JP6578001B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Description
本発明は、樹脂製の容器にガスバリア性の膜を形成するのに好適な成膜装置に関する。
樹脂製の容器は、ガスバリア性の膜をその内周面に形成することが行われている。このガスバリア性の膜は、いくつかの目的で形成される。例えば、容器の外部からの酸素の透過を防止して、容器に充填されている製品液の品質を担保することを目的とする。また、炭酸飲料水に含まれる二酸化炭素が容器を介して外部に透過するのを防止することを目的とする。
ガスバリア性の膜（以下、バリア膜と称す）としては、特許文献１、特許文献２に記載されるように、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)のような硬質の炭素膜、シリカ（ＳｉＯ２）膜など、種々のものが提案されている。
ガスバリア性の膜（以下、バリア膜と称す）としては、特許文献１、特許文献２に記載されるように、ＤＬＣ(Diamond Like Carbon)のような硬質の炭素膜、シリカ（ＳｉＯ２）膜など、種々のものが提案されている。
これらのバリア膜は、種々の方法で成膜できるが、代表的な成膜法として化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition；ＣＶＤ）があり、その中の典型例としてプラズマＣＶＤ法が知られている（特許文献１）。プラズマＣＶＤ法は、真空状態とされた成膜室において原料となる媒質ガスをプラズマで分解してイオン化し、電界で加速させたイオンを衝突させて膜を形成する。
プラズマＣＶＤ法の他のＣＶＤ法として、特許文献２に記載される触媒化学気相成長法（Catalytic Chemical Vapor Deposition：Ｃａｔ−ＣＶＤ）も知られている。Ｃａｔ−ＣＶＤ法は、成膜室内で通電加熱した線状の触媒体の表面において媒質ガスを分解し、生成した化学種を直接又は気相中で反応過程を経た後に、堆積させて膜を形成する。Ｃａｔ−ＣＶＤ法は、発熱体ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法とも称される。
プラズマＣＶＤ法の他のＣＶＤ法として、特許文献２に記載される触媒化学気相成長法（Catalytic Chemical Vapor Deposition：Ｃａｔ−ＣＶＤ）も知られている。Ｃａｔ−ＣＶＤ法は、成膜室内で通電加熱した線状の触媒体の表面において媒質ガスを分解し、生成した化学種を直接又は気相中で反応過程を経た後に、堆積させて膜を形成する。Ｃａｔ−ＣＶＤ法は、発熱体ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法とも称される。
以上説明したＣＶＤ法により容器の内面にバリア膜を形成するには、真空状態とされた成膜室に収容される容器の内部に媒質ガスを導入する必要がある。そのために、成膜をするのに先立って媒質ガスを容器の内部に導くガス供給管が容器に挿入され、成膜の処理が終わるとガス供給管を容器から抜き取る。したがって、容器にバリア膜を形成するには、成膜の時間に加えて、このガス供給管の挿抜の時間が必要となり、その分だけバリア膜を形成する一連の工程に要する時間がかかってしまう。一方で、生産効率を考慮すれば、できるだけ多くの本数の容器に対して、バリア膜の形成を長い時間に亘って継続できることが望まれる。
そこで本発明は、容器のそれぞれにバリア膜を形成する時間を短くできるとともに、バリア膜を形成する連続運転の時間を長くできる成膜装置を提供することを目的とする。
そこで本発明は、容器のそれぞれにバリア膜を形成する時間を短くできるとともに、バリア膜を形成する連続運転の時間を長くできる成膜装置を提供することを目的とする。
かかる目的のもと、本発明の成膜装置は、ガスバリア性膜が形成される容器を収容する成膜室を有し、ガスバリア性膜の成膜時に成膜室が真空状態とされるチャンバと、ガスバリア性膜を成膜するのに用いられる媒質ガスを容器の内部に導くガス流路を有し、その軸線方向に沿って昇降移動するガス供給管と、ガス供給管に支持される発熱体と、を備えている。
本発明におけるガス供給管は、ガスバリア性膜の成膜時に、成膜室に収容される容器に挿入され、ガス流路を介して媒質ガスを供給し、ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時に、成膜室に収容される容器から退避するとともに、ガス流路が減圧状態に維持される。
本発明における発熱体はガス供給管の挿抜に追従して、容器への挿抜が行われ、ガスバリア性膜の成膜を終えた後の待機時に、所定の期間だけ継続して、媒質ガスがガス供給管を介して成膜室に供給される。
本発明におけるガス供給管は、ガスバリア性膜の成膜時に、成膜室に収容される容器に挿入され、ガス流路を介して媒質ガスを供給し、ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時に、成膜室に収容される容器から退避するとともに、ガス流路が減圧状態に維持される。
本発明における発熱体はガス供給管の挿抜に追従して、容器への挿抜が行われ、ガスバリア性膜の成膜を終えた後の待機時に、所定の期間だけ継続して、媒質ガスがガス供給管を介して成膜室に供給される。
次に、バリア膜を成膜した後にチャンバを大気に開放すると、成膜時に発生してしまう、ガス供給管や成膜チャンバ内に付着した、バリア膜と同等の成分が、パーティクルとなって剥離し、ガス流路に侵入してガス流路を閉塞し得る。ところが、本発明によれば、待機時にガス流路が真空状態を維持しているため、剥離片であるパーティクルがガス流路に侵入してこない。したがって、本発明によれば、ガス供給管の閉塞に対するメンテナンスの頻度を低くして、長期間に亘る連続運転を保障できる。
本発明の成膜装置は、待機時においてガス供給管のガス流路と連通する減圧室を備えることができる。この成膜装置は、減圧室を減圧することにより、ガス流路を減圧状態に維持することができる。
本発明の成膜装置において、チャンバに支持され、ガス供給管が昇降移動する減圧室を有するハウジングを備え、このガス供給管を、チャンバを貫通して容器に対して挿抜することができる。
本発明の成膜装置において、ガス供給管が成膜室から退避すると、成膜室と減圧室の連通を閉じる遮蔽弁を備えることができる。
本発明の成膜装置において、チャンバに支持され、ガス供給管が昇降移動する減圧室を有するハウジングを備え、このガス供給管を、チャンバを貫通して容器に対して挿抜することができる。
本発明の成膜装置において、ガス供給管が成膜室から退避すると、成膜室と減圧室の連通を閉じる遮蔽弁を備えることができる。
本発明の成膜装置は、プラズマＣＶＤ法及びＣａｔ−ＣＶＤ法のいずれにも対応できる。
Ｃａｔ−ＣＶＤ法に適用する場合には、本発明の成膜装置は、ガス供給管に支持される発熱体を備え、この発熱体はガス供給管の挿抜に追従して、容器への挿抜が行われる。
また、プラズマＣＶＤ法に適用する場合には、本発明の成膜装置は、チャンバの内部に配置され、容器を収容する外部電極と、外部電極に収容された容器を進退し、媒質ガスを容器の内部に導く内部電極と、を備えることになるが、内部電極が、ガス供給管を構成することになる。
Ｃａｔ−ＣＶＤ法に適用する場合には、本発明の成膜装置は、ガス供給管に支持される発熱体を備え、この発熱体はガス供給管の挿抜に追従して、容器への挿抜が行われる。
また、プラズマＣＶＤ法に適用する場合には、本発明の成膜装置は、チャンバの内部に配置され、容器を収容する外部電極と、外部電極に収容された容器を進退し、媒質ガスを容器の内部に導く内部電極と、を備えることになるが、内部電極が、ガス供給管を構成することになる。
本発明の成膜装置をＣａｔ−ＣＶＤ法に適用する場合には、ガスバリア性膜の成膜を終えた後の前記待機時に、所定の期間だけ継続して、ガス供給管を介して媒質ガスを成膜室に供給することができる。
同様に、減圧室にガスバリア性膜の成膜に対して安定なガスを供給する第１ガス供給源を備え、ガスバリア性膜の成膜に先立つ待機時に、第１ガス供給源から減圧室に安定なガスを供給して貯めおいた後に、安定なガスを減圧室から成膜室に導入することができる。または、成膜室にガスバリア性膜の成膜に対して安定なガスを供給する第２ガス供給源を備え、ガスバリア性膜の成膜に先立つ待機時に、第２ガス供給源から成膜室に安定なガスを供給することもできる。
同様に、減圧室にガスバリア性膜の成膜に対して安定なガスを供給する第１ガス供給源を備え、ガスバリア性膜の成膜に先立つ待機時に、第１ガス供給源から減圧室に安定なガスを供給して貯めおいた後に、安定なガスを減圧室から成膜室に導入することができる。または、成膜室にガスバリア性膜の成膜に対して安定なガスを供給する第２ガス供給源を備え、ガスバリア性膜の成膜に先立つ待機時に、第２ガス供給源から成膜室に安定なガスを供給することもできる。
本発明によれば、成膜を行わない待機中に、ガス供給管のガス流路が減圧状態を維持しているので、成膜に先立って行われる成膜室の真空引きに要する時間が短くなり、バリア膜の形成に要する時間を短縮できる。また、本発明によれば、成膜を行わない待機中に、ガス供給管のガス流路が減圧状態に維持されるので、ガス供給管のガス流路が剥離片により閉塞されるのを未然に防ぎ長期間に亘る連続運転を保障できる。
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
