CN103926757A - Tft阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种TFT阵列基板、显示面板和显示装置，其中TFT阵列基板包括基板、位于基板上的遮光导电层和位于遮光导电层上方的公共电极，该阵列基板包括多个像素，遮光导电层包含遮光元件，用于遮挡每个像素内的TFT的沟道，包括多条沿第一方向延伸的第一公共电极线和沿第二方向延伸的第二公共电极线，第一公共电极线和第二公共电极线中的至少一条与公共电极电连接，第二公共电极线与第一公共电极线交错形成网状结构，二者在垂直于阵列基板方向的投影覆盖多个像素之间的间隙区域。上述阵列基板通过形成网状结构的第一公共电极线和第二公共电极线，且与公共电极电连接，提高了公共电极各处电压的均衡性，改善了串扰和画面闪烁问题。

Description

TFT阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，更具体地说，涉及一种TFT（Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管）阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

液晶显示面板具有低辐射、低功耗、体积轻薄等诸多优点，是目前显示技术领域最为主流的一种显示面板，广视角是液晶显示面板发展的一大趋势。根据液晶分子排布方式的不同，广视角液晶显示面板可分为IPS（In-PlaneSwitching，平面转换）型、FFS（Fringe Field Switching，边缘场开关）型、VA（Vertical Alignment，垂直定向）型。其中，FFS型液晶显示面板相比其它类型的广视角液晶显示面板具有高透光率、宽视角、交叉串扰小、响应速度快等优势，是领域内研究的热点。

FFS型液晶显示面板的每个像素单元的架构如图1所示，公共电极101为整片的片电极，像素电极102为梳齿状电极，栅极线103和数据线104纵横交错，二者交叠处具有TFT，TFT的源极与数据线104相连，漏极通过过孔与像素电极102相连，遮光层105设置于TFT所在区域，用于遮挡TFT。

现有技术中公共电极101通过采用ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）形成，且公共电极101的结构为整片的片电极，ITO的片电阻为60～80Ω/sq，造成公共电极101的阻值较大，这引起在电压传导过程中公共电极上的电压分布不均衡，产生串扰和画面闪烁的问题。

发明内容

本发明提供了一种TFT阵列基板、显示面板及显示装置，以改善显示面板的串扰和画面闪烁的问题，提高显示画面质量。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种TFT阵列基板，包括：基板、位于所述基板上的遮光导电层和位于所述遮光导电层上方的公共电极，其中，所述阵列基板包括多个像素，所述遮光导电层包含遮光元件，用于遮挡每个所述像素内的TFT的沟道，所述遮光导电层还包括：多条沿第一方向延伸的第一公共电极线和多条沿第二方向延伸的第二公共电极线；多条所述第一公共电极线和多条所述第二公共电极线中的至少一条与所述公共电极电连接，多条所述第一公共电极线与多条所述第二公共电极线交错形成网状结构，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影覆盖所述多个像素之间的间隙区域。

优选的，所述遮光导电层的材料为金属。

优选的，所述第一公共电极线和/或所述第二公共电极线通过过孔与所述公共电极电连接。

优选的，所述第一公共电极线在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影与所述TFT阵列基板的栅极线交叠，且所述第二公共电极线在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影与所述TFT阵列基板的数据线交叠。

优选的，所述阵列基板上的多个像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，所述红色像素和所述蓝色像素之间的所述第二公共电极线具有第一宽度，所述红色像素和所述绿色像素之间的所述第二公共电极线具有第二宽度，所述绿色像素和所述蓝色像素之间的所述第二公共电极线具有第三宽度，所述第一宽度、第二宽度和第三宽度中的至少一个大于所述数据线的宽度。

优选的，所述第二宽度大于所述第一宽度和/或所述第三宽度大于所述第一宽度。

优选的，所述第二宽度大于所述第三宽度。

优选的，所述TFT阵列基板沿透光方向依次包括：所述遮光导电层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、栅极线层、第三绝缘层、源漏极及数据线层、第四绝缘层、公共电极层、第五绝缘层和像素电极层，所述TFT阵列基板还包括：位于所述栅极线层的第一电极，所述第一电极与所述遮光导电层电连接，以与位于所述像素电极层的像素电极形成存储电容。

