TW201338403A - 高頻放大器模組及高頻放大器模組單元 - Google Patents

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Kenji Mukai
Kenichi Horiguchi
Morishige Hieda
Katsuya Kato
Yoshihito Hirano
Kazuya Yamamoto
Hiroyuki Joba
Teruyuki Shimura
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

包括驅動段放大器3，放大從RF(射頻)輸入端子1輸入的RF信號；最終段放大器5，放大上述驅動段放大器3放大的信號，並輸出放大後的信號至RF輸出端子7；其中，上述驅動段放大器3在矽基板11上形成，上述最終段放大器5在砷化鎵基板上形成。因此，一面維持與模組全體在砷化鎵基板71上形成時同等的高頻特性，一面可以實現低成本化。

Description

高頻放大器模組及高頻放大器模組單元
本發明係關於放大例如高頻信號的RF信號之高頻放大器、以及實裝複數個上述高頻放大器模組之高頻放大器模組單元。
第12圖係顯示以下的非專利文件1揭示之習知高頻放大器模組的構成圖。
習知的高頻放大器模組中，從RF輸入端子101輸入RF信號時，多段構成的驅動段放大器102放大RF信號， 最終段放大器103再放大驅動段放大器102放大的RF信號，放大後的RF信號輸出至RF輸出端子104。
但是，設置旁路路徑105與最終段放大器103並聯，因為在轉換控制電路106的控制下，轉換開關107的輸出處在旁路路徑105側轉換，轉換開關108為切斷狀態的話，驅動段放大器102放大的RF信號，不在最終段放大器103放大，而經由旁路路徑105從RF輸出端子104輸出。
又，驅動段放大器102及最終段放大器103的電源電壓，由Vcc電源109供給，驅動段放大器102及最終段放大器103的偏壓由偏壓電路110設定。
高頻放大器模組中，一般各構成要素在矽基板上形成，非專利文件1中揭示的高頻放大器模組中，為了達到高效率化，在高頻特性優異的化合物半導體之砷化鎵基板上形成驅動段放大器102及最終段放大器103。
又，關於轉換放大電路106、偏壓電路110，由於模組全體的尺寸要求，也在砷化鎵基板上形成。
即，非專利文件1中揭示的高頻放大器模組中，模組全體在砷化鎵基板上形成。
[先行專利文件] [非專利文件]
[非專利文件1]G.Hau等人，”Multi-Mode WCDMA Power Amplifier Module with Improved Low-Power Efficiency using Stage-Bypass”IEEE RFIC Symposium Dig.(“使用階段旁路之具有改善的低功率效率的多模寬 頻分碼多重存取功率放大器”電機電子工程師學會射頻積體電路討論會摘要)第163-166頁，2010年6月
由於習知的高頻放大器模組如上述所構成，模組的全體在砷化鎵基板上形成，達到高效率化。不過，高頻特性優異的化合物半導體之砷化鎵基板因為晶片單價高，有製造成本變高的課題。
由於此發明係用以解決上述的課題，一面維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性，一面以得到可以實現低成本化的高頻放大器模組及高頻放大器模組單元為目的。
根據本發明的高頻放大器模組，包括多段構成的驅動段放大器，放大從輸入端子輸入的信號；以及最終段放大器，放大上述驅動段放大器放大的信號，並輸出放大後的信號至輸出端子；其中，上述驅動段放大器在矽基板上形成，上述最終段放大器在砷化鎵基板上形成。
根據本發明，包括多段構成的驅動段放大器，放大從輸入端子輸入的信號；以及最終段放大器，放大上述驅動段放大器放大的信號，並輸出放大後的信號至輸出端子；其中，由於上述驅動段放大器在矽基板上形成，上述最終 段放大器在砷化鎵基板上形成，因此一面維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性，一面具有可以實現低成本化的效果。
以下，為了更詳細說明本發明，有關用以實施本發明的實施例，根據附加的圖面說明。
[第一實施例]
第1圖係顯示根據本發明第一實施例的高頻放大器模組的構成圖。
第1圖中，RF輸入端子1係輸入RF信號的端子。
輸入整合電路2係驅動段放大器3的輸入側之整合電路。
驅動段放大器3係由1~N段的放大元件構成之多段放大器，放大從RF輸入端子1輸入的RF信號，並輸出放大後的RF信號至段間整合電路4之裝置。
段間整合電路4係配置於驅動段放大器3與最終段放大器5之間的整合電路。
最終段放大器5，係再放大驅動段放大器3所放大的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6之裝置。
輸出整合電路6係最終段放大器5的輸出側之整合電路。
RF輸出端子7係輸出最終段放大器5放大的RF信號 之端子。
Vcc電源8係輸出電源電壓Vcc的電源。
Vcc電壓控制電路9，係控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的汲極或集極的直流電壓之電源電壓控制電路。
又，供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的汲極或集極的直流電壓，可以是與Vcc電源8輸出的電源電壓Vcc相同的電壓，也可以是上述電源電壓Vcc的可變電壓。
偏壓電路10，係經由控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的閘極或基極的直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3及最終段放大器5的偏壓之電路。
矽基板11係以矽形成的基板，矽基板11中，形成驅動段放大器3、Vcc電壓控制電路9以及偏壓電路10。
輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6與最終段放大器5在砷化鎵基板上形成。
其次說明關於動作。
首先，Vcc電壓控制電路9接受Vcc電源8供給的電源電壓Vcc時，藉由控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的汲極或集極之直流電壓，設定驅動段放大器3及最終段放大器5為可驅動狀態。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3及最終段放大器5中的RF信號的放大率等為所希望值，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的閘極或基極之直流電壓或直流電流， 設定驅動段放大器3及最終段放大器5的偏壓。
以偏壓電路10設定驅動段放大器3及最終段放大器5的偏壓的狀態下，從RF輸入端子1輸入RF信號時，此RF信號通過輸入整合電路2輸入至驅動段放大器3。
驅動段放大器3，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至段間整合電路4。
從驅動段放大器3輸出的RF信號，通過段間整合電路4輸入至最終段放大器5。
最終段放大器5，放大通過段間整合電路4而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
