CN103943660A - 一种显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示装置,包括:第一基板;第二基板,与所述第一基板相对设置;栅极驱动电路,包括至少一个第一电容器和栅极驱动元件,所述第一电容器位于所述第一基板上,所述栅极驱动元件设置于所述第二基板上。本发明可以减小栅极驱动电路布线宽度,实现窄边框,提高栅极驱动电路部分框胶的透过率。

Description

一种显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种显示装置。
背景技术
显示面板目前被广泛的应用于手机、掌上电脑(Personal Digital Assistant,PDA)等便携式电子产品中,例如:薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)、有机发光二级管显示器(OrganicLight Emitting Diode,OLED)、低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)显示器以及等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)等。在市场竞争的推动下,更轻便、显示效果更优越、价格更低的显示装置受到了越来越多的追捧。近年来,将栅极驱动电路结构直接制作于显示面板上的作法已逐渐取代传统利用外部栅极驱动晶片驱动像素的作法,这种栅极驱动电路称为阵列基板行驱动(Gate On Array,GOA)电路。GOA技术的应用可以减少一颗驱动IC,并且有效地使显示屏变的更轻、降低成本,并且可以增加显示器的可靠性。因此,近年来GOA技术逐步成为开发研究的热点。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示装置及一种显示装置的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种显示装置,包括:第一基板;第二基板,与所述第一基板相对设置;栅极驱动电路,包括至少一个第一电容器和栅极驱动元件,所述第一电容器位于所述第一基板上,所述栅极驱动元件设置于所述第二基板上。
本发明的实施例还提供了一种显示装置的制备方法,包括以下步骤:提供第一基板,所述第一基板包括至少一个第一电容器;提供第二基板,所述第二基板包括栅极驱动元件;所述第一基板和第二基板对位贴合。
相对于现有技术而言,本发明的实施例所提供的显示装置,将栅极驱动电路的电容器设置在第一基板上,将其他栅极驱动元件设置在相对的第二基板上,减小栅极驱动电路布线的整体面积,实现显示装置的窄边框。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A为现有技术的一种栅极驱动电路的原理图;
图1B为现有技术的栅极电路的电容器的剖视图;
图1C为现有技术的栅极驱动电路的电容器的平面图;
图2本发明实施例一提供的显示装置结构的剖视图;
图3为本发明实施例一提供的显示装置第一基板的平面图;
图4为本发明实施例一提供的显示装置第二基板的平面图;
图5a为图3中沿A-A’截面的一种剖视图;
图5b为本发明实施例一提供的另一种第一基板第一电容器的剖视图;
图5c为本发明实施例一提供的另一种第一基板第一电容器的剖视图;
图6为本发明实施例一提供的显示装置第一基板的另一种平面图;
图7为本发明实施例一提供的显示装置第二基板的另一种平面图;
图8为本发明实施例二提供的显示装置第一基板的一种平面图;
图9为图8中沿B-B’截面的剖视图;
图10为本发明实施例二提供的显示装置第一基板的另一种平面图;
图11为本发明实施例三提供的显示装置第一基板的一种平面图;
图12为本发明实施例三提供的显示装置第一基板的另一种平面图;
图13为本发明实施例四提供的显示装置第一基板的一种平面图;
图14为本发明实施例四提供的显示装置第一基板的另一种平面图;
图15为图14中沿E-E’截面的剖视图;
图16为本发明实施例五提供的一种显示装置制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1A为现有技术的一种栅极驱动电路的原理图。如图1A所示,栅极驱动电路的作用在于产生固定时序的脉冲,此脉冲会传送至薄膜晶体管显示面板以控制像素中薄膜晶体管的开启。栅极驱动电路主要包含多条信号线、多个薄膜晶体管、电容以及导线。GOA电路设置在显示装置周围的非显示区域,为了减小信号的延迟,布线较宽,还会采用电容器件来改善阈值电压偏移等问题,来提高显示装置的显示性能。如图1B所示,在玻璃基板100上一般通过数据线金属图形102和栅极金属图形101以及中间存在绝缘层104来制作电容器件,因此在GOA电路中存在大块金属。在采用UV照射固化的方式对封框胶层进行固化时,由于封框胶层对应GOA电路区域,为达到封框胶层固化充分的目的,结合图1C所示,GOA电路层的电容器件经常会设计具有金属孔洞103,以达到封框胶层的UV固化过程中足够的透光率,但这种设计会增大GOA电路层的宽度,进而使显示装置的边框宽度增加,无法实现窄边框目的。