本发明还提供了一种显示面板，包括以上任一项所述的TFT阵列基板。

本发明还提供了一种显示面板，包括TFT阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及夹杂在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；所述彩膜基板包括与所述TFT阵列基板上红色像素对应的红色色阻、与所述TFT阵列基板上绿色像素对应的绿色色阻、以及与所述TFT阵列基板上蓝色像素对应的蓝色色阻，所述红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻之间具有黑矩阵；所述第一公共电极线的宽度小于或等于彩膜基板上相邻色阻之间的黑矩阵的宽度。

优选的，所述红色色阻与绿色色阻之间的黑矩阵的宽度小于所述红色像素与绿色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述红色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度大于或等于所述红色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述绿色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度大于或等于绿色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度。

优选的，所述红色色阻与绿色色阻之间的黑矩阵的宽度小于所述红色像素与绿色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述绿色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度小于所述绿色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述红色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度大于或等于所述红色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度。

本发明还提供了一种显示装置，包括以上任一项所述的显示面板。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案至少具有以下优点：

本发明所提供的TFT阵列基板、显示面板及显示装置，通过与原来用作遮挡TFT的遮光层在同一膜层中形成交错成网状结构的第一公共电极线和第二公共电极线，且使二者均与公共电极电连接，相当于给公共电极并联了一较小的电阻，从而使公共电极横向和纵向的电流传导更迅速，公共电极各处电压的均衡性比现有技术提高，减轻了由公共电极电压不均衡引起的显示面板串扰和画面闪烁的问题，提高了显示画面质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中FFS型液晶显示面板的每个像素单元的俯视图；

图2为本发明实施例一所提供的TFT阵列基板所在的显示面板的剖面图；

图3为本发明实施例一所提供的TFT阵列基板的部分像素的俯视图；

图4为本发明实施例一所提供的TFT阵列基板的遮光导电层的俯视图；

图5为本发明实施例二所提供的TFT阵列基板的遮光导电层的俯视图；

图6为本发明实施例二所提供的TFT阵列基板的剖面图；

图7为本发明实施例三所提供的TFT阵列基板的剖面图；

图8为本发明实施例三所提供的TFT阵列基板的公共电极与像素电极之间的存储电容的等效电路图；

图9为本发明实施例四所提供的显示面板的剖面图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

实施例一

本实施例提供了一种TFT阵列基板，尤其适合LTPS-TFT（LowTemperature Poly-silicon Thin Film Transistor，低温多晶硅薄膜场效应晶体管）阵列基板。结合图2、图3和图4所示，其中，图2为本实施例所提供的TFT阵列基板所在的显示面板的剖面图，图3为本实施例所提供的TFT阵列基板的部分像素的俯视图，图4为本实施例所提供的TFT阵列基板的遮光导电层的俯视图，该阵列基板20包括：基板200、遮光导电层201和公共电极209，阵列基板20包括多个像素300。

遮光导电层201位于基板200一侧的表面上，公共电极209位于遮光导电层201背离基板200的一侧。

具体的，遮光导电层201包含用于遮挡每个像素内的TFT的沟道的遮光元件（图2中未示出），遮光导电层201还包括：多条第一公共电极线303和多条第二公共电极线304；第一公共电极线303沿第一方向延伸，第二公共电极线304沿第二方向延伸；多条第一公共电极线303与多条第二公共电极线304交错形成网状结构，第一公共电极线303和第二公共电极线304在垂直于TFT阵列基板20方向上的投影覆盖多个像素300之间的间隙区域；多条第一公共电极线303和多条第二公共电极线304中的至少一条与公共电极209电连接（即至少一条第一公共电极线303和/或至少一条第二公共电极线304与公共电极209电连接）。

需要说明的是，本实施中多条第一公共电线303和多条第二公共电极线304之间优选的电连接，因此仅通过电连接它们中的至少一条至公共电极209即可实现第一公共电极线303和第二公共电极线304所形成的网状结构与公共电极209的电连接。