從最終段放大器5輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
第1圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3在矽基板11上形成，最終段放大器5在砷化鎵基板上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5，驅動段放大器3係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板上形成最終段放大器5的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
如上述，藉由在矽基板11上形成驅動段放大器3，因為可以削減在砷化鎵基板形成的晶片面積，可以實現低成本化。
此第一實施例中，雖然顯示輸入整合電路2、段間整 合電路4及輸出整合電路6在砷化鎵基板上形成，但不是全部在砷化鎵基板上形成，其一部分在矽基板11(或是，外部的模組)上形成，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
例如，輸入整合電路2與段間整合電路4在矽基板11(或是，外部的模組)上形成，而輸出整合電路6在砷化鎵基板上形成也可以，輸入整合電路2在矽基板11(或是，外部的模組)上形成，而段間整合電路4與輸出整合電路6在砷化鎵基板上形成也可以。
又，輸出整合電路6在矽基板11(或是，外部的模組)上形成，而輸入整合電路2與段間整合電路4在砷化鎵基板上形成也可以。
又，此第一實施例中，雖然顯示高頻放大器模組實裝輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6，但也可以是不實裝一部分或全部的輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6之高頻放大器模組。
[第二實施例]
第2圖係顯示根據本發明第二實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第1圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
旁路路徑21係一端連接至驅動段放大器3的輸入側，另一端連接至最終段放大器5的輸出側之路徑。
此第二實施例中，配置驅動段放大器3及最終段放大器5的路徑稱作「主路徑」。
旁路放大器22係配置於旁路路徑21上的驅動段放大器，旁路放大器22的尺寸係設計為信號的放大率比驅動段放大器3及最終段放大器5的總放大率小。
路徑轉換用開關23係在旁路路徑21上，配置在旁路放大器22的輸入側，並在轉換控制電路26的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關24係在旁路路徑21上，配置在旁路放大器22的輸出側，並在轉換控制電路26的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關25係在主路徑上，配置在驅動段放大器3的輸出側，並在轉換控制電路26的控制下通/斷之開關。
轉換控制電路26係藉由通/斷路徑轉換用開關23、24、25，選擇主路徑或旁路路徑21為RF信號流過路徑之電路。
此第二實施例中，旁路放大器22、路徑轉換用開關23、24、25及轉換控制電路26在矽基板11上形成。
其次，說明關於動作。
首先，Vcc電壓控制電路9，接受Vcc電源8供給的電源電壓Vcc時，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器22的汲極或集極之直流電壓，設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器22為可驅動狀態。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3及最終段放大 器5及旁路放大器22中的RF信號的放大率等為所希望值，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器22的閘極或基極之直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器22的偏壓。
以偏壓電路10設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器22的偏壓的狀態下，從RF輸入端子1輸入RF信號時，此RF信號通過輸入整合電路2。
轉換控制電路26，例如當外部輸入指示以低輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關23、24為導通，並控制路徑轉換用開關25為切斷，藉此選擇旁路路徑21為RF信號流過的路徑。
因此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至旁路放大器22。
旁路放大器22，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
旁路放大器22輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
轉換控制電路26，例如當外部輸入指示以高輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關23、24為切斷，並控制路徑轉換用開關25為導通，藉此選擇主路徑為RF信號流過的路徑。
藉此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至驅動段放大器3。
驅動段放大器3，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至段間整合電路4。
驅動段放大器3輸出的RF信號，通過段間整合電路4，輸入至最終段放大器5，
最終段放大器5，放大通過段間整合電路4而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
最終段放大器5輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
第2圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3與旁路放大器22在矽基板11上形成，最終段放大器5在砷化鎵基板上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5，驅動段放大器3及旁路放大器22係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板上形成最終段放大器5的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路放大器22，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
如上述，藉由在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路放大器22，因為可以削減在砷化鎵基板形成的晶片面積，可以實現低成本化。
又，此第二實施例中，雖然在矽基板11上形成路徑轉換用開關23、24、25，但在砷化鎵基板上形成路徑轉換用開關23、24、25也可以。