本実施形態は第１実施形態と第２実施形態を含み、第１実施形態は、Ｃａｔ−ＣＶＤ法により樹脂容器Ｐの内表面にバリア膜を形成する成膜方法を実現する成膜装置１００に関するものであり、第２実施形態はプラズマＣＶＤ法に樹脂容器Ｐの内表面にバリア膜を形成する成膜装置２００に関するものである。以下、第１実施形態と第２実施形態を順に説明する。
成膜装置１００，２００は、例えば飲料水を樹脂容器Ｐに充填するシステムに適用されるものである。このシステムは、一例として、樹脂容器Ｐを成形する容器成形部と、成形された樹脂容器Ｐの内周面にバリア性膜を形成する成膜部と、内周面にバリア性膜が形成された樹脂容器の充填空隙に飲料水を充填する充填部と、飲料水が充填された樹脂容器にキャップをする打栓部と、を備えることができる。この飲料充填システムは、容器成形部、成膜部、充填部及び打栓部の各々の要素がロータリー式の機構からなり、各要素の間には、樹脂容器Ｐを受け渡すための転送装置を設けることができる。ただし、成膜装置１００はバッチ式となる場合もある。本実施形態の成膜装置１００，成膜装置２００は、成膜部に適用することができる。
本実施形態は第１実施形態と第２実施形態を含み、第１実施形態は、Ｃａｔ−ＣＶＤ法により樹脂容器Ｐの内表面にバリア膜を形成する成膜方法を実現する成膜装置１００に関するものであり、第２実施形態はプラズマＣＶＤ法に樹脂容器Ｐの内表面にバリア膜を形成する成膜装置２００に関するものである。以下、第１実施形態と第２実施形態を順に説明する。
成膜装置１００，２００は、例えば飲料水を樹脂容器Ｐに充填するシステムに適用されるものである。このシステムは、一例として、樹脂容器Ｐを成形する容器成形部と、成形された樹脂容器Ｐの内周面にバリア性膜を形成する成膜部と、内周面にバリア性膜が形成された樹脂容器の充填空隙に飲料水を充填する充填部と、飲料水が充填された樹脂容器にキャップをする打栓部と、を備えることができる。この飲料充填システムは、容器成形部、成膜部、充填部及び打栓部の各々の要素がロータリー式の機構からなり、各要素の間には、樹脂容器Ｐを受け渡すための転送装置を設けることができる。ただし、成膜装置１００はバッチ式となる場合もある。本実施形態の成膜装置１００，成膜装置２００は、成膜部に適用することができる。
［第１実施形態］
成膜装置１００は、図１及び図２に示すように、図示を省略する樹脂製の樹脂容器Ｐを収容する真空チャンバ１０と、樹脂容器Ｐの内部に挿抜可能に配置され、樹脂容器Ｐの内部へ媒質ガスを供給するガス供給管２０と、ガス供給管２０に支持された発熱体３０と、ガス供給管２０と発熱体３０とを収容するシース４０と、を主たる構成要素として備えている。
なお、図１の両矢印は、当該部材の動作を示している。
成膜装置１００は、図１及び図２に示すように、図示を省略する樹脂製の樹脂容器Ｐを収容する真空チャンバ１０と、樹脂容器Ｐの内部に挿抜可能に配置され、樹脂容器Ｐの内部へ媒質ガスを供給するガス供給管２０と、ガス供給管２０に支持された発熱体３０と、ガス供給管２０と発熱体３０とを収容するシース４０と、を主たる構成要素として備えている。
なお、図１の両矢印は、当該部材の動作を示している。
以下、成膜装置１００の主構成要素を順に説明する。
［真空チャンバ１０］
真空チャンバ１０は、軸方向の一方端が開口された円筒状の下部チャンバ１３と、この下部チャンバ１３の上部に着脱自在に装着される上部チャンバ１５と、を備える。真空チャンバ１０は、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５により形成される内部空間が、樹脂容器Ｐを収容し、かつバリア膜を形成する成膜室１１を構成する。
本実施形態においては、樹脂容器Ｐが下部チャンバ１３に収容され、樹脂容器Ｐは下部チャンバ１３の上方端に形成される開口を出入口１４として下部チャンバ１３に搬入され、また、搬出される。したがって、下部チャンバ１３の内部空間は、そこに収容される樹脂容器Ｐの外形よりも僅かに大きくなるように形成されている。上部チャンバ１５は、樹脂容器Ｐが下部チャンバ１３に搬入されると出入口１４を閉じ、また、樹脂容器Ｐが下部チャンバ１３に搬入される時及び搬出される時には出入口１４を開く。なお、本実施形態においては、上部チャンバ１５の鉛直方向の位置が固定される一方、下部チャンバ１３が図示を省略するアクチュエータにより昇降移動するものとするが、この逆であってもよく、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５が相対的に移動することにより、成膜室１１の密閉及び開放がなされればよい。なお、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５の間の密閉状態を確保するために、両者の間にＯリングなどのシール材を設けることができる。
［真空チャンバ１０］
真空チャンバ１０は、軸方向の一方端が開口された円筒状の下部チャンバ１３と、この下部チャンバ１３の上部に着脱自在に装着される上部チャンバ１５と、を備える。真空チャンバ１０は、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５により形成される内部空間が、樹脂容器Ｐを収容し、かつバリア膜を形成する成膜室１１を構成する。
本実施形態においては、樹脂容器Ｐが下部チャンバ１３に収容され、樹脂容器Ｐは下部チャンバ１３の上方端に形成される開口を出入口１４として下部チャンバ１３に搬入され、また、搬出される。したがって、下部チャンバ１３の内部空間は、そこに収容される樹脂容器Ｐの外形よりも僅かに大きくなるように形成されている。上部チャンバ１５は、樹脂容器Ｐが下部チャンバ１３に搬入されると出入口１４を閉じ、また、樹脂容器Ｐが下部チャンバ１３に搬入される時及び搬出される時には出入口１４を開く。なお、本実施形態においては、上部チャンバ１５の鉛直方向の位置が固定される一方、下部チャンバ１３が図示を省略するアクチュエータにより昇降移動するものとするが、この逆であってもよく、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５が相対的に移動することにより、成膜室１１の密閉及び開放がなされればよい。なお、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５の間の密閉状態を確保するために、両者の間にＯリングなどのシール材を設けることができる。
上部チャンバ１５は、排気通路１６を備え、この排気通路１６は一方端が下部チャンバ１３の出入口１４に連通するとともに、他方端が排気ポンプ１９に接続される。下部チャンバ１３と上部チャンバ１５が密閉状態とされ、排気ポンプ１９を動作させると、成膜室１１の内部及び樹脂容器Ｐの内部のガス成分が排気され、減圧状態、好ましくは真空状態とされる。なお、ここでいう減圧とは大気圧よりも低い圧力の状態をいう。
上部チャンバ１５は、樹脂容器Ｐを把持するグリッパ１７を備えている。グリッパ１７は、上工程から移送される樹脂容器Ｐのいわゆるネック部分を把持することで、樹脂容器Ｐを成膜室１１の中の所定位置に支持する。
上部チャンバ１５は、シース４０を支持する。シース４０は、その下方に位置する一方端が上部チャンバ１５の表裏を貫通して上部チャンバ１５に固定されており、その内部の減圧室４３が成膜室１１と連通する。ただし、成膜室１１に通じるシース４０の開口４２（図２参照）を開閉するスライド式の遮蔽弁１８が上部チャンバ１５の排気通路１６に設けられており、遮蔽弁１８が閉じられると、シース４０の減圧室４３は閉じた空間を形成する。より具体的なシース４０の構成については後述する。
上部チャンバ１５は、シース４０を支持する。シース４０は、その下方に位置する一方端が上部チャンバ１５の表裏を貫通して上部チャンバ１５に固定されており、その内部の減圧室４３が成膜室１１と連通する。ただし、成膜室１１に通じるシース４０の開口４２（図２参照）を開閉するスライド式の遮蔽弁１８が上部チャンバ１５の排気通路１６に設けられており、遮蔽弁１８が閉じられると、シース４０の減圧室４３は閉じた空間を形成する。より具体的なシース４０の構成については後述する。
真空チャンバ１０の内部及び外部の一方又は双方に、冷却水を循環させる構造を設けて、下部チャンバ１３及び上部チャンバ１５の温度上昇を防止することが好ましい。この冷却構造は、特に、下部チャンバ１３に対応して設けることが好ましい。バリア膜の成膜時に熱源となる発熱体３０挿入される樹脂容器Ｐがちょうど下部チャンバ１３に収容されているからである。
また、真空チャンバ１０は、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５の成膜室１１に臨む内表面には、発熱体３０の発熱に伴って放射される光の反射を防ぐ処理が施されていることが好ましい。この処理としては、内表面を黒色に着色するか、微細な凹凸面にすればよい。これにより、樹脂容器Ｐの温度上昇を抑制することができる。
なお、所定の耐熱性、耐食性などの性質を備えている限り、真空チャンバ１０を構成する材料は任意であり、好適にはアルミニウム合金を用いることができる。
また、真空チャンバ１０は、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５の成膜室１１に臨む内表面には、発熱体３０の発熱に伴って放射される光の反射を防ぐ処理が施されていることが好ましい。この処理としては、内表面を黒色に着色するか、微細な凹凸面にすればよい。これにより、樹脂容器Ｐの温度上昇を抑制することができる。
