CN103827992A - 层叠型线圈部件 - Google Patents
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Abstract
在层叠型线圈部件（1）中，烧成后的线圈导体（4，5）的粒径为10μm～22μm。通过将烧成后的线圈导体（4，5）的粒径设为10μm以上，能够将线圈导体的表面粗糙度减小至能够在高频下得到足够的Q值的程度。另外，通过使烧成后的线圈导体（4，5）的粒径为22μm以下，能够抑制烧成中线圈导体（4，5）的金属急剧熔解。通过上述情况，能够确保高品质，并且也能够得到高Q值。
Description
技术领域
本发明涉及一种层叠型线圈部件。
背景技术
作为现有的层叠型线圈部件，例如已知有专利文献1所记载层叠型线圈部件。在该层叠型线圈部件中，在玻璃陶瓷的薄片上形成线圈导体的导体图案，层叠各薄片并且将各薄片中的线圈导体电连接并进行烧成，由此形成内部配置有线圈部的素体。另外，在素体的两端面形成有与线圈部的端部电连接的外部电极部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-297533号公报
发明内容
发明所欲解决的问题
此处，层叠型线圈部件因其构造或制造方法等理由等，与卷绕了金属线的绕线线圈相比Q（quality factor，品质因数）值低。然而，近年来，特别是随着要求能够适应高频的部件，对层叠型线圈部件也要求高Q值。在现有的层叠型线圈部件中，无法实现能够满足这样要求的高Q值。
本发明有鉴于上述课题而完成者，其目的在在提供一种可获得高Q值的层叠型线圈部件。
解决问题的技术手段
为了提高线圈的Q值，提升线圈导体的表面的平滑性是合适的。在高频的情况下，若线圈导体表面的电阻高，则无法通过表皮效果来提高Q值。而且，在线圈导体的表面的平滑性低的情况下，表面电阻变高。因此，本发明人发现，为了提升线圈导体的表面的平滑性从而提高Q值，将烧成后的导体的粒径设为规定范围内的大小是合适的。
具体而言，本发明人等人发现，通过将烧成后的线圈导体的粒径设为10μm以上，从而能够将线圈导体的表面粗糙度减小至能够在高频下得到足够的Q值的程度。另一方面，本发明人等人发现，在使烧成后的线圈导体的粒径变得过大的情况下，在烧成中线圈导体的金属的熔解急剧进行，其结果，产生线圈导体的断线或抽出部的拉回等。因此，本发明人等人发现，通过将22μm以下作为烧成后的线圈导体的粒径的目标，能够抑制线圈导体的金属的急剧熔解。
即，本发明所涉及的层叠型线圈部件具备：素体，其通过层叠多层绝缘体层而形成；以及线圈部，其通过多个线圈导体而形成在素体的内部；烧成后的线圈导体的粒径为10μm～22μm。
在本发明所涉及的层叠型线圈部件中，通过将烧成后的线圈导体的粒径设为10μm以上，能够将线圈导体的表面粗糙度减小至能够在高频下得到足够的Q值的程度。另外，通过将烧成后的线圈导体的粒径设为22μm以下，能够抑制烧成中线圈导体的金属急剧熔解。通过所述情况，能够确保高品质，并且也能够获得高Q值。
另外，在层叠型线圈部件中，素体也可由玻璃陶瓷构成。由此，能够减小素体的介电常数，能够提高Q值。
另外，在层叠型线圈部件中，所述玻璃陶瓷也可含有86.7～92.5重量%的SiO2、以及0.5～2.4重量%的Al2O3。通过将素体的玻璃陶瓷的组成设为所述范围，能够使线圈导体的表面的平滑性进一步提升。
另外，在层叠型线圈部件中，也可形成有覆盖线圈导体的钾被覆层。在钾存在于线圈导体的周围的情况下，能够降低该线圈导体的周围的素体的软化点，在烧成时该区域的素体软化而容易变得平滑。与此相伴，也能够使与其接触的线圈导体的表面变得平滑。
另外，在层叠型线圈部件中，烧成后的线圈导体的粒径也可为11μm～18μm。由此，能够进一步抑制线圈导体的金属的急剧熔解，并且能够进一步减小线圈导体的表面粗糙度。
发明的效果
根据本发明，能够提高层叠型线圈部件的Q值。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的层叠型线圈部件的截面图。
