倒立状态的瓶保持部11。
另外，发热体保护用腔室2经由连接部2a而与作为真空排气单元的真空泵(未图示)连接，由真空泵对发热体保护用腔室2内进行抽真空。在本实施方式中，成膜用腔室1和发热体保护用腔室2分别与单独的真空泵连接。成膜用腔室1侧的真空泵的容量小于发热体保护用腔室2侧的真空泵的容量。在发热体保护用腔室2内配置有：具备与电源(未图示)电连接的发热体21的发热体单元22；及使发热体单元22升降的发热体单元升降用电动缸23。另外，虽然未图示，但是发热体21的一部分由能够向宝特瓶4的内部插入或从宝特瓶4的内部拔出的铜制的棒状部件构成，形成为在发热体加热时实质上未被加热的结构。发热体单元升降用电动缸23通过速度控制器使得使发热体单元22升降的升降速度可变。发热体单元升降用电动缸23构成使宝特瓶4与发热体21相对移动的相对移动单元，使宝特瓶4与发热体21相对移动而使宝特瓶4的被成膜部分与发热体21相向。另外，在图1及图2中，示出了发热体21上升的状态。
在如图1及图2所示构成的成膜装置中，发热体保护用腔室2内始终为真空状态，处于发热体保护用腔室2内的发热体21始终被保持为真空状态。此时，闸阀3为闭合状态，将发热体保护用腔室2与成膜用腔室1的连通隔断。
向成膜用腔室1内放入宝特瓶4而将宝特瓶4安设于瓶保持部11上之后，开始对成膜用腔室1内进行抽真空。并且，虽然成膜用腔室1内的真空压比发热体保护用腔室2内的真空压低，但是在成为预定的真空压时，打开闸阀3，使成膜用腔室1与发热体保护用腔室2连通。由此，成膜用腔室1内的真空压上升，变得与发热体保护用腔室2内的真空压相等。因此，能够缩短成膜用腔室1的抽真空时间。从未图示的电源向发热体单元22供给电力而使发热体21发热。使发热体单元升降用电动缸23工作，使发热体单元22按照预先规定的速度升降，将发热体21及气体供给管25向宝特瓶4内插入或从宝特瓶4内拔出。在此期间，成膜用腔室1内达到能够成膜的真空压，从气体供给管25向宝特瓶4内供给原料气体并使电流在发热体21中流动。由此，发热体21的温度变高，发热体21成为热催化剂体。从气体供给管25吹出的原料气体与成为热催化剂体的发热体21接触，通过催化剂化学反应及/或利用热量分解成化学物种。该化学物种到达宝特瓶4的内表面，在宝特瓶4的内表面形成薄膜。
根据本发明，形成为能够调整使发热体单元22升降的升降速度的结构，由此能够根据容器形状、容器耐热特性、对容器要求的性能来调整容器的各部分的成膜时间，阻隔性能、容器外观的调整变得容易。关于这一点，在后文中叙述。
在宝特瓶4的内表面形成了预定的膜厚的薄膜后，结束成膜，使发热体单元22下降，使发热体21返回到发热体保护用腔室2内。并且，关闭闸阀3，将成膜用腔室1与发热体保护用腔室2的连通隔断。然后，使成膜用腔室1内恢复成大气压，在将处理完的宝特瓶4从成膜用腔室1取出之后，将下一宝特瓶4放入成膜用腔室1进行抽真空而成膜。在上述的工序中，发热体21始终维持成真空状态。然后，重复上述的工序。
接下来，参照图3至图5，说明本发明的薄膜的成膜装置的第二实施方式。
图3是表示本发明的第二实施方式的薄膜的成膜装置的整体结构的示意性剖视图。图4是图3所示的薄膜的成膜装置的侧向剖视图。如图3及图4所示，本发明的薄膜的成膜装置在装置框架F内具备成膜专用腔室31和瓶出入用腔室32这两个腔室。成膜专用腔室31配置于下侧，瓶出入用腔室32配置于上侧。成膜专用腔室31与瓶出入用腔室32经由作为真空隔离单元的闸阀33而连接。
成膜专用腔室31经由连接部31a而与作为真空排气单元的真空泵VP1连接，由真空泵VP1对成膜专用腔室31内进行抽真空。在成膜专用腔室31配置有多个具备发热体42的发热体单元44。从未图示的电源向发热体单元44供给电力，由此发热体42发热。各发热体42向保持为倒立状态的各宝特瓶4内插入。另外，在发热体的加热中，通电加热容易，因此能够使用比在等离子CVD法中使用的高频电源及整合器的组合廉价的交流或直流的电源。在本实施方式中，配置有8个发热体单元44，在成膜专用腔室31内能够同时地进行总计8个宝特瓶4的成膜处理。
另外，瓶出入用腔室32经由连接部32a而与作为真空排气单元的真空泵VP2连接，由真空泵VP2对瓶出入用腔室32内进行抽真空。在瓶出入用腔室32内设有两组保持多个宝特瓶4而升降的瓶升降装置51。各瓶升降装置51构成为能够保持4个宝特瓶4进行升降，能够保持4个宝特瓶4而向成膜专用腔室31下降，而且能够将4个宝特瓶4从成膜专用腔室31向瓶出入用腔室32取出。瓶升降装置51使得使宝特瓶4在成膜专用腔室31与瓶出入用腔室32之间升降的升降速度可变。瓶升降装置51构成使宝特瓶4与发热体42相对移动的相对移动单元，使宝特瓶4与发热体42相对移动而使宝特瓶4的被成膜部分与发热体42相向。瓶升降装置51的升降机构部可以设置于腔室的内部，也可以设置于外部。在将升降机构部设置于腔室的外部的情况下，构成为仅仅是保持宝特瓶4的部分处于腔室的内部且该部分通过外部的升降机构部而升降。
瓶出入用腔室32在上端具备开闭闸56，通过将开闭闸56关闭而能够使瓶出入用腔室32内为气密状态并通过真空泵VP2进行抽真空。并且，通过将开闭闸56打开，能够向瓶出入用腔室32内导入未处理的宝特瓶4或取出瓶出入用腔室32内的处理完的宝特瓶4。
