CN103526183A - 成膜装置和成膜方法 - Google Patents

成膜装置和成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103526183A
CN103526183A CN201310279578.0A CN201310279578A CN103526183A CN 103526183 A CN103526183 A CN 103526183A CN 201310279578 A CN201310279578 A CN 201310279578A CN 103526183 A CN103526183 A CN 103526183A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
universal stage
substrate
mentioned
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310279578.0A
Other languages
English (en)
Inventor
加藤寿
三浦繁博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN103526183A publication Critical patent/CN103526183A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C23C16/45538—Plasma being used continuously during the ALD cycle
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明提供成膜装置和成膜方法。成膜装置在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其包括：第1处理气体供给部；第2处理气体供给部；分离区域；主加热机构，其隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；以及辅助加热机构，其由加热灯构成，用于向由上述主加热机构加热的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度，在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，在上述处理温度下，上述第1处理气体吸附于基板，所吸附的第1处理气体被第2处理气体氧化。

Description

成膜装置和成膜方法
本申请以2012年7月6日提出申请的日本国特愿2012-152940号作为主张优先权的基础申请，在此主张基于该申请的优先权，并且通过参照而引入其全部内容。
技术领域
本发明涉及一种通过利用旋转台使基板公转、并依次供给相互发生反应的处理气体而在基板的表面上层叠反应产物来形成氧化硅膜的技术。
背景技术
作为对半导体晶圆（以下称作“晶圆”）等基板进行例如氧化硅膜（SiO2）等薄膜的成膜的方法之一，公知有原子层沉积（ALD：Atomic LayerDeposition）法。该ALD法是向晶圆的表面依次供给相互发生反应的多种处理气体（反应气体）而层叠反应产物的方法。在日本特开2010－245448中，作为利用ALD法进行成膜的成膜装置，提出了一种在真空容器内设置以供多张晶圆沿周向排列的方式载置多张晶圆的旋转台、并且以与该旋转台相对的方式配置有多个气体喷嘴的结构。作为处理气体，例如使用含有硅（Si）的气体、例如BTBAS（双叔丁基氨基硅烷）气体和氧化用的气体、例如臭氧（O3）气体。通过一边利用设置在旋转台的下方侧的加热器对晶圆进行加热一边使旋转台相对于气体喷嘴旋转来进行成膜处理。由此向晶圆依次供给含Si气体和臭氧气体，经过利用臭氧气体使含Si气体氧化的反应而形成SiO2膜。
此外，今后，预计存在因半导体器件中的SiO2膜的适用部位而要求较高的致密度的情况。为了获得这种SiO2膜，需要以例如超过650℃的高温进行反应，若要利用由旋转台使晶圆W公转的成膜装置，则用于维持真空气氛的密封部位的耐热结构的构筑不是容易的。另外，由于以向该旋转台的上方侧伸出的方式设置的气体喷嘴因旋转台的热量而被加热，因此，若旋转台超过650℃，则气体喷嘴的温度就会上升，气体喷嘴的内部的温度超过了臭氧气体热分解的温度（550℃）。因此，臭氧气体在到达旋转台之前，臭氧气体热分解而成为氧，氧化力降低，因此不能将臭氧气体用作氧化气体。由于该情况，若要制造与使用臭氧气体的样式的装置不同的特殊规格的装置，则装置的制造成本升高。
在日本特开2010－245448中，记载有除了设置在旋转台的下方侧的加热器单元之外、还在旋转台的上方侧具有棒状的红外线灯的结构。
发明内容
因此，本发明的实施例是鉴于上述情况并为了解决该情况而做成的，提供一种新的且有用的成膜装置和成膜方法。更详细地说，本发明的实施例提供成膜装置和成膜方法，在一边利用旋转台使基板公转一边重复处理气体的吸附和氧化而形成氧化硅膜时，关于与装置主体的耐热性相关的设计，采用将臭氧气体用作氧化气体的规格，同时能够以臭氧气体的热分解温度以上的高温进行成膜处理。
根据本发明的一技术方案的成膜装置在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其特征在于，
该成膜装置包括：
第1处理气体供给部，其为了使含有硅的第1处理气体吸附于上述基板而对上述基板供给第1处理气体；
第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与该第1处理气体供给部分开地设置，用于供给含有使氧活化而得到的活性种的第2处理气体，以便使吸附于基板的第1处理气体氧化而生成硅氧化物；
分离区域，其在上述旋转台的周向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，用于避免第1处理气体与第2处理气体混合；
主加热机构，其用于通过对上述旋转台进行加热而隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；以及
辅助加热机构，其以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设置在该旋转台的上方侧，该辅助加热机构由加热灯构成，用于向由上述主加热机构加热后的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度，
在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，
在上述处理温度下，上述第1处理气体吸附于基板，所吸附的第1处理气体被第2处理气体氧化。
而且，对于本发明的目的和优点，一部分记载于说明书中，一部分根据说明书不言自明。本发明的目的和优点能够通过在附加的权利要求书中特别提及的要素及其组合来实现、达到。上述一般的记载和下述详细说明是作为例示进行说明的，并非对要求保护的本发明进行限定。
附图说明
图1是表示实施例1的成膜装置的一例的纵剖剖视图。
图2是成膜装置的横剖俯视图。
图3是成膜装置的横剖俯视图。
图4是表示成膜装置的一部分的立体图。
图5是表示设置于成膜装置的活化气体喷射器的立体图。
图6是表示活化气体喷射器的纵剖剖视图。
图7是表示成膜装置的内部的一部分的分解立体图。
图8是表示成膜装置的一部分的纵剖视图。
图9是表示设置于成膜装置的灯单元的一部分的纵剖剖视图。
图10是示意性表示灯单元的加热灯的概略立体图。
图11是表示成膜装置的一部分的立体图。
图12是表示成膜装置中的处理区域、分解区域及加热区域的纵剖剖视图。
图13是表示成膜装置中的气体的流动的示意图。
图14是表示实施例2的成膜装置的纵剖剖视图。
图15是表示实施例2的成膜装置的另一其他例子的纵剖剖视图。
图16是表示上述成膜装置的横剖俯视图。