图2是表示实施方式所涉及的层叠型线圈部件的截面图。
图3是表示线圈导体的表面的平滑性与表面电阻的关系的示意图。
图4是表示线圈部配置层的软化点低的情况且具有保形层的情况与不具有保形层的情况下的烧成时的素体的状态的示意图。
图5是表示素体的状态与线圈导体的表面的平滑性的关系的示意图。
图6是表示实施例所涉及的层叠型线圈部件的线圈导体的导体粒径与表面粗糙度的关系的图表。
图7是表示实施例所涉及的层叠型线圈部件的各种条件的表。
图8是表示关于所选定的层叠型线圈部件的频率与交流电阻值的关系的图表。
图9是表示所选定的层叠型线圈部件的线圈导体的截面的照片。
图10是表示关于所选定的层叠型线圈部件的频率与Q值的关系的图表。
符号的说明：
1层叠型线圈部件
2素体
2A线圈部配置层
2B保形层
3线圈部
4、5线圈导体
6外部导体。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的层叠型线圈部件的优选的实施方式进行详细说明。
图1及图2是表示本实施方式的层叠型线圈部件的截面图。如图1及图2所示，层叠型线圈部件1具备：素体2，其通过层叠多层绝缘体层而形成；线圈部3，其通过多个线圈导体4,5而形成在素体2的内部；以及一对外部电极6，其形成在素体2的两端面。
素体2是由层叠有多层陶瓷生片的烧结体构成的长方体状或立方体状的层叠体。此处，素体2也可采用如图2所示具备在内部配置有线圈部3的线圈部配置层2A、以及以夹持该线圈部配置层2A的方式设置有一对的保形层2B的结构。或者也可采用如图1所示素体2不具有保形层2B而仅由线圈部配置层2A构成的结构。
只要线圈部配置层2A是将线圈导体4的粒径设在规定的范围内者，便并无特别限定，例如优选由玻璃陶瓷构成。由此，能够减小素体2的介电常数，能够提高Q值。另外，线圈部配置层2A优选由非晶质的陶瓷构成。由此，能够提升线圈导体4,5的平滑性。另外，线圈部配置层2A优选含有SiO2。由此，能够减小线圈部配置层2A的介电常数。另外，线圈部配置层2A优选含有Al2O3。由此，能够防止线圈部配置层2A中的晶体转移。另外，为了形成覆盖线圈导体4,5的被覆层7，线圈部配置层2A优选含有K2O。
线圈部配置层2A中，作为主成分含有35～60重量%的硼硅酸玻璃成分，且含有15～35重量%的石英成分，剩余部分含有不定形硅成分，作为副成分而含有氧化铝，且氧化铝的含量相对于上述主成分100重量%而含有0.5～2.5重量%。而且，线圈部配置层2A在烧成后具有SiO2为86.7～92.5重量%、B2O3为6.2～10.7重量%、K2O为0.7～1.2重量%、Al2O3为0.5～2.4重量%的组成。通过玻璃陶瓷含有86.7～92.5重量%的SiO2、以及0.5～2.4重量%的Al2O3，能够使线圈导体4,5的表面的平滑性进一步提升。再者，也可含有1.0重量%以下的MgO、CaO。
或者，线圈部配置层2A中，作为主成分含有35～75重量%的硼硅酸玻璃成分，含有5～40重量%的石英成分，且含有5～60重量%的硅酸锌成分。硼硅酸玻璃中，作为主成分含有SiO2=70～90重量%、B2O3=10～30重量%，且作为副成分含有合计为5重量%以下的K2O、Na2O、BaO、SrO、Al2O3及CaO中的至少1种以上。而且，线圈部配置层2A在烧成后也具有SiO2=53.7～89.5重量%、B2O3=3.5～22.5重量%、ZnO=3.0～35.8重量%、合计为3.8重量%以下的K2O、Na2O、BaO、SrO、Al2O3及CaO中的至少1种以上的组成。
如图2所示，在成为具有保形层2B般的结构的情况下，优选使素体2为如下的结构。即，保形层2B以覆盖线圈部配置层2A的端面中在层叠方向上相对的端面2a及端面2b的整个面的方式形成。保形层2B具有保持线圈部配置层2A在烧结时的形状的功能。层叠方向上的线圈部配置层2A的厚度为例如0.1mm以上，层叠方向上的保形层2B的厚度为5μm以上。
