CN103415585B - 反光性各向异性导电粘接剂及发光装置 - Google Patents

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Abstract

用以将发光元件与配线板各向异性导电连接的反光性各向异性导电粘接剂含有热固化性树脂组合物、导电粒子和反光性绝缘粒子，所述热固化性树脂组合物含有硅酮树脂和固化剂。反光性绝缘粒子为选自氧化钛、氮化硼、氧化锌、氧化硅或氧化铝的至少一种无机粒子。硅酮树脂为缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷。

Description

反光性各向异性导电粘接剂及发光装置
技术领域
本发明涉及用以将发光元件与配线板各向异性导电连接的反光性各向异性导电粘接剂、使用该粘接剂将发光元件安装于配线板上而成的发光装置。
背景技术
使用发光二极管(LED)元件的发光装置得到广泛使用，老式发光装置的结构如图3所示，用芯片接合(die-bonding)粘接剂32将LED元件33粘合于基板31上，用金引线37将其上面的p电极34和n电极35引线接合于基板31的连接端子36上，将LED元件33整体用透明模塑树脂(transparent molding resin)38封装而成。但是，在图3的发光装置的情况下，在LED元件33发出的光中，金引线37吸收在上面射出的波长为400~500nm的光，而在下面射出的光的一部分被芯片接合粘接剂32吸收，存在LED元件33的发光效率降低的问题。
因此，如图4所示，提出倒装芯片安装LED元件33 (专利文献1)。在该倒装芯片安装技术中，分别在p电极34和n电极35上形成凸点39，进而在LED元件33的凸点形成面设置反光层40，使p电极34与n电极35绝缘。然后，LED元件33与基板31使用各向异性导电糊剂41或各向异性导电薄膜(未图示)，使它们固化，从而连接固定。因此，在图4的发光装置中，由于向LED元件33上方射出的光未被金引线吸收，向下方射出的光的大部分被反光层40反射，在上方射出，所以发光效率(光提取效率)未降低。
另外，作为在用以将LED与基板各向异性导电连接的各向异性导电糊剂或各向异性导电薄膜中掺混的粘合剂树脂，广泛使用具有较良好的耐热性、耐光性和连接可靠性的环氧树脂(专利文献2)，但环氧树脂在其分子结构上如图5A所示从近紫外线波长区至近红外区均发生光吸收，而且若长期施热或光(例如于120℃连续照射UV)，则发生分子链的断裂或氧化，如图5B的箭头所示，透光率光谱发生大的变化，存在反光率和LED总光通量因发光装置的长期使用而大幅降低的问题。此趋势随着近年来LED元件的高输出功率化·短波长化的推进而愈发明显。
因此，近年来尝试使用这样的缺点少的硅酮树脂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-168235号公报；
专利文献2：日本特开2010-24301号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在专利文献1的技术中，必须通过金属蒸镀法等在LED元件33上设置反光层40，使p电极34与n电极35绝缘，在制备上存在无法避免成本上升的问题。
另一方面，当未设置反光层40时，固化的各向异性导电糊剂或各向异性导电薄膜中的被金、镍或铜被覆的导电粒子表面呈褐色乃至暗褐色，而且分散有导电粒子的环氧树脂粘合剂本身也因常用于其固化的咪唑类潜在性固化剂而成褐色，还存在难以提高发光元件发出的光的发光效率(光提取效率)的问题。
另外，作为各向异性导电糊剂或各向异性导电薄膜的热固化性树脂使用的硅酮树脂虽然反光率、LED总光通量或芯片剪切强度(die shear strength)不因发光装置的长期使用而大幅降低，但存在各向异性导电连接之后的初期芯片剪切强度本身最初就低的问题。
本发明的目的在于，提供解决以上现有技术的问题，在使用各向异性导电粘接剂将发光二极管(LED)元件等发光元件倒装芯片安装于配线板上制备发光装置时，即使不在LED元件上设置导致制备成本增大的反光层，也可改善发光效率，而且初期芯片剪切强度高，芯片剪切强度或LED总光通量不因发光装置的长期使用而大幅降低的各向异性导电粘接剂，使用该粘接剂将发光元件倒装芯片安装于配线板上而成的发光装置。
用于解决课题的手段
本发明人发现，在若使各向异性导电粘接剂本身具有反光功能，则可不降低发光效率的假设下，通过在各向异性导电粘接剂中掺混反光性绝缘粒子，可不使发光元件的发光效率降低，另外作为在各向异性导电粘接剂中掺混的硅酮树脂，通过使用经烯基缩水甘油醚和烯基环烷烃改性的硅酮树脂，初期芯片剪切强度高，即使长期使用发光装置也不会使反光率、LED总光通量或芯片剪切强度大幅降低，从而完成本发明。
即，本发明提供反光性各向异性导电粘接剂，所述反光性各向异性导电粘接剂为用以将发光元件与配线板各向异性导电连接的反光性各向异性导电粘接剂，其中，含有热固化性树脂组合物、导电粒子和反光性绝缘粒子，所述热固化性树脂组合物含有硅酮树脂和固化剂，所述硅酮树脂为缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷。
另外，作为该反光性各向异性导电粘接剂的特别优选的实施方式，本发明提供(a)反光性导电粒子由导电粒子被金属材料被覆的芯粒子与在其表面由选自氧化钛粒子、氮化硼粒子、氧化锌粒子、氧化硅粒子或氧化铝粒子的至少一种无机粒子形成的反光层构成的反光性各向异性导电粘接剂，和(b)缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷为使烷基氢聚硅氧烷与烯基缩水甘油醚和烯基环烷烃进行硅氢化而得的改性有机聚硅氧烷，固化剂为酸酐类固化剂的反光性各向异性导电粘接剂。
另外，本发明提供借助上述反光性各向异性导电粘接剂，将发光元件以倒装芯片方式安装于配线板上而成的发光装置。
发明效果
用以将发光元件与配线板各向异性导电连接的本发明的反光性各向异性导电粘接剂含有反光性绝缘粒子。因此，该反光性各向异性导电粘接剂可反射光。特别是当反光性绝缘粒子为选自氧化钛、氮化硼、氧化锌、氧化硅和氧化铝的至少一种无机粒子，或将鳞片状或球状金属粒子的表面用绝缘性树脂被覆的树脂被覆金属粒子时，由于粒子本身几乎为白色，所以对可见光的反光特性的波长依赖性小，因此可提高发光效率，而且可将发光元件的发光色以其本身的颜色反射。