现有技术的栅极驱动电路布线较宽,并且栅极驱动电路层的电容器件经常需要做镂空设计,但这种设计会增大电路层的宽度,从而不能实现窄边框。
图2所示为本发明实施例一提供的显示装置的剖视结构示意图。如图2所示,显示装置包括第一基板11,与该第一基板11相对设置的第二基板12,栅极驱动电路包括至少一个第一电容器13和栅极驱动元件14。其中第一电容器13设置于第一基板11上,栅极驱动元件14设置于第二基板12上。本实施例中第一电容器13与栅极驱动元件14均位于非显示区,并且位置上相对应,因此,相较现有技术将第一电容器和栅极驱动元件设置在同一基板的方式,从空间上减少了占用面积,即减小第二基板上栅极驱动电路布线的整理占用面积,实现显示装置的窄边框目的。在第一基板12上还设置有薄膜晶体管驱动层17。在第一基板11与第三极板12之间还具有封框胶15,封框胶15设置在非显示区,具体的,设置于第一电容13与栅极驱动元件14之间的对应位置。封框胶15具有导电性,由于其中掺杂有导电金球16,当第一基板11与第二基板12进行对位贴合时,封框胶15内的导电金球16受压接触,将第一电容器13与栅极驱动元件14电连接在一起。在第一基板13上还设置有黑矩阵层和色阻层(图中未示出),用于实现显示装置的彩色化。
图3为本发明实施例一提供的显示装置第一基板的一种平面图。如图3所示,第一基板11包括显示区110和非显示区111,非显示区111至少设置有一个第一电容器13。第一电容器13包括相对设置的第一极板130、第二极板131以及位于第一极板130和第二极板131之间第一绝缘层(图中未示出),还包括与第二极板131同层的第一连接衬垫132和第二连接衬垫133,与第一极板130同层的电容连接线134。第一连接衬垫132通过第一通孔135与电容连接线134电连接,电容连接线134与第一极板130电连接,第二连接衬垫133与第二极板131电连接。该第一基板11的显示区110还包括黑矩阵层和色阻层(图中未示出)。
图5a为图3中沿A-A’截面的剖视图,结合图3和图5a可以看出,在第一基板11上设置有黑矩阵112,第一电容器13形成在黑矩阵112上,第一电容器13包括第一极板130和相对设置的第二极板131,第一绝缘层113设置在第一基板130和第二极板131之间,第一绝缘层113可以采用色阻层,图5a中虚线部分的是电容连接线134。第一极板130与第二极板131全部交叠,其中第一极板130和第二极板131采用透明电极层,其中第一极板130与第二极板131全部交叠设置可以增大第一电容器13的电容值。
需要说明的是,第一极板130与第二极板131还可以根据实际面板设计的需要部分交叠。第一极板130与第二极板131电极层材料可以任意选用,例如,第一极板130采用表面透明电极层,第二极板131采用表面不透明电极层;或者第一极板130是表面不透明电极层,第二极板131是表面透明电极层或表面不透明电极层。透明电极层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化锑锡(ATO)等,不透明电极层的材料可以是银(Ag)、金(Au)、钨(W)、钛(Ti)和钼(Mo)等。第一极板和/或第二极板采用透明电极层时,可以与显示区的透明电极层在一道工序中制成,减少制备工艺步骤,节省原料,降低成本;第一极板和/或第二极板采用不透明电极层时,例如采用金属来制备第一极板和/或第二极板,可以增加极板的导电率。
以上仅为本发明实施例的一种,还可以如图5b所示结构,在第一基板11上设置有黑矩阵112,黑矩阵112围绕显示区镂空开槽,即在显示区内黑矩阵与非显示区内的黑矩阵是断开的。结合图3所示,在非显示区111内,第一极板130设置在非显示区的黑矩阵112上,与第二极板131部分交叠;这种在屏幕边缘对黑矩阵做镂空设计,可以起到静电保护的作用。
本实施例的另一种实施方式还可以如图5c所示,黑矩阵112与第一极板130之间可以有第四绝缘层114,且第四绝缘层114均匀的铺在黑矩阵112上;第四绝缘层114可以防止导电;在第二极板131的上面还可以有绝缘层或者配向膜(图中未示出),图5c中虚线部分的是电容连接线134。
如图3所示,本实施例中显示装置的第一基板在显示区110一侧的非显示区111内设置至少一个第一电容器13。如图6所示,第一基板11还可以在显示区110两侧的非显示区111内设置至少一个第一电容器13。
图4为本发明实施例一提供的第二基板的一种平面图。如图4所示,第二基板12对应第一基板11同样包括显示区110和非显示区111,在非显示区111设置有栅极驱动元件14和第三连接衬垫140,第三连接衬垫140通过第二通孔141与栅极驱动元件14电连接。所述的栅极驱动元件14包括许多薄膜晶体管和电路连接线(图中未示出)。在显示区110内设置有薄膜晶体管驱动层17(图中未示出),薄膜晶体管驱动层17包括薄膜晶体管、数据线、扫描线等元件。栅极驱动元件14可以与薄膜晶体管驱动层17采用相同工艺且使用同种材料形成。
在本发明实施例一中,第二基板12上的栅极驱动元件的第三连接衬垫140的位置与第一基板11上的第一连接衬垫132和第二连接衬垫133的位置相对应,并通过封框胶15电连接。在该显示装置工作时,第一电容器13连接到栅极驱动元件14的电路连接线上,为该栅极驱动电路提供所需的电容。
