KR20160112156A - 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 출력 제어 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 입력 신호를 증폭시키는 제1증폭부; 제1증폭부에 병렬로 연결되어 입력 신호를 증폭시키는 제2증폭부; 및 제1증폭부 및 제2증폭부 중 적어도 하나에 연결되고 제어신호를 출력하여 제1증폭부 및 제2증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어하는 제어부; 를 포함함으로써, 다양한 전력의 신호를 효율적으로 출력시킬 수 있다.

Description

전력 증폭기 및 전력 증폭기의 출력 제어 방법{Power amplifier and method for controlling output power in power amplifier}
본 발명은 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 출력 제어 방법에 관한 것이다.
전력 증폭기(Power Amplifier, PA)는 기 설정된 주파수(Center frequency:f0)의 소신호를 증폭시켜 대신호로 출력할 수 있다. 일반적으로, 전력 증폭기는 최대신호를 출력할 때 효율이 최대이고, 출력 신호의 에너지가 낮아질수록 효율이 떨어질 수 있다.
전력 증폭기에 있어서 저전력 출력 및 중전력 출력에서 효율을 높이는 수단으로, 저전력 출력 및 중전력 출력에서 효율이 높은 전력 증폭기와 고전력 출력에서 효율이 높은 전력 증폭기를 각각 독립적으로 설계하는 수단이 이용될 수 있다.
그러나, 상기 수단은 스위치 및 저전력증폭기 등을 추가적으로 요구함으로써, 회로 및 구조를 복잡하게 만들고 집적회로의 크기를 증가시킬 수 있다는 문제점이 있다.
미국 공개특허공보 2010-0321110
본 발명의 일 실시 예는, 전력 증폭기 및 전력 증폭기의 출력 제어 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 입력 신호를 증폭시키는 제1증폭부; 제1증폭부에 병렬로 연결되어 입력 신호를 증폭시키는 제2증폭부; 및 제1증폭부 및 제2증폭부 중 적어도 하나에 연결되고 제어신호를 출력하여 제1증폭부 및 제2증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어하는 제어부; 를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1증폭부의 증폭단 개수와 상기 제2증폭부의 증폭단 개수는 특정 비율로 맞춰질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 서로 병렬로 연결되어, 입력 신호를 증폭시키는 복수의 구동 증폭부; 서로 병렬로 연결되어, 구동 증폭부에 의해 증폭된 신호를 증폭시키는 복수의 전력 증폭부; 및 복수의 구동 증폭부 및 복수의 전력 증폭부에 연결되어 복수의 구동 증폭부 및 복수의 전력 증폭부를 바이어싱(biasing)하고 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나 또는 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 바이어스를 변경시켜 온-오프 상태를 제어하는 바이어싱부; 를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 복수의 구동 증폭부의 동작 개수와 상기 전력 증폭부의 동작 개수는 특정 비율로 맞춰질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 출력 제어 방법은, 서로 병렬로 연결되어 입력 신호를 증폭시키는 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 변경시키는 구동 증폭부 변경단계; 및 서로 병렬로 연결되어 복수의 구동 증폭부에서 증폭된 신호를 증폭시키는 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 변경시키는 전력 증폭부 변경단계; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 다양한 전력의 신호를 효율적으로 출력시킬 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는, 다양한 전력의 신호를 출력시키기 위해 일반적으로 필요한 스위치, 추가 증폭단 및 추가 임피던스 매칭 수단 등을 필요로 하지 않으므로, 단가 및 사이즈가 감소될 수 있고 설계의 자유도 및 활용도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 2는 도 1의 전력 증폭기를 예시한 회로도이다.
도 3은 도 1의 전력 증폭기를 확장한 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 5는 도 4의 전력 증폭기의 제1모드 동작을 예시한 도면이다.
도 6은 도 4의 전력 증폭기의 제2모드 동작을 예시한 도면이다.
도 7은 도 4의 전력 증폭기의 제3모드 동작을 예시한 도면이다.
도 8은 도 4의 전력 증폭기의 제4모드 동작을 예시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 출력 제어 방법을 나타낸 순서도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 1을 참조하면, 상기 전력 증폭기(100)는, 제1증폭부(110), 제2증폭부(120) 및 제어부(150)를 포함할 수 있다.