なお、所定の耐熱性、耐食性などの性質を備えている限り、真空チャンバ１０を構成する材料は任意であり、好適にはアルミニウム合金を用いることができる。
［ガス供給管２０］
次に、ガス供給管２０は、原料タンク２７に貯留される媒質ガスＧを、真空チャンバ１０の成膜室１１に導く。ガス供給管２０は、バリア膜の成膜時の成膜位置（Ｐ１，図４（ｂ），（ｃ））と成膜を行わない待機時の退避位置（Ｐ２，図３（ａ）〜（ｃ））の間を、図示を省略するアクチュエータにより昇降移動可能に支持されている。ガス供給管２０は、その一端は図示を省略する原料タンク２７に接続される接続端２１と、その他端に設けられ、供給される媒質ガスＧが吐出される吐出孔２２と、を備えており、媒質ガスは接続端２１と吐出孔２２を繋ぐガス流路２３を通って樹脂容器Ｐに供給される。ガス供給管２０は、原料タンク２７から媒質ガスＧが供給されないときには、接続端２１の側が封止されるものとする。
ガス供給管２０は、図１（ｂ），図２に示すように、発熱体３０に対応する主領域２５と、主領域２５以外の副領域２６と、が軸線方向に並んで備えている。ガス供給管２０が成膜位置Ｐ１にある時には、主領域２５は真空チャンバ１０に収容される樹脂容器Ｐの内部に挿入され、副領域２６はシース４０の減圧室４３に収容される。また、ガス供給管２０が退避位置Ｐ２にある時には、主領域２５はシース４０の減圧室４３の内部に収容され、副領域２６は大部分がシース４０から外部に露出する。このように、ガス供給管２０とシース４０は軸線方向に相対的に移動する過程で、ガス供給管２０の主領域２５はシース４０から進退する。
次に、ガス供給管２０は、原料タンク２７に貯留される媒質ガスＧを、真空チャンバ１０の成膜室１１に導く。ガス供給管２０は、バリア膜の成膜時の成膜位置（Ｐ１，図４（ｂ），（ｃ））と成膜を行わない待機時の退避位置（Ｐ２，図３（ａ）〜（ｃ））の間を、図示を省略するアクチュエータにより昇降移動可能に支持されている。ガス供給管２０は、その一端は図示を省略する原料タンク２７に接続される接続端２１と、その他端に設けられ、供給される媒質ガスＧが吐出される吐出孔２２と、を備えており、媒質ガスは接続端２１と吐出孔２２を繋ぐガス流路２３を通って樹脂容器Ｐに供給される。ガス供給管２０は、原料タンク２７から媒質ガスＧが供給されないときには、接続端２１の側が封止されるものとする。
ガス供給管２０は、図１（ｂ），図２に示すように、発熱体３０に対応する主領域２５と、主領域２５以外の副領域２６と、が軸線方向に並んで備えている。ガス供給管２０が成膜位置Ｐ１にある時には、主領域２５は真空チャンバ１０に収容される樹脂容器Ｐの内部に挿入され、副領域２６はシース４０の減圧室４３に収容される。また、ガス供給管２０が退避位置Ｐ２にある時には、主領域２５はシース４０の減圧室４３の内部に収容され、副領域２６は大部分がシース４０から外部に露出する。このように、ガス供給管２０とシース４０は軸線方向に相対的に移動する過程で、ガス供給管２０の主領域２５はシース４０から進退する。
ガス供給管２０は、耐熱性及び電気的な絶縁性を有する材料で構成されており、単純な一重の管部材から構成することができるが、冷却管を一体的に形成することができる。この構造としては、例えばガス供給管２０を二重管構造とし、内側の管構造の中を媒質ガスの流路とし、内側の管構造と外側の管構造の間に冷却水を流す流路とすることができる。
ガス供給管２０は、シース４０が１０００℃を超える高い温度に発熱されても溶融することなくその形態を維持し、かつ通電される発熱体３０との電気的な短絡を防ぐために絶縁性を備えることが要求される。この要求を満たすセラミックス材料をガス供給管２０に用いることができるが、冷却性能をも考慮すると、熱伝導率の大きい、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムなどのセラミックス材料を用いるのが好ましい。また、セラミックス材料に限らず、ステンレス鋼、超耐熱合金などの金属材料をガス供給管２０に用いることもできる。金属材料を用いる場合には、上述したセラミックス材料で表面を被覆することもできる。
ガス供給管２０は、シース４０が１０００℃を超える高い温度に発熱されても溶融することなくその形態を維持し、かつ通電される発熱体３０との電気的な短絡を防ぐために絶縁性を備えることが要求される。この要求を満たすセラミックス材料をガス供給管２０に用いることができるが、冷却性能をも考慮すると、熱伝導率の大きい、窒化アルミニウム、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウムなどのセラミックス材料を用いるのが好ましい。また、セラミックス材料に限らず、ステンレス鋼、超耐熱合金などの金属材料をガス供給管２０に用いることもできる。金属材料を用いる場合には、上述したセラミックス材料で表面を被覆することもできる。
［発熱体３０］
次に、発熱体３０は、電力の供給を受けて発熱することにより、ガス供給管２０から樹脂容器Ｐの内部に供給される媒質ガスの分解を促進する。
本実施形態の発熱体３０は、線状の部材からなり、ガス供給管２０の主領域２５の下方に折り返し３１を有するＵ字状の形態をなし、主領域２５の上方において電気絶縁性のセラミックス部材３５でガス供給管２０に支持される。したがって、発熱体３０は、ガス供給管２０の動作に追従して昇降運動する。発熱体３０のＵ字状の折り返し３１の部分は、ガス供給管２０の先端よりも少し下方まで延びている。Ｕ字状という発熱体３０の形態はあくまで一例であり、他の形態、例えばガス供給管２０の外周に螺旋状に巻き付ける形態を採用することもできる。
セラミックス部材３５の周囲には、Ｏリングなどからなる封止部材を備えており、後述するシース４０の内壁面に押し付けられる。
次に、発熱体３０は、電力の供給を受けて発熱することにより、ガス供給管２０から樹脂容器Ｐの内部に供給される媒質ガスの分解を促進する。
本実施形態の発熱体３０は、線状の部材からなり、ガス供給管２０の主領域２５の下方に折り返し３１を有するＵ字状の形態をなし、主領域２５の上方において電気絶縁性のセラミックス部材３５でガス供給管２０に支持される。したがって、発熱体３０は、ガス供給管２０の動作に追従して昇降運動する。発熱体３０のＵ字状の折り返し３１の部分は、ガス供給管２０の先端よりも少し下方まで延びている。Ｕ字状という発熱体３０の形態はあくまで一例であり、他の形態、例えばガス供給管２０の外周に螺旋状に巻き付ける形態を採用することもできる。
セラミックス部材３５の周囲には、Ｏリングなどからなる封止部材を備えており、後述するシース４０の内壁面に押し付けられる。
発熱体３０は、導電性を有しており、通電することで発熱させることができる。図１に示す装置では、発熱体３０には、リード線３３を介して電源３６が接続されている。電源３６から供給される電流によって発熱体３０が発熱する。リード線３３は、電気抵抗の低い材質から構成され、主領域２５と副領域２６の境界部分で発熱体３０に電気的に接続される。
本実施形態における発熱体３０は、通電により発熱するものであり、発熱体３０は、媒質ガスを効率的に分解するために、発熱温度が１５５０〜２４００℃とされる。そのために、発熱体３０は、高融点金属として知られるＷ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｔａ（タンタル），Ｖ（バナジウム），Ｎｂ（ニオブ），Ｈｆ（ハフニウム）の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素を含む材料からなる。この材料としては、当該金属元素からなる純金属、合金又は金属の炭化物を選択でき、当該金属元素の中では、Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｔａの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素を含む材料が好ましい。
なお、本実施形態では、発熱体３０として通電により加熱されるものとしたが、媒質ガスＧを分解できる限り、本発明における発熱体の発熱方法は通電加熱に限定されるものではない。
本実施形態における発熱体３０は、通電により発熱するものであり、発熱体３０は、媒質ガスを効率的に分解するために、発熱温度が１５５０〜２４００℃とされる。そのために、発熱体３０は、高融点金属として知られるＷ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｔａ（タンタル），Ｖ（バナジウム），Ｎｂ（ニオブ），Ｈｆ（ハフニウム）の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素を含む材料からなる。この材料としては、当該金属元素からなる純金属、合金又は金属の炭化物を選択でき、当該金属元素の中では、Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｔａの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素を含む材料が好ましい。
なお、本実施形態では、発熱体３０として通電により加熱されるものとしたが、媒質ガスＧを分解できる限り、本発明における発熱体の発熱方法は通電加熱に限定されるものではない。
［シース４０］