图17是表示由灯单元进行的加热的模拟中所使用的分析模型的立体图。
图18是表示由灯单元进行的加热的模拟结果的特性图。
图19是表示由灯单元进行的加热的模拟结果的特性图。
图20是表示由灯单元进行的加热的模拟结果的特性图。
具体实施方式
在上述背景技术的构成中，晶圆被加热器单元加热到例如350℃，并且晶圆的表层部被加热灯加热到350℃以上，氧化硅膜中的杂质（有机物）被去除。另外，在向氧化硅膜中混入磷（P）的情况下，也记载有将晶圆加热到700℃～800℃以向该膜中导入磷的情况。但是，若将旋转台加热到700℃以上，则如上所述那样臭氧气体在被供给到晶圆之前发生了热分解。
以下，使用图1～图14说明本发明的实施例。
另外，在以下的实施例中，下述附图标记典型地表示下述要素。
W、晶圆；1、真空容器；2、旋转台；31、处理气体喷嘴；32、活化气体喷射器；42、分离气体喷嘴；5、加热器单元；7、灯单元；71、加热灯；73、反射体；P1、第1处理区域；P2、第2处理区域；D1、D2、分离区域；H、加热区域。
实施例1
如图1和图2所示，实施例1的成膜装置包括：真空容器1，其平面形状为大致圆形；以及旋转台2，其设置在该真空容器1内，并在该真空容器1的中心具有旋转中心。真空容器1包括顶板11和容器主体12，构成为顶板11能够相对于容器主体12装卸。在顶板11的上表面侧的中央部连接有分离气体供给管40。该分离气体供给管40是用于供给氮（N2）气体来作为分离气体以便抑制相互不同的处理气体彼此在真空容器1内的中心部区域C混合的部件。在图1中，附图标记13是呈环状设置于容器主体12的上表面的周缘部的密封构件、例如O形密封圈。
旋转台2在中心部固定于大致圆筒形状的芯部21，旋转台2借助与该芯部21的下表面相连接并且沿铅垂方向延伸的旋转轴22绕铅垂轴线、在该例子中顺时针自由旋转。旋转台2使用了石英作为材质。在图1中，附图标记23是用于使旋转轴22绕铅垂轴线旋转的驱动部，附图标记20是用于容纳旋转轴22和驱动部23的壳体。为了谋求提高生产率，优选的是，旋转台2以60rpm以上的转速旋转。上述壳体20的上表面侧的凸缘部分气密地安装于真空容器1的底面部14的下表面。另外，在该壳体20上连接有用于向旋转台2的下方区域供给N2气体作为吹扫气体的吹扫气体供给管15。真空容器1的底面部14中的处于芯部21的外周侧的部分以从下方侧接近旋转台2的方式形成为环状而构成了突出部12a。
如图2和图3所示，在旋转台2的表面部，作为基板载置区域设有用于沿着旋转方向（周向）载置多张、例如5张晶圆W的圆形形状的凹部24。凹部24的直径尺寸和深度尺寸设定为：若使直径尺寸例如为300mm大小的晶圆W落入（容纳于）该凹部24中，则晶圆W的表面与旋转台2的表面（未载置有晶圆W的区域）对齐。在凹部24的底面，如后所述那样形成有供升降销贯穿的通孔（未图示），该升降销用于从下方侧上顶晶圆W而使晶圆W升降。另外，图2表示卸下了后述的灯单元7后的状态，图3表示安装了上述灯单元7后的状态。
如图2和图3所示，在与旋转台2的凹部24的通过区域分别相对的位置设有由例如石英构成的3个喷嘴31、41、42。上述各个喷嘴31、41、42在真空容器1的周向（旋转台2的旋转方向）上相互隔开间隔地呈放射状配置。另外，上述各个喷嘴31、41、42分别以例如从真空容器1的外周壁朝向中心部区域C与晶圆W相对地水平地延伸的方式安装。在该例子中，从后述的输送口16观察时分离气体喷嘴41、处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42按照分离气体喷嘴41、处理气体喷嘴31、分离气体喷嘴42的顺序顺时针（旋转台2的旋转方向）排列。上述各个喷嘴31、41、42以该喷嘴31、41、42的下端缘与旋转台2的上表面之间的分开距离为例如1mm～5mm左右的方式配置。
上述处理气体喷嘴31构成第1处理气体供给部，分离气体喷嘴41、42分别构成分离气体供给部。各个喷嘴31、41、42经由流量调整阀分别与以下各个气体供给源（未图示）相连接。即，处理气体喷嘴31与作为含有Si的气体（以下称作“含Si气体”）的第1处理气体、例如3DMAS[三（二甲氨基）硅烷：Si（N（（CH3）2）3H）]气体的供给源相连接。该第1处理气体可以说是氧化硅膜的原料气体。分离气体喷嘴41、42分别与作为分离气体的N2气体的气体供给源相连接。在气体喷嘴31、41、42的下表面侧，例如沿着旋转台2的半径方向在多个部位例如等间隔地形成有气体喷出孔33（参照图12）。
另外，在分离气体喷嘴42的旋转台2的旋转方向下游侧、且分离气体喷嘴41的旋转台2的旋转方向上游侧设有活化气体喷射器32。如图4～图6所示，该活化气体喷射器32具有由壳体构成的喷射器主体321。在该喷射器主体321内形成有利用分隔壁322沿长度方向划分出的宽度不同的两个空间，一侧构成为用于使处理气体等离子体化（活化）的作为气体活化用流路的气体活化室323。另外，另一侧成为用于向该气体活化室323供给处理气体的作为气体导入用流路的气体导入室324。
在图2～图6中，附图标记325是气体导入喷嘴，附图标记326是气体孔，附图标记327是气体导入口，附图标记328是接头部，附图标记329是气体供给口。要等离子体化的处理气体被从气体导入喷嘴325的气体孔326喷出并被供给到气体导入室324内。接着，处理气体从该气体导入室324经由形成于分隔壁322的上部的缺口部331向气体活化室323流通。在气体活化室323内，两根由电介质构成的例如陶瓷制的鞘管332、332从该气体活化室323的基端侧朝向顶端侧沿着分隔壁322延伸，在上述鞘管332、332的管内贯穿有棒状的电极333、333。上述电极333、333的基端侧被引出到喷射器主体321的外部，并在真空容器1的外部经由匹配器334与高频电源335相连接。
在喷射器主体321的底面上，沿喷射器主体321的长度方向排列有用于将在该电极333、333之间的区域即等离子体产生部340中等离子体化而活化的等离子体向下方侧喷出的气体喷出孔341。该喷射器主体321配设为其顶端侧朝向旋转台2的中心部延伸的状态。在图中，附图标记351是阀，附图标记352是流量调整部，附图标记353是积存有处理气体、例如氧（O2）气体的气体源。
在这种活化气体喷射器32中，供给作为处理气体的O2气体，并且从高频电源335向等离子体产生部340（电极333、333）供给高频电力。另一方面，由于真空容器1内成为真空气氛，因此使向气体活化室323的上方侧流入的O2气体在上述高频电力的作用下等离子体化（活化），并将这样获得的等离子体（以下称作氧等离子体）经由气体喷出孔341朝向晶圆W供给。上述氧等离子体相当于含有利用电场使氧活化而获得的活性种的第2处理气体。
处理气体喷嘴31的下方区域成为用于使第1处理气体吸附于晶圆W的第1处理区域P1，活化气体喷射器32的下方侧区域成为对吸附于晶圆W表面的第1处理气体供给第2处理气体的第2处理区域P2。
分离气体喷嘴41、42是用于形成使第1处理区域P1与第2处理区域P2分离的分离区域D的构件。将第1处理区域P1的旋转台2的旋转方向下游侧作为第1分离区域D1、将第1处理区域P1的旋转台2的旋转方向上游侧作为第2分离区域D2来进行说明。如图2和图3所示，在真空容器1的顶板11中的处于上述分离区域D1、D2中的部分设有俯视大致扇形的凸状部4。例如，如图12所示，上述分离气体喷嘴41、42容纳在被形成于该凸状部4的槽部43内。因而，为了阻止第1处理气体和第2处理气体彼此混合，在分离气体喷嘴41、42的旋转台2的周向两侧配置有作为上述凸状部4的下表面的较低的顶面44（第1顶面）（参照图12）。另一方面，在顶板11的未设有凸状部4的区域配置有比上述顶面44高的顶面45（第2顶面）。
