CN103875182A - 高频放大器模块及高频放大器模块单元 - Google Patents

高频放大器模块及高频放大器模块单元 Download PDF

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桧枝护重
嘉藤胜也
平野嘉仁
山本和也
上马弘敬
紫村辉之
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Abstract

包括：驱动级放大器3，放大从RF输入端子1输入的RF信号；以及最终级放大器5，放大由该驱动级放大器3放大的信号，并输出放大后的信号至RF输出端子7，其中，该驱动级放大器3在硅基板11上形成，该最终级放大器5在砷化镓基板上形成。因此，能够在维持与模块的整体在砷化镓基板71上形成时同等的高频特性的同时，实现低成本化。

Description

高频放大器模块及高频放大器模块单元
技术领域
本发明涉及例如放大作为高频信号的RF信号的高频放大器模块、以及安装有多个该高频放大器模块的高频放大器模块单元。
背景技术
图12是示出以下的非专利文件1公开的以往的高频放大器模块的结构图。
以往的高频放大器模块中，从RF输入端子101输入RF信号时，多级结构的驱动级放大器102放大RF信号，最终级放大器103进一步放大由驱动级放大器102放大了的RF信号，放大后的RF信号输出至RF输出端子104。
但是，将旁路路径105与最终级放大器103并联地设置，在切换控制电路106的控制下，切换开关107的输出目的地被切换至旁路路径105侧，如果切换开关108为断开（OFF）状态，则由驱动级放大器102放大了的RF信号在最终级放大器103不被放大，而经由旁路路径105从RF输出端子104输出。
此外，驱动级放大器102和最终级放大器103的电源电压由Vcc电源109供给，驱动级放大器102和最终级放大器103的偏置由偏置电路110设定。
在高频放大器模块中，一般各构成要素在硅基板上形成，非专利文件1中公开的高频放大器模块中，为了达到高效率化，在作为高频特性优异的化合物半导体的砷化镓基板上形成驱动级放大器102和最终级放大器103。
此外，关于切换控制电路106和偏置电路110，根据模块整体的尺寸要求，也在砷化镓基板上形成。
即，在非专利文件1中公开的高频放大器模块中，模块的整体形成在砷化镓基板上。
现有技术文件
非专利文件
非专利文件1：G.Hau et al.，“Multi-Mode WCDMA PowerAmplifier Module with Improved Low-Power Efficiency usingStage-Bypass，”IEEE RFIC Symposium Dig.，pp.163-166，June2010（G.Hau等人，《使用分级旁路的具有改善的低功率效率的WCDMA功率放大器模块》，IEEE RFIC研讨会摘要第163-166页，2010年6月）。
发明内容
发明所要解决的技术问题
由于以往的高频放大器模块如以上那样地构成，模块的整体在砷化镓基板上形成而达到高效率化。不过，由于作为高频特性优异的化合物半导体的砷化镓基板芯片单价高，有制造成本变高的技术问题。
本发明是用以解决上述的技术问题而做出的，目的在于得到在维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性的同时，能够实现低成本化的高频放大器模块和高频放大器模块单元。
解决技术问题的技术方案
根据本发明的高频放大器模块，具备：多级结构的驱动级放大器，放大从输入端子输入的信号；以及最终级放大器，放大由该驱动级放大器放大了的信号，并输出放大后的信号至输出端子，该驱动级放大器在硅基板上形成，该最终级放大器在砷化镓基板上形成。
发明效果
根据本发明，构成为具备：多级结构的驱动级放大器，放大从输入端子输入的信号；以及最终级放大器，放大由该驱动级放大器放大了的信号，并输出放大后的信号至输出端子，该驱动级放大器在硅基板上形成，该最终级放大器在砷化镓基板上形成，因此有如下效果：在维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性的同时，能够实现低成本化。
附图说明
图1为示出本发明的实施方式1的高频放大器模块的结构图。
图2为示出本发明的实施方式2的高频放大器模块的结构图。
图3为示出本发明的实施方式3的高频放大器模块的结构图。
图4为示出本发明的实施方式4的高频放大器模块的结构图。
图5为示出本发明的实施方式5的高频放大器模块的结构图。
图6为示出本发明的实施方式6的高频放大器模块的结构图。
图7为示出本发明的实施方式7的高频放大器模块单元的结构图。
图8为示出本发明的实施方式8的高频放大器模块单元的结构图。
图9为示出本发明的实施方式9的高频放大器模块的结构图。
图10为示出本发明的实施方式10的高频放大器模块的结构图。
图11为示出本发明的实施方式11的高频放大器模块的结构图。
图12为示出非专利文件1所公开的以往的高频放大器模块的结构图。
具体实施方式
以下，为了更详细地说明本发明，对于用于实施本发明的方式，根据附图进行说明。
实施方式1.
