CN103996629A - 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺 - Google Patents
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103996629A CN103996629A CN201410260088.0A CN201410260088A CN103996629A CN 103996629 A CN103996629 A CN 103996629A CN 201410260088 A CN201410260088 A CN 201410260088A CN 103996629 A CN103996629 A CN 103996629A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- barrier layer
- electronic device
- thin film
- flexible semiconductor
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 title abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 96
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 81
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 137
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 claims description 27
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004049 embossing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 12
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001486 SU-8 photoresist Polymers 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 1
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Packages (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠置而成；每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层上表面。有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式或者添加颗粒物形成表面凹凸不平的形貌结构。有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构。本发明制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制备技术领域，特别是涉及一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺。
背景技术
为了达到良好的水氧绝缘效果，柔性半导体薄膜电子器件制备完成后还需要进行封装。现有技术中，对柔性半导体薄膜电子器件的封装技术，通常是采用多种材料层层堆叠，利用不同材料的优点，达到水氧隔绝效果。
目前使用较多的材料体系主要为由无机薄膜和有机薄膜叠层而成的无机/有机杂化多层薄膜。无机/有机杂化多层薄膜结构中，无机薄膜具有良好的水氧隔绝效果，在多层薄膜中起到主要的隔绝作用。但是由于无机薄膜沉积方法的限制，在这些薄膜中常常会出现针孔状或由颗粒物所引入的缺陷。这些缺陷会成为水氧分子的扩散通道。因此，人们引入有机薄膜用于填补或修复无机薄膜中的缺陷，进而获得具有良好阻隔效果的封装薄膜。但是，由于有机薄膜水氧阻隔性性能较差，实际中往往需要多个无机/有机薄膜的重复结构才能满足水氧阻隔要求。不仅导致这种薄膜封装层结构复杂，制作成本上升。更为严重的是，由于封装层薄膜厚度的增加会导致成品柔性器件抗弯折性能劣化，影响器件性能。
因此，针对现有技术不足，提供一种水氧绝缘性能优良、制备工艺简单且不影响成品柔性器件性能的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺以克服现有技术不足甚为必要。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，具有制备工艺简单、封装层的水氧绝缘性能优良且不影响成品柔性器件性能特点。
本发明的上述目的通过如下技术手段实现。
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成；
每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层表面。
优选的，上述水氧阻隔层由两组的水氧阻隔单元叠设而成。
上述有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。
上述有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式形成表面凹凸不平的形貌结构。
上述有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构。
优选的，上述有机阻隔层的材料为光刻胶，所述有机阻隔层通过旋涂法或者丝网印刷法或者真空热蒸发法或者化学气相沉积法制备而成，所述有机阻隔层的厚度为200 nm~10000 nm。
另一优选的，上述柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺中，是将光刻胶中掺杂无机物颗粒作为原料制备有机阻隔层，有机阻隔层表面具有因部分无机物颗粒而鼓气的凸起。
上述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为1~10um，无机物颗粒的掺入量为0.01~10um，无机物颗粒的掺入量为0.01g/mL~5g/mL。
进一步的，上述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为2~5um，无机物颗粒的掺入量为0.2g/mL。
上述无机阻隔层的材料为Al2O3或者Si3N4或者SiO2或者TiO2或者ZrO2中的任意一种或一种以上的混合物，所述无机阻隔层通过薄膜沉积法或者原子层沉积法或者化学气相沉积法或者物理气相沉积法制备而成，所述无机阻隔层的厚度为10nm~1000 nm。
以上的，还设置有基础层制备工序，即在待封装的柔性半导体薄膜电子器件表面制备基础层，所述水氧阻隔层制备于所述基础层上。
本发明的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层为一组或者一组以上的水氧阻隔单元叠置而成；每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层上表面。本发明通过在有机阻隔层表面制备凹凸不平的形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。
附图说明
利用附图对本发明作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。
图1是本发明一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例4的示意图；
图2是本发明一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例5的示意图；