如图1所示，在旋转台2与真空容器1的底面部14之间的空间内设有加热器单元5。该加热器单元5是构成主加热机构的构件，通过对旋转台2进行加热，从而隔着该旋转台2从下方侧对晶圆W进行加热。在该例子中，来自加热器单元5的辐射热量被石英制的旋转台2吸收而加热该旋转台2。另外，装置的性能方面容许的旋转台2的最高温度（容许最高温度）设定为比使臭氧气体在达到旋转台2之前热分解的温度低的温度。即，当利用加热器单元5对旋转台2进行加热时（未利用后述的辅助加热机构进行加热时），基板载置区域的温度设定为比使臭氧气体在到达该基板载置区域之前热分解的温度低的温度。该旋转台2的容许最高温度是考虑到由例如氟系橡胶构成的密封构件（O形密封圈13）、气体喷嘴31、41、42的密封构件（未图示）的耐热温度而设定的温度。在图1中，附图标记51是设置于加热器单元5的侧方侧的罩构件，附图标记52是覆盖该加热器单元5的上方侧的覆盖构件。另外，在真空容器1的底面部14，在加热器单元5的下方侧，在整个周向上的多个部位设有用于对加热器单元5的配置空间进行吹扫的吹扫气体供给管53。
在此说明臭氧气体热分解的温度。本实施方式的成膜装置是使用活化气体喷射器32生成氧等离子体的样式的装置。与此相对，在利用除了辅助加热机构和活化气体喷射器32以外的装置结构来构成取代氧等离子体而使用臭氧的样式的装置的情况下，与处理气体喷嘴31同样地例如以从旋转台2的周缘侧向中央部侧延伸的方式配置气体喷嘴（喷射器）。在该情况下，由于臭氧用的气体喷嘴在旋转台2的上方侧延伸，因此被来自旋转台2的热量加热，在旋转台2的基板载置区域的温度被加热到630℃的情况下，气体喷嘴的温度变成530℃左右。因而，气体喷嘴内的臭氧气体的温度变成530℃左右。另一方面，在供给臭氧气体的同时瞬间进行利用臭氧气体使含Si气体氧化的氧化反应。因此，即使上述基板载置区域的温度超过臭氧气体热分解的温度（550℃），也在臭氧气体热分解而成为氧、氧化力降低之前与含Si气体发生反应。这样，臭氧气体未热分解的情况是指臭氧气体在到达基板载置区域之前未热分解的情况。因而，在本实施例1中所说的比臭氧气体热分解的温度低的温度实际上只要是旋转台被加热到不会使从气体喷嘴供给的臭氧气体在到达基板载置区域之前热分解的温度的状态即可。因此，温度实际上根据气体喷嘴与旋转台之间的分开距离、气体喷嘴的形状、材质、向气体喷嘴供给的臭氧气体的温度等而发生变化。因而，即使将旋转台2（基板载置区域）的温度设定为630℃以上的温度、例如650℃，也存在从气体喷嘴供给的臭氧气体在到达基板载置区域之前未热分解的情况。由于这样的原因，在该例子中，旋转台2的温度设定为550℃～650℃。
另外，在顶板11上设有透射构件6，并且在该透射构件6的上方侧配设有灯单元7。上述透射构件6和灯单元7设置在例如比活化气体喷射器32靠旋转台2的旋转方向下游侧、且比第2分离区域D2稍微靠近活化气体喷射器32侧的位置。如图7所示，在顶板11上，为了安装透射构件6而形成有例如俯视大致扇形的开口部17。该开口部17例如从距旋转台2的旋转中心例如60mm左右的外缘侧的位置形成至距旋转台2的外缘80mm左右的外侧的位置。另外，为了开口部17不与设置于真空容器1的中心部区域C的后述的迷宫结构部18相干涉，使在俯视观察时开口部17的旋转台2的中心侧的端部以沿着该迷宫结构部18的外缘的方式呈圆弧状凹陷。
而且，如图8所示，在该开口部17，以该开口部17的开口直径从顶板11的上端侧朝向下端侧阶段性地变小的方式在整个周向上形成有例如3级台阶部17a。在上述台阶部17a中的最下一级的台阶部（口缘部）17a的上表面上，在整个周向上形成有槽19a，在该槽19a内配置有密封构件、例如O形密封圈19。该O形密封圈19由具有耐热性的材料、例如全氟弹性体构成。另外，为了便于图示，在图7中将台阶部17a设为两级，对于槽19a、O形密封圈19以及后述的按压构件65省略了图示。
在上述开口部17内嵌合有由红外线光可透射的材质、例如石英构成的透射构件6。如图7和图8所示，该透射构件6具有水平的窗部61，该窗部61的周缘部在整个周向上向上方侧竖起，构成了侧壁部62。另外，侧壁部62的上端在整个周向上朝向外侧水平地延伸而构成为凸缘部63，如图8所示，透射构件6的下表面侧的外缘部在整个周向上向下方侧（旋转台2侧）铅垂地延伸，构成了气体限制用的突起部64。利用该突起部64阻止N2气体、氧等离子体等向该透射构件6的下方区域进入，抑制向窗部61的成膜。
若使该透射构件6落入到已述的开口部17内，则凸缘部63与台阶部17a中的最下一级的台阶部17a相互卡定。而且，借助于O形密封圈19，该台阶部17a（顶板11）与透射构件6气密地连接。在透射构件6的上方侧形成有以沿着开口部17的外缘的方式形成为框状的按压构件65。通过利用该按压构件65在整个周向上朝向下方侧按压上述凸缘部63，并且利用未图示的螺栓等将该按压构件65固定于顶板11，从而将真空容器1的内部气氛设定得气密。
如图3和图8所示，该透射构件6的大小、形状以在晶圆W位于该透射构件6的下方时覆盖晶圆W的整体表面的方式设定。列举其一个例子，上述窗部61的厚度尺寸t1设定为例如20mm。另外，透射构件6的中心部区域C侧的内壁面与晶圆W的外缘之间的距离为70mm，透射构件6的旋转台2的外缘侧的内壁面与晶圆W的外缘之间的距离为70mm。而且，透射构件6的窗部61的下表面与旋转台2上的晶圆W的表面之间的分开尺寸t2设定为4mm～60mm，在该例子中设定为30mm。而且，透射构件62的突起部64的下端与旋转台2的表面之间的分开尺寸设定为例如0.5mm～4mm，在该例子中设定为2mm。
上述灯单元7具有许多加热灯71。该加热灯71构成辅助加热机构，该辅助加热机构对由上述加热器单元5加热的晶圆W照射晶圆W的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该晶圆W直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度。上述处理温度为臭氧气体热分解的温度以上且为第1处理气体和第2处理气体不会热分解的温度，并且设定为即使晶圆W被加热到该处理温度也不会对装置的耐热性带来影响的温度。
如图9所示，例如，加热灯71具有灯体72，并通过在该灯体72的周围设置反射体73而构成，该灯体72在玻璃体72a的内部设有构成辐射源的光源72b。上述光源72b构成为辐射可将用于构成透射构件6的材料（石英）透射、并被构成晶圆W的材料（硅）吸收的吸收波长区域的红外线光。
具体地说，作为灯体72，使用例如照射0.5μm～3μm波长的红外线光的卤素灯等。在该例子中，从灯体72照射的红外的波长区域设定为被构成晶圆W的硅吸收、且可将用于构成旋转台2的石英透射的区域。上述反射体73是用于使来自光源72b的红外线光以朝向旋转台2侧（下方侧）的方式反射的构件。该反射体73为了高效地向晶圆W照射来自光源72b的光能而构成为例如朝向旋转台2侧去而渐渐地扩展的圆锥形状，在其内壁上例如实施有镀金。另外，由于利用反射体73向晶圆W照射来自光源72b的光能，因此可抑制辐射热量向除了晶圆W方向以外的方向扩散。
如图8所示，加热灯71支承于支承构件74a、74b，排列于透射构件6的上方侧。具体地说，上述灯体72借助被形成于长度方向的一端侧的电极部72c安装于第1支承构件74a，反射体73安装于第2支承构件74b。这样，加热灯71以灯体72的长度方向与上下方向一致的方式排列。在图5中，附图标记75是用于经由供电线75a向各个灯体72的电极部72c供电的电源部。
在该例子中，使用相同大小（容量）的加热灯71，如图10所示，沿着以旋转台2的旋转中心为中心的同心圆的线L1～线L5排列。另外，在上述线L1～线L5上排列的加热灯71的个数设定为随着从旋转台2的中心部朝向外缘部去而增多。为了进行后述的加热处理，根据未图示的热电偶等温度检测部的测量结果控制向上述加热灯71中的各个加热灯71供给的电力的供给量，以便能够将晶圆W加热到适当的处理温度。
这样，通过调整加热灯71的个数、配置、向各个加热灯71供给的电力供给量，像后述的实施例所记载的那样，能够对形成于灯单元7的下方侧的加热区域H的温度分布进行控制。若旋转台2旋转，则与中心部侧相比，外缘侧的圆周速度快。因此，在该例子中，在外缘侧，比在中心部侧增多加热灯71的个数以确保较大的热量，在旋转台2的半径方向上使供给到晶圆W的热量一致。另外，也可以设为通过改变加热灯71的容量来改变供给相同的电力时的加热灯71的辐射量（输出），从而控制上述加热区域H的温度分布。