图1为示出本发明的实施方式1的高频放大器模块的结构图。
在图1中，RF输入端子1为输入RF信号的端子。
输入匹配电路2为驱动级放大器3的输入侧的匹配电路。
驱动级放大器3为由1～N级的放大元件构成的多级放大器，是放大从RF输入端子1输入的RF信号并输出放大后的RF信号至级间匹配电路4的器件。
级间匹配电路4为配置于驱动级放大器3与最终级放大器5之间的匹配电路。
最终级放大器5为进一步放大驱动级放大器3所放大的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6的器件。
输出匹配电路6为最终级放大器5的输出侧的匹配电路。
RF输出端子7为输出由最终级放大器5放大的RF信号的端子。
Vcc电源8为输出电源电压Vcc的电源。
Vcc电压控制电路9为控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的漏极或集电极的直流电压的电源电压控制电路。
此外，供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的漏极或集电极的直流电压，可以是与从Vcc电源8输出的电源电压Vcc相同的电压，也可以是将该电源电压Vcc变更的电压。
偏置电路10为通过控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的栅极或基极的直流电压或直流电流，来设定驱动级放大器3和最终级放大器5的偏置的电路。
硅基板11为由硅形成的基板，硅基板11中，形成有驱动级放大器3、Vcc电压控制电路9以及偏置电路10。
输入匹配电路2、级间匹配电路4以及输出匹配电路6和最终级放大器5在砷化镓基板上形成。
接下来对动作进行说明。
首先，在Vcc电压控制电路9接受到从Vcc电源8供给的电源电压Vcc时，通过控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的漏极或集电极的直流电压，将驱动级放大器3和最终级放大器5设定为可驱动状态。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3和最终级放大器5中的RF信号的放大率等为所期望的值，依照例如从外部给予的放大率的设定信息等，控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3和最终级放大器5的偏置。
在由偏置电路10设定了驱动级放大器3和最终级放大器5的偏置的状态下，在从RF输入端子1输入RF信号时，该RF信号通过输入匹配电路2输入至驱动级放大器3。
驱动级放大器3放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至级间匹配电路4。
从驱动级放大器3输出的RF信号通过级间匹配电路4被输入至最终级放大器5。
最终级放大器5放大通过级间匹配电路4而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从最终级放大器5输出的RF信号，通过输出匹配电路6，从RF输出端子7被输出至外部。
图1的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3在硅基板11上形成，最终级放大器5在砷化嫁基板上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5，驱动级放大器3为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果在高频特性优异的砷化镓基板上形成最终级放大器5，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性。
像这样，通过在硅基板11上形成驱动级放大器3，因为能够削减由砷化镓基板形成的芯片的面积，所以能够实现低成本化。
在此实施方式1中，虽然示出了输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6在砷化镓基板上形成，但即使不是将它们全部都在砷化镓基板上形成，而是其一部分在硅基板11（或者，外部的模块）上形成，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性。
例如，可以是输入匹配电路2与级间匹配电路4在硅基板11（或者，外部的模块）上形成，而输出匹配电路6在砷化镓基板上形成，也可以是输入匹配电路2在硅基板11（或者，外部的模块）上形成，而级间匹配电路4与输出匹配电路6在砷化镓基板上形成。
另外，还可以是输出匹配电路6在硅基板11（或者，外部的模块）上形成，而输入匹配电路2与级间匹配电路4在砷化镓基板上形成。
此外，在此实施方式1中，虽然示出了高频放大器模块安装有输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6，但也可以是没有安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6的一部分或全部的高频放大器模块。
实施方式2.
图2为示出本发明的实施方式2的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图1相同的符号表示相同或相当的部分，所以省略说明。
旁路路径21为一端连接至驱动级放大器3的输入侧，另一端连接至最终级放大器5的输出侧的路径。
在此实施方式2中，配置有驱动级放大器3和最终级放大器5的路径称作“主路径”。
旁路放大器22为配置于旁路路径21上的驱动级放大器，旁路放大器22的尺寸被设计为信号的放大率比驱动级放大器3和最终级放大器5的总放大率小。
路径切换用开关23为在旁路路径21上配置在旁路放大器22的输入侧，并在切换控制26的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关24为在旁路路径21上配置在旁路放大器22的输出侧，并在切换控制电路26的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关25为在主路径上配置在驱动级放大器3的输出侧，并在切换控制电路26的控制下接通／断开的开关。
切换控制电路26为通过接通／断开路径切换用开关23、24、25，选择主路径或旁路路径21作为使RF信号流过的路径的电路。
在此实施方式2中，旁路放大器22、路径切换用开关23、24、25和切换控制电路26在硅基板11上形成。
接下来，对动作进行说明。
首先，Vcc电压控制电路9在接受到从Vcc电源8供给的电源电压Vcc时，通过控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器22的漏极或集电极的直流电压，将驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器22设定为可驱动状态。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器22中的RF信号的放大率等为所期望的值，依照例如从外部给予的放大率设定信息等，控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器22的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器22的偏置。
在由偏置电路10设定了驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器22的偏置的状态下，从RF输入端子1输入RF信号时，该RF信号通过输入匹配电路2。
切换控制电路26在例如从外部输入表示以低输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关23、24为接通，并控制路径切换用开关25为断开，由此选择旁路路径21作为使RF信号流过的路径。
因此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至旁路放大器22。
旁路放大器22放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从旁路放大器22输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7输出至外部。
切换控制电路26在例如从外部输入表示以高输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关23、24为断开，并控制路径切换用开关25为接通，由此选择主路径作为使RF信号流过的路径。
由此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至驱动级放大器3，
驱动级放大器3放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至级间匹配电路4。
从驱动级放大器3输出的RF信号通过级间匹配电路4，输入至最终级放大器5，
最终级放大器5放大通过级间匹配电路4而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从最终级放大器5输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7被输出至外部。
在图2的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3和旁路放大器22在硅基板11上形成，最终级放大器5在砷化镓基板上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5，驱动级放大器3和旁路放大器22为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果在高频特性优异的砷化镓基板上形成最终级放大器5，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路放大器22，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性。
像这样，通过在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路放大器22，能够削减以砷化镓基板形成的芯片的面积，所以能够实现低成本化。
此外，在此实施方式2中，虽然在硅基板11上形成路径切换用开关23、24、25，但也可以在砷化镓基板上形成路径切换用开关23、24、25。
另外，在此实施方式2中，虽然示出了高频放大器模块安装有输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6，但也可以是没有安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6的一部分或全部的高频放大器模块。
实施方式3.