图3是本发明一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例6的示意图；
图4是本发明一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺实施例7的示意图。
在图1至图4中，包括：
基础层100、
水氧阻隔层200、
第一个水氧阻隔单元210、
第一个水氧阻隔单元的有机阻隔层211、
第一个水氧阻隔单元的无机阻隔层212、
第二个水氧阻隔单元220、
第二个水氧阻隔单元的有机阻隔层221、
第二个水氧阻隔单元的无机阻隔层222、
SiO2颗粒300。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步描述。
实施例1。
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，含有制备水氧阻隔层工序，该水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成，优选为两层。
每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，无机阻隔层设置于有机阻隔层上表面。
由于有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，无机阻隔层与有机阻隔层构成的水氧阻隔单元能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。具有良好的水氧阻隔性能，可以根据需要设置一组或者最多两组水氧阻隔层即可达到水氧隔绝作用。因此，便于获得较薄的器件厚度。
有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构可以为规则的图案或者不规则的图案。图案可以为多个重复的矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构，也可以为其它形状。
有机阻隔层的材料为光刻胶，如SU-8或者UV光刻胶或者其它光刻胶。有机阻隔层的厚度为200 nm~10000 nm，可通过旋涂法或者丝网印刷法或者真空热蒸发法或者化学气相沉积法制备而成，有机阻隔层可以通过光刻的方式或者通过物理压印的方式形成表面凹凸不平的形貌结构。
无机阻隔层的材料可为Al2O3或者Si3N4或者SiO2或者TiO2或者ZrO2中的任意一种，无机阻隔层的厚度为10nm~1000 nm，可通过薄膜沉积法或者原子层沉积法或者化学气相沉积法或者物理气相沉积法制备而成。
本发明通过在有机阻隔层表面制备凹凸不平的形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。、
实施例2。
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其它特征与实施例1相同，不同之处在于：通过将光刻胶中掺杂无机物颗粒作为原料制备有机阻隔层，有机阻隔层表面具有因部分无机物颗粒而鼓气的凸起。
其中，光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为0.01~10um，无机物颗粒的掺入量为0.01g/mL~5g/mL。优选，光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为2~5um，无机物颗粒的掺入量为0.2g/mL。
本发明通过掺杂无机物颗粒以在有机阻隔层表面形成凸起，实现有机阻隔层表面形成凹凸不平的形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。
实施例3。
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其它特征与实施例1或2相同，不同之处在于：还设置有基础层制备工序，即在待封装的柔性半导体薄膜电子器件表面制备基础层，再将水氧阻隔层制备于该基础层上。
基础层的材料可以为Al2O3或者Si3N4或者SiO2等无机材料，厚度通常为20~200nm。基础层与待封装器件具有良好的贴合性能，可使水氧阻隔层稳定地制备于基础层上。
实施例4。
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括如下步骤：
首先在待封装的半导体薄膜电子器件上，使用原子层沉积设备（简称ALD）制作厚度为30 nm的Al2O3无机薄膜作为基础层100。
再在基础层100之上使用旋涂法制备一层厚度为2um的SU-8光刻胶作为有机阻隔层211。然后使用光刻法将该有机阻隔层211图形化，在其表面形成矩形凹凸的形貌结构。接下来再使用ALD设备在有机阻隔层211的表面制作20 nm的Al2O3薄膜，作为无机阻隔层212。如图1所示，有机阻隔层211与无机阻隔层212构成一个水氧阻隔单元210。
接下来，使用相同的工艺条件，重复制作第二个水氧阻隔单元220，依次制作第二个水氧阻隔单元220的有机阻隔层211、无机阻隔层212，完成柔性半导体薄膜电子器件的封装。
通过该工艺封装的柔性半导体薄膜电子器件的水氧阻隔层200薄膜的正向水氧阻隔性能达到10-4 g/m2/day、侧向阻隔性小于10-6 g/m2/day。
本发明通过在有机阻隔层211表面制备凹凸不平的形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。
实施例5。
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，包括如下步骤：
首先在待封装的柔性薄膜器件上，使用物理气相沉积设备（简称PVD）制作厚度为200 nm的SiO2无机薄膜作为基础层100。
再在基础层100之上使用丝网印刷法制备一层1um厚的聚二甲基硅氧烷（简称PDMS）光刻胶作为有机阻隔层211。然后使用纳米压印技术，将锯齿图形转移到有机阻隔层211上。接下来再使用等离子体化学气相沉积设备（PECVD）在有机阻隔层211的表面制作200 nm的Si3N4薄膜作为无机阻隔层212。如图2所示，有机阻隔层211与无机阻隔层212构成一个水氧阻隔单元210。
接下来，使用相同的工艺条件，重复制作第二个水氧阻隔单元220，依次制作第二个水氧阻隔单元220的有机阻隔层221、无机阻隔层222，完成柔性半导体薄膜电子器件的封装。
通过该工艺封装的柔性半导体薄膜电子器件的水氧阻隔层200薄膜的正向水氧阻隔性能达到10-4 g/m2/day、侧向阻隔性小于10-6 g/m2/day。
本发明通过在有机阻隔层211表面制备凹凸不平的形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。
实施例6。
一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其他特征与实施例5相同，不同之处在于：在有机阻隔层211上压印的锯齿状图案形状不同，本实施例中的锯齿状图案如图3所示。
实施例7。
在待封装的柔性半导体薄膜电子器件上，首先使用等离子体化学气相沉积设备（简称PECVD）制作厚度为200 nm的Si3N4无机薄膜作为基础层100。
然后在UV固化胶——环氧树脂溶液（UV resin）中掺入粒径2~5 um的SiO2颗粒300，掺入量为0.2g/mL。然后使用旋涂方法将混合好的溶液涂布在在基础层100之上，获得厚度为2um环氧树脂层。最后使用能量1000 mJ/cm2 的UV光固化环氧树脂层形成有机阻隔层211。
接下来再使用ALD设备在有机阻隔层211的表面制作40 nm的Al2O3薄膜作为无机阻隔层212。如图4所示，有机阻隔层211与无机阻隔层212构成一个水氧阻隔单元210。
接下来，使用相同的工艺条件，重复制作第二个水氧阻隔单元220，依次制作第二个水氧阻隔单元220的有机阻隔层211、无机阻隔层212，完成柔性半导体薄膜电子器件的封装。