在成为图2所示般的结构的情况下，线圈部配置层2A中，作为主成分含有35～60重量%的硼硅酸玻璃成分，且含有15～35重量%的石英成分，剩余部分含有不定形硅成分，作为副成分而含有氧化铝，且氧化铝的含量相对于上述主成分100重量%而含有0.5～2.5重量%。而且，线圈部配置层2A在烧成后具有SiO2为86.7～92.5重量%、（B2O3）为6.2～10.7重量%、K2O为0.7～1.2重量%、Al2O3为0.5～2.4重量%的组成。通过线圈部配置层2A含有86.7～92.5重量%的SiO2，能够减小线圈部配置层2A的介电常数。另外，通过线圈部配置层2A含有0.5～2.4重量%的Al2O3，能够防止线圈部配置层2A中的晶体转移。再者，也可含有1.0重量%以下的MgO、CaO。
保形层2B中，作为主成分含有50～70重量%的玻璃成分，且含有30～50重量%的氧化铝成分。而且，保形层2B在烧成后具有SiO2为23～42重量%、B2O3为0.25～3.5重量%、Al2O3为34.2～58.8重量%、碱土金属氧化物为12.5～31.5重量%的组成，该碱土金属氧化物中的60重量%以上（即保形层2B整体的7.5～31.5重量%）为SrO。
在成为如图2般的结构的情况下，线圈部配置层2A的软化点设定得比保形层2B的软化点或熔点低。具体而言，线圈部配置层2A的软化点为800～1050℃，保形层2B的软化点或熔点为1200℃以上。通过降低线圈部配置层2A的软化点，能够使线圈部配置层2A成为非晶质。通过提高保形层2B的软化点或熔点，能够以在烧成时使软化点低的线圈部配置层2A不变形的方式保持形状。
若含有SrO则无法降低软化点，故而线圈部配置层2A中不含SrO。此处，由于SrO难以扩散，故而可抑制烧成时保形层2B的SrO扩散至线圈部配置层2A。另外，线圈部配置层2A中不含SrO，则能够相应地增加相对低介电常数的SiO2，由此可降低介电常数。因此，可提高线圈的Q（quality factor）值。另一方面，在保形层2B中含有SrO，则SiO2的含量相应地与线圈部配置层2A相比小的介电常数变高，但在该保形层2B中不包含线圈导体4,5，对线圈的Q值不会产生影响。另外，线圈部配置层2A中SiO2的含量高且强度低，但保形层2B中SiO2的含量低且强度高。即，保形层2B在烧成后也可作为线圈部配置层2A的增强层发挥功能。
此处，如图4（a）所示，若素体为结晶质，则存在因该素体的表面的凹凸的影响而使与其接触的线圈导体的表面的凹凸也变大的可能性，相对于此，如图4（b）所示，若素体为非晶质，则因该素体的光滑的表面的影响，与其接触的线圈导体的表面也变得光滑，故而更优选。即，更优选使素体为非晶质。再者，在本实施方式中的图2所示的结构中，素体并非为完全的非晶质而是含有少量（0.5～2.4重量%）的氧化铝成分，从而相应地包含一部分结晶质，但由于为极少量，故而可得到如图4（b）般的光滑的表面。另一方面，在为了使素体为非晶质而降低软化点的情况下，如图5（b）所示，因素体整体软化而导致素体的形状变圆，存在无法保持形状的情况，但在采用如图2般的具有保形层2B的结构的情况下，能够如图5（a）所示保持素体的形状，故而优选。在采用图2的结构的情况下，即便为了使线圈部配置层2A为非晶质而将软化点设定得比保形层2B低，但由于软化点降低的线圈部配置层2A被保形层2B所夹持，故而在烧成时也不会变圆而保持形状。再者，在即便不具有保形层2B也能够成为非晶质的情况下，也可成为如图1般的结构。另外，素体并不限定于非晶质，只要得到所期望的线圈导体的粒径，则也可为结晶质。
线圈部3具有绕线部所涉及的线圈导体4、以及与外部电极6连接的抽出部所涉及的线圈导体5。线圈导体4,5由例如以银、铜及镍中的任一种为主成分的导体膏体而形成。在图2的结构的情况下，线圈部3仅配置在线圈部配置层2A的内部，未配置在保形层2B中。另外，线圈部3的任一线圈导体4,5均未与保形层2B接触。层叠方向上的线圈部3的两端部与保形层2B相离，且在该线圈部3与保形层2B之间配置有线圈部配置层2A的陶瓷。绕线部所涉及的线圈导体4通过在形成线圈部配置层2A的陶瓷生片上利用导体膏体形成规定绕线的导体图案而构成。各层的导体图案通过通孔导体而在层叠方向上连接。另外，抽出部所涉及的线圈导体5通过如将绕线图案的端部抽出至外部电极6般的导体图案而构成。再者，绕线部的线圈图案或绕线数、或抽出部的抽出位置等并无特别限定。