本实施例中，利用TFT阵列基板上原来用于遮挡TFT元件的遮光层，将该遮光层图案进一步延展成交错的网状结构，形成所述遮光导电层，并使该网状结构与公共电极209电连接，从而使形成该网状结构的第一公共电极线303和第二公共电极线304的电位与公共电极209的电位相同；由于第一公共电极线303和第二公共电极线304形成的网状结构的电阻比片状的公共电极209的电阻要小的多，这相当于给公共电极209并联了一个十分小的电阻，根据多个电阻并联后，整体的电阻比其中任何一个电阻都小的原理，本实施例中，对于第一公共电极线303和第二公共电极线304所形成的网状结构与公共电极209电连接形成的整体电极来讲，其电阻远小于原来公共电极的电阻，电流能够更迅速、更容易的通过公共电极进行传导，从而提高了电压在公共电极上分布的均衡性；从另一角度来讲，第一公共电极线303和第二公共电极线304所形成的网状结构的电阻相对于公共电极209非常小，电流更易在网状结构的遮光导电层201上传导，这相当于提高了公共电极209上的横向电流和纵向电流的传导效率，降低了公共电极209的横向传输电阻和纵向传输电阻，提高了电压在公共电极上分布的均衡性，使由公共电极电压不均衡引起的显示面板串扰和画面闪烁的问题得到较大程度的缓解，显著提高了显示画面质量。

基于降低电阻的思想，本实施例中遮光导电层201的材料优选的可采用电阻率小的材料，遮光导电层201的材料可为金属。

本实施例对遮光导电层在TFT阵列基板中的膜层位置并不具体限定，由于不同类型的显示面板（如：FFS（Fringe Field Switching，边缘场开关）型显示面板、IPS（In-Plane Switching，平面转换）型显示面板、MVA（Multi-DomainVertical Alignment，多畴垂直配向）型显示面板等），其TFT阵列基板的具体结构不同，因此遮光导电层可根据TFT阵列基板的不同结构位于不同的膜层位置。

第一公共电极线303和/或第二公共电极线304优选的可通过过孔与公共电极209电连接；在本发明的其它实施例中，第一公共电极线303和第二公共电极线304所形成的网状结构还可利用其它方式与公共电极209电连接。

本实施例中，在TFT阵列基板20的多个像素之间的间隙中具有多条栅极线和多条数据线，该多条栅极线沿第三方向延伸，多条数据线沿第四方向延伸，多条栅极线与多条数据线交错呈网状结构。优选的，遮光导电层201的多条第一公共电极线303在垂直于该TFT阵列基板20方向上的投影可与该多条栅极线交叠，多条第二公共电极线304在垂直于TFT阵列基板20方向上的投影可与该多条数据线交叠，即第一方向与第三方向平行，第二方向与第四方向平行；或者，遮光导电层201的多条第一公共电极线303在垂直于该TFT阵列基板20方向上的投影可与该多条数据线交叠，多条第二公共电极线304在垂直于TFT阵列基板20方向上的投影可与该多条栅极线交叠，即第一方向与第四方向平行，第二方向与第三方向平行。

需要说明的是，本实施例所提供的遮光导电层201中的第一公共电极线303和第二公共电极线304所形成的网状结构具有降低公共电极电阻的功能，遮光导电层201的遮光元件有遮挡TFT的沟道的功能。具体的，可使TFT的沟道在垂直于TFT阵列基板20的方向上的投影完全位于第一公共电极线303或第二公共电极线304所在的区域，从而实现对TFT沟道的遮挡。另外，所述遮光元件（图中未示出）可与位于同层的第一公共电极线303和第二公共电极线304电连接，也可电性绝缘，本实施例中，所述遮光元件优选的与第一公共电极线303和第二公共电极线304电性绝缘，从而可以避免对TFT沟道可能造成的调制作用。