如图4所示,本实施例中显示装置的第二基板12在显示区110一侧的非显示区111内设置栅极驱动元件14。除此之外,第二基板12还可以在显示区110两侧的非显示区111内设置栅极驱动元件14,如图7所示。
上述栅极驱动元件和薄膜晶体管驱动层的材料不限于氧化物半导体、低温多晶硅、非晶硅或者其他半导体。并且本实施例中显示装置的应用不限于有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diode,OLED)、液晶显示装置、电子纸(e-paper)等。
图8为本发明实施例二提供的显示装置第一基板的一种平面图,图9为图8中B-B’的剖视图,结合图8和图9可以看出,实施例二与实施例一的区别在于所述显示装置的第一基板11的显示区110还包括第一导电层136;第一基板11的非显示区111设置有第一电容器13包括第一极板130、第一绝缘层113和第二极板131。在本实施例中第一导电层136是单层触摸电极层,如图8所示,触控电极层包括驱动电极136a、感应电极136b和电极引线136c。第一导电层136和第一极板130同层,且第一导电层136和第一极板130之间是断开的,图9中虚线部分的是电容连接线134。所述第一导电层136、第一极板130和第二极板131的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、钛(Ti)和钼(Mo)等;以上只是本实施例的一种实施方式,本实施例的实施方式还可以,该第一导电层136还可以与第二极板131同层,且第一导电层136和第二极板131之间是断开的。在本实施例中第一极板和/或第二极板可以与显示区的单层触摸电极层在一道工序中制成,减少制备工艺步骤,节省原料,降低成本;当第一极板和/或第二极板采用不透明电极层时,例如采用金属来制备第一极板和/或第二极板,还可以增加极板的导电率。
以上只是本实施例的一种实施方式,本实施例的实施方式还可以如图10所示,第一导电层136是公共电极层,第一导电层136和第一极板130同层,且第一导电层136和第一极板130之间是断开的。所述第一导电层136的材料可以是是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化锑锡(ATO)等;第一导电层136采用透明电极层可以增加透过率,提高显示装置的对比度。所述第一极板130和第二极板131的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、钛(Ti)和钼(Mo)等;以上只是本实施例的一种实施方式,本实施例的实施方式还可以是第一导电层136与第二极板131同层。在以上实施例中第一导电层136还可以是静电屏蔽层。第一极板和/或第二极板采用透明电极层时,可以与显示区的公共电极层或者静电屏蔽层在一道工序中制成,减少制备工艺步骤,节省原料,降低成本。
在本实施例中,采用单层触摸电极层或者公共电极层来作为第一导电层,并且该第一导电层与第一电容器其中一个极板同层,可以节省工艺步骤和材料,且操作简单,还可以实现窄边框。
图11为本发明实施例三提供的显示装置第一基板的一种平面图,图11中C-C’的剖视图可参考图9,结合图11和图9可以看出,实施例三与实施例一的区别在于所述显示装置的第一基板11的显示区110还包括第一导电层136和第二导电层137,所述第二导电层137设置在所述第一导电层136上,第一绝缘层113设置在第一导电层136和第二导电层137之间;第一基板11的非显示区111中设置的第一电容器13包括第一极板130、第一绝缘层113和第二极板131。在本实施例中第一导电层136是单层触摸电极层,如图11所示,触控电极层包括驱动电极136a、感应电极136b和电极引线136c,第二导电层137是公共电极层。第一导电层136与第一极板130同层,且第一导电层136与第一极板130之间是断开的;第二导电层137与第二极板131同层,且第二导电层137与第二极板131之间是断开的。所述第一导电层136与第一极板130的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、钛(Ti)和钼(Mo)等;所述第二导电层137与第二极板131的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化锑锡(ATO)等。在以上实施例中第二导电层137还可以是静电屏蔽层。在本实施例中第一导电层136与第一极板130可以在同一道工序中制成,第二导电层137与第二极板131在同一道工序中制成,这样可以减少制备工艺步骤,节省原料,降低成本。
