TW201320124A - 積層型線圈零件 - Google Patents
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Abstract
於本發明之積層型線圈零件1中，煅燒後之線圈導體4、5之粒徑為10 μm~22 μm。藉由將煅燒後之線圈導體4、5之粒徑設為10 μm以上，而可將線圈導體之表面粗糙度減小至能夠以高頻獲得充分之Q值之程度。又，藉由使煅燒後之線圈導體4、5之粒徑為22 μm以下，而可抑制煅燒中線圈導體4、5之金屬急遽熔解。藉由上述情況而可確保較高之品質，並且亦可獲得較高之Q值。
Description
本發明係關於一種積層型線圈零件。
作為先前之積層型線圈零件，例如已知有專利文獻1所記載者。於該積層型線圈零件中，於玻璃陶瓷之片材上形成線圈導體之導體圖案，積層各片材並且將各片材中之線圈導體電性連接並進行煅燒，藉此形成內部配置有線圈部之素體。又，於素體之兩端面形成有與線圈部之端部電性連接之外部電極部。
專利文獻1：日本專利特開平11-297533號公報
此處，積層型線圈零件因其構造或製造方法等原因等，與捲繞有金屬線之繞線線圈相比Q(quality factor，品質因數)值較低。然而，近年來，隨著尤其需求可應對高頻之零件，對積層型線圈零件亦要求較高之Q值。於先前之積層型線圈零件中，無法實現能夠滿足該種要求之較高之Q值。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種可獲得較高之Q值之積層型線圈零件。
為了提高線圈之Q值，較佳為提昇線圈導體之表面之平滑性。於高頻之情形時，若線圈導體表面之電阻較高，則無法藉由表皮效果而提高Q值。而且，於線圈導體之表面之平滑性較低之情形時，表面電阻變高。因此，本發明者發現，為了提昇線圈導體之表面之平滑性從而提高Q值，較佳為將煅燒後之導體之粒徑設為特定範圍內之大小。
具體而言，本發明者等人發現，藉由將煅燒後之線圈導體之粒徑設為10 μm以上，而可將線圈導體之表面粗糙度減小至能夠以高頻獲得充分之Q值之程度。另一方面，本發明者等人發現，於使煅燒後之線圈導體之粒徑變得過大之情形時，於煅燒中線圈導體之金屬之熔解急遽進行，其結果，產生線圈導體之斷線或抽出部之拉回等。因此，本發明者等人發現，藉由將22 μm以下作為煅燒後之線圈導體之粒徑之目標，而可抑制線圈導體之金屬之急遽熔解。
即，本發明之積層型線圈零件包括：素體，其係藉由積層複數層絕緣體層而形成；及線圈部，其係藉由複數個線圈導體而形成於素體之內部；且煅燒後之線圈導體之粒徑為10 μm~22 μm。
於本發明之積層型線圈零件中，藉由將煅燒後之線圈導體之粒徑設為10 μm以上，而可將線圈導體之表面粗糙度減小至能夠以高頻獲得充分之Q值之程度。又，藉由將煅燒後之線圈導體之粒徑設為22 μm以下，而可抑制煅燒中線圈導體之金屬急遽熔解。藉由上述情況而可確保較高之品質，並且亦可獲得較高之Q值。
又，於積層型線圈零件中，素體亦可包含玻璃陶瓷。藉此，可使素體之介電係數變小，可提高Q值。
又，於積層型線圈零件中，上述玻璃陶瓷亦可含有86.7~92.5重量%之SiO2、及0.5~2.4重量%之Al2O3。藉由將素體之玻璃陶瓷之組成設為上述範圍，而可使線圈導體之表面之平滑性進一步提昇。