本实施例所提供的TFT阵列基板20除上述结构外，还可进一步包括：

位于遮光导电层201背离基板200一面上的第一绝缘层202；

位于第一绝缘层202背离基板200一面上的有源层203；

位于有源层203背离基板200一面上的第二绝缘层204；

位于第二绝缘层204背离基板200一面上的栅极线层205，所述TFT阵列基板中TFT的栅极也可以位于这一层；

位于栅极线层205背离基板200一面上的第三绝缘层206；

位于第三绝缘层206背离基板200一面上的数据线、所述TFT的源极和漏极所在的膜层207；

位于数据线、源极和漏极所在的膜层207背离基板200一面上的第四绝缘层208；

位于第四绝缘层208背离基板200一面上的公共电极层209（即公共电极209）；

位于公共电极层209背离基板200一面上的第五绝缘层210；

位于第五绝缘层210背离基板200一面上的像素电极层211；

位于像素电极层211背离基板200一面上的第六绝缘层212。

需要指出的是，附图中所示出的各膜层仅为TFT阵列基板上各个元件之间的膜层位置关系，并不代表各个元件的实际形状和结构，不应以此限定本发明实施例。

另外，上述结构的TFT阵列基板为FFS型显示面板的阵列基板，本实施仅以该结构的TFT阵列基板为例进行展开说明，这并不能使本实施例所提出的将遮光层延伸成网状结构，并与公共电极电连接，以改善串扰和画面闪烁问题的技术方案的适用范围限定于此，本领域技术人员可以结合相关技术对非本发明重点做结构上等效替换。在本发明的其它实施例中，上述技术方案还可适用于其它类型或结构的TFT阵列基板。

实施例二

基于上述实施例一，本实施例提供了一种TFT阵列基板，该阵列基板在改善画面串扰和闪烁问题的基础上，进一步改善了显示画面的大视角色偏问题。

具体的，如图5所示，该阵列基板上的多个像素包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B，第一公共电极线303在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影与所述栅极线交叠，第二公共电极线304在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影与TFT阵列基板的数据线交叠，则红色像素R和蓝色像素B之间的第二公共电极线304具有第一宽度w₁，红色像素R和绿色像素G之间的第二公共电极线304具有第二宽度w₂，绿色像素G和蓝色像素B之间的第二公共电极线304具有第三宽度w₃。本实施例中，使第二宽度w₂大于第一宽度w₁，且第二宽度w₂大于数据线的宽度，能够改善显示面板的大视角色偏。

其原理如图6所示，光线从TFT阵列基板601入射，穿透与TFT阵列基板相对设置的彩膜基板602出射，若TFT阵列基板601的像素之间不存在第二公共电极线304，则TFT阵列基板上像素之间能够遮挡光线的元件为位于像素之间的数据线。如果显示面板要显示红色，一部分垂直入射的光线会经过红色像素R，从彩膜基板602上的红色色阻R’穿出，则从A₁方向正视观察显示画面呈红色；但是，当从A₂方向观察显示面板时，会有一部分光线（即L₁范围内的光线）从蓝色像素B与红色像素R之间的数据线右侧到达彩膜基板602上的蓝色色阻B’并穿出，即人眼接收的光线除经过了红色色阻R’的红光外，还包括经过了蓝色色阻B’的蓝光，使得从A₂方向观察显示画面偏蓝或偏紫；当从A₃方向观察显示面板时，会有一部分光线（即L₂范围内的光线）从绿色像素G与红色像素R之间的数据线右侧到达绿色色阻G’，即人眼接收的光线除经过了红色色阻R’的红光外，还包括经过了绿色色阻G’的绿光，使得从A₃方向观察显示画面偏黄，这就会引起大视角色偏现象。由于绿色像素的亮度的穿透率较高，因此A₃方向观察显示画面的色偏现象（即画面偏黄）尤其明显。

本实施例中，可通过使第一宽度w₁、第二宽度w₂和第三宽度w₃中的至少一个大于数据线的宽度，以改善相邻不同颜色像素的混色，达到减轻混色引起的色偏现象。

由于第二公共电极线304与数据线交叠，第二宽度w₂（即绿色像素G与红色像素R之间的第二公共电极线304的宽度）大于数据线的宽度，从而使第二公共电极线304成为遮挡红色像素R与绿色像素G之间的光线的元件，减少了从红色像素R进入绿色像素G的光线，改善了画面偏黄这一色偏问题。

同样的道理，为了减少蓝色像素B与绿色像素G的交界处的混色，优选的可使第三宽度w₃（即蓝色像素B与绿色像素G之间的第二公共电极线的宽度）大于数据线的宽度，以改善色偏；为了减少蓝色像素B与红色像素Ｒ的交界处的混色，优选的可使第一宽度w₁（即蓝色像素B与红色像素Ｒ之间的第二公共电极线的宽度）大于数据线的宽度，以改善色偏。