图3为示出本发明的实施方式3的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图1相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
旁路路径31为一端连接至驱动级放大器3的输出侧，另一端连接至最终级放大器5的输出侧的路径。
在此实施方式3中，配置驱动级放大器3和最终级放大器5的路径称为“主路径”。
旁路放大器32为配置于旁路路径31上的最终级放大器，旁路放大器32的尺寸设计为比最终级放大器5的尺寸小。
路径切换用开关33为在旁路路径31上配置在旁路放大器32的输入侧，并在切换控制电路36的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关34为在旁路路径31上配置在旁路放大器32的输出侧，并在切换控制电路36的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关35为在主路径上配置在驱动级放大器3的输出侧，并在切换控制电路36的控制下接通／断开的开关。
切换控制电路36为通过接通／断开路径切换用开关33、34、35，选择主路径或旁路路径31作为使RF信号流过的路径的电路。
在此实施方式3中，旁路放大器32、路径切换用开关33、34、35和切换控制电路36在硅基板11上形成。
接下来，对动作进行说明。
首先，Vcc电压控制电路9在接受到从Vcc电源8供给的电源电压Vcc时，通过控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器32的漏极或集电极的直流电压，将驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器32设定为可驱动状态。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器32中的RF信号的放大率等为所期望的值，依照例如从外部给予的放大率的设定信息等，控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器32的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器32的偏置。
在由偏置电路10设定了驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器32的偏置的状态下，在从RF输入端子1输入RF信号时，该RF信号通过输入匹配电路2。
驱动级放大器3放大通过输入匹配电路2而来的RF信号。
切换控制电路36在例如从外部输入表示以低输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关33、34为接通，并控制路径切换用开关35为断开，由此选择旁路路径31作为使RF信号流过的路径。
因此，由驱动级放大器3放大的RF信号输入至旁路放大器32。
旁路放大器32放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从旁路放大器32输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7输出至外部。
切换控制电路36在例如从外部输入表示以高输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关33、34为断开，并控制路径切换用开关35为接通，由此选择主路径作为使RF信号流过的路径。
由此，由驱动级放大器3放大的RF信号通过级间匹配电路4输入至最终级放大器5。
最终级放大器5放大通过级间匹配电路4而来的信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从最终级放大器5输出的RF信号通过输出匹配电路从RF输出端子7输出至外部。
在图3的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3和旁路放大器32在硅基板11上形成，而最终级放大器5在砷化镓基板上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5，驱动级放大器3和旁路放大器32为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果在高频特性优异的砷化镓基板上形成最终级放大器5，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路放大器32，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性。
像这样，通过在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路放大器32，能够削减以砷化镓基板形成的芯片的面积，所以能够实现低成本化。
此外，在此实施方式3中，虽然在硅基板11上形成路径切换用开关33、34、35，但也可以在砷化镓基板上形成路径切换用开关33、34、35。
此外，在此实施方式3中，虽然示出了高频放大器模块安装有输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6，但也可以是没有安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6的一部分或全部的高频放大器模块。
实施方式4.
