CN103580642B - 用于去除噪声的滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器包括:下部磁体;第一和第二图案,彼此平行地螺旋设置于下部磁体上;绝缘层,该绝缘层用于覆盖第一和第二图案;以及上部磁体,设置于绝缘体上,其中第一图案和所述第二图案形成为竖直厚度(T)与水平宽度的(W)的比率是0.27≤T/W≤2.4。根据本发明,可以通过实现在同一频率下的高共模阻抗来提高性能和容量,并且可以通过简化结构和工艺来减少制造成本。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年8月8日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0086756号的权益,其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明涉及一种用于去除噪声的滤波器,更具体地,涉及可以通过在同一频率实现高共模阻抗以及改善插入损耗来提高性能和容量,并且可以通过简化结构和工艺来减少制造成本和提高生产力的滤波器。
背景技术
诸如数字电视、智能手机以及笔记本电脑的电子产品具有无线电频段数据传输功能。因为IT电子产品通过连接不止一个设备而是多个USB接口及其它通信端口而具有功能多样且复杂的特点,所以IT电子产品有望得到更广泛的应用。
此处,为了达到高速数据通信,通过从MHz频段转移到GHz无线电频段来使数据通过更多的内部信号线来通信。
当更多数据在主要设备和外围设备之间通过超过GHz无线电频率通信时,由于信号延时和其它噪声,就很难提供流畅的数据处理。
为解决上述问题,在IT设备和外围设备之间的连接处周围提供一种防电磁干扰零件。然而,传统的防电磁干扰零件仅被用于有限的区域,诸如特定部分和大面积基板,因为该传统的防电磁干扰零件是线圈型和堆叠型的并且具有大尺寸的芯片零件和较差的电学特性。因此,需要适用于具有超薄的,小型化的,复杂的和多功能的特点的电子产品的防电磁干扰零件。
防电磁干扰线圈零件的共模滤波器,就是根据现有技术的用于去除噪声的滤波器,将参考图1到图3在下文中得到详细的描述。
如图1所示,传统的共模滤波器包括:第一磁性基板1;绝缘层2,位于所述第一磁性基板1上,并且包括第一线圈模图案2a和第二线圈图案2b,该第一线圈图案2a和第二线圈图案2b彼此竖直对称;以及位于绝缘层2上的第二磁性基板3。
此处,包括第一线圈图案2a和第二线圈图案2b的绝缘层2通过薄膜处理形成于第一磁性基板1上。薄膜处理的一个例子在日本专利申请公开号8-203737中公开。
并且,第二磁性基板3通过粘接层4粘结到绝缘层2。
另外,外部电极5被设置为环绕在叠层的两端,该叠层包括第一磁性基板1、绝缘层2以及第二磁性基板3,并且外部电极5通过拉引线电连接到第一线圈图案2a和第二线圈圈图案2b。
在如上文所述构成的传统的共模滤波器中,第一线圈图案2a和第二线圈图案2b被构造成彼此竖直相对以去除共模噪声并且顺利通过差模信号。
更具体地,如图2所示,共模噪声不能通过滤波器,因为由第一线圈图案2a和第二线圈图案2b的电流流动所产生的磁通量彼此加强形成高阻抗,而差模信号能顺利通过滤波器是因为磁通量彼此抵消了。
然而,在传统的共模滤波器中,随着频率增加,差模阻抗也增加了,从而引起了插入损耗。
也就是说,随着第一线圈图案2a和第二线圈图案2b之间流动的磁通量彼此加强以及频率增加,差模阻抗也增加,从而增加了插入损耗。
特别地,第一线圈图案2a和第二线圈图案2b之间的间隔越大,差模阻抗和插入损耗就越高。相应地,共模滤波器的特性就进一步恶化。
另外,在传统的共模滤波器中,第二磁性基板3通过粘接层4粘结到绝缘层2,磁通量的流动被粘接层4的非磁性特性进一步破坏,从而引起特性的快速恶化。
为了克服上述问题,尽管能够增加第一线圈图案2a和第二线圈图案2b的长度,但在这种情况下也存在诸如用于去除噪声的滤波器的制造成本的增加以及尺寸的增加的缺点。
发明内容
发明本发明是为了克服以上所描述的问题,因此,本发明的一个目的是提供一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器可以通过在同一频率实现高共模阻抗,减少差模阻抗以及改善插入损耗来提高特性和性能。
本发明的另一个目的是提供一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器可以在提高性能和容量的同时使所配备的产品在尺寸上增加的最小。