제1증폭부(110)는, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 여기서, 입력 신호는 입력 포트(RFin)을 통해 입력될 수 있다. 상기 제1증폭부(110)에 의해 증폭된 신호는 출력 포트(RFout)을 통해 출력될 수 있다. 예를 들어, 출력 포트(RFout)는 안테나(미도시)와 연결될 수 있다.
제2증폭부(120)는, 제1증폭부(110)에 병렬로 연결되어 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 여기서, 상기 제2증폭부(120)의 입력단과 제1증폭부(110)의 입력단은 각각 입력포트(RFin)를 통해 입력된 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 또한, 상기 제2증폭부(120)의 출력단과 제1증폭부(110)의 출력단은 서로 연결되어 공통으로 출력 포트(RFout)에 증폭시킨 신호를 출력할 수 있다.
상기 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120) 각각은 최대 이득, 항복전압, 선형성 등의 측면에서 제한된 성능을 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)가 서로 병렬로 연결됨으로써, 입력 신호를 효율적으로 증폭시킬 수 있다.
제어부(150)는, 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120) 중 적어도 하나에 연결되고, 제어신호를 출력하여 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120) 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어할 수 있다. 여기서, 온 상태는 증폭부에 제공되는 전원(voltage source), 바이어스 전압 또는 바이어스 전류 등의 양이 기 설정된 범위내인 상태를 의미한다. 여기서, 오프 상태는 증폭부에 제공되는 전원(voltage source), 바이어스 전압 또는 바이어스 전류 등의 양이 기 설정된 범위외인 상태를 의미한다.
예를 들어, 상기 제어부(150)는 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120) 중 적어도 하나에 제공되는 전원, 바이어스 전압 또는 바이어스 전류의 양이 0에 가까워지도록 제어하는 제어신호를 출력하여 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120) 중 적어도 하나가 오프 상태가 되도록 제어할 수 있다.
예를 들어, 제어신호는 상기 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)를 바이어싱하는 회로에 입력될 수도 있다. 이에 대한 구체적인 내용은 도 4를 참조하여 후술한다.
상기 제어부(150)는 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120) 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어함으로써, 다양한 전력의 신호를 효율적으로 출력시킬 수 있다.
또한, 상기 제어부(150)는 다양한 전력의 신호를 출력시키기 위해 일반적으로 필요한 스위치, 추가 증폭단 및 추가 임피던스 매칭 수단 등을 필요로 하지 않으면서 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120) 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어할 수 있다.
도 2는 도 1의 전력 증폭기를 예시한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 제1증폭부(110)는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제1트랜지스터부(111)를 포함할 수 있다. 또한, 제2증폭부(120)는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제2트랜지스터부(121)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1트랜지스터부(111)의 기 설정된 면적은 상기 제2트랜지스터부(121)의 기 설정된 면적과 다르고, 상기 제1트랜지스터부(111)의 기 설정된 개수는 상기 제2트랜지스터부(121)의 개수와 다를 수 있다. 여기서, 기 설정된 면적은 트랜지스터의 채널 너비(Width)를 의미한다. 또한, 기 설정된 개수는 병렬로 연결된 트랜지스터의 개수를 의미한다. 트랜지스터의 채널 너비와 증폭 특성의 관계는 트랜지스터의 개수와 증폭 특성의 관계와 유사하다.
구체적 예를 들면, 상기 제1트랜지스터부(111)의 기 설정된 면적은 상기 제2트랜지스터부(121)의 기 설정된 면적의 3배이고, 상기 제1트랜지스터부(111)의 기 설정된 개수는 상기 제2트랜지스터부(121)의 기 설정된 개수의 3배일 수 있다.
즉 상기 제1트랜지스터부(111)와 제2트랜지스터부(121)가 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)일 경우, 상기 제1트랜지스터부(111)의 콜렉터 단자와 에미터 단자는 각각 상기 제2트랜지스터부(121)의 콜렉터 단자와 에미터 단자에 연결될 수 있고, 상기 제1트랜지스터부(111)의 베이스 단자와 상기 제2트랜지스터부(121)의 베이스 단자는 특정 비율로 분리될 수 있다.