接下来，说明使宝特瓶4翻转的翻转装置57和用于将翻转后的宝特瓶4向瓶出入用腔室32投入并将处理完的宝特瓶4从瓶出入用腔室32取出的瓶处理装置60。翻转装置57和瓶处理装置60构成瓶输送装置。
如图4所示，在装置框架F内设置有对直立状态的宝特瓶4进行搬运的输送机70。与输送机70并排地配置有用于在输送机70上的宝特瓶4形成固定间隔的间距分割用的螺杆71。而且，与输送机70相邻地设有用于使宝特瓶4翻转的翻转装置57。
翻转装置57具备将宝特瓶4的主体部夹持的多个卡盘58。翻转装置57能够在输送机70上利用多个卡盘58将由螺杆71进行间距分割的多个宝特瓶4夹持并翻转。而且，翻转装置57能够利用多个卡盘58将倒立状态的多个宝特瓶4夹持并翻转而形成为正立状态返回到输送机70。在本实施方式中，翻转装置57能够同时翻转8个宝特瓶4。
如图3及图4所示，瓶处理装置60在瓶出入用腔室32及输送机70的上方的位置，设置于装置框架F上。瓶处理装置60将倒立状态的多个未处理的宝特瓶4向瓶出入用腔室32内投入，并在瓶出入用腔室32内通过瓶升降装置51将保持为倒立状态的多个处理完的宝特瓶4从瓶出入用腔室32取出。在本实施方式中，瓶处理装置60能够处理8个宝特瓶。
瓶处理装置60具备升降轴63，在升降轴63的下端设有对宝特瓶4的底部进行吸附的吸附头64。瓶处理装置60构成为通过往复移动机构62能够在瓶出入用腔室32的上方的位置与翻转装置57的上方的位置之间往复移动。因此，瓶处理装置60能够使升降轴63下降，通过吸附头64吸附处于翻转装置57的位置的倒立状态的多个未处理的宝特瓶4而使升降轴63上升，然后，在通过往复移动机构62移动至瓶出入用腔室32的上方之后，使升降轴63下降而将多个宝特瓶4向瓶出入用腔室32投入。而且，瓶处理装置60能够使升降轴63下降，通过吸附头64吸附处于瓶出入用腔室32内的倒立状态的多个处理完的宝特瓶4而使升降轴63上升，然后，在通过往复移动机构62移动至翻转装置57的上方之后，使升降轴63下降而使多个宝特瓶4返回到翻转装置57。
在如图3及图4所示构成的成膜装置中，通过使真空泵VP1工作而使成膜专用腔室31内始终为真空状态，处于成膜专用腔室31内的发热体42始终保持为真空状态。此时，闸阀33为闭合状态，将成膜专用腔室31与瓶出入用腔室32的连通隔断。由输送机70以直立状态连续搬运的宝特瓶4通过间距分割用的螺杆71被间距分割而在相邻的瓶间形成固定间隔。被间距分割后的多个宝特瓶4由翻转装置57翻转而成为倒立状态。倒立状态的多个宝特瓶4由瓶处理装置60的吸附头64吸附。此时，瓶出入用腔室32的开闭闸56打开。瓶处理装置60输送多个未处理的宝特瓶4而向瓶出入用腔室32内投入。在本实施方式中，能够将8个宝特瓶4同时投入到瓶出入用腔室32内。当被投入到瓶出入用腔室32内的多个宝特瓶4保持于瓶升降装置51时，将开闭闸56关闭，使真空泵VP2工作而开始对瓶出入用腔室32内进行抽真空。
通过真空泵VP2的工作，瓶出入用腔室32内的真空压比成膜专用腔室31内的真空压低，但是在成为预定的真空压时，打开闸阀33，使成膜专用腔室31与瓶出入用腔室32连通。由此，瓶出入用腔室32内的真空压上升，变得与成膜专用腔室31内的真空压相等。因此，能够缩短瓶出入用腔室32的抽真空时间。并且，使瓶出入用腔室32内的瓶升降装置51工作而将多个未处理的宝特瓶4向成膜专用腔室31内供给。被供给到成膜专用腔室31内的多个宝特瓶4由瓶升降装置51保持。宝特瓶4由瓶升降装置51保持，以预先规定的速度上升/下降，由此将各发热体42向各宝特瓶4内插入或从各宝特瓶4内拔出。
图5是表示宝特瓶4和插入到宝特瓶4内的发热体42的示意性剖视图。在图5中，宝特瓶4通过瓶升降装置51的上升/下降而处于发热体单元44的发热体42及气体供给管43插入到宝特瓶4内的状态。另外，瓶升降装置51的图示省略。在上述的插入/拔出工序期间，成膜专用腔室31内达到能够成膜的真空压，从气体供给管43向宝特瓶4内供给原料气体并且使电流在发热体42中流动。由此，发热体42的温度变高，发热体42成为热催化剂体。从气体供给管43吹出的原料气体与成为热催化剂体的发热体42接触，通过催化剂化学反应及/或利用热量分解成化学物种。该化学物种到达宝特瓶4的内表面，在宝特瓶4的内表面形成薄膜。
根据本发明，形成为能够调整使宝特瓶4升降的升降速度的结构，由此根据容器形状、容器耐热特性、对容器要求的性能，能够调整容器的各部分的成膜时间，阻隔性能、容器外观的调整变得容易。关于这一点，在后文叙述。
在宝特瓶4的内表面形成了预定的膜厚的薄膜之后，结束成膜。接下来，通过瓶升降装置51将处理完的宝特瓶4从成膜专用腔室31取出而返回到瓶出入用腔室32之后，关闭闸阀33，然后，使设置于瓶出入用腔室32内的真空破坏阀(未图示)工作而将瓶出入用腔室32内向大气敞开。此时，成膜专用腔室31内始终为真空状态，处于成膜专用腔室31内的发热体42始终保持为真空状态。接下来，将开闭闸56打开而通过瓶处理装置60将瓶出入用腔室32内的宝特瓶4取出并使其返回到翻转装置57。并且，瓶处理装置60吸附新的未处理的多个宝特瓶4而向瓶出入用腔室32内投入。在将新的宝特瓶4投入到瓶出入用腔室32内之后，反复进行上述的宝特瓶4向成膜专用腔室31的供给工序及宝特瓶4的成膜工序。