又，此第二實施例中，雖然顯示高頻放大器模組實裝 輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6，但也可以是不實裝一部分或全部的輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6之高頻放大器模組。
[第三實施例]
第3圖係顯示根據本發明第三實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第1圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
旁路路徑31係一端連接至驅動段放大器3的輸出側，另一端連接至最終段放大器5的輸出側之路徑。
此第三實施例中，配置驅動段放大器3及最終段放大器5之路徑稱為「主路徑」。
旁路放大器32係配置於旁路路徑31上的最終段放大器，旁路放大器32的尺寸係設計為比最終段放大器5的尺寸小。
路徑轉換用開關33係在旁路路徑31上，配置在旁路放大器32的輸入側，並在轉換控制電路36的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關34係在旁路路徑31上，配置在旁路放大器32的輸出側，並在轉換控制電路36的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關35係在主路徑上，配置在驅動段放大器3的輸出側，並在轉換控制電路36的控制下通/斷之開關。
轉換控制電路36係藉由通/斷路徑轉換用開關33、 34、35，選擇主路徑或旁路路徑31為RF信號流過路徑之電路。
此第三實施例中，旁路放大器32、路徑轉換用開關33、34、35及轉換控制電路36在矽基板11上形成。
其次，說明關於動作。
首先，Vcc電壓控制電路9，接受Vcc電源8供給的電源電壓Vcc時，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器32的汲極或集極之直流電壓，設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器32為可驅動狀態。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3及最終段放大器5及旁路放大器32中的RF信號的放大率等為所希望值，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器32的閘極或基極之直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器32的偏壓。
以偏壓電路10設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器32的偏壓的狀態下，從RF輸入端子1輸入RF信號時，此RF信號通過輸入整合電路2。
驅動段放大器3放大通過輸入整合電路2而來的RF信號。
轉換控制電路36，例如當外部輸入指示以低輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關33、34為導通，並控制路徑轉換用開關35為切斷，藉此 選擇旁路路徑31為RF信號流過的路徑。
因此，驅動段放大器3放大的RF信號輸入至旁路放大器32。
旁路放大器32，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
旁路放大器32輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
轉換控制電路36，例如當外部輸入指示以高輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關33、34為切斷，並控制路徑轉換用開關35為導通，藉此選擇主路徑為RF信號流過的路徑。
藉此，驅動段放大器3放大的RF信號，通過段間整合電路4輸入至最終段放大器5。
最終段放大器5，放大通過段間整合電路4而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
最終段放大器5輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
第3圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3與旁路放大器32在矽基板11上形成，而最終段放大器5在砷化鎵基板上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5，驅動段放大器3及旁路放大器32係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板上形成最終段放大器5的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路 放大器32，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
如上述，藉由在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路放大器32，因為可以削減在砷化鎵基板形成的晶片面積，可以實現低成本化。
又，此第三實施例中，雖然在矽基板11上形成路徑轉換用開關33、34、35，但在砷化鎵基板上形成路徑轉換用開關33、34、35也可以。
又，此第三實施例中，雖然顯示高頻放大器模組實裝輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6，但也可以是不實裝一部分或全部的輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6之高頻放大器模組。
[第四實施例]
第4圖係顯示根據本發明第四實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第1圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
旁路路徑41係一端連接至驅動段放大器3的輸入側，另一端連接至最終段放大器5的輸出側之路徑。
此第四實施例中，配置驅動段放大器3及最終段放大器5之路徑稱為「主路徑」。
旁路驅動段放大器42係配置於旁路路徑41上，由1~N段的放大元件構成的多段放大器，旁路驅動段放大器42係放大從RF輸入端子1輸入的RF信號之裝置。
旁路最終段放大器43係配置於旁路路徑41上，再放 大旁路驅動段放大器42放大的RF信號，放大後的RF信號輸出至輸出整合電路6之裝置。
旁路最終段放大器43的尺寸係設計為比最終段放大器5的尺寸小。
路徑轉換用開關44係在旁路路徑41上，配置於旁路驅動段放大器42的輸入側，在轉換控制電路47的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關45係在旁路路徑41上，配置於旁路驅動段放大器42的輸出側，在轉換控制電路47的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關46係在主路徑上，配置於驅動段放大器3的輸出側，在轉換控制電路47的控制下通/斷之開關。