여기서, 제어부(150)는 제1모드로 동작할 때 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)가 온 상태가 되도록 제어하고, 제2모드로 동작할 때 제1증폭부(110)가 온 상태가 되고 제2증폭부(120)가 오프 상태가 되도록 제어하고, 제3모드로 동작할 때 제1증폭부(110)가 오프 상태가 되고 제2증폭부(120)가 온 상태가 되도록 제어할 수 있다. 예를 들어, 제1모드에서 입력 신호는 병렬 연결된 4개의 트랜지스터를 통해 증폭될 수 있고, 제2모드에서 입력 신호는 병렬 연결된 3개의 트랜지스터를 통해 증폭될 수 있고, 제3모드에서 입력 신호는 1개의 트랜지스터를 통해 증폭될 수 있다.
도 3은 도 1의 전력 증폭기를 확장한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 상기 전력 증폭기(100)는, 제3증폭부(130) 및 제4증폭부(140)를 더 포함할 수 있다.
제3증폭부(130)는, 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)의 입력단에 연결되어, 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)에 의해 증폭되기 전의 입력 신호를 증폭시켜 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)로 출력할 수 있다. 즉, 상기 제3증폭부(130)는 소신호인 입력 신호를 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)의 증폭범위내의 크기로 증폭시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 제3증폭부(130)는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제3트랜지스터부(131)를 포함할 수 있다.
제4증폭부(140)는, 제3증폭부(130)에 병렬로 연결되어, 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)에 의해 증폭되기 전의 입력 신호를 증폭시켜 제1증폭부(110) 및 제2증폭부(120)로 출력할 수 있다.
예를 들어, 상기 제4증폭부(140)는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제4트랜지스터부(141)를 포함할 수 있다. 여기서, 제3트랜지스터부(131)의 기 설정된 면적은 제4트랜지스터부(141)의 기 설정된 면적과 다르고, 제3트랜지스터부(131)의 기 설정된 개수는 제4트랜지스터부(141)의 개수와 다를 수 있다.
구체적 예를 들면, 제3트랜지스터부(131)의 기 설정된 면적은 제4트랜지스터부(141)의 기 설정된 면적의 2배이고, 제3트랜지스터부(131)의 기 설정된 개수는 제4트랜지스터부(141)의 기 설정된 개수의 2배일 수 있다.
한편, 제어부(150)는 제3증폭부(130) 및 제4증폭부(140) 중 적어도 하나에 연결되고, 제어신호를 출력하여 제3증폭부(130) 및 제4증폭부(140) 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어할 수 있다.
예를 들어, 상기 제어부(150)는 제1모드로 동작할 때 제3증폭부(130) 및 제4증폭부(140)가 온 상태가 되도록 제어하고, 제2모드 또는 제3모드로 동작할 때 제3증폭부(130)가 온 상태가 되고 제4증폭부(140)가 오프 상태가 되도록 제어하고, 제4모드로 동작할 때 제3증폭부(130)가 오프 상태가 되고 제4증폭부(140)가 온 상태가 될 수 있다. 예를 들어, 제1모드에서 입력 신호는 병렬 연결된 3개의 트랜지스터를 통해 증폭될 수 있고, 제2모드 또는 제3모드에서 입력 신호는 병렬 연결된 2개의 트랜지스터를 통해 증폭될 수 있고, 제4모드에서 입력 신호는 1개의 트랜지스터를 통해 증폭될 수 있다.
상기 제어부(150)는 제1증폭부(110), 제2증폭부(120), 제3증폭부(130) 및 제4증폭부(140) 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어함으로써, 복수의 증폭부의 동작 비율이 기 설정된 비율을 크게 벗어나지 않아 다양한 전력의 신호를 효율적으로 출력시킬 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기(200)를 설명한다. 도 1 내지 도 3을 참조하여 상술한 전력 증폭기(100)에 관한 설명과 동일하거나 그에 상응하는 내용에 대해서는 중복적으로 설명하지 아니한다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기를 나타낸 개념도이다.