シース４０は、シース本体４１と、シース本体４１の内部に設けられる減圧室４３と、を備えるハウジングとして機能し、鉛直方向に沿うように上部チャンバ１５に立設、支持されている。前述したように、シース本体４１の下端部分は上部チャンバ１５を貫通する開口４２とされており、減圧室４３をガス供給管２０が昇降することで、ガス供給管２０が成膜室１１に対して挿抜する。このとき、シース本体４１は、ガス供給管２０の昇降移動をガイドする機能を果たす。
シース本体４１には、減圧室４３とシース本体４１の外部とを連通する排気管４５が設けられており、この排気管４５は、排気ポンプ４７と接続されている。セラミックス部材３５がシース４０の内壁面に押し付けられて両者は封止状態とされており、また、遮蔽弁１８が閉じられていることを前提として、排気ポンプ４７を動作させると、減圧室４３は減圧状態、好ましくは真空状態（例えば、
２×１０−２〜８×１０−２Ｔｏｒｒ程度）とされる。ガス供給管２０が退避位置Ｐ２にいるときには、ガス流路２３はシース４０の減圧室４３と連通しており、減圧室４３が減圧されると、ガス流路２３が減圧状態とされる。
シース４０は、シース本体４１と、シース本体４１の内部に設けられる減圧室４３と、を備えるハウジングとして機能し、鉛直方向に沿うように上部チャンバ１５に立設、支持されている。前述したように、シース本体４１の下端部分は上部チャンバ１５を貫通する開口４２とされており、減圧室４３をガス供給管２０が昇降することで、ガス供給管２０が成膜室１１に対して挿抜する。このとき、シース本体４１は、ガス供給管２０の昇降移動をガイドする機能を果たす。
シース本体４１には、減圧室４３とシース本体４１の外部とを連通する排気管４５が設けられており、この排気管４５は、排気ポンプ４７と接続されている。セラミックス部材３５がシース４０の内壁面に押し付けられて両者は封止状態とされており、また、遮蔽弁１８が閉じられていることを前提として、排気ポンプ４７を動作させると、減圧室４３は減圧状態、好ましくは真空状態（例えば、
２×１０−２〜８×１０−２Ｔｏｒｒ程度）とされる。ガス供給管２０が退避位置Ｐ２にいるときには、ガス流路２３はシース４０の減圧室４３と連通しており、減圧室４３が減圧されると、ガス流路２３が減圧状態とされる。
［成膜手順］
次に、成膜装置１００を用いて樹脂容器Ｐにバリア膜を形成する一連の手順の一例を、図３〜図７をも参照して説明する。
［給びん工程（図３（ａ），図７ Ｓ１０１）］
上工程で成形された樹脂容器Ｐが成膜装置１００に搬送されると、樹脂容器Ｐはグリッパ１７に把持される。
このときには、樹脂容器Ｐがグリッパ１７で把持される所定位置まで搬送できるように、下部チャンバ１３は上部チャンバ１５から十分に退避した位置で待機し、また、ガス供給管２０は、真空チャンバ１０から退避した退避位置Ｐ２に置かれている。また、遮蔽弁１８はシース４０の開口４２を閉じており、減圧室４３は排気管４５を除いて閉じた空間をなしている。
［真空チャンバ閉工程（図３（ｂ），図７ Ｓ１０３）］
次に、下部チャンバ１３を上昇させて上部チャンバ１５に組み付ける。これにより、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５の間に成膜室１１が形成され、処理対象である樹脂容器Ｐはこの成膜室１１に収容される。
このとき、ガス供給管２０及び遮蔽弁１８は、それぞれ従前の位置にとどまっている。
次に、成膜装置１００を用いて樹脂容器Ｐにバリア膜を形成する一連の手順の一例を、図３〜図７をも参照して説明する。
［給びん工程（図３（ａ），図７ Ｓ１０１）］
上工程で成形された樹脂容器Ｐが成膜装置１００に搬送されると、樹脂容器Ｐはグリッパ１７に把持される。
このときには、樹脂容器Ｐがグリッパ１７で把持される所定位置まで搬送できるように、下部チャンバ１３は上部チャンバ１５から十分に退避した位置で待機し、また、ガス供給管２０は、真空チャンバ１０から退避した退避位置Ｐ２に置かれている。また、遮蔽弁１８はシース４０の開口４２を閉じており、減圧室４３は排気管４５を除いて閉じた空間をなしている。
［真空チャンバ閉工程（図３（ｂ），図７ Ｓ１０３）］
次に、下部チャンバ１３を上昇させて上部チャンバ１５に組み付ける。これにより、下部チャンバ１３と上部チャンバ１５の間に成膜室１１が形成され、処理対象である樹脂容器Ｐはこの成膜室１１に収容される。
このとき、ガス供給管２０及び遮蔽弁１８は、それぞれ従前の位置にとどまっている。
［真空引き工程（図３（ｃ），図４（ａ），図４（ｂ），図７ Ｓ１０５〜Ｓ１０９）］
次に、排気ポンプ１９を動作させ、成膜室１１を真空状態にして、成膜に備える。
排気ポンプ１９の動作後に、それまで閉じていた遮蔽弁１８を開く（図４（ａ））。排気ポンプ１９は動作したままであり、成膜室１１に加えてシース４０の減圧室４３も排気（矢印Ｖ）される。
シース４０の内部も減圧排気されると、ガス供給管２０を下降させて成膜室１１に収容される樹脂容器Ｐの内部に挿入する。このときも、成膜室１１の内部が所望する真空度に達するまで、この状態で排気ポンプ１９による排気は続けられる。このときの真空度は、１０−１〜１０−５Ｔｏｒｒ程度である。
なお、シース４０の減圧室４３の内部の排気は、真空引き工程よりも前の給びん工程又は真空チャンバ閉工程において行ってもよい。このときの真空度は、上記した成膜室１１の真空度と同様に１０−１〜１０−５Ｔｏｒｒ程度とされる。
次に、排気ポンプ１９を動作させ、成膜室１１を真空状態にして、成膜に備える。
排気ポンプ１９の動作後に、それまで閉じていた遮蔽弁１８を開く（図４（ａ））。排気ポンプ１９は動作したままであり、成膜室１１に加えてシース４０の減圧室４３も排気（矢印Ｖ）される。
シース４０の内部も減圧排気されると、ガス供給管２０を下降させて成膜室１１に収容される樹脂容器Ｐの内部に挿入する。このときも、成膜室１１の内部が所望する真空度に達するまで、この状態で排気ポンプ１９による排気は続けられる。このときの真空度は、１０−１〜１０−５Ｔｏｒｒ程度である。
なお、シース４０の減圧室４３の内部の排気は、真空引き工程よりも前の給びん工程又は真空チャンバ閉工程において行ってもよい。このときの真空度は、上記した成膜室１１の真空度と同様に１０−１〜１０−５Ｔｏｒｒ程度とされる。
［成膜工程（図４（ｃ），図７ Ｓ１１１）］
成膜室１１が所望する真空度に達すると、電源３６から電力を供給して発熱体３０を発熱させる。一方、原料タンク２７から媒質ガスＧを、ガス供給管２０を介して１１に収容される樹脂容器Ｐの内部に吹き込む。吹き込まれた媒質ガスＧが発熱体３０に接触すると、媒質ガスＧが分解して化学種が生成され、樹脂容器Ｐの内表面に化学種を到達させることによってバリア膜が形成される。
発熱体３０に電力を供給することにより、成膜装置１００は待機時又は待機状態から成膜時又は成膜状態に移行する。
成膜室１１が所望する真空度に達すると、電源３６から電力を供給して発熱体３０を発熱させる。一方、原料タンク２７から媒質ガスＧを、ガス供給管２０を介して１１に収容される樹脂容器Ｐの内部に吹き込む。吹き込まれた媒質ガスＧが発熱体３０に接触すると、媒質ガスＧが分解して化学種が生成され、樹脂容器Ｐの内表面に化学種を到達させることによってバリア膜が形成される。
発熱体３０に電力を供給することにより、成膜装置１００は待機時又は待機状態から成膜時又は成膜状態に移行する。
［ガス供給管退避工程（図５（ａ），図７ Ｓ１１３）］
所定の量だけ媒質ガスＧを供給したならば、発熱体３０への電力の供給を止めるとともに、媒質ガスＧの供給を止めてから、ガス供給管２０を退避位置Ｐ２まで上昇させる。排気ポンプ１９の動作は継続される。
発熱体３０への電力の供給を止めることにより、成膜装置１００は成膜時又は成膜状態から待機時又は待機状態に移行する。
［遮蔽弁閉工程（図５（ｂ），図７ Ｓ１１５）］
ガス供給管２０の退避が完了したならば、遮蔽弁１８を閉じる。セラミックス部材３５とシース４０の内壁面は互いに封止されているので、シース４０の減圧室４３は排気管４５を除いて閉じた空間になる。この空間は、遮蔽弁１８を閉じる前まで排気されていたので、真空に近い状態にあるが、この真空状態を継続させるために、排気ポンプ４７を動作させる。
所定の量だけ媒質ガスＧを供給したならば、発熱体３０への電力の供給を止めるとともに、媒質ガスＧの供給を止めてから、ガス供給管２０を退避位置Ｐ２まで上昇させる。排気ポンプ１９の動作は継続される。
発熱体３０への電力の供給を止めることにより、成膜装置１００は成膜時又は成膜状態から待機時又は待機状態に移行する。
［遮蔽弁閉工程（図５（ｂ），図７ Ｓ１１５）］
ガス供給管２０の退避が完了したならば、遮蔽弁１８を閉じる。セラミックス部材３５とシース４０の内壁面は互いに封止されているので、シース４０の減圧室４３は排気管４５を除いて閉じた空間になる。この空間は、遮蔽弁１８を閉じる前まで排気されていたので、真空に近い状態にあるが、この真空状態を継続させるために、排気ポンプ４７を動作させる。
［チャンバ大気開放〜チャンバ開放（図５（ｃ），図６（ａ），図７ Ｓ１１７，Ｓ１１９）］
遮蔽弁１８を閉じたならば、真空チャンバ１０の成膜室１１を大気に開放（図５（ｃ）の矢印Ａ）し、次いで、下部チャンバ１３を退避位置まで下降させる。排気ポンプ４７は継続して動作される。
［排びん〜アイドル（図６（ｂ），（ｃ），図７ Ｓ１２１）］
バリア膜が形成された樹脂容器Ｐは、下工程に向けて適宜の搬送手段で移送され、成膜装置１００は、次の処理対象である樹脂容器Ｐが移送されてくるまで、待機状態となる。
遮蔽弁１８を閉じたならば、真空チャンバ１０の成膜室１１を大気に開放（図５（ｃ）の矢印Ａ）し、次いで、下部チャンバ１３を退避位置まで下降させる。排気ポンプ４７は継続して動作される。