又，於積層型線圈零件中，亦可形成有覆蓋線圈導體之鉀被覆層。於在線圈導體之周圍存在鉀之情形時，可降低該線圈導體之周圍之素體之軟化點，於煅燒時該區域之素體軟化而容易變得平滑。隨之，亦可使與其接觸之線圈導體之表面變得平滑。
又，於積層型線圈零件中，煅燒後之線圈導體之粒徑亦可為11 μm~18 μm。藉此，可進一步抑制線圈導體之金屬之急遽熔解，並且可使線圈導體之表面粗糙度進一步變小。
根據本發明，可提高積層型線圈零件之Q值。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之積層型線圈零件之較佳之實施形態進行詳細說明。
圖1及圖2係表示本實施形態之積層型線圈零件之剖面圖。如圖1及圖2所示，積層型線圈零件1包括：素體2，其係藉由積層複數層絕緣體層而形成；線圈部3，其係藉由複數個線圈導體4、5而形成於素體2之內部；及一對外部
電極6，其等形成於素體2之兩端面。
素體2係包含積層有複數層陶瓷生片之燒結體之長方體狀或立方體狀之積層體。此處，素體2亦可採用如圖2所示般包括內部配置有線圈部3之線圈部配置層2A、及以夾持該線圈部配置層2A之方式設置有一對之保形層2B之構成。或者亦可採用如圖1所示般素體2不包含保形層2B而僅包含線圈部配置層2A之構成。
只要線圈部配置層2A為使線圈導體4之粒徑為特定之範圍內者，則並無特別限定，例如較佳為包含玻璃陶瓷。藉此，可使素體2之介電係數變小，而可提高Q值。又，線圈部配置層2A較佳為包含非晶質之陶瓷。藉此，可提昇線圈導體4、5之平滑性。又，線圈部配置層2A較佳為含有SiO2。藉此，可使線圈部配置層2A之介電係數變小。又，線圈部配置層2A較佳為含有Al2O3。藉此，可防止線圈部配置層2A中之晶體轉移。又，為了形成覆蓋線圈導體4、5之被覆層7，線圈部配置層2A較佳為含有K2O。
線圈部配置層2A中作為主成分含有35~60重量%之硼矽酸玻璃成分，且含有15~35重量%之石英成分，其餘部分含有非結晶矽成分，作為副成分而含有氧化鋁，且氧化鋁之含量相對於上述主成分100重量%而含有0.5~2.5重量%。且線圈部配置層2A於煅燒後具有SiO2為86.7~92.5重量%、B2O3為6.2~10.7重量%、K2O為0.7~1.2重量%、Al2O3為0.5~2.4重量%之組成。藉由玻璃陶瓷含有86.7~92.5重量%之SiO2、及0.5~2.4重量%之Al2O3，而可使線圈導體4、5之
表面之平滑性進一步提昇。再者，亦可含有1.0重量%以下之MgO、CaO。
或者，線圈部配置層2A中作為主成分含有35~75重量%之硼矽酸玻璃成分，且含有5~40重量%之石英成分，且含有5~60重量%之矽酸鋅成分。硼矽酸玻璃中作為主成分含有SiO2=70~90重量%、B2O3=10~30重量%，且作為副成分含有合計為5重量%以下之K2O、Na2O、BaO、SrO、Al2O3及CaO中之至少1種以上。且線圈部配置層2A於煅燒後亦具有SiO2=53.7~89.5重量%、B2O3=3.5~22.5重量%、ZnO=3.0~35.8重量%、合計為3.8重量%以下之K2O、Na2O、BaO、SrO、Al2O3及CaO中之至少1種以上之組成。
於如圖2所示般設為如具有保形層2B之構成之情形時，較佳為將素體2設為如下之構成。即，保形層2B以覆蓋線圈部配置層2A之端面中於積層方向上對向之端面2a及端面2b之整面之方式形成。保形層2B具有保持線圈部配置層2A之燒結時之形狀之功能。積層方向上之線圈部配置層2A之厚度為例如0.1 mm以上，積層方向上之保形層2B之厚度為5 μm以上。