도 4를 참조하면, 상기 전력 증폭기(200)는, 복수의 구동 증폭부(210), 복수의 전력 증폭부(220), 바이어싱부(230), 제1매칭 네트워크(240) 및 제2매칭 네트워크(250)를 포함할 수 있다.
복수의 구동 증폭부(Driving Amplifier, DA)(210)는, 서로 병렬로 연결되어, 입력 신호를 증폭시킬 수 있다. 즉, 상기 복수의 구동 증폭부(210)는 소신호인 입력 신호를 복수의 전력 증폭부(220)의 증폭범위내의 크기로 증폭시킬 수 있다.
복수의 전력 증폭부(220)는, 서로 병렬로 연결되어, 복수의 구동 증폭부(210)에 의해 증폭된 신호를 증폭시킬 수 있다.
바이어싱부(230)는, 복수의 구동 증폭부(210) 및 복수의 전력 증폭부(220)에 연결되어 복수의 구동 증폭부 및 복수의 전력 증폭부를 바이어싱(biasing)할 수 있다. 여기서, 바이어싱은 특정 블록 또는 소자에 바이어스 전류가 흐르거나 바이어스 전압이 걸리도록 특정 값의 전류 또는 전압을 제공하는 것을 의미한다.
또한, 상기 바이어싱부(230)는 복수의 구동 증폭부(210) 중 적어도 하나 또는 복수의 전력 증폭부(220) 중 적어도 하나의 바이어스를 변경시켜 복수의 구동 증폭부(210) 중 적어도 하나 또는 복수의 전력 증폭부(220) 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어할 수 있다.
예를 들어, 상기 바이어싱부(230)는 복수의 전력 증폭부(220) 중 적어도 하나에 제공되는 바이어스 전류를 감소시켜 복수의 전력 증폭부(220) 중 적어도 하나를 오프 상태로 변경시킬 수 있다. 구체적 예를 들어 복수의 전력 증폭부(220)가 16개일 경우, 상기 바이어싱부(230)는 4개의 전력 증폭부에 제공되는 전류가 0mA에 가까워지도록 바이어스 전류를 변경시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 바이어싱부(230)는 제1모드로 동작할 때 복수의 구동 증폭부(210) 및 복수의 전력 증폭부(220)가 온 상태가 되도록 바이어싱하고, 제2모드로 동작할 때 복수의 구동 증폭부(210) 중 적어도 하나 및 복수의 전력 증폭부(220) 중 적어도 하나가 오프 상태가 되도록 바이어싱할 수 있다.
상기 바이어싱부(230)는 복수의 구동 증폭부(210) 및 복수의 전력 증폭부(220) 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어함으로써, 전력 증폭기(200)는 다양한 전력의 신호를 출력시키기 위해 일반적으로 필요한 스위치, 추가 증폭단 및 추가 임피던스 매칭 수단 등을 필요로 하지 않으면서 효율적으로 신호를 증폭시킬 수 있다.
제1매칭 네트워크(240)는, 복수의 구동 증폭부(210)와 복수의 전력 증폭부(220)와의 사이에 연결되어 기 설정된 임피던스를 가질 수 있다.
제2매칭 네트워크(250)는, 복수의 전력 증폭부(220)와 출력 포트(RF_OUT)의 사이에 연결되어 기 설정된 임피던스를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1매칭 네트워크(240) 및 제2매칭 네트워크(250) 각각은 인덕터 및 캐패시터를 포함할 수 있다.
도 5는 도 4의 전력 증폭기의 제1모드 동작을 예시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 제1모드로 동작하는 전력 증폭기(200)는 기 설정된 에너지보다 큰 에너지를 가지는 신호인 고전력(high power) 신호를 출력할 수 있다.
여기서, 복수의 구동 증폭부(210) 중 3개의 구동 증폭부가 신호를 증폭시킬 수 있고, 복수의 전력 증폭부(220) 중 16개의 전력 증폭부가 신호를 증폭시킬 수 있다. 즉, 구동 증폭부의 개수와 전력 증폭부의 개수는 특정 비율로 맞춰질 수 있다. 이에 따라, 전력 증폭기(200)는 효율적으로 입력 신호를 증폭시켜 고전력의 신호를 출력할 수 있다.