［排びん〜アイドル（図６（ｂ），（ｃ），図７ Ｓ１２１）］
バリア膜が形成された樹脂容器Ｐは、下工程に向けて適宜の搬送手段で移送され、成膜装置１００は、次の処理対象である樹脂容器Ｐが移送されてくるまで、待機状態となる。
［作用及び効果］
次に、成膜装置１００は、成膜を行わない待機中に、ガス供給管２０がシース４０の減圧室４３に収容され、かつ、減圧室４３が真空に維持されているので、以下の効果を奏する。
はじめに、成膜に先立って行われる成膜室１１の真空引きに要する時間を短くすることができる。つまり、真空引きの際には、成膜室１１に収容されている樹脂容器Ｐに挿入されているガス供給管２０の内部に含まれるガス成分をも排気する必要がある。しかし、ガス供給管２０のガス流路２３は狭隘であるために、ここからガス成分を除去するには相当の時間を要する。ところが、待機中にガス流路２３が真空に維持されているために、ガス流路２３からの排気に要する時間がかからないか、かかったとしても最小限に抑えることができる。したがって、本実施形態によれば、バリア膜の形成に要する時間を短縮できる。
次に、成膜装置１００は、成膜を行わない待機中に、ガス供給管２０がシース４０の減圧室４３に収容され、かつ、減圧室４３が真空に維持されているので、以下の効果を奏する。
はじめに、成膜に先立って行われる成膜室１１の真空引きに要する時間を短くすることができる。つまり、真空引きの際には、成膜室１１に収容されている樹脂容器Ｐに挿入されているガス供給管２０の内部に含まれるガス成分をも排気する必要がある。しかし、ガス供給管２０のガス流路２３は狭隘であるために、ここからガス成分を除去するには相当の時間を要する。ところが、待機中にガス流路２３が真空に維持されているために、ガス流路２３からの排気に要する時間がかからないか、かかったとしても最小限に抑えることができる。したがって、本実施形態によれば、バリア膜の形成に要する時間を短縮できる。
次に、成膜装置１００によれば、ガス供給管２０のガス流路２３が閉塞するのを未然に防ぐことができる。
つまり、バリア膜を成膜した後に真空チャンバ１０を大気に開放すると、成膜時に発生してしまう、ガス供給管２０や真空チャンバ１０内に付着したバリア膜と同等の成分の表面から微小な剥離片であるパーティクルが生じ、ガス流路２３に侵入して閉塞し得る。また、媒質ガスＧが大気中の酸素や水分と反応して化合物を生成し得る場合には、この化合物が上記のパーティクルと同様に、ガス流路２３を閉塞させる要因となる。
ところが、成膜装置１００によれば、待機時にガス流路２３が真空排気されているので、パーティクル、化合物がガス流路２３に侵入しない。
以上の通りであり、成膜装置１００によれば、バリア膜の成膜位置Ｐ１に必要なガス供給管２０を健全な状態に維持することができる。したがって、成膜装置１００によれば、ガス供給管２０の閉塞に対するメンテナンスの頻度が低くなり、長期間に亘る連続運転を保障できる。
つまり、バリア膜を成膜した後に真空チャンバ１０を大気に開放すると、成膜時に発生してしまう、ガス供給管２０や真空チャンバ１０内に付着したバリア膜と同等の成分の表面から微小な剥離片であるパーティクルが生じ、ガス流路２３に侵入して閉塞し得る。また、媒質ガスＧが大気中の酸素や水分と反応して化合物を生成し得る場合には、この化合物が上記のパーティクルと同様に、ガス流路２３を閉塞させる要因となる。
ところが、成膜装置１００によれば、待機時にガス流路２３が真空排気されているので、パーティクル、化合物がガス流路２３に侵入しない。
以上の通りであり、成膜装置１００によれば、バリア膜の成膜位置Ｐ１に必要なガス供給管２０を健全な状態に維持することができる。したがって、成膜装置１００によれば、ガス供給管２０の閉塞に対するメンテナンスの頻度が低くなり、長期間に亘る連続運転を保障できる。
次に、成膜装置１００によれば、発熱体３０が窒素、酸素などと反応することによる破損を防ぐことができる。
発熱体３０は、バリア膜の成膜中に１０００℃を超える高温になるので、成膜を終えて通電を停止したとしても、相当の高温を維持してしまう。したがって、この高温状態の発熱体３０が大気に触れると、発熱体３０の表面近傍が大気中の主に窒素、酸素と反応して、本来の機能を失う破損の状態に到るおそれがある。
ところが、成膜装置１００によれば、成膜の後に、発熱体３０はガス供給管２０とともに真空排気されている減圧室４３に収容されるので、窒素、酸素などとの反応が抑制され、健全な状態に維持することができる。したがって、成膜装置１００によれば、発熱体３０に対するメンテナンスの頻度が低くなり、長期間に亘る連続運転を保障できる。
発熱体３０は、バリア膜の成膜中に１０００℃を超える高温になるので、成膜を終えて通電を停止したとしても、相当の高温を維持してしまう。したがって、この高温状態の発熱体３０が大気に触れると、発熱体３０の表面近傍が大気中の主に窒素、酸素と反応して、本来の機能を失う破損の状態に到るおそれがある。
ところが、成膜装置１００によれば、成膜の後に、発熱体３０はガス供給管２０とともに真空排気されている減圧室４３に収容されるので、窒素、酸素などとの反応が抑制され、健全な状態に維持することができる。したがって、成膜装置１００によれば、発熱体３０に対するメンテナンスの頻度が低くなり、長期間に亘る連続運転を保障できる。
次に、成膜装置１００によれば、ガス供給管２０のガス流路２３を減圧する手段として、減圧室４３を有するシース４０を設け、この減圧室４３と連通するガス流路２３を介して減圧室４３を減圧する。そして、このシース４０は位置が固定されているために、減圧を行うための機構を簡易なものにできる。しかも、シース４０は、ガス供給管２０の昇降移動を行うガイドとして機能するので、他にガス供給管２０をガイドする機構を設ける必要がない。さらに、減圧室４３は、ガス供給管２０が昇降移動するのに必要な最小限のスペースがあれば足りるので、ガス流路２３を減圧するのに必要な時間を抑えることができる。さらに、シース４０は、ガス供給管２０を収容するだけの最小の空間があれば足り、このためシース４０内の減圧室４３の減圧状態の維持が容易である。
また、成膜装置１００は、シース４０が真空チャンバ１０の上部チャンバ１５に取り付けられており、減圧室４３が成膜室１１に連通している。このように、成膜装置１００は、真空チャンバ１０にガス供給管２０が進退可能に収容されるシース４０が、配管を設けることなく直接的に接続されているので、装置の構成を簡易にかつコンパクトにできる。
［第２実施形態］
以上の実施形態はＣａｔ−ＣＶＤ法に本発明を適用した例を説明したが、本発明は他のＣＶＤ法、例えばプラズマＣＶＤ法によるバリア膜の形成にも適用できる。図８を参照して、このバリア膜の形成を実現できる成膜装置２００を説明する。ただし、図８において、成膜装置１００と同様の構成要素については、図１及び図２と同じ符号を付し、以下では、成膜装置１００との相違点を中心に成膜装置２００を説明する。
以上の実施形態はＣａｔ−ＣＶＤ法に本発明を適用した例を説明したが、本発明は他のＣＶＤ法、例えばプラズマＣＶＤ法によるバリア膜の形成にも適用できる。図８を参照して、このバリア膜の形成を実現できる成膜装置２００を説明する。ただし、図８において、成膜装置１００と同様の構成要素については、図１及び図２と同じ符号を付し、以下では、成膜装置１００との相違点を中心に成膜装置２００を説明する。
図８に示すように、成膜装置２００は、樹脂容器Ｐの外周を取り囲む大きさを有する外部電極５５と、媒質ガスＧを吹き出すためのガス流路５３が接続端５１と吐出孔５２の間に設けられた内部電極５０と、外部電極５５に電気的に接続された高周波電源５７と、外部電極５５を覆う真空チャンバ１０と、を備えている。なお、樹脂容器Ｐが挿入された時に少なくともその容器の口部、肩部などと外部電極５５の間に誘電体からなるスペーサを介在させたり、外部電極５５と上部チャンバ１５の間に絶縁部材を介在させたりすることができる。
内部電極５０は、ガス供給管２０と同様に、外部電極５５に収容される樹脂容器Ｐの内部に挿入される成膜位置Ｐ１と成膜を行わないときの退避位置Ｐ２との間を昇降可能とされている。内部電極５０は、やはりガス供給管２０と同様に、シース４０の減圧室４３に部分的に収容されながら、昇降する。
次に、成膜装置２００により樹脂容器Ｐの内周面に炭素膜を成膜する方法の概略について説明する。
まず、外部電極５５の内部に樹脂容器Ｐを挿入し、排気通路１６を介して真空チャンバ１０の内部のガスを排気する。規定の真空度に到達した後、排気を続けながら媒質ガスＧを内部電極５０に供給し、さらに内部電極５０のガス流路５３を通じて樹脂容器Ｐの内部に吹き出させる。なお、この媒質ガスＧとしては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素類、含窒素炭化水素類が用いられる。樹脂容器Ｐの内部の圧力は、ガス供給量と排気量のバランスによって設定される。その後、入力端子５６を介して高周波電源５７から高周波電力を外部電極５５に印加する。
まず、外部電極５５の内部に樹脂容器Ｐを挿入し、排気通路１６を介して真空チャンバ１０の内部のガスを排気する。規定の真空度に到達した後、排気を続けながら媒質ガスＧを内部電極５０に供給し、さらに内部電極５０のガス流路５３を通じて樹脂容器Ｐの内部に吹き出させる。なお、この媒質ガスＧとしては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、含酸素炭化水素類、含窒素炭化水素類が用いられる。樹脂容器Ｐの内部の圧力は、ガス供給量と排気量のバランスによって設定される。その後、入力端子５６を介して高周波電源５７から高周波電力を外部電極５５に印加する。