图4为示出本发明的实施方式4的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图1相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
旁路路径41为一端连接至驱动级放大器3的输入侧，另一端连接至最终级放大器5的输出侧的路径。
在此实施方式4中，配置驱动级放大器3和最终级放大器5的路径称为“主路径”。
旁路驱动级放大器42为配置于旁路路径41上，由1～N级的放大元件构成的多级放大器，旁路驱动级放大器42为放大从RF输入端子1输入的RF信号的器件。
旁路最终级放大器43为配置于旁路路径41上，进一步放大由旁路驱动级放大器42放大的RF信号，将放大后的RF信号输出至输出匹配电路6的器件。
此外，旁路最终级放大器43的尺寸被设计为比最终级放大器5的尺寸小。
路径切换用开关44为在旁路路径41上配置于旁路驱动级放大器42的输入侧，在切换控制电路47的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关45为在旁路路径41上配置于旁路驱动级放大器42的输出侧，在切换控制电路47的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关46为在主路径上配置于驱动级放大器3的输出侧，在切换控制电路47的控制下接通／断开的开关。
切换控制电路47为通过接通／断开路径切换用开关44、45、46，选择主路径或旁路路径41作为使RF信号流过的路径的电路。
在此实施方式4中，旁路驱动级放大器42、路径切换用开关44、45、46和切换控制电路46在硅基板11上形成。
旁路最终级放大器43在砷化镓基板上形成。
接下来，对动作进行说明。
首先，Vcc电压控制电路9在接受到从Vcc电源8供给的电源电压Vcc时，通过控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5、旁路驱动级放大器42和旁路最终级放大器43的漏极或集电极的直流电压，设定驱动级放大器3、最终级放大器5、旁路驱动级放大器42和旁路最终级放大器43为可驱动状态。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3、最终级放大器5、旁路驱动级放大器42和旁路最终级放大器43中的RF信号的放大率等为所期望的值，依照例如从外部给予的放大率的设定信息等，控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5、旁路驱动级放大器42和旁路最终级放大器43的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3、最终级放大器5、旁路驱动级放大器42和旁路最终级放大器43的偏置。
在由偏置电路10设定了驱动级放大器3、最终级放大器5、旁路驱动级放大器42和旁路最终级放大器43的偏置的状态下，从RF输入端子1输入RF信号时，该RF信号通过输入匹配电路2。
切换控制电路46在例如从外部输入表示以低输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关44、45为接通，并控制路径切换用开关46为断开，由此选择旁路路径41作为使RF信号流过的路径。
因此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至旁路驱动级放大器42。
旁路驱动级放大器42放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至旁路最终级放大器43。
旁路最终级放大器43进一步放大由旁路驱动级放大器42放大的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从旁路最终级放大器43输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7输出至外部。
切换控制电路46在例如从外部输入表示以高输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关44、45为断开，并控制路径切换用开关46为接通，由此选择主路径作为使RF信号流过的路径。
由此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至驱动级放大器3。
驱动级放大器3放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至级间匹配电路4。
从驱动级放大器3输出的RF信号通过级间匹配电路4，被输入至最终级放大器5。
最终级放大器5放大通过级间输入匹配电路4而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从最终级放大器5输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7被输出至外部。
在图4的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3和旁路驱动级放大器42在硅基板11上形成，最终级放大器5和旁路最终级放大器43在砷化镓基板上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5和旁路最终级放大器43，驱动级放大器3和旁路驱动级放大器42为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果在高频特性优异的砷化镓基板上形成最终级放大器5和旁路最终级放大器43，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路驱动级放大器42，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性。
像这样，通过在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路驱动级放大器42，能够削减以砷化镓基板形成的芯片的面积，所以能够实现低成本化。
此外，在此实施方式4中，虽然在硅基板11上形成路径切换用开关44、45、46，但也可以在砷化镓基板上形成路径切换用开关44、45、46。
另外，在此实施方式4中，虽然示出了高频放大器模块安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6，但也可以是没有安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6的一部分或全部的高频放大器模块。
实施方式5.
图5为示出本发明的实施方式5的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图1相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
第1旁路路径51为一端连接至驱动级放大器3的输入侧，另一端连接至驱动级放大器3的输出侧的路径。
第2旁路路径52为一端连接至最终级放大器5的输入侧，另一端连接至最终级放大器5的输出侧的路径。
在此实施方式5中，配置驱动级放大器3和最终级放大器5的路径称为“主路径”。
旁路放大器53为配置于第1旁路路径51上的驱动级放大器，旁路放大器52的尺寸被设计为比驱动级放大器3的尺寸小。
路径切换用开关54为在第1旁路路径51上，配置于旁路放大器53的输出侧，在切换控制电路57的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关55为配置在第2旁路路径52上在切换控制电路57的控制下接通／断开的开关。
路径切换用开关56为在主路径上配置于驱动级放大器3的输出侧，在切换控制电路57的控制下接通／断开的开关。
切换控制电路57为通过接通／断开路径切换用开关54、55、56，选择主路径或旁路路径51、52作为使RF信号流过的路径的电路。
在此实施方式5中，旁路放大器53、路径切换用开关54、55、56和切换控制电路57在硅基板11上形成。
接下来，对动作进行说明。
首先，Vcc电压控制电路9在接受到从Vcc电源8供给的电源电压Vcc时，通过控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器53的漏极或集电极的直流电压，将驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器53设定为可驱动状态。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器53中的RF信号的放大率等为所期望的值，依照例如从外部给予的放大率的设定信息等，控制供给至驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器53的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器53的偏置。
在由偏置电路10设定了驱动级放大器3、最终级放大器5和旁路放大器53的偏置的状态下，从RF输入端子1输入RF信号时，该RF信号通过输入匹配电路2。
切换控制电路57在例如从外部输入表示以低输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关54、55为接通，并控制路径切换用开关56为断开，由此选择第1旁路路径51和第2旁路路径52作为使RF信号流过的路径。
因此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至旁路放大器53。
旁路放大器53放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号。
从旁路放大器53输出的RF信号经由第2旁路路径52被输入至输出匹配电路6。
从旁路放大器22输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7被输出至外部。
切换控制电路57在例如从外部输入表示以中输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关55为接通，并控制路径切换用开关54、56为断开，由此选择主路径和第2旁路路径52作为使RF信号流过的路径。
由此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至驱动级放大器3。
驱动级放大器3放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号。
从驱动级放大器3输出的RF信号经由第2旁路路径52，被输入至输出匹配电路6。
从驱动级放大器3输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7被输出至外部。
切换控制电路57在例如从外部输入表示以高输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关56为接通，并控制路径切换用开关54、54为断开，由此选择主路径作为使RF信号流过的路径。
由此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至驱动级放大器3。
驱动级故大器3放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至级间匹配电路4。
从驱动级放大器3输出的RF信号通过级间匹配电路4，被输入至最终级放大器5。
最终级放大器5放大通过级间匹配电路4而来的信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从最终级故大器5输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7被输出至外部。
在图5的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3和旁路放大器53在硅基板11上形成，最终级放大器5在砷化镓基板上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5，驱动级放大器3和旁路放大器53为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果在高频特性优异的砷化镓基板上形成最终级放大器5，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路放大器53，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性。
像这样，通过在硅基板11上形成驱动级放大器3和旁路放大器53，能够削减以砷化镓基板形成的芯片的面积，所以能够实现低成本化。
此外，在此实施方式5中，虽然在硅基板11上形成路径切换用开关54、55、56，但也可以在砷化镓基板上形成路径切换用开关54、55、56。
另外，在此实施方式5中，虽然示出了高频放大器模块安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6，但也可以是没有安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6的一部分或全部的高频放大器模块。
实施方式6.