도 6은 도 4의 전력 증폭기의 제2모드 동작을 예시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 제2모드로 동작하는 전력 증폭기(200)는 기 설정된 에너지를 가지는 중전력(middle power) 신호를 출력할 수 있다.
여기서, 복수의 구동 증폭부(210) 중 2개의 구동 증폭부가 신호를 증폭시킬 수 있고, 복수의 전력 증폭부(220) 중 12개의 전력 증폭부가 신호를 증폭시킬 수 있다. 즉, 구동 증폭부의 동작 개수와 전력 증폭부의 동작 개수의 비율은 구동 증폭부의 개수와 전력 증폭부의 개수의 비율에서 크게 벗어나지 않을 수 있다. 이에 따라, 전력 증폭기(200)는 효율적으로 입력 신호를 증폭시켜 중전력의 신호를 출력할 수 있다.
도 7은 도 4의 전력 증폭기의 제3모드 동작을 예시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 제3모드로 동작하는 전력 증폭기(200)는 기 설정된 에너지보다 작은 에너지를 가지는 신호인 저전력(low power) 신호를 출력할 수 있다.
여기서, 복수의 구동 증폭부(210) 중 2개의 구동 증폭부가 신호를 증폭시킬 수 있고, 복수의 전력 증폭부(220) 중 4개의 전력 증폭부가 신호를 증폭시킬 수 있다. 제2모드와 마찬가지로, 구동 증폭부의 동작 개수와 전력 증폭부의 동작 개수의 비율은 구동 증폭부의 개수와 전력 증폭부의 개수의 비율에서 크게 벗어나지 않을 수 있다. 이에 따라, 전력 증폭기(200)는 효율적으로 입력 신호를 증폭시켜 저전력의 신호를 출력할 수 있다.
한편, 로그 스케일 기준으로, 고전력 신호와 중전력 신호와의 차이 에너지는 중전력 신호와 저전력 신호와의 차이 에너지와 유사할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기는 제1모드에서 제3모드로 변경되는 과정에서 구동 증폭부의 동작 개수와 전력 증폭부의 동작 개수의 비율을 크게 벗어나지 않으면서 단계적으로 출력 신호의 에너지를 변경시킬 수 있다. 따라서, 상기 전력 증폭기는 출력 신호의 에너지를 정밀하게 제어하면서 효율적으로 신호를 출력시킬 수 있다.
도 8은 도 4의 전력 증폭기의 제4모드 동작을 예시한 도면이다.
도 8을 참조하면, 제4모드로 동작하는 전력 증폭기(200)는 입력 신호의 입력 없이 대기(Quiesecent)할 수 있다.
여기서, 복수의 구동 증폭부(210) 중 1개의 구동 증폭부가 동작할 수 있고, 복수의 전력 증폭부(220) 중 4개의 전력 증폭부가 동작할 수 있다. 제2모드와 마찬가지로, 구동 증폭부의 동작 개수와 전력 증폭부의 동작 개수의 비율은 구동 증폭부의 개수와 전력 증폭부의 개수의 비율에서 크게 벗어나지 않을 수 있다. 이에 따라, 전력 증폭기(200)는 안정적으로 대기할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 출력 제어 방법을 설명한다. 상기 출력 제어 방법은 도 1을 참조하여 상술한 전력 증폭기(100) 또는 도 4를 참조하여 상술한 전력 증폭기(200)에서 수행될 수 있으므로, 상술한 설명과 동일하거나 그에 상응하는 내용에 대해서는 중복적으로 설명하지 아니한다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전력 증폭기의 출력 제어 방법을 나타낸 순서도이다.
도 9를 참조하면, 상기 출력 제어 방법은 구동 증폭부 변경단계(S10) 및 전력 증폭부 변경단계(S20)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 출력 제어 방법은 전력 증폭기의 내부 제어 회로를 통해 자체적으로 수행될 수 있고, 외부 제어 회로에 의해 수행될 수도 있다.