この高周波電力の外部電極５５への印加によって、外部電極５５と内部電極５０の間にプラズマが生成される。この時、樹脂容器Ｐは外部電極５５の内側にほぼ隙間無く収納されており、プラズマは樹脂容器Ｐの内部に発生する。媒質ガスＧは、プラズマによって解離、又は、さらにイオン化して、炭素膜を形成するための成膜種が生成され、この成膜種が樹脂容器Ｐの内周面に堆積し、炭素膜を形成する。炭素膜を所定の膜厚まで形成した後、高周波電力の印加を停止し、媒質ガスＧの供給を停止した後に、残留ガスの排気、窒素、希ガス、又は空気等を真空チャンバ１０（外部電極５５）内に供給し、この空間内を大気圧に戻す。この後、樹脂容器Ｐを外部電極５５から取り外す。
成膜装置２００は、成膜装置１００と同様に、成膜を行わない待機中に、ガス供給管２０がシース４０の減圧室４３に収容され、かつ、減圧室４３が真空に維持される。したがって、成膜装置２００は、第１実施形態の成膜装置１００と同様の効果を奏することができる。
［第３実施形態］
本発明をＣａｔ−ＣＶＤ法に適用する場合には、発熱体３０が劣化するのを防止することが重要である。つまり、成膜時には発熱体３０は２０００℃にも達する温度に加熱されるために、真空チャンバ１０の内部に空気（酸素、窒素及び水分を含む）が微量でも残留すると、発熱体３０が酸化あるいは窒化してしまい、以後の使用ができなくなるおそれがある。そこで、発熱体３０の酸化などによる劣化を防止するために、第３実施形態として以下に説明する第１の手法と第２の手法を提案する。
本発明をＣａｔ−ＣＶＤ法に適用する場合には、発熱体３０が劣化するのを防止することが重要である。つまり、成膜時には発熱体３０は２０００℃にも達する温度に加熱されるために、真空チャンバ１０の内部に空気（酸素、窒素及び水分を含む）が微量でも残留すると、発熱体３０が酸化あるいは窒化してしまい、以後の使用ができなくなるおそれがある。そこで、発熱体３０の酸化などによる劣化を防止するために、第３実施形態として以下に説明する第１の手法と第２の手法を提案する。
［第１の手法］
第１の手法は、成膜工程に先立つ待機時に、予めシース４０の内部を、成膜に対して安定なガスで満たしておく。このときのシース４０の内部の減圧室４３の圧力をＰ４０とし、真空チャンバ１０の内部の圧力をＰ１０とすると、Ｐ４０をＰ１０よりも大きく（Ｐ４０＞Ｐ１０）する。ただし、圧力Ｐ４０の減圧室４３は、大気圧よりも低い減圧状態にあることには変わりがない。
第１の手法は、成膜工程に先立つ待機時に、予めシース４０の内部を、成膜に対して安定なガスで満たしておく。このときのシース４０の内部の減圧室４３の圧力をＰ４０とし、真空チャンバ１０の内部の圧力をＰ１０とすると、Ｐ４０をＰ１０よりも大きく（Ｐ４０＞Ｐ１０）する。ただし、圧力Ｐ４０の減圧室４３は、大気圧よりも低い減圧状態にあることには変わりがない。
図９に示すように、成膜装置３００には、シース本体４１に、減圧室４３とシース本体４１の外部とを連通する給気管４６が設けられており、この給気管４６には、開閉弁４８を介してガスタンク４９が接続されている。給気管４６、開閉弁４８及びガスタンク４９により、第１ガス供給源が構成される。ガスタンク４９には成膜に対して安定なガスが貯えられており、開閉弁４８を開くことにより、成膜に対して安定なガスを供給し、ガス流路２３の内部を含めシース４０の内部である減圧室４３を成膜に対して安定なガスを貯めおき、その後、成膜室１１に安定なガスを導入することができる。ここでいう、成膜に対して安定なガスとは、成膜時に媒質ガスＧによる成膜に関する反応以外の反応を引き起こす恐れのないガスを意味し、最も典型的には媒質ガスＧが該当する。媒質ガスＧの他には、希ガスが該当する。なお、希ガスとは、周期表の１８族に属する元素の中で、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ａｒ（アルゴン）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）及びＲｎ（ラドン）をいう。
第１の手段において、成膜装置３００を用いてバリア膜を成膜する基本的な手順は第１実施形態と同様であり、以下では、第１実施形態との相違点を中心にして説明する。
第１の手段は、成膜工程（図４（ｃ），図７ Ｓ１１１）が行われる前に、排気ポンプ４７を動作させてシース４０の減圧室４３を減圧排気し、排気ポンプ４７の動作を停止してから、開閉弁４８を開いて減圧室４３に成膜に対して安定なガスを導入する。成膜に対して安定なガスの導入は、前述したように、減圧室４３の圧力Ｐ４０が真空チャンバ１０の内部の圧力Ｐ１０よりも大きくになるように行われる。
減圧室４３の減圧排気、減圧室４３への成膜に対して安定なガスの導入は、給びん工程（図３（ａ），図７ Ｓ１０１）、真空チャンバ閉工程（図３（ｂ），図７ Ｓ１０３）、真空引き工程（図３（ｃ），図４（ａ），図４（ｂ），図７ Ｓ１０５〜Ｓ１０９）のいずれで行ってもよい。
第１の手段は、成膜工程（図４（ｃ），図７ Ｓ１１１）が行われる前に、排気ポンプ４７を動作させてシース４０の減圧室４３を減圧排気し、排気ポンプ４７の動作を停止してから、開閉弁４８を開いて減圧室４３に成膜に対して安定なガスを導入する。成膜に対して安定なガスの導入は、前述したように、減圧室４３の圧力Ｐ４０が真空チャンバ１０の内部の圧力Ｐ１０よりも大きくになるように行われる。
減圧室４３の減圧排気、減圧室４３への成膜に対して安定なガスの導入は、給びん工程（図３（ａ），図７ Ｓ１０１）、真空チャンバ閉工程（図３（ｂ），図７ Ｓ１０３）、真空引き工程（図３（ｃ），図４（ａ），図４（ｂ），図７ Ｓ１０５〜Ｓ１０９）のいずれで行ってもよい。
圧力Ｐ４０＞圧力Ｐ１０の状態が得られたら、それまで閉じていた遮蔽弁１８を開く（図４（ａ））。これは、第１実施形態の真空引き工程に属する操作であり、排気ポンプ１９も第１実施形態と同様に動作したままとする。そうすると、真空チャンバ１０の成膜室１１は減圧排気されながら、シース４０の減圧室４３から成膜に対して安定なガスが成膜室１１に導入される。成膜室１１の内部が所望する真空度に達するまで排気ポンプ１９による排気を続けると、成膜室１１に残存していた空気は、導入された成膜に対して安定なガスにより成膜室１１から掃気される。
以後は、第１実施形態で説明した成膜工程、ガス供給管退避工程、遮蔽弁閉工程、チャンバ大気開放〜チャンバ開放、排びん〜アイドルが順に行われる。
以後は、第１実施形態で説明した成膜工程、ガス供給管退避工程、遮蔽弁閉工程、チャンバ大気開放〜チャンバ開放、排びん〜アイドルが順に行われる。
［第２の手法］
次に、図１０に示す成膜装置４００を用いる第２の手法を説明する。
第２の手法、成膜工程に先立つ待機時に、成膜に対して安定なガスを用いて成膜室１１の内部に残留する空気を掃気する点では第１の手法と同じであるが、成膜に対して安定なガスを成膜室１１に供給する手段を備える。つまり、成膜装置４００は、図１０に示すように、真空チャンバ１０に、成膜室１１の内外を連通する給気管６１が設けられており、この給気管６１には、開閉弁６２を介してガスタンク６３が接続されている。給気管６１、開閉弁６２及びガスタンク６３により、第２ガス供給源が構成される。ガスタンク６３には、ガスタンク４９と同様に成膜に対して安定なガスが貯えられており、開閉弁６２を開くことにより、成膜に対して安定なガスを供給し、成膜室１１を成膜に対して安定なガスで満たすことができる。なお、給気管６１の先端は、樹脂容器Ｐの内部に向くように折り曲げてもよい。
次に、図１０に示す成膜装置４００を用いる第２の手法を説明する。
第２の手法、成膜工程に先立つ待機時に、成膜に対して安定なガスを用いて成膜室１１の内部に残留する空気を掃気する点では第１の手法と同じであるが、成膜に対して安定なガスを成膜室１１に供給する手段を備える。つまり、成膜装置４００は、図１０に示すように、真空チャンバ１０に、成膜室１１の内外を連通する給気管６１が設けられており、この給気管６１には、開閉弁６２を介してガスタンク６３が接続されている。給気管６１、開閉弁６２及びガスタンク６３により、第２ガス供給源が構成される。ガスタンク６３には、ガスタンク４９と同様に成膜に対して安定なガスが貯えられており、開閉弁６２を開くことにより、成膜に対して安定なガスを供給し、成膜室１１を成膜に対して安定なガスで満たすことができる。なお、給気管６１の先端は、樹脂容器Ｐの内部に向くように折り曲げてもよい。
第２の手法において、成膜装置４００を用いてバリア膜を成膜する基本的な手順は第１実施形態と同様であり、以下では、第１実施形態との相違点を中心にして説明する。
第２の手法は、給びん工程から真空引き工程までは第１実施形態と同様の手順が行われる。ただし、真空引き工程の途中、つまり排気ポンプ１９を動作させている最中に、開閉弁６２を開いて成膜室１１に成膜に対して安定なガスを導入する。
必要な量だけ成膜に対して安定なガスを導入したならば、それまで閉じていた遮蔽弁１８を開く。成膜室１１の内部が所望する真空度に達するまで排気ポンプ１９による排気を続けると、成膜室１１に残存していた空気は、導入された成膜に対して安定なガスにより成膜室１１から掃気される。
以後は、第１実施形態で説明した成膜工程、ガス供給管退避工程、遮蔽弁閉工程、チャンバ大気開放〜チャンバ開放の工程、排びん〜アイドルの工程が順に行われる。