另外，当作为导电粒子进一步使用由被金属材料被覆的芯粒子与在其表面由氧化钛粒子、氮化硼粒子、氧化锌粒子、氧化硅粒子或氧化铝粒子形成的白色~灰色反光层构成的反光性导电粒子时，由于该反光性导电粒子本身呈白色~灰色，所以对可见光的反光特性的波长依赖性小，因此可进一步提高发光效率，而且可将发光元件的发光色以其本身的颜色反射。
另外，本发明的反光性各向异性导电粘接剂使用缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷作为硅酮树脂。因此，初期芯片剪切强度高，反光率、LED总光通量或芯片剪切强度不会因发光装置的长期使用而大幅降低。
附图说明
[图1A] 图1A为本发明的反光性各向异性导电粘接剂中使用的反光性导电粒子的截面图；
[图1B] 图1B为本发明的反光性各向异性导电粘接剂中使用的反光性导电粒子的截面图；
[图2] 图2为本发明的发光装置的截面图；
[图3] 图3为现有发光装置的截面图；
[图4] 图4为现有发光装置的截面图；
[图5A] 图5A为示出各向异性导电粘接剂中使用的环氧树脂固化物相对于光波长的透光率的图；
[图5B] 图5B为示出各向异性导电粘接剂中使用的环氧树脂固化物在加热照射UV后相对于光波长的透光率的图。
实施发明的最佳方式
本发明的反光性各向异性导电粘接剂为用以将发光元件与配线板各向异性导电连接的反光性各向异性导电粘接剂，至少由含有硅酮树脂和固化剂的热固化性树脂组合物、导电粒子和反光性绝缘粒子构成，其特征在于，含有反光性绝缘粒子，以及使用缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷作为硅酮树脂。首先，对反光性绝缘粒子进行说明。
在本发明中，反光性绝缘粒子为用以将射入各向异性导电粘接剂的光向外部反射的反光性绝缘粒子。
需说明的是，具有反光性的粒子包含金属粒子、将金属粒子用树脂被覆的粒子、在自然光下为灰色~白色的金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物等无机粒子，将树脂芯粒子用无机粒子被覆的粒子，不论粒子的材质，在其表面存在凹凸的粒子。但是，在这些粒子中，在要求呈现绝缘性的关系方面，本发明中可使用的反光性绝缘粒子不包含金属粒子。另外，在金属氧化物粒子中，无法使用如ITO之类具有导电性的粒子。另外，即使是呈现反光性和绝缘性的无机粒子，也无法使用其折射率低于所使用的热固化性树脂组合物的折射率的无机粒子。
作为这样的反光性绝缘粒子的优选具体实例，可列举出选自氧化钛(TiO2)、氮化硼(BN)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)的至少一种无机粒子。其中，从高折射率的观点出发优选使用TiO2。
作为反光性绝缘粒子的形状，可以是球状、鳞片状、无定形状、针状等，但若考虑反光效率，则优选球状、鳞片状。另外，作为其粒径，当为球状时，由于若过小则反光率降低，若过大则有抑制基于导电粒子的各向异性连接的趋势，所以优选为0.02~20μm，更优选为0.2~1μm，当为鳞片状时，长径优选为0.1~100μm，更优选为1~50μm，短径优选为0.01~10μm，更优选为0.1~5μm，厚度优选为0.01~10μm，更优选为0.1~5μm。
由无机粒子构成的反光性绝缘粒子的折射率(JIS K7142)优选大于热固化性树脂组合物的固化物的折射率(JIS K7142)，更优选至少大0.02左右。这是由于若折射率差小，则它们界面的反光效率降低的缘故。
作为反光性绝缘粒子，虽然可使用以上说明的无机粒子，但也可使用将鳞片状或球状金属粒子的表面用透明的绝缘性树脂被覆的树脂被覆金属粒子。作为金属粒子，可列举出镍、银、铝等。作为粒子的形状，可列举出无定形、球状、鳞片状、针状等，其中，从光扩散效果的观点出发优选球状的形状，从全反射效果的观点出发优选鳞片状的形状。从光的反射率的观点出发特别优选的金属粒子为鳞片状银粒子。
作为反光性绝缘粒子的树脂被覆金属粒子的大小因形状而不同，但由于通常若过大则有抑制基于导电粒子的各向异性连接之虞，若过小则变得难以反射光，所以在球状的情况下优选粒径为0.1~30μm，更优选为0.2~10μm，在鳞片状的情况下，长径优选为0.1~100μm，更优选为1~50μm，厚度优选为0.01~10μm，更优选为0.1~5μm。在这里，当被绝缘被覆时，反光性绝缘粒子的大小为也包含其绝缘被覆的大小。
作为这样的树脂被覆金属粒子中的所述树脂，可使用各种绝缘性树脂。从机械强度或透明性等观点出发可优选利用丙烯酸类树脂的固化物。可更优选地列举出在过氧苯甲酰等有机过氧化物等自由基聚合引发剂的存在下使甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸2-羟基乙酯发生自由基共聚而得的丙烯酸类树脂。此时，进一步优选用2,4-甲苯二异氰酸酯等异氰酸酯类交联剂进行交联。另外，作为构成树脂被覆金属粒子的金属粒子，优选预先用硅烷偶联剂将γ-环氧丙氧基或乙烯基等导入金属表面。
这样的树脂被覆金属粒子例如可通过向甲苯等溶剂中投入金属粒子和硅烷偶联剂，于室温下搅拌约1小时后，投入自由基单体和和自由基聚合引发剂，并根据需要投入交联剂，在加热至自由基聚合起始温度的同时进行搅拌来制备。
由于以上说明的反光性绝缘粒子在反光性各向异性导电粘接剂中的掺混量若过少则无法实现足够的反光，而若过多则抑制基于所合用的导电粒子的连接，所以相对于热固化性树脂组合物，优选为1~50体积%，更优选为2~25体积%。
作为构成本发明的反光性各向异性导电粘接剂的导电粒子，可利用在各向异性导电连接用的现有导电粒子中使用的金属的粒子。例如可列举出金、镍、铜、银、锡、钯、铝、它们的合金、它们的多层化物(例如镀镍/闪镀金物)等。其中，金、镍、铜由于使导电粒子呈褐色而可比其它金属材料更能够发挥本发明的效果。作为这样的金属粒子的优选大小·形状，可列举出0.2~5μm的球状粒子，或厚度为0.2~0.4μm、直径为1~10μm的片状粒子。
另外，作为导电粒子，可使用将树脂粒子用金属材料被覆的金属被覆树脂粒子。作为构成这样的金属被覆树脂粒子的树脂粒子，可列举出苯乙烯类树脂粒子、苯代三聚氰胺树脂粒子、尼龙树脂粒子等。作为用金属材料被覆树脂粒子的方法，也可采用现有公知的方法，可利用非电解电镀法、电解电镀法等。另外，所被覆的金属材料的层厚为足以确保良好的连接可靠性的厚度，也取决于树脂粒子的粒径或金属的种类，但通常为0.1~3μm。
另外，由于金属被覆树脂粒子的粒径有若过小则产生导电不良，若过大则图案间产生短路的趋势，所以优选为1~20μm，更优选为3~10μm，特别优选为3~5μm。此时，作为金属被覆树脂粒子的形状优选球状，但也可以为片状、橄榄球状。