轉換控制電路47係藉由通/斷路徑轉換用開關44、45、46，選擇主路徑或旁路路徑41為RF信號流過路徑之電路。
此第四實施例中，旁路驅動段放大器42、路徑轉換用開關44、45、46及轉換控制電路46在矽基板11上形成。
旁路最終段放大器43在砷化鎵基板上形成。
其次，說明關於動作。
首先，Vcc電壓控制電路9，接受Vcc電源8供給的電源電壓Vcc時，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5、旁路驅動段放大器42及旁路最終段放大器43的汲極或集極之直流電壓，設定驅動段放大器3、最終段放大器5、旁路驅動段放大器42及旁路最終段放大器43 為可驅動狀態。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3、最終段放大器5、旁路驅動段放大器42及旁路最終段放大器43中的RF信號的放大率等為所希望值，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5、旁路驅動段放大器42及旁路最終段放大器43的閘極或基極之直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3、最終段放大器5、旁路驅動段放大器42及旁路最終段放大器43的偏壓。
以偏壓電路10設定驅動段放大器3、最終段放大器5、旁路驅動段放大器42及旁路最終段放大器43的偏壓的狀態下，從RF輸入端子1輸入RF信號時，此RF信號通過輸入整合電路2。
轉換控制電路46，例如當外部輸入指示以低輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關44、45為導通，並控制路徑轉換用開關46為切斷，藉此選擇旁路路徑41為RF信號流過的路徑。
因此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至旁路驅動段放大器42。
旁路驅動段放大器42，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至旁路最終段放大器43。
旁路最終段放大器43，再放大旁路驅動段放大器42放大的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
旁路最終段放大器43輸出的RF信號，通過輸出整合 電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
轉換控制電路46，例如當外部輸入指示以高輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關44、45為切斷，並控制路徑轉換用開關46為導通，藉此選擇主路徑為RF信號流過的路徑。
藉此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至驅動段放大器3。
驅動段放大器3，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至段間整合電路4。
驅動段放大器3輸出的RF信號，通過段間整合電路4，輸入至最終段放大器5。
最終段放大器5，放大通過段間輸入整合電路4而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
最終段放大器5輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
第4圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3與旁路驅動段放大器42在矽基板11上形成，最終段放大器5及旁路最終段放大器43在砷化鎵基板上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5及旁路最終段放大器43，驅動段放大器3及旁路驅動段放大器42係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板上形成最終段放大器5及旁路最終段放大器43的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路驅動段放大器42，也可以維持與 模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
如上述，藉由在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路驅動段放大器42，因為可以削減在砷化鎵基板形成的晶片面積，可以實現低成本化。
又，此第四實施例中，雖然在矽基板11上形成路徑轉換用開關44、45、46，但在砷化鎵基板上形成路徑轉換用開關44、45、46也可以。
又，此第四實施例中，雖然顯示高頻放大器模組實裝輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6，但也可以是不實裝一部分或全部的輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6之高頻放大器模組。
[第五實施例]
第5圖係顯示根據本發明第五實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第1圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
第1旁路路徑51係一端連接至驅動段放大器3的輸入側，另一端連接至驅動段放大器3的輸出側之路徑。
第2旁路路徑52係一端連接至最終段放大器5的輸入側，另一端連接至最終段放大器5的輸出側之路徑。
此第五實施例中，配置驅動段放大器3及最終段放大器5之路徑稱為「主路徑」。
旁路放大器53係配置於第1旁路路徑51上的驅動段放大器，旁路放大器52的尺寸係設計為比驅動段放大器3的尺寸小。
路徑轉換用開關54係在第1旁路路徑51上，配置於旁路放大器53的輸出側，在轉換控制電路57的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關55係配置在第2旁路路徑52上，在轉換控制電路57的控制下通/斷之開關。
路徑轉換用開關56係在主路徑上，配置於驅動段放大器3的輸出側，在轉換控制電路57的控制下通/斷之開關。
轉換控制電路57係藉由通/斷路徑轉換用開關54、55、56，選擇主路徑或旁路路徑51、52為RF信號流過路徑之電路。
此第五實施例中，旁路放大器53、路徑轉換用開關54、55、56及轉換控制電路57在矽基板11上形成。
其次，說明關於動作。
首先，Vcc電壓控制電路9，接受Vcc電源8供給的電源電壓Vcc時，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器53的汲極或集極之直流電壓，設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器53為可驅動狀態。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器53中的RF信號的放大率等為所希望值，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控制供給至驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器53的閘極或基極之直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器53的偏壓。