图6为示出本发明的实施方式6的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图1相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
最终级放大器61-1～61-N为在驱动级放大器3的输出侧并联连接N个，进一步放大由驱动级放大器3放大的RF信号并输出放大后的RF信号至输出匹配电路62-1～62-N的器件。
输出匹配电路62-1～62-N为最终级放大器61-1～61-N的输出侧的匹配电路。
RF输出端子63-1～63-N为输出由最终级放大器61-1～61-N放大的RF信号的端子。
路径切换用开关64为在切换控制电路65的控制下，将由驱动级放大器3放大的RF信号输出至某一个最终级放大器61的开关。
切换控制电路65为切换路径切换用开关64的输出目的地的电路。
在此实施方式6中，驱动级放大器3、Vcc电压控制电路9、偏置电路10、路径切换用开关64和切换控制电路65在硅基板11上形成。
输入匹配电路2以及输出匹配电路62-1～62-N和最终级放大器61-1～61-N在砷化镓基板上形成。
接下来对动作进行说明。
首先，Vcc电压控制电路9在接受到从Vcc电源8供给的电源电压Vcc时，通过控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器61-1～61-N的漏极或集电极的直流电压，设定驱动级放大器3和最终级放大器61-1～61-N为可驱动状态。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3和最终级放大器61-1～61-N中的RF信号的放大率等为所期望的值，依照例如从外部给予的放大率的设定信息等，控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器61-1～61-N的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3和最终级放大器61-1～61-N的偏置。
在由偏置电路10设定了驱动级放大器3和最终级放大器61-1～61-N的偏置的状态下，从RF输入端子1输入RF信号时，该RF信号通过输入匹配电路2。
在此实施方式6中，假设从RF输入端子1依次输入频率不同的RF信号的情况。
切换控制电路65在例如从外部输入示出RF信号的频率的信息时，将路径切换用开关64的输出目的地切换为与上述RF信号的频率对应的最终级放大器61，而将该RF信号输入至该最终级放大器61。
例如，如果RF信号的频率为AHz，则路径切换用开关64的输出目的地切换为最终级放大器61-1，如果RF信号的频率为BHz，则路径切换用开关64的输出目的地切换为最终级放大器61-2，如果RF信号的频率为CHz，则路径切换用开关64的输出目的地切换为最终级放大器61-N。
在最终级放大器61-1～61-N中，从驱动级放大器3经由路径切换用开关64输入RF信号的最终级故大器61放大该RF信号，输出放大后的RF信号至输出匹配电路62。
从最终级放大器61-1～61-N输出的RF信号通过输出匹配电路62-1～62-N，从RF输出端子63-1～63-N输出至外部。
在图6的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3在硅基板11上形成，最终级放大器61-1～61-N在砷化镓基板上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器61-1～61-N，驱动级放大器3为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果高频特性优异的砷化镓基板上形成最终级放大器61-1～61-N，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3，也能够维持与模块的整体在砷化嫁基板上形成时同等的高频特性。
像这样，通过在硅基板11上形成驱动级放大器3，能够削减以砷化镓基板形成的芯片的面积，所以能够实现低成本化。
此外，该实拖方式6中，虽然在硅基板11上形成路径切换用开关64，但也可以在砷化镓基板上形成路径切换用开关64。
另外，在此实施方式6中，虽然示出了高频放大器模块安装输入匹配电路2和最终级放大器61-1～61-N，但也可以是没有安装输入匹配电路2和最终级放大器61-1～61-N的一部分或全部的高频放大器模块。
另外，也可以是安装级间匹配电路的高频放大器模块。
实施方式7.