如图8和图11所示，设有上述加热灯71的区域被罩构件76覆盖，该罩构件76由例如不锈钢等具有耐热性的材料构成，例如在上壁76a、侧壁76b、76c上形成有散热用的许多狭缝77。
这样，在利用加热器单元5将旋转台2加热到比使臭氧气体在到达基板载置区域之前热分解的温度低的温度、例如600℃的状态下，利用灯单元7的加热灯71从上方侧对晶圆W进行加热。由此，晶圆W被加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度、例如700℃。另外，由于来自加热灯71的红外线透射旋转台2，因此能够抑制由该红外线导致的旋转台2的升温。
接下来，返回真空容器1的各部分的说明。如图2和图3所示，在真空容器1的侧壁上形成有用于在未图示的外部的输送臂与旋转台2之间进行晶圆W的交接的输送口16，该输送口16构成为利用闸阀G气密地自由开闭。另外，旋转台2的凹部24在面对该输送口16的位置与输送臂之间进行晶圆W的交接。因此，在旋转台2的下方侧且与该交接位置对应的部位设有交接用的升降销及其升降机构（均未图示），该交接用的升降销用于贯穿凹部24而从背面抬起晶圆W。
如图2和图8所示，在旋转台2的外缘侧且比该旋转台2稍微靠下方侧的位置配置有侧环81。该侧环81用于例如在进行装置的清洁时在取代各处理气体而使氟系的清洁气体流通时保护真空容器1的内壁不接触该清洁气体。在该例子中，各个分离区域D及透射构件6中的外缘侧的区域暴露于该侧环81的上方侧。在旋转台2的外周部与真空容器1的内壁之间，可以说在整个周向上呈环状形成有凹部状的气流通路，在该气流通路中沿横向形成气流（排气流）。因此，该侧环81设置于气流通路上以便使真空容器1的内壁面尽可能不暴露于该气流通路。
在侧环81的上表面上，以相互沿周向分开的方式在两个部位分别形成有第1排气口82和第2排气口83。换言之，在上述气流通路的下方侧形成有两个排气口，在侧环81的与上述排气口对应的位置分别形成有第1排气口82和第2排气口83。上述第1排气口82在处理气体喷嘴31与比该处理气体喷嘴31靠旋转台的旋转方向下游侧的分离区域D1之间形成在靠近该分离区域D1侧的位置。第2排气口83在活化气体喷射器32与比该活化气体喷射器32靠旋转台的旋转方向下游侧的分离区域D2之间形成在靠近该分离区域D2侧的位置。第1排气口82是用于排出第1处理气体和分离气体的排气口，第2排气口83是用于排出第2处理气体和分离气体的排气口。如图1所示，该第1排气口82和第2排气口83分别借助于夹设有蝶形阀等压力调整部85的排气管84连接于作为真空排气机构的例如真空泵86。
如上所述，由于从中心部区域C侧到整个外缘侧配置有透射构件6，因此向比该透射构件6靠旋转台2的旋转方向上游侧的位置喷出的各气体譬如说被该透射构件6限制了要朝向第2排气口83的气体流。因此，已述的侧环81的处于透射构件6的外侧的部分的上表面上形成有供第2处理气体和分离气体流动的槽状的气体流路87。如图3所示，该气体流路87在从比透射构件6的旋转台2的旋转方向上游侧的端部靠近活化气体喷射器32侧的位置到已述的第2排气口83之间形成为圆弧状。
如图2所示，在顶板11的下表面的中央部设有突出部10，该突出部10与凸状部4的中心部区域C侧的部位连续而在整个周向上形成为大致环状，并且该突出部10的下表面形成为与凸状部4的下表面（顶面44）相同的高度。另外，在比该突出部10靠旋转台2的旋转中心侧的芯部21的上方侧配置有迷宫结构部18。该迷宫结构部18起到气体的流路的作用，用于抑制第1处理气体与第2处理气体在中心部区域C相互混合。如图8所示，该迷宫结构部18包括从旋转台2侧朝向顶板11侧铅垂地延伸的第1壁部18a和从顶板11侧朝向旋转台2铅垂地延伸的第2壁部18b。上述第1壁部18a和第2壁部18b采用分别形成在整个周向上、并且上述壁部18a、18b在旋转台2的半径方向上交替配置的构造。
另外，在该成膜装置中设有用于进行装置整体的动作的控制的、由计算机构成的控制部100，在控制部100的存储器内存储有用于进行后述的成膜处理和改性处理的程序。该程序为了执行后述的动作而编入有步骤组，从硬盘、光盘、光磁盘、存储卡及软盘等作为存储介质的存储部110安装到控制部100内。
接着，说明上述实施方式的作用。首先，在利用加热器单元5对旋转台2进行加热的状态下，打开闸阀G，一边使旋转台2间歇性地旋转，一边利用未图示的输送臂经由输送口16在旋转台2上依次载置例如5张晶圆W。已经对该晶圆W实施了使用干蚀刻处理、CVD法等的布线嵌入工序，在该晶圆W的内部形成有电布线构造。接着，关闭闸阀G，利用真空泵86使真空容器1内处于抽空状态，并且使旋转台2以例如120rpm顺时针旋转。而且，使灯单元7工作。
在灯单元7的下方侧的加热区域H中，从加热灯71放射有波长为0.5μm～3μm的红外线光。因此，来自加热灯71的光能将透射构件6的窗部61透射，被通过该加热区域H的晶圆W吸收，利用其辐射热量对晶圆W进行加热。另外，如上所述，由于利用反射体73对晶圆W高效地照射上述光能，因此，晶圆W在每次借助于旋转台2的旋转而通过加热区域H时被灯单元7加热，表面温度上升。这样，晶圆W被加热器单元5隔着旋转台2间接加热，并且被灯单元7直接加热，成为臭氧气体热分解的温度以上的处理温度。
在晶圆W表面被加热到上述处理温度之后，从处理气体喷嘴31以规定的流量喷出3DMAS气体，并且从活化气体喷射器32以规定的流量供给氧等离子体。另外，从分离气体喷嘴41、42喷出分离气体，并且也从分离气体供给管40和吹扫气体供给管15、53喷出N2气体。并且，利用压力调整部85将真空容器1内调整为预先设定的处理压力、例如400Pa～500Pa。
将此时的气流的状态表示在图13中。在第1处理区域P1与第2处理区域P2之间分别向分离区域D1、D2供给N2气体，并且如上所述那样形成有第1排气口82和第2排气口83，因此3DMAS气体和氧等离子体以相互不混合的方式流动并排出。另外，由于向旋转台2的下方侧供给有吹扫气体，因此要向旋转台2的下方侧扩散的气体被上述吹扫气体向上述排气口82、83侧冲回。而且，由于在上述中心部区域C设有迷宫结构部18，因此，如上所述，能够防止上述处理气体彼此在中心部区域C中混合。
而且，氧等离子体和N2气体随着旋转台2的旋转而从比透射构件6靠旋转台2的旋转方向上游侧的位置朝向该透射构件6流通。但是，由于在透射构件6的外周侧的侧环81上形成有气体流路87，因此，上述氧等离子体和N2气体以避开透射构件6的方式流动，并通过该气体流路87排出。
另一方面，从上述透射构件6的上游侧、中心区域C朝向该透射构件6流通的气体中的一部分气体要向透射构件6的下方进入。但是，在该透射构件6上以覆盖透射构件6的下方侧区域的方式形成有突起部64。因此，气体一边撞击该突起部64而改变流路，一边朝向侧环81流动，阻止氧等离子体、N2气体向透射构件6的下方侧进入。
这样，在第1处理区域P1供给有3DMAS气体，在第2处理区域P2供给有氧等离子体。因而，若晶圆W借助于旋转台2的旋转而到达第1处理区域P1，则在该处理区域P1中，分子层为1层或多层的3DMAS气体吸附于晶圆W的表面。即，在臭氧气体热分解的温度以上的处理温度下，3DMAS气体吸附于晶圆W，所吸附的3DMAS气体被氧等离子体氧化，形成作为薄膜成分的氧化硅膜（SiO2）。
若这样在较高的处理温度下利用氧等离子体使吸附在晶圆W上的3DMAS气体氧化，则氧等离子体的活性升高，硅与氧之间的键合快速地进行。另外，氢、有机物等杂质因气化而被去除。因此，膜中的Si―O键形成得较多且SiOH键变少，键合变牢固而使膜致密化，能够形成较高的致密度的膜。因而，能够顺应使用者的要求而获得与SiO2膜的应用部位相应的膜质的薄膜。