以偏壓電路10設定驅動段放大器3、最終段放大器5及旁路放大器53的偏壓的狀態下，從RF輸入端子1輸入RF信號時，此RF信號通過輸入整合電路2。
轉換控制電路57，例如當外部輸入指示以低輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關54、55為導通，並控制路徑轉換用開關56為切斷，藉此選擇第1旁路路徑51與第2旁路路徑52為RF信號流過的路徑。
因此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至旁路放大器53。
旁路放大器53，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號。
從旁路放大器53輸出的RF信號，經由第2旁路路徑52輸入至輸出整合電路6。
旁路放大器22輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
轉換控制電路57，例如當外部輸入指示以中輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關55為導通，並控制路徑轉換用開關54、56為切斷，藉此選擇主路徑與第2旁路路徑52為RF信號流過的路徑。
藉此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至驅動段放大器3。
驅動段放大器3，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號。
驅動段放大器3輸出的RF信號，經由第2旁路路徑52，輸入至輸出整合電路6。
驅動段放大器3輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
轉換控制電路57，例如當外部輸入指示以高輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關56為導通，並控制路徑轉換用開關54、54為切斷，藉此選擇主路徑為RF信號流過的路徑。
藉此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至驅動段放大器3。
驅動段放大器3，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至段間整合電路4。
驅動段放大器3輸出的RF信號，通過段間整合電路4，輸入至最終段放大器5。
最終段放大器5，放大通過段間整合電路4而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
最終段放大器5輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
第5圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3與旁路放大器53在矽基板11上形成，最終段放大器5在砷化鎵基板上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5，驅動段放大器3及旁路放大器53係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板上形成最終段放大 器5的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路放大器53，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
如上述，藉由在矽基板11上形成驅動段放大器3及旁路放大器53，因為可以削減在砷化鎵基板形成的晶片面積，可以實現低成本化。
又，此第五實施例中，雖然在矽基板11上形成路徑轉換用開關54、55、56，但在砷化鎵基板上形成路徑轉換用開關54、55、56也可以。
又，此第五實施例中，雖然顯示高頻放大器模組實裝輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6，但也可以是不實裝一部分或全部的輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6之高頻放大器模組。
[第六實施例]
第6圖係顯示根據本發明第六實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第1圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
最終段放大器61-1~61-N係在驅動段放大器3的輸出側N個並聯連接，再放大驅動段放大器3放大的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路62-1~62-N之裝置。
輸出整合電路62-1~62-N係最終段放大器61-1~61-N的輸出側的整合電路。
RF輸出端子63-1~63-N係輸出最終段放大器61-1~ 61-N放大的RF信號之端子。
路徑轉換用開關64，係在轉換控制電路65的控制下，輸出驅動段放大器3放大的RF信號至其中一最終段放大器61之開關。
轉換控制電路65係轉換路徑轉換用開關64的輸出處之電路。
此第六實施例中，驅動段放大器3、Vcc電壓控制電路9、偏壓電路10、路徑轉換用開關64及轉換控制電路65在矽基板11上形成。
輸入整合電路2及輸出整合電路62-1~62-N與最終段放大器61-1~61-N在砷化鎵基板上形成。
其次說明關於動作。
首先，Vcc電壓控制電路9接受Vcc電源8供給的電源電壓Vcc時，藉由控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器61-1~61-N的汲極或集極之直流電壓，設定驅動段放大器3及最終段放大器61-1~61-N為可驅動狀態。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3及最終段放大器61-1~61-N中的RF信號的放大率等為所希望值，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器61-1~61-N的閘極或基極之直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3及最終段放大器61-1~61-N的偏壓。
以偏壓電路10設定驅動段放大器3及最終段放大器61-1~61-N的偏壓的狀態下，從RF輸入端子1輸入RF信 號時，此RF信號通過輸入整合電路2。
此第六實施例中，假設從RF輸入端子1依序輸入頻率不同的RF信號的情況。
轉換控制電路65，例如從外部輸入顯示RF信號的頻率之資訊時，轉換路徑轉換用開關64的輸出處為對應上述RF信號的頻率之最終段放大器61，此RF信號可以輸入至最終段放大器61。
例如，RF信號的頻率為AHz的話，路徑轉換用開關64的輸出處轉換為最終段放大器61-1，RF信號的頻率為BHz的話，路徑轉換用開關64的輸出處轉換為最終段放大器61-2，RF信號的頻率為CHz的話，路徑轉換用開關64的輸出處轉換為最終段放大器61-N，