由于绿色像素G的亮度大于红色像素R的亮度，红色像素R的亮度大于蓝色像素B的亮度，因此，不同颜色像素交界处混色引起的色偏问题中，红绿混色引起色偏严重程度大于蓝绿混色，蓝绿混色引起色偏严重程度大于红蓝混色。基于上述现象，本实施例中优选的可首先使第二宽度w₂大于数据线的宽度，以改善红绿混色引起的色偏。在此基础上，还可使第三宽度w₃大于数据线的宽度，以改善蓝绿混色引起的色偏；或者在此基础上，还可进一步使第一宽度w₁大于数据线的宽度，以改善红蓝混色引起的色偏。

若仅使第二宽度w₂大于数据线的宽度，则第二宽度w₂＞第三宽度w₃，且第二宽度w₂＞第一宽度w₁，可对第三宽度w₃和第一宽度w₁的大小关系不限定；若进一步使第二宽度w₂和第三宽度w₃均大于数据线的宽度，第一宽度w₁小于数据线的宽度，则第二宽度w₂＞第一宽度w₁，且第三宽度w₃＞第一宽度w₁，根据不同颜色像素引起色偏的严重程度不同，优选的可使第二宽度w₂＞第三宽度w₃；若使第二宽度w₂、第一宽度w₁和第三宽度w₃均大于数据线的宽度，根据不同颜色像素引起色偏的严重程度不同，优选的可使第二宽度w₂＞第三宽度w₃＞第一宽度w₁。

若仅使第三宽度w₃大于数据线的宽度，则第三宽度w₃＞第二宽度w₂，且第三宽度w₃＞第一宽度w₁，可对第二宽度w₂和第一宽度w₁的大小关系不限定；若仅使第一宽度w₁大于数据线的宽度，则第一宽度w₁＞第二宽度w₂，且第一宽度w₁＞第三宽度w₃，可对第二宽度w₂和第三宽度w₃的大小关系不限定；若使第三宽度w₃和第一宽度w₁均大于数据线的宽度，第二宽度w₂小于数据线的宽度，则第三宽度w₃＞第二宽度w₂，且第一宽度w₁＞第二宽度w₂，根据不同颜色像素引起色偏的严重程度不同，优选的可使第三宽度w₃＞第一宽度w₁；若使第二宽度w₂和第一宽度w₁均大于数据线的宽度，第三宽度w₃小于数据线的宽度，则第二宽度w₂＞第三宽度w₃，且第一宽度w₁＞第三宽度w₃，根据不同颜色像素引起色偏的严重程度不同，优选的可使第二宽度w₂＞第一宽度w₁。

需要说明的是，本实施例仅以不同颜色像素之间设有第二公共电极线，且第二公共电极线与数据线交叠的结构为例对所提供的TFT阵列基板改善大视角色偏的效果进行说明，基于本实施例中的增大特定像素之间的第二公共电极线的宽度，以使其能够遮挡从一种像素进入相邻的另一种像素的光线，进而改善相邻不同颜色像素之间混色引起的色偏的技术方案，在本发明的其它实施例中，上述技术方案同样适用于不同颜色像素之间的公共电极线为第二公共电极线，且第二公共电极线与栅极线交叠的结构，或者不同颜色像素之间的公共电极线为第一公共电极线，且第一公共电极线与数据线交叠的结构，或者不同颜色像素之间的公共电极线为第一公共电极线，且第一公共电极线与栅极线交叠的结构。

实施例三

基于实施例一，本实施例提供了一种TFT阵列基板，如图7所示，沿透光方向依次包括：遮光导电层701、第一绝缘层702、有源层703、第二绝缘层704、栅极线层705、第三绝缘层706、源漏极及数据线层707、第四绝缘层708、公共电极层709、第五绝缘层710和像素电极层711，所述TFT阵列基板还包括：位于栅极线层705的第一电极(图7中未示出)，该第一电极与遮光导电层701电连接，以与位于像素电极层711的像素电极形成存储电容。

由实施例一可知，遮光导电层701中的第一公共电极线和第二公共电极线与公共电极层709（即公共电极）电连接，因此，遮光导电层701可以与像素电极层711的像素电极形成一存储电容，这相对于现有技术只有公共电极与像素电极形成的存储电容来说，相当于进一步增加了所述公共电极与所述像素电极之间的存储电容，提升了对像素电位的控制能力，从而改善面板的串扰和画面闪烁现象。

