CN103779209A - 一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：1)形成多晶硅薄膜；2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；5)在沉积100nm的低温氧化物作为栅极绝缘层；6)形成栅电极；7)掺杂，形成源漏极。

Description

一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法
技术领域
本发明涉及多晶硅技术，更具体地涉及一种多晶硅薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术
在传统的有源矩阵显示领域，TFT通常是用非晶硅(a-Si)材料做成的。这主要是因为其在大面积玻璃底板上的低处理温度和低制造成本。最近多晶硅用于高分辨率的液晶显示器(LCD)和有源有机电致发光显示器(AMOLED)。多晶硅还有着在玻璃基板上集成电路的优点。此外，多晶硅具有较大像素开口率的可能性，提高了光能利用效率并且减少了LC和底部发光OLED显示器的功耗。众所周知，多晶硅TFT更适合用于驱动OLED像素，不仅因为OLED是电流驱动设备，a-Si TFT有驱动OLED的长期可靠性问题，而且也是因为非晶硅电子迁移率较小，需要大的W/L的比例，以提供足够的OLED像素驱动电流。因此，对于高清晰度显示器，高品质多晶硅TFT是必不可少的。
为了实现有源矩阵TFT显示板的工业化生产，需要非常高的多晶硅薄膜的质量。它需要满足在大面积的玻璃基板上低温处理，低成本的制造，制造工艺稳定，高性能，器件性能的高均匀性和高可靠性。
高温多晶硅技术可以用来实现高性能的TFT，但它不能被应用在商业面板中使用的普通玻璃基板。在这种情况下，必须使用低温多晶硅(LTPS)。有三个主要的LTPS技术：(1)在600℃下退火很长一段时间的固相结晶(SPC)；(2)准分子激光结晶、退火(ELC/ELA)或快速加热退火；(3)金属诱导结晶(MIC)。ELC可以产生最佳效果，但受限于高的设备投资和维护成本，而且玻璃基板的尺寸也难以进一步增加。SPC是最便宜的技术，但需要在600℃下退火24小时左右才结晶。MIC的缺点是金属污染和TFT器件的非均匀性。从而，还没有任何一种技术能够满足所有上述的低成本和高性能的要求。
所有的多晶硅薄膜材料的共同点是，薄膜上的晶粒的结晶方向的大小和形状在本质上是随机分布。当这种多晶硅薄膜被用做TFT的有源层，TFT的电学特性受限于沟道中出现的晶界。晶粒的分布是随机的，使得整个基板的TFT的电学特性不均匀。正是这种电学特性分布离散的问题，使得最终的显示出现如mura的缺陷和非均匀的亮度。
发明内容
为克服上述缺陷，本申请提出一种新的方法来改善以上的TFT特性，包括ELA、SPC和MIC技术。通过掺杂多晶硅线，本征的多晶硅是由掺杂的平行线，称之为搭桥晶粒结构(BG)进行连接。
本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括：
1)形成多晶硅薄膜；
2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；
3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；
4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；
5)沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；
6)形成栅电极；
7)掺杂，形成源漏极。
本发明提供又一种薄膜晶体管的制备方法，包括：
1)形成非晶硅薄膜，并在非晶硅薄膜上形成掩膜；
2)离子注入，在非晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；