图7为示出本发明的实施方式7的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图2相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
旁路路径27为一端连接至驱动级放大器3的输出侧，另一端连接至最终级放大器5的输出侧的路径。
在此实施方式7中，配置驱动级放大器3和最终级放大器5的路径称作“主路径”。
路径切换用开关28为配置于旁路路径27上，在切换控制电路29的控制下接通／断开的开关。
切换控制电路29为通过接通／断开路径切换用开关25、28，选择主路径或旁路路径27作为使RF信号流过的路径的电路。
在此实施方式7中，路径切换用开关25、28和切换控制电路29在硅基板11上形成。
接下来对动作进行说明。
首先，Vcc电压控制电路9在接受到从Vcc电源8供给的电源电压Vcc时，通过控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的漏极或集电极的直流电压，设定驱动级放大器3和最终级放大器5为可驱动状态。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3和最终级放大器5中的RF信号的放大率等为所期望的值，依照例如从外部给予的放大率的设定信息等，控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3和最终级放大器5的偏置。
在由偏置电路10设定了驱动级放大器3和最终级放大器5的偏置的状态下，从RF输入端子1输入RF信号时，该RF信号通过输入匹配电路2。
切换控制电路29在例如从外部输入表示以低输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关28为接通，并控制路径切换用开关25为断开，由此选择旁路路径27作为使RF信号流过的路径。
因此，通过输入匹配电路2的RF信号经由旁路路径27输入至输出匹配电路6。
从旁路路径27输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7被输出至外部。
切换控制电路29在例如从外部输入表示以高输出功率驱动RF信号的意思的控制信息时，控制路径切换用开关25为接通，并控制路径切换用开关28为断开，由此选择主路径作为使RF信号流过的路径。
由此，通过输入匹配电路2的RF信号被输入至驱动级放大器3。
驱动级放大器3放大通过输入匹配电路2而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至级间匹配电路4。
从驱动级放大器3输出的RF信号通过级间匹配电路4输入至最终级放大器5。
最终级放大器5放大通过级间匹配电路4而来的RF信号，并输出放大后的RF信号至输出匹配电路6。
从最终级放大器5输出的RF信号通过输出匹配电路6，从RF输出端子7输出至外部。
在图7的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3在硅基板11上形成，最终级放大器5在砷化镓基板上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5，驱动级放大器3为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果在高频特性优异的砷化镓基板上形成最终级放大器5，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时同等的高频特性。
像这样，通过在硅基板11上形成驱动级放大器3，能够削减以砷化镓基板形成的芯片的面积，所以能够实现低成本化。
此外，在此实施方式7中，虽然在硅基板11上形成路径切换用开关25、28，但也可以在砷化镓基板上形成路径切换用开关25、28。
此外，在此实施方式7中，虽然示出了高频放大器模块安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6，但也可以是没有安装输入匹配电路2、级间匹配电路4和输出匹配电路6的一部分或全部的高频放大器模块。
实施方式8.
图8为示出本发明的实施方式8的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图2相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
砷化镓基板71为以砷化镓形成的基板，形成有级间匹配电路4、最终级放大器5和温度检测电路72。
温度检测电路72具有检测砷化镓基板71的温度的功能，实施依照砷化镓基板71的温度调整偏置电路10所设定的偏置的处理。此外，温度检测电路72构成偏置调整装置。
接下来对动作进行说明。
其中，由于除了安装温度检测电路72这点之外与上述实施方式1相同，在此主要对温度检测电路72的处理内容进行说明。
偏置电路10为了设定驱动级放大器3和最终级放大器5中的RF信号的放大率等为所期望的值，与上述实施方式1相同地，依照例如从外部给予的放大率的设定信息等，控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的栅极或基极的直流电压或直流电流，由此设定驱动级放大器3和最终级放大器5的偏置。
此时，温度检测电路72具有检测砷化镓基板71的温度的功能，检测砷化嫁基板71的温度T。
例如，温度检测电路72具备具有与检测砷化镓基板71大致相同的温度特性的二极体或双极型晶体管，从而能够检测出砷化镓基板71的温度。
温度检测电路72在检测出砷化镓基板71的温度T时，算出砷化镓基板71的温度T与预先设定的基准温度Tref之间的差分ΔT，输出对应此差分ΔT的调整信号至偏置电路10。
ΔT=T－Tref
偏置电路10在从温度检测电路72接收到对应于差分ΔT的调整信号时，根据此调整信号，调整对驱动级放大器3和最终级放大器5的控制信号（控制供给至驱动级放大器3和最终级放大器5的栅极或基极的直流电压或直流电流的控制电压），例如砷化镓基板71的温度T比基准温度Tref高时，该差分ΔT的绝对值越大，将该控制电压调整得越小。
相反地，砷化镓基板71的温度T比基准温度Tref低时，该差分ΔT的绝对值越大，将该控制电压调整得越大。
因此，能够进行可温度补偿的偏置供给。
在图8的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3在硅基板11上形成，最终级放大器5在砷化镓基板71上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5，驱动级放大器3为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果高频特性优异的砷化镓基板71上形成最终级放大器5，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板了1上形成时同等的高频特性。
此外，由于将具有检测砷化嫁基板71温度的功能、根据砷化镓基板71的温度调整由偏置电路10设定的偏置的温度检测电路72在砷化镓基板71上形成，所以即使在硅基板11上形成偏置电路10，也能够得到可温度补偿的高频放大器模块。
这样的情况下，由于不必在砷化镓基板71上形成偏置电路10，所以能够削减以砷化镓基板71形成的芯片的面积，即使是可温度补偿的高频放大器模块，也能够实现低成本化。
实施方式9.