以上只是本实施例的一种实施方式,本实施例的实施方式还可以如图12所示,显示区110的第一导电层136和第二导电层137是两层触摸电极层,第一导电层136包括第多条沿第一方向延伸的第一触控电极136’,第二导电层137包括多条沿第二方向延伸的第二触控电极137’,第一方向与第二方向相互垂直设置。第一导电层136与第一极板130同层,且第一导电层136与第一极板130之间是断开的;第二导电层137与第二极板131同层,且第二导电层137与第二极板131之间是断开的。所述第一导电层136、第二导电层137、第一极板130与第二极板131的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、钛(Ti)和钼(Mo)等;其中,第一极板和第二极板分别与双层触摸电极层在同一道工序中制成,可以减少制备工艺步骤,节省原料,降低成本。
在本实施例中,采用单层触摸电极层或者公共电极层来作为第一导电层和第二导电层,并且该第一导电层和第二导电层与第一电容器中的两个极板同层,可以节省工艺步骤和材料,且操作简单,还可以实现窄边框。
图13为本发明实施例四提供的显示装置第一基板的一种平面图,图13中D-D’的剖视图可以参考图9,结合图13和图9可以看出,实施例四与实施例一的区别在于所述显示装置的第一基板11的显示区110还包括第一导电层136、第二导电层137和第三导电层138,所述第二导电层137设置在所述第一导电层136上,第一绝缘层113设置在第一导电层136和第二导电层137之间,所述第三导电层138设置在所述第二导电层137上,第二绝缘层115设置在第三导电层138和第二导电层137之间。第一基板11的非显示区111中设置的第一电容器13包括第一极板130、第一绝缘层113和第二极板131;在本实施例中第一导电层136和第二导电层137为双层触摸电极层,第一导电层136包括第多条沿第一方向延伸的第一触控电极136’,第二导电层137包括多条沿第二方向延伸的第二触控电极137’,第一方向与第二方向相互垂直设置。第三导电层138为公共电极层;所述第一极板130与第一导电层136同层,且第一极板130与第一导电层136之间是断开的;所述第二极板131与第二导电层137同层,且第二极板131与第二导电层137之间是断开的;所述第一极板130、第一导电层136、第二极板131与第二导电层137的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、钛(Ti)和钼(Mo)等;所述第三导电层138的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化锑锡(ATO)等。第一导电层136与第一极板130可以在同一道工序中制成,第二导电层137与第二极板131在同一道工序中制成,这样可以减少制备工艺步骤,节省原料,降低成本。
以上只是实施例的一种,第三导电层138还可以是静电屏蔽层;第一极板130和第二极板131还可以与所述第一导电层136、第二导电层137和第三导电层138中任意的两层导电层同层;并且双层触摸电极层可以是所述第一导电层136、第二导电层137和第三导电层138中任意相邻的两层。
图14为本发明实施例四提供的第一基板的另一种平面图,图14中E-E’的剖视图可以参考图15,结合图14和图15可以看出,本实施例的第一电容器13的上方设置有第三极板201,所述第三极板201与第二极板131构成第二电容器20,所述第三极板201与第三导电层138同层,且第三极板201与第三导电层138之间是断开的,图15中虚线部分的是电容连接线134。
在本实施例中第一导电层136与第一极板130可以在同一道工序中制成,第二导电层137与第二极板131在同一道工序中制成,第三极板201与第三导电层138在同一道工序中制成,这样可以减少制备工艺步骤,节省原料,降低成本。
以上只是本实施例的一种,第三极板201还可以位于第一极板130的下方,与第一极板130构成第二电容器20。
在本实施例中,显示装置设置有三层导电层,并且第一极板和第二极板与三层导电层中的任意两层同层,可以节省工艺步骤和材料,且操作简单,还可以实现窄边框;并且还可以在第一电容器的上方或者下方设置第三极板,所述第三极板与第一极板或第二极板构成第二电容器;两个电容器串联,可以增大第一电容器的电容值。
本发明实施例五提供一种显示装置的制备方法,参考图16,图16为本发明实施例五提供的一种显示装置制备方法的流程示意图。包括以下步骤:
步骤1,提供第一基板,所述第一基板包括至少一个第一电容器。
在所述第一基板上形成第一电容器的步骤具体包括:在所述第一基板上形成黑矩阵,在所述黑矩阵上形成第一导电材料;图案化所述第一导电材料形成所述第一电容器的第一极板和电容连接线,其中电容连接线与第一极板电连接;在所述第一极板和电容连接线上形成第一绝缘层;图案化所述第一绝缘层形成第一通孔;在所述第一绝缘层上形成第二导电材料;图案化所述第二导电材料形成所述第一电容器的第二极板、第一连接衬垫和第二连接衬垫,所述第二连接衬垫通过所述第一通孔与所述第一极板电连接。在第一基板上形成的第一电容器的平面如图3所示,第一电容器的剖视图如图5a所示。
以上只是本实施例的一种实施方式,本实施例的实施方式还可以在所述第一基板上形成第一电容器的过程中,图案化所述第一导电材料形成触控电极层,形成的第一基板的平面图可以参考图8;或者图案化所述第一导电材料形成公共电极层,形成的第一基板的平面图可以参考图10;还可以图案化所述第一导电材料形成静电屏蔽层。