在图3至图5所示的成膜装置中，例示了将多个宝特瓶4以倒立状态进行成膜处理的情况，但也可以将多个宝特瓶4以正立状态进行成膜处理。在这种情况下，成膜专用腔室31配置于上侧，瓶出入用腔室32配置于下侧，发热体42成为从成膜专用腔室1的顶板部向下方延伸的结构，瓶出入用腔室32的开闭闸成为设置于瓶出入用腔室32的下端部的结构。翻转装置57省略。而且，瓶处理装置60构成为能够在输送机上对处于正立状态的多个未处理的宝特瓶4进行保持而向瓶出入用腔室32投入，并能够对处于瓶出入用腔室32内的多个处理完的宝特瓶4进行保持而返回到输送机。
根据本发明的第一实施方式及第二实施方式的说明可知，在本发明中，构成为将真空腔室关闭而在抽真空开始后使容器与发热体相对移动，且容器与发热体的相对移动速度可变。以下，说明其理由。
本发明的对象即发热体CVD法具有以下的特征。
(1)越接近发热体，则成膜速度越大，而且对容器的热载荷越大。
通常，1cm～10cm是在几Pa的真空下适合于成膜的距离。
(2)作为结果，在对立体容器进行成膜时，根据发热体与容器的距离和发热体的加热时间，来决定在立体容器的各部位形成的膜厚(膜质)及热载荷。
(3)膜厚及膜质决定各部位的阻隔性及呈色，热载荷决定有无热变形。在发生了热变形的情况下，通常该立体容器的商品价值消失。
(4)在立体容器，根据用途，除了容器整体的阻隔性之外，还有优选的膜厚、呈色的分布，而且，根据形状，产生薄膜形成速度快/慢之处及热载荷容易变高/变低的部位。
在以往的成膜装置中，采用了将发热体和容器的位置固定而成膜的方法，但是在这样的方法中，根据发热体与容器的距离，与容器的用途、形状对应的成膜部位间的调整变得困难。
根据本发明，在使发热体与立体容器相对移动的同时进行成膜的结构中，该相对移动单元为可变速，由此能够微小地调整成膜部位间的薄膜形成，并能够进行与容器的用途、形状对应的成膜。关于这一点，参照图6及图7进行说明。
图6是表示容器和发热体的示意图。图7是表示发热体距容器内表面的距离和发热体与容器的相对移动速度的关系的坐标图。严格来说，使用相同材质的薄膜的形成速度与发热体距容器内表面的距离成比例的情况的事例进行说明。在图6中图示了立体容器的轮廓(由实线表示)和发热体通过位置(由虚线表示)。如图6所示，当将从容器的口部朝向底部的容器的轴心方向设为x轴、将从容器的轴心朝向容器内表面的半径方向设为Y轴时，发热体通过位置与容器的轴心方向(x轴)一致。当标绘从容器的口部(x＝0)到容器的底部(x＝100)的发热体距容器内表面的距离(Y轴)时，能够如图7的细实线那样表示。如图示那样，发热体距容器内表面的距离进行变动。根据该距离的变动，发热体与容器的相对移动速度如图7的粗实线所示那样可变。即，在发热体距容器内表面的距离近的部位，加快相对移动速度，在发热体距容器内表面的距离远的部位，减慢相对移动速度。作为该可变速移动单元的例子，有
1)伺服电动机、步进电动机
2)带有电磁控制速度控制器的气缸
3)机械式(凸轮和凸轮随动件)等。
通过如上述那样构成，能够期待以下那样的效果。
(1)阻隔性提高(防止容器热变形)
在热变形的观点上成为成膜时间的制约的部位仅在短时间内就能够成膜，其他部分能够充分地成膜，结果是，容器整体的阻隔性的提高变得容易。
(2)呈色调整
与容器的用途/要求外观品质对应的膜厚分布的形成变得容易。能够实现具有层次的呈色等。
(3)生产性提高
到目前为止，作为防止容器热变形的对策，在发热体完全插入之后开始成膜，但是根据本发明，能够从发热体向容器的插入阶段起开始成膜，因此能够削减周期时间。
到目前为止说明了本发明的实施方式，但本发明没有限定为上述的实施方式，在其技术思想的范围内，当然能够以各种不同的方式来实施。
工业实用性
本发明能够利用于在宝特瓶(PET瓶)等容器的内表面、外表面的任一方或双方形成DLC(Diamond Like Carbon)膜、SiOx膜、SiOC膜、SiOCN膜、SiNx膜、AlOx膜等气体阻隔性高的薄膜的成膜装置。
附图标记说明
1         成膜专用腔室
1a        连接部
2         发热体保护用腔室
2a        连接部
3         闸阀
4         宝特瓶
11        瓶保持部
21        发热体
22        发热体单元
23        发热体单元升降用电动缸
25        气体供给管
31        成膜专用腔室
31a、32a  连接部
32        瓶出入用腔室
33        闸阀
42        发热体
43        气体供给管
44        发热体单元
51        瓶升降装置
56        开闭闸
57        翻转装置
58        卡盘
60        瓶处理装置