本发明还有一个目的是提供一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器可以通过简化结构和工艺来减少制造成本和提高生产率。
根据本发明的一个方面,为了实现上述目的,提供一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器包括:下部磁体;第一和第二图案,彼此平行地螺旋设置于下部磁体上;绝缘层,用于覆盖该第一和第二图案;以及上部磁体,设置于绝缘层上,其中,第一和第二图案形成为竖直厚度(T)与水平宽度(W)的比率是0.27≤T/W≤2.4。
此处,第一和第二图案之间的水平间隔(S)可以在3.5≤S≤12.5的范围内。
去除噪声的滤波器可以进一步包括电阻调谐部,该电阻调谐部从第一和第二图案的较长图案的最外图案部分扩展。
上部磁体可以延伸到该第一和第二图案的中心。
根据本发明的另一个方面,为实现上述目的,提供一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器包括:下部磁体;第一和第二图案,彼此平行地螺旋设置于下部磁体上;绝缘层,用于覆盖该第一和第二图案;以及上部磁体,设置于绝缘层上,其中第一和第二图案之间的水平间隔(S)在3.5≤S≤12.5的范围内。
根据本发明的另一个方面,为实现上述目的,提供一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器包括:下部磁体;第一和第二下部图案,彼此平行地螺旋设置于下部磁体上;第一和第二上部图案,彼此平行地螺旋设置于第一和第二下部图案上以与第一和第二下部图案相对应,同时分别电连接到第一和第二下部图案;绝缘层,用于覆盖第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案;以及上部磁体,设置在绝缘层上,其中第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案形成为竖直厚度(T)与水平宽度(W)的比率是0.27≤T/W≤2.4。
此处,第一和第二下部图案之间的水平间隔(S)以及第一和第二上部图案之间的水平间隔(S)可以在3.5≤S≤12.5的范围内。
第一和第二上部图案可以被布置为与第一和第二下部图案交叉。
并且,第一和第二下部图案的宽度可以比第一和第二上部图案的宽度大。
进一步,第一和第二下部图案的最内图案和最外图案的宽度可以比位于最内图案和最外图案之间的图案的宽度大。
另外,第一和第二上部图案可以形成为成螺旋形状从第一和第二下部图案延续,并且第一和第二上部图案具有相同的匝数。
此处,第一和第二上部图案可以具有不同的匝数并且第一和第二下部图案也可以具有不同的匝数,但此时,优选地是第一上部图案和第一下部图案的总匝数与第二上部图案和第二下部图案的总匝数相等。
并且,第一和第二上部图案与第一和第二下部图案可以通过通孔电连接。
同时,用于去除噪声的滤波器可以进一步包括电阻调谐部分,该电阻调谐部分从第一和第二下部图案的较长图案的最外图案部分扩展。
并且,绝缘层可以包括用于覆盖第一和第二下部图案的第一涂层以及用于使第一涂层的上表面平坦的第二涂层。
另外,上部磁体可以延伸到第一和第二上部图案以及第一和第二下部图案的中心。
根据本发明的另一个方面,为实现上述目的,提供一种用于去除噪声的滤波器,该滤波器包括:下部磁体;第一和第二下部图案,彼此平行地螺旋设置于下部磁体上;第一和第二上部图案,彼此平行地螺旋设置于第一和第二下部图案上以与第一和第二下部图案相对应,同时分别电连接到第一和第二上部图案;绝缘层,用于覆盖第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案;以及上部磁体,位于绝缘层上,其中第一和第二下部图案之间的水平间隔(S)以及第一和第二上部图案之间的水平间隔(S)可以在3.5≤S≤12.5的范围内。
附图说明
通过下文对实施例的描述,本发明的总构思的上述和/或其它的方面和优势将变得明显且更容易理解,在所结合的附图中:
图1是示意性地示出了根据现有技术的用于去除噪声的传统滤波器的共模滤波器的截面图;
图2是示意性地示出图1中由于第一线圈图案和第二线圈图案产生的磁通量的结构图;
图3是示意性的示出了根据本发明的去除噪声的滤波器的实施方式的透视图;
图4是图3的横截面图;
图5是沿图4中线I-I’截取的横截面图;
图6a是示意性的示出了图3中第一和第二下部图案的平面图;