於設為如圖2所示般之構成之情形時，線圈部配置層2A中作為主成分含有35~60重量%之硼矽酸玻璃成分，且含有15~35重量%之石英成分，其餘部分含有非結晶矽成分，作為副成分而含有氧化鋁，且氧化鋁之含量相對於上述主成分100重量%而含有0.5~2.5重量%。且線圈部配置層2A於煅燒後具有SiO2為86.7~92.5重量%、(B2O3)為
6.2~10.7重量%、K2O為0.7~1.2重量%、Al2O3為0.5~2.4重量%之組成。藉由線圈部配置層2A含有86.7~92.5重量%之SiO2，而可使線圈部配置層2A之介電係數變小。又，藉由線圈部配置層2A含有0.5~2.4重量%之Al2O3，而可防止線圈部配置層2A中之晶體轉移。再者，亦可含有1.0重量%以下之MgO、CaO。
保形層2B中作為主成分含有50~70重量%之玻璃成分，且含有30~50重量%之氧化鋁成分。且保形層2B於煅燒後具有SiO2為23~42重量%、B2O3為0.25~3.5重量%、Al2O3為34.2~58.8重量%、鹼土金屬氧化物為12.5~31.5重量%之組成，且該鹼土金屬氧化物中之60重量%以上(即保形層2B整體之7.5~31.5重量%)為SrO。
於設為如圖2般之構成之情形時，線圈部配置層2A之軟化點係設定為低於保形層2B之軟化點或熔點。具體而言，線圈部配置層2A之軟化點為800~1050℃，保形層2B之軟化點或熔點為1200℃以上。藉由降低線圈部配置層2A之軟化點，而可使線圈部配置層2A成為非晶質。藉由提高保形層2B之軟化點或熔點，而可以於煅燒時不使軟化點較低之線圈部配置層2A變形之方式保持形狀。
若含有SrO則無法降低軟化點，故而線圈部配置層2A中不含SrO。此處，由於SrO難以擴散，故而可抑制煅燒時保形層2B之SrO擴散至線圈部配置層2A。又，線圈部配置層2A中不含SrO，則可相應地增加相對低介電係數之SiO2，藉此可降低介電係數。因此，可提高線圈之Q(quality
factor)值。另一方面，保形層2B中含有SrO，則SiO2之含量相應地少於線圈部配置層2A而介電係數變高，但於該保形層2B中不包含線圈導體4、5，對線圈之Q值不會產生影響。又，線圈部配置層2A中SiO2之含量較高且強度較低，但保形層2B中SiO2之含量較低且強度較高。即，保形層2B於煅燒後亦可作為線圈部配置層2A之增強層發揮功能。
此處，如圖4(a)所示，若素體為結晶質，則因該素體之表面之凹凸之影響，可能使與其接觸之線圈導體之表面之凹凸亦變大，相對於此，如圖4(b)所示，若素體為非晶質，則因該素體之光滑之表面之影響，與其接觸之線圈導體之表面亦變得光滑，故而更佳。即，更佳為使素體為非晶質。再者，於本實施形態中之圖2所示之構成中，素體並非為完全之非晶質而是含有少量(0.5~2.4重量%)之氧化鋁成分，從而相應地含有一部分結晶質，但由於為極少量，故而可獲得如圖4(b)般之光滑之表面。另一方面，於為了使素體為非晶質而降低軟化點之情形時，如圖5(b)般因素體整體軟化而導致素體之形狀變圓，存在無法保持形狀之情形，但於採用如圖2般之具有保形層2B之構成之情形時，可如圖5(a)所示般保持素體之形狀，故而較佳。於採用圖2之構成之情形時，即便為了使線圈部配置層2A為非晶質而將軟化點設定為低於保形層2B，但由於軟化點降低之線圈部配置層2A係藉由保形層2B所夾持，故而於煅燒時亦不會變圓而保持形狀。再者，於即便不具有保形層2B亦可成為非晶質之情形時，亦可形成如圖1般之構成。