以上只是本实施例的一种实施方式,本实施例的实施方式还可以在所述第一基板上形成第一电容器的过程中,图案化所述第一导电材料形成触控电极层,并且图案化所述第二导电材料形成公共电极层,形成的第一基板的平面图可以参考图11;在该实施例中还可以图案化所述第二导电材料形成静电屏蔽层;本实施例的实施方式还可以是在所述第一基板上形成第一电容器的过程中,图案化所述第一导电材料形成触控电极层,并且图案化所述第二导电材料形成触控电极层,形成的第一基板的平面图可以参考图12。
以上只是本实施例的一种实施方式,本实施例的实施方式还可以是,在所述第一基板上形成第一电容器的过程中,还可以图案化所述第一导电材料形成第一触控电极层;和图案化所述第二导电材料形成第二触控电极层。在该实施例中,可以在第一电容器的下方形成第二电容器,其中形成第二电容器的具体步骤包括:在图案化所述第一导电材料形成第一触控电极层步骤之前还包括:在所述第一基板上形成第三导电材料;图案化所述第三导电材料形成第三极板和公共电极层,在所述第三极板上形成第二绝缘层;所述第三极板与第一极板构成第二电容器。这里的公共电极层也可以是静电屏蔽层。还可以在第一电容器的上方形成第二电容器,其中形成第二电容器的具体步骤包括:图案化所述第二导电材料形成第二触控电极层步骤之后还包括:在所述第二导电层上形成第三导电材料;图案化所述第三导电材料形成第三极板和公共电极层,在所述第三极板上形成第二绝缘层;所述第三极板与第二极板构成第二电容器,形成的第一基板的平面图可以参考图14。
具体的,在第一基板上形成第一极板和电容连接线的具体步骤为:在第一基板上依次叠加涂布导电材质和光阻,采用特定的光罩对依次涂布导电材质和光阻后的基板的特定区域照射紫外线,即对依次叠加涂布导电材质和光阻后的基板进行曝光过程,将曝光后的基板进行显影,所述特定的光罩为根据光阻的特性在光罩的特定位置进行开口,若光阻为负性光阻,即特定开口区域内的被紫外光照射的光阻将不会被显影洗掉;若光阻为正性光阻,即特定开口区域内的被紫外线照射的光阻将会被显影洗掉。
在所述第一极板和电容连接线上形成绝缘层的具体步骤为:在设置有第一极板和电容连接线的基板上涂布绝缘材料,对涂布在基板上的绝缘层进行硬化处理,以在所述第一极板和电容连接线上形成绝缘层,所述硬化绝缘层的方式可以是烘烤或紫外光照射等任意适用的硬化方式。
在所述的绝缘层上形成第二极板、第一连接衬垫和第二连接衬垫的具体工艺步骤与制备第一极板的工艺步骤相同,只是形成的图案不同,可以选择不同的掩模板来制备不同的图案形状。
步骤2,提供第二基板,所述第二基板包括栅极驱动元件。
在所述第二基板上形成所述栅极驱动元件步骤还包括:在所述栅极驱动元件上形成第三绝缘层,图案化所述第三绝缘层形成第二通孔;在所述第三绝缘层上形成第四导电材料,图案化所述第四导电材料形成第三连接衬垫;所述第三连接衬垫通过所述第二通孔与所述栅极驱动元件电连接,形成的第二基板的平面图可以参考图4。
步骤3,所述第一基板和第二基板对位贴合。
在第一基板非显示区涂布封框胶,具体的,封框胶涂布于第一电容与栅极驱动元件之间的对应位置。封框胶内掺杂有导电金球,具有导电性。将第二基板与第一基板进行对位贴合,封框胶内的导电金球受压接触,将第一电容器与栅极驱动元件电连接在一起。
以上对本发明实施例所提供的显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (20)

1.一种显示装置,包括:
第一基板;
第二基板,与所述第一基板相对设置;
栅极驱动电路,包括至少一个第一电容器和栅极驱动元件,所述第一电容器位于所述第一基板上,所述栅极驱动元件设置于所述第二基板上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置在所述第一基板上的第一导电层,所述第一电容器包括第一极板、第一绝缘层和第二极板。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一极板或第二极板与所述第一导电层同层。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一导电层为触控电极层或公共电极层。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置在所述第一导电层上的第二导电层。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述第一极板与所述第一导电层同层,所述第二极板与所述第二导电层同层。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述第一导电层和/或第二导电层是触控电极层。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置在所述第二导电层上的第三导电层。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述第一极板和第二极板与所述第一导电层、第二导电层和第三导电层中任意的两层导电层同层。