CN115296690B - 全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电子电器技术领域，提供了一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆。该全双工发射接收电路包括差模发射模块和接收提取模块，该差模发射模块包括两路结构相同的发射器；差模发射模块中第一路发射器的第一端与接收提取模块的第一端连接，第一路发射器的第二端与接收提取模块的第二端连接，差模发射模块中第二路发射器的第一端与接收提取模块的第三端连接，第二路发射器的第二端与接收提取模块的第四端连接；差模发射模块可以发射反向差分信号，而接收提取模块可以从包含正向差分信号和反向差分信号的混合信号中提取正向差分信号并输出。采用本发明的全双工发射接收电路，能够在单通道上实现全双工通信，同时传输速率快。

Description

全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆

技术领域

本发明涉及电子电器技术领域，特别是涉及一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆。

背景技术

SerDes(Serializer-Deserializer，串行器和解串器)是一种在发送端多路低速并行信号被转换成高速串行信号，经过传输媒体(比如光纤、同轴电缆等)后，在接收端高速串行信号重新转换成低速并行信号的通信技术。

目前，相关技术中串行器和解串器之间一般是单向通道，没有回传功能，比如HDMI(High Definition Multimedia Interface，高清晰度多媒体接口)和LVDS(Low VoltageDifferential Signaling，低电压差分信号)。即便有部分协议通过增设额外的信道来回传控制信息，比如DP(Display Port，显示接口)，但这种方式会增加成本，不利于广泛应用，具有局限性。

发明内容

基于此，有必要针对上述缺陷或不足，提供一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆，能够在单通道上实现全双工通信，同时传输速率快。

第一方面，本发明实施例提供了一种全双工发射接收电路，所述全双工发射接收电路包括差模发射模块和接收提取模块，所述差模发射模块包括两路结构相同的发射器；

所述差模发射模块中第一路发射器的第一端与所述接收提取模块的第一端连接，所述第一路发射器的第二端与所述接收提取模块的第二端连接，所述差模发射模块中第二路发射器的第一端与所述接收提取模块的第三端连接，所述第二路发射器的第二端与所述接收提取模块的第四端连接；

所述差模发射模块被配置为发射反向差分信号；

所述接收提取模块被配置为从包含正向差分信号和所述反向差分信号的混合信号中提取所述正向差分信号，并输出所述正向差分信号。

可选的，在本发明一些实施例中，所述第一路发射器包括第一发射单元和第一滤波单元；所述第一发射单元的第一端连接所述反向差分信号的输入端，所述第一发射单元的第二端分别与所述正向差分信号的第一输入端和所述第一滤波单元的第一端相连接，所述第一发射单元的第三端分别与所述正向差分信号的第二输入端和所述第一滤波单元的第二端相连接，所述第一滤波单元的第三端连接所述接收提取模块的第一端，所述第一滤波单元的第四端连接所述接收提取模块的第二端；

所述第二路发射器包括第二发射单元和第二滤波单元；所述第二发射单元的第一端连接所述反向差分信号的输入端，所述第二发射单元的第二端连接所述第二滤波单元的第一端，所述第二发射单元的第三端连接所述第二滤波单元的第二端，所述第二滤波单元的第三端连接所述接收提取模块的第三端，所述第二滤波单元的第四端连接所述接收提取模块的第四端。

可选的，在本发明一些实施例中，所述第一发射单元包括第一非门、第一场效应管、第一电流源、第一电阻、第二场效应管、第二电流源和第二电阻；

所述第一非门的输入端接入所述反向差分信号，所述第一非门的输出端连接所述第一场效应管的第一端，所述第一场效应管的第二端连接所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端接地，所述第一场效应管的第三端分别与所述正向差分信号的第一输入端和所述第一电阻的第一端相连接，所述第一电阻的第二端连接电源，所述第二场效应管的第一端接入所述反向差分信号，所述第二场效应管的第二端连接所述第二电流源的第一端，所述第二电流源的第二端接地，所述第二场效应管的第三端分别与所述正向差分信号的第二输入端和所述第二电阻的第一端相连接，所述第二电阻的第二端连接电源。