本实施例中，在上述基础上，通过在栅极线层705中设置一第一电极，并使其与遮光导电层701电连接，由于遮光导电层701中的第一公共电极线和第二公共电极线与公共电极层709电连接，因此，所述第一电极、遮光导电层701和公共电极层709处于同一电位，所述第一电极和遮光导电层701均能够与像素电极层711形成存储电容，这在实施例一的基础上，又进一步的增加了所述公共电极与所述像素电极之间的存储电容，从而进一步提升了对像素电位的控制能力，改善了面板的串扰和画面闪烁现象。

其中，遮光导电层701、第一电极705和公共电极层709处于同一电位V_com，有源层703、数据线707和像素电极层711由于所述TFT的源漏极导通的关系，可以处于同一电位V_pixel，该6个膜层交叉分布，在公共电极层709与像素电极层711之间分别形成存储电容C₁、C₂、C₃、C₄和C₅，各存储电容并联，其等效电路图如图8所示，这比单纯仅有公共电极层709与像素电极层711之间具有存储电容来说，相当于增加了形成所述存储电容的公共电极与像素电极的极板面积，从而增大了存储电容，对改善画面串扰和闪烁具有有益的效果。

所述第一电极的材料优选为金属，当第一电极705与栅极线处于同一膜层时，其与栅极线可在同一步骤下形成，二者的材料相同。

需要说明的是，以上所介绍的具体结构仅为本实施例所提供的技术方案的一个应用场景，在本发明的其它实施例中，所增设的第一电极还可与其它元件（如：数据线）处于同一膜层中；并且，本实施例所提供的通过设置第一电极，并使之与公共电极的电位相同，以增大公共电极与像素电极之间的存储电容的技术方案不仅可适用于FFS型的TFT阵列基板，还适用于IPS型、MVA型等其它类型的阵列基板。

实施例四

基于上述实施例一，本实施例优选的提供了一种显示面板，如图9所示，该显示面板包括：TFT阵列基板20、彩膜基板40和液晶层50，其中，TFT阵列基板20与彩膜基板40相对设置，液晶层50夹杂在TFT阵列基板20和彩膜基板40之间。

TFT阵列基板20包括：基板200，位于基板200上的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B，相邻像素之间具有第一公共电极线303或第二公共电极线304；仍以不同颜色像素之间的公共电极线为第二公共电极线304为例，红色像素R和蓝色像素B之间的第二公共电极线的宽度为w₁，红色像素R和绿色像素G之间的第二公共电极线的宽度为w₂，绿色像素G和蓝色像素B之间的第二公共电极线的宽度为w₃，如图5所示。

彩膜基板40包括：透明基板400，位于透明基板400上的网格状结构的黑矩阵401和填充于黑矩阵401的网格内的色阻层402，色阻层402包括红色色阻R’、绿色色阻G’和蓝色色阻B’，红色像素R与红色色阻R’相对应，绿色像素G和绿色色阻G’相对应，蓝色像素B和蓝色色阻B’相对应；红色色阻R’、绿色色阻G’、蓝色色阻B’之间具有黑矩阵，红色色阻R’和蓝色色阻B’之间的黑矩阵的宽度为w₁’，红色色阻R’和绿色色阻G’之间的黑矩阵的宽度为w₂’，绿色色阻G’和蓝色色阻B’之间的黑矩阵的宽度为w₃’。

常规的显示面板其彩膜基板上的黑矩阵为网格状，每个黑矩阵网格内填充有不同颜色的色阻，利用黑矩阵网格的尺寸决定显示面板的开口率，由于每个黑矩阵网格的开口率相同，而绿色色阻G’的光穿透率高于红色色阻R’的光穿透率，红色色阻R’的光穿透率高于蓝色色阻B’的穿透率，造成在相同的光强下，绿色像素的亮度大于红色像素和蓝色像素的亮度，表征在显示画面上会有白点偏黄的现象。