62        往复移动机构
63        升降轴
64        吸附头
70        输送机
71        螺杆
F         装置框架
VP1、VP2  真空泵

Claims (20)

1.一种薄膜的成膜装置，其特征在于，具备：
真空腔室，用于使用发热体在真空状态下在容器的表面进行成膜；
真空排气单元，对所述真空腔室进行抽真空；及
相对移动单元，在所述真空腔室的抽真空开始后，在所述真空腔室内使容器与发热体相对移动。
2.根据权利要求1所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述相对移动单元使容器和所述发热体以可变速的方式相对移动。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
将所述真空腔室分割成用于进行容器的成膜的成膜用腔室和用于将所述发热体保持为真空状态的发热体保护用腔室，在所述成膜用腔室与所述发热体保护用腔室之间设有真空隔离单元。
4.根据权利要求3所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述相对移动单元使所述发热体移动。
5.根据权利要求3所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
将所述成膜用腔室和所述发热体保护用腔室分别与单独的真空排气单元连接。
6.根据权利要求3所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述成膜用腔室在容器成膜时从大气压被抽真空而成为真空状态，在成膜结束后恢复成大气压。
7.根据权利要求3所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述发热体保护用腔室始终被维持在真空状态。
8.根据权利要求3所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述真空隔离单元在所述成膜用腔室被抽真空时打开，使所述成膜用腔室与所述发热体保护用腔室连通。
9.根据权利要求8所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述发热体在所述真空隔离单元打开之后被插入到所述成膜用腔室内，在成膜结束后返回到所述发热体保护用腔室。
10.根据权利要求9所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述真空隔离单元在成膜结束后所述发热体返回到所述发热体保护用腔室之后关闭。
11.根据权利要求1或2所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
将所述真空腔室分割成用于将所述发热体保持成真空状态并进行容器的成膜的成膜专用腔室和用于将容器向所述成膜专用腔室放入或从所述成膜专用腔室取出的容器取放用腔室，在所述成膜专用腔室与所述容器取放用腔室之间设有真空隔离单元。
12.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述相对移动单元使容器移动。
13.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
将所述成膜专用腔室和所述容器取放用腔室分别与单独的真空排气单元连接。
14.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述成膜专用腔室始终被维持在真空状态。
15.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述容器取放用腔室在容器成膜时从大气压被抽真空而成为真空状态，在成膜结束后的容器取出时恢复成大气压。
16.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述真空隔离单元在所述容器取放用腔室被抽真空而成为真空状态时打开，使所述成膜专用腔室与所述容器取放用腔室连通。
17.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
在使容器移动到所述成膜专用腔室内时，所述发热体被插入到容器内。
18.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述容器取放用腔室具备用于向所述容器取放用腔室放入容器或从所述容器取放用腔室取出容器的开闭闸。
19.根据权利要求11所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述薄膜的成膜装置具备容器输送装置，所述容器输送装置将未处理的容器从预定位置向所述容器取放用腔室输送，并将处理完的容器从所述瓶出入用腔室向预定位置输送。
20.根据权利要求19所述的薄膜的成膜装置，其特征在于，
