CN103378817A - 滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器 - Google Patents

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CN103378817A CN2013100669336A CN201310066933A CN103378817A CN 103378817 A CN103378817 A CN 103378817A CN 2013100669336 A CN2013100669336 A CN 2013100669336A CN 201310066933 A CN201310066933 A CN 201310066933A CN 103378817 A CN103378817 A CN 103378817A
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Abstract

本发明提供滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器，能够确保良好的绝缘特性并实现小型化。本发明的一个实施方式的发送接收滤波器（101）具有发送侧滤波器（101T）、接收侧滤波器（101R）以及支承基板（101s）。发送侧滤波器（101T）包括由BAW器件构成的第1谐振器（ER11）。接收侧滤波器包括由Lamb波器件构成的第2谐振器（ER12）。支承基板（101s）共同支承发送侧滤波器（101T）和接收侧滤波器（101R）。发送侧滤波器（101T）和接收侧滤波器（101R）由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器构成，因此，能够防止两个滤波器间的振动干涉并实现支承基板（101s）的小型化。

Description

滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器
技术领域
本发明涉及搭载于便携电话等移动通信设备中的滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器。
背景技术
近年来，在移动通信设备中，以信息传输速度的高速化为目的，期待双工器的小型化以及发送接收频率的高频化、宽带化。这里所说的双工器是具有如下作用的元件：在基于频分方式的通信系统中，为了利用一个天线共享发送接收而对发送接收的信号进行分支，该双工器由在发送侧和接收侧具有不同工作频率的多个滤波器构成。典型地，发送用滤波器和接收用滤波器使用机电耦合系数大、传播损失小的声表面波（SAW：Surface Acoustic Wave）滤波器。
现有的双工器由于在不同基板上制作发送用滤波器和接收用滤波器，因此，难以实现小型化和制造工序的简便化。因此，近年来，已报告在同一基板上制作发送用滤波器和接收用滤波器的手法（例如参照下述专利文献1）。
另一方面，搭载于同一基板上的发送侧的SAW滤波器和接收侧的SAW滤波器分别利用相同振动模式的谐振现象，因此，相互间的振动干涉，存在绝缘特性降低的问题。为了解决该问题，例如，已提出在发送接收滤波器间形成槽、扩大发送接收滤波器间的间隙、或对电路结构下工夫的手法（例如参照下述专利文献2）。
【专利文献1】日本特开2001-308681号公报
【专利文献2】日本特开2002-330057号公报
但是，在发送接收滤波器间形成槽的手法、扩大发送接收滤波器间的间隙的手法将导致基板尺寸的大型化，因此，难以实现元件的小型化。
发明内容
鉴于以上情况，本发明的目的在于，提供能够确保良好的绝缘特性并实现小型化的滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的滤波器装置具有第1滤波器、第2滤波器以及支承基板。
上述第1滤波器包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器。
上述第2滤波器包括构成为以与上述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器。
上述支承基板共同支承上述第1滤波器和上述第2滤波器。
本发明的另一个方式的滤波器装置具有支承基板、第1滤波器以及第2滤波器。
上述支承基板具有第1区域和形成在与上述第1区域相同的平面上的第2区域。
上述第1滤波器形成在上述第1区域内，包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器。
上述第2滤波器形成在上述第2区域内，包括构成为以与上述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器。
在本发明的一个方式的滤波器装置的制造方法中，
在支承基板的第1面形成构图为规定形状的第1电极层，
在上述第1电极层和上述第1面上形成压电层，
在上述压电层中的形成在上述第1电极层上的第1压电层部上形成与上述第1电极层相对的第2电极层，
在上述压电层中的形成在上述第1面上的第2压电层部上形成梳状的第3电极层，
在上述支承基板的与上述第1面相对的第2面形成与上述第1电极层相对的第1腔部和与上述第2压电层部相对的第2腔部。
在本发明的另一个方式的滤波器装置的制造方法中，
在压电基板的第1面形成构图为规定形状的第1电极层，
在上述第1面，隔着上述第1电极层接合支承基板，
在上述压电基板的与上述第1面相对的第2面，形成隔着上述压电基板而与上述第1电极层相对的第2电极层和隔着上述压电基板而与上述支承基板相对的梳状的第3电极层，
在上述支承基板形成与上述第1电极层相对的第1腔部和隔着上述压电基板而与上述第3电极层相对的第2腔部。
本发明的一个方式的双工器具有发送用的第1滤波器、接收用的第2滤波器以及支承基板。
上述第1滤波器包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器。
上述第2滤波器包括构成为以与上述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器。
上述支承基板共同支承上述第1滤波器和上述第2滤波器。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的双工器的结构的框图。
图2是示出梯型滤波器的一例的电路图。
图3是示出双工器的频率特性的概略图。
图4是示出本发明的一个实施方式的发送接收滤波器（滤波器装置）的结构的概略剖视图。
图5是示出上述发送接收滤波器的结构的概略俯视图。
图6是说明上述发送接收滤波器的制造方法的主要工序的概略剖视图。
图7是示出本发明的第2实施方式的发送接收滤波器（滤波器装置）的结构的概略剖视图。
图8是说明图7所示的发送接收滤波器的制造方法的主要工序的概略剖视图。
图9是示出本发明的第3实施方式的发送接收滤波器（滤波器装置）的结构的概略剖视图。
图10是示出本发明的第4实施方式的发送接收滤波器（滤波器装置）的结构的概略剖视图。
图11是梯型滤波器的设计方法的说明图，是示出串联臂谐振器和并联臂谐振器的阻抗特性的曲线图。在图11中，Bp表示并联臂谐振器的导纳（Yp=Gp+jBp）的虚数部，Xs表示串联臂谐振器的阻抗（Zs=Rs+jXs）的虚数部。
图12是说明单片型SAW双工器的绝缘特性降低的原因的概念图。
图13是对本实施方式的发送接收滤波器和比较例的SAW滤波器的大小进行比较的概略俯视图，（A）示出比较例的SAW滤波器，（B）示出本实施方式的发送接收滤波器。
图14是说明Lamb波谐振器和FBAR的差异的示意图，（A）示出振动模式，（B）示出电极结构，（C）示出电位分布。
图15是示出本发明的第5实施方式的发送接收滤波器（滤波器装置）的结构的概略剖视图。
标号说明
10：双工器；101、201、301、401、501：发送接收滤波器；101R、201R、301R、401R、501R：接收用滤波器；101s、201s、301s、401s、501s：支承基板；101T、201T、301T、401T、501T：发送用滤波器；102：天线端；103：移相器；104：发送端口；105：接收端口；131、231、331、431、531：下部电极层；132、232、332、432、532：上部电极层；133、233、333、433、533：压电层（第1压电层）；143、243、343、443、543：压电层（第2压电层）；144、244、344、444、544：梳形电极层；336、436、536：声学多层膜；ER11、ER21、ER31、ER41、ER51：第1谐振器（第1弹性波谐振器）；ER12、ER22、ER32、ER42、ER52：第2谐振器（第2弹性波谐振器）；C1、C2、C3、C4：腔；R1：第1区域；R2：第2区域。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的滤波器装置具有第1滤波器、第2滤波器以及支承基板。
上述第1滤波器包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器。
上述第2滤波器包括构成为以与上述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器。
上述支承基板共同支承上述第1滤波器和上述第2滤波器。
根据上述滤波器装置，第1滤波器和第2滤波器由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器构成，因此，能够防止两个滤波器间的振动干涉，得到良好的绝缘特性。并且，根据上述滤波器装置，能够削减干涉防止用的空间，因此，能够实现支承基板的小型化。
典型地，第1滤波器和第2滤波器形成在支承基板的同一平面上，但是，各个滤波器也可以形成在支承基板的不同平面上。
构成第1滤波器的第1弹性波谐振器和构成第2滤波器的第2弹性波谐振器只要是以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器即可，没有特别限定。例如，可以一方由声体波型谐振器（BAW：Bulk Acoustic Wave）构成，另一方由兰姆（Lamb）波型谐振器或声表面波型谐振器构成。或者，也可以一方由兰姆波型谐振器构成，另一方由声表面波型谐振器构成。
通过使第1弹性波谐振器由声体波型谐振器构成，第2弹性波谐振器由兰姆波型谐振器构成，能够确保绝缘特性并充分应对高频区域。
作为声体波型谐振器，除了压电薄膜谐振器（FBAR：Film Bulk AcousticResonator）以外，还可以应用声学多层膜谐振器（SMR：Solid Mounted Resonator）等。
本发明的另一个实施方式的滤波器装置具有支承基板、第1滤波器以及第2滤波器。
上述支承基板具有第1区域和形成在与上述第1区域相同的平面上的第2区域。
上述第1滤波器形成在上述第1区域内，包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器。
上述第2滤波器形成在上述第2区域内，包括构成为以与上述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器。
根据上述滤波器装置，第1滤波器和第2滤波器由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器构成，因此，即使形成在支承基板的同一平面上，也能够有效地防止两个滤波器间的振动干涉，并且，能够实现支承基板的小型化。
典型地，第1区域和第2区域以彼此相邻的方式形成在支承基板的同一平面上，但是，也可以在一个区域内形成另一个区域。
上述第1弹性波谐振器例如由声体波型谐振器构成。该情况下，第1弹性波谐振器具有形成在第1区域内的第1电极层、形成在第1电极层上的第1压电层以及形成在第1压电层上的第2电极层。
另一方面，上述第2弹性波谐振器例如由兰姆波型谐振器或声表面波型谐振器构成。该情况下，第2弹性波谐振器具有形成在第2区域内的第2压电基板、第2压电层以及形成在第2压电层上的梳形电极层。
在上述结构例中，第1弹性波谐振器还具有第1腔部，该第1腔部形成在第1区域内且与第1电极层相对。该情况下，作为第1弹性波谐振器，构成压电薄膜谐振器（FBAR）。并且，也可以在第1腔部中形成支承第1电极层的声学多层膜。该情况下，作为第1弹性波谐振器，构成声学多层膜谐振器（SMR）。
另一方面，第2弹性波谐振器还具有第2腔部，该第2腔部形成在第2区域内且与第2压电层相对。该情况下，作为第2弹性波谐振器，构成兰姆波型谐振器。
第1压电层和第2压电层可以以彼此相同的厚度形成。由此，能够利用共同的压电层形成第1压电层和第2压电层，能够简化制造工序。
在本发明的一个实施方式的滤波器装置的制造方法中，
在支承基板的第1面形成构图为规定形状的第1电极层，
在上述第1电极层和上述第1面上形成压电层，
在上述压电层中的形成在上述第1电极层上的第1压电层部上形成与上述第1电极层相对的第2电极层，
在上述压电层中的形成在上述第1面上的第2压电层部上形成梳状的第3电极层，
在上述支承基板的与上述第1面相对的第2面形成与上述第1电极层相对的第1腔部和与上述第2压电层部相对的第2腔部。
根据上述滤波器装置的制造方法，能够在同一支承基板上制作包括第1压电层的声体波型谐振器和包括第2压电层的兰姆波型谐振器或声表面波型谐振器。这些谐振器以互不相同的振动模式谐振，因此，不会相互产生振动干涉，能够尽可能接近地形成两个谐振器，因此，能够实现基板尺寸的小型化。
在本发明的另一个实施方式的滤波器装置的制造方法中，
在压电基板的第1面形成构图为规定形状的第1电极层，
在上述第1面，隔着上述第1电极层接合支承基板，
在上述压电基板的与上述第1面相对的第2面，形成隔着上述压电基板而与上述第1电极层相对的第2电极层和隔着上述压电基板而与上述支承基板相对的梳状的第3电极层，
在上述支承基板形成与上述第1电极层相对的第1腔部和隔着上述压电基板而与上述第3电极层相对的第2腔部。
在上述滤波器装置的制造方法中，也能够在同一支承基板上制作包括第1压电层的声体波型谐振器和包括第2压电层的兰姆波型谐振器或声表面波型谐振器。由此，能够防止2个谐振器间的振动干涉，能够实现基板尺寸的小型化。
进而，本发明的一个实施方式的双工器具有发送用的第1滤波器、接收用的第2滤波器以及支承基板。
上述第1滤波器包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器。
上述第2滤波器包括构成为以与上述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器。
上述支承基板共同支承上述第1滤波器和上述第2滤波器。
根据上述双工器，利用以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器构成发送侧的滤波器和接收侧的滤波器。由此，利用不同的振动模式实现发送接收，因此，不用考虑相互的振动干涉，能够提供超小型的单片双工器。
上述双工器还可以具有安装上述支承基板的电路基板。上述电路基板具有：天线端，其共同连接上述第1滤波器和上述第2滤波器；以及移相器，其设置在上述天线端与上述第2滤波器之间。
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
<第1实施方式>
图1是示出本发明的一个实施方式的双工器的结构的框图。首先，对双工器的结构进行说明。
[双工器]
本实施方式的双工器10是搭载于便携电话等移动通信设备中的分配发送接收信号的器件。双工器10例如用于UMTS（Universal Mobile Telecommunications System）、CDMA（Code Division Multiple Access）这样的频分方式（FDD：Frequency DivisionDuplex）的通信系统。
双工器10具有如下作用：为了使一个天线兼用于发送接收而对发送接收信号进行分配。为此所需要的性能如下所述。
（1）发送信号向接收频带的泄漏或接收信号向发送频带的泄漏少。
（2）发送滤波器的阻抗Zt和接收滤波器的阻抗Zr满足下述条件。
（阻抗条件）
发送（Tx）频带：Zt=Z0《Zr（Z0=50Ω）
接收（Rx）频带：Zr=Z0《Zt
本实施方式的双工器10基本上具有发送接收滤波器101（滤波器装置）、天线端102、移相器103、发送端口104以及接收端口105。
发送接收滤波器101具有发送用滤波器101T和接收用滤波器101R，这些滤波器均由弹性波滤波器构成。天线端102连接设备的天线100与发送接收滤波器101之间，发送用滤波器101T和接收用滤波器101R与天线端102共同连接。
发送用滤波器101T和接收用滤波器101R构成规定的滤波器电路。图2示出梯型滤波器的电路结构的一例。梯型滤波器通过串联/并联地电连接多个谐振器而构成，通过使串联连接的谐振器（串联臂谐振器）Rs的谐振频率与并联连接的谐振器（并联臂谐振器）Rp的谐振频率大致一致，可得到规定的带通特性。通过对要连接的谐振器的级数、串联臂谐振器与并联臂谐振器的静电容量比等进行优化，对滤波器的损失和衰减特性进行控制。
参照图11对典型的梯型滤波器的设计方法进行说明。图11是示出串联臂谐振器Rs和并联臂谐振器Rp的阻抗特性的曲线图。
首先，使串联臂谐振器Rs的阻抗的零点与并联臂谐振器Rp的阻抗的极点一致（ωap和ωrs）。决定满足规格的衰减极的极频率（参照图11）。接着，决定满足通过域特性的谐振器的构造。例如在SAW滤波器的情况下是电极的交叉长/对数等。而且，以滤波器的阻抗Zin在衰减域中无限大，在通过域中成为50Ω的方式构成谐振器。
移相器（或分波器）103设置在天线端102与接收用滤波器101R之间，具有阻止发送信号绕回接收用滤波器101R的功能。基于同样目的，也可以在天线端102与发送用滤波器101T之间设置移相器。另外，也可以根据需要省略移相器103。
发送端口104连接发送用滤波器101T与设备的发送端子（Tx端）之间。接收端口105连接接收用滤波器101R与设备的接收端子（Rx端）之间。
双工器10构成为能够同时经由天线100进行信号的发送接收。图3概略地示出双工器10的频率特性。双工器10由2个具有不同通过频带的滤波器构成，低频率侧成为发送频带，高频率侧成为接收频带。
作为分波器，使用分波电路或分波线路。在使用分波线路的情况下，以在衰减器的整个区域内提高分波线路和接收用滤波器的输入阻抗的方式设计线路长度。下面示出设计方法。
如下求出在双工器中接收用滤波器不会对发送用滤波器造成影响的条件。
从天线端观察的Rx路径（分波线路和接收用滤波器）输入阻抗Zin（L）由式（1）给出。
Zin（L）=（COSθ+jSINθ/（Zin（Rx））/（（COSθ/（-Zin（Rx）+jSINθ）））…（1）
这里，θ=βL，β=2π/λ，L是线路长度（Line Length），Zin（Rx）是接收用滤波器的输入阻抗。
当设分波线路的相位β为π/2时，该分波线路成为回转器。在回转器的情况下，式（1）成为式（2）。
Zin（L）=1/（Zin（Rx））…（2）
即，在Zin（Rx）=0的情况下，Zin（L）=∞，不会产生Rx路径的干涉。实际上不会是Zin（Rx）=0。这里，在Zin（Rx）较小的情况下，当θ=（π/2）+Δθ时，式（1）成为式（3）。
Zin（L）=（-SIN（Δθ）+jCOS（Δθ）/（Zin（Rx））/（（SIN（Δθ）/（Zin（Rx）+jCOS（Δθ）））…（3）
在式（3）中，在接收用滤波器的输入阻抗Zin（Rx）较小的情况下，不会对发送用滤波器造成影响的条件由下式（4）给出。
TAN（Δθ）=-1/（Zin（Rx））…（4）
即，在Zin（Rx）较小的情况下，如果将分波线路的线路长度校正Δθ，则与Zin（Rx）=0的情况同样，不会对发送用滤波器造成影响。
在本实施方式中，发送接收滤波器101由发送用滤波器101T和接收用滤波器101R搭载于共同的支承基板101s上的单片部件构成。而且，双工器10具有搭载有发送接收滤波器101的电路基板10s，在该电路基板10s上分别形成有天线端102、移相器103、发送端口104、接收端口105以及连接它们的布线图案。
另外，移相器103可以形成在与发送接收滤波器101相同的基板101s上。并且，天线端102、发送端口104以及接收端口105中的至少一方可以形成在与发送接收滤波器101相同的基板101s上。进而，天线端102、移相器103、发送端口104以及接收端口105可以全部形成在与发送接收滤波器101相同的基板101s上，该情况下，能够利用单片构成双工器10。
[发送接收滤波器]
接着，对本实施方式的发送接收滤波器101（滤波器装置）的结构进行说明。
在本实施方式中，发送用滤波器101T包括声体波型谐振器（以下称为“BAW谐振器”）作为弹性波谐振器，接收用滤波器101R包括振动模式与BAW谐振器不同的兰姆波型谐振器（以下称为“Lamb波器件”）或SAW谐振器（以下称为“SAW器件”）作为弹性波谐振器。
BAW谐振器是如下的谐振器：具有利用作为电极层的金属膜夹持AlN、ZnO、PZT等压电膜的上下的多层膜构造，利用通过在上下的电极层间施加交流电压而产生的压电膜自身的纵向谐振振动。通过组合多个该BAW谐振器，能够实现带通滤波器的特性。关于其组合方式，可以通过与由使用SAW谐振器的滤波器实现的梯型滤波器（图2）相同的电路结构和设计方法实现。
根据将由压电膜的谐振振动激励的声体波闭入压电膜内的手法，BAW谐振器的构造大致分为压电薄膜谐振器（以下称为“FBAR”）和声学多层膜谐振器（以下称为“SMR”）。
FBAR在谐振器下部具有空洞（腔），通过使谐振器自由振动的手法闭入弹性波。在图4中，第1谐振器ER11中描绘的虚线v1是弹性波的应力场（位移），表示第1腔C1闭入弹性波的状况。与此相对，SMR在谐振器的下部具有声学多层膜，采用使弹性波反射的手法。在图9中，第1谐振器ER31中描绘的虚线v2是弹性波的应力场（位移），表示声学多层膜336闭入弹性波的状况。
FBAR或SMR的谐振频率大致由压电薄膜的膜厚和音速决定，因此，能够利用压电薄膜的膜厚来控制谐振频率。并且，由于不具有微细电极，因此具有可实现低损失/高耐电力的优点。
另一方面，声表面波（以下称为“SAW”）是一种在压电晶体表面传播的弹性波。通过在压电晶体表面对周期性的梳形电极（IDT：Interdigital Transducer）施加交流电压，通过逆压电效应而激励频率与SAW的传播速度和IDT的电极间距对应的SAW。由于电极间距的微细化，理论上能够实现SAW器件的谐振频率的高频化，但是，由于电极的加工技术的问题和耐电力的问题，SAW器件不面向高频用途。
Lamb波与声表面波（以下称为“SAW”）同样是一种弹性波，但是，与在压电晶体表面传播的SAW不同，在压电晶体内部传播，也被称为板波。Lamb波器件在谐振器的下部具有空洞（腔），需要压电晶体的振动用的自由面。Lamb波与SAW器件同样，通过对形成在表面的IDT施加交流电压而被激励。谐振频率由电极间距和Lamb波的传播速度决定，传播速度根据压电基板的板厚而变化。通过使电极间距微细化，减薄板厚，能够实现高频化。与SAW相比，Lamb波的传播速度较快，因此具有容易实现高频化的优点。
图4和图5是示出本实施方式的发送接收滤波器101的结构的概略剖视图和概略俯视图。另外，在各图中，各要素的尺寸比与实际不同，这里夸张示出。并且，各图中的尺寸关系不一定一致。
发送接收滤波器101具有：包括第1谐振器ER11（第1弹性波谐振器）的发送用滤波器101T（第1滤波器）、包括第2谐振器ER12（第2弹性波谐振器）的接收用滤波器101R（第2滤波器）以及共同支承这些发送用滤波器101T和接收用滤波器101R的支承基板101s。在本实施方式中，第1谐振器ER11由FBAR构成，第2谐振器ER12由Lamb波器件构成。
（支承基板）
支承基板101s具有与X轴和与X轴正交的Y轴方向平行的主面。分别与X轴和Y轴正交的Z轴方向表示支承基板101s的厚度方向。支承基板101s例如具有由硅基板构成的基板主体120以及形成在基板主体120的表面侧（图4中为上表面侧）的绝缘膜121。
基板主体120使用的硅基板具有比较廉价且表面的平坦性和温度特性优良等特长。并且，硅基板上的薄膜形成工序已经实现，能够实现稳定的生产性。进而，FBAR（第1谐振器ER11）和Lamb波器件（第2谐振器ER12）均具有压电薄膜，利用其厚度振动或板波。压电薄膜本身具有强度的问题，在溅射膜的情况下还存在膜应力的问题，不能独立。
绝缘膜121例如由氧化硅膜构成，但是，除此之外，也可以由氮化硅膜等构成。绝缘膜121的厚度没有特别限定，形成为能够确保基板主体120与发送用滤波器101T和接收用滤波器101R之间的电绝缘的厚度（例如100nm左右）。
支承基板101s具有形成第1谐振器ER11的第1区域R1和形成第2谐振器ER12的第2区域R2。在本实施方式中，第1区域R1和第2区域R2以彼此相邻的方式设定在支承基板101s的表面侧。
（发送用滤波器）
第1谐振器ER11具有下部电极层131（第1电极层）、上部电极层132（第2电极层）以及压电层133（第1压电层）。下部电极层131、上部电极层132以及压电层133分别形成在与支承基板101s的第1区域R1相当的绝缘膜121上，压电层133配置在下部电极层131与上部电极层132之间。
下部电极层131和上部电极层132的结构材料没有特别限定，例如由Ru（钌）、钼（Mo）等声阻抗高的金属材料构成。下部电极层131和上部电极层132的厚度也没有特别限定，例如为200nm左右。
压电层133例如由AlN（氮化铝）构成，但是，当然不限于此。压电层133的厚度也没有特别限定，根据目标发送频带而适当设定，在本实施方式中为500nm左右。
第1谐振器ER11还具有第1腔C1。第1腔C1以与下部电极层131相对的方式形成在支承基板101s的第1区域R1内。由此，在压电层133的两面形成振动的自由端，通过在下部电极层131与上部电极层132之间闭入弹性波，能够使谐振器自由振动。
在本实施方式中，第1腔C1由贯通支承基板101s的孔构成，但是不限于此，也可以由形成在支承基板101s的表面侧的有底凹部构成。第1腔C1可以形成为从支承基板101s的背面侧露出下部电极层131的深度，也可以残留绝缘膜121的至少一部分。
在如上所述构成的第1谐振器ER11中，例如在下部电极层131上连接输入侧端子，在上部电极层132上连接输出侧端子。发送用滤波器101T可以由单一的谐振器ER11构成，但是，典型结构没有图示，由如图2所示在第1区域R1上连接多个谐振器ER11而得到的梯型电路构成。
（接收用滤波器）
第2谐振器ER12具有压电层143（第2压电层）和梳形电极层144。压电层143形成在与支承基板101s的第2区域R2相当的绝缘膜121上，梳形电极层144形成在压电层143的表面。
压电层143与压电层133同样，例如由AlN构成。在本实施方式中，压电层143的厚度为与压电层133相同的厚度（500nm左右）。
如图5所示，梳形电极层144包括在X轴方向上彼此相对的一对梳形电极（IDT）144a、144b以及隔着这一对梳形电极144a、144b而在Y轴方向上相对的一对反射器144c、144d。梳形电极层144的结构材料没有特别限定，例如由Al（铝）、为了提高耐电力而包含微量Cu（铜）的Al-Cu合金、Cu、Ti（钛）、Cr（铬）金属等构成。构成梳形电极层144的IDT的电极间距根据目标接收频带而适当设定。梳形电极层144的厚度可以是与第1谐振器ER11的上部电极层132相同的厚度，但是，在本实施方式中，形成得比上部电极层132薄。
第2谐振器ER12还具有第2腔C2。第2腔C2以与压电层143相对的方式形成在支承基板101s的第2区域R2内。由此，在压电层143的两面形成振动的自由端。
另外，在利用SAW器件构成第2谐振器ER12的情况下，不需要形成第2腔C2。
在本实施方式中，第2腔C2由贯通支承基板101s的孔构成，但是不限于此，也可以由形成在支承基板101s的表面侧的有底凹部构成。第2腔C2可以形成为从支承基板101s的背面侧露出压电层143的深度，也可以残留绝缘膜121的至少一部分。
在如上所述构成的第2谐振器ER12中，例如在一个梳形电极144a上连接输入端子，在另一个梳形电极144b上连接输出端子。接收用滤波器101R可以由单一的谐振器ER12构成，但是，典型结构没有图示，由如图2所示在第2区域R2上连接多个谐振器ER12而得到的梯型电路或双模式型电路构成。
[发送接收滤波器的制造方法]
接着，对如上所述构成的发送接收滤波器101的制造方法进行说明。图6是说明发送接收滤波器101的制造方法的主要工序的概略剖视图。在本实施方式中，支承基板101s由硅晶片构成，以晶片级同时形成多个发送接收滤波器101。
首先，在支承基板101s的表面（绝缘膜121的表面），以200nm左右的厚度形成构成下部电极层131的金属膜131a（图6的（A））。金属膜131a使用Ru膜、Mo膜等，通过溅射法、真空蒸镀法等而成膜。金属膜131a通过公知的光刻技术或提离法而构图为规定形状，由此，在支承基板101s的第1区域R1上形成下部电极层131（图6的（B））。
接着，在支承基板101s上的包含下部电极层131的表面形成压电膜133a（图6的（C））。压电膜133a为AlN膜，例如通过氮气氛围中的反应性溅射法而成膜。
压电膜133a共同用于第1谐振器ER11的压电层133（第1压电层）和第2谐振器ER12的压电层143（第2压电层）。结合第1谐振器ER11（FBAR）的中心频率来设定压电膜133a的膜厚（例如500nm左右）。第2谐振器ER12（Lamb波器件）的中心频率能够通过IDT间距来调节，因此，能够使FBAR和Lamb波器件双方的AlN膜厚相同，并且，能够省去多余的加工工序。
压电膜133a通过公知的光刻技术或提离法而构图为规定形状，由此，在支承基板101s上形成第1压电层133和第2压电层143（图6的（D））。在本实施方式中，第1压电层133和第2压电层143相互分离，但是不限于此。
接着，在第1压电层133上形成上部电极层132，在第2压电层143上形成梳形电极层144（第3电极层）（图6的（E））。
在本实施方式中，上部电极层132由Ru或Mo形成，梳形电极层144由Al形成。因此，在形成上部电极层132时，第2压电层143由光致抗蚀膜等保护，在形成梳形电极层144时，第1压电层133由光致抗蚀膜等保护。上部电极层132和梳形电极层144的形成顺序没有特别限定，例如在形成上部电极层132后形成梳形电极层144。
上部电极层132和梳形电极层144通过真空蒸镀法、溅射法等手法而成膜，在成膜后，通过公知的光刻技术或提离法而构图为规定形状。结合第2谐振器（Lamb波器件）ER12的目标中心频率来设定梳形电极层144的IDT间距。上部电极层132的厚度例如为200nm，梳形电极层144的厚度例如为100nm。
接着，在支承基板101s上分别形成第1腔C1和第2腔C2（图6的（F）、（G））。例如从支承基板101s（基板主体120）的背面侧，使用反应性离子蚀刻（RIE）技术同时形成第1腔C1和第2腔C2。此时，蚀刻速率比基板主体（硅基板）120的蚀刻速率低的绝缘膜（氧化硅膜）121作为蚀刻停止层而发挥功能，因此，可实现适当的蚀刻工序（图6的（F））。根据需要对绝缘膜121进行蚀刻（图6的（G））。也可以利用绝缘膜121的膜厚进行各谐振器ER11、ER12的中心频率的微调整。
如上所述制造发送接收滤波器101。根据本实施方式，能够统一进行FBAR（第1谐振器ER11）和Lamb波器件（第2谐振器ER12）中共同的构造部分的工序（例如压电层133、143的成膜以及第1腔C1和第2腔C2的形成）。通过统一进行共同部分的工序，与分别制作FBAR和Lamb波器件的情况相比，工序数减少，能够削减制造成本。
[本实施方式的作用]
发送用滤波器和接收用滤波器分别应用SAW器件而得到的单片型SAW双工器中的绝缘特性降低的原因大致分为2种。
（原因1）如图12所示，这种单片型SAW双工器具有在发送用滤波器（Tx滤波器）、接收用滤波器（Rx滤波器）、天线间分别插入匹配电路的构造。绝大部分发送信号从Tx端流向天线端，但是，实际上，由于Tx线（从Tx端到天线端）和Rx线（从天线端到Rx端）的阻抗比存在极限，因此，引起从Tx线到Rx线的不少的信号泄漏（对应于图12的“从信号线泄漏”）。并且，作为其它原因，由于寄生电容和信号线耦合等的影响，也流过不少信号（对应于图12的“未从信号线泄漏”）。
（原因2）在同一基板上形成Rx滤波器和Tx滤波器而得到的单片型双工器的情况下，在这些相邻的SAW滤波器间产生振动泄漏，由于它们的耦合，Tx滤波器和Rx滤波器双方的衰减域的特性相互干涉。
因此，为了排除上述原因而实现高绝缘，通过附加能够抵消彼此的信号泄漏的相位校正电路（图12）等的在电路上下工夫，或者如专利文献2记载的那样在两个滤波器间设置狭缝，能够减少泄漏信号的干涉。但是，在两个滤波器间形成槽的手法和扩大两个滤波器间的间隙的手法将导致基板尺寸的大型化，因此，很难实现元件的小型化。
与此相对，在本实施方式的发送接收滤波器101中，发送用滤波器101T和接收用滤波器101R由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器ER11、ER12构成。通过这样在发送侧和接收侧区分使用不同振动模式的谐振器，能够使得彼此几乎不引起干涉。由此，能够极大地削减干涉防止用的空间，与以往相比，能够提供小型的更加能够应对高频、大功率的谐振器、发送接收滤波器和双工器。
与在发送用滤波器与接收用滤波器之间形成狭缝而构成的SAW双工器的芯片尺寸相比，本实施方式的发送接收滤波器的大小如下所述。
例如，如图13的（A）所示，在横2mm纵1.6mm的SAW双工器上分别安装横0.77mm纵1.22mm的发送用滤波器（Tx）和接收用滤波器（Rx）。这里，Tx-Rx间设有80μm的间隙，使得不会受到彼此的弹性波的干涉。并且，在Tx和Rx中，在芯片四角设有40μm左右的安装所需要的余量。图13的（B）示出FBAR和Lamb波器件的滤波器尺寸与上述相同，以与图13的（A）相同的布局制作出的单片双工器。通过在同一基板上制作FBAR和Lamb波器件，不需要Tx-Rx间的间隙80μm以及Rx和Tx彼此相对一侧的余量（40μm×2）。因此可知，能够实现面积比至少为8%左右的小型化。
根据本实施方式，通过使发送接收滤波器101单片化，不仅能够实现小型化，还能够增加安装性的自由度，并且，能够在同一基板上制作其它器件和电路（单片化）。
如果能够使双工器10小型化，则布线长度缩短，由此，布线中的损失减少，通过频带的损失减少。并且，通过小型化，能够增加每一个晶片可取的芯片个数，由此，能够实现制造成本的降低。
并且，在本实施方式中，发送侧的谐振器ER11由FBAR构成，接收侧的谐振器ER12由Lamb波器件构成，因此，与由SAW器件构成的情况相比，Q值较高，能够实现滤波器特性的提高。并且，能够应对高频频带，能够适应于各种频带。特别地，Lamb波器件可以预见到高Q值，因此，适用于要求急剧衰减特性的接收侧。
[关于Lamb波谐振器与FBAR的干涉]
Lamb波谐振器和FBAR均是利用压电薄板的谐振器，但是，采用的振动模式互不相同。下面对两个模式的差异进行说明。
Lamb波是沿薄板面方向传播的板波，是一种体波。Lamb波是作为振动成分，作为横波的SV波（Shear Vertical）和作为纵波的L波（Longitudinal）在薄板两面引起模式转换并复杂地耦合而形成的波。具体的模式形状具有图14的（A）左侧所示的薄板的上表面和下表面对称地反复进行伸缩/屈曲的S（Symmetric）模式、图14的（A）中央所示的薄板的上表面和下表面非对称地反复进行伸缩/屈曲的A（Asymmetric）模式。另外，在各图中，分别示出Lamb波的1个波长的基本模式（S0、A0）和高次的振动模式（S1、A1）。
另一方面，FBAR是使用沿板厚方向传播的纵波的谐振器。Lamb波的纵波振动（L波）为板面方向的伸缩，与此相对，FBAR的纵波如图14的（A）右侧所示是伴随板厚伸缩的TE波（Thickness Extension）。
如上所述，两个模式的传播方向不同，因此，构成谐振器时的电极配置也不同。在Lamb波谐振器的情况下，如图14的（B）左侧所示，使用相对于传播方向每隔1/2波长配置不同极性的电极的梳形电极。另一方面，在TE波的情况下，如图14的（B）右侧所示，由于传播方向为板厚方向，因此在薄板表背两面形成电极。这样，能够高效地激励或检测各个Lamb波、TE波。
两个谐振器在利用薄板的振动模式这方面是相同的，因此，能够形成在同一基板上。该情况下的两个振动模式的干涉如下所述。
首先，TE波是板厚方向的传播波，因此，对相邻的Lamb波谐振器侧造成影响的可能性较低。另一方面，Lamb波在薄板中传播，存在到达相邻的FBAR的可能性。因此，作为干涉，主要假设后者的情况。
但是，在后者的情况下，FBAR在表面和背面具有整面电极，其抵消伴随Lamb波传播的电压分布（衰减），因此，Lamb波很难传播到FBAR内部。因此，实质上可以忽略Lamb波振动对FBAR的影响。
图14的（C）是示出（A）所示的Lamb波谐振器和FBAR的电位分布的仿真结果。如图所示，在Lamb波中，在薄板表面交替激励符号（极性）不同的电压。
在具有这种特征的Lamb波侵入FBAR的情况下，在FBAR中，表面和背面内分别电短路，因此，不能产生周期性的电位分布。因此，Lamb波在侵入FBAR内的时点急剧衰减，实质上也可以忽略对FBAR的RF特性的影响。
<第2实施方式>
图7是示出本发明的第2实施方式的发送接收滤波器的结构的概略剖视图。下面，主要对与第1实施方式不同的结构进行说明，对与上述实施方式相同的结构标注相同标号并省略或简化其说明。
本实施方式的发送接收滤波器201具有发送用滤波器201T、接收用滤波器201R以及支承基板201s。发送用滤波器201T具有FBAR作为第1谐振器ER21，形成在支承基板201s上的第1区域R1中。接收用滤波器201R具有Lamb波器件作为第2谐振器ER22，形成在支承基板201s上的第2区域R2中。
第1谐振器ER21具有下部电极层231（第1电极层）、上部电极层232（第2电极层）以及压电层233（第1压电层）。下部电极层231、上部电极层232以及压电层233分别形成在支承基板201s的第1区域R1中，压电层233配置在下部电极层231与上部电极层232之间。
下部电极层231和上部电极层232的结构材料没有特别限定，例如由Ru（钌）、钼（Mo）等声阻抗高的金属材料构成。下部电极层231和上部电极层232的厚度也没有特别限定，例如为200nm左右。
压电层233例如由LT（钽酸锂）或LN（铌酸锂）等压电晶体基板构成。压电层233的厚度也没有特别限定，根据目标发送频带而适当设定，在本实施方式中为1000nm左右。
第1谐振器ER21还具有第1腔C1。第1腔C1以与下部电极层231相对的方式形成在支承基板201s的第1区域R1内。由此，在压电层233的两面形成振动的自由端。
第2谐振器ER22具有压电层243（第2压电层）和梳形电极层244。压电层243形成在支承基板201s的第2区域R2中，梳形电极层244形成在压电层243的表面。
压电层243与压电层233同样，例如由LT基板或LN基板构成。在本实施方式中，压电层243的厚度为与压电层233相同的厚度（1000nm左右）。在本实施方式中，压电层233和压电层243由共同的压电晶体基板250构成。
梳形电极层244与第1实施方式的梳形电极层144同样，包括一对梳形电极（IDT）以及隔着这一对梳形电极配置的一对反射器。梳形电极层244的结构材料没有特别限定，例如由Al（铝）、为了提高耐电力而包含微量Cu（铜）的Al-Cu合金、Cu、Ti（钛）、Cr（铬）金属等构成。构成梳形电极层244的IDT的电极间距根据目标接收频带而适当设定。梳形电极层244的厚度可以是与第1谐振器ER21的上部电极层232相同的厚度，但是，在本实施方式中，形成得比上部电极层232薄。
第2谐振器ER22还具有第2腔C2。第2腔C2以与压电层243相对的方式形成在支承基板201s的第2区域R2内。由此，在压电层243的两面形成振动的自由端。
支承基板201s由硅基板构成，共同支承发送用滤波器201T和接收用滤波器201R。支承基板201s与发送用滤波器201T和接收用滤波器201R从支承基板201s侧起，依次隔着粘接层222和绝缘膜221而相互接合。
如上所述构成的本实施方式的发送接收滤波器201通过搭载于电路基板10s中而构成双工器。根据本实施方式，发送用滤波器201T和接收用滤波器201R由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器ER21、ER22构成，因此，与第1实施方式同样，可提供能够防止两个滤波器间的振动干涉的单片发送接收滤波器和小型的双工器。
图8是说明本实施方式的发送接收滤波器201的制造方法的主要工序的概略剖视图。
首先，在规定厚度的压电基板250的背面（下表面）形成构图为规定形状的下部电极层231（图8的（A））。下部电极层231通过溅射法、真空蒸镀法等而成膜后，通过公知的光刻技术或提离法构图为规定形状。
接着，在包括下部电极层231的压电基板250的背面形成绝缘膜221（图8的（B））。绝缘膜221例如为氧化硅膜，例如通过真空蒸镀法、溅射法、CVD法等而成膜。厚度没有特别限定，例如为100nm左右。
接着，使绝缘膜221朝向支承基板201s侧，隔着粘接层222将压电基板250接合在支承基板201s上（图8的（C））。粘接层222例如由热塑性树脂、热固化性树脂等合成树脂材料构成，但是，也可以使用胶带等。
接着，根据需要使压电基板250薄板化为规定厚度（例如1000nm左右）（图8的（D））。结合第1谐振器ER21（FBAR）的中心频率来设定压电基板250的厚度。与第1实施方式同样，能够利用IDT间距对第2谐振器ER22（Lamb波器件）的中心频率进行调整，因此，能够使第1压电层233和第2压电层243的厚度相同，从而省去多余的加工工序。
薄板化工序例如使用CMP（Chemical Mechanical Polishing）技术。通过在与支承基板201s接合后对压电基板250进行薄板化，能够提高操作性。
然后，在压电基板250的上表面（表面）的规定位置形成隔着压电基板250而与下部电极层231相对的上部电极层232，进而，形成隔着压电基板250而与支承基板201s相对的梳形电极层244。然后，通过在支承基板201s分别形成第1腔C1和第2腔C2，制作出本实施方式的发送接收滤波器201（图8的（E））。
利用与上述第1实施方式相同的手法形成第1腔C1和第2腔C2。此时，也可以利用绝缘膜221和粘接层222的膜厚进行各谐振器ER21、ER22的中心频率的微调整。
根据本实施方式，能够统一进行FBAR（第1谐振器ER21）和Lamb波器件（第2谐振器ER22）中共同的构造部分的工序（例如压电层233、243的成膜以及第1腔C1和第2腔C2的形成）。通过统一进行共同部分的工序，与分别制作FBAR和Lamb波器件的情况相比，工序数减少，能够削减制造成本。
<第3实施方式>
图9是示出本发明的第3实施方式的发送接收滤波器的结构的概略剖视图。下面，主要对与第1实施方式不同的结构进行说明，对与上述实施方式相同的结构标注相同标号并省略或简化其说明。
本实施方式的发送接收滤波器301具有发送用滤波器301T、接收用滤波器301R以及支承基板301s。发送用滤波器301T具有SMR作为第1谐振器ER31，形成在支承基板301s上的第1区域R1中。接收用滤波器301R具有Lamb波器件作为第2谐振器ER32，形成在支承基板301s上的第2区域R2中。
第1谐振器ER31具有下部电极层331（第1电极层）、上部电极层332（第2电极层）以及压电层333（第1压电层）。下部电极层331、上部电极层332以及压电层333分别形成在支承基板301s的第1区域R1中，压电层333配置在下部电极层331与上部电极层332之间。
下部电极层331和上部电极层332的结构材料没有特别限定，例如由Ru（钌）、钼（Mo）等声阻抗高的金属材料构成。下部电极层331和上部电极层332的厚度也没有特别限定，例如为200nm左右。
压电层333例如由LT（钽酸锂）或LN（铌酸锂）等压电晶体基板构成。压电层333的厚度也没有特别限定，根据目标发送频带而适当设定，在本实施方式中为1000nm左右。
第1谐振器ER31还具有第1腔C3，该第1腔C3以与下部电极层331相对的方式形成在支承基板301s的第1区域R1内。在第1腔C3中配置有与下部电极层331连接的声学多层膜（声反射膜）336，该声学多层膜336是以弹性波的波长λ的1/4的厚度交替层叠低声阻抗层334和高声阻抗层335而得到的。
第2谐振器ER32具有压电层343（第2压电层）和梳形电极层344。压电层343形成在支承基板301s的第2区域R2中，梳形电极层344形成在压电层343的表面。
压电层343与压电层333同样，例如由LT基板或LN基板构成。在本实施方式中，压电层343的厚度为与压电层333相同的厚度（1000nm左右）。在本实施方式中，压电层333和压电层343由共同的压电晶体基板350构成。
梳形电极层344与第1实施方式的梳形电极层144同样，包括一对梳形电极（IDT）以及隔着这一对梳形电极配置的一对反射器。梳形电极层344的结构材料没有特别限定，例如由Al（铝）、为了提高耐电力而包含微量Cu（铜）的Al-Cu合金、Cu、Ti（钛）、Cr（铬）金属等构成。构成梳形电极层344的IDT的电极间距根据目标接收频带而适当设定。梳形电极层344的厚度可以是与第1谐振器ER31的上部电极层332相同的厚度，也可以形成得比上部电极层332薄。
第2谐振器ER32还具有第2腔C2。第2腔C2以与压电层343相对的方式形成在支承基板301s的第2区域R2内。由此，在压电层343的两面形成振动的自由端。
支承基板301s由硅基板构成，共同支承发送用滤波器301T和接收用滤波器301R。支承基板301s与发送用滤波器301T和接收用滤波器301R隔着粘接层322而相互接合。
如上所述构成的本实施方式的发送接收滤波器301通过搭载于电路基板10s中而构成双工器。根据本实施方式，发送用滤波器301T和接收用滤波器301R由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器ER31、ER32构成，因此，与第1实施方式同样，可提供能够防止两个滤波器间的振动干涉的单片发送接收滤波器和小型的双工器。
<第4实施方式>
图10是示出本发明的第4实施方式的发送接收滤波器的结构的概略剖视图。下面，主要对与第1实施方式不同的结构进行说明，对与上述实施方式相同的结构标注相同标号并省略或简化其说明。
本实施方式的发送接收滤波器401具有发送用滤波器401T、接收用滤波器401R以及支承基板401s。发送用滤波器401T具有SMR作为第1谐振器ER41，形成在支承基板401s上的第1区域R1中。接收用滤波器401R具有Lamb波器件作为第2谐振器ER42，形成在支承基板401s上的第2区域R2中。
本实施方式的发送接收滤波器401与上述第3实施方式的不同之处在于，第1谐振器ER41的压电层433（第1压电层）和第2谐振器ER42的压电层443（第2压电层）由通过溅射法而成膜的AlN等的压电薄膜构成。结合第1谐振器ER41的中心频率来设定该压电薄膜，例如为500nm左右。
第1谐振器ER41具有隔着压电层433而彼此相对的下部电极层431和上部电极层432以及与下部电极层431连接的声学多层膜（声反射层）436。下部电极层431和上部电极层432例如由Ru、Mo等金属材料构成，声学多层膜436具有低声阻抗层434和高声阻抗层435的层叠构造。
第2谐振器ER42由在压电层443上形成有梳形电极层444的Lamb波型器件构成，利用梳形电极层444的IDT间距对中心频率进行调整。在支承基板401s与压电层443之间形成有由硅氧化物等构成的绝缘膜，但是其图示省略。
如上所述构成的本实施方式的发送接收滤波器401通过搭载于电路基板10s中而构成双工器。根据本实施方式，发送用滤波器401T和接收用滤波器401R由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器ER41、ER42构成，因此，与第1实施方式同样，可提供能够防止两个滤波器间的振动干涉的单片发送接收滤波器和小型的双工器。
<第5实施方式>
以往，研究了具有腔构造的Lamb波器件，但是，近年来还开发出SMR型的Lamb波器件，可得到较高的特性。SMR型的Lamb波器件也能够应用于本发明的单片双工器。特别是在BAW部分为SMR型的情况下，通过使Lamb波器件部分也为SMR型，能够统一进行形成声学多层膜的工序，因此，能够简化工序。
图15是示出本发明的第5实施方式的发送接收滤波器的结构的概略剖视图。下面，主要对与第1实施方式不同的结构进行说明，对与上述实施方式相同的结构标注相同标号并省略或简化其说明。
本实施方式的发送接收滤波器501具有发送用滤波器501T、接收用滤波器501R以及支承基板501s。发送用滤波器501T具有SMR作为第1谐振器ER51，形成在支承基板501s上的第1区域R1中。接收用滤波器501R具有Lamb波器件作为第2谐振器ER52，形成在支承基板501s上的第2区域R2中。
本实施方式的发送接收滤波器501与上述第3实施方式的不同之处在于，第1谐振器ER51的压电层533（第1压电层）和第2谐振器ER52的压电层543（第2压电层）由通过溅射法而成膜的AlN等的压电薄膜构成。结合第1谐振器ER51的中心频率来设定该压电薄膜，例如为500nm左右。
发送接收滤波器501还具有形成在支承基板501s的第1区域R1和第2区域R2中的腔C4。在腔C4中配置有声学多层膜（声反射膜）536，该声学多层膜536是以弹性波的波长λ的1/4的厚度交替层叠低声阻抗层534和高声阻抗层535而得到的。
第1谐振器ER51具有隔着压电层533而彼此相对的下部电极层531和上部电极层532。下部电极层531配置在声学多层膜（声反射层）536上。下部电极层531和上部电极层532例如由Ru、Mo等金属材料构成。
第2谐振器ER52由在压电层543上形成有梳形电极层544的Lamb波型器件构成，利用梳形电极层544的IDT间距对中心频率进行调整。压电层543配置在声学多层膜536上。在SMR型的Lamb波器件中，通过使用层叠例如10层以上的低声阻抗层534和高声阻抗层而得到的声学多层膜536，能够充分闭入弹性波。
如上所述构成的本实施方式的发送接收滤波器501通过搭载于电路基板10s中而构成双工器。根据本实施方式，发送用滤波器501T和接收用滤波器501R由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器ER51、ER52构成，因此，与第1实施方式同样，可提供能够防止两个滤波器间的振动干涉的单片发送接收滤波器和小型的双工器。
以上说明了本发明的实施方式，但是，本发明不仅限于上述实施方式，当然能够在不脱离本发明主旨的范围内施加各种变更。
例如，在以上的实施方式中，发送用滤波器的谐振器由BAW谐振器（FBAR或SMR）构成，接收用滤波器的谐振器主要由Lamb波器件构成，但是不限于此，也可以是发送侧的谐振器由Lamb波器件构成，接收侧的谐振器由BAW谐振器构成。
并且，在以上的实施方式中，在支承基板一侧的表面分别形成发送用滤波器和接收用滤波器，但是不限于此，例如，也可以使发送用滤波器形成在支承基板一侧的表面，接收用滤波器形成在支承基板另一侧的表面。

Claims (15)

1.一种滤波器装置，其中，该滤波器装置具有：
第1滤波器，其包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器；
第2滤波器，其包括构成为以与所述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器；以及
支承基板，其共同支承所述第1滤波器和所述第2滤波器。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器是声体波型谐振器，
所述第2弹性波谐振器是兰姆波型谐振器或声表面波型谐振器。
3.根据权利要求2所述的滤波器装置，其中，
所述声体波型谐振器是压电薄膜谐振器。
4.根据权利要求2所述的滤波器装置，其中，
所述声体波型谐振器是声学多层膜谐振器。
5.一种滤波器装置，其中，该滤波器装置具有：
支承基板，其具有第1区域和形成在与所述第1区域相同的平面上的第2区域；
第1滤波器，其形成在所述第1区域内，包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器；以及
第2滤波器，其形成在所述第2区域内，包括构成为以与所述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器。
6.根据权利要求5所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器具有形成在所述第1区域内的第1电极层、形成在所述第1电极层上的第1压电层以及形成在所述第1压电层上的第2电极层，
所述第2弹性波谐振器具有形成在所述第2区域内的第2压电层和形成在所述第2压电层上的梳形电极层。
7.根据权利要求6所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器还具有第1腔部，该第1腔部形成在所述第1区域内且与所述第1电极层相对。
8.根据权利要求6所述的滤波器装置，其中，
所述第1弹性波谐振器还具有声学多层膜，该声学多层膜形成在所述第1区域内，与所述第1电极层相对。
9.根据权利要求6～8中的任意一项所述的滤波器装置，其中，
所述第2弹性波谐振器还具有第2腔部，该第2腔部形成在所述第2区域内且与所述第2压电层相对。
10.根据权利要求6～9中的任意一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1压电层和所述第2压电层以彼此相同的厚度形成。
11.根据权利要求6～10中的任意一项所述的滤波器装置，其中，
所述支承基板是硅基板。
12.一种滤波器装置的制造方法，其中，
在支承基板的第1面形成构图为规定形状的第1电极层，
在所述第1电极层和所述第1面上形成压电层，
在所述压电层中的形成在所述第1电极层上的第1压电层部上形成与所述第1电极层相对的第2电极层，
在所述压电层中的形成在所述第1面上的第2压电层部上形成梳状的第3电极层，
在所述支承基板的与所述第1面相对的第2面形成与所述第1电极层相对的第1腔部和与所述第2压电层部相对的第2腔部。
13.一种滤波器装置的制造方法，其中，
在压电基板的第1面形成构图为规定形状的第1电极层，
在所述第1面，隔着所述第1电极层接合支承基板，
在所述压电基板的与所述第1面相对的第2面，形成隔着所述压电基板而与所述第1电极层相对的第2电极层和隔着所述压电基板而与所述支承基板相对的梳状的第3电极层，
在所述支承基板形成与所述第1电极层相对的第1腔部和隔着所述压电基板而与所述第3电极层相对的第2腔部。
14.一种双工器，其中，该双工器具有：
发送用的第1滤波器，其包括构成为以第1振动模式谐振的第1弹性波谐振器；
接收用的第2滤波器，其包括构成为以与所述第1振动模式不同的第2振动模式谐振的第2弹性波谐振器；以及
支承基板，其共同支承所述第1滤波器和所述第2滤波器。
15.根据权利要求14所述的双工器，其中，
该双工器还具有安装所述支承基板的电路基板，
所述电路基板具有：
天线端，其共同连接所述第1滤波器和所述第2滤波器；以及
移相器，其设置在所述天线端与所述第2滤波器之间。
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