第２の手法は、給びん工程から真空引き工程までは第１実施形態と同様の手順が行われる。ただし、真空引き工程の途中、つまり排気ポンプ１９を動作させている最中に、開閉弁６２を開いて成膜室１１に成膜に対して安定なガスを導入する。
必要な量だけ成膜に対して安定なガスを導入したならば、それまで閉じていた遮蔽弁１８を開く。成膜室１１の内部が所望する真空度に達するまで排気ポンプ１９による排気を続けると、成膜室１１に残存していた空気は、導入された成膜に対して安定なガスにより成膜室１１から掃気される。
以後は、第１実施形態で説明した成膜工程、ガス供給管退避工程、遮蔽弁閉工程、チャンバ大気開放〜チャンバ開放の工程、排びん〜アイドルの工程が順に行われる。
以上説明したように、成膜に対して安定なガスを成膜室１１に導入し、かつ、成膜室１１を真空引きして、成膜室１１に残存する空気を掃気することにより、成膜工程の間に発熱体３０が酸化あるいは窒化するのを防止することができる。一方で、成膜に対して安定なガスが成膜室１１に残存していたとしても、発熱体３０を劣化させる恐れがない。
以上、本発明の好適な形態を説明したが、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることができる。
本実施形態は、ガス供給管２０のガス流路２３を減圧し、好ましくは真空にするために、シース４０を設けたが、ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時に、成膜室１１から退避するとともに、ガス流路２３が減圧状態に維持されるのであれば、具体的な手段は任意である。例えば、シース４０を設けることなく、ガス供給管２０の吐出孔２２を閉じる一方、接続端２１に排気ポンプを接続して減圧排気することができる。
また、以上の第１実施形態では、発熱体３０への電力の供給を止めると、ガス供給管退避工程において、ガス供給管２０への媒質ガスＧの供給も止めているが、本発明は、成膜を終えた後の待機時に、媒質ガスＧの供給を継続することができる。この媒質ガスＧの供給は、遮蔽弁１８を閉じるまでの所定期間だけ行われる。これにより、媒質ガスＧがガス供給管２０を介して成膜室１１に供給されるので、成膜室１１及び減圧室４３の内部の空気の残存を排除しながら、発熱体３０を冷却することができる。
発熱体３０への電力の供給を止めた後でも発熱体３０は高温域にあるので、媒質ガスＧにより発熱体３０を冷却することにより、成膜室１１に残存するおそれのある酸素、水蒸気などとの反応を防止する。
遮蔽弁１８を閉じて媒質ガスＧの供給を止めた後は、排気ポンプ４７を動作させて減圧室４３を減圧排気するのがよい。
発熱体３０への電力の供給を止めた後でも発熱体３０は高温域にあるので、媒質ガスＧにより発熱体３０を冷却することにより、成膜室１１に残存するおそれのある酸素、水蒸気などとの反応を防止する。
遮蔽弁１８を閉じて媒質ガスＧの供給を止めた後は、排気ポンプ４７を動作させて減圧室４３を減圧排気するのがよい。
また、以上の実施形態では成膜室１１と減圧室４３を仕切るのにスライド式の遮蔽弁１８を用いた例を示したが、図１１に示すように、閉位置Ｃと開位置Ｏの間を揺動運動する遮蔽弁２８を用いることができる。
遮蔽弁２８は、真空チャンバ１０の内部だけで開閉動作をするので、遮蔽弁１８が真空チャンバ１０の外部に突き出るのに比べて、を用いるのに比べて、成膜装置をコンパクトにできる。
遮蔽弁２８は、真空チャンバ１０の内部だけで開閉動作をするので、遮蔽弁１８が真空チャンバ１０の外部に突き出るのに比べて、を用いるのに比べて、成膜装置をコンパクトにできる。
また、以上の実施形態では、ガス供給管２０が昇降移動するのに必要な最小限のスペースに留めているシース４０を説明したが、本発明はこれに限定されず、ガス供給管２０に対して余裕を有するハウジングとしてもよい。ただし、減圧室４３は、必要以上に広くなると、減圧排気するのに時間を要してしまうので、できる限り容積を小さくすることが好ましい。成膜される樹脂容器Ｐのサイズによって異なるが、減圧室４３は成膜室１１と容積が同等であるか又は小さくするのが好ましい。
また例えば、本発明におけるに用いる樹脂容器Ｐを構成する樹脂は任意であり、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、シクロオレフィンコポリマー樹脂（ＣＯＣ、環状オレフィン共重合）などが掲げられる。
また、本発明における容器の用途は任意であり、例えば、水、茶飲料、清涼飲料、炭酸飲料又は果汁飲料などの飲料、液体、粘体、粉末又は固体状の食品などを収容する容器に広く適用することができる。
また、バリア膜の材質も任意であり、媒質ガスＧを用いてＣＶＤ法により成膜し得る物質、典型的には炭素膜、シリカ膜、アルミナ膜などの種々の材質を適用できる。
炭素膜として、具体的には非晶質カーボン膜があり、これは、ダイヤモンド成分（炭素原子の結合がＳＰ３結合）とグラファイト成分（炭素原子の結合がＳＰ２結合）、ポリマー成分（炭素原子の結合がＳＰ１結合）が混在した非晶質状の構造を有する炭素膜のことである。非晶質カーボン膜は、それぞれの炭素原子の結合成分の存在比率の変化により硬度が変化し、硬質の炭素膜及び軟質の炭素膜を含むものをいう。また、水素が含まれる水素化非晶質カーボンも含まれる。さらに、硬質の炭素膜には、ＳＰ３結合を主体にした非晶質なＤＬＣ膜も含まれる。
この場合の媒質ガスＧとしては、
また、他のバリア膜としては、ＳｉＯｘ膜、ＡｌＯｘ膜、水素含有ＳｉＮｘ膜、水素含有ＤＬＣ膜、水素含有ＳｉＯｘ膜、水素含有ＳｉＣｘＮｙ膜などを用いることができる。
炭素膜として、具体的には非晶質カーボン膜があり、これは、ダイヤモンド成分（炭素原子の結合がＳＰ３結合）とグラファイト成分（炭素原子の結合がＳＰ２結合）、ポリマー成分（炭素原子の結合がＳＰ１結合）が混在した非晶質状の構造を有する炭素膜のことである。非晶質カーボン膜は、それぞれの炭素原子の結合成分の存在比率の変化により硬度が変化し、硬質の炭素膜及び軟質の炭素膜を含むものをいう。また、水素が含まれる水素化非晶質カーボンも含まれる。さらに、硬質の炭素膜には、ＳＰ３結合を主体にした非晶質なＤＬＣ膜も含まれる。
この場合の媒質ガスＧとしては、
また、他のバリア膜としては、ＳｉＯｘ膜、ＡｌＯｘ膜、水素含有ＳｉＮｘ膜、水素含有ＤＬＣ膜、水素含有ＳｉＯｘ膜、水素含有ＳｉＣｘＮｙ膜などを用いることができる。
１００，２００，３００，４００ 成膜装置
１０ 真空チャンバ
１１ 成膜室
１３ 下部チャンバ
１４ 出入口
１５ 上部チャンバ
１６ 排気通路
１７ グリッパ
１８ 遮蔽弁
１９ 排気ポンプ
２０ ガス供給管
２１ 接続端
２２ 吐出孔
２３ ガス流路
２５ 主領域
２６ 副領域
２７ 原料タンク
２８ 遮蔽弁
３０ 発熱体
３３ リード線
３５ セラミックス部材
３６ 電源
４０ シース
４１ シース本体
４２ 開口
４３ 減圧室
４５ 排気管
４６ 給気管
４７ 排気ポンプ
４８ 開閉弁
４９ ガスタンク
５０ 内部電極
５１ 接続端
５２ 吐出孔
５３ ガス流路
５５ 外部電極
５６ 入力端子
５７ 高周波電源
６１ 給気管
６２ 開閉弁
６３ ガスタンク
Ｐ 樹脂容器
１０ 真空チャンバ
１１ 成膜室
１３ 下部チャンバ
１４ 出入口
１５ 上部チャンバ
１６ 排気通路
１７ グリッパ
１８ 遮蔽弁
１９ 排気ポンプ
２０ ガス供給管
２１ 接続端
２２ 吐出孔
２３ ガス流路
２５ 主領域
２６ 副領域
２７ 原料タンク
２８ 遮蔽弁
３０ 発熱体
３３ リード線
３５ セラミックス部材
３６ 電源
４０ シース
４１ シース本体
４２ 開口
４３ 減圧室
４５ 排気管
４６ 給気管
４７ 排気ポンプ
４８ 開閉弁
４９ ガスタンク
５０ 内部電極
５１ 接続端
５２ 吐出孔
５３ ガス流路
５５ 外部電極
５６ 入力端子
５７ 高周波電源
６１ 給気管
６２ 開閉弁
６３ ガスタンク
Ｐ 樹脂容器
Claims (13)
- ガスバリア性膜が形成される容器を収容する成膜室を有し、前記ガスバリア性膜の成膜時に前記成膜室が真空状態とされるチャンバと、
前記ガスバリア性膜を成膜するのに用いられる媒質ガスを前記容器の内部に導くガス流路を有し、その軸線方向に沿って昇降移動するガス供給管と、
前記ガス供給管に支持される発熱体と、を備え、
前記ガス供給管は、
前記ガスバリア性膜の成膜時に、前記成膜室に収容される前記容器に挿入され、前記ガス流路を介して前記媒質ガスを供給し、
前記ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時に、前記成膜室から退避するとともに、前記ガス流路が減圧状態に維持され、
前記発熱体は前記ガス供給管の挿抜に追従して、前記容器への挿抜が行われ、
前記ガスバリア性膜の成膜を終えた後の前記待機時に、
所定の期間だけ継続して、前記媒質ガスが前記ガス供給管を介して前記成膜室に供給される、ことを特徴とする成膜装置。 - ガスバリア性膜が形成される容器を収容する成膜室を有し、前記ガスバリア性膜の成膜時に前記成膜室が真空状態とされるチャンバと、
前記ガスバリア性膜を成膜するのに用いられる媒質ガスを前記容器の内部に導くガス流路を有し、その軸線方向に沿って昇降移動するガス供給管と、
前記ガス供給管に支持される発熱体と、
前記ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時において前記ガス供給管の前記ガス流路と連通する減圧室と、