所述预定位置是输送机上的位置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6480195B2 (ja) * 2015-01-23 2019-03-06 キリン株式会社 物品の処理装置
JP6474673B2 (ja) 2015-04-17 2019-02-27 キリン株式会社 ガスバリア性プラスチック成形体及びその製造方法
JP6578001B2 (ja) * 2015-06-30 2019-09-18 三菱重工機械システム株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP6535384B2 (ja) * 2015-10-01 2019-06-26 三菱重工機械システム株式会社 成膜装置
JP6625656B2 (ja) * 2015-10-19 2019-12-25 三菱重工機械システム株式会社 成膜装置
KR102229237B1 (ko) 2017-08-31 2021-03-18 새한프라텍 주식회사 우수한 가스 배리어성을 갖는 플라스틱 용기 및 그 제조방법
WO2019058163A2 (en) * 2017-09-20 2019-03-28 C4E Technology Gmbh METHOD AND DEVICE FOR REALIZING A DEPOSITION PROCESS ON THE EXTERNAL SIDE AND / OR THE INTERNAL SIDE OF A BODY

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995021948A1 (en) * 1994-02-09 1995-08-17 The Coca-Cola Company Hollow containers with inert or impermeable inner surface through plasma-assisted deposition of a primarily inorganic substance
CN1659307A (zh) * 2002-06-05 2005-08-24 三菱商事塑料株式会社 用于清洁cvd装置所用原料气导入管的方法和装置
JP2006335379A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Yoshino Kogyosho Co Ltd 被膜を備える合成樹脂製容器と、合成樹脂製容器に被膜を形成する方法及び装置
JP2007105999A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Toyobo Co Ltd 多層成形体およびそれからなる多層延伸成形体並びに多層成形体の製造方法
CN101163819A (zh) * 2005-02-03 2008-04-16 三菱重工食品包装机械株式会社 成膜装置，匹配器以及阻抗控制方法
CN101184669A (zh) * 2005-05-27 2008-05-21 麒麟麦酒株式会社 阻气性塑料容器的制造装置、该容器的制造方法及该容器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2201858A1 (de) * 1971-01-22 1972-08-10 Cockerill Vorrichtung zur Aufbringung eines metallischen UEberzugs an der Innenwandung eines Hohlkoerpers
US5308649A (en) * 1992-06-26 1994-05-03 Polar Materials, Inc. Methods for externally treating a container with application of internal bias gas
US5679412A (en) * 1993-10-28 1997-10-21 Manfred R. Kuehnle Method and apparatus for producing gas impermeable, chemically inert container structures for food and volatile substances
US5521351A (en) * 1994-08-30 1996-05-28 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma surface treatment of the interior of hollow forms
US6223683B1 (en) * 1997-03-14 2001-05-01 The Coca-Cola Company Hollow plastic containers with an external very thin coating of low permeability to gases and vapors through plasma-assisted deposition of inorganic substances and method and system for making the coating