图9为示出本发明的实施方式9的高频放大器模块的结构图，在图中，由于与图2相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
电流镜型偏置电路73为在砷化镓基板71上形成的、根据从偏置电路10输出的恒定电流的控制信号而形成电流镜的电路，并构成调整由偏置电路10设定的偏置的偏置调整装置。
此外，构成电流镜型偏置电路73的电流镜用晶体管以与最终级放大器5相同的器件构成。
在图9的高频放大器模块中，电流镜型偏置电路73在砷化镓基板71上形成，根据从偏置电路10输出的恒定电流的控制信号，形成电流镜。
因此，如果构成电流镜型偏置电路73的电流镜用晶体管以与最终级放大器5相同的器件构成，则由电流镜型偏置电路73，根据砷化镓基板71的温度，调整作为偏置电路10的输出信号的控制信号，温度调整后的控制信号被给予最终级放大器5。
顺便说起，在上述实施方式2中，作为在硅基板11上形成的偏置电路10的输出信号的控制信号，被直接给予砷化镓基板71上形成的最终级放大器5。
因此，能够进行可温度补偿的偏置供给。
在图9的高频放大器模块中，虽然驱动级放大器3在硅基板11上形成，最终级放大器5在砷化镓基板71上形成，但支配高频特性的放大器为最终级放大器5，驱动级放大器3为对高频特性不产生特别影响的放大器。
因此，如果高频特性优异的砷化镓基板71上形成最终级放大器5，则即使在硅基板11上形成驱动级放大器3，也能够维持与模块的整体在砷化镓基板71上形成时同等的高频特性。
此外，因为根据从偏置电路10输出的恒定电流的控制信号而形成电流镜的电流镜型偏置电路73在砷化镓基板71形成，所以即使偏置电路10在硅基板11上形成，也能够得到可温度补偿的高频放大器模块。
这样的情况下，由于不必在砷化镓基板71上形成偏置电路10，所以能够削减以砷化镓基板71形成的芯片的面积，即使是可温度补偿的高频放大器模块，也能够实现低成本化。
在此实施方式9中，虽然示出了根据从偏置电路10输出的恒定电流的控制信号而形成电流镜的电流镜型偏置电路73在砷化镓基板71上形成，但也可以取代电流镜型偏置电路73而在砷化镓基板71形成包含以与最终级放大器5相同的器件所构成的双极型晶体管的射极跟随器型偏置电路。
这样的情况下，通过射极跟随器型偏置电路，根据砷化镓基板71的温度，调整作为偏置电路10的输出信号的恒定电压的控制信号，温度调整后的控制信号被给予最终级放大器5。
因此，与电流镜型偏置电路73在砷化镓基板71上形成的情况相同，能够进行可温度补偿的偏置供给，即使是可温度补偿的高频放大器模块，也能够实现低成本化。
实施方式10.
图10为示出本发明的实施方式10的高频放大器模块单元的结构图。
在图10中，RF输入端子81-1～81-M为输入RF信号的端子。
在此实施方式10中，假设从RF输入端子81-1～81-M输入频率不同的RF信号的情况。
高频放大器模块82-1～82-M为上述实施方式1～5、7～9中任一个所记载的高频放大器模块（图1～图5、图7～图9中所记载的高频放大器模块），由高频放大器模块82-1～82-M放大了的RF信号从RF输出端子83-1～83-M输出。
在构筑安装多个高频放大器模块的高频放大器模块单元的情况下，也如图10所示，通过安装在硅基板和砷化镓基板形成的高频放大器模块82-1～82-M，与上述实施方式1～5、7～9同样地，达到如下效果：在维持优异的高频特性的同时，能够实现低成本化。
实施方式11.
图11为示出本发明的实施方式11的高频放大器模块单元的结构图，在图中，由于与图10相同的符号表示相同或相当部分，所以省略说明。
高频放大器模块91-1～91-M为上述实施方式6中所记载的高频放大器模块（图6中所记载的高频放大器模块），由高频放大器模块91-1～91-M放大了的RF信号从RF输出端子92-1～92-M输出。
在构筑安装多个高频放大器模块的高频放大器模块单元的情况下，也如图10所示，通过安装在硅基板与砷化镓基板形成的高频放大器模块91-1～91-M，与上述实施方式6同样地，达到如下效果：在维持优异的高频特性的同时，能够实现低成本化。
此外，本申请发明在其发明的范围内，可以是各实施方式的自由组合，或是各实施方式任意构成要素的变形，或者各实施方式中省略任意的构成要素。
产业上的可利用性
本发明例如适用于在放大作为高频信号的RF信号时，在维持与模块的整体在砷化镓基板上形成时相同的高频特性的同时，需要实现低成本化的高频放大器模块。
附图标记
1：RF输入端子；2：输入匹配电路；3：驱动级放大器；4：级间匹配电路；5：最终级放大器；6：输出匹配电路；7：RF输出端子；8：Vcc电源；9：Vcc电压控制电路（电源电压控制电路）；10：偏置电路；11：硅基板；21、27、31、41：旁路路径；22、32：旁路放大器；23、24、25、28、33、34、35、44、45、46：路径切换用开关；26、29、36、47：切换控制电路；42：旁路驱动级放大器；43：旁路最终级放大器；51：第1旁路路径；52：第2旁路路径；53：旁路放大器；54、55、56：路径切换用开关；57：切换控制电路：61-1～61-N：最终级放大器；62-1～62-N：输出匹配电路；63-1～63-N：RF输出端子；64：路径切换用开关；65：切换控制电路；71：砷化镓基板；72：温度检测电路（偏置调整装置）；73：电流镜型偏置电路（偏置调整装置）；81-1～81-M：RF输入端子；82-1～82-M：高频放大器模块；83-1～83-M：RF输出端子；91-1～91-M：高频放大器模块；92-1～92-M：RF输出端子；101：RF输入端子；102：驱动级放大器；103：最终级放大器；104：RF输出端子；105：旁路路径；106：切换控制电路；107、108：切换开关；109：Vcc电源；110：偏置电路。