通过该工艺封装的柔性半导体薄膜电子器件的水氧阻隔层200薄膜的正向水氧阻隔性能达到10-6 g/m2/day、侧向阻隔性小于10-6 g/m2/day。
本发明通过在有机阻隔层211表面制备凹凸不平的凸起形貌结构，并在有机阻隔层表面上制备无机阻隔层。通过对水氧阻隔层表面形貌的控制，能够增加水汽以及氧气分子在有机薄膜内部扩散时的散射作用，同时减小水、氧分子的扩散通道，进而降低水氧分子的透过率。该方法制作工艺简单、水氧阻隔性能优良，既可以保持器件具有较薄的厚度，又可以获得良好的水氧隔绝性能。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：包括制备水氧阻隔层工序，所述水氧阻隔层由一组或一组以上的水氧阻隔单元叠设而成；
每组水氧阻隔单元包括一层有机阻隔层和一层无机阻隔层，所述有机阻隔层表面具有凹凸不平的形貌结构，所述无机阻隔层设置于所述有机阻隔层表面。
2.根据权利要求1所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述水氧阻隔层由两组的水氧阻隔单元叠设而成。
3.根据权利要求1所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述有机薄膜表面凹凸不平的形貌结构为规则的图案或者不规则的图案。
4.根据权利要求3所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述有机阻隔层通过光刻的方式或者通过物理压印的方式形成表面凹凸不平的形貌结构。
5.根据权利要求4所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述有机阻隔层表面凹凸不平的形貌结构为矩形结构或者为锯齿形结构或者为弧形结构，所述有机阻隔层的材料为光刻胶，所述有机阻隔层通过旋涂法或者丝网印刷法或者真空热蒸发法或者化学气相沉积法制备而成，所述有机阻隔层的厚度为200 nm至10000 nm。
6.根据权利要求3所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：将光刻胶中掺杂无机物颗粒作为原料制备有机阻隔层，有机阻隔层表面具有因部分无机物颗粒而鼓气的凸起。
7.根据权利要求3所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为0.01至10um，无机物颗粒的掺入量为0.01g/mL至5g/mL。
8.根据权利要求7所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述光刻胶中掺杂的无机物颗粒的粒径为2至5um，无机物颗粒的掺入量为0.2g/mL。
9.根据权利要求8所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：所述无机阻隔层的材料为Al2O3或者Si3N4或者SiO2或者TiO2或者ZrO2中的任意一种或一种以上的混合物，所述无机阻隔层通过薄膜沉积法或者原子层沉积法或者化学气相沉积法或者物理气相沉积法制备而成，所述无机阻隔层的厚度为10 nm至1000 nm。
10.根据权利要求1至9任意一项所述的柔性半导体薄膜电子器件的封装工艺，其特征在于：还设置有基础层制备工序，即在待封装的柔性半导体薄膜电子器件表面制备基础层，所述水氧阻隔层制备于所述基础层上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410260088.0A CN103996629B (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410260088.0A CN103996629B (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103996629A true CN103996629A (zh) | 2014-08-20 |
| CN103996629B CN103996629B (zh) | 2015-09-30 |
Family
ID=51310748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410260088.0A Active CN103996629B (zh) | 2014-06-12 | 2014-06-12 | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103996629B (zh) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104538425A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-22 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阻挡膜及其制作方法、显示装置 |
| CN105702624A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 叠层柔性基板及制作方法 |
| WO2016150276A1 (zh) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性衬底基板和显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN107394059A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled封装结构及其制造方法、显示装置 |
| CN107662385A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-02-06 | 丹阳市维尼光学有限公司 | 双层阻隔膜 |
| CN108023120A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-05-11 | 清陶（昆山）能源发展有限公司 | 一种柔性锂离子电池封装材料及其封装工艺 |
| WO2018082168A1 (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜封装的oled器件以及oled器件的薄膜封装方法 |
| CN108258057A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-06 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性基底结构及其制备方法与柔性器件 |
| CN108461648A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-08-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 薄膜封装体及显示面板 |
| CN109004099A (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-14 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| CN109309178A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-02-05 | 苏州清陶新能源科技有限公司 | 一种柔性锂离子电池用封装材料及其制备方法 |
| CN109427995A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器件 |
| CN110085740A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 柔性基板及其制作方法、面板以及电子装置 |