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述第一导电层、第二导电层和第三导电层中任意相邻的两层导电层是触控电极层。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,在所述第一电容器的上方或下方设置有第三极板,所述第三极板与第一极板或第二极板构成第二电容器。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述第三极板与所述第一导电层或第三导电层同层。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置在所述第一基板上与所述第一极板连接的第一连接衬垫,和设置在第二极板上与所述第二极板连接的第二连接衬垫,以及设置在第二基板上与所述栅极驱动元件连接的第三连接衬垫;所述第一连接衬垫和第二连接衬垫与所述第三连接衬垫通过导电封框胶电连接。
14.一种显示装置的制备方法,包括以下步骤:
提供第一基板,其中所述第一基板上设置至少一个第一电容器;
提供第二基板,其中所述第二基板设置栅极驱动元件;
所述第一基板和第二基板对位贴合。
15.根据权利要求14所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述第一基板上形成所述第一电容器的步骤具体包括:
在所述第一基板上形成第一导电材料;
图案化所述第一导电材料形成所述第一电容器的第一极板;
在所述第一极板和电容连接线上形成第一绝缘层;
图案化所述第一绝缘层形成第一通孔;
在所述第一绝缘层上形成第二导电材料;
图案化所述第二导电材料形成所述第一电容器的第二极板、第一连接衬垫和第二连接衬垫,所述第二连接衬垫通过所述第一通孔与所述第一极板电连接。
16.根据权利要求15所述的显示装置的制备方法,其特征在于,还包括:图案化所述第一导电材料或图案化所述第二导电材料形成触控电极层或公共电极层。
17.根据权利要求15所述的显示装置的制备方法,其特征在于,还包括:图案化所述第一导电材料形成第一触控电极层;和图案化所述第二导电材料形成第二触控电极层。
18.根据权利要求17所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述图案化所述第一导电材料形成第一触控电极层步骤之前还包括:在所述第一基板上形成第三导电材料;图案化所述第三导电材料形成第三极板和公共电极层,在所述第三极板上形成第二绝缘层;所述第三极板与第一极板构成第二电容器。
19.根据权利要求17所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述图案化所述第二导电材料形成第二触控电极层步骤之后还包括:在所述第二导电层上形成第三导电材料;图案化所述第三导电材料形成第三极板和公共电极层,在所述第三极板上形成第二绝缘层;所述第三极板与第二极板构成第二电容器。
20.根据权利要求14所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述第二基板上形成所述栅极驱动元件步骤还包括:
在所述栅极驱动元件上形成第三绝缘层,图案化所述第三绝缘层形成第二通孔;
在所述第三绝缘层上形成第四导电材料,图案化所述第四导电材料形成第三连接衬垫;所述第三连接衬垫通过所述第二通孔与所述栅极驱动元件电连接。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104483768A (zh) * 2015-01-04 2015-04-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法以及显示装置
CN104635392A (zh) * 2015-01-22 2015-05-20 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板
CN105047172A (zh) * 2015-09-15 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路、显示屏及其驱动方法
CN105206644A (zh) * 2015-08-28 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 透明显示组件和显示装置
CN105655380A (zh) * 2016-03-17 2016-06-08 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板
CN107516501A (zh) * 2017-10-10 2017-12-26 厦门天马微电子有限公司 显示基板、显示面板、显示装置及其驱动方法
CN108762593A (zh) * 2018-06-07 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 触控面板和触控装置
CN109256053A (zh) * 2018-08-02 2019-01-22 友达光电股份有限公司 显示面板