最終段放大器61-1~61-N中，從驅動段放大器3經由路徑轉換用開關64輸入RF信號的最終段放大器61，放大此RF信號，輸出放大後的RF信號至輸出整合電路62。
從最終段放大器61-1~61-N輸出的RF信號，通過輸出整合電路62-1~62-N，從RF輸出端子63-1~63-N輸出至外部。
第6圖的高頻放大器模組中，雖然上述驅動段放大器3在矽基板11上形成，上述最終段放大器61-1~61-N在砷化鎵基板上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器61-1~61-N，驅動段放大器3係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板上形成最終段放大 器61-1~61-N的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
如上述，藉由在矽基板11上形成驅動段放大器3，因為可以削減在砷化鎵基板形成的晶片面積，可以實現低成本化。
又，第六實施例中，雖然在矽基板11上形成路徑轉換用開關64，但在砷化鎵基板上形成路徑轉換用開關64也可以。
又，此第六實施例中，雖然顯示高頻放大器模組實裝輸入整合電路2及最終段放大器61-1~61-N，但也可以是不實裝一部分或全部的輸入整合電路2及最終段放大器61-1~61-N之高頻放大器模組。
又，也可以是實裝段間整合電路之高頻放大器模組。
[第七實施例]
第7圖係顯示根據本發明第七實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第2圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
旁路路徑27係一端連接至驅動段放大器3的輸出側，另一端連接至最終段放大器5的輸出側之路徑。
此第七實施例中，配置驅動段放大器3及最終段放大器5的路徑稱作「主路徑」。
路徑轉換用開關28係配置於旁路路徑27上，在轉換控制電路29的控制下通/斷之開關。
轉換控制電路29係藉由通/斷路徑轉換用開關25、28，選擇主路徑或旁路路徑27為RF信號流過路徑之電路。
此第七實施例中，路徑轉換用開關25、28及轉換控制電路29在矽基板11上形成。
其次說明關於動作。
首先，Vcc電壓控制電路9接受Vcc電源8供給的電源電壓Vcc時，藉由控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的汲極或集極之直流電壓，設定驅動段放大器3及最終段放大器5為可驅動狀態。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3及最終段放大器5中的RF信號的放大率等為所希望值，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的閘極或基極之直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3及最終段放大器5的偏壓。
以偏壓電路10設定驅動段放大器3及最終段放大器5的偏壓的狀態下，從RF輸入端子1輸入RF信號時，此RF信號通過輸入整合電路2。
轉換控制電路29，例如當外部輸入指示以低輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關28為導通，並控制路徑轉換用開關25為切斷，藉此選擇旁路路徑27為RF信號流過的路徑。
因此，通過輸入整合電路2的RF信號經由旁路路徑27輸入至輸出整合電路6。
從旁路路徑27輸出的RF信號，通過輸出整合電路6， 從RF輸出端子7輸出至外部。
轉換控制電路29，例如當外部輸入指示以高輸出電力驅動RF信號之意旨的控制資訊時，控制路徑轉換用開關25為導通，並控制路徑轉換用開關28為切斷，藉此選擇主路徑為RF信號流過的路徑。
藉此，通過輸入整合電路2的RF信號輸入至驅動段放大器3。
驅動段放大器3，放大通過輸入整合電路2而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至段間整合電路4。
從驅動段放大器3輸出的RF信號，通過段間整合電路4輸入至最終段放大器5。
最終段放大器5，放大通過段間整合電路4而來的RF信號，並輸出放大後的RF信號至輸出整合電路6。
從最終段放大器5輸出的RF信號，通過輸出整合電路6，從RF輸出端子7輸出至外部。
第7圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3在矽基板11上形成，最終段放大器5在砷化鎵基板上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5，驅動段放大器3係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板上形成最終段放大器5的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時同等的高頻特性。
如上述，藉由在矽基板11上形成驅動段放大器3，因為可以削減在砷化鎵基板形成的晶片面積，可以實現低成 本化。
又，此第七實施例中，雖然在矽基板11上形成路徑轉換用開關25、28，但在砷化鎵基板上形成路徑轉換用開關25、28也可以。
又，此第七實施例中，雖然顯示高頻放大器模組實裝輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6，但也可以是不實裝一部分或全部的輸入整合電路2、段間整合電路4及輸出整合電路6之高頻放大器模組。
[第八實施例]
第8圖係顯示根據本發明第八實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第2圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
砷化鎵基板71係以砷化鎵形成的基板，形成段間整合電路4、最終段放大器5及溫度檢測電路72。
溫度檢測電路72具有檢測砷化鎵基板71的溫度之功能，依照砷化鎵基板71的溫度，實施調整偏壓電路10所設定的偏壓之處理。又，溫度檢測電路72構成偏壓調整裝置。
其次說明關於動作。
但是，除了實裝溫度檢測電路72這點，由於與上述第一實施例相同，在此主要說明關於溫度檢測電路72的處理內容。
偏壓電路10，因為設定驅動段放大器3及最終段放大器5中的RF信號的放大率等為所希望值，與上述第一實施例相同，例如依照外部給予的放大率設定資訊等，藉由控 制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的閘極或基極之直流電壓或直流電流，設定驅動段放大器3及最終段放大器5的偏壓。
此時，溫度檢測電路72，具有檢測砷化鎵基板71的溫度之功能，檢測出砷化鎵基板71的溫度T。
例如，溫度檢測電路72，由於具有與檢測砷化鎵基板71大致相同的溫度特性之二極體或雙極電晶體，可以檢測出砷化鎵基板71的溫度。
溫度檢測電路72，當檢測出砷化鎵基板71的溫度T時，算出砷化鎵基板71的溫度T與預先設定的基準溫度Tref之間的差值△T，輸出對應此差值△T的調整信號至偏壓電路10。
△T=T-Tref
偏壓電路10，當從溫度檢測電路72接收對應差值△T的調整信號時，根據此調整信號，調整對驅動段放大器3及最終段放大器5的控制信號(控制供給至驅動段放大器3及最終段放大器5的閘極或基極的直流電壓或直流電流之控制電壓)，例如砷化鎵基板71的溫度T比基準溫度Tref高時，此差值△T的絕對值愈大，調整此控制電壓至愈小。