| CN110277354A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 深圳先进技术研究院 | 一种抗拉应力作用的封装组件及其制备方法 |
| CN110444568A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110635014A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-31 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性盖板及显示面板 |
| CN111029479A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 |
| CN112820844A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-05-18 | 福州大学 | 一种薄膜封装结构及其制备方法 |
| CN114515682A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-20 | 浙江弘康半导体技术股份有限公司 | 一种柔性透明超低水汽透过率阻隔膜及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102104114A (zh) * | 2010-12-09 | 2011-06-22 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法 |
| CN202275849U (zh) * | 2010-10-14 | 2012-06-13 | 苏州柔印光电科技有限公司 | 一种柔性透明高阻隔封装膜 |
| CN102593371A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-18 | 四川长虹电器股份有限公司 | 有机电致发光器件的封装结构 |
| CN103022354A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性衬底 |
-
2014
- 2014-06-12 CN CN201410260088.0A patent/CN103996629B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202275849U (zh) * | 2010-10-14 | 2012-06-13 | 苏州柔印光电科技有限公司 | 一种柔性透明高阻隔封装膜 |
| CN102104114A (zh) * | 2010-12-09 | 2011-06-22 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法 |
| CN102593371A (zh) * | 2012-03-16 | 2012-07-18 | 四川长虹电器股份有限公司 | 有机电致发光器件的封装结构 |
| CN103022354A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-03 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性衬底 |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104538425A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-22 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阻挡膜及其制作方法、显示装置 |
| CN104538425B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-01-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阻挡膜及其制作方法、显示装置 |
| US10121834B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-11-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible base substrate, display substrate and methods of manufacturing the same, and display device |
| WO2016150276A1 (zh) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性衬底基板和显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN105702624A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 叠层柔性基板及制作方法 |
| US10263215B2 (en) | 2016-11-07 | 2019-04-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | OLED device packaged by thin film and thin film packaging method of OLED device |
| WO2018082168A1 (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 薄膜封装的oled器件以及oled器件的薄膜封装方法 |
| CN109004099B (zh) * | 2017-06-07 | 2021-06-22 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| CN109004099A (zh) * | 2017-06-07 | 2018-12-14 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
| US11081671B2 (en) | 2017-08-02 | 2021-08-03 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | OLED encapsulation structure, display device and method for manufacturing OLED encapsulation structure |
| CN107394059A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled封装结构及其制造方法、显示装置 |
| CN109427995A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器件 |
| CN109427995B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-04-17 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示器件 |
| CN107662385A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-02-06 | 丹阳市维尼光学有限公司 | 双层阻隔膜 |
| CN108023120A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-05-11 | 清陶（昆山）能源发展有限公司 | 一种柔性锂离子电池封装材料及其封装工艺 |