在线圈部3的线圈导体4,5的周围形成有覆盖该线圈导体4,5的K（钾）的被覆层7。该被覆层7通过使形成线圈部配置层2A的烧成前的陶瓷生片含有钾从而在烧成时使钾聚集在线圈导体4,5的周围而形成。
线圈导体4,5的烧成后的粒径优选为10μm～22μm，更优选为11μm～18μm。为了降低表面电阻，优选减小线圈导体4,5的表面粗糙度。通过将线圈导体4,5的粒径设为10μm以上，能够减小表面粗糙度，能够在高频提高Q值。另外，通过将线圈导体4,5的粒径设为22μm以下，能够抑制因构成线圈导体4,5的金属（例如银）的熔解而产生断线或抽出部的拉回等。
一对外部电极6以覆盖素体2的端面中在与层叠方向正交的方向上相对的两端面的方式形成。各外部电极6也可以以覆盖该两端面整体的方式形成，并且一部分从该两端面向其他四面回绕。各外部电极6系对例如以银、铜及镍中的任一种为主成分的导体膏体进行丝网印刷或使用印刷和浸渍方式而形成。
以下，就上述结构的层叠型线圈部件1的制造方法进行说明。
首先，准备形成线圈部配置层2A的陶瓷生片。以成为如上述般的组成的方式调制陶瓷的膏体，并利用刮刀法等进行薄片成型，由此准备各陶瓷生片。在成为如图2般的结构的情况下，也准备形成保形层2B的陶瓷生片。
准备形成线圈导体4,5的导电膏。在该导电膏中含有具有规定粒度特性的以银、镍或铜为主成分的导体粉。具体而言，作为导体粉，使用平均粒径1μm～3μm、标准偏差0.7μm～1.0μm的导体粉。再者，为了得到这样的粒度特性的导体粉，也可进行分级。
继而，在成为线圈部配置层2A的各陶瓷生片的规定位置、即形成通孔电极的预定的位置，通过激光加工等分别形成通孔。其次，在成为线圈部配置层2A的各陶瓷生片上分别形成各导体图案。此处，各导体图案及各通孔电极使用含有银或镍等的导电膏且通过丝网印刷法而形成。
继而，层叠各陶瓷生片。在成为如图2般的结构的情况下，在成为保形层2B的陶瓷生片上堆积成为线圈部配置层2A的陶瓷生片，并自其上重叠成为保形层2B的陶瓷生片。再者，形成在底部和上部的保形层2B可分别通过一块陶瓷生片而形成，也可通过多块陶瓷生片而形成。其次，在层叠方向上施加压力而使各陶瓷生片压接。
继而，将该经层叠的层叠体例如以900～940℃、10～60分钟进行烧成，形成素体2。将线圈导体的粒径的目标粒径设为10μm～22μm，且调整烧成条件。再者，在设为如图2般的结构的情况下，所设定的烧成温度设定得线圈部配置层2A的软化点以上且未到保形层2B的软化点或熔点。此时，保形层2B保持线圈部配置层2A的形状。
继而，在该素体2形成外部电极6。由此，形成层叠型线圈部件1。外部电极6通过在素体2的长度方向的两端面分别涂布以银、镍或铜为主成分的电极膏体，并在规定温度（例如，600～700℃左右）下进行烧结，再实施电镀而形成。作为该电镀，可使用Cu、Ni及Sn等。
其次，就本实施方式的层叠型线圈部件1的作用·效果进行说明。
为了提高线圈的Q（quality factor）值，提升线圈导体的表面的平滑性是合适的。频率越高则表皮深度越浅，在高频的情况下，线圈导体的表面的平滑性对Q值产生影响。例如，在如图3（b）所示线圈导体的表面的平滑性低且形成有凹凸的情况下，线圈导体的表面电阻上升，线圈的Q值降低。另一方面，若如图3（a）所示线圈导体的表面的平滑性高，则线圈导体的表面电阻降低，能够提高线圈的Q值。
此处，本发明人等人发现，通过将烧成后的线圈导体的粒径设为10μm以上，能够将线圈导体的表面粗糙度减小至能够在高频得到足够的Q值的程度。另一方面，本发明人等人发现，在通过调整烧成条件等而使烧成后的线圈导体的粒径变得过大的情况下，在烧成中线圈导体的金属的熔解急剧进行，其结果，产生线圈导体的断线或抽出部的拉回等。因此，本发明人等人发现，通过以将22μm以下作为烧成后的线圈导体的粒径为目标，能够抑制线圈导体的金属的急剧熔解。