구동 증폭부 변경단계(S10)에서의 전력 증폭기는, 서로 병렬로 연결되어 입력 신호를 증폭시키는 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 변경시킬 수 있다.
전력 증폭부 변경단계(S20)에서의 전력 증폭기는, 서로 병렬로 연결되어 상기 복수의 구동 증폭부에서 증폭된 신호를 증폭시키는 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 변경시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 전력 증폭기는 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나 또는 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 바이어스를 변경시켜 온-오프 상태를 변경시킬 수 있다.
예를 들어 복수의 전력 증폭부의 총 면적 또는 총 개수는 복수의 구동 증폭부의 총 면적 또는 총 개수의 16/3배라고 가정하면, 상기 구동 증폭부 변경단계(S10)에서의 전력 증폭기는 전력 증폭기의 동작모드가 변경될 때 상기 복수의 구동 증폭부의 1/3면적 또는 1/3개수의 구동 증폭부가 온 상태 또는 오프 상태이고 나머지 2/3면적 또는 2/3개수의 구동 증폭부가 오프 상태 또는 온 상태가 되도록 상기 구동 증폭부를 변경시킬 수 있다. 또한, 상기 전력 증폭부 변경단계(S20)에서의 전력 증폭기는 전력 증폭기의 동작모드가 변경될 때 상기 복수의 전력 증폭부의 1/4면적 또는 1/4개수의 전력 증폭부가 온 상태 또는 오프 상태이고 나머지 3/4면적 또는 3/4개수의 전력 증폭부가 오프 상태 또는 온 상태가 되도록 상기 전력 증폭부를 변경시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
100: 전력 증폭기 110: 제1증폭부
111: 제1트랜지스터부 120: 제2증폭부
121: 제2트랜지스터부 130: 제3증폭부
131: 제3트랜지스터부 140: 제4증폭부
141: 제4트랜지스터부 150: 제어부
210: 복수의 구동 증폭부 220: 복수의 전력 증폭부
230: 바이어싱부 240: 제1매칭 네트워크
250: 제2매칭 네트워크
S10: 구동 증폭부 변경단계 S20: 전력 증폭부 변경단계

Claims (14)

  1. 입력 신호를 증폭시키는 제1증폭부;
    상기 제1증폭부에 병렬로 연결되어 상기 입력 신호를 증폭시키는 제2증폭부; 및
    상기 제1증폭부 및 제2증폭부 중 적어도 하나에 연결되고, 제어신호를 출력하여 상기 제1증폭부 및 제2증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어하는 제어부; 를 포함하는 전력 증폭기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1증폭부는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제1트랜지스터부를 포함하고,
    상기 제2증폭부는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제2트랜지스터부를 포함하고,
    상기 제1트랜지스터부의 기 설정된 면적은 상기 제2트랜지스터부의 기 설정된 면적과 다르고, 상기 제1트랜지스터부의 기 설정된 개수는 상기 제2트랜지스터부의 개수와 다른 전력 증폭기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1트랜지스터부의 기 설정된 면적은 상기 제2트랜지스터부의 기 설정된 면적의 3배이고,
    상기 제1트랜지스터부의 기 설정된 개수는 상기 제2트랜지스터부의 기 설정된 개수의 3배인 전력 증폭기.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는 제1모드로 동작할 때 상기 제1증폭부 및 제2증폭부가 온 상태가 되도록 제어하고, 제2모드로 동작할 때 상기 제1증폭부가 온 상태가 되고 상기 제2증폭부가 오프 상태가 되도록 제어하고, 제3모드로 동작할 때 상기 제1증폭부가 오프 상태가 되고 상기 제2증폭부가 온 상태가 되도록 제어하는 전력 증폭기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1증폭부 및 제2증폭부의 입력단에 연결되어, 상기 제1증폭부 및 제2증폭부에 의해 증폭되기 전의 입력 신호를 증폭시켜 상기 제1증폭부 및 제2증폭부로 출력하는 제3증폭부;