本实施例中，通过TFT阵列基板20上的第一公共电极线303和第二公共电极线304交错形成的网格，配合彩膜基板40上的黑矩阵401网格决定显示面板每个像素单元的开口率，在保证三种颜色像素的亮度趋同、不会受影响的情况下，使本实施例所得绿色像素对应的开口率小于现有技术中绿色像素对应的开口率，从而实现改善白点偏黄的目的。

具体的，当沿数据线方向的黑矩阵的宽度一致，即w₁’=w₂’=w₃’时，使沿栅极线方向延伸的第一公共电极线303的宽度小于或等于沿栅极线方向的黑矩阵的宽度，并使红色色阻R’与绿色色阻G’之间的黑矩阵的宽度w₂’小于红色像素R与绿色像素G之间的第二公共电极线304的宽度w₂，红色色阻R’与蓝色色阻B’之间的黑矩阵的宽度w₁’大于或等于红色像素R与蓝色像素B之间的第二公共电极线304的宽度w₁，绿色色阻G’与蓝色色阻B’之间的黑矩阵的宽度w₃’大于或等于绿色像素G与蓝色像素B之间的第二公共电极线304的宽度w₃，即w₂’＜w₂，w₁’≧w₁，w₃’≧w₃，从而使本实施例中绿色像素和红色像素各自对应的开口率相对于现有技术中均减小，使绿色、红色和蓝色的亮度相等或趋于一致，改善了显示画面白点偏黄。

为进一步改善白点偏黄现象，根据相同光强下，绿色色阻G’的穿透率高于红色色阻R’的穿透率，红色色阻R’的穿透率高于蓝色色阻B’的穿透率，本实施中，优选的可保持沿数据线方向的黑矩阵的宽度一致，即w₁’=w₂’=w₃’，使沿栅极线方向延伸的第一公共电极线303的宽度小于或等于沿栅极线方向的黑矩阵的宽度，并使红色色阻R’与绿色色阻G’之间的黑矩阵的宽度w₂’小于红色像素R与绿色像素G之间的第二公共电极线304的宽度w₂，绿色色阻G’与蓝色色阻B’之间的黑矩阵的宽度w₃’小于绿色像素G与蓝色像素B之间的第二公共电极线304的宽度w₃，红色色阻R’与蓝色色阻B’之间的黑矩阵的宽度w₁’大于或等于红色像素R与蓝色像素B之间的第二公共电极线304的宽度w₁，即w₂’＜w₂，w₃’＜w₃，w₁’≧w₁，从而可使本实施例中绿色像素、红色像素和蓝色像素各自对应的开口率均小于现有技术，且绿色像素对应的开口率最小，达到实现改善白点偏黄的目的；此时，如果同时使w₂＞w₃，则可得到本实施例中绿色像素对应的开口率小于红色像素对应的开口率，红色像素对应的开口率小于蓝色像素对应的开口率，使绿色、红色和蓝色三种像素的亮度相等或更加趋于一致，进一步改善了显示画面白点偏黄。

需要说明的是，本实施例仅以不同颜色像素之间设有第二公共电极线为例进行说明，在本发明的其它实施例中，不同颜色的像素单元之间还可为第一公共电极线，即图5中所示的第一公共电极线303与第二公共电极线304互换位置。

另外，在本实施例所提供的通过第一公共电极线和第二公共电极线形成的网格与黑矩阵网格相配合来改变不同颜色像素单元的开口率，使绿色像素单元的开口率相对于现有技术减小，在不影响整个显示屏幕光透过率的前提下，改善白点偏黄的技术方案的基础上，可以通过单独调整第二公共电极线的宽度，或者单独调整特定色阻之间的黑矩阵（沿数据线方向）的宽度，或者同时调整公共电极线和黑矩阵的宽度等技术手段，达到改变不同颜色像素单元开口率的目的，进而改善显示画面白点偏黄现象。

实施例五

基于以上实施例，本实施例提供了一种显示面板，包括以上任意一种实施例所述的TFT阵列基板。

本实施例还可以包括实施例四所述的显示面板，进一步的，参阅图2，所述显示面板可包括：与所述TFT阵列基板20相对设置的彩膜基板40，该彩膜基板40可包括：基板400，位于基板400朝向TFT阵列基板20的一侧表面上的黑矩阵401，填充于黑矩阵401所具有的网格内的色阻层402，覆盖在色阻层402表面的绝缘层403.