可选的，在本发明一些实施例中，所述第一场效应管和所述第二场效应管均为NMOS管；所述第一场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第一场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第一场效应管的第三端为NMOS管的漏极，以及所述第二场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第二场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第二场效应管的第三端为NMOS管的漏极。

可选的，在本发明一些实施例中，所述第一滤波单元包括第三电阻、第一电容、第四电阻、第五电阻、第二电容、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻；

所述第三电阻的第一端连接所述第一发射单元的第二端，所述第三电阻的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接所述第七电阻的第一端，所述第五电阻的第一端连接所述第一发射单元的第三端，所述第五电阻的第二端连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第六电阻的第一端，所述第六电阻的第二端连接所述第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端分别与所述第八电阻的第一端和所述第九电阻的第一端相连接，所述第八电阻的第二端接地，所述第九电阻的第二端连接电源。

可选的，在本发明一些实施例中，所述接收提取模块基于连续时间线性均衡架构。

可选的，在本发明一些实施例中，所述接收提取模块包括第三场效应管、第三电流源、第十电阻、第四场效应管、第四电流源、第十一电阻、第三电容、第十二电阻、第五场效应管、第五电流源和第六场效应管；

所述第三场效应管的第一端连接所述第一路发射器的第一端，所述第三场效应管的第二端连接所述第三电流源的第一端，所述第三电流源的第二端接地，所述第三场效应管的第三端分别与所述第十电阻的第一端和所述接收提取模块的第一输出端相连接，所述第十电阻的第二端连接电源，所述第四场效应管的第一端连接所述第一路发射器的第二端，所述第四场效应管的第二端连接所述第四电流源的第一端，所述第四电流源的第二端接地，所述第四场效应管的第三端分别与所述第十一电阻的第一端和所述接收提取模块的第二输出端相连接，所述第十一电阻的第二端连接电源，所述第三电容的第一端连接所述第三场效应管的第二端，所述第三电容的第二端连接所述第四场效应管的第二端，所述第十二电阻的第一端连接所述第三场效应管的第二端，所述第十二电阻的第二端连接所述第四场效应管的第二端，所述第五场效应管的第一端连接所述第二路发射器的第一端，所述第五场效应管的第二端连接所述第五电流源的第一端，所述第五电流源的第二端接地，所述第五场效应管的第三端连接所述第三场效应管的第三端，所述第六场效应管的第一端连接所述第二路发射器的第二端，所述第六场效应管的第二端连接所述第五电流源的第一端，所述第六场效应管的第三端连接所述第四场效应管的第三端。

第二方面，本发明实施例提供了一种解串电路芯片，所述解串电路芯片包括第一方面中任意一项所述的全双工发射接收电路。

第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括串行电路芯片、传输媒体以及第二方面所述的解串电路芯片，其中所述传输媒体设置在所述串行电路芯片与所述解串电路芯片之间。

第四方面，本发明实施例提供了一种车辆，所述车辆包括第三方面所述的电子设备。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：

本发明实施例所提供的全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆，在接收电路的基础上增加差模发射模块，并通过该差模发射模块发射反向差分信号，进而接收提取模块可以从包含正向差分信号和反向差分信号的混合信号中提取正向差分信号并输出，由此能够在单通道上实现全双工通信，结构简单，便于广泛应用，同时差分模式传输速率快，极大地提升了实时性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明实施例提供的一种全双工发射接收电路的应用框图；

图2为本发明实施例提供的另一种全双工发射接收电路的应用框图；

图3为本发明实施例提供的一种CTLE架构的示意图；

图4为本发明实施例提供的一种全双工发射接收电路的结构框图；

图5为本发明实施例提供的另一种全双工发射接收电路的结构框图；

图6为本发明实施例提供的一种全双工发射接收电路的具体示例；

图7为本发明实施例提供的一种解串电路芯片的结构框图；

图8为本发明实施例提供的一种电子设备的结构框图；

图9为本发明实施例提供的一种车辆的结构框图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或模块，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。