前記減圧室に前記ガスバリア性膜の成膜に対して安定なガスを供給する第１ガス供給源と、を備え、
前記ガス供給管は、
前記ガスバリア性膜の成膜時に、前記成膜室に収容される前記容器に挿入され、前記ガス流路を介して前記媒質ガスを供給し、
前記ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時に、前記成膜室から退避するとともに、前記ガス流路が減圧状態に維持され、
前記発熱体は前記ガス供給管の挿抜に追従して、前記容器への挿抜が行われ、
前記ガスバリア性膜の成膜に先立つ前記待機時に、前記第１ガス供給源から前記減圧室に前記安定なガスを供給して貯めおいた後に、前記安定なガスを前記減圧室から前記成膜室に導入する、
ことを特徴とする成膜装置。 - ガスバリア性膜が形成される容器を収容する成膜室を有し、前記ガスバリア性膜の成膜時に前記成膜室が真空状態とされるチャンバと、
前記ガスバリア性膜を成膜するのに用いられる媒質ガスを前記容器の内部に導くガス流路を有し、その軸線方向に沿って昇降移動するガス供給管と、を備え、
前記ガス供給管は、
前記ガスバリア性膜の成膜時に、前記成膜室に収容される前記容器に挿入され、前記ガス流路を介して前記媒質ガスを供給し、
前記ガスバリア性膜の成膜を行わない待機時に、前記成膜室から退避するとともに、前記ガス流路が減圧状態に維持され、
前記成膜室に配置され、前記容器を収容する外部電極と、
前記外部電極に収容された前記容器に対して挿抜され、前記媒質ガスを前記容器の内部に導く内部電極と、を備え、
前記内部電極が、前記ガス供給管を構成する、
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記待機時において前記ガス供給管の前記ガス流路と連通する減圧室を備え、
前記減圧室を減圧することにより、前記ガス流路が減圧状態に維持される、
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記ガス供給管が昇降移動する前記減圧室を有し、前記チャンバに支持されるハウジングを備え、
前記ガス供給管は、前記チャンバを貫通して前記容器に対して挿抜される、
請求項４に記載の成膜装置。 - 前記ガス供給管が前記成膜室から退避すると、前記成膜室と前記減圧室の連通を閉じる遮蔽弁を備える、
請求項５に記載の成膜装置。 - 前記成膜室に前記ガスバリア性膜の成膜に対して安定なガスを供給する第２ガス供給源を備え、
前記ガスバリア性膜の成膜に先立つ前記待機時に、前記第２ガス供給源から前記成膜室に前記安定なガスを供給する、
請求項１に記載の成膜装置。 - ガスバリア性膜が形成される容器を真空状態とされた成膜室に収容し、前記ガスバリア性膜を成膜するのに用いられる媒質ガスを前記容器の内部に導いて前記ガスバリア性膜を成膜する方法であって、
前記媒質ガスを前記容器の内部に導くガス流路を有し、その軸線方向に沿って昇降移動するガス供給管を前記成膜室に収容される前記容器に挿入して、前記ガス流路を介して前記媒質ガスを供給する成膜状態と、
前記ガス供給管を前記成膜室から退避させるとともに、前記ガス流路を減圧状態に維持する待機状態と、を備え、
前記ガス供給管に支持される発熱体を備え、
前記発熱体は前記ガス供給管の挿抜に追従して、前記容器への挿抜が行われ、
前記ガスバリア性膜の成膜を終えた後の待機時に、
所定の期間だけ継続して、前記媒質ガスが前記ガス供給管を介して前記成膜室に供給されることを特徴とする成膜方法。 - ガスバリア性膜が形成される容器を真空状態とされた成膜室に収容し、前記ガスバリア性膜を成膜するのに用いられる媒質ガスを前記容器の内部に導いて前記ガスバリア性膜を成膜する方法であって、
前記媒質ガスを前記容器の内部に導くガス流路を有し、その軸線方向に沿って昇降移動するガス供給管を前記成膜室に収容される前記容器に挿入して、前記ガス流路を介して前記媒質ガスを供給する成膜状態と、
前記ガス供給管を前記成膜室から退避させるとともに、前記ガス流路を減圧状態に維持する待機状態と、を備え、
前記成膜室に配置され、前記容器を収容する外部電極と、
前記外部電極に収容された前記容器に対して挿抜され、前記媒質ガスを前記容器の内部に導く内部電極と、を備え、
前記内部電極が、前記ガス供給管を構成することを特徴とする成膜方法。 - 前記待機状態において前記ガス供給管の前記ガス流路と連通する減圧室を減圧することにより、前記ガス流路を減圧状態に維持する、
請求項８または請求項９に記載の成膜方法。 - 前記ガス供給管が昇降移動する前記減圧室を有するハウジングを備え、
前記ガス供給管は、前記成膜室を囲うチャンバを貫通して前記容器に対して挿抜される、
請求項１０に記載の成膜方法。 - 前記ガス供給管が前記成膜室から退避すると、前記成膜室と前記減圧室の連通を閉じる、
請求項１１に記載の成膜方法。 - 前記ガスバリア性膜の成膜に先立つ待機時に、前記成膜室に前記ガスバリア性膜の成膜に対して安定なガスを供給する、
請求項８に記載の成膜方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015130508 | 2015-06-30 | ||
| JP2015130508 | 2015-06-30 | ||
| PCT/JP2015/004983 WO2017002151A1 (ja) | 2015-06-30 | 2015-09-30 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2017002151A1 JPWO2017002151A1 (ja) | 2017-11-24 |
| JP6578001B2 true JP6578001B2 (ja) | 2019-09-18 |
Family
ID=57608427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017525690A Active JP6578001B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-09-30 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3318658B1 (ja) |
| JP (1) | JP6578001B2 (ja) |
| WO (1) | WO2017002151A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102018132609A1 (de) * | 2018-12-18 | 2020-06-18 | Krones Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten von Behältnissen |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565248A (en) * | 1994-02-09 | 1996-10-15 | The Coca-Cola Company | Method and apparatus for coating hollow containers through plasma-assisted deposition of an inorganic substance |
| JP2005076082A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Mitsubishi Shoji Plast Kk | Ｃｖｄ成膜装置及び内部電極の清掃方法 |
| KR101319809B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2013-10-17 | 기린비루 가부시키가이샤 | 가스 배리어성 플라스틱 용기의 제조 장치, 그 용기의 제조방법 및 그 용기 |
| BR112014015773A8 (pt) * | 2011-12-27 | 2017-07-04 | Kirin Brewery | aparelho para a formação de película fina |
| JP2013133494A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Kirin Brewery Co Ltd | 薄膜の原料ガス供給機構 |
-
2015
- 2015-09-30 WO PCT/JP2015/004983 patent/WO2017002151A1/ja active Application Filing
- 2015-09-30 EP EP15897078.0A patent/EP3318658B1/en active Active
- 2015-09-30 JP JP2017525690A patent/JP6578001B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3318658A4 (en) | 2019-03-27 |
| EP3318658B1 (en) | 2022-01-05 |
| JPWO2017002151A1 (ja) | 2017-11-24 |
| WO2017002151A1 (ja) | 2017-01-05 |
| EP3318658A1 (en) | 2018-05-09 |
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