EP0943699B1 (de) * 1998-02-19 2003-12-17 Applied Films GmbH & Co. KG Schleuseneinrichtung zum Ein- und/oder Ausbringen von Substraten in und/oder aus einer Behandlungskammer
EP1229068B1 (en) * 2001-02-06 2005-09-14 Shibuya Kogyo Co., Ltd. Method and apparatus for modifying the inner surface of containers made of polymeric compound
US20050118365A1 (en) * 2002-04-26 2005-06-02 Shunzo Miyazaki Plastic containers coated on the inner surface and process for production thereof
WO2003100121A2 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Schott Ag Mehrplatz-beschichtungsvorrichtung und verfahren zur plasmabeschichtung
EP1365043B1 (de) * 2002-05-24 2006-04-05 Schott Ag Vorrichtung für CVD-Beschichtungen
JP2004107781A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 炭素膜コーティング方法および装置
JP2005048272A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および成膜方法
JP4954679B2 (ja) 2006-11-20 2012-06-20 麒麟麦酒株式会社 バリア膜被覆プラスチック容器の製造方法及びその製造装置
JP5355860B2 (ja) * 2007-03-16 2013-11-27 三菱重工食品包装機械株式会社 バリア膜形成装置、バリア膜形成方法及びバリア膜被覆容器
US8062470B2 (en) * 2008-05-12 2011-11-22 Yuri Glukhoy Method and apparatus for application of thin coatings from plasma onto inner surfaces of hollow containers
ES2513866T3 (es) * 2009-05-13 2014-10-27 Sio2 Medical Products, Inc. Revestimiento e inspección de recipientes

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995021948A1 (en) * 1994-02-09 1995-08-17 The Coca-Cola Company Hollow containers with inert or impermeable inner surface through plasma-assisted deposition of a primarily inorganic substance
CN1659307A (zh) * 2002-06-05 2005-08-24 三菱商事塑料株式会社 用于清洁cvd装置所用原料气导入管的方法和装置
CN101163819A (zh) * 2005-02-03 2008-04-16 三菱重工食品包装机械株式会社 成膜装置，匹配器以及阻抗控制方法
CN101184669A (zh) * 2005-05-27 2008-05-21 麒麟麦酒株式会社 阻气性塑料容器的制造装置、该容器的制造方法及该容器
JP2006335379A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Yoshino Kogyosho Co Ltd 被膜を備える合成樹脂製容器と、合成樹脂製容器に被膜を形成する方法及び装置
JP2007105999A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Toyobo Co Ltd 多層成形体およびそれからなる多層延伸成形体並びに多層成形体の製造方法

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