根据上述实施方式，考虑到装置主体的耐热性，由加热器单元5加热的旋转台2的温度设定为比臭氧气体热分解的温度低的温度，除此之外，还利用来自灯单元7的辐射热量对该晶圆W进行加热。即，由于旋转台2的驱动部23的密封机构、顶板11与容器主体12之间的O形密封圈13的耐热温度不那么高，因此，装置的性能方面容许的旋转台2的最高温度设定为比臭氧气体热分解的温度低的温度。另一方面，由于利用来自灯单元7的辐射热量对晶圆W直接进行加热，因此，能够抑制旋转台2的温度的上升，而仅将晶圆W加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度。另外，即使如此将晶圆W加热到高温的处理温度，由于旋转台2自身设定为比臭氧气体热分解的温度低的温度，因此也不用担心对装置主体的耐热性带来不良影响，不必使旋转台2的密封机构等具有较大的耐热性。另外，作为第2处理气体，使用了热分解的温度比臭氧气体的热分解的温度高的氧的活性种。
由此，能够将装置主体的耐热性设为将臭氧气体用作氧化气体的情况下的规格，同时能够仅将晶圆W加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度，能够以臭氧气体的热分解温度以上的高温进行氧化硅膜的成膜处理。
若这样以较高的温度进行氧化硅膜的成膜处理，则能够如上所述那样获得提高了膜的致密度的较硬的膜，因此能够进行例如以提高湿蚀刻特性为目的而要求较硬的膜的情况等下的、顺应使用者的要求的成膜处理。
因而，在装置制造者方面，对于装置主体的耐热性的设计，只要预先准备将臭氧气体用作氧化气体的规格的装置即可，对于使用臭氧气体的使用者来说，能够采用不使用辅助加热机构的构成，而对于以臭氧气体的热分解温度以上的温度进行成膜的使用者来说，能够采用设有辅助加热机构的构成。因而，不用制造与以使用臭氧气体的方式设计的装置不同的特殊规格的装置，对于任一规格都能使装置主体的构造通用化，因此生产效率较高，能够抑制装置的制造成本的高涨。
而且，在上述实施方式中，灯单元7设置在活化气体喷射器32的旋转台2的旋转方向的下游侧，且设置在第2分离区域D2的上游侧附近。因此，灯单元7远离利用活化气体喷射器32供给有氧等离子体的区域，因此，当晶圆W通过透射构件6的下方侧时，未吸附于晶圆W的3DMAS气体和氧等离子体随着晶圆W的移动而被带入到加热区域H的危险较小。由此，不易引起3DMAS气体与氧等离子体反应的反应产物附着于透射构件6这样的情况，能够将窗部61的透射率维持为恒定的状态。因而，批次之间晶圆W的温度产生偏差的危险较小，能够进行稳定的成膜处理。另外，不需要进行将附着于窗部61的反应产物去除的清洁处理，或者即使进行清洁处理，频率也变小。
而且，作为灯单元7，由于使用了放射红外线光的多个加热灯71，因此，能够通过该加热灯71的排列、电力供给量来控制所加热的区域的大小、加热时的温度分布等。例如在上述例子中，由于旋转台2旋转，从而外缘侧的圆周速度比中心侧的圆周速度快，但在旋转台2的外缘侧，比中心侧增加了加热灯71的个数，因此在旋转台2的半径方向上能够使加热的程度一致。
而且，在上述实施方式中，在顶板11上设置有透射构件6，灯单元7以隔着该透射构件6与旋转台2相对的方式设置在上述顶板11的上方侧。因而，由于灯单元7设置于大气气氛中，因此容易维护，而且不用担心反应产物的附着。
而且，由于该例子的透射构件6以形成从顶板11向旋转台2侧凹陷的凹部的方式构成，因此能够使灯单元7接近旋转台2上的晶圆W，能够高效地对晶圆W表面进行加热。另外，若如此将透射构件6形成为凹部状，则也能够谋求减小真空容器1的容积。
另外，通过将灯单元7的加热灯71以在俯视时从上述旋转台2的旋转中心侧朝向外缘侧扩展的方式排列为扇状，能够全面地对晶圆W的通过区域进行加热。
实施例2
接下来列举本发明的另一实施例2。图14所示的实施例2是在透射构件6的下方侧设置有用于供给吹扫气体的吹扫气体供给管81的结构。该吹扫气体供给管81设置为例如在由突起部64的内周面、透射构件6的下表面及旋转台2的上表面围成的区域内从真空容器1的外周壁朝向中心部区域C与晶圆W相对地水平延伸。另外，吹扫气体供给管81经由具有未图示的流量调整阀的供给路径与吹扫气体、例如氮气的供给源相连接。这样，例如经由形成在该吹扫气体供给管81的下表面的气体喷出孔向透射构件6的下方区域喷出吹扫气体。
在该结构中，一边向透射构件6的下方侧喷出吹扫气体，一边进行成膜处理。该吹扫气体撞击突起部64的下方侧，并将上述要从上游侧流入的氧等离子体、N2气体向该透射构件6的外侧驱出，因此能够阻止氧等离子体等向透射构件6的下方侧进入。由此，能够进一步可靠地抑制反应产物在窗部61成膜。
另外，本实施例2的透射构件6A未必一定构成为从顶板11向下方侧凹陷的凹部状，例如，如图15所示，也可以利用板状体构成透射构件6A、并使该透射构件6A夹着密封构件19与形成于顶板11的开口部17相嵌合。而且，如该图15所示，未必一定在透射构件6A的背面侧周缘部设置突起部。像图3所示的例子那样，在将灯单元7设置在沿着旋转台2的旋转方向与活化气体喷射器32充分地分开的位置的情况下，氧等离子体难以进入到透射构件6A的下方侧。因此，基本上不用担心3DMAS气体与氧等离子体反应的反应产物附着于透射构件6A。
而且，在本实施例2中，灯单元只要不是设置在与分离区域D1、D2相干涉的位置就可以设置在任意位置。例如图16是将灯单元7A设置在比处理气体喷嘴31靠旋转台2的旋转方向下游侧、且比活化气体喷射器32靠旋转台2的旋转方向上游侧的位置的结构例。另外，透射构件6B的形状并不限于俯视扇形形状，例如，如该图16所示，透射构件6B的形状也可以构成为覆盖晶圆W的表面的大小的俯视圆形形状。而且，也与透射构件6B的形状相对应地适当地设定灯单元7A的加热灯71的排列。
在以上结构中，上述加热器单元也可以埋设于旋转台2。另外，如上所述，晶圆W只要在每次通过灯单元7的下方侧时被加热、并最终达到上述处理温度即可，因此，灯单元7未必一定构成为对晶圆W表面整体照射光能，也可以对晶圆W表面的一部分照射光能。
而且，也可以在旋转台的旋转方向上相互分开地设置多个灯单元。而且，作为构成透射构件6的材质，也可以取代石英而使用耐热玻璃等。
另外，也可以在上述装置中设置用于供给臭氧气体的气体供给部。在该情况下，使用1台装置，当进行使用臭氧气体的工艺时，能够以不使用辅助加热机构的方式进行成膜处理，在以臭氧气体的热分解温度以上的处理温度进行的成膜工艺中，能够通过使用辅助加热机构来应对。因此，能够利用1台装置利用多种工艺进行氧化硅膜的成膜处理，在使用者方面，工艺选择的自由度提高。
作为在本实施例2中应用的第1处理气体，除了上述例子以外，还能够列举BTBAS气体、DCS[二氯硅烷]、HCD[六氯乙硅烷]、单氨基硅烷等。此时，在将旋转台2的表面的温度加热到630℃以上的情况下，作为第1处理气体，优选使用3DMAS气体、4DMAS[四（二甲基氨基）硅烷：Si（N（CH3）2）4]气体。另外，并不限于使用两种反应气体，也能够应用于将3种以上的反应气体依次供给到基板上的情况。在该情况下，例如，作为第1处理气体（含Si气体），使用3DMAS气体，作为第2处理气体，使用氧等离子体气体，作为第3处理气体，使用Ar等离子体气体，利用加热器单元和灯单元将晶圆W加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度并形成氧化硅膜。
另外，在上述例子中，作为加热灯，使用了被作为基板的硅晶圆吸收、且可将作为旋转台2的材质的石英透射的波长区域的红外线。但是，本实施例2只要是照射被基板吸收的程度比被旋转台2吸收的程度大的波长的辐射光、即对旋转台2的透射性比对基板的透射性大的波长区域的辐射光的灯，就不限定于已述的加热灯。
实施例3
接下来，说明利用已述的灯单元7对晶圆W进行加热时的、晶圆W表面的温度分布的模拟结果。如图17所示，假定了灯体91呈沿着同心圆L1～同心圆L5的圆弧状形成、并在该灯体91的同心圆中心侧和同心圆外侧分别设置有反射体92的分析模型来进行该模拟。此时，利用加热器单元5将晶圆W加热到600℃，并改变向同心圆L1～同心圆L5的灯体91供给的电力供给量来进行了分析。