所述显示面板还可包括：位于TFT阵列基板20一侧表面上的第一配向层21；位于彩膜基板40朝向TFT阵列基板20一侧表面上的第二配向层41；填充于TFT阵列基板20与彩膜基板40之间的液晶层50夹在第一配向层21和第二配向层41之间。

需要说明的是，本实施例所提供的显示面板并不仅限定于液晶显示面板，还可为OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）显示面板等其它类型的显示面板。

本实施例所提供的显示面板，通过将TFT阵列基板上的所述遮光导电层延伸成网状结构，并使其与所述公共电极电连接，改善了串扰和画面闪烁问题。

进一步的，通过增大所述遮光导电层的第二公共电极线的宽度，以使其能够遮挡从一种像素进入相邻的另一种像素的光线，改善了相邻像素之间混色引起的色偏现象。

进一步的，通过在所述TFT阵列基板上设置第一电极，并使之与公共电极的电位相同，从而增大了所述公共电极与所述像素电极之间的存储电容，进一步改善了串扰和画面闪烁问题。

与本实施例和实施例四所提供的显示面板相对应的，本实施例还提供了一种显示装置，包括本实施例和实施例四所述的显示面板。

由于本实施例和实施例四所述的显示面板串扰、画面闪烁和色偏现象均较现有技术得到显著改善，因此，本实施例所提供的显示装置的显示画面质量较高。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (13)

1.一种TFT阵列基板，包括：基板、位于所述基板上的遮光导电层和位于所述遮光导电层上方的公共电极，其中，所述阵列基板包括多个像素，所述遮光导电层包含遮光元件，用于遮挡每个所述像素内的TFT的沟道，其特征在于，所述遮光导电层还包括：

多条沿第一方向延伸的第一公共电极线和多条沿第二方向延伸的第二公共电极线；

多条所述第一公共电极线和多条所述第二公共电极线中的至少一条与所述公共电极电连接，多条所述第一公共电极线与多条所述第二公共电极线交错形成网状结构，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影覆盖所述多个像素之间的间隙区域。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光导电层的材料为金属。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极线和/或所述第二公共电极线通过过孔与所述公共电极电连接。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极线在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影与所述TFT阵列基板的栅极线交叠，且所述第二公共电极线在垂直于所述TFT阵列基板方向上的投影与所述TFT阵列基板的数据线交叠。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上的多个像素包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，所述红色像素和所述蓝色像素之间的所述第二公共电极线具有第一宽度，所述红色像素和所述绿色像素之间的所述第二公共电极线具有第二宽度，所述绿色像素和所述蓝色像素之间的所述第二公共电极线具有第三宽度，所述第一宽度、第二宽度和第三宽度中的至少一个大于所述数据线的宽度。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二宽度大于所述第一宽度和/或所述第三宽度大于所述第一宽度。

7.根据权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二宽度大于所述第三宽度。

8.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，所述TFT阵列基板沿透光方向依次包括：所述遮光导电层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、栅极线层、第三绝缘层、源漏极及数据线层、第四绝缘层、公共电极层、第五绝缘层和像素电极层，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括：位于所述栅极线层的第一电极，所述第一电极与所述遮光导电层电连接，以与位于所述像素电极层的像素电极形成存储电容。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的TFT阵列基板。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求4所述的TFT阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及夹杂在所述阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；

所述彩膜基板包括与所述TFT阵列基板上红色像素对应的红色色阻、与所述TFT阵列基板上绿色像素对应的绿色色阻、以及与所述TFT阵列基板上蓝色像素对应的蓝色色阻，所述红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻之间具有黑矩阵；

所述第一公共电极线的宽度小于或等于彩膜基板上相邻色阻之间的黑矩阵的宽度。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述红色色阻与绿色色阻之间的黑矩阵的宽度小于所述红色像素与绿色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述红色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度大于或等于所述红色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述绿色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度大于或等于绿色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度。

12.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述红色色阻与绿色色阻之间的黑矩阵的宽度小于所述红色像素与绿色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述绿色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度小于所述绿色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度，所述红色色阻与蓝色色阻之间的黑矩阵的宽度大于或等于所述红色像素与蓝色像素之间的第二公共电极线的宽度。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9～12任一项所述的显示面板。