又，素體並不限定為非晶質，只要可獲得所期望之線圈導體之粒徑，則亦可為結晶質。
線圈部3包含繞線部之線圈導體4、及與外部電極6連接之抽出部之線圈導體5。線圈導體4、5藉由例如以銀、銅及鎳中之任一者為主成分之導體漿料而形成。於圖2之構成之情形時，線圈部3僅配置於線圈部配置層2A之內部，未配置於保形層2B中。又，線圈部3之任一線圈導體4、5均未與保形層2B接觸。積層方向上之線圈部3之兩端部與保形層2B相離，且於該線圈部3與保形層2B之間配置線圈部配置層2A之陶瓷。繞線部之線圈導體4係藉由在形成線圈部配置層2A之陶瓷生片上利用導體漿料形成特定繞線之導體圖案而構成。各層之導體圖案係藉由通孔導體而於積層方向上連接。又，抽出部之線圈導體5係藉由如將繞線圖案之端部抽出至外部電極6般之導體圖案而構成。再者，繞線部之線圈圖案或繞線數、或抽出部之抽出位置等並無特別限定。
於線圈部3之線圈導體4、5之周圍形成有覆蓋該線圈導體4、5之K(鉀)被覆層7。該被覆層7係藉由如下方法而形成，即，藉由使形成線圈部配置層2A之煅燒前之陶瓷生片含有鉀，而於煅燒時使鉀聚集於線圈導體4、5之周圍。
線圈導體4、5之煅燒後之粒徑較佳為10 μm~22 μm，更佳為11 μm~18 μm。為了降低表面電阻，較佳為使線圈導體4、5之表面粗糙度變小。藉由將線圈導體4、5之粒徑設為10 μm以上，而可使表面粗糙度變小，而可以高頻提高Q
值。又，藉由將線圈導體4、5之粒徑設為22 μm以下，而可抑制因構成線圈導體4、5之金屬(例如銀)之熔解而產生斷線或抽出部之拉回等。
一對外部電極6係以覆蓋素體2之端面中於與積層方向正交之方向上對向之兩端面之方式形成。各外部電極6係以覆蓋該兩端面整體之方式形成，並且亦可使一部分自該兩端面向其他四面迴繞。各外部電極6係對例如以銀、銅及鎳中之任一者為主成分之導體漿料進行絲網印刷或使用印刷與浸漬方式而形成。
其次，對上述構成之積層型線圈零件1之製造方法進行說明。
首先，準備形成線圈部配置層2A之陶瓷生片。以成為如上所述之組成之方式調製陶瓷之漿料，並利用刮刀法等使其片材成型，藉此準備各陶瓷生片。於設為如圖2般之構成之情形時，亦準備形成保形層2B之陶瓷生片。
準備形成線圈導體4、5之導電膏。於該導電膏中含有具有特定粒度特性之以銀、鎳或銅為主成分之導體粉。具體而言，作為導體粉，使用平均粒徑1 μm~3 μm、標準偏差0.7 μm~1.0 μm者。再者，為了獲得該種粒度特性之導體粉，亦可進行分級。
繼而，於成為線圈部配置層2A之各陶瓷生片之特定位置、即形成通孔電極之預定之位置，藉由雷射加工等分別形成通孔。其次，於成為線圈部配置層2A之各陶瓷生片上分別形成各導體圖案。此處，各導體圖案及各通孔電極係
使用含有銀或鎳等之導電膏且藉由絲網印刷法而形成。
繼而，積層各陶瓷生片。於設為如圖2般之構成之情形時，於成為保形層2B之陶瓷生片上堆積成為線圈部配置層2A之陶瓷生片，並自其上堆疊成為保形層2B之陶瓷生片。再者，形成於底部與上部之保形層2B可分別藉由一片陶瓷生片而形成，亦可藉由複數片陶瓷生片而形成。其次，於積層方向上施加壓力而使各陶瓷生片壓接。
繼而，將該經積層之積層體例如以900~940℃、10~60分鐘進行煅燒，而形成素體2。將線圈導體之粒徑之目標粒徑設為10 μm~22 μm，且調整煅燒條件。再者，於設為如圖2般之構成之情形時，所設定之煅燒溫度係設定為線圈部配置層2A之軟化點以上且未達保形層2B之軟化點或熔點。此時，保形層2B保持線圈部配置層2A之形狀。