因此，在本实施方式的层叠型线圈部件1中，烧成后的线圈导体4,5的粒径为10μm～22μm。通过将烧成后的线圈导体4,5的粒径设为10μm以上，能够将线圈导体的表面粗糙度减小至能够在高频得到足够的Q值的程度。另外，通过使烧成后的线圈导体4,5的粒径为22μm以下，能够抑制烧成线圈导体4,5的金属急剧熔解。通过上述情况，能够确保高品质，并得到高Q值。
另外，在层叠型线圈部件1中形成有覆盖线圈导体4,5的钾被覆层7。在在线圈导体4,5的周围存在钾的情况下，能够降低该线圈导体4,5的周围的素体2的软化点，在烧成时该区域的素体2软化而容易变得平滑。与此相伴，也能够使与其接触的线圈导体4,5的表面变得平滑。另外，由钾被覆层7覆盖并保护线圈导体4,5，由此，能够防止在线圈导体4,5与玻璃陶瓷的边界附近产生断裂。
本发明并不限定在上述实施方式。
例如在上述实施方式中，例示了具有一个线圈部的层叠型线圈部件，但例如也可为阵列状地具有多个线圈部者。
[实施例]
制作层叠型线圈部件A-1～A-7（组A）、层叠型线圈部件B-1～B6（组B）、以及层叠型线圈部件C-1～C-5（组C），测量各层叠型线圈部件的线圈导体的导体粒径与表面粗糙度的关系。另外，测量表面粗糙度与交流电阻值的关系，并且观察线圈导体的状态。
<制造条件（组A）>
组A的层叠型线圈部件是如图2所示般的由保形层2B夹持线圈部配置层2A的构造。
形成层叠型线圈部件A-1～A-7的线圈部配置层2A的陶瓷膏体的组成中，硼硅酸玻璃成分为66.1重量%，石英成分为25.4重量%，硅酸锌成分为8.5重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为140重量%。
形成层叠型线圈部件A-1～A-7的保形层2B的陶瓷膏体的组成中玻璃成分为70重量%，氧化铝为30重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为140重量%。
形成层叠型线圈部件A-1～A-7的线圈导体4,5的导体膏体中Ag为100重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为40重量%。
将烧成条件设定为图7的表所示的条件。
在如上述般的层叠型线圈部件A-1～A-7中，生坯特性为非晶质，且电极特性为晶粒易生长。
<制造条件（组B）>
组B的层叠型线圈部件是如图2所示般的由保形层2B夹持线圈部配置层2A的构造。
形成层叠型线圈部件B-1～B-6的线圈部配置层2A的陶瓷膏体的组成中硼硅酸玻璃成分为60重量%，石英成分为20重量%，不定形硅成分为20重量%，氧化铝为1.5重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为140重量%。
形成层叠型线圈部件B-1～B-6的保形层2B的陶瓷膏体的组成中玻璃成分为70重量%，氧化铝为30重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为140重量%。
形成层叠型线圈部件B-1～B-6的线圈导体4,5的导体膏体中Ag为100重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为40重量%。
将烧成条件设定为图7的表所示的条件。
在如上述般的层叠型线圈部件B-1～B-6中，生坯特性为非晶质，电极特性为晶粒易生长。
<制造条件（组C）>
组C的层叠型线圈部件是如图1所示般的仅由线圈部配置层2A构成的构造。
形成层叠型线圈部件C-1～C-5的线圈部配置层2A的陶瓷膏体的组成中玻璃成分为70重量%，氧化铝为30重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为140重量%。
形成层叠型线圈部件C-1～C-5的线圈导体4,5的导体膏体中Ag为100重量%，且乙基纤维素（粘合剂）为10重量%，松脂醇（溶剂）为40重量%。
将烧成条件设定为图7的表所示的条件。