Claims (20)

1.一种高频放大器模块，包括：多级结构的驱动级放大器，放大从输入端子输入的信号；以及最终级放大器，放大由所述驱动级放大器放大了的信号，并将放大后的信号输出至输出端子，其特征在于，
所述驱动级放大器在硅基板上形成，所述最终级放大器在砷化镓基板上形成。
2.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
包括：旁路路径，一端连接至驱动级放大器的输入侧，另一端连接至最终级放大器的输出侧；以及旁路放大器，配置于所述旁路路径上，
所述旁路放大器在硅基板上形成。
3.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
包括：旁路路径，一端连接至驱动级放大器的输入侧，另一端连接至最终级放大器的输出侧；以及旁路放大器，配置于所述旁路路径上，尺寸比所述最终级放大器小，
所述旁路放大器在硅基板上形成。
4.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
包括：旁路路径，一端连接至驱动级放大器的输入侧，另一端连接至最终级放大器的输出侧；多级结构的旁路驱动级放大器，配置于所述旁路路径上，放大从所述输入端子输入的信号；以及旁路最终级放大器，配置于所述旁路路径上，放大由所述旁路驱动级放大器放大了的信号，并输出放大后的信号至输出端子，
其中，所述旁路驱动级放大器在硅基板上形成，所述旁路最终级放大器在砷化镓基板上形成。
5.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
包括：第1旁路路径，一端连接至驱动级放大器的输入侧，另一端连接至驱动级放大器的输出侧；第2旁路路径，一端连接至最终级放大器的输入侧，另一端连接至所述最终级放大器的输出侧；以及旁路放大器，配置于所述第1旁路路径上，尺寸比所述驱动级放大器小，
所述旁路放大器在硅基板上形成。
6.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
多个在砷化镓基板上形成的最终级放大器在驱动级放大器的输出侧并联连接。
7.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
包括：旁路路径，一端连接至驱动级放大器的输出侧，另一端连接至最终级放大器的输出侧。
8.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
在驱动级放大器的输入侧配置输入匹配电路，在所述驱动级放大器与最终级放大器之间配置级间匹配电路，在所述最终级放大器的输出侧配置输出匹配电路，所述输入匹配电路、所述级间匹配电路以及所述输出匹配电路的一部分或全部在砷化镓基板上形成。
9.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
在驱动级放大器的输入侧配置输入匹配电路，在所述驱动级放大器与最终级放大器之间配置级间匹配电路，在所述最终级放大器的输出侧配置输出匹配电路，所述输入匹配电路、所述级间匹配电路以及所述输出匹配电路的一部分或全部在硅基板上或外部的模块上形成。
10.根据权利要求2所述的高频放大器模块，其特征在于，
设置有路径切换用开关，该路径切换用开关在配置有驱动级放大器和最终级放大器的主路径或旁路路径中，选择使信号流过的路径，所述路径切换用开关在硅基板上形成。
11.根据权利要求10所述的高频放大器模块，其特征在于，
设置有切换控制电路，该切换控制电路控制路径切换用开关，所述切换控制电路在硅基板上形成。
12.根据权利要求6所述的高频放大器模块，其特征在于，
设置有路径切换用开关，该路径切换用开关在多个最终级放大器中，切换被给予由驱动级放大器放大了的信号的所述最终级放大器，所述路径切换用开关在硅基板上形成。
13.根据权利要求12所述的高频放大器模块，其特征在于，
设置有切换控制电路，该切换控制电路控制路径切换用开关，所述切换控制电路在硅基板上形成。
14.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
设置有偏置电路，该偏置电路设定驱动级放大器和最终级放大器的偏置，所述偏置电路在硅基板上形成。
15.根据权利要求1所述的高频放大器模块，其特征在于，
设置有电源电压控制电路，该电源电压控制电路控制驱动级放大器和最终级放大器的电源电压，所述电源电压控制电路在硅基板上形成。
16.根据权利要求14所述的高频放大器模块，其特征在于，
包括：偏置调整装置，该偏置调整装置在砷化镓基板上形成，调整由偏置电路设定的偏置。
17.根据权利要求16所述的高频放大器模块，其特征在于，
偏置调整装置由检测砷化镓基板的温度的温度检测电路构成，所述温度检测电路根据所述砷化镓基板的温度，调整由偏置电路设定的偏置。
18.根据权利要求16所述的高频放大器模块，其特征在于，
偏置调整装置由包含双极型晶体管的电流镜型的偏置电路构成。
19.根据权利要求16所述的高频放大器模块，其特征在于，
偏置调整装置由包含双极型晶体管的射极跟随器型的偏置电路构成。
20.一种高频放大器模块单元，安装有多个根据权利要求1所述的高频放大器模块。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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