在本发明中，特别优选对如上所述的导电粒子赋予反光性，制成反光性导电粒子。图1A、图1B为这样的反光性导电粒子10、20的截面图。首先，根据图1A的反光性导电粒子进行说明。
反光性导电粒子10由被金属材料被覆的芯粒子1与在其表面由选自氧化钛(TiO2)、氮化硼(BN)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)的至少一种无机粒子2形成的反光层3构成。氧化钛粒子、氮化硼粒子、氧化锌粒子、氧化硅粒子、氧化铝粒子为在太阳光下呈白色的无机粒子。因此，由它们形成的反光层3呈白色~灰色。呈白色~灰色意味着对可见光的反光特性的波长依赖性小，并且易反射可见光。
需说明的是，在氧化钛粒子、氮化硼粒子、氧化锌粒子、氧化硅粒子、氧化铝粒子中，当担心固化的反光性各向异性导电粘接剂中热固化性树脂组合物的固化物的光劣化时，可优选使用对光劣化无催化性，折射率也高的氧化锌粒子。
由于芯粒子1被用于各向异性导电连接，所以其表面由金属材料构成。在这里，作为表面被金属材料被覆的实施方式，如上所述，可列举出芯粒子1本身为金属材料的实施方式或树脂粒子的表面被金属材料被覆的实施方式。
若从与芯粒子1的粒径的相对大小的观点来看，则由于由无机粒子2形成的反光层3的层厚与芯粒子1的粒径相比若过小则反光率显著降低，若过大则发生导电不良，所以优选为0.5~50%，更优选为1~25%。
另外，在反光性导电粒子10中，由于构成反光层3的无机粒子2的粒径有若过小则难以产生反光现象，若过大则难以形成反光层的趋势，所以优选为0.02~4μm，更优选为0.1~1μm，特别优选为0.2~0.5μm。此时，若从反光的光的波长的观点来看，则为不使应反射的光(即发光元件发出的光)透过，无机粒子2的粒径优选为该光的波长的50%以上。此时，作为无机粒子2的形状，可列举出无定形、球状、鳞片状、针状等，其中，从光扩散效果的观点出发优选球状，从全反射效果的观点出发优选鳞片状的形状。
图1A的反光性导电粒子10可基于通过使大小的粉末相互发生物理碰撞而在大粒径粒子的表面形成由小粒径粒子构成的膜的公知的成膜技术(所谓的机械融合法)来制备。此时，无机粒子2被固定，使其陷入芯粒子1表面的金属材料中，另一方面由于无机粒子2相互难以融合固定，所以无机粒子2的单层构成反光层3。因此，在图1A的情况下，反光层3的层厚被认为与无机粒子2的粒径相同乃至略微变薄。
接着，对图1B的反光性导电粒子20进行说明。在该反光性导电粒子20中，反光层3含有发挥粘接剂作用的热塑性树脂4，通过该热塑性树脂4无机粒子2也被相互固定，在无机粒子2多层化(例如多层化为2层或3层)的方面，不同于图1A的反光性导电粒子10。通过含有这样的热塑性树脂4，反光层3的机械强度提高，使得无机粒子2的脱落等难以发生。
作为热塑性树脂4，为降低环境负担，可优选使用无卤素的热塑性树脂，例如可优选使用聚乙烯、聚丙烯等聚链烯烃或聚苯乙烯、丙烯酸树脂等。
这样的反光性导电粒子20也可通过机械融合法来制备。由于适用于机械融合法的热塑性树脂4的粒径若过小则粘接功能降低，若过大则变得难以附着于芯粒子1上，所以优选为0.02~4μm，更优选为0.1~1μm。另外，由于这样的热塑性树脂4的掺混量若过少则粘接功能降低，若过多则形成粒子的聚集体，所以相对于100质量份的无机粒子2优选为0.2~500质量份，更优选为4~25质量份。
作为本发明的反光性各向异性导电粘接剂中使用的热固化性树脂组合物，优选尽可能使用无色透明的热固化性树脂组合物。这是由于不使反光性各向异性导电粘接剂中的反光性导电粒子的反光效率降低，而且不改变入射光的光色而反射的缘故。在这里，无色透明意味着热固化性树脂组合物的固化物相对于波长为380~780nm的可见光，光路长度为1cm的透光率(JIS K7105)为80%以上，优选为90%以上。
在本发明的反光性各向异性导电粘接剂中，由于反光性导电粒子等导电粒子相对于热固化性树脂组合物的掺混量(体积%)有若过少则产生导电不良，若过多则图案间产生短路的趋势，所以优选为5~30体积%，更优选为10~20体积%。
为提高反光元件的发光效率，本发明的反光性各向异性导电粘接剂的反光特性希望反光性各向异性导电粘接剂的固化物相对于波长为450nm的光的反射率(JIS K7105)至少为30%。为设为这样的反光率，只要适宜调整所使用的反光性导电粒子的反光特性或掺混量、热固化性树脂组合物的掺混组成等即可。通常，若增加反光特性良好的反光性导电粒子的掺混量，则反光率也有增大的趋势。
另外，反光性各向异性导电粘接剂的反光特性也可从折射率的观点出发进行评价。即，这是由于若其固化物的折射率比除导电粒子和反光性绝缘粒子以外的热固化性树脂组合物的固化物的折射率大，则反光性绝缘粒子与包围它们的热固化性树脂组合物的固化物的界面的反光量增大的缘故。具体而言，希望从反光性绝缘粒子的折射率(JIS K7142)中减去热固化性树脂组合物的固化物的折射率(JIS K7142)之差优选为0.02以上，更优选为0.2以上。需说明的是，通常以硅酮树脂为主体的热固化性树脂组合物的固化物的折射率约为1.40~1.55。
构成本发明的反光性各向异性导电粘接剂的热固化性树脂组合物含有缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷。这样的缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷为使烷基氢聚硅氧烷与烯基缩水甘油醚和烯基环烷烃进行硅氢化而得的改性有机聚硅氧烷。
烷基氢聚硅氧烷为用以通过硅氢化而在聚硅氧烷侧链导入环氧基的化合物，由于聚硅氧烷通过环氧基的导入而在其分子表面存在极性基团，所以可提高反光性各向异性导电粘接剂对被粘接物的粘接力。另外，可通过酸酐类固化剂进行热固化。
考虑到操作性，烷基氢聚硅氧烷的重均分子量优选为70000以下。因制备上的制约，下限为300以上。
作为烷基氢聚硅氧烷的优选具体实例，烷基可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、异丁基等。在这样的烷基氢聚硅氧烷中，优选为甲基的烷基氢聚硅氧烷。将这样的甲基氢聚硅氧烷的化学结构示出于式(1)中。
在式(1)中，由于m的数字若过小则氢甲硅烷基不足，无法实现充分的交联，芯片剪切强度有降低的趋势，若过大则氢甲硅烷基过剩，难以发生完全的硅氢化，有产生过剩氢甲硅烷基的趋势，所以优选m为3~40，更优选为8~35，特别优选为10~30的数值。另外，由于由下述m与n的关系可知n的数字若过小则相对地m的值也变小，氢甲硅烷基有不足的趋势，若过大则相对地m的值也变大，氢甲硅烷基有过剩的趋势，所以优选n为3~40，更优选为10~35，特别优选为15~28的数值。
式(1)中的m与n的关系优选为m＜n，更优选为2m＜n。这是由于若甲基氢甲硅烷基与二甲基甲硅烷基相比增多，则在烯基缩水甘油醚硅氢化为氢甲硅烷基时，毗邻缩水甘油基氧烷基的氢甲硅烷基因空间位阻而难以硅氢化的缘故。因此，希望甲基氢甲硅烷基不连续出现2个以上。
烯基缩水甘油醚为用以通过硅氢化而在聚硅氧烷侧链导入具有环氧基的缩水甘油基氧烷基的化合物，作为烯基，可列举出乙烯基、烯丙基、1-丙烯基等。其中，从具有高反应性的观点出发优选烯丙基。
另外，烯基环烷烃为用以通过硅氢化而在聚硅氧烷侧链导入脂环族烷基的化合物，为热固化性树脂组合物赋予良好的透明性。另外，通过调整环烷烃的种类或存在量，从而可调整热固化性树脂组合物的硬度。需说明的是，若其硬度过软，则在发光装置的制备工序中或在组装后的使用中，因树脂的变形而对发光元件施加应力，担心发光装置发生故障。
作为烯基环烷烃的烯基，可列举出乙烯基、烯丙基、1-丙烯基等。其中，从具有高反应性的观点出发优选乙烯基。另一方面，作为环烷烃，可列举出环丁烷、环戊烷、环己烷等。其中，从具有耐热光性的骨架的观点出发优选环己烷。
在硅氢化中烯基缩水甘油醚优选的烯丙基缩水甘油醚与烯基环烷烃优选的乙烯基环己烷的用量由于若前者过多，则反光性各向异性导电粘接剂的耐热光特性有因其未反应物以游离状态存在于反光性各向异性导电粘接剂中而降低的趋势，若前者过少，则反光性各向异性导电粘接剂的固化物的芯片剪切强度或硬度等特性有降低的趋势，所以相对于1摩尔的烯基缩水甘油醚，优选0.3~2摩尔的烯基环烷烃，更优选为0.5~1.2摩尔。
另外，在硅氢化中烯基缩水甘油醚和烯基环烷烃相对于烷基氢聚硅氧烷的总用量由于有若前者过少则因未反应物以游离状态存在于ACF中而导致耐热特性降低，若过多则固化物的芯片剪切强度等特性降低的趋势，所以相对于1当量的烷基氢聚硅氧烷(以氢甲硅烷基为基准)，烯基缩水甘油醚与烯基环烷烃之和优选为0.7~1.3当量，更优选为0.9~1.1当量。
硅氢化可应用现有公知的硅氢化反应条件。例如，作为硅氢化催化剂，可从六氯化铂、铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物、铂二乙烯基硅氧烷、铂环状乙烯基甲基硅氧烷、三(二苯亚甲基丙酮)二铂、氯铂酸、双(乙烯)四氯化二铂、环辛二烯二氯化铂、双(二甲基苯膦)二氯化铂、四(三苯膦)铂、铂碳等中适宜选择使用。
本发明中使用的热固化性树脂组合物含有用以使缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷固化的固化剂。作为这样的固化剂，可列举出环氧树脂固化用酸酐类固化剂、咪唑化合物、双氰等。特别优选难以使固化物变色的酸酐类固化剂，特别优选分子内不存在双键的酸酐类固化剂。具体而言可列举出甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基四氢邻苯二甲酸酐等。
固化剂在热固化性树脂组合物中的掺混量因固化机制而不同，但在使用酸酐类固化剂的加成反应机制的情况下，由于有若过少或过多则固化物的热光特性或芯片剪切强度等特性降低的趋势，所以相对于100质量份的缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷，优选为50~140质量份，更优选为80~120质量份。
构成本发明的反光性各向异性导电粘接剂的热固化性树脂组合物也可含有受阻酚、芳族胺、过氧化氢、金属钝化剂、紫外线阻断剂等各种抗老化剂。
在本发明的反光性各向异性导电粘接剂中，在不损害本发明的效果的范围内，可掺混公知的环氧树脂、硅酮树脂。例如，作为硅酮树脂，可列举出二甲基聚硅氧烷、二苯基聚硅氧烷等。另外，作为环氧树脂，可列举出脂环式环氧化合物、杂环类环氧化合物、氢化环氧化合物等。
作为脂环式环氧化合物，可优选列举出分子内具有2个以上环氧基的脂环式环氧化合物。它们可为液状或固体状。具体而言，可列举出缩水甘油基六氢双酚A、3,4-环氧基环己烯基甲基-3’,4’-环氧基环己烯羧酸酯等。其中，从对于固化物可确保适合于LED元件的安装等的透光性，快速固化性也优异的观点出发，可优选使用环内存在环氧基的3,4-环氧基环己烯基甲基-3’,4’-环氧基环己烯羧酸酯。
作为杂环类环氧化合物，可列举出具有三嗪环的环氧化合物，可特别优选地列举出1,3,5-三(2,3-环氧基丙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6-(1H,3H,5H)-三酮。
作为氢化环氧化合物，可使用上述脂环式环氧化合物或杂环类环氧化合物的氢化物或其它公知的氢化环氧树脂。
脂环式环氧化合物、杂环类环氧化合物或氢化环氧化合物可单独使用，但也可将2种以上合用。另外，除这些环氧化合物以外，只要不损害本发明的效果，也可合用其它环氧化合物。例如，可列举出使双酚A、双酚F、双酚S、四甲基双酚A、二芳基双酚A、氢醌、邻苯二酚、间苯二酚、甲酚、四溴双酚A、三羟基联苯、二苯甲酮、双间苯二酚、双酚六氟丙酮、四甲基双酚A、四甲基双酚F、三(羟基苯基)甲烷、双二甲苯酚、酚醛树脂、甲酚醛树脂等多元酚与表氯醇反应而得的缩水甘油醚；使甘油、新戊二醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等脂族多元醇与表氯醇反应而得的聚缩水甘油醚；使对羟基苯甲酸、β-羟萘甲酸之类的羟基羧酸与表氯醇反应而得的缩水甘油醚酯；由邻苯二甲酸、甲基邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸、内亚甲基四氢邻苯二甲酸、内亚甲基六氢邻苯二甲酸、苯偏三酸、聚合脂肪酸之类的聚羧酸得到的聚缩水甘油酯；由氨基苯酚、氨基烷基苯酚得到的缩水甘油基氨基缩水甘油醚；由氨基苯甲酸得到的缩水甘油基氨基缩水甘油酯；由苯胺、甲苯胺、三溴苯胺、苯二甲胺、二氨基环己烷、双氨基甲基环己烷、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯砜等得到的缩水甘油胺；环氧化聚链烯烃等公知的环氧树脂类。
本发明的反光性各向异性导电粘接剂可通过将反光性绝缘粒子与导电粒子和热固化性树脂组合物均匀混合来制备。另外，当制成反光性各向异性导电薄膜时，只要将它们与甲苯等溶剂一同分散混合，涂布于剥离处理过的PET薄膜上，使得达到所希望的厚度，于约80℃左右的温度下进行干燥即可。
接着，参照图2对本发明的发光装置进行说明。发光装置200为在基板21上的连接端子22与作为发光元件的LED元件23的n电极24和p电极25上分别形成有的连接用凸点26之间涂布上述本发明的反光性各向异性导电粘接剂，以倒装芯片方式安装基板21和LED元件23而得的发光装置。在这里，反光性各向异性导电粘接剂的固化物100为反光性导电粒子10分散于热固化性树脂组合物的固化物11中而成的固化物。需说明的是，可根据需要用透明模塑树脂进行封装，使得覆盖整个LED元件23。另外，在LED元件23上也可与现有一样地设置反光层。
在这样构成的的发光装置200中，在LED元件23发出的光中，向基板21侧发出的光被反光性各向异性导电粘接剂的固化物100中的反光性导电粒子10反射，从LED元件23的上面射出。因此，可防止发光效率的降低。
本发明的发光装置200中的反光性各向异性导电粘接剂以外的构成(LED元件23、凸点26、基板21、连接端子22等)可与现有发光装置的构成相同。另外，本发明的发光装置200除使用本发明的反光性各向异性导电粘接剂以外，可利用现有的各向异性导电连接技术来制备。需说明的是，作为发光元件，除LED元件以外，在不损害本发明的效果的范围内可应用公知的发光元件。
实施例
参考例(缩水甘油基氧丙基·环己基乙基改性甲基聚硅氧烷(以下有时也简称为环氧基改性聚硅氧烷)的制备)
取1g的烯丙基缩水甘油醚(烯丙基缩水甘油醚-S，四日市合成(株))和1g的乙烯基环己烷(Acros公司)，投入3g的甲苯中使其溶解。向此甲苯溶液中滴加甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物(HMS-082，Gelect公司)，使甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物/烯丙基缩水甘油醚/乙烯基环己烷的当量比为1/0.5/0.5，得到反应溶液。
向3g的此反应溶液中投入1滴(0.0145g)的将0.0742g的铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物溶于1.804g的异丙醇而得的催化剂溶液，混合，用60℃的瓷制球磨罐(jar mill)搅拌3小时。在搅拌结束后，通过用旋转蒸发器除去甲苯，得到缩水甘油基氧丙基·环己基乙基改性甲基聚硅氧烷。
当对得到的环氧基改性聚硅氧烷进行FT-IR测定时，可确认2200cm-1附近的Si-H伸缩峰消失。
实施例1~7、比较例1~4
通过使用普通的台式搅拌机将除导电粒子和反光性绝缘粒子以外的如表1所示掺混量(质量份)的成分均匀混合来制备热固化性树脂组合物。向此热固化性树脂组合物中添加10phr [parts per hundred resin] 的Au粒子和30phr的反光性绝缘粒子，通过使用台式搅拌机均匀混合，得到外观为白色的反光性各向异性导电粘接剂。
需说明的是，实施例6为使用按照以下说明制备的氧化钛被覆银粒子作为反光性绝缘粒子的实例，实施例7为使用氧化钛被覆金粒子作为反光性导电粒子的实例。另外，比较例1为不使用硅酮树脂而使用脂环式环氧树脂的反光性各向异性导电粘接剂的实例，比较例2、3为使用市售的未改性硅酮树脂的反光性各向异性导电粘接剂的实例。比较例4为不使用反光性绝缘粒子的实例。
(实施例6中使用的氧化钛被覆银粒子(反光性绝缘粒子))
向搅拌机附带的烧瓶中投入5g的粒状银粒子(平均粒径为1.0μm)和50ml的甲苯，在搅拌的同时向烧瓶中投入0.25g的硅烷偶联剂(3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷)，于25℃搅拌60分钟。接着，向此混合物中投入2g的甲基丙烯酸甲酯、2g的甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、0.04g的过氧苯甲酰和1g的2,4-甲苯二异氰酸酯，通过于80℃搅拌12小时，作为反光性绝缘粒子得到绝缘被覆银粒子。包含绝缘被覆的反光性绝缘粒子的平均粒径为5.0μm。
(实施例7中使用的氧化钛被覆金粒子(反光性导电粒子))
将平均粒子径为0.5μm的氧化钛粉末和外观颜色为褐色的平均粒径为5μm的Au被覆树脂导电粒子(对平均粒径为4.6μm的球状丙烯酸树脂粒子实施0.2μm厚的非电解镀金而得的粒子)投入机械融合装置中，通过将由氧化钛粒子构成的约0.5μm厚的反光层在导电粒子表面成膜，得到反光性导电粒子。此反光性导电粒子的外观颜色为灰色。
<评价>
针对得到的反光性各向异性导电粘接剂，按照以下说明分别进行反光率测定、总光通量测定、芯片剪切强度测定、导电发光确认试验。
1) 反光率测定
将反光性各向异性导电粘接剂涂布于陶瓷制白板上，通过于200℃加热30秒钟得到厚度为1mm的固化物。将此固化物切下1cm的正方形，作为反光率测定用试样。将此试样在150℃的烘箱内放置1000小时。针对此放置前(初期)和放置后(老化后)的试样，使用分光光度计(U3300，日立制作所(株))，测定对波长为450nm的光的反射率(JIS K7150)。将得到的结果示出于表1中。反光率在实际使用上为30%以上，另外老化前后反光率的减少率希望为20%以下。
2) 总光通量测定
在具有对100μm间距的铜配线实施镀Ni/Au (5.0μm厚/0.3μm厚)处理而得的配线的玻璃环氧基板上，使用凸点连接器(bump bonder) (FB700，Kaijo Corporation ((株)カイジョー))形成15μm高的金凸点。在此带有金凸点的玻璃环氧基板上，使用反光性各向异性导电粘接剂，在200℃、30秒、100gf/芯片的条件下倒装芯片安装蓝色LED (Vf＝3.2 (If＝20mA))，得到测试用LED模块。使此测试用LED模块在85℃、85%RH的环境下发光1000小时，使用总光通测定系统(积分球) (LE-2100，大冢电子株式会社)测定发光初期和发光1000小时后(老化后)的总光通量(测定条件If＝20mA (恒流控制))。将得到的结果示出于表1中。总光通量在实际使用上希望在初期为250mlm以上。另外，希望老化前后总光通量的减少率为15%以下。
3) 芯片剪切强度测定
重新制备与在总光通量测定中制备的模块相同的测试用LED模块，使其在85℃、85%RH的环境下发光1000小时(If＝20mA (恒流控制))，使用芯片剪切强度测定仪(PTR-1100，RHESCA公司)在20μm/sec的剪切速度下测定发光初期和发光1000小时后(老化后)的反光性各向异性导电粘接剂的芯片剪切强度。将得到的结果示出于表1中。芯片剪切强度在实际使用上希望为70N/芯片以上。另外，希望老化前后芯片剪切强度的减少率为10%以下。
4) 持续发光确认试验(Continuity light-emitting check test)
重新制备与在总光通量测定制备的模块相同的测试用LED模块，使其在85℃、85%RH的环境下发光3000小时(If＝20mA (恒流控制))，在发光初期和发光3000小时后(老化后)目测确认有无发生异常(持续不良等)。将未发生异常的情况评价为“OK”，将发生的情况评价为“NG”。将得到的结果示出于表1中。
[表1]
由表1可知，在含有反光性绝缘粒子的实施例1~7的反光性各向异性导电粘接剂的情况下，反光率均为30%以上，老化前后其减少率为20%以下，450nm的光的蓝色被以原本的颜色反射。而且，总光通量在初期也为250mlm以上，老化前后其减少率为15%以下。另外，芯片剪切强度均为70N/芯片以上，老化前后其减少率为10%以下。而且，在持续发光确认试验中也未发现异常。
与之相对的是，在使用未改性的常规脂环式环氧树脂的比较例1的情况下，反光率和总光通量在老化前后显著降低，老化后的导电发光确认试验结果也为NG评价，可知不实用。在使用普通的硅酮树脂的比较例2、3的情况下，芯片剪切强度显著偏低，老化后的持续发光确认试验结果也为NG评价，可知不实用。在不使用反光性绝缘粒子的比较例4的各向异性导电粘接剂的情况下，总光通量和反光率的各自的初期结果原本也不是实际使用水平。
产业上的可利用性
本发明的反光性各向异性导电粘接剂可在使用各向异性导电粘接剂以倒装芯片方式将发光二极管(LED)元件等发光元件安装于配线板上制备发光装置时，即使在发光元件上设置导致制备成本增加的反光层，也不会使发光效率降低。而且，由于使用缩水甘油基氧烷基·脂环族烷基改性有机聚硅氧烷作为热固化性树脂组合物的固化成分，所以初期芯片剪切强度高，芯片剪切强度或LED总光通量不会因发光装置的长期使用而大幅降低。因此，本发明的反光性各向异性导电粘接剂在倒装芯片安装LED元件时有用。
符号说明
1 芯粒子；
2 无机粒子；
3 反光层；
4 热塑性树脂；
10、20 反光性导电粒子；
11 热固化性树脂组合物的固化物；
21 基板；
22 连接端子；
23 LED元件；
24 n电极；
25 p电极；
26 凸点；
100 反光性各向异性导电粘接剂的固化物；
200 发光装置。

Claims (26)

1.反光性各向异性导电粘接剂，所述反光性各向异性导电粘接剂为用以将发光元件与配线板各向异性导电连接的反光性各向异性导电粘接剂，其中，含有热固化性树脂组合物、导电粒子和反光性绝缘粒子，所述热固化性树脂组合物含有硅酮树脂和固化剂，所述硅酮树脂为缩水甘油基氧烷基和脂环族烷基改性有机聚硅氧烷。
2.权利要求1的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子为选自氧化钛、氮化硼、氧化锌、氧化硅和氧化铝的至少一种无机粒子。
3.权利要求2的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子为氧化钛粒子。
4.权利要求1~3中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子的形状为球状或鳞片状。
5.权利要求1~3中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，当反光性绝缘粒子的形状为球状时，其粒径为0.02~20μm。
6.权利要求1~3中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，当反光性绝缘粒子的形状为鳞片状时，其长径为0.1~100μm，短径为0.01~10μm，厚度为0.01~10μm。
7.权利要求1~3中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子根据JIS K7142的折射率大于热固化性树脂组合物的固化物根据JIS K7142的折射率。
8.权利要求7的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子根据JIS K7142的折射率至少比热固化性树脂组合物的固化物根据JIS K7142的折射率大0.02。
9.权利要求1的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子为将鳞片状或球状金属粒子的表面用绝缘性树脂被覆的树脂被覆金属粒子。
10.权利要求9的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子为将鳞片状银粒子的表面用绝缘性树脂被覆的树脂被覆银粒子。
11.权利要求9的反光性各向异性导电粘接剂，其中，当反光性绝缘粒子的形状为球状时，其粒径为0.02~20μm。
12.权利要求9或10的反光性各向异性导电粘接剂，其中，当反光性绝缘粒子的形状为鳞片状时，其长径为0.1~100μm，短径为0.01~10μm，厚度为0.01~10μm。
13.权利要求9~11中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子根据JIS K7142的折射率大于热固化性树脂组合物的固化物根据JIS K7142的折射率。
14.权利要求13的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子根据JIS K7142的折射率至少比热固化性树脂组合物的固化物根据JIS K7142的折射率大0.02。
15.权利要求9~11中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，绝缘性树脂为用异氰酸酯类交联剂交联的丙烯酸类树脂。
16.权利要求15的反光性各向异性导电粘接剂，其中，丙烯酸类树脂为使甲基丙烯酸甲酯与甲基丙烯酸2-羟基乙酯发生自由基共聚而得的丙烯酸类树脂。
17.权利要求1~3、8～11、14和16中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性绝缘粒子相对于热固化性树脂组合物的掺混量为1~50体积%。
18.权利要求1~3、8～11、14和16中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，所述缩水甘油基氧烷基和脂环族烷基改性有机聚硅氧烷为使烷基氢聚硅氧烷与烯基缩水甘油醚和烯基环烷烃进行硅氢化而得的改性有机聚硅氧烷，所述固化剂为酸酐类固化剂。
19.权利要求18的反光性各向异性导电粘接剂，其中，所述缩水甘油基氧烷基和脂环族烷基改性有机聚硅氧烷为使1当量的重均分子量为300以上且70000以下的烷基氢聚硅氧烷与总计0.7~1.3当量的烯基缩水甘油醚和烯基环烷烃进行硅氢化而得的改性有机聚硅氧烷，其中相对于1摩尔的烯基缩水甘油醚使烯基环烷烃达到0.3~2摩尔。
20.权利要求18的反光性各向异性导电粘接剂，其中，烷基氢聚硅氧烷为甲基氢聚硅氧烷，烯基缩水甘油醚为烯丙基缩水甘油醚，烯基环烷烃为乙烯基环己烷。
21.权利要求1~3、8～11、14和16中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，其中，导电粒子为由用金属材料被覆的芯粒子与在其表面由选自氧化钛、氮化硼、氧化锌、氧化硅或氧化铝的至少一种无机粒子形成的反光层构成的反光性导电粒子。
22.权利要求21的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光层相对于芯粒子粒径的厚度为0.5~50%。
23.权利要求21的反光性各向异性导电粘接剂，其中，构成反光层的无机粒子的粒径为0.02~4μm。
24.权利要求21的反光性各向异性导电粘接剂，其中，反光性导电粒子相对于热固化性树脂组合物的掺混量为5~30体积%。
25.发光装置，其中，借助权利要求1~24中任一项的反光性各向异性导电粘接剂，将发光元件以倒装芯片方式安装于配线板上。
26.权利要求25的发光装置，其中，发光元件为发光二极管。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5617210B2 (ja) * 2009-09-14 2014-11-05 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
KR101375298B1 (ko) * 2011-12-20 2014-03-19 제일모직주식회사 전도성 미립자 및 이를 포함하는 이방 전도성 필름
JP5958107B2 (ja) * 2012-06-15 2016-07-27 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
JP6151990B2 (ja) * 2012-07-03 2017-06-21 積水化学工業株式会社 絶縁性粒子付き導電性粒子、導電材料及び接続構造体
GB2504957A (en) * 2012-08-14 2014-02-19 Henkel Ag & Co Kgaa Curable compositions comprising composite particles
JP6066643B2 (ja) * 2012-09-24 2017-01-25 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
JP6003763B2 (ja) * 2012-10-30 2016-10-05 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
EP3004230B1 (en) 2013-06-06 2016-10-05 Philips Lighting Holding B.V. Reflective composition
KR101611003B1 (ko) 2013-06-28 2016-04-20 제일모직주식회사 실리콘 엘라스토머를 포함하는 이방 도전성 필름
JP6115457B2 (ja) * 2013-12-05 2017-04-19 デクセリアルズ株式会社 グリシジルイソシアヌリル変性ポリシロキサンの製造方法
JP6384046B2 (ja) * 2013-12-06 2018-09-05 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
US9812625B2 (en) 2014-02-18 2017-11-07 Nichia Corporation Light-emitting device having resin member with conductive particles
US9706667B2 (en) * 2014-05-19 2017-07-11 Sierra Circuits, Inc. Via in a printed circuit board
US10516085B2 (en) * 2014-08-21 2019-12-24 Luminus, Inc. Devices and methods including an LED and reflective die attach material
EP2988341B1 (en) * 2014-08-22 2017-04-05 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US9871177B2 (en) 2015-03-04 2018-01-16 Trillion Science, Inc. Anisotropic conductive film (ACF) including a relfective layer
US10062660B2 (en) 2015-03-04 2018-08-28 Trillion Science, Inc. Anisotropic conductive film including a reflective layer
JP2016207739A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP6368288B2 (ja) * 2015-08-07 2018-08-01 福田金属箔粉工業株式会社 フレーク状銀粒子の集合体及び該銀粒子の集合体を含有するペースト
US20200313049A1 (en) * 2016-06-21 2020-10-01 Soraa, Inc. Light emitting diode package
JP6893399B2 (ja) * 2016-07-07 2021-06-23 デクセリアルズ株式会社 絶縁被覆粒子、絶縁被覆粒子の製造方法、粒子含有組成物、及び異方性導電接着剤
JP2018177987A (ja) * 2017-04-13 2018-11-15 サンユレック株式会社 導電材料
JP7014948B2 (ja) * 2017-06-13 2022-02-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
CN107880268A (zh) * 2017-12-26 2018-04-06 烟台德邦先进硅材料有限公司 一种有机硅环氧杂化增韧剂的合成方法
WO2019167819A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 住友ベークライト株式会社 ペースト状接着剤組成物及び半導体装置
CN209672120U (zh) * 2018-10-18 2019-11-22 漳州立达信灯具有限公司 一种用于面板灯的光学件及面板灯
DE102018132955A1 (de) * 2018-12-19 2020-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes bauelement
JP7390236B2 (ja) * 2020-03-31 2023-12-01 京セラ株式会社 異方導電性樹脂組成物、及びマイクロｌｅｄディスプレイ装置
US20220140211A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332124A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Toshiba Chem Corp 導電性ペーストおよび光半導体装置
CN1503728A (zh) * 2001-01-26 2004-06-09 ŵ��ķ 聚合物-无机颗粒复合材料
JP2004179139A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 導電性粒子とそれを含有する導電性接着材料及び透明導電膜形成用塗料及びそれを用いた透明導電膜並びに表示装置
CN1649964A (zh) * 2002-04-26 2005-08-03 株式会社钟化 硬化性组合物、硬化物及其制造方法以及由此硬化物密封的发光二极管
JP2005272492A (ja) * 2004-03-22 2005-10-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン組成物
JP2007123613A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2748705B2 (ja) 1991-02-14 1998-05-13 日立化成工業株式会社 回路の接続部材
JPH11168235A (ja) 1997-12-05 1999-06-22 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
JP4019254B2 (ja) * 2002-04-24 2007-12-12 信越化学工業株式会社 導電性樹脂組成物
JP4611617B2 (ja) * 2002-04-26 2011-01-12 株式会社カネカ 発光ダイオード
US7312261B2 (en) 2004-05-11 2007-12-25 International Business Machines Corporation Thermal interface adhesive and rework
JP4803350B2 (ja) * 2005-06-03 2011-10-26 信越化学工業株式会社 圧着性異方導電性樹脂組成物及び微細電極の接続方法
JP2008274004A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Kaneka Corp 硬化性樹脂組成物およびその硬化物
KR20090108550A (ko) * 2008-04-11 2009-10-15 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반도체 소자용 실리콘 접착제
JP5499448B2 (ja) 2008-07-16 2014-05-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
US20120012153A1 (en) 2009-03-11 2012-01-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Connection sheet for solar battery cell electrode, process for manufacturing solar cell module, and solar cell module
CN101851478B (zh) * 2010-04-29 2012-11-21 黄文迎 一种快速固化导电胶粘剂组合物及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332124A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Toshiba Chem Corp 導電性ペーストおよび光半導体装置
CN1503728A (zh) * 2001-01-26 2004-06-09 ŵ��ķ 聚合物-无机颗粒复合材料
CN1649964A (zh) * 2002-04-26 2005-08-03 株式会社钟化 硬化性组合物、硬化物及其制造方法以及由此硬化物密封的发光二极管
JP2004179139A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 導電性粒子とそれを含有する導電性接着材料及び透明導電膜形成用塗料及びそれを用いた透明導電膜並びに表示装置
JP2005272492A (ja) * 2004-03-22 2005-10-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン組成物
JP2007123613A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

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Publication number Publication date
JP2012207216A (ja) 2012-10-25
WO2012124724A1 (ja) 2012-09-20
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