图6b是示意性的示出了图3中第一和第二上部图案的平面图;
图7是示意性地示出了由于应用于根据本发明的去除噪声的滤波器的第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案所产生的磁通量的结构图;
图8a是示出了根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式的阻抗特性与传统的共模滤波器的阻抗特性的对比结果的曲线图;
图8b是示出了根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式的插入损耗特性与传统的共模滤波器的插入损耗特性的对比结果的曲线图;
图9a到图9c示出了图7中第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的改进的布置结构的结构图,其中
图9a是示出了第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的竖直布置彼此同样的示图,
图9b是示出第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的竖直安排彼此相对的示图,以及
图9c是示出第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的竖直布置彼此不对称的示图;
图10a和图10b是示意性的示出在第一和第二下部图案上形成绝缘层的过程的过程图,其中
图10a是示出第一涂层形成于第一和第二下部图案上的状态的示图,以及
图10b是示出第二涂层形成于图10a中的第一涂层上的状态的示图;
图11是示意性的示出了应用于根据本发明的用于去除噪声的滤波器的第一和第二下部图案的另一种形状的横截面图;以及
图12是示出了改进的第一和第二下部图案的形状的平面图,改进是为了适应由于根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式中第一和第二下部图案之间的长度差异所产生的电阻差异。
具体实施方式
将参考附图对为了实现上述目的的本发明优选实施方式进行描述。在本实施方式的描述中,相同的元件由相同的参考标号来表示,并且在下文将省略额外的描述。
在下文中,将参考图3到图12对根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式进行详细的描述。
图3是示意性地示出了根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式的透视图,图4是图3的横截面图,图5是沿图4中线I-I’截取的横截面图,图6a是示意性地示出了图3中第一和第二上部图案的平面图,图7是示意性地示出了由于应用于根据本发明的去除噪声的滤波器的第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案所产生的磁通量的结构图,图8a是示出根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式的阻抗特性与传统的共模滤波器的阻抗特性的对比结果的曲线图,以及图8b是示出根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式的插入损耗特性与传统的共模滤波器的插入损耗特性的对比结果的曲线图。
并且,图9a到9c是示出图7中第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的改的布置结构的结构图,其中图9a是示出第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的竖直布置彼此等同的示图,图9b是示出第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的竖直布置彼此相对的示图,以及图9c是示出第一和第二下部图案以及第一和第二上部图案的竖直安排彼此不对称的示图;
图10a和图10b是示意性地示出了在第一和第二下部图案上的形成绝缘层的过程的过程图,其中图10a是示出第一涂层形成于第一和第二下部图案上的状态的视图,以及图10b是示出第二涂层形成于图10a中的第一涂层上的状态的示图。
同时,图11是示意性的示出了应用于根据本发明的用于去除噪声的滤波器的第一和第二下部图案的另一种形状的横截面图;以及图12是示出了改进的第一和第二下部图案的形状的平面图,改进是为了适应由于根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式中的第一和第二下部图案之间长度的差异所产生的电阻的差异。