在如上述般的层叠型线圈部件C-2～C-5中，生坯特性为结晶质，电极特性为晶粒难生长。另一方面，在层叠型线圈部件C-1中，生坯特性为结晶质，电极特性为晶粒易生长。
<导体粒径与表面粗糙度的测量>
对如上述般的层叠型线圈部件进行导体粒径与表面粗糙度的测量，在图6所示的图表中描绘了两者的关系。关于导体粒径，拍摄导体截面的SIM（Scanning Ion Microscopy，扫描离子显微镜）像，并通过图像解析软体算出颗粒的面积，以面积相当的圆的直径为导体粒径。关于表面粗糙度，对导体截面中线圈导体与素体的边界部分测量线圈导体的凹凸的高度与凹凸的宽度，取得凹凸的高度相对于凹凸的宽度的百分率，取样100处以上的这样的凹凸并进行统计处理，以该百分率的平均值为表面粗糙度。
<交流电阻值的测量>
在上述层叠型线圈部件中从图7中拾取层叠型线圈部件A-1、A-7、C-1、C-2来测量交流电阻值。各层叠型线圈部件的导体周围长度为155μm，且测量每单位μm的交流电阻值。将测量结果表示在图8中。另外，将各层叠型线圈部件的导体截面的照片表示在图9中。此外，将根据图8所示的交流电阻值计算Q值而获得的结果表示在图10中。如图10所示，表面粗糙度约8%的层叠型线圈部件C-1（及表面粗糙度比其小的A-1及A-7）能够在1GHz下得到绕线线圈的80%左右的Q值。即，可理解，若表面粗糙度为8%以下，则即便取代绕线线圈而在相同电路中使用，也可得到能够充分发挥功能的级别的性能。另外，根据图8，表面粗糙度约18%的层叠型线圈部件C-2的交流电阻值变高。另一方面，对于表面粗糙度约5%的层叠型线圈部件A-7、以及表面粗糙度约1%的层叠型线圈部件A-1，交流电阻值比层叠型线圈部件C-1进一步降低。如此，如层叠型线圈部件A-1、A-7般通过使表面粗糙度为6%以下的足够小的值从而能够降低交流电阻值。即，能够提高Q值。从图6可理解，只要导体粒径至少为10μm以上，则能够将表面粗糙度抑制到6%以下的足够小的值，从而能够切实地得到Q值高的制品。
<线圈导体的状态的观察>
其次，对各层叠型线圈部件，观察线圈导体的状态，观察金属的熔解所致的断线、或抽出部的拉回等。在该观察中，关于各条件，分别制造100个层叠型线圈部件并进行观察。关于层叠型线圈部件A1、A2，针对100个中100个层叠型线圈部件而言确认有断线等。另一方面，关于其他条件所涉及的层叠型线圈部件，针对100个中100个层叠型线圈部件而言未观察到这样的断线等而确认为良好的状态。从该结果可理解，只要线圈导体的粒径为22μm以下，则能够抑制线圈导体的熔解急剧进行，并防止断线等。
<综合评价>
从以上结果可理解，通过将10μm～22μm设为线圈导体的粒径的目标粒径，从而即便在高频也能够得到高Q值，并且能够得到无断线等的良好状态的层叠型线圈部件。
产业上的可利用性
本发明可利用在层叠型线圈部件。
Claims (5)
1.一种层叠型线圈部件，其特征在于，
具备：
素体，其通过层叠多层绝缘体层而形成；以及
线圈部，其通过多个线圈导体而形成在所述素体的内部；
烧成后的所述线圈导体的粒径为10μm～22μm。
2.如权利要求1所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
所述素体由玻璃陶瓷构成。
3.如权利要求2所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
所述玻璃陶瓷含有86.7～92.5重量%的SiO2、以及0.5～2.4重量%的Al2O3。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
形成有覆盖所述线圈导体的钾被覆层。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的层叠型线圈部件，其特征在于，
烧成后的所述线圈导体的粒径为11μm～18μm。
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