CN110226193A (zh) * 2017-01-27 2019-09-10 夏普株式会社 有源矩阵基板以及使用它的显示装置
US11194188B2 (en) 2018-11-27 2021-12-07 Au Optronics Corporation Display panel, driver circuit, and manufacturing method of display panel
CN114089867A (zh) * 2021-11-30 2022-02-25 长沙惠科光电有限公司 触控显示面板和显示装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104576656A (zh) * 2014-12-23 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR102312314B1 (ko) * 2015-01-28 2021-10-13 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 장치 및 그 제조 방법
KR102320639B1 (ko) * 2015-02-04 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법
JP2017111297A (ja) * 2015-12-16 2017-06-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102518746B1 (ko) * 2016-06-01 2023-04-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107561723B (zh) * 2017-10-13 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN108628499A (zh) * 2018-05-25 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN109101138A (zh) * 2018-08-21 2018-12-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11036322B2 (en) * 2019-06-24 2021-06-15 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Array substrate and method of manufacturing same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6046547A (en) * 1996-12-19 2000-04-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Self-emission type image display device
CN1720479A (zh) * 2002-12-04 2006-01-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵显示装置
CN101221328A (zh) * 2007-01-11 2008-07-16 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2679057B1 (fr) 1991-07-11 1995-10-20 Morin Francois Structure d'ecran a cristal liquide, a matrice active et a haute definition.
KR100652352B1 (ko) 2004-05-10 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP2008216726A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の駆動方法および電子機器
KR100950228B1 (ko) 2008-01-21 2010-03-29 이성호 다중 실 라인 및 블랙매트릭스를 갖는 액정표시장치
KR20100088883A (ko) * 2009-02-02 2010-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101780493B1 (ko) * 2011-02-28 2017-09-22 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린을 포함하는 액정 표시장치
JP5669677B2 (ja) 2011-06-14 2015-02-12 住友重機械工業株式会社 電力変換装置および電力変換モジュール