参考图3到图6b,根据本发明的用于去除噪声的滤波器的实施方式100可以包括:下部磁体110;设置于下部磁体110上的第一和第二下部图案121和122;设置于第一和第二下部图案121和122上的第一和第二上部图案141和142;用于覆盖第一和第二下部图案121和122以及第一和第二上部图案141和142的绝缘层130,和设置于绝缘层130上的上部磁体150。
下部磁体110可以以由铁氧体磁性材料制成的基板的形状形成。
第一和第二下部图案121和122可以彼此平行地螺旋设置,同时通过薄膜处理形成于下部磁体110上,以及第一和第二上部图案141和142可以彼此平行地螺旋设置在第一和第二下部图案121和122上以便与第一和第二下部图案121和122相对应,同时分别与第一和第二下部图案121和122电连接。
此时,第一下部图案121和第一上部图案141可以通过通孔电连接以继续彼此,并且第二下部图案122和第二下部图案142也可以通过通孔电连接以继续彼此。
因此,本实施方式的用于去除噪声的滤波器100可以通过在同一层上提供第一和第二图案,也就是说,两个线圈图案来提高性能。
作为一个例子,通过使用包括第一和第二下部图案121和122或第一和第二上部图案141和142作为单一线圈层的绝缘体130可以实现用于去除噪声的滤波器的特性,但是根据本实施方式的用于去除噪声的滤波器100可以通过实现在用于去除噪声的滤波器中使用竖直多层绝缘层130使其具有极好的性能和特性并且进一步增加了容量,在竖直多层绝缘层130中第一和第二下部图案121和122和第一和第二上部图案141和142设置成彼此竖直对应的线圈层,以进一步使用于去除噪声的滤波器产生的电磁力达到最大化。
在此,在本实施例的用于去除噪声的滤波器100中,优选的是每个第一和第二下部图案121和122以及第一和第二上部图案141和142都形成为具有竖直厚度(T)和水平宽度(W)的比率是0.27≤T/W≤2.4。
更具体地,在本实施方式的用于去除噪声的滤波器100中,检查的特性变化的结果,也就是说,按照每个第一和第二下部图案121和122以及每个第一和第二上部图案141和142的竖直厚度(T)与水平宽度(W)的比率的直流电阻(Rdc),共模(CM)阻抗,以及插入耗损是如下面的表1所描述的。此时,第一和第二下部图案121和122之间的水平间隔以及第一和第二上部图案141和142之间的水平间隔均是5μm,并且下部图案121和122与上部图案141和142之间的竖直间隔是5μm。
[表1]
如表1所示,当每个第一和第二下部图案121和122和第一和第二上部图案141和142的竖直厚度(T)与水平宽度(W)的比率少于0.27或超过2.4时,共模阻抗显著地减少并且插入损耗(截至频率)迅速减少。
也就是说,当比率(T/W)少于0.27时,由于每个第一和第二下部图案121和122和第一和第二上部图案141和142的横截面都具有横向长矩形形状以延长磁通量路径并且减少内部区域,所以共模阻抗减少,并且由于下部图案121和122和上部图案141和142的竖直重叠区域增加,引起图案之间电容的增加,所以插入损耗减少。
进一步,当比率(T/W)超过2.4时,由于每个第一和第二下部图案121和122和第一和第二上部图案141和142的横截面具有横向长矩形形状以延长磁通量路径,所以共模阻抗由安倍环路定律减少了,并且由于第一和第二下部图案121和122的水平重叠区域和第一和第二上部图案141和142的水平重叠区域增加,引起图案之间电容增加,所以插入损耗减少。
并且,在本实施方式的用于去除噪声的滤波器100中,第一和第二下部图案121和122之间的水平间隔(S)以及第一和第二上部图案141和142之间的水平间隔可以在3.5≤S≤12.5的范围内。因此,可以提高用于去除噪声的滤波器的特性和性能。
更具体地,在本实施方式的用于去除噪声的滤波器100中,检查的去除噪声的滤波器的特性变化的结果,也就是说,根据下部图案121和122与上部图案141和142之间预先确定的竖直间距(G),通过改变第一和第二下部图案121和122之间的水平间隔(S)以及第一和第二上部图案141和142的水平间隔(S)的直流电阻(Rdc),共模(CM)阻抗,以及插入耗损是如下面的表2所描述的。此时,第一和第二下部图案121和122的水平宽度以及第一和第二上部图案141和142的水平宽度均是10μm,并且第一和第二下部图案121和122的竖直宽度以及第一和第二上部图案141和142的竖直宽度均是6μm。
[表2]
如表2中所示,当第一和第二下部图案121和122之间的水平宽度(S)以及第一和第二上部图案141和142之间的水平宽度(S)少于3.5时,插入损耗显著减少,并且当水平宽度(S)超过12.5时,共模阻抗显著减少。
换言之,当第一和第二下部图案121和122之间的水平宽度(S)以及第一和第二上部图案141和142之间的水平宽度(S)少于3.5时,也就是说,当图案之间的水平宽度太小时,由于图案之间电容的增加,所以插入损耗增加,并且当第一和第二下部图案121和122之间的水平宽度(S)以及第一和第二上部图案141和142之间的水平宽度(S)超过12.5时,也就是说,当图案之间的水平宽度太大时,由于每个图案内部区域减少,所以共模阻抗减少。
同时,如上面所描述的,在本实施方式的去除噪声的滤波器100中,由于第一图案和第二图案,也就是说,两个线圈图案设置在同一层上以便第一和第二下部图案121和122的输入侧引导图案121a和122a共同形成在形成第一和第二下部图案121和122的层上,以及第一和第二上部图案141和142的输出侧引导图案141b和142b可以形成在第一和第二上部图案141和142形成的层面上,与传统的共模滤波器相比,一个额外的用于形成输出侧引导图案的层面就不需要了,以便于可减少覆盖在第一和第二下部图案121和122以及第一和第二上部图案141和142上的绝缘层130的厚度,从而根据包括绝缘层130的用于去除噪声的滤波器的竖直高度的减少来实现小型化。
并且,在本实施方式的去除噪声的滤波器100中,由于第一和第二图案设置在同一水平层上,也就是说,由于第一下部图案121和第二下部图案122交替地设置在同一水平层上并且第一上部图案141和第二上部图案142交替地设置在同一水平层面上,如图7所示,第一和第二下部图案121和122与第一和第二上部图案141和142之间流动的磁通量彼此抵消以减少差模阻抗。因此,也可以通过减少插入损耗来提高用于去除噪声的滤波器的特性。
也就是说,如图8a和8b所示,根据对传统的共模滤波器和本实施方式的去除噪声的滤波器100的特性的模拟结果,可以检测出与传统的共模滤波器相比,在本实施方式中,差模阻抗减少了,并且插入损耗改善了。
同时,本实施方式的用于去除噪声的滤波器100可以具有在第一和第二上部图案141和142的弯曲部分中与第一和第二下部图案121和122在平面上交叉的部分。
也就是说,第一上部图案141可以在第一下部图案121上具有在平面上与第一下部图案交叉的部分,并且第二上部图案142可以在第二下部图案122上具有在平面上与第二下部图案交叉的部分。
因此,尽管未示出细节,第一和第二图案141和142可以布置为位于第一和第二下部图案121和122之间的空间,也就是说,在交叉部分中第一下部图案121和第二下部图案122之间。
并且,第一和第二上部图案141和142可以布置为位于第一和第二下部图案121和122的除了交叉部分以外的其它部分,即直线部分上。
此时,第一和第二上部图案141和142可以安排为与第一和第二下部图案121和122的布置交叉。
也就是说,第二上部图案142可以布置为位于第一下部图案122上,并且第一上部图案141可以布置为位于第二下部图案122上。
并且,如图9a所示,第一和第二图案141和142可以布置为与第一和第二图案121和122的布置相同。
也就是说,第一上部图案141可以布置为位于第一下部图案121上,并且第二上部图案142可以布置为位于第二下部图案122上。
进一步,如图9b和图9c所示,第一和第二下部图案121和122以及第一和第二上部图案141和142可以交替地布置在多匝的单元内。
也就是说,如图9b所示,第一下部图案121可以连续地布置在多于两个匝的单元中,并且第二下部图案122可以连续地布置在多于两个匝的单元中的第一下部图案121内。第二上部图案142可以连续地布置在多于两个匝的单元内,并且第一上部图案141可以连续地布置在多于两个匝的单元中的第二上部图案142内。
进一步,如图9c所示,第一和第二下部图案121和122以及第一和第二上部图案141和142可以布置在多个匝的单元内,并且第一和第二下部图案121和122的竖直布置与第一和第二上部图案141和142的竖直布置可以彼此不对称。
同时,参考图10a和10b,在本实施方式的用于去除噪声的滤波器中,覆盖第一和第二下部图案121和122的绝缘层130可以包括第一涂层131和用于使第一涂层的上表面平坦的第二涂层132。
也就是说,当用于覆盖第一和第二下部图案121和122的绝缘层130通过一次覆盖形成时,如图10a所示,绝缘层130的上表面可能会形成不平坦。因此,就很难在第一和第二下部图案121和122的上表面以准确的位置和形状形成第一和第二上部图案。
因此,通过在具有不平坦的第一涂层131的上表面上形成第二覆盖层132,可以使覆盖第一和第二下部图案121和122的绝缘层130的上表面平坦。从而,可以在第一和第二下部图案上准确地形成第一和第二上部图案。
同时,尽管用于覆盖第一和第二下部图案121和122的绝缘层130通过两次覆盖形成,但是在第一和第二下部图案121和122没有形成的区域,也就是说,绝缘层130的最内和最外上表面可能没有被覆盖。因此,位于未覆盖区域的第一和第二上部图案的布置可能会偏离。
因此,如图11所示,第一和第二图案121和122的宽度可以比第一和第二上部图案141和142的宽度大。
具体地,第一和第二下部图案121和122的最内和最外图案的宽度可以比位于最内和最外图案之间的图案的宽度大。
同时,参考图12,本实施例的用于去除噪声的滤波器可以进一步包括电阻调谐部分122c,该部分是从第一和第二下部图案121和122的较长图案的最外图案的部分扩展。
此时,在本实施方式中,较长图案可以是第二下部图案122c。因此,第二下部图案122可以具有从最外图案的部分扩展的电阻调谐部分122c。
因此,根据本实施方式的用于去除噪声的滤波器100能够通过电阻调谐部分122c调节由于第一和第二下部图案121和122之间的长度差异所产生的电阻差异来防止由于电阻差异所导致的性能退化。
同时,上部磁体150可以通过在第一和第二上部图案141和142上填充铁氧体磁性材料来形成。此时,尽管细节未示出,上部磁体150的中心部分可以延伸到第一和第二下部图案121和122的中心部分。
因此,通过延伸上部磁体150以提高磁通量密度可以进一步提高本实施方式的用于去除噪声的滤波器100的性能和特性。
如上文所描述的,按照根据本发明的用于去除噪声的滤波器,通过实现在同一频率的高共模阻抗,减少差模阻抗,以及改善插入损耗可以提高用于去除噪声的滤波器的特性和性能。
并且,按照根据本发明的用于去除噪声的滤波器,可以提高用于去除噪声的滤波器的容量。
进一步,按照根据本发明的用于去除噪声的滤波器,可以减少用于去除噪声的滤波器的制造成本,并且通过简化结构和程序可以提高生产力。
公开如上文所述的本发明的优选的实施例是为了示例的目的并且本领域的技术人员将会理解,在不背离本发明的技术精神的情况下,可以对这些实施例进行各种替代、修改和变更。这些替代和修改意在被包括在所附的权利要求书中。
Claims (13)
1.一种用于去除噪声的滤波器,包括:
下部磁体;
第一图案和第二图案,彼此平行地螺旋设置于所述下部磁体上;
绝缘层,用于覆盖所述第一图案和所述第二图案;
上部磁体,设置于所述绝缘层上;以及
电阻调谐部分,从所述第一图案和所述第二图案的较长图案的最外图案部分扩展,
其中,所述第一图案和所述第二图案形成为竖直厚度T与水平宽度W的比率是0.27≤T/W≤2.4。
2.根据权利要求1所述的用于去除噪声的滤波器,其中,所述第一图案与所述第二图案之间的水平间隔S在3.5μm≤S≤12.5μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的用于去除噪声的滤波器,其中,所述上部磁体延伸到所述第一图案和所述第二图案的中心。
4.一种用于去除噪声的滤波器,包括:
下部磁体;
第一图案和第二图案,彼此平行地螺旋设置于所述下部磁体上;
绝缘层,用于覆盖所述第一图案和所述第二图案;
上部磁体,设置于所述绝缘层上;以及
电阻调谐部分,从所述第一图案和所述第二图案的较长图案的最外图案部分扩展,
其中,所述第一图案和所述第二图案之间的水平间隔S在3.5μm≤S≤12.5μm的范围内。
5.一种用于去除噪声的滤波器,包括:
下部磁体;
第一下部图案和第二下部图案,彼此平行地螺旋设置在所述下部磁体上;
第一上部图案和第二上部图案,彼此平行地螺旋设置在所述第一下部图案和所述第二下部图案上以与所述第一下部图案和所述第二下部图案相对应,同时分别电连接到所述第一下部图案和所述第二下部图案;
绝缘层,用于覆盖所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案;以及
上部磁体,设置于所述绝缘层上,其中,所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案形成为竖直厚度T与水平宽度W的比率是0.27≤T/W≤2.4,
其中,所述第一上部图案和所述第二上部图案布置为与所述第一下部图案和所述第二下部图案交叉。
6.一种用于去除噪声的滤波器,包括:
下部磁体;
第一下部图案和第二下部图案,彼此平行地螺旋设置在所述下部磁体上;
第一上部图案和第二上部图案,彼此平行地螺旋设置在所述第一下部图案和所述第二下部图案上以与所述第一下部图案和所述第二下部图案相对应,同时分别电连接到所述第一下部图案和所述第二下部图案;
绝缘层,用于覆盖所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案;以及
上部磁体,设置于所述绝缘层上,
其中,所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案形成为竖直厚度T与水平宽度W的比率是0.27≤T/W≤2.4,以及
其中,所述绝缘层包括用于覆盖所述第一下部图案和所述第二下部图案的第一涂层和用于使所述第一涂层的上表面平坦的第二涂层。
7.一种用于去除噪声的滤波器,包括:
下部磁体;
第一下部图案和第二下部图案,彼此平行地螺旋设置在所述下部磁体上;
第一上部图案和第二上部图案,彼此平行地螺旋设置在所述第一下部图案和所述第二下部图案上以与所述第一下部图案和所述第二下部图案相对应,同时分别电连接到所述第一下部图案和所述第二下部图案;
绝缘层,用于覆盖所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案;以及
上部磁体,设置于所述绝缘层上,
其中,所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案形成为竖直厚度T与水平宽度W的比率是0.27≤T/W≤2.4,以及
其中,所述第一下部图案和所述第二下部图案的宽度比所述第一上部图案和所述第二上部图案的宽度大。
8.根据权利要求7所述的用于去除噪声的滤波器,其中,所述第一下部图案和所述第二下部图案的最内图案和最外图案的宽度比位于所述最内图案和所述最外图案之间的图案的宽度大。
9.根据权利要求7所述的用于去除噪声的滤波器,其中,所述第一上部图案和所述第二上部图案形成为从所述第一下部图案和所述第二下部图案延续的螺旋形状,并且与所述第一下部图案和所述第二下部图案具有相同的匝数。
10.一种用于去除噪声的滤波器,包括:
下部磁体;
第一下部图案和第二下部图案,彼此平行地螺旋设置在所述下部磁体上;
第一上部图案和第二上部图案,彼此平行地螺旋设置在所述第一下部图案和所述第二下部图案上以与所述第一下部图案和所述第二下部图案相对应,同时分别电连接到所述第一下部图案和所述第二下部图案;
绝缘层,用于覆盖所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案;
上部磁体,设置于所述绝缘层上;以及电阻调谐部,从所述第一下部图案和所述第二下部图案的较长图案的最外图案部分扩展,
其中,所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案形成为竖直厚度T与水平宽度W的比率是0.27≤T/W≤2.4。
11.根据权利要求10所述的用于去除噪声的滤波器,其中,所述第一上部图案和所述第二上部图案与所述第一下部图案和所述第二下部图案通过通孔电连接。
12.根据权利要求10所述的用于去除噪声的滤波器,其中,所述上部磁体延伸到所述第一上部图案和所述第二上部图案以及所述第一下部图案和所述第二下部图案的中心。
13.一种用于去除噪声的滤波器,包括:
下部磁体;
第一下部图案和第二下部图案,彼此平行地螺旋设置于所述下部磁体上;
第一上部图案和第二上部图案,彼此平行地螺旋设置于所述第一下部图案和所述第二下部图案上以与所述第一下部图案和所述第二下部图案相对应,同时分别电连接至所述第一下部图案和所述第二下部图案;
绝缘层,用于覆盖所述第一下部图案和所述第二下部图案以及所述第一上部图案和所述第二上部图案;
上部磁体,设置在所述绝缘层上;以及
电阻调谐部分,从所述第一下部图案和所述第二下部图案的较长图案的最外图案部分扩展,
其中,所述第一下部图案与所述第二下部图案之间的水平间隔S以及所述第一上部图案与所述第二上部图案之间的水平间隔S在3.5μm≤S≤12.5μm的范围内。
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