CN103377712B - 启动侦测系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种启动侦测系统，其依据一电源供应器所提供的电源来产生一第一启动侦测信号以及一第二启动侦测信号其中之一以作为一最终启动侦测信号。所述启动侦测系统包含：一启动侦测模块，由一控制信号所控制以在一第一模式产生所述第一启动侦测信号以及在一第二模式产生所述第二启动侦测信号，其中所述第一启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第一预定电压值时产生水平变迁，所述第二启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第二预定电压值时产生水平变迁，以及所述第一预定电压值高于所述第二预定电压值。所述启动侦测系统可对应不同情况来选择一合适的启动点，以解决选择启动点的问题。

Description

启动侦测系统
技术领域
本发明涉及启动侦测系统(powerupdetectingsystem)，特别涉及一种具有一个以上的启动点(trippoint)的启动侦测系统。
背景技术
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)装置存在一些问题，像是：假如启动侦测电路的启动点(trippoint)被设定太低，那么在电源上升的时间(powersupplyramp)内，装置便会非预期地输出逻辑值0或1。启动侦测电路是用于侦测一电源供应器(powersupplier)所提供的电源的电压值，以产生一启动侦测信号PD。如图1所示，启动点是指启动侦测信号PD的电压值达到一预定电压值Vpre时，启动侦测信号PD自一逻辑值0变迁(transit)为一逻辑值1的点。
因此，假如启动点被设定太低，则电路逻辑可能无法在启动侦测信号PD启动之前正确地操作。然而，装置可以在非理想状态下于一电源上运行，因为所述装置必须要能够在很低的电压下运作，以求能在低电压容限(lowvoltagemargin)内被测试。
发明内容
因此，本发明的目的之一在于提供一种包含一个以上启动点的启动侦测系统。
本发明的一实施例提供了一种用以依据一电源供应器所提供的电源来产生一第一启动侦测信号与一第二启动侦测信号其中之一以作为一最终启动侦测信号的启动侦测系统。所述启动侦测系统包含：一启动侦测模块，由一控制信号所控制以在一第一模式中产生所述第一启动侦测信号以及在一第二模式中产生所述第二启动侦测信号，其中所述第一启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第一预定电压值时产生水平变迁，所述第二启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第二预定电压值时产生水平变迁，以及所述第一预定电压值高于所述第二预定电压值。
本发明的另一实施例提供了一种用以依据一电源供应器所提供的电源来输出一第一启动侦测信号与一第二启动侦测信号其中之一以作为一最终启动侦测信号的启动侦测系统。所述启动侦测系统包含一启动侦测模块与一选择器。所述启动侦测模块是用以产生所述第一启动侦测信号与所述第二启动侦测信号。所述第一启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第一预定电压值时产生水平变迁，以及所述第二启动侦测信号的所述电压水平在所述电源达到一第二预定电压值时会产生水平变迁。所述第一预定电压值高于所述第二预定电压值。所述选择器是由一控制信号所控制以在一第一模式输出所述第一启动侦测信号以及在一第二模式输出所述第二启动侦测信号，以作为所述最终启动侦测信号。所述启动侦测模块包含：一第一启动侦测电路，用以产生所述第一启动侦测信号；以及一第二启动侦测电路，用以产生所述第二启动侦测信号。所述选择器包含：一逆变器，耦接到所述第一启动侦测电路，用以接收所述第一启动侦测信号；一第一与非门，耦接到所述第二启动侦测电路，用以接收所述第二启动侦测信号以及接收所述控制信号；以及一第二与非门，用以接收所述逆变器与所述第一与非门的输出，以产生所述最终启动侦测信号。
由上述实施例可知，本发明所提供的启动侦测系统包含一个以上的启动点，因而可对应不同情况来选择一合适的启动点，这样，可解决上述的选择启动点的问题。
附图说明
图1是说明启动点的意义的示意图。
图2是依据本发明的一实施例的启动侦测系统的方块图。
图3是说明图2中所示的启动侦测系统的操作的时序图。
图4是依据本发明的另一实施例的启动侦测系统的方块图。
图5是依据本发明的另一实施例的启动侦测系统的方块图。
图6是依据本发明的另一实施例的启动侦测系统的方块图。
图7是图5中所示的选择器的详细结构的电路图。
图8是图6中所示的实施例中的选择器的详细结构的电路图。
其中，附图标记说明如下：
200、500启动侦测系统
201控制器
203、501启动侦测模块
205电源供应器
207靶电子装置
401、505第一启动侦测电路
403、507第二启动侦测电路
503选择器
701逆变器
703第一与非门
705第二与非门
具体实施方式
在说明书及之前的权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域的技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及之前的权利要求书并不以名称的差异来作为区别元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区别的基准。在通篇说明书及之前的权利要求书当中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一词在此包含任何直接及间接的电连接手段。因此，若文中描述一第一装置电连接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接连接于所述第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地连接到所述第二装置。
图2是依据本发明的一实施例的一启动侦测系统(powerupdetectingsystem)200的方块图。如图2所示，启动侦测系统200依据电源供应器205所提供的电源PW，来产生第一启动侦测信号PD1与第二启动信号PD2其中之一以作为最终启动侦测信号PDF。启动侦测系统200包含一启动侦测模块203，其是由控制信号CS所控制，以在一第一模式中产生第一启动侦测信号PD1，以及在一第二模式中产生第二启动侦测信号PD2。启动侦测模块203在所述第一模式中使用一第一启动点，以及在所述第二模式中使用一第二启动点，其中所述第一启动点高于所述第二启动点。
图3是图2中的启动侦测系统的操作的时序图。如图3所示，第一启动侦测信号PD1的电压水平会在电源达到第一预定电压值Vpre1时产生水平变迁，而第二启动侦测信号PD2的电压水平则会在电源达到低于第一预定电压值Vpre1的第二预定电压值Vpre2时产生水平变迁。在图2所示的实施例中，控制信号CS是由包含在启动侦测系统200内的控制器201所产生，但控制信号CS也可由其它装置来产生。
在另一实施例中，电源PW是用以作为靶电子装置(targetelectronicdevice)207的操作电源。在这个例子中，所述第一模式指的是靶电子装置207操作在一正常模式(normalmode)之下，而所述第二模式指的是靶电子装置207操作在一测试模式(testmode)之下，因此，可对应不同情形来选择一适合的启动点，这样，上述的选择启动点的问题便可被解决。
图4是依据本发明的另一实施例的一启动侦测系统的方块图。请注意，与图2中所示的一些装置相同的装置在图4中被省略以求简洁。在此实施例中，启动侦测模块203包含一第一启动侦测电路401与一第二启动侦测电路403。第一启动侦测电路401是由控制信号CS所控制以在所述第一模式产生第一启动侦测信号PD1。第二启动侦测电路403是由控制信号CS所控制以在所述第二模式产生第二启动侦测信号PD2，也就是说，第一启动侦测信号PD1与第二启动侦测信号PD2可通过一单一电路或模块来产生(像是图2所示的实施例)，然而，在一设计变化中，第一启动侦测信号PD1与第二启动侦测信号PD2也可各自通过独立电路来产生(像是图4所示的实施例)。
图5是依据本发明的另一实施例的一启动侦测系统的方块图。在图5中，启动侦测系统500也包含了一启动侦测模块501。然而，启动侦测模块501会同时产生第一启动侦测信号PD1与第二启动侦测信号PD2，并非只有产生第一启动侦测信号PD1与第二启动侦测信号PD2的其中之一。启动侦测模块501包含一选择器(selector)503，用来接收控制信号CS以输出第一启动侦测信号PD1与第二启动侦测信号PD2的其中之一以作为最终启动侦测信号PDF。图5的实施例的其它操作与图2及图4相同，故在此省略以求简洁。
图6是依据本发明的另一实施例的一启动侦测系统的方块图。请注意，与图5中所示相同的一些装置被省略以求简洁。如图6所示，启动侦测模块501包含一第一启动侦测电路505与一第二启动侦测电路507。第一启动侦测电路505用来产生第一启动侦测信号PD1，同时第二启动侦测电路507也用来产生第二启动侦测信号PD2，也就是说，第一启动侦测信号PD1与第二启动侦测信号PD2可通过一单一电路或模块来产生(像是图5中所示的实施例)，然而，在一设计变化中，第一启动侦测信号PD1与第二启动侦测信号PD2也可通过不同电路来产生(像是图6所示的实施例)。
图7是图5所示的实施例中的选择器的详细结构的电路图。请参照图7，选择器503包含一逆变器(inverter)701、一第一与非门(NANDgate)703与一第二与非门705。逆变器701接收第一启动侦测信号PD1。第一与非门703接收第二启动侦测信号PD2与控制信号CS。第二与非门705接收逆变器701与第一与非门703的输出以产生最终启动侦测信号PDF。请注意，图7中的选择器503不会直接输出第一启动侦测信号PD1或第二启动侦测信号PD2，而是使用逆变器701、第一与非门703与第二与非门705来基于第一启动侦测信号PD1、第二启动侦测信号PD2与控制信号CS，以产生等同于第一启动侦测信号PD1或第二启动侦测信号PD2的最终启动侦测信号PDF。
如图8所示，图7所示的选择器503的结构也可应用在图6的实施例。由于图8所示的电路操作与图7相同，故在此省略以求简洁。
由上述实施例可知，本发明所提供的启动侦测系统包含一个以上的启动点，因而可对应不同情况来选择一合适的启动点，这样，可解决上述的选择启动点的问题。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种启动侦测系统，用以依据一电源供应器所提供的电源，来输出一第一启动侦测信号与一第二启动侦测信号其中之一以作为一最终启动侦测信号，所述启动侦测系统的特征在于包含：
一启动侦测模块，用以产生所述第一启动侦测信号与所述第二启动侦测信号，其中所述第一启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第一预定电压值时产生水平变迁，所述第二启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第二预定电压值时产生水平变迁，以及所述第一预定电压值高于所述第二预定电压值；以及
一选择器，由一控制信号所控制以在一第一模式中输出所述第一启动侦测信号以及在一第二模式中输出所述第二启动侦测信号，以作为所述最终启动侦测信号；
所述启动侦测模块包含：
一第一启动侦测电路，用以产生所述第一启动侦测信号；以及
一第二启动侦测电路，用以产生所述第二启动侦测信号；
所述选择器包含：
一逆变器，耦接到所述第一启动侦测电路，用以接收所述第一启动侦测信号；
一第一与非门，耦接到所述第二启动侦测电路，用以接收所述第二启动侦测信号以及接收所述控制信号；以及
一第二与非门，用以接收所述逆变器与所述第一与非门的输出，以产生所述最终启动侦测信号。
2.如权利要求1所述的启动侦测系统，其特征在于，所述电源是一靶电子装置的操作电源，所述第一模式是指所述靶电子装置操作在一正常模式，以及所述第二模式是指所述靶电子装置操作在一测试模式。
3.一种启动侦测系统，用以依据一电源供应器所提供的电源，来输出一第一启动侦测信号与一第二启动侦测信号其中之一以作为一最终启动侦测信号，所述启动侦测系统的特征在于包含：
一启动侦测模块，用以产生所述第一启动侦测信号与所述第二启动侦测信号，其中所述第一启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第一预定电压值时产生水平变迁，所述第二启动侦测信号的一电压水平会在所述电源达到一第二预定电压值时产生水平变迁，以及所述第一预定电压值高于所述第二预定电压值；以及
一选择器，由一控制信号所控制以在一第一模式中输出所述第一启动侦测信号以及在一第二模式中输出所述第二启动侦测信号，以作为所述最终启动侦测信号；
所述选择器包含：
一逆变器，用以接收所述第一启动侦测信号；
一第一与非门，用以接收所述第二启动侦测信号与所述控制信号；以及
一第二与非门，用以接收所述逆变器与所述第一与非门的输出，以产生所述最终启动侦测信号。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9230613B2 (en) * 2012-04-16 2016-01-05 Nanya Technology Corp. Power up detecting system
KR20150054206A (ko) 2013-11-11 2015-05-20 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 데이터 보호 방법 및 장치
US11119671B2 (en) 2020-02-14 2021-09-14 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Method for facilitating a memory system operable in advance during power-up, memory controller therefor, and memory system capable of being operable in advance during power-up
CN112214379B (zh) * 2020-10-29 2022-02-11 英业达科技有限公司 电源供应器监控系统及其方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663918A (en) * 1994-10-19 1997-09-02 Intel Corporation Method and apparatus for detecting and selecting voltage supplies for flash memory
TW201043973A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Generalplus Technology Inc Power detecting circuit, portable device and method for preventing data loss
TW201107761A (en) * 2009-07-06 2011-03-01 Advanced Risc Mach Ltd Power supply detection circuitry and method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62121374A (ja) * 1985-11-20 1987-06-02 Ricoh Co Ltd テストモ−ド起動回路
KR100240423B1 (ko) 1997-02-05 2000-01-15 윤종용 반도체 장치의 레벨 검출 회로
TW483245B (en) * 2000-09-15 2002-04-11 Winbond Electronics Corp Insulator for multi-power system
JP3726711B2 (ja) * 2001-05-31 2005-12-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
US6911873B2 (en) * 2003-06-24 2005-06-28 Stmicroelectronics, Inc. Detection circuit and method for an oscillator
US7148742B2 (en) * 2004-07-07 2006-12-12 Micron Technology, Inc. Power supply voltage detection circuitry and methods for use of the same
KR100847828B1 (ko) 2006-12-29 2008-07-23 동부일렉트로닉스 주식회사 플래시 메모리 소자의 형성 방법
US9134395B2 (en) * 2012-03-07 2015-09-15 Freescale Semiconductor, Inc. Method for testing comparator and device therefor
US9230613B2 (en) * 2012-04-16 2016-01-05 Nanya Technology Corp. Power up detecting system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663918A (en) * 1994-10-19 1997-09-02 Intel Corporation Method and apparatus for detecting and selecting voltage supplies for flash memory
TW201043973A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Generalplus Technology Inc Power detecting circuit, portable device and method for preventing data loss
TW201107761A (en) * 2009-07-06 2011-03-01 Advanced Risc Mach Ltd Power supply detection circuitry and method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI542993B (zh) 2016-07-21
US20160077143A1 (en) 2016-03-17
US9651600B2 (en) 2017-05-16
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CN103377712A (zh) 2013-10-30
TW201344422A (zh) 2013-11-01
US9230613B2 (en) 2016-01-05

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