繼而，於該素體2形成外部電極6。藉此，形成積層型線圈零件1。外部電極6係藉由在素體2之長度方向之兩端面分別塗佈以銀、鎳或銅為主成分之電極漿料，並以特定溫度(例如，600~700℃左右)進行燒附，進而實施電鍍而形成。作為該電鍍，可使用Cu、Ni及Sn等。
其次，對本實施形態之積層型線圈零件1之作用、效果進行說明。
為了提高線圈之Q(quality factor)值，較佳為提昇線圈導體之表面之平滑性。頻率越高則表皮深度(skin depth)越淺，於高頻之情形時，線圈導體之表面之平滑性對Q值產生影響。例如，於如圖3(b)般線圈導體之表面之平滑性較
低，形成有凹凸之情形時，線圈導體之表面電阻上升，而導致線圈之Q值降低。另一方面，若如圖3(a)般線圈導體之表面之平滑性較高，則線圈導體之表面電阻降低，而可提高線圈之Q值。
此處，本發明者等人發現，藉由將煅燒後之線圈導體之粒徑設為10 μm以上，而可將線圈導體之表面粗糙度減小至能夠以高頻獲得充分之Q值之程度。另一方面，本發明者等人發現，於藉由調整煅燒條件等而使煅燒後之線圈導體之粒徑變得過大之情形時，於煅燒中線圈導體之金屬之熔解急遽進行，其結果，產生線圈導體之斷線或抽出部之拉回等。因此，本發明者等人發現，藉由將22 μm以下作為煅燒後之線圈導體之粒徑之目標，而可抑制線圈導體之金屬之急遽熔解。
因此，於本實施形態之積層型線圈零件1中，煅燒後之線圈導體4、5之粒徑為10 μm~22 μm。藉由將煅燒後之線圈導體4、5之粒徑設為10 μm以上，而可將線圈導體之表面粗糙度減小至能夠以高頻獲得充分之Q值之程度。又，藉由使煅燒後之線圈導體4、5之粒徑為22 μm以下，而可抑制煅燒線圈導體4、5之金屬急遽熔解。藉由上述情況而可確保較高之品質，並且亦可獲得較高之Q值。
又，於積層型線圈零件1中形成有覆蓋線圈導體4、5之鉀被覆層7。於在線圈導體4、5之周圍存在鉀之情形時，可降低該線圈導體4、5之周圍之素體2之軟化點，於煅燒時該區域之素體2軟化而容易變得平滑。隨之，亦可使與
其接觸之線圈導體4、5之表面變得平滑。又，由鉀被覆層7覆蓋並保護線圈導體4、5，藉此，可防止於線圈導體4、5與玻璃陶瓷之邊界附近產生斷裂。
本發明並不限定於上述實施形態。
例如於上述實施形態中，例示了具有一個線圈部之積層型線圈零件，但例如亦可為陣列狀地具有複數個線圈部者。
[實施例]
製作積層型線圈零件A-1~A-7(組A)、積層型線圈零件B-1~B6(組B)、及積層型線圈零件C-1~C-5(組C)，測定各積層型線圈零件之線圈導體之導體粒徑與表面粗糙度之關係。又，測定表面粗糙度與交流電阻值之關係，並且觀察線圈導體之狀態。
<製造條件(組A)>
組A之積層型線圈零件係如圖2所示之由保形層2B夾持線圈部配置層2A之構造。
形成積層型線圈零件A-1~A-7之線圈部配置層2A之陶瓷漿料之組成中硼矽酸玻璃成分為66.1重量%，石英成分為25.4重量%，矽酸鋅成分為8.5重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為140重量%。
形成積層型線圈零件A-1~A-7之保形層2B之陶瓷漿料之組成中玻璃成分為70重量%，氧化鋁為30重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為140重量%。
形成積層型線圈零件A-1~A-7之線圈導體4、5之導體漿
料中Ag為100重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為40重量%。
將煅燒條件設定為圖7之表所示之條件。
於如上所述之積層型線圈零件A-1~A-7中，生坯特性為非晶質，且電極特性為晶粒易成長。
<製造條件(組B)>
組B之積層型線圈零件係如圖2所示之由保形層2B夾持線圈部配置層2A之構造。
形成積層型線圈零件B-1~B-6之線圈部配置層2A之陶瓷漿料之組成中硼矽酸玻璃成分為60重量%，石英成分為20重量%，非結晶矽成分為20重量%，氧化鋁為1.5重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為140重量%。
形成積層型線圈零件B-1~B-6之保形層2B之陶瓷漿料之組成中玻璃成分為70重量%，氧化鋁為30重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為140重量%。
形成積層型線圈零件B-1~B-6之線圈導體4、5之導體漿料中Ag為100重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為40重量%。
將煅燒條件設定為圖7之表所示之條件。
於如上所述之積層型線圈零件B-1~B-6中，生坯特性為非晶質，電極特性為晶粒易成長。
<製造條件(組C)>
組C之積層型線圈零件係如圖1所示之僅包含線圈部配置
層2A之構造。
形成積層型線圈零件C-1~C-5之線圈部配置層2A之陶瓷漿料之組成中玻璃成分為70重量%，氧化鋁為30重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為140重量%。
形成積層型線圈零件C-1~C-5之線圈導體4、5之導體漿料中Ag為100重量%，且乙基纖維素(黏合劑)為10重量%，松脂醇(溶劑)為40重量%。
將煅燒條件設定為圖7之表所示之條件。
於如上所述之積層型線圈零件C-2~C-5中，生坯特性為結晶質，電極特性為晶粒難成長。另一方面，於積層型線圈零件C-1中，生坯特性為結晶質，電極特性為晶粒易成長。
<導體粒徑與表面粗糙度之測定>
對如上所述之積層型線圈零件進行導體粒徑與表面粗糙度之測定，於圖6所示之圖表中描繪有兩者之關係。關於導體粒徑，拍攝導體剖面之SIM(Scanning Ion Microscopy，掃描離子顯微鏡)像，並藉由圖像解析軟體算出粒子之面積，將近似面積之圓之直徑設為導體粒徑。關於表面粗糙度，對導體剖面中線圈導體與素體之邊界部分測定線圈導體之凹凸之高度與凹凸之寬度，取得凹凸之高度相對於凹凸之寬度之百分率，取樣100處以上之該種凹凸並進行統計處理，將該百分率之平均值設為表面粗糙度。
<交流電阻值之測定>
於上述積層型線圈零件中自圖7中拾取積層型線圈零件A-1、A-7、C-1、C-2而測定交流電阻值。各積層型線圈零件之導體周圍長度為155 μm，且測定每單位μm之交流電阻值。將測定結果示於圖8中。又，將各積層型線圈零件之導體剖面之照片示於圖9中。進而，將根據圖8所示之交流電阻值計算Q值而獲得之結果示於圖10中。如圖10所示，表面粗糙度為約8%之積層型線圈零件C-1(及表面粗糙度小於其之A-1及A-7)可於1 GHz下獲得繞線線圈之80%左右之Q值。即，可理解若表面粗糙度為8%以下，則即便取代繞線線圈而於相同電路中使用，亦可獲得能夠充分發揮功能之級別之性能。又，根據圖8，表面粗糙度為約18%之積層型線圈零件C-2之交流電阻值變高。另一方面，表面粗糙度為約5%之積層型線圈零件A-7、及表面粗糙度為約1%之積層型線圈零件A-1較積層型線圈零件C-1而言交流電阻值進一步降低。如此，如積層型線圈零件A-1、A-7般藉由使表面粗糙度為6%以下之充分小之值而可降低交流電阻值。即，可提高Q值。由圖6可理解，只要導體粒徑至少為10 μm以上，則可將表面粗糙度抑制為6%以下之充分小之值，而可確實地獲得Q值較高之製品。
<線圈導體之狀態之觀察>
其次，觀察各積層型線圈零件之線圈導體之狀態，觀察金屬之熔解所致之斷線、或抽出部之拉回等。於該觀察中，關於各條件，分別製造100個積層型線圈零件並進行觀察。關於積層型線圈零件A1、A2，針對100個中100個
積層型線圈零件而言確認有斷線等。另一方面，關於其他條件之積層型線圈零件，針對100個中100個積層型線圈零件而言未觀察到上述斷線等而確認為良好之狀態。由該結果可理解，只要線圈導體之粒徑為22 μm以下，則可抑制線圈導體之熔解急遽進行，而可防止斷線等。
<綜合評價>
由以上結果可理解，藉由將10 μm~22 μm設為線圈導體之粒徑之目標粒徑，而即便以高頻亦可獲得較高之Q值，並且可獲得無斷線等之良好狀態之積層型線圈零件。
本發明可利用於積層型線圈零件。
1‧‧‧積層型線圈零件
2‧‧‧素體
2A‧‧‧線圈部配置層
2B‧‧‧保形層
3‧‧‧線圈部
4‧‧‧線圈導體
5‧‧‧線圈導體
6‧‧‧外部導體
7‧‧‧被覆層
圖1係表示實施形態之積層型線圈零件之剖面圖。
圖2係表示實施形態之積層型線圈零件之剖面圖。
圖3(a)、(b)係表示線圈導體之表面之平滑性與表面電阻之關係的模式圖。
圖4(a)、(b)係表示線圈部配置層之軟化點較低之情形且具有保形層之情形與不具有保形層之情形時之煅燒時的素體狀態的模式圖。
圖5(a)、(b)係表示素體之狀態與線圈導體之表面之平滑性之關係的模式圖。
圖6係表示實施例之積層型線圈零件之線圈導體之導體粒徑與表面粗糙度之關係的圖表。
圖7係表示實施例之積層型線圈零件之各種條件之表。
圖8係表示關於所選定之積層型線圈零件之頻率與交流電阻值之關係的圖表。
圖9(a)~(d)係表示所選定之積層型線圈零件之線圈導體之剖面之照片。
圖10係表示關於所選定之積層型線圈零件之頻率與Q值之關係的圖表。
1‧‧‧積層型線圈零件
2‧‧‧素體
2A‧‧‧線圈部配置層
3‧‧‧線圈部
4‧‧‧線圈導體
5‧‧‧線圈導體
6‧‧‧外部導體
7‧‧‧被覆層
Claims (5)
- 一種積層型線圈零件，其包括：素體，其係藉由積層複數層絕緣體層而形成；及線圈部，其係藉由複數個線圈導體而形成於上述素體之內部；煅燒後之上述線圈導體之粒徑為10 μm~22 μm。
- 如請求項1之積層型線圈零件，其中上述素體包含玻璃陶瓷。
- 如請求項2之積層型線圈零件，其中上述玻璃陶瓷含有86.7~92.5重量%之SiO2、及0.5~2.4重量%之Al2O3。
- 如請求項1至3中任一項之積層型線圈零件，其中形成有覆蓋上述線圈導體之鉀被覆層。
- 如請求項1至4中任一項之積層型線圈零件，其中煅燒後之上述線圈導體之粒徑為11 μm~18 μm。
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