| CN108258057A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-06 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性基底结构及其制备方法与柔性器件 |
| CN110085740A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-02 | 绵阳京东方光电科技有限公司 | 柔性基板及其制作方法、面板以及电子装置 |
| US11605792B2 (en) | 2018-01-25 | 2023-03-14 | Mianyang Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flexible substrate and manufacturing method thereof, panel and electronic device |
| EP3745485A4 (en) * | 2018-01-25 | 2021-10-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | FLEXIBLE SUBSTRATE AND MANUFACTURING PROCESS FOR IT, BOARD AND ELECTRONIC DEVICE |
| CN108461648A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-08-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 薄膜封装体及显示面板 |
| CN108461648B (zh) * | 2018-03-07 | 2020-06-19 | 云谷（固安）科技有限公司 | 薄膜封装体及显示面板 |
| CN110277354A (zh) * | 2018-03-15 | 2019-09-24 | 深圳先进技术研究院 | 一种抗拉应力作用的封装组件及其制备方法 |
| CN109309178A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-02-05 | 苏州清陶新能源科技有限公司 | 一种柔性锂离子电池用封装材料及其制备方法 |
| CN109309178B (zh) * | 2018-09-17 | 2021-11-02 | 苏州清陶新能源科技有限公司 | 一种柔性锂离子电池用封装材料及其制备方法 |
| US11211434B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-12-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof, and display device |
| CN110444568A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110635014A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-31 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性盖板及显示面板 |
| CN111029479A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 |
| CN112820844A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-05-18 | 福州大学 | 一种薄膜封装结构及其制备方法 |
| CN114515682A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-20 | 浙江弘康半导体技术股份有限公司 | 一种柔性透明超低水汽透过率阻隔膜及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103996629B (zh) | 2015-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103996629B (zh) | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法 | |
| CN103269851B (zh) | 气体阻隔性膜及电子器件 | |
| CN104903090B (zh) | 气体阻隔性膜 | |
| CN103796827B (zh) | 气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件 | |
| WO2018152935A1 (zh) | 一种oled器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板 | |
| CN105899359B (zh) | 用于形成嵌入式纳米结构的叠层转印膜 | |
| CN103378229A (zh) | 以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法 | |
| Xiao et al. | A flexible transparent gas barrier film employing the method of mixing ALD/MLD-grown Al 2 O 3 and alucone layers | |
| CN103025518B (zh) | 气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件 | |
| CN107968108B (zh) | 像素界定层及其制备方法和应用 | |
| CN105706242B (zh) | 用于oled装置的纳米结构 | |
| TWI521760B (zh) | A flexible substrate | |
| CN109256486A (zh) | 一种显示装置及其制备方法 | |
| CN103237657A (zh) | 气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件 | |
| US10411220B2 (en) | OLED display with an encapsulation with a plurality of inorganic layers | |
| CN104882565B (zh) | 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置 | |
| CN106935726A (zh) | 有机电致发光显示装置及其制作方法 | |
| CN107644946A (zh) | Oled显示面板的封装方法及封装结构 | |
| CN106104841A (zh) | 用于白光成色oled装置的纳米结构 | |
| CN108503870A (zh) | 阻气性膜 | |
| CN103958182A (zh) | 气体阻隔膜及电子设备 | |
| WO2016017690A1 (ja) | 積層体及びその製造方法、並びにガスバリアフィルム及びその製造方法 | |
| US9685640B2 (en) | Manufacturing method of display substrate using a carrier substrate and a sacrificial layer | |
| CN108470755A (zh) | 一种薄膜封装结构、薄膜封装方法及显示装置 | |
| CN106935732A (zh) | 一种薄膜封装结构及其封装方法、oled装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |