CN103312286A - 谐振器及其制造方法、频率滤波器、双工器、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种谐振器及其制造方法、频率滤波器、双工器、电子设备，不需要对支承基板进行加工。本发明的谐振器（100）具有支承基板（101）、压电层（103）、激励电极（104）以及接合层（102）。压电层（103）由压电性材料构成。激励电极（104）形成在压电层（103）的表面，激励压电层（103）的声体波。接合层（102）形成有隔着压电层（103）而与激励电极（104）相对的空隙，接合支承基板（101）和压电层（103）的背面。
Description
技术领域
本发明涉及利用压电层的声体波的谐振器、频率滤波器、双工器、电子设备和谐振器的制造方法。
背景技术
当对压电体施加电场时，能够产生弹性波。弹性波具有在压电体表面传播的声表面波（SAW：Surface Acoustic Wave）、在压电体内部传播的声体波（BAW：Bulk AcousticWave）等的种类，声体波包含使纵波和横波混为一体传播的兰姆（Lamb）波型弹性波。
谐振器是利用这种压电体的弹性波的元件，构成为在层叠于基板上的压电层上形成梳齿状电极（IDT：Inter Digital Transducer）等电极。当对电极施加电信号时，能够使压电层产生弹性波，并且，当压电层的弹性波到达电极时，能够取出电信号。能够通过压电层的厚度和梳形电极的间距来控制与电极谐振的弹性波的频率。
根据这种特性，谐振器能够用作仅使特定频率通过的频率滤波器，多用作对通信设备的接收波和发送波进行分离的分波器（双工器）。
这里，由于弹性波中的声体波在压电层内部传播，因此，压电层中的电极的相反侧即压电层与基板的界面需要能够使压电层振动的自由振动面。例如，在专利文献1公开的“兰姆波型高频器件”中，在加强基板形成凹部，提供压电层的自由振动面。
【专利文献1】日本特开2007-251910号公报（第[0053]段、图2）
但是，在专利文献1记载的在压电层的支承基板形成凹部的元件构造中，在制造时需要对支承基板进行加工的步骤，并且，与不在支承基板形成凹部的情况相比，存在元件的机械强度下降的问题。特别是在今后，在这些元件也要求进一步小型化时，从生产性的方面看，也期待得到改善。
发明内容
鉴于以上这种情况，本发明的目的在于，提供不需要对支承基板进行加工的谐振器、频率滤波器、双工器、电子设备和谐振器的制造方法。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的谐振器具有支承基板、压电层、激励电极以及接合层。上述压电层由压电性材料构成。上述激励电极形成在上述压电层的表面，激励上述压电层的声体波。上述接合层形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙，接合上述支承基板和上述压电层的背面。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的频率滤波器具有支承基板、压电层、多个激励电极以及接合层。上述压电层由压电性材料构成。上述激励电极形成在上述压电层的表面，激励上述压电层的声体波。上述接合层形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙，接合上述支承基板和上述压电层的背面。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的双工器具有发送滤波器和接收滤波器。上述发送滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该发送滤波器与天线和发送端口连接。上述接收滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该接收滤波器与上述天线和接收端口连接。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的电子设备具有天线、发送滤波器以及接收滤波器。上述发送滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该发送滤波器与上述天线和发送端口连接。上述接收滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该接收滤波器与上述天线和接收端口连接。
为了实现上述目的，在本发明的一个方式的电子设备的制造方法中，在由压电性材料构成的压电层的背面形成牺牲层。隔着上述牺牲层用粘接剂接合支承基板和上述压电层的背面。在上述压电层的表面形成与上述牺牲层相对的能够激励上述压电层的声体波的激励电极。去除上述牺牲层。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的谐振器的层构造的剖面图。
图2是示出该谐振器的平面结构的平面图。
图3是示出该谐振器的制造工艺的示意图。
图4是示出本发明的实施方式的频率滤波器的示意图。
图5是示出本发明的实施方式的电子设备和双工器的示意图。
图6是示出SAW器件的构造的示意图。
图7是示出兰姆波器件的构造的示意图。
图8是示出LiNbO3单晶基板的板厚和各模式的相位速度的分散关系的曲线图。
图9是示出FBAR器件的构造的示意图。
图10是示出SMR器件的构造的示意图。
图11是示出串联谐振器和并联谐振器的阻抗特性的曲线图。
图12是示出发送滤波器和接收滤波器的阻抗条件的表。
标号说明
100：谐振器；101：支承基板；102：接合层；103：压电层；104：激励电极；105：空隙；200：频率滤波器；300：双工器；400：电子设备；401：天线。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的谐振器具有支承基板、压电层、激励电极以及接合层。上述压电层由压电性材料构成。上述激励电极形成在上述压电层的表面，激励上述压电层的声体波。上述接合层形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙，接合上述支承基板和上述压电层的背面。
根据该结构，通过设置在接合层上的空隙来提供容许压电层振动的自由振动面，不需要对支承基板进行特殊的加工。因此，能够防止由于支承基板的加工而引起的机械强度或生产性下降，并且能够实现谐振器的小型化。
上述声体波可以是兰姆波型弹性波。
与适于传播声表面波的压电层的厚度相比，适于传播兰姆波型弹性波的压电层的厚度非常小。因此，在利用兰姆波型弹性波的谐振器中，支承基板的强度更加重要。如上所述，在本实施方式的谐振器中，可防止支承基板的强度下降，因此适于利用兰姆波型弹性波。
上述接合层可以由绝缘性材料构成。
在本实施方式的谐振器的构造中，需要使压电层和支承基板绝缘，通过使接合层由绝缘性材料构成，能够利用接合层使它们绝缘。即，不需要额外设置绝缘用的层，在谐振器的生产性、小型化的方面是优选的。
上述激励电极可以是IDT。
IDT（Inter Digital Transducer：梳齿状电极）是将导电性材料配置成梳齿状的电极，能够激励兰姆波型弹性波。在本实施方式的谐振器中，通过在压电层上形成IDT，能够用作激励电极。
本发明的一个实施方式的频率滤波器具有支承基板、压电层、多个激励电极以及接合层。上述压电层由压电性材料构成。上述激励电极形成在上述压电层的表面，激励上述压电层的声体波。上述接合层形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙，接合上述支承基板和上述压电层的背面。
本发明的一个实施方式的双工器具有发送滤波器和接收滤波器。上述发送滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该发送滤波器与天线和发送端口连接。上述接收滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该接收滤波器与上述天线和接收端口连接。
本发明的一个实施方式的电子设备具有天线、发送滤波器以及接收滤波器。上述发送滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该发送滤波器与上述天线和发送端口连接。上述接收滤波器具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在上述压电层的表面并激励上述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着上述压电层而与上述激励电极相对的空隙并接合上述支承基板和上述压电层的背面的接合层，该接收滤波器与上述天线和接收端口连接。
在本发明的一个实施方式的电子设备的制造方法中，在由压电性材料构成的压电层的背面形成牺牲层。隔着上述牺牲层用粘接剂接合支承基板和上述压电层的背面。在上述压电层的表面形成与上述牺牲层相对的能够激励上述压电层的声体波的激励电极。去除上述牺牲层。
在该制造方法中，在压电层的背面形成牺牲层后，用粘接材料接合压电层和支承基板，因此，可防止粘接剂附着到压电层与牺牲层之间。因此，在去除牺牲层而形成空隙时，在面向空隙的压电层的背面即自由振动面不会残留粘接剂，能够防止粘接剂对谐振特性造成影响。
去除上述牺牲层的步骤可以包含在上述压电层形成与上述牺牲层连通的贯通孔的步骤、以及在上述贯通孔中灌注使上述牺牲层溶解的液体的步骤。
根据该制造方法，能够容易地去除层内埋设的牺牲层。
[谐振器的原理和特征]
对利用压电体中的声体波的谐振器的原理和特征进行说明。
SAW（Surface Acoustic Wave：声表面波）是在压电晶体的表面传播的一种弹性波。图6是示出SAW器件10的构造的示意图。在由压电晶体构成的压电基板11的表面形成周期性的帘状电极（IDT：也称为梳齿状电极）12，当施加交流电压时，通过逆压电效应而激励频率与SAW的传播速度和电极间距对应的SAW。图中箭头示出弹性波的传播方向（以下的图中相同）。由于电极间距的微细化，理论上能够实现SAW器件的谐振频率的高频化，但是，由于电极的加工技术的问题和耐电力的问题，SAW器件不面向高频用途。
兰姆（Lamb）波（兰姆波型弹性波）也是一种弹性波，但是，与SAW不同，是在较薄的压电晶体板内传播的一种板波。图7是示出兰姆波器件20的构造的示意图。器件的构造是，在Si基板21上形成压电层22，从背面切削Si基板21等而形成振动的自由端。与SAW器件同样，在表面形成IDT23，通过施加交流电压而被激励。谐振频率由电极间距和兰姆波的传播速度决定。通过使电极间距微细化，减薄板厚，能够实现高频化。与SAW相比，兰姆波的传播速度较快，因此容易实现高频化。
如上所述，兰姆波存在多个模式，其耦合系数和分散关系不同。图8示出LiNbO3单晶基板的板厚（利用波长归一化）和各模式的相位速度的分散关系的曲线图（计算值）。例如，示出采用A1模式制作谐振器的情况下的IDT间距和谐振频率的数值例。当使用板厚400nm的LN基板并设IDT间距为1μm时，被激励的A1模式的波长λ=IDT间距×2=2μm。归一化的板厚为400nm/2μm=0.2，根据A1模式的分散曲线，相位速度V大约为13000m/s。谐振频率f0由f0=V/λ给出，代入V和λ时，f0=6.5GHz。
FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜声体波谐振器）是利用压电薄膜的厚度纵向振动的谐振器。图9是示出FBAR器件30的构造的示意图。FBAR器件30构成为在基板31上按顺序层叠下部电极32、压电层33以及上部电极34。需要用于进行振动的自由端，通过从基板31的背面挖掘谐振器的下部的方法、使用牺牲层的方法等，在谐振器的下部形成空洞。
还存在如下类型的谐振器：不在下部设置空洞而在谐振器的下部形成声多层膜，利用体波的反射得到谐振，被称为SMR（Solidly Mounted Resonator：固态装配谐振器）。图10是示出SMR器件40的构造的示意图。SMR器件40构成为在基板41上按顺序层叠声反射膜42、下部电极43、压电层44以及上部电极45。声反射膜42是以弹性波的波长λ的1/4的厚度交替层叠声阻抗高的膜42a和声阻抗低的膜42b而成的。谐振器部分的基本构造、使用的振动模式与FBAR相同。
FBAR（或SMR）的谐振频率由压电薄膜的膜厚和音速决定，因此，能够利用压电薄膜的膜厚来控制谐振频率。由于不需要进行兰姆波或SAW器件那样的电极的微细加工，因此，容易实现高频化。并且，由于不具有微细电极，因此可谋求低损失/高耐电力。另一方面，谐振频率的膜厚依存性大，制造工艺中的膜厚控制困难，因此，谐振频率的制造偏差大，成品率差。并且，制造工艺本身也比SAW或兰姆波器件复杂。
在兰姆波器件、FBAR中，Si基板均发挥作为支承基板的作用。使用Si作为基板材料的理由是比较廉价，表面的平坦性和温度特性优良，Si基板上的薄膜工艺已经实现。兰姆波器件、FBAR两者均具有压电薄膜，利用其厚度振动或板波，但是，压电薄膜本身存在强度的问题，在溅射膜的情况下还存在膜应力等的问题，不能独立。
[谐振器的构造]
对本发明的实施方式的谐振器进行说明。图1是示出谐振器100的层构造的剖面图。如该图所示，谐振器100具有支承基板101、接合层102、压电层103以及激励电极104。在支承基板101上层叠有接合层102，在接合层102上层叠有压电层103，在压电层103上形成有激励电极104。并且，在接合层102上形成有空隙105。另外，在谐振器100中还可以设置反射器和引出电极等，这些将在后面叙述。
支承基板101是支承上层的各层的基板。支承基板101的材料没有特别限定，可以由Si、蓝宝石、AlN、石英、SiC等构成。如图1所示，谐振器100的支承基板101为平板状，未形成导致基板强度下降的加工（凹状构造等）。支承基板101的厚度例如可以设为200μm，但是没有特别限定，可以设为满足至少能够支承上层的强度的厚度，但是，与实施加工的情况相比，能够减薄。
接合层102层叠在支承基板101上，接合支承基板101和压电层103。接合层102可以由具有粘接性的材料，例如丙烯系粘接剂、环氧系粘接剂、BCB（苯并环丁烯）等构成，但是，优选针对后述牺牲层去除液（氢氟酸等）的蚀刻速率远远低于牺牲层。
接合层102能够在流动体的状态下粘接支承基板101和压电层103并固化。并且，通过使接合层102由绝缘性材料构成，能够利用接合层102使支承基板101和压电层103绝缘。接合层102的厚度没有特别限定，只要是足够形成空隙105的厚度即可。接合层102的厚度例如可以设为1μm。
压电层103由压电性材料构成，是产生声体波的层。声体波包含在压电层103的厚度方向上传播的薄膜声体波（FBAW：Film Bulk Acoustic Wave）、纵波和横波混为一体而传播的兰姆（Lamb）波型弹性波。在本实施方式中，对利用兰姆波型弹性波的谐振器进行说明，但是，本发明也能够应用于利用薄膜声体波的谐振器。
这些声体波与在压电层表面传播的声表面波（SAW：Surface Acoustic Wave）不同，在压电层中的电极的背侧需要容许压电层振动的自由振动面。在本实施方式中，通过在压电层103的背面（接合层102侧）形成的空隙105提供该自由振动面。
构成压电层103的压电性材料没有特别限定，可以设为LiTaO3单晶体、LiNbO3、AlN、石英和在它们中掺入Fe或Mg等的材料。压电层103的厚度例如可以设为1μm左右。并且，在压电层103上，在多个部位设有用于去除后述牺牲层的贯通孔103a。
激励电极104形成在压电层103上，激励压电层103的兰姆波型弹性波。激励电极104可以是构图成梳齿状的梳齿状电极（IDT：Inter Digital Transducer），例如可以由Al、Cu或添加有Cu的Al、Ti、Ni、Pt、Ru等或它们的层叠膜构成。能够根据谐振频率而任意形成激励电极104的图案（梳齿的间隔等）。
空隙105形成在接合层102中，在压电层103的背面提供自由振动面。空隙105在压电层103中形成在激励电极104的相反侧，即，形成为隔着压电层103而与激励电极104相对。能够通过去除后述牺牲层来形成空隙105。空隙105的厚度没有特别限定，只要是不妨碍压电层103振动的足够的厚度即可。空隙105的厚度例如可以设为0.5μm。
[谐振器的平面结构]
对具有以上层构造的谐振器100的平面结构进行说明。图2是示出从表面（激励电极104侧）观察到的谐振器100的平面图。如该图所示，谐振器100在压电层103上，除了激励电极104以外，还可以形成反射器106、引出电极107以及安装用凸缘108。另外，激励电极104、反射器106、引出电极107以及安装用凸缘108的布局不限于在此所示的布局，能够适当变更。
反射器106仅强烈地反射特定频率的兰姆波型弹性波，产生压电层103与激励电极104的谐振。反射器106可以由形成为与兰姆波型弹性波的传播方向垂直延伸的多个线状图案的导电性材料构成，可以隔着激励电极104配置2个反射器106。反射器106可以由与激励电极104相同的材料构成。
引出电极107与激励电极104一体形成，在激励电极104和安装用凸缘108之间授受电荷。安装用凸缘108是连接布线等的凸缘。引出电极107和安装用凸缘108可以由与激励电极104和反射器106相同的材料构成。进而，安装用凸缘108也可以在与激励电极104和反射器106相同的材料上层叠Ti、Ni、Cu、W、Sn、Au等金属。
如图2所示，空隙105可以配置在激励电极104和反射器106的背面。这是因为，在本实施方式中，兰姆波型弹性波在激励电极104和反射器106之间传播。在激励电极104和反射器106的布局与在此所示的布局不同的情况下，空隙105可以至少设置在兰姆波型弹性波传播的范围内。
[谐振器的动作]
对谐振器100的动作进行说明。当由激励电极104对压电层103赋予电场时，通过压电作用使压电层103振动。压电层103的振动由反射器106反射，但是，此时，根据反射器106的图案（间距等）仅反射特定频率的兰姆波型弹性波，在压电层103与激励电极104之间相互放大振动，产生谐振。
并且，当兰姆波型弹性波到达激励电极104后，通过压电反作用，在激励电极104感应与压电层103上产生的变形成比例的电荷。通过其电场而在压电层103激励振动，由反射器106反射，由此，在压电层103与激励电极104之间相互放大振动，产生谐振。
这样，在谐振器100中，由于压电层103振动而产生与激励电极104的谐振，但是，在压电层103中的激励电极104的背面需要用于容许压电层103振动的自由振动面。这是因为，假设没有自由振动面，则压电层103的振动受到限制，无法作为谐振器发挥功能，或者功能下降。在本实施方式中，在压电层103中的激励电极104的背面形成有空隙105，由该空隙105提供自由振动面。
[谐振器的制造方法]
对谐振器100的制造方法进行说明。图3是示出谐振器100的制造工艺的示意图。如图3的（a）所示，在压电基板103’的背面层叠牺牲层105’。压电基板103’是此后成为压电层103的基板。牺牲层105’例如可以由厚度0.5μm的SiO2构成，例如能够通过CVD（Chemical Vapor Deposition）在压电基板103’的背面成膜。牺牲层105’能够在压电基板103’的背面全体成膜，通过构图而仅形成在规定范围内。这里，如图2所示，牺牲层105’具有比激励电极104大的面积。特别地，优选反射器106的端部和牺牲层105’的余量为5μm以上。另外，牺牲层105’不限于SiO2，也可以是MgO、ZnO、TiO2等的透明膜，还可以是Cu、Ti、Al等金属。
接着，如图3的（b）所示，用粘接剂接合形成有牺牲层105’的压电基板103’的背面和支承基板101，形成接合层102。接合层102的厚度大于等于牺牲层105’即可，例如可以设为1μm。优选接合层102具有丙烯、环氧、BCB等的UV固化型特性。例如在支承基板101使用Si的情况下，其热膨胀系数为2.6ppm/℃，在压电基板103使用42°Y-LT的情况下，X轴方向的热膨胀系数为16.1ppm/℃。当选择接合层102具有热固化型特性时，由于支承基板101与压电基板103的热膨胀系数差，基板在接合后翘曲。由于基板的翘曲，从基板搬送和处理的观点来看，有时无法实现工艺。因此，优选接合层102具有UV固化型特性。这里，由于牺牲层105’事前形成在压电基板103’上，因此，可防止粘接剂附着于压电层103与牺牲层105’之间。接着，通过研削、研磨等将压电层103加工成期望厚度。例如使250μm的压电层103减薄到1μm。
接着，如图3的（c）所示，在压电层103的表面形成激励电极104。可以使电极材料在压电层103上成膜，通过干蚀刻等对其进行构图，从而形成激励电极104。例如，激励电极104可以使用添加了1%Cu的Al，其厚度可以设为0.2μm。为了提高紧密贴合力、耐电力，也可以使Ti等在添加了1%Cu的Al的下层成膜。并且，此时，能够同时构图形成反射器106、引出电极107以及安装用凸缘108。
接着，如图3的（d）所示，在压电层103上形成贯通孔103a。贯通孔103a可以通过干蚀刻等形成。加工深度可以设为与压电层103同等的1μm。作为蚀刻装置，可使用等离子蚀刻装置（アルバツク社制NLD），作为蚀刻气体，可使用C3F8和Ar的混合气体。蚀刻条件没有特别限定，但是，举出一例时，可以设等离子形成用的高频功率为600W，基板偏置为300W，处理压力为0.66Pa，蚀刻气体流量Ar为80sccm，C3F8为20sccm。例如如图2所示，贯通孔103a形成在反射器106的外侧。这里，在此后的牺牲层去除步骤中，为了防止压电层103的破损，优选在牺牲层105’区域的内侧形成贯通孔103a。例如可以设贯通孔103a与牺牲层105’的间隙和反射器106与牺牲层105’的间隙为1μm以上。但是，也可以在牺牲层105’的四角形成圆形的贯通孔，贯通孔的配置没有限定。并且，贯通孔的形状没有限定，可以是正方形、长方形、圆形、三角形、矩形等，其个数也没有限定。
接着，如图3的（e）所示，在贯通孔103a中灌注牺牲层去除液，去除牺牲层105’。牺牲层去除液可以使用不溶解接合层102的材料而能够溶解牺牲层105’的材料的液体，例如可以使用氢氟酸。当用牺牲层去除液去除牺牲层105’后，形成空隙105，制造出谐振器100。在牺牲层105’为SiO2的情况下，利用1%氢氟酸去除牺牲层105’。接合层102针对1%氢氟酸的蚀刻速率小于SiO2，仅选择性地溶解牺牲层105’的SiO2，因此形成空隙105。并且，在牺牲层去除后的基板干燥步骤中，中空构造部的压电层103紧贴着基底的接合层102，有时产生粘附不良。为了避免这种情况，优选牺牲层105’的厚度为0.5μm以上。基板可以在丙酮、IPA等有机溶剂中浸渍后提起并干燥。
如上所述，在本实施方式中，不对支承基板101实施加工，就能够形成压电层103的自由振动面，能够防止由于加工而引起的支承基板的强度下降。一般地，在实施作为支承基板的Si基板的加工时，多使用D-RIE（Deep-Reactive Ion Etching）等的加工方法，但是，在本实施方式中，不需要使用这种加工方法，能够减少设备、制造时间、成本等。
进而，如上所述，在用粘接剂接合压电基板103’和支承基板101之前，在压电基板103’上层叠牺牲层105，因此，可防止粘接剂附着到面向空隙105的压电层103的背面。这里，假设粘接剂附着到该表面，则可认为由于存在粘接剂而影响压电层103的谐振特性。与此相对，在本实施方式中，能够防止粘接剂的影响。
[频率滤波器的结构]
能够使用上述谐振器100的构造构成频率滤波器。图4是示出频率滤波器200的结构的示意图。如该图所示，频率滤波器200构成为连接多个由激励电极104和反射器106构成的谐振器100。图4所示的频率滤波器200是被称为梯型滤波器的滤波器，但是，本发明也可以应用于DM（Double Mode）型滤波器等的具有其它构造的滤波器。
对梯型滤波器进行说明。梯型滤波器具有串联和并联连接谐振器的构造。图11是示出串联连接谐振器的串联谐振器和并联连接谐振器的并联谐振器的阻抗特性的曲线图。另外，图11的纵轴表示“导抗”，但是，由于该曲线图包含表示阻抗和导纳，因此，在总称该阻抗和导纳的情况下，有时将其称为“导抗”。在图11中，Bp表示并联谐振器的导纳的虚数部，Xs表示串联谐振器的阻抗的虚数部。梯型滤波器的动作原理、设定方法如下所述。
首先，使串联谐振器Rs的阻抗的零点与并联谐振器Rp的阻抗的极点一致（ωap和ωrs）。决定满足规格的衰减极的极频率（参照图11）。接着，决定满足通过域特性的谐振器的构造。例如在SAW滤波器的情况下是电极的交叉长/对数（交叉对的数量）等。以滤波器的阻抗Zin在衰减域中无限大，在通过域中成为50Ω的方式构成谐振器。
频率滤波器200的层构造可以与上述谐振器100相同，可以在单一的支承基板101上隔着接合层102层叠压电层103，在该压电层103上形成各激励电极104和反射器106。如图2所示，空隙105可以形成在各谐振器100的背侧。
频率滤波器200作为宽带带通滤波器发挥功能。如上所述，由于不需要进行使支承基板101的强度下降的加工，因此，能够成为强度、生产性高的频率滤波器。
[电子设备和双工器的结构]
可以使用上述频率滤波器200构成电子设备的双工器（分波器）。双工器兼用作发送天线和接收天线。要求发送信号向接收频带的泄漏或接收信号向发送频带的泄漏较少。为了满足该条件，发送滤波器的阻抗Zt和接收滤波器的阻抗Zr需要满足图12所示的表的条件。另外，在该表中，Z0=50Ω。
图5是示出具有双工器300的电子设备400的结构的示意图。电子设备400是能够进行无线发送接收的电子设备，例如便携电话或收发器。
如该图所示，电子设备400具有双工器300和天线401。天线401与双工器300连接，双工器300与内置于电子设备400的发送端口和接收端口连接。
双工器300具有发送滤波器200S、接收滤波器200R和分波电路301。发送滤波器200S和接收滤波器200R均与天线401连接，分波电路301配置在天线401与接收滤波器200R之间。发送滤波器200S与发送端口连接，接收滤波器200R与接收端口连接。
发送滤波器200S和接收滤波器200R能够使用上述频率滤波器200。发送滤波器200S设定发送频率作为通过频带，接收滤波器200R设定接收频率作为通过频带。并且，发送滤波器200S和接收滤波器200R可以设置在单一的支承基板上。
分波电路301是以不使阻抗紊乱的方式从重叠有多个频带的信号的单一信号线路中分出各个频带进行输出的电路。天线401是无线发送接收共用天线，其结构没有特别限定。
由天线401接收到的接收信号通过接收滤波器200R而供给到接收端口，但是，被发送滤波器200S阻断，防止混入发送端口。另一方面，从发送端口供给的发送信号通过发送滤波器200S到达天线401，但是，被接收滤波器200R阻断，防止混入接收端口。这样，通过双工器300，能够使天线401成为发送和接收两用的天线。
本发明不仅限于上述各实施方式，能够在不脱离本技术主旨的范围内进行变更。
Claims (9)
1.一种谐振器，其中，该谐振器具有：
支承基板；
压电层，其由压电性材料构成；
激励电极，其形成在所述压电层的表面，激励所述压电层的声体波；以及
接合层，其形成有隔着所述压电层而与所述激励电极相对的空隙，接合所述支承基板和所述压电层的背面。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中，
所述声体波是兰姆波型弹性波。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中，
所述接合层由绝缘性材料构成。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中，
所述激励电极是IDT。
5.一种频率滤波器，其中，该频率滤波器具有：
支承基板；
压电层，其由压电性材料构成；
多个激励电极，其形成在所述压电层的表面，激励所述压电层的声体波；以及
接合层，其形成有隔着所述压电层而与所述激励电极相对的空隙，接合所述支承基板和所述压电层的背面。
6.一种双工器，其中，该双工器具有：
发送滤波器，其具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在所述压电层的表面并激励所述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着所述压电层而与所述激励电极相对的空隙并接合所述支承基板和所述压电层的背面的接合层，该发送滤波器与天线和发送端口连接；以及
接收滤波器，其具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在所述压电层的表面并激励所述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着所述压电层而与所述激励电极相对的空隙并接合所述支承基板和所述压电层的背面的接合层，该接收滤波器与所述天线和接收端口连接。
7.一种电子设备，其中，该电子设备具有：
天线；
发送滤波器，其具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在所述压电层的表面并激励所述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着所述压电层而与所述激励电极相对的空隙并接合所述支承基板和所述压电层的背面的接合层，该发送滤波器与所述天线和发送端口连接；以及
接收滤波器，其具有支承基板、由压电性材料构成的压电层、形成在所述压电层的表面并激励所述压电层的声体波的相互连接的多个激励电极、以及形成有隔着所述压电层而与所述激励电极相对的空隙并接合所述支承基板和所述压电层的背面的接合层，该接收滤波器与所述天线和接收端口连接。
8.一种谐振器的制造方法，其中，
在由压电性材料构成的压电层的背面形成牺牲层，
隔着所述牺牲层用粘接剂接合支承基板和所述压电层的背面，
在所述压电层的表面形成与所述牺牲层相对的能够激励所述压电层的声体波的激励电极，
去除所述牺牲层。
9.根据权利要求8所述的谐振器的制造方法，其中，
去除所述牺牲层的步骤包含在所述压电层上形成与所述牺牲层连通的贯通孔的步骤、以及在所述贯通孔中灌注使所述牺牲层溶解的液体的步骤。
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106411285A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件和模块 |
| CN106489238A (zh) * | 2014-08-05 | 2017-03-08 | 株式会社村田制作所 | 压电谐振器的制造方法及压电谐振器 |
| CN106788314A (zh) * | 2015-11-19 | 2017-05-31 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、双工器以及多工器 |
| CN107408936A (zh) * | 2015-03-16 | 2017-11-28 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| CN108449068A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-08-24 | 湖北宙讯科技有限公司 | 双工器 |
| CN109075758A (zh) * | 2016-03-25 | 2018-12-21 | 日本碍子株式会社 | 接合体和弹性波元件 |
| CN109639255A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-04-16 | 天津大学 | 一种双工器 |
| CN109802644A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-24 | 天津大学 | 一种双工器 |
| CN110138356A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高频声表面波谐振器及其制备方法 |
| WO2020056835A1 (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 天津大学 | 柔性单晶兰姆波谐振器及其形成方法 |
| CN113098431A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法 |
| CN113169721A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-07-23 | 谐振公司 | 固态装配型横向激励的薄膜体声波谐振器 |
| CN114567285A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-05-31 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种叉指型谐振器及其制备方法 |
| CN115664370A (zh) * | 2022-10-11 | 2023-01-31 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路 |
Families Citing this family (123)
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|---|---|---|---|---|
| CN106209007B (zh) * | 2010-12-24 | 2019-07-05 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| JP6652062B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2020-02-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| DE112015005512T5 (de) * | 2014-12-08 | 2017-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelektrische Vorrichtung und Herstellungsverfahren für piezoelektrische Vorrichtung |
| WO2016098526A1 (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US20170155373A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers |
| CN105897216B (zh) * | 2016-04-18 | 2019-07-05 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 单片集成的体声波双工器及其制造方法 |
| JP6632481B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2020-01-22 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| US10924086B2 (en) * | 2016-10-14 | 2021-02-16 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave (SAW) device with antireflective structure |
| WO2018235731A1 (ja) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
| KR20200052928A (ko) * | 2017-11-14 | 2020-05-15 | 안휘 윈타 일렉트로닉 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 압전 공진기 및 압전 공진기의 제조방법 |
| US11996827B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
| US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
| US12040779B2 (en) | 2020-04-20 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced Q-factor |
| US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US12088281B2 (en) | 2021-02-03 | 2024-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-mark interdigital transducer |
| US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
| US10491192B1 (en) * | 2018-06-15 | 2019-11-26 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
| US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
| US10637438B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-04-28 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications |
| US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US10601392B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-03-24 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
| US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
| US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
| US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
| SG10201901768XA (en) * | 2018-03-02 | 2019-10-30 | Skyworks Solutions Inc | Lamb Wave Loop Circuit For Acoustic Wave Filter |
| WO2019220724A1 (ja) | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 日本碍子株式会社 | 圧電性材料基板と支持基板との接合体 |
| WO2019220721A1 (ja) | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 日本碍子株式会社 | 圧電性材料基板と支持基板との接合体 |
| US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
| US11146238B2 (en) * | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
| US12095441B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely excited film bulk acoustic resonator with recessed interdigital transducer fingers |
| US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
| US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| US12040781B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
| US10998877B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method with frequency trimming based on electric measurements prior to cavity etch |
| US10985728B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-20 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer |
| US11996825B2 (en) | 2020-06-17 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US12021496B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US12119805B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Substrate processing and membrane release of transversely-excited film bulk acoustic resonator using a sacrificial tub |
| US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
| US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
| US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
| US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
| US12119808B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
| US10992283B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on rotated Z-cut lithium niobate |
| US12113512B2 (en) | 2021-03-29 | 2024-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Layout of XBARs with multiple sub-resonators in parallel |
| US10797675B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-10-06 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate |
| US10868513B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-12-15 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US12009798B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes |
| US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
| US12081187B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
| US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
| US10992284B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers |
| US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
| US11201601B2 (en) * | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
| US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
| US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
| US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| CN109341843B (zh) * | 2018-11-08 | 2020-03-06 | 吉林大学 | 一种微振动传感器及其制备方法 |
| JP2020145530A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
| WO2020186261A1 (en) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer |
| US11901873B2 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
| CN118316415A (zh) | 2019-04-05 | 2024-07-09 | 株式会社村田制作所 | 横向激励薄膜体声波谐振器封装和方法 |
| US12034423B2 (en) | 2019-06-27 | 2024-07-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd | XBAR frontside etch process using polysilicon sacrificial layer |
| US10911021B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop |
| US10862454B1 (en) | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers |
| US11329625B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer |
| CN110417373A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-11-05 | 华南理工大学 | 一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法 |
| CN114503295B (zh) * | 2019-08-28 | 2023-10-13 | 株式会社村田制作所 | 具有多隔膜厚度的横向激励薄膜体声波谐振器及制作方法 |
| US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
| US20220116020A1 (en) | 2020-04-20 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Low loss transversely-excited film bulk acoustic resonators and filters |
| US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
| US11469733B2 (en) * | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
| US12074584B2 (en) | 2020-05-28 | 2024-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes |
| CN115699573A (zh) * | 2020-06-03 | 2023-02-03 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| US20210399714A1 (en) * | 2020-06-17 | 2021-12-23 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with three-layer electrodes |
| US10992282B1 (en) | 2020-06-18 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width |
| US11742828B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm |
| US11482981B2 (en) | 2020-07-09 | 2022-10-25 | Resonanat Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
| US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
| US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
| CN115989637A (zh) * | 2020-09-03 | 2023-04-18 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
| US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
| US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
| US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
| US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
| US11405019B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters |
| US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
| US11463066B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| WO2022080433A1 (ja) * | 2020-10-14 | 2022-04-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 |
| US12119806B2 (en) | 2020-10-30 | 2024-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with spiral interdigitated transducer fingers |
| US12003226B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| WO2022102720A1 (ja) * | 2020-11-13 | 2022-05-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2022102719A1 (ja) * | 2020-11-13 | 2022-05-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| US12028039B2 (en) | 2020-11-13 | 2024-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Forming XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
| US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
| US11405020B2 (en) | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
| US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US12113510B2 (en) | 2021-02-03 | 2024-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple piezoelectric membrane thicknesses on the same chip |
| US20220337210A1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator fabrication using wafer-to-wafer bonding |
| WO2022224972A1 (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 |
| US12057823B2 (en) | 2021-05-07 | 2024-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with concentric interdigitated transducer fingers |
| US12075700B2 (en) | 2021-05-07 | 2024-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator fabrication using polysilicon pillars |
| US20230006640A1 (en) | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced substrate to contact bump thermal resistance |
| US20230039934A1 (en) * | 2021-07-14 | 2023-02-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Higher order lamb wave acoustic devices with complementarily-oriented piezoelectric layers |
| WO2023014670A1 (en) * | 2021-08-02 | 2023-02-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator (xbar) |
| CN113839643B (zh) * | 2021-09-27 | 2024-04-26 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种横向激发体声波谐振器和滤波器 |
| CN118633240A (zh) * | 2022-01-27 | 2024-09-10 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| CN118413206B (zh) * | 2024-06-28 | 2024-09-27 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种声表面波滤波器以及电子设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020063497A1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-05-30 | Panasik Carl M. | Thin Film Resonator And Method |
| CN1795610A (zh) * | 2003-05-26 | 2006-06-28 | 株式会社村田制作所 | 压电电子元件,其制造工艺,和通信装置 |
| CN101741344A (zh) * | 2008-11-19 | 2010-06-16 | 日本碍子株式会社 | 兰姆波装置 |
| JP2011171848A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| CN102361061A (zh) * | 2010-05-17 | 2012-02-22 | 株式会社村田制作所 | 复合压电基板的制造方法及压电器件 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002152007A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | ラム波型弾性波共振器 |
| JP4723207B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2011-07-13 | 信越化学工業株式会社 | 複合圧電基板 |
| CN101292423B (zh) * | 2005-10-19 | 2010-08-25 | 株式会社村田制作所 | 兰姆波器件 |
| JP4315174B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2009-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | ラム波型高周波デバイスの製造方法 |
| US8476809B2 (en) * | 2008-04-29 | 2013-07-02 | Sand 9, Inc. | Microelectromechanical systems (MEMS) resonators and related apparatus and methods |
| JP4636292B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2011-02-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| JP5367612B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-12-11 | 日本碍子株式会社 | ラム波装置 |
| US8035464B1 (en) * | 2009-03-05 | 2011-10-11 | Triquint Semiconductor, Inc. | Bonded wafer SAW filters and methods |
| JP5229399B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2013-07-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP5531653B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2014-06-25 | 日立金属株式会社 | 圧電薄膜素子、その製造方法及び圧電薄膜デバイス |
| JP2012010054A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
| JP5796316B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-10-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
-
2012
- 2012-12-20 JP JP2012278237A patent/JP2013214954A/ja active Pending
-
2013
- 2013-01-16 CN CN201310015419XA patent/CN103312286A/zh active Pending
- 2013-02-26 US US13/777,038 patent/US9112134B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020063497A1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-05-30 | Panasik Carl M. | Thin Film Resonator And Method |
| CN1795610A (zh) * | 2003-05-26 | 2006-06-28 | 株式会社村田制作所 | 压电电子元件,其制造工艺,和通信装置 |
| CN101741344A (zh) * | 2008-11-19 | 2010-06-16 | 日本碍子株式会社 | 兰姆波装置 |
| JP2011171848A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| CN102361061A (zh) * | 2010-05-17 | 2012-02-22 | 株式会社村田制作所 | 复合压电基板的制造方法及压电器件 |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106489238A (zh) * | 2014-08-05 | 2017-03-08 | 株式会社村田制作所 | 压电谐振器的制造方法及压电谐振器 |
| CN106489238B (zh) * | 2014-08-05 | 2019-04-12 | 株式会社村田制作所 | 压电谐振器的制造方法及压电谐振器 |
| CN107408936A (zh) * | 2015-03-16 | 2017-11-28 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| CN107408936B (zh) * | 2015-03-16 | 2020-12-11 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| CN106411285B (zh) * | 2015-07-29 | 2019-08-30 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件和模块 |
| CN106411285A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件和模块 |
| CN106788314A (zh) * | 2015-11-19 | 2017-05-31 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、双工器以及多工器 |
| CN106788314B (zh) * | 2015-11-19 | 2019-12-24 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、双工器以及多工器 |
| CN109075758A (zh) * | 2016-03-25 | 2018-12-21 | 日本碍子株式会社 | 接合体和弹性波元件 |
| CN109075758B (zh) * | 2016-03-25 | 2019-12-06 | 日本碍子株式会社 | 接合体和弹性波元件 |
| CN108449068A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-08-24 | 湖北宙讯科技有限公司 | 双工器 |
| WO2020056835A1 (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 天津大学 | 柔性单晶兰姆波谐振器及其形成方法 |
| CN113169721B (zh) * | 2018-10-31 | 2024-06-18 | 株式会社村田制作所 | 固态装配型横向激励的薄膜体声波谐振器 |
| CN113169721A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-07-23 | 谐振公司 | 固态装配型横向激励的薄膜体声波谐振器 |
| CN109802644A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-24 | 天津大学 | 一种双工器 |
| CN109802644B (zh) * | 2018-12-20 | 2021-11-30 | 天津大学 | 一种双工器 |
| CN109639255A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-04-16 | 天津大学 | 一种双工器 |
| CN110138356A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高频声表面波谐振器及其制备方法 |
| CN113098431A (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-09 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法 |
| CN113098431B (zh) * | 2020-01-08 | 2023-09-08 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 用于制作声波谐振器复合基板及表声波谐振器及制造方法 |
| CN114567285A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-05-31 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种叉指型谐振器及其制备方法 |
| CN115664370A (zh) * | 2022-10-11 | 2023-01-31 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种多传输零点的板波滤波器及信号处理电路 |
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| Publication number | Publication date |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130918 |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |