CN103474406A - 一种aaqfn框架产品无铜扁平封装件及其制作工艺 - Google Patents

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郭小伟
朱文辉
谌世广
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Abstract

本发明公开了一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件及其制作工艺，所述封装件主要由引线框架、电镀银线路、芯片、键合线、塑封体和绿油涂覆层组成。所述电镀银线路是在引线框架上电镀形成的银层，芯片与引线框架通过粘片胶相连，键合线直接从芯片与引线框架上的电镀银线路连接，塑封体包围了引线框架、电镀银线路、芯片和键合线，绿油涂覆层涂覆于引线框架蚀刻后的背面，芯片、键合线和电镀银线路构成了电路的电源和信号通道。所述制作工艺的工艺流程如下：晶圆减薄→划片→引线框架上电镀银线路→上芯（粘片）→压焊→塑封→后固化→框架背面蚀刻→绿油涂覆→打印→切割→检验→包装→入库。本发明直接提高了产品的封装可靠性，并在一定程度上降低成本。

Description

一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件及其制作工艺
                                
技术领域
本发明属于集成电路封装技术领域，是在普通AAQFN封裝件的设计基础上，以电镀银取代铜作为电路的一种新型NCAAQFN（Non-Copper AAQFN）封装，具体是一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件及其制作工艺。
背景技术    
集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础。集成电路封装是集成电路产业的主要组成部分，它的发展一直伴随着其功能和器件数的增加而迈进。自20世纪90年代起，它进入了多引脚数、窄间距、小型薄型化的发展轨道。无载体栅格阵列封装（即AAQFN）是为适应电子产品快速发展而诞生的一种新的封装形式，是电子整机实现微小型化、轻量化、网络化必不可少的产品。
    无载体栅格阵列封装元件，底部没有焊球，焊接时引脚直接与PCB板连接，与PCB的电气和机械连接是通过在PCB焊盘上印刷焊膏，配合SMT回流焊工艺形成的焊点来实现的。该技术封装可以在同样尺寸条件下实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。
AAQFN封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。AAQFN封装的器件大多数用于手机、网络及通信设备、数码相机、微机、笔记本电脑和各类平板显示器等高档消费品市场。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场应用前景。
但是由于技术难度等限制，目前AAQFN产品在市场上的推广有一定难度，尤其是在可靠性方面，直接影响产品的使用及寿命，已成为AAQFN封装件的技术攻关难点。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的问题，本发明提供了种AAQFN框架产品无铜扁平封装件及其制作工艺，其使用电镀银代替铜作为电路，直接提高产品的封装可靠性，并在一定程度上降低成本。
一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件主要由引线框架、电镀银线路、芯片、键合线、塑封体和绿油涂覆层组成。所述电镀银线路是在引线框架上电镀形成的银层，芯片与引线框架通过粘片胶相连，键合线直接从芯片与引线框架上的电镀银线路连接，塑封体包围了引线框架、电镀银线路、芯片和键合线，绿油涂覆层涂覆于引线框架蚀刻后的背面，芯片、键合线和电镀银线路构成了电路的电源和信号通道。
塑封体对芯片和键合线起到了支撑和保护作用，引线框架只是作为过程中的载体。
一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件的制作工艺的工艺流程如下：晶圆减薄→划片→引线框架上电镀银线路→上芯（粘片）→压焊→塑封→后固化→框架背面蚀刻→绿油涂覆→打印→切割→检验→包装→入库。
附图说明
图1引线框架剖面图；
图2上芯后产品剖面图；
图3压焊后产品剖面图；
图4塑封后产品剖面图；
图5框架背面蚀刻后产品剖面图；
图6绿油涂覆后产品剖面。
图中，1为引线框架，2为电镀银线路，3为芯片，4为键合线，5为塑封体，6为绿油涂覆层。
具体实施方式
如图所示，一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件主要由引线框架1、电镀银线路2、芯片3、键合线4、塑封体5和绿油涂覆层6组成。所述电镀银线路2是在引线框架1上电镀形成的银层，芯片3与引线框架1通过粘片胶相连，键合线4直接从芯片3与引线框架上的电镀银线路2连接，塑封体5包围了引线框架1、电镀银线路2、芯片3和键合线4，绿油涂覆层6涂覆于引线框架1蚀刻后的背面，芯片3、键合线4和电镀银线路2构成了电路的电源和信号通道。
塑封体5对芯片3和键合线4起到了支撑和保护作用，引线框架1只是作为过程中的载体。
一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件的制作工艺的工艺流程如下：晶圆减薄→划片→引线框架上电镀银线路→上芯（粘片）→压焊→塑封→后固化→框架背面蚀刻→绿油涂覆→打印→切割→检验→包装→入库。
如图所示，一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件的制作工艺按照以下具体步骤进行：
第一步：晶圆减薄：减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm；
第二步：划片：150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步：引线框架上电镀银线路；
第四步：上芯（粘片）：既可采用粘片胶又可采用胶膜片（DAF）上芯；
第五步：压焊：压焊同常规AAQFN工艺相同；
第六步：塑封：用传统塑封料（如9220）进行塑封；
第七步：后固化工艺同常规AAQFN工艺；
第八步：框架背面蚀刻凹槽，用三氯化铁溶液将框架背面单元产品上所有铜均蚀刻掉；
第九步：绿油工艺与常规AAQFN工艺相同；
第十步：打印、切割、检验、包装等均与常规AAQFN工艺相同。

Claims (2)

1.一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件，其特征在于：所述封装件主要由引线框架（1）、电镀银线路（2）、芯片（3）、键合线（4）、塑封体（5）和绿油涂覆层（6）组成；所述电镀银线路（2）是在引线框架（1）上电镀形成的银层，芯片（3）与引线框架（1）通过粘片胶相连，键合线（4）直接从芯片（3）与引线框架上的电镀银线路（2）连接，塑封体（5）包围了引线框架（1）、电镀银线路（2）、芯片（3）和键合线（4），绿油涂覆层（6）涂覆于引线框架（1）蚀刻后的背面，芯片（3）、键合线（4）和电镀银线路(2)构成了电路的电源和信号通道。
2.一种AAQFN框架产品无铜扁平封装件的制作工艺，其特征在于：按照以下具体步骤进行：
第一步：晶圆减薄：减薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra 0.10mm～0.05mm；
第二步：划片：150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步：引线框架上电镀银线路；
第四步：上芯（粘片）：既可采用粘片胶又可采用胶膜片（DAF）上芯；
第五步：压焊：压焊同常规AAQFN工艺相同；
第六步：塑封：用传统塑封料（如9220）进行塑封；
第七步：后固化工艺同常规AAQFN工艺；
第八步：框架背面蚀刻凹槽，用三氯化铁溶液将框架背面单元产品上所有铜均蚀刻掉；
第九步：绿油工艺与常规AAQFN工艺相同；
第十步：打印、切割、检验、包装等均与常规AAQFN工艺相同。
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