3)使非晶硅薄膜晶化，形成多晶硅薄膜；
4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；
5)沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；
6)在栅极绝缘层上形成栅电极；
7)掺杂，形成源漏极。
这种先在非晶硅上掺杂形成BG线再结晶的方法，与先把非晶硅结晶，再在多晶硅上形成BG线的方法相比，至少具有以下优点：当在非晶硅上进行P型掺杂，退火时更能促进非晶硅的结晶；由于掺杂物质在非晶硅结晶时会进行扩散，利用这点，可以更好地控制掺杂区与非掺杂区的比例，进一步地缩小存在于非掺杂区的晶界的几率，同时降低短路的风险；再有，由于退火工艺是在掺杂之后，在把非晶硅结晶化的同时也把掺杂物激活了。
根据本发明提供的制备方法，其中在425℃经LPCVD沉积所述低温氧化物。
根据本发明提供的制备方法，其中步骤6)包括在栅极绝缘层上形成300nm的铝，再图案化成栅电极。
根据本发明提供的制备方法，其中步骤6)包括在栅极绝缘层上形成280nm的多晶硅，再图案化成栅电极。
根据本发明提供的制备方法，其中对P型TFT的源漏极进行剂量为4×1015/cm2的硼掺杂。
根据本发明提供的制备方法，其中对N型TFT的源漏极进行剂量为4×1015/cm2的磷掺杂。
根据本发明提供的制备方法，其中还包括步骤8)沉积一层500nm的低温氧化物隔离层，同时激活掺杂物。
根据本发明提供的制备方法，其中还包括步骤9)刻蚀接触孔，然后溅射一层700nm的铝-1％硅的接触导线并图案化。
根据本发明提供的制备方法，其中栅极绝缘层的厚度为100nm。
使用这种BG多晶硅层作为有源层，保证电流垂直流过平行线TFT设计，晶界的影响可以减少。阈值电压，开关比率，器件迁移率，整个基板的均匀性，亚阈值斜率和器件的可靠性这些重要的特性都可以使用现在的这种技术得到改进。这些改进，同时也可以使得成本较低，价格更为低廉，使高性能的LTPS TFT成为现实。
附图说明
以下参照附图对本发明实施例作进一步说明，其中：
图1a和图1b分别为低温多晶硅薄膜和对应的势垒分布的示意图；
图2a和图2b分别为搭桥晶粒多晶硅薄膜和对应的势垒分布的示意图；
图3为形成BG线结构的横截面示意图；
图4为以PR1075形成的周期为1μm的BG线图案的SEM图片；
图5a、5b和5c分别为样品A、样品B和样品C结晶的横截面示意图；
图6为所有样品通过光刻胶和离子注入形成BG线后的横截面示意图；
图7a、7b和7c为TMAH刻蚀大晶粒多晶硅、小晶粒多晶硅和SR-MILC多晶硅的显微照片；
图8为BG TFT结构横截面示意图；
图9a为以Vgs作为函数的有BG和无BG的P沟道大晶粒MIC TFT的转移特征曲线，图9b为以Vgs作为函数的有BG和无BG的P沟道大晶粒MIC TFT的输出电流比图；
图10a和10b为在Vds＝-0.1V和Vds＝-5V情况下BG大晶粒MIC TFT和非BG大晶粒MIC TFT的跨导；
图11a和11b分别为均匀分布的50个大晶粒MIC TFTs和50个BG大晶粒MIC TFTs的TFT的Vth和GIDL性能差异；
图12a和12b分别为以Vgs作为函数的，有着BG结构和没有BG结构的P型小晶粒MIC多晶硅TFT的转移特性曲线，和以Vgs作为函数的，有着BG结构和没有BG结构的P型小晶粒MIC多晶硅TFT的输出电流比；
图13a和13b分别为在Vds＝-0.1V和Vds＝-5V时BG小晶粒MIC TFT和非BG小晶粒MIC TFT的跨导；
图14a和14b分别为均匀分布的小晶粒MIC TFTs and BG小晶粒MICTFTs的Vth和GIDL性能的差异；
图15a和15b分别为以Vgs为函数，有BG和无BG结构的P型沟道SR-MILCTFTs的转移特征曲线，和以Vgs为函数，有BG和无BG结构的P型沟道SR-MILCTFTs的输出电流比。
具体实施方式