    상기 제3증폭부에 병렬로 연결되어, 상기 제1증폭부 및 제2증폭부에 의해 증폭되기 전의 입력 신호를 증폭시켜 상기 제1증폭부 및 제2증폭부로 출력하는 제4증폭부; 를 더 포함하고,
    상기 제어부는 상기 제3증폭부 및 제4증폭부 중 적어도 하나에 연결되고, 제어신호를 출력하여 상기 제3증폭부 및 제4증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어하는 전력 증폭기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3증폭부는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제3트랜지스터부를 포함하고,
    상기 제4증폭부는 기 설정된 면적 또는 기 설정된 개수의 제4트랜지스터부를 포함하고,
    상기 제3트랜지스터부의 기 설정된 면적은 상기 제4트랜지스터부의 기 설정된 면적과 다르고, 상기 제3트랜지스터부의 기 설정된 개수는 상기 제4트랜지스터부의 개수와 다른 전력 증폭기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3트랜지스터부의 기 설정된 면적은 상기 제4트랜지스터부의 기 설정된 면적의 2배이고,
    상기 제3트랜지스터부의 기 설정된 개수는 상기 제4트랜지스터부의 기 설정된 개수의 2배인 전력 증폭기.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제어부는 제1모드로 동작할 때 상기 제3증폭부 및 제4증폭부가 온 상태가 되도록 제어하고, 제2모드 또는 제3모드로 동작할 때 상기 제3증폭부가 온 상태가 되고 상기 제4증폭부가 오프 상태가 되도록 제어하고, 제4모드로 동작할 때 상기 제3증폭부가 오프 상태가 되고 상기 제4증폭부가 온 상태가 되는 전력 증폭기.
  9. 서로 병렬로 연결되어, 입력 신호를 증폭시키는 복수의 구동 증폭부;
    서로 병렬로 연결되어, 상기 구동 증폭부에 의해 증폭된 신호를 증폭시키는 복수의 전력 증폭부; 및
    상기 복수의 구동 증폭부 및 복수의 전력 증폭부에 연결되어 상기 복수의 구동 증폭부 및 복수의 전력 증폭부를 바이어싱(biasing)하는 바이어싱부; 를 포함하고,
    상기 바이어싱부는 상기 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나 또는 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 바이어스를 변경시켜 상기 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나 또는 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 제어하는 전력 증폭기.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 바이어싱부는 제1모드로 동작할 때 상기 복수의 구동 증폭부 및 복수의 전력 증폭부가 온 상태가 되도록 바이어싱하고, 제2모드로 동작할 때 상기 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나 및 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나가 오프 상태가 되도록 바이어싱하는 전력 증폭기.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 전력 증폭부의 총 면적 또는 총 개수는 상기 복수의 구동 증폭부의 총 면적 또는 총 개수의 16/3배이고,
    상기 바이어싱부는 제1모드로 동작할 때 상기 복수의 구동 증폭부 및 복수의 전력 증폭부가 온 상태가 되도록 바이어싱하고, 제2모드로 동작할 때 상기 복수의 구동 증폭부의 2/3면적 또는 2/3개수의 구동 증폭부가 온 상태가 되고 상기 복수의 전력 증폭부의 3/4면적 또는 3/4개수의 전력 증폭부가 온 상태가 되도록 바이어싱하고, 제3모드로 동작할 때 상기 복수의 구동 증폭부의 2/3면적 또는 2/3개수의 구동 증폭부가 온 상태가 되고 상기 복수의 전력 증폭부의 1/4면적 또는 1/4개수의 전력 증폭부가 온 상태가 되도록 바이어싱하고, 제4모드로 동작할 때 상기 복수의 구동 증폭부의 1/3면적 또는 1/3개수의 구동 증폭부가 온 상태가 되고 상기 복수의 전력 증폭부의 1/4면적 또는 1/4개수의 전력 증폭부가 온 상태가 되도록 바이어싱하는 전력 증폭기.