相反地，砷化鎵基板71的溫度T比基準溫度Tref低時，此差值△T的絕對值愈大，調整此控制電壓至愈大。
因此，變成可利用可溫度補償的偏壓供給。
第8圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3在矽基板11上形成，最終段放大器5在砷化鎵基板71上形 成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5，驅動段放大器3係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板71上形成最終段放大器5的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板71上形成時同等的高頻特性。
又，具有檢測砷化鎵基板71溫度的功能，根據砷化鎵基板71的溫度，調整偏壓電路10設定的偏壓之溫度檢測電路72，由於在砷化鎵基板71上形成，即使在矽基板11上形成偏壓電路10，也可以得到可溫度補償的高頻放大器模組。
此時，由於不必在砷化鎵基板71上形成偏壓電路10，可以削減在砷化鎵基板71形成的晶片面積，即使是可溫度補償的高頻放大器模組，也可以實現低成本化。
[第九實施例]
第9圖係顯示根據本發明第九實施例的高頻放大器模組的構成圖，圖中，由於與第2圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
電流鏡型偏壓電路73係在砷化鎵基板71上形成，根據偏壓電路10輸出的定電流的控制信號，形成電流鏡之電路，並構成調整偏壓電路10設定的偏壓之偏壓調整裝置。
又，構成電流鏡型偏壓電路73的電流鏡用電晶體，係以與最終段放大器5相同的裝置構成。
第9圖的高頻放大器模組中，電流鏡型偏壓電路73在 砷化鎵基板71上形成，根據偏壓電路10輸出的定電流的控制信號，形成電流鏡。
因此，構成電流鏡型偏壓電路73的電流鏡用電晶體，如果以與最終段放大器5相同的裝置構成的話，由電流鏡型偏壓電路73，根據砷化鎵基板71的溫度，調整偏壓電路10的輸出信號之控制信號，溫度調整後的控制信號給予最終段放大器5。
順便一提，上述第二實施例中，在矽基板11上形成的偏壓電路10的輸出信號，係控制信號，直接給予砷化鎵基板71上形成的最終段放大器5。
因此，變成可利用可溫度補償的偏壓供給。
第9圖的高頻放大器模組中，雖然驅動段放大器3在矽基板11上形成，最終段放大器5在砷化鎵基板71上形成，但左右高頻特性的放大器係最終段放大器5，驅動段放大器3係不特別影響高頻特性的放大器。
因此，高頻特性優異的砷化鎵基板71上形成最終段放大器5的話，即使在矽基板11上形成驅動段放大器3，也可以維持與模組全體在砷化鎵基板71上形成時同等的高頻特性。
又，根據偏壓電路10輸出的定電流的控制信號，因為形成電流鏡的電流鏡型偏壓電路73在砷化鎵基板71形成，偏壓電路10即使在矽基板11上形成，也可以得到可溫度補償的高頻放大器模組。
此時，由於不必在砷化鎵基板71上形成偏壓電路10， 可以削減在砷化鎵基板71形成的晶片面積，即使是可溫度補償的高頻放大器模組，也可以實現低成本化。
此第九實施例中，根據偏壓電路10輸出的定電流的控制信號，雖然顯示形成電流鏡的電流鏡型偏壓電路73在砷化鎵基板71形成，但取代電流鏡型偏壓電路73，在砷化鎵基板71形成包含雙極電晶體之射極隨耦器(emitter-follower)型偏壓電路也可以，係以與最終段放大器5同樣裝置所構成。
此時，以射極隨耦器(emitter-follower)型偏壓電路，根據砷化鎵基板71的溫度，調整偏壓電路10的輸出信號之定電壓的控制信號，溫度調整後的控制信號給予最終段放大器5。
因此，與電流鏡型偏壓電路73在砷化鎵基板71上形成的情況相同，變成可利用可溫度補償的偏壓供給，即使是可溫度補償的高頻放大器模組，也可以實現低成本化。
[第十實施例]
第10圖係顯示根據本發明第十實施例的高頻放大器模組單元的構成圖。
第10圖中，RF輸入端子81-1~81-M係輸入RF信號的端子。
此第十實施例中，假設從RF輸入端子81-1~81-M輸入頻率不同的RF信號的情況。
高頻放大器模組82-1~82-M係上述第一~五，七~九實施例中任一所記載的高頻放大器模組(第1~5，7~9圖 中所記載的高頻放大器模組)，高頻放大器模組82-1~82-M放大的RF信號從RF輸出端子83-1~83-M輸出。
構築實裝複數的高頻放大器模組之高頻放大器模組單元時，也如第10圖所示，藉由實裝矽基板與砷化鎵基板中形成的高頻放大器模組82-1~82-M，與上述第一~五，七~九實施例同樣地，一面維持優異的高頻特性，一面可以達到實現低成本化的效果。
[第十一實施例]
第11圖係顯示根據本發明第十一實施例的高頻放大器模組單元的構成圖，圖中，由於與第10圖相同的符號係指示相同或相當部分，省略說明。
高頻放大器模組91-1~91-M係上述第六實施例中任一所記載的高頻放大器模組(第6圖中所記載的高頻放大器模組)，高頻放大器模組91-1~91-M放大的RF信號從RF輸出端子92-1~92-M輸出。
構築實裝複數的高頻放大器模組之高頻放大器模組單元時，也如第10圖所示，藉由矽基板與砷化鎵基板中形成的高頻放大器模組91-1~91-M，與上述第六實施例同樣地，一面維持優異的高頻特性，一面可以達到實現低成本化的效果。
又，本申請發明在此發明的範圍內，可以是各實施例的自由組合，或是各實施例的任意構成要素的變形，或是各實施例中省略任意的構成要素。
[產業上的利用可能性]
此發明，例如，在放大高頻信號的RF信號之際，一面維持與模組全體在砷化鎵基板上形成時相同的高頻特性，一面適於實現低成本化必要性高之高頻放大器模組。
1‧‧‧RF輸入端子
2‧‧‧輸入整合電路
3‧‧‧驅動段放大器
4‧‧‧段間整合電路
5‧‧‧最終段放大器
6‧‧‧輸出整合電路
7‧‧‧RF輸出端子
8‧‧‧Vcc電源
9‧‧‧Vcc電壓控制電路(電源電壓控制電路)
10‧‧‧偏壓電路
11‧‧‧矽基板
21‧‧‧旁路路徑
22‧‧‧旁路放大器
23‧‧‧路徑轉換用開關
24‧‧‧路徑轉換用開關
25‧‧‧路徑轉換用開關
26‧‧‧轉換控制電路
27‧‧‧旁路路徑
28‧‧‧路徑轉換用開關
29‧‧‧轉換控制電路
31‧‧‧旁路路徑
32‧‧‧旁路放大器
33‧‧‧路徑轉換用開關
34‧‧‧路徑轉換用開關
35‧‧‧路徑轉換用開關
36‧‧‧轉換控制電路
41‧‧‧旁路路徑
42‧‧‧旁路驅動段放大器
43‧‧‧旁路最終段放大器
44‧‧‧路徑轉換用開關
45‧‧‧路徑轉換用開關
46‧‧‧路徑轉換用開關
47‧‧‧轉換控制電路
51‧‧‧第1旁路路徑
52‧‧‧第2旁路路徑
53‧‧‧旁路放大器
54‧‧‧路徑轉換用開關
55‧‧‧路徑轉換用開關
56‧‧‧路徑轉換用開關
57‧‧‧轉換控制電路
61-1~61-N‧‧‧最終段放大器
62-1~62-N‧‧‧輸出整合電路
63-1~63-N‧‧‧RF輸出端子
64‧‧‧路徑轉換用開關
65‧‧‧轉換控制電路
71‧‧‧砷化鎵基板
72‧‧‧溫度檢測電路(偏壓調整裝置)
73‧‧‧電流鏡型偏壓電路(偏壓調整裝置)
81-1~81-M‧‧‧RF輸入端子
82-1~82-M‧‧‧高頻放大器模組
83-1~83-M‧‧‧RF輸出端子
91-1~91-M‧‧‧高頻放大器模組