通常情况下，多晶硅由两个部分组成，一种是单一的晶粒区域，另一种是晶界。晶粒内的导电特性几乎是相同的，而跨晶界的传导较差，这会导致整体的迁移率的损失和阈值电压的增加。多晶硅薄膜的薄膜晶体管(TFT)的有源通道通常由这样的多晶硅薄膜组成。随意性和变化的导电特性不利于显示性能和画面质量。典型的多晶硅结构图如图1a所示，低温多晶硅薄膜包括晶粒和晶粒的边界。相邻的晶粒之间有明显的晶界。通常情况下，晶粒的长度是在几十纳米，到几微米大小之间，被认为是一个单一的晶体。晶界处通常分布有很多错位，堆栈故障和悬挂键缺陷。由于不同的制备方法，低温多晶硅薄膜内的晶粒可能是随机分布或呈方向性分布的。
在晶界存在严重缺陷，将引起高势垒，如在图1b所示。势垒(或斜势垒的垂直分量)垂直方向的载流子传输会影响到初始状态和载流能力。这种低温多晶硅薄膜制备的薄膜晶体管阈值电压，场效应迁移率都受限于晶界势垒。起连结作用的晶粒边界应用于TFT时，也会在高的反向栅极电压下，造成较大的漏电流。
搭桥晶粒(BG)的多晶硅技术是在TFT的有源层，通过使用平行导电带或线连接晶粒的技术。形成导电带或垂直方向的电流流过的晶粒的跨越线，可以大大提高TFT的性能。这些跨越线可以减少结晶晶界的影响，如在图2(b)项所示。这种结构被定义为搭桥晶粒(BG)的结构。
所述“搭桥”是由平行的高掺杂的线条组成，我们称之为BG线。多晶硅薄膜上形成的BG线应狭窄，彼此非常接近。该线的宽度和间距应与晶粒的大小类似。导电线不应互相接触，并应涵盖整个多晶硅薄膜以便以后处理。BG线的主要功能是在晶粒之间垂直于电流的流动方向架桥。因此，电流沿着这些线路流动不再是一个重要问题。
图2a为所示的搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜示意图。导电线垂直于电流的流动方向。这些导电线可用p或n型掺杂半导体掺杂离子形成。掺杂量可以调整，以创建导电通道，通常在1012/cm2到1016/cm2范围。掺杂的模式可以用各种的方法进行，如简单的光刻，激光干涉，或纳米压印光刻技术等。
实施例1
本实施例提供一种形成具有搭桥晶粒(BG)线的多晶硅薄膜的方法，包括：
1)在多晶硅薄膜表面旋涂一层PR 1075光刻胶，PR光刻胶旋涂之后，样品被加热到90度进行软烤，加热时间为1分钟，软烤的目的是为了减少光刻胶的溶剂，从～20％到～5％，同时释放诱导旋涂薄膜的应力，软烤后，使用ASM PAS5000步进光刻机在波长为365nm光下对光刻胶进行曝光，在110℃烧烤1分钟之后，然后样品被浸泡到FHD-530秒进行显影处理，显露在光下的光刻胶溶解在溶解液里，并没有接触到光的部分是保持原样，从而使BG线图形转移到光刻胶上(如图3所示)，形成周期为1μm的BG线图案(其SEM照片如图4所示)；
2)在120℃硬烤后，样品被送到CF3000里进行离子注入。
NFF(The Nanoelectronics Fabrication Facility纳米电子制造工厂)的ASML 5000型的步进光刻机，比率为5比1，这保证了最小线宽和最小间隔为0.5μm。因此，最低的线周期限制在1μm。
本实施例通过光刻生成BG图案和离子注入两个步骤，得到了由单个重复周期为1μm的掺杂多晶硅平行线组成的BG线。
在其他实施例中，也可以在非晶硅上先形成BG线后再将非晶硅结晶成多晶硅，即BG线可以形成在结晶前或后。
这种先在非晶硅上掺杂形成BG线再结晶的方法，与先把非晶硅结晶，再在多晶硅上形成BG线的方法相比，至少具有以下优点：当在非晶硅上进行P型掺杂，退火时更能促进非晶硅的结晶；由于掺杂物质在非晶硅结晶时会进行扩散，利用这点，可以更好地控制掺杂区与非掺杂区的比例，进一步地缩小存在于非掺杂区的晶界的几率，同时降低短路的风险；再有，由于退火工艺是在掺杂之后，在把非晶硅结晶化的同时也把掺杂物激活了。
实施例2
本实施例提供一种形成具有搭桥晶粒(BG)线的多晶硅薄膜的方法，包括：
1)在Eagel2000玻璃基板上，使用等离子体增强化学气相沉积(PEVCD)沉积300nm的氧化硅(SiO2)。然后用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在550℃环境下沉积45纳米的a-Si；
2)在1％的氢氟酸容液(HF)里浸渍1分钟到去除的自然氧化层后，放进温度为550度的氧化环境15分钟，使a-Si表面形成一层SiO2纳米氧化层；
3)在该纳米层上溅射一层缓释(SR)镍/硅氧化源层进行金属诱导结晶，采用镍硅合金作为靶材，镍硅比为：Ni∶Si＝1∶9，溅射是在氩气与氧气200∶1的比例混合环境中进行，溅射直流电源是7W，溅射时间为90秒；
4)在590℃N2气氛下加热6个小时，到a-Si完全结晶为止，图5a为该结晶方案的截面示意图；
5)浸泡120℃混合溶液H2SO4+H2O2中10分钟，以去除表面上残留的镍。然后放到1％的氟氢酸(HF)浸泡1分钟，以去除纳米涂层，再沉积100nm的LTO；
6)使用实施例1中所述的波长为365nm的ASM PAS5000步进光刻机形成BG图案，BG线周期是1微米。
7)在120℃烘烤30分钟后，对于所有的P沟道TFT，在40KeV的能量和2E15/cm2剂量下使用硼为BG掺杂，对于所有的N型TFT，用磷为BG掺杂，这里的BG掺杂是通过两个步骤进行，在每一步的剂量为1E15/cm2，注入能量分别为80KeV和130KeV，得到如图6所示的结构；
8)使用氧等离子体在100摄氏度下30分钟剥离光刻胶，去除PR光刻胶之后，100nm的LTO也使用777的湿刻去除。在BG这一步完成后，整个部分掺杂多晶硅薄膜可以称为BG-poly-Si，可用于TFT有源层。
利用缓释镍/硅氧化源层进行金属诱导结晶的过程中，缓释镍/硅氧化源在一个相对较慢的速度中只作为镍的补充源。这种镍诱导源的镍由硅和镍硅氧化物反应中慢慢提供，这跟纯镍源提供大量的纯镍原子有很大的不同。因此，镍氧化物提供的镍量小于纯镍源，这种缓释放反应镍在多晶硅中会减少残留镍的含量。
本实施例中提供的方法的步骤4)所得到的多晶硅薄膜被四甲基氢氧化铵(TMAH)蚀刻液在室温蚀刻后表现出的薄膜的内部结构如图7a所示，本实施例得到的多晶硅为大型晶粒多晶硅，有着高迁移率、低成本和低温退火的特征。
实施例3
本实施例提供一种形成具有搭桥晶粒(BG)线的多晶硅薄膜的方法，包括：
1)在Eagel2000玻璃基板上，使用等离子体增强化学气相沉积(PEVCD)沉积300nm的氧化硅(SiO2)。然后用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在550℃环境下沉积45纳米的a-Si；
2)在1％的氢氟酸容液(HF)里浸渍1分钟到去除的自然氧化层后，浸入温度为120度的H2SO4+H2O2混合溶液10分钟，使a-Si表面形成一层SiO2纳米层；
3)在该纳米层上溅射一层缓释(SR)镍/硅氧化源层进行金属诱导结晶，采用镍硅合金作为靶材，镍硅比为：Ni∶Si＝1∶9，溅射是在氩气与氧气200∶1的比例混合环境中进行，溅射直流电源是7W，溅射时间为2分钟；
4)在590℃N2气氛下加热6个小时，到a-Si完全结晶为止，图5b为该结晶方案的截面示意图；
5)浸泡120℃混合溶液H2SO4+H2O2中10分钟，以去除表面上残留的镍。然后放到1％的氟氢酸(HF)浸泡1分钟，以去除纳米涂层，再沉积100nm的LTO(低温氧化物)；
6)使用实施例1中所述的波长为365nm的ASM PAS5000步进光刻机形成BG图案，BG线周期是1微米；
7)在120℃烘烤30分钟后，对于所有的P沟道TFT，在40KeV的能量和2E15/cm2剂量下使用硼为BG掺杂，对于所有的N型TFT，用磷为BG掺杂，这里的BG掺杂是通过两个步骤进行，在每一步的剂量为1E15/cm2，注入能量分别为80KeV和130KeV，得到如图6所示的结构；
8)使用氧等离子体在100℃温度下30分钟剥离光刻胶，去除PR光刻胶之后，100nm的LTO也使用777的湿刻去除。在BG这一步完成后，整个部分掺杂多晶硅薄膜可以称为BG-poly-Si，可用于TFT有源层。
本实施例中提供的方法的步骤4)所得到的多晶硅薄膜被四甲基氢氧化铵(TMAH)蚀刻液在室温蚀刻后表现出的薄膜的内部结构如图7b所示，本实施例得到的多晶硅为小晶粒(絮状结构)的多晶硅薄膜，有着较小的迁移率和较高的镍残留量，然而这项技术具有均匀性好，成本低，退火时间短，更宽的工艺处理窗口等优点。
实施例4
本实施例提供一种形成具有搭桥晶粒(BG)线的多晶硅薄膜的方法，包括：
1)在Eagel2000玻璃基板上，使用等离子体增强化学气相沉积(PEVCD)沉积300nm的氧化硅(SiO2)。然后用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在550℃环境下沉积45纳米的a-Si；
2)在1％的氢氟酸容液(HF)里浸渍1分钟到去除的自然氧化层后，沉积一层100纳米厚的低温氧化物(LTO)；
3)通过光刻和蚀刻工艺，在LTO层上形成宽度为8微米间隔为100μm的凹槽作为诱导线(IL)，如图5C所示，浸泡到120度的H2SO4+H2O2混合溶液里10分钟以去除光刻胶，溅射一层缓释(SR)镍/硅氧化源层进行金属诱导结晶，采用镍硅合金作为靶材，镍硅比为：Ni∶Si＝1∶9，溅射是在氩气与氧气200∶1的比例混合环境中进行，溅射直流电源是7W，溅射时间为6分钟；
4)在590℃下，N2气氛加热2小时进行结晶，图5c为该结晶方案的截面示意图；
5)沉浸到120度的H2SO4+H2O2混合溶液10分钟，以去除表面上残留的镍；
6)使用实施例1中所述的波长为365nm的ASM PAS5000步进光刻机形成BG图案，BG线周期是1微米；
7)在120℃烘烤30分钟后，对于所有的P沟道TFT，在40KeV的能量和2E15/cm2剂量下使用硼为BG掺杂，对于所有的N型TFT，用磷为BG掺杂，这里的BG掺杂是通过两个步骤进行，在每一步的剂量为1E15/cm2，注入能量分别为80KeV和130KeV，得到如图6所示的结构；
8)使用氧等离子体在100℃温度下30分钟剥离光刻胶，去除PR光刻胶之后，100nm的LTO也使用777的湿刻去除。在BG这一步完成后，整个部分掺杂多晶硅薄膜可以称为BG-poly-Si，可用于TFT有源层。
本实施例中提供的方法的步骤4)所得到的多晶硅薄膜被四甲基氢氧化铵(TMAH)蚀刻液在室温蚀刻后表现出的薄膜的内部结构如图7c所示，本实施例得到的多晶硅为缓释镍诱导横向结晶(SR-MILC)多晶硅薄膜，提供了一个更广泛的工艺窗口，可以防止分批处理对多晶硅薄膜晶体管之间的工艺参数变化的影响。
实施例5
本实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括：
1)利用上述实施例4提供的方法形成具有搭桥晶粒(BG)线的多晶硅薄膜；
2)用AME8110活性离子蚀刻机把这些部分掺杂的BG-poly-Si薄膜图案化成有源岛；
3)经过干式蚀刻，光刻胶被氧离子去除；
4)用1％HF去除自然氧化层之后，在425℃经LPCVD沉积100nm的低温氧化物(LTO)作为栅极绝缘层；
5)沉积300nm的铝(或280nm的多晶硅)并图案化成栅电极，对P型和N型TFT的源漏极分别进行剂量为4×1015/cm2的硼和磷掺杂；
6)沉积一层500nm的LTO隔离层并同时激活掺杂物；
7)刻蚀接触孔，然后溅射一层700nm的铝-1％硅的接触导线并图案化，形成BG-poly-TFT，其横截面示意图如图8所示。
在其他实施例中，上述步骤1)还可替换成利用上述实施例5或实施例6提供的方法或者其他方法形成具有搭桥晶粒(BG)线的多晶硅薄膜。为了下文描述方便，将由实施例4形成的多晶硅薄膜(大晶粒)制成的薄膜晶体管命名为样品A，将由实施例5形成的多晶硅薄膜(小晶粒)制成的薄膜晶体管命名为样品B，将由实施例6形成的多晶硅薄膜制成的薄膜晶体管命名为样品C(SR-MILC-TFT)。
为了说明根据本发明的薄膜晶体管的性能的有异性，用HP4156半导体参数分析仪分别对3种BG多晶硅TFT和无BG的TFT进行电学特性的测量以进行性能比较。Vds＝-0.1V和Vds＝-5V，通过TFT场效应迁移率(μFE)的Vgs的函数来测量转移特性曲线。阈值电压(Vth)被定义为当Vds＝-5V时，使得Id＝W/L×10-7A的VG电压。场效应迁移率(μFE)在低漏极电压(Vds＝-0.1V)时，其次方程：
μ FE = Lg m WC ox V ds
其中W和L是有效的渠道宽度和长度，gm是跨导，Cox是单位面积的栅极绝缘层电容，Vds是漏极和源极之间的电压。报告的场效应迁移率是测得的最大值。
A：样本A(BG大晶粒MIC TFTs)
图9(a)为当Vds＝-0.1V和Vds＝-5V时，Vgs函数的TFT的转移特性曲线。大晶粒BG MIC TFT的电学参数与非BG的电学参数如表1所示。BG大型晶粒MIC TFT的亚阈值摆幅(S)为0.78V/dec，而非BG的为1.02V/dec。此外，有着BG结构的阈值电压(Vth)减少了3.2V，直到-6.6V。另一个明显的改进是栅诱导漏极漏电(GIDL)。BG TFT的漏电流为6.13pA/μm，这是正常的大晶粒MIC TFT在Vgs＝10V和Vds＝-5V时的1/2000左右。从上面的对比，我们可以看到应用BG技术后，大部分的TFT参数得到显著改善。
图9(b)显示的为以Vgs作为函数，BG大晶粒MIC TFT与非BG结构TFT的输出电流比图。我们可以发现，当Vgs和Vds发生变化时，BG TFT与非BGTFT之间的电流比(γ)也会发生变化。当Vds＝-0.1V时，在区域1，如图9所示，γ是大约～0.5，这意味着漏电流减少了一半。在第2区的亚阈值区域，γ急剧增加，最大值为～70，这是在第3区域的γ值的20倍左右。当Vds＝-5V，在1区域大晶粒MIC TFT显示了独特的漏电流和栅诱导漏极漏电(GIDL)，同时，BG大晶粒MIC TFT的GIDL明显抑制到～10-10A和最小电流也下降11倍。如图9(b)所示，γ显著下降到～10-4。值得注意的是，多晶硅TFT关态漏电流的增加主要有2个原因。原因之一为在漏极区，由于施加栅极和漏极电压引起的高电场。漏电流随着Vds的增加而显著增加；第二个原因为靠近漏极区的晶粒边界缺陷密度。对于BG-TFT，在第一区的漏电流的减少也是因为这两个原因，因为BG结构架桥的效果使得晶界缺陷的减少，以及在BG-TFT的有源通道的一系列串行浅结使得电场的减少。在BG线掺硼与TFT源和漏的极性是一致的。通常情况下，非掺杂MIC多晶硅薄膜显示轻微n极性。因此，在第1区域，当Vgs比Vth小时，在没有掺杂的MIC多晶硅是n-极性而掺杂区域呈现p+极性，这就意味着有着BG结构的TFT有源通道变得一系列pn结。这也是为什么GIDL和最小电流都大大下降。
在第2区，亚阈值区，BG-线在晶粒的垂直方向对电流的流动方向起到架桥作用，使晶界势垒由BG结构得以降低，与此同时，由于BG线的掺杂，缺陷状态和边界非均匀性得以填补或终结。因此，不仅有着BG结构的TFT阈值电压比没有BG结构的TFT小～3V，同时，有着BG结构的TFT的亚阈值摆幅(S)也从1.02V/decade减少到0.78V/decade。
在区域3，开电流的增大大约与BG结构的2个因素有关。这是因为，有着BG线的TFT可以被看作成一系列短通道TFTs。因此，BG的TFT有着无热载流子效应的短沟道TFT的好处，在增加开态电流，降低阈值电压及亚阈值斜率摆幅等。
表1有着BG结构与非BG结构的P型大晶粒MIC TFT的电学参数
Figure BSA00000653994200111
图10(a)和(b)所示的是分别在Vds＝-0.1V和Vds＝-5V情况下，BG大晶粒MIC TFT和非BG大晶粒MIC TFT的跨导。
图11(a)和(b)所示的为P型沟道TFT性能上的差异，所示的为一般的大晶粒MIC TFT和BG大晶粒MIC TFT的VTH和GIDL。数据测量来自50个均匀分布在超过4英寸的玻璃晶圆上的TFT。很明显，有着BG结构的TFT比一般的大晶粒MIC TFT的GIDL值要低得多，GIDL的差异性也得到大大提高。同时，与正常的大晶粒MIC TFT相比，BG大晶粒MIC TFT也表现出更小的Vth变化，和绝对的Vth值。
B：样本B(BG小晶粒MIC TFT)
图12(a)所示的为当Vds＝-0.1V和Vds＝-5V时，有着BG结构和没有BG结构的小晶粒(或絮状结构)MIC多晶硅TFT的转移特性曲线。图12(b)所示的是以Vgs作为函数，有着BG结构和没有BG结构的小晶粒MIC多晶硅TFT的输出电流比(γ)图。表2列出了BG结构与非BG结构小晶粒MIC多晶硅TFT的电学参数。BG结构TFT与非BG结构TFT的亚阈值摆幅(S)分别是0.8V/dec和1.15V/dec。此外，有着BG结构的TFT的阈值电压(Vth)绝对值是减少了4.5V，降到6.8V。在第2区域，如图12(b)所示，亚阈值区域，当Vds＝-0.1V和Vds＝-5V时，γ显著增加，并达到最高值的～2×104和～4×103，这比在第3区的γ值大数百或上千的倍。
另一个明显的改进的是在1区域的漏电流，如图12(a)所示。当Vgs＝10V和Vds＝-5V的时，BG小晶粒MIC TFT的漏电流是14.6pA/um，这是正常的小晶粒MIC的TFT的大约1/50。正如图12(a)所示，当Vds的＝-5V，在1区域，小晶粒MIC TFT有明显的漏电流和GIDL，而BG小晶粒MIC TFT的GIDL明显抑制到～10-10A和最小电流也减少了3.1倍。如图13(b)所示，γ显着下降～2×10-2。从上面的对比，我们可以看到应用BG技术后，大部分的TFT参数得到显著改善。
表2有着BG结构与非BG结构的P型小晶粒MIC TFT的电学参数
Figure BSA00000653994200121
图13(a)和(b)所示的是分别在Vds＝-0.1V和Vds＝-5V情况下，BG小晶粒MIC TFT和非BG小晶粒P型MIC TFT的跨导。
图14(a)和(b)所示的为P型沟道TFT性能上的差异，所示的为一般的小晶粒MIC TFT和BG小晶粒MIC TFT的Vth和GIDL。数据测量来自96个均匀分布在超过4英寸的玻璃晶圆上的TFT。很明显，有着BG结构的TFT比正常的小晶粒MIC TFT的GIDL值要低得多，GIDL的差异性也得到大大提高。同时，与一般的小晶粒MIC TFT相比，BG小晶粒MIC TFT也表现出更小的Vth变化。表3显示了大晶粒的MIC，BG大晶粒MIC，小颗粒MIC和BG小晶粒MIC等4种TFT的Vth和GIDL的均匀性数据。从比较中，我们可以发现，小晶粒MIC TFT比较大晶粒MIC TFT的均匀度更佳，BG大晶粒MIC TFT与BG小晶粒MIC TFT之间也发现同样的效果。由于GIDL的绝对值减少更多，BG TFT表现出更小的GIDL差异。应该指出的是，小晶粒MIC的TFT显示出比BG小晶粒MIC的TFT更小的Vth标准差。这是因为BG线的不均匀性在未来仍需要较大的改进。
表3BG与非BG结构的大晶粒与小晶粒MIC TFT的均匀性比较
Figure BSA00000653994200131
C：样本C(BG SR-MILC TFT)
图15(a)所示的为当Vds＝-0.1V和Vds＝-5V时，有着BG结构和没有BG结构的SR-MILC多晶硅TFT的转移特性曲线。图15(b)所示的是以Vgs作为函数，有着BG结构和没有BG结构的P沟道SR-MILC TFT的输出电流比(γ)图。表4列出了BG结构与非BG结构SR-MILC TFT的电学参数。BG结构TFT与非BG结构SR-MILC TFT的亚阈值摆幅(S)分别是0.95V/dec和1.34V/dec。此外，有着BG结构的TFT的阈值电压(Vth)绝对值是减少了4.1V，降到5.9V。在第2区域，如图15(b)所示，亚阈值区域，γ显著增加，并达到最高值的～100，这比在第3区的γ值大20倍。
另一个明显的改进的是TFT反向偏置时的漏电流，如图12(a)所示。当Vgs＝10V和Vds＝-5V的时，BG SR-MILC TFT的漏电流是7.26pA/um，这是一般的SR-MILC的TFT的大约1/32。正如图15(a)所示，当Vds的＝-5V，在1区域，SR-MILC TFT有明显的漏电流和GIDL，而BG SR-MILC TFT的GIDL明显抑制到～2×10-10A和最小电流也减少了3倍。如图15(b)所示，γ显着下降～3×10-2。
表4有着BG结构与非BG结构的P型SR-MILC多晶硅TFT电学参数
Figure BSA00000653994200141
尽管参照上述的实施例已对本发明作出具体描述，但是对于本领域的普通技术人员来说，以上实施例仅用以描述本发明的技术方案而非对本技术方法进行限制，本发明在应用上可以延伸为其他的修改、变化、应用和实施例，并且因此认为所有这样的修改、变化、应用、实施例都在本发明的精神和教导范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：
1)形成多晶硅薄膜；
2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；
3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；
4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；
5)沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；
6)形成栅电极；
7)掺杂，形成源漏极。
2.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：
1)形成非晶硅薄膜，并在非晶硅薄膜上形成掩膜；
2)离子注入，在非晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；
3)使非晶硅薄膜晶化，形成多晶硅薄膜；
4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；
5)沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；
6)在栅极绝缘层上形成栅电极；
7)掺杂，形成源漏极。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中在425℃经LPCVD沉积所述低温氧化物。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中步骤6)包括在栅极绝缘层上形成300nm的铝，再图案化成栅电极。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中步骤6)包括在栅极绝缘层上形成280nm的多晶硅，再图案化成栅电极。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中对P型TFT的源漏极进行剂量为4×1015/cm2的硼掺杂。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中对N型TFT的源漏极进行剂量为4×1015/cm2的磷掺杂。
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中还包括步骤8)沉积一层500nm的低温氧化物隔离层，同时激活掺杂物。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中还包括步骤9)刻蚀接触孔，然后溅射一层700nm的铝-1％硅的接触导线并图案化。
10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中栅极绝缘层的厚度为100nm。
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