  12. 서로 병렬로 연결되어 입력 신호를 증폭시키는 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 변경시키는 구동 증폭부 변경단계; 및
    서로 병렬로 연결되어 상기 복수의 구동 증폭부에서 증폭된 신호를 증폭시키는 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 온-오프 상태를 변경시키는 전력 증폭부 변경단계; 를 포함하는 전력 증폭기의 출력 제어 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 구동 증폭부 변경단계는 상기 복수의 구동 증폭부 중 적어도 하나의 바이어스를 변경시켜 온-오프 상태를 변경시키고,
    상기 전력 증폭부 변경단계는 상기 복수의 전력 증폭부 중 적어도 하나의 바이어스를 변경시켜 온-오프 상태를 변경시키는 전력 증폭기의 출력 제어 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 전력 증폭부의 총 면적 또는 총 개수는 상기 복수의 구동 증폭부의 총 면적 또는 총 개수의 16/3배이고,
    상기 구동 증폭부 변경단계는 전력 증폭기의 동작모드가 변경될 때 상기 복수의 구동 증폭부의 1/3면적 또는 1/3개수의 구동 증폭부가 온 상태 또는 오프 상태이고 나머지 2/3면적 또는 2/3개수의 구동 증폭부가 오프 상태 또는 온 상태가 되도록 상기 구동 증폭부를 변경시키고,
    상기 전력 증폭부 변경단계는 전력 증폭기의 동작모드가 변경될 때 상기 복수의 전력 증폭부의 1/4면적 또는 1/4개수의 전력 증폭부가 온 상태 또는 오프 상태이고 나머지 3/4면적 또는 3/4개수의 전력 증폭부가 오프 상태 또는 온 상태가 되도록 상기 전력 증폭부를 변경시키는 전력 증폭기의 출력 제어 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190059832A (ko) * 2017-11-23 2019-05-31 한국전자통신연구원 주파수 체배 장치 및 방법
US10355645B2 (en) 2017-03-29 2019-07-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power amplifier

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10424368B2 (en) * 2017-12-07 2019-09-24 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for concentrated arrangement of transistors of multiple amplifier circuits
CN114124118A (zh) * 2021-11-23 2022-03-01 Oppo广东移动通信有限公司 射频前端模组、可穿戴设备、数据传输方法和存储介质

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4598252A (en) * 1984-07-06 1986-07-01 Itt Corporation Variable gain power amplifier
US20020097087A1 (en) * 2000-10-31 2002-07-25 Petz Felix Anton Reconfigurable device for amplifying RF signals
US20060132232A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Atiqul Baree Multi-mode power amplifier
US20060261887A1 (en) * 2003-01-03 2006-11-23 Avago Technologies High efficiency power amplifier
US7482868B2 (en) * 2005-10-25 2009-01-27 Skyworks Solutions, Inc. Dual mode power amplifier
US20100321110A1 (en) 2008-10-31 2010-12-23 Ikuroh Ichitsubo Linear rf power amplifier with frequency-selectable impedance matching
US20110187451A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power amplifier
WO2012157645A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 株式会社村田製作所 電力増幅器およびその動作方法
US20130241657A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Postech Academy-Industry Foundation Multi-mode doherty power amplifier

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7382186B2 (en) * 2005-01-24 2008-06-03 Triquint Semiconductor, Inc. Amplifiers with high efficiency in multiple power modes

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4598252A (en) * 1984-07-06 1986-07-01 Itt Corporation Variable gain power amplifier
US20020097087A1 (en) * 2000-10-31 2002-07-25 Petz Felix Anton Reconfigurable device for amplifying RF signals
US20060261887A1 (en) * 2003-01-03 2006-11-23 Avago Technologies High efficiency power amplifier
US20060132232A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Atiqul Baree Multi-mode power amplifier
US7482868B2 (en) * 2005-10-25 2009-01-27 Skyworks Solutions, Inc. Dual mode power amplifier
US20100321110A1 (en) 2008-10-31 2010-12-23 Ikuroh Ichitsubo Linear rf power amplifier with frequency-selectable impedance matching
US20110187451A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power amplifier
WO2012157645A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 株式会社村田製作所 電力増幅器およびその動作方法
US20130241657A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Postech Academy-Industry Foundation Multi-mode doherty power amplifier

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10355645B2 (en) 2017-03-29 2019-07-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power amplifier
KR20190059832A (ko) * 2017-11-23 2019-05-31 한국전자통신연구원 주파수 체배 장치 및 방법

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