92-1~92-M‧‧‧RF輸出端子
101‧‧‧RF輸入端子
102‧‧‧驅動段放大器
103‧‧‧最終段放大器
104‧‧‧輸出端子
105‧‧‧旁路路徑
106‧‧‧轉換控制電路
107、108‧‧‧轉換開關
109‧‧‧Vcc電源
110‧‧‧偏壓電路
[第1圖]係顯示根據本發明第一實施例的高頻放大器模組的構成圖；[第2圖]係顯示根據本發明第二實施例的高頻放大器模組的構成圖；[第3圖]係顯示根據本發明第三實施例的高頻放大器模組的構成圖；[第4圖]係顯示根據本發明第四實施例的高頻放大器模組的構成圖；[第5圖]係顯示根據本發明第五實施例的高頻放大器模組的構成圖；[第6圖]係顯示根據本發明第六實施例的高頻放大器模組的構成圖；[第7圖]係顯示根據本發明第七實施例的高頻放大器模組單元的構成圖；[第8圖]係顯示根據本發明第八實施例的高頻放大器模組單元的構成圖；[第9圖]係顯示根據本發明第九實施例的高頻放大器模組的構成圖； [第10圖]係顯示根據本發明第十實施例的高頻放大器模組的構成圖；[第11圖]係顯示根據本發明第十一實施例的高頻放大器模組的構成圖；以及[第12圖]係顯示非專利文件1所揭示的習知高頻放大器模組的構成圖。
1‧‧‧RF輸入端子
2‧‧‧輸入整合電路
3‧‧‧驅動段放大器
4‧‧‧段間整合電路
5‧‧‧最終段放大器
6‧‧‧輸出整合電路
7‧‧‧RF輸出端子
8‧‧‧Vcc電源
9‧‧‧Vcc電壓控制電路(電源電壓控制電路)
10‧‧‧偏壓電路
11‧‧‧矽基板

Claims (20)

  1. 一種高頻放大器模組，包括：多段構成的驅動段放大器，放大從輸入端子輸入的信號；以及最終段放大器，放大上述驅動段放大器放大的信號，並輸出放大後的信號至輸出端子；其特徵在於：上述驅動段放大器在矽基板上形成，上述最終段放大器在砷化鎵基板上形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，包括：旁路路徑，一端連接至上述驅動段放大器的輸入側，另一端連接至上述最終段放大器的輸出側；以及旁路放大器，配置於上述旁路路徑上；其中，上述旁路放大器在矽基板上形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，包括：旁路路徑，一端連接至上述驅動段放大器的輸入側，另一端連接至上述最終段放大器的輸出側；以及旁路放大器，配置於上述旁路路徑上，尺寸比上述最終段放大器小；其中，上述旁路放大器在矽基板上形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，包括： 旁路路徑，一端連接至上述驅動段放大器的輸入側，另一端連接至上述最終段放大器的輸出側；多段構成的旁路驅動段放大器，配置於上述旁路路徑上，放大從上述輸入端子輸入的信號；以及旁路最終段放大器，配置於上述旁路路徑上，放大上述旁路驅動段放大器放大的信號，並輸出放大後的信號至輸出端子；其中，上述旁路驅動段放大器在矽基板上形成，而上述旁路最終段放大器在砷化鎵基板上形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，包括：第1旁路路徑，一端連接至上述驅動段放大器的輸入側，另一端連接至上述驅動段放大器的輸出側；第2旁路路徑，一端連接至上述最終段放大器的輸入側，另一端連接至上述最終段放大器的輸出側；以及旁路放大器，配置於上述第1旁路路徑上，尺寸比上述驅動段放大器小；其中，上述旁路放大器在矽基板上形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，其中，在上述砷化鎵基板上形成的上述最終段放大器在上述驅動段放大器的輸出側複數並聯連接。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，包括：旁路路徑，一端連接至上述驅動段放大器的輸出側， 另一端連接至上述最終段放大器的輸出側。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，其中，上述驅動段放大器的輸入側配置輸入整合電路，上述驅動段放大器與上述最終段放大器之間配置段間整合電路，以及上述最終段放大器的輸出側配置輸出整合電路；一部分或全部的上述輸入整合電路、上述段間整合電路以及上述輸出整合電路在砷化鎵基板上形成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，其中，上述驅動段放大器的輸入側配置輸入整合電路，上述驅動段放大器與上述最終段放大器之間配置段間整合電路，以及上述最終段放大器的輸出側配置輸出整合電路；一部分或全部的上述輸入整合電路、上述段間整合電路以及上述輸出整合電路在矽基板上或外部的模組上形成。
  10. 如申請專利範圍第2項所述的高頻放大器模組，其中，配置上述驅動段放大器及上述最終段放大器的主路徑或旁路路徑中，設置選擇信號流過路徑之路徑轉換用開關，且上述路徑轉換用開關在矽基板上形成。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的高頻放大器模組，其中，設置控制上述路徑轉換用開關的轉換控制電路，且上述轉換控制電路在矽基板上形成。
  12. 如申請專利範圍第6項所述的高頻放大器模組，其中，複數的上述最終段放大器中，設置路徑轉換用開關，用以轉換給予上述驅動段放大器放大的信號之上述最終段放大器，且上述路徑轉換用開關在矽基板上形成。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的高頻放大器模組，其中，設置轉換控制電路，用以控制上述路徑轉換用開關，且上述轉換控制電路在矽基板上形成。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，其中，設置偏壓電路，用以設定上述驅動段放大器及上述最終段放大器的偏壓，且上述偏壓電路在矽基板上形成。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組，其中，設置電源電壓控制電路，用以控制上述驅動段放大器及上述最終段放大器的電源電壓，且上述電源電壓控制電路在矽基板上形成。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的高頻放大器模組，包括：偏壓調整裝置，在砷化鎵基板上形成，用以調整上述偏壓電路設定的偏壓。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的高頻放大器模組，其中，上述偏壓調整裝置係以檢測上述砷化鎵基板的溫度之溫度檢測電路所構成，上述溫度檢測電路根據上述砷化鎵基板的溫度，調整上述偏壓電路設定的偏壓。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的高頻放大器模組，其中，上述偏壓調整裝置係以包含雙極電晶體之電流鏡型的偏壓電路所構成。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的高頻放大器模組，其中，上述偏壓調整裝置係以包含雙極電晶體之射極隨耦器型的偏壓電路所構成。
  20. 一種高頻放大器模組單元，實裝複數個如申請專利範圍第1項所述的高頻放大器模組。
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