CN103163699B (zh) 2011-12-08 2016-05-04 上海中航光电子有限公司 用于非晶硅栅极驱动电路的电容器及液晶显示器
US20130278540A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Esat Yilmaz Inter Touch Sensor Communications
DE102013216824B4 (de) 2012-08-28 2024-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6046547A (en) * 1996-12-19 2000-04-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Self-emission type image display device
CN1720479A (zh) * 2002-12-04 2006-01-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵显示装置
CN101221328A (zh) * 2007-01-11 2008-07-16 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置及其制造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104483768A (zh) * 2015-01-04 2015-04-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法以及显示装置
CN104483768B (zh) * 2015-01-04 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法以及显示装置
CN104635392A (zh) * 2015-01-22 2015-05-20 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板
CN105206644A (zh) * 2015-08-28 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 透明显示组件和显示装置
US10121431B2 (en) 2015-09-15 2018-11-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register, gate driving circuit, display screen and method for driving the display screen
CN105047172A (zh) * 2015-09-15 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路、显示屏及其驱动方法
CN105655380A (zh) * 2016-03-17 2016-06-08 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板
CN110226193A (zh) * 2017-01-27 2019-09-10 夏普株式会社 有源矩阵基板以及使用它的显示装置
CN107516501A (zh) * 2017-10-10 2017-12-26 厦门天马微电子有限公司 显示基板、显示面板、显示装置及其驱动方法
CN108762593A (zh) * 2018-06-07 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 触控面板和触控装置
CN108762593B (zh) * 2018-06-07 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 触控面板和触控装置
US11372504B2 (en) 2018-06-07 2022-06-28 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Touch panel and touch device
CN109256053A (zh) * 2018-08-02 2019-01-22 友达光电股份有限公司 显示面板
CN109256053B (zh) * 2018-08-02 2021-01-01 友达光电股份有限公司 显示面板
US11194188B2 (en) 2018-11-27 2021-12-07 Au Optronics Corporation Display panel, driver circuit, and manufacturing method of display panel
CN114089867A (zh) * 2021-11-30 2022-02-25 长沙惠科光电有限公司 触控显示面板和显示装置

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