将向同心圆L1～同心圆L5的灯体91供给的电力供给量分别为300W的情况下的分析结果表示在图18中。另外，将以300W向同心圆L1的灯体91、以280W向同心圆L2、以260W向同心圆L3、以240W向同心圆L4、以200W向同心圆L5分别供给电力的情况下的分析结果表示在图19中。而且，将以300W向同心圆L1、以250W向同心圆L2、以200W向同心圆L3、以150W向同心圆L4、以100W向同心圆L5分别供给电力的情况下的分析结果表示在图20。
在该模拟分析中，在图18的例子中，当最高温度为849℃、最低温度为774℃时，将温度分布分为5个阶段的温度进行表示。同样地在图19的例子中，当最高温度为724℃、最低温度为709℃时，分别将温度分布分为5个阶段的温度进行表示，在图20的例子中，当最高温度为679℃、最低温度为633℃时分别将温度分布分为5个阶段的温度进行表示。根据上述图18～图20的分析结果确认了：通过利用加热器单元5将晶圆W加热到600℃并使灯单元7工作，能够将晶圆W表面加热到700℃以上。另外，确认了：若改变向按照同心圆L1～同心圆L5的线排列的加热灯71供给的电力供给量，则晶圆W表面的温度分布大不相同，通过谋求向加热灯71供给的电力供给量、加热灯71的排列等的优化，能够获得期望的温度分布。
本实施例在使旋转台上的基板旋转并利用所谓的ALD法形成氧化硅膜时，将旋转台的容许最高温度设定为比臭氧气体热分解的温度低的温度。另一方面，除了利用主加热机构隔着旋转台对基板进行加热的间接加热以外，还进行辅助加热机构的直接加热，从而将基板的温度加热到臭氧气体热分解的温度以上的温度，并且，作为氧化气体，不使用臭氧气体而是使用氧的活性种。因此，不必使旋转台的密封机构等具有较大的耐热性，能够进行顺应来自使用者的要求的、以臭氧气体的热分解温度以上的高温进行的成膜处理。而且，在装置制造者方面，只要预先准备将臭氧气体用作氧化气体的规格的装置即可，对于使用臭氧气体的使用者来说，只要采用不使用辅助加热机构的构成即可，对于以臭氧气体的热分解温度以上的温度进行成膜的使用者来说，只要采用设置有辅助加热机构的构成即可。因而，对于任一规格都能够使装置主体的构造通用化，因此生产效率较高，能够抑制装置的制造成本的高涨。
以上，基于各个实施方式进行了本发明的说明，这是为了尽量通过说明促进对发明的理解、并帮助进一步推进技术而记载的。因而，本发明并不限定于实施方式所示的要件。另外，实施方式中的例示并不表示其优缺点。虽然在实施方式中详细地记载了发明，但是能够在不脱离发明主旨的范围内进行多种多样的变更、替换及改变。

Claims (7)

1.一种成膜装置，其在真空容器内利用旋转台使配置在该旋转台的一面侧的基板公转，多次重复依次供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得薄膜，其特征在于，
该成膜装置包括：
第1处理气体供给部，其为了使含有硅的第1处理气体吸附于上述基板而对上述基板供给第1处理气体；
第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与该第1处理气体供给部分开地设置，用于供给含有使氧活化而得到的活性种的第2处理气体，以便使吸附于基板的第1处理气体氧化而生成硅氧化物；
分离区域，其在上述旋转台的周向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，用于避免第1处理气体与第2处理气体混合；
主加热机构，其用于通过对上述旋转台进行加热而隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；以及
辅助加热机构，其以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设置在该旋转台的上方侧，该辅助加热机构由加热灯构成，用于向由上述主加热机构加热后的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度，
在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，
在上述处理温度下，上述第1处理气体吸附于基板，所吸附的第1处理气体被第2处理气体氧化。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述辅助加热机构是用于照射被旋转台吸收的程度比被基板的材质吸收的程度小的波长区域的光的构件。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述辅助加热机构是用于照射可将旋转台的材质透射的透射波长区域的光的构件。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述基板是硅晶圆，上述旋转台的材质是石英，
上述辅助加热机构是用于照射被硅吸收、且可将石英透射的波长区域的辐射光的构件。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
从上述辅助加热机构照射的辐射光的波长为0.5μm～3μm。
6.一种成膜方法，多次重复依次向基板供给相互不同的处理气体的循环来层叠反应产物的层而获得氧化硅薄膜，其特征在于，
该成膜方法使用成膜装置，该成膜装置包括：旋转台，其配置在真空容器内；第1处理气体供给部，其为了使含有硅的第1处理气体吸附于配置在该旋转台的一面侧的基板而对上述基板供给第1处理气体；第2处理气体供给部，其在上述旋转台的旋转方向上与该第1处理气体供给部分开地设置，用于供给含有使氧活化而得到的活性种的第2处理气体，以便使吸附于基板的第1处理气体氧化而生成硅氧化物；以及分离区域，其在上述旋转台的周向上设置在上述第1处理气体供给部与第2处理气体供给部之间，用于避免第1处理气体与第2处理气体混合，该成膜装置在装置的性能方面容许的旋转台的最高温度是比臭氧气体热分解的温度低的温度，
该成膜方法包括以下工序：
通过使上述旋转台旋转而使基板公转；
通过利用主加热机构对上述旋转台进行加热而隔着该旋转台从下方侧对基板进行加热；
利用以与上述旋转台上的基板的通过区域相对的方式设置在该旋转台的上方侧的、由加热灯构成的辅助加热机构向由上述主加热机构加热的基板照射基板的吸收波长区域的光而利用辐射热量将该基板直接加热到臭氧气体热分解的温度以上的处理温度；
在上述处理温度下使上述第1处理气体吸附于基板；以及
利用第2处理气体使吸附于上述基板的第1处理气体氧化。
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
上述辅助加热机构是用于照射被旋转台的吸收的程度比被基板的材质吸收的程度小的波长区域的光的构件。
CN201310279578.0A 2012-07-06 2013-07-04 成膜装置和成膜方法 Pending CN103526183A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012152940A JP5953994B2 (ja) 2012-07-06 2012-07-06 成膜装置及び成膜方法
JP2012-152940 2012-07-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103526183A true CN103526183A (zh) 2014-01-22

Family

ID=49878840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310279578.0A Pending CN103526183A (zh) 2012-07-06 2013-07-04 成膜装置和成膜方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8871654B2 (zh)
JP (1) JP5953994B2 (zh)
KR (1) KR101602016B1 (zh)
CN (1) CN103526183A (zh)
TW (1) TWI513850B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105322046A (zh) * 2014-06-13 2016-02-10 南京华伯仪器科技有限公司 一种用于对晶体硅进行钝化的设备及方法
CN107523804A (zh) * 2016-06-17 2017-12-29 朗姆研究公司 用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统
CN108070904A (zh) * 2016-11-16 2018-05-25 纽富来科技股份有限公司 成膜装置
WO2020244357A1 (zh) * 2019-06-05 2020-12-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 加热装置、包括该加热装置的cvd设备
US11111581B2 (en) 2012-06-25 2021-09-07 Lam Research Corporation Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
CN114599442A (zh) * 2019-11-05 2022-06-07 东京毅力科创株式会社 处理基板的装置、浓缩处理气体的装置和处理基板的方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6040609B2 (ja) * 2012-07-20 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP6115244B2 (ja) * 2013-03-28 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9617638B2 (en) 2014-07-30 2017-04-11 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for showerhead backside parasitic plasma suppression in a secondary purge enabled ALD system
KR101707103B1 (ko) * 2014-11-05 2017-02-27 (주)에스아이 화학기상증착용 히터 및 이를 이용한 화학기상증착장치
JP6361495B2 (ja) * 2014-12-22 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6339027B2 (ja) * 2015-01-23 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6447393B2 (ja) * 2015-07-06 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体
US9508547B1 (en) * 2015-08-17 2016-11-29 Lam Research Corporation Composition-matched curtain gas mixtures for edge uniformity modulation in large-volume ALD reactors
KR102381344B1 (ko) 2015-09-18 2022-03-31 삼성전자주식회사 캠형 가스 혼합부 및 이것을 포함하는 반도체 소자 제조 장치들
TWI735525B (zh) * 2016-01-31 2021-08-11 美商天工方案公司 用於封裝應用之濺鍍系統及方法
JP6547650B2 (ja) 2016-02-05 2019-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6584355B2 (ja) * 2016-03-29 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6635871B2 (ja) * 2016-05-11 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TWI624561B (zh) * 2016-08-12 2018-05-21 漢民科技股份有限公司 用於半導體製程之氣體噴射器及成膜裝置
JP7249744B2 (ja) * 2018-08-02 2023-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
KR20200086582A (ko) * 2019-01-09 2020-07-17 삼성전자주식회사 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법
JP6995073B2 (ja) * 2019-03-12 2022-01-14 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法、プログラム
JP7325350B2 (ja) * 2020-02-03 2023-08-14 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP7446650B1 (ja) 2023-06-05 2024-03-11 株式会社シー・ヴィ・リサーチ 原子層堆積装置及び原子層堆積方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040035362A1 (en) * 2000-08-09 2004-02-26 Chul-Ju Hwang Atomic layer deposition method and semiconductor device fabricating apparatus having rotatable gas injectors
WO2006042074A2 (en) * 2004-10-04 2006-04-20 Atomicity Systems, Inc. Multi-zone atomic layer deposition apparatus and method
CN101665926A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 将多种反应气体依次向基板供给的成膜装置
CN101859694A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
JP2010245449A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000286200A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 熱処理方法および熱処理装置
JP4817210B2 (ja) * 2000-01-06 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JPWO2007066511A1 (ja) * 2005-12-07 2009-05-14 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
US8137511B2 (en) * 2006-06-22 2012-03-20 Shibaura Mechatronics Corporation Film forming apparatus and film forming method
US20100227059A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, film deposition method, and computer readable storage medium
JP5287592B2 (ja) * 2009-08-11 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5444961B2 (ja) 2009-09-01 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP6040609B2 (ja) * 2012-07-20 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040035362A1 (en) * 2000-08-09 2004-02-26 Chul-Ju Hwang Atomic layer deposition method and semiconductor device fabricating apparatus having rotatable gas injectors
WO2006042074A2 (en) * 2004-10-04 2006-04-20 Atomicity Systems, Inc. Multi-zone atomic layer deposition apparatus and method
CN101665926A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 将多种反应气体依次向基板供给的成膜装置
CN101859694A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
JP2010245449A (ja) * 2009-04-09 2010-10-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11111581B2 (en) 2012-06-25 2021-09-07 Lam Research Corporation Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
US11725282B2 (en) 2012-06-25 2023-08-15 Novellus Systems, Inc. Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region
CN105322046A (zh) * 2014-06-13 2016-02-10 南京华伯仪器科技有限公司 一种用于对晶体硅进行钝化的设备及方法
CN105322046B (zh) * 2014-06-13 2017-06-09 南京华伯仪器科技有限公司 一种用于对晶体硅进行钝化的设备及方法
CN107523804A (zh) * 2016-06-17 2017-12-29 朗姆研究公司 用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统
CN115584489A (zh) * 2016-06-17 2023-01-10 朗姆研究公司 用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统
CN115584490A (zh) * 2016-06-17 2023-01-10 朗姆研究公司 用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统
CN115584488A (zh) * 2016-06-17 2023-01-10 朗姆研究公司 用于膜轮廓调节的喷头帘式气体方法和系统
CN108070904A (zh) * 2016-11-16 2018-05-25 纽富来科技股份有限公司 成膜装置
WO2020244357A1 (zh) * 2019-06-05 2020-12-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 加热装置、包括该加热装置的cvd设备
CN114599442A (zh) * 2019-11-05 2022-06-07 东京毅力科创株式会社 处理基板的装置、浓缩处理气体的装置和处理基板的方法
CN114599442B (zh) * 2019-11-05 2024-05-17 东京毅力科创株式会社 处理基板的装置、浓缩处理气体的装置和处理基板的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101602016B1 (ko) 2016-03-17
KR20140005819A (ko) 2014-01-15
TW201416486A (zh) 2014-05-01
US8871654B2 (en) 2014-10-28
TWI513850B (zh) 2015-12-21
JP2014017331A (ja) 2014-01-30
US20140011369A1 (en) 2014-01-09
JP5953994B2 (ja) 2016-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103526183A (zh) 成膜装置和成膜方法
KR101407112B1 (ko) 반도체 처리용 성막 장치
KR101885411B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI441942B (zh) 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體
TWI433252B (zh) 活化氣體噴射器、成膜裝置及成膜方法
US20170226637A1 (en) Process chamber for dielectric gapfill
CN102953052B (zh) 成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置
CN103374713B (zh) 基板处理装置
KR101582720B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
CN102953047B (zh) 成膜装置
KR101606617B1 (ko) 성막 방법 및 성막 장치
KR20140002539A (ko) 성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체
WO2007140421A2 (en) Process chamber for dielectric gapfill
CN103243309A (zh) 成膜装置及成膜方法
JP2011096986A (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
TWI721227B (zh) 成膜裝置及成膜方法
JP5549754B2 (ja) 成膜装置
KR101004061B1 (ko) 대기압 플라즈마 ｃｖｄ 장치용 반응기와 이를 이용한 박막형성방법
KR20170091027A (ko) 성막 방법
JP6680190B2 (ja) 成膜装置
US20180237914A1 (en) Film forming apparatus
JP6339027B2 (ja) 基板処理装置
KR101907974B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140122