为了便于更好的理解本发明，现结合图1和图2所示的应用框图进行说明。示例性地，本发明实施例提供的基于CTLE(Continuous Time Linear Equalizer，连续时间线性均衡)架构的全双工发射接收电路可以应用在STP(Shielded Twisted Pair，屏蔽双绞线)传输模式或者COAX(Coaxial cable，同轴电缆)传输模式中，即发送端为Serializer(串行器)电路，接收端为Deserilalizer(解串器)电路，二者之间通过STP或者COAX等传输媒体进行信号传输。其中，FC表示正向通道，FC_driver表示正向驱动，FC_receiver表示正向接收，RC表示反向通道，RC_driver表示反向驱动，RC_receiver表示反向接收，TX表示发送以及RX表示接收。

进一步的，如图3所示本发明实施例提供的CTLE架构包括场效应管Q01、电流源A01、电阻R01、场效应管Q02、电流源A02、电阻R02、电容C01和电阻R03。其中，场效应管Q01的栅极通过端脚RX_P接入一路正向差分信号，场效应管Q01的源极连接电流源A01的第一端，电流源A01的第二端接地，场效应管Q01的漏极分别与端脚RX_OP和电阻R01的第一端相连接，电阻R01的第二端连接电源(VDD)，场效应管Q02的栅极通过端脚RX_N接入另一路正向差分信号，场效应管Q02的源极连接电流源A02的第一端，电流源A02的第二端接地，场效应管Q02的漏极分别与端脚RX_ON和电阻R02的第一端相连接，电阻R02的第二端连接电源(VDD)，电容C01的第一端连接场效应管Q01的源极，电容C01的第二端连接场效应管Q02的源极，电阻R03的第一端连接场效应管Q01的源极，电阻R03的第二端连接场效应管Q02的源极。

下面通过图4至图9详细的阐述本发明实施例提供的全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆。

请参考图4，其为本发明实施例提供的一种全双工发射接收电路的结构框图，该全双工发射接收电路10包括差模发射模块11和接收提取模块12，该差模发射模块11包括两路结构相同的发射器，该接收提取模块12基于连续时间线性均衡架构。其中，差模发射模块11中第一路发射器111的第一端与接收提取模块12的第一端连接，第一路发射器111的第二端与接收提取模块12的第二端连接，差模发射模块11中第二路发射器112的第一端与接收提取模块12的第三端连接，第二路发射器112的第二端与接收提取模块12的第四端连接。

示例性的，本发明实施例中全双工发射接收电路10首先通过差模发射模块11发射反向差分信号，然后通过接收提取模块12从包含正向差分信号和反向差分信号的混合信号中提取正向差分信号并输出。因此，本发明实施例通过全双工发射接收电路10中差模发射模块11和接收提取模块12这两个组成模块，能够在单通道上实现全双工通信，结构简单，便于广泛应用，同时差分模式传输速率快，极大地提升了实时性。

可选的，如图5所示，本发明一些实施例中第一路发射器111可以包括第一发射单元1111和第一滤波单元1112，其中第一发射单元1111的第一端连接反向差分信号的输入端，第一发射单元1111的第二端分别与正向差分信号的第一输入端和第一滤波单元1112的第一端相连接，第一发射单元1111的第三端分别与正向差分信号的第二输入端和第一滤波单元1112的第二端相连接，第一滤波单元1112的第三端连接接收提取模块12的第一端，第一滤波单元1112的第四端连接接收提取模块12的第二端。而第二路发射器112可以包括第二发射单元1121和第二滤波单元1122，其中第二发射单元1121的第一端连接反向差分信号的输入端，第二发射单元1121的第二端连接第二滤波单元1122的第一端，第二发射单元1121的第三端连接第二滤波单元1122的第二端，第二滤波单元1122的第三端连接接收提取模块12的第三端，第二滤波单元1122的第四端连接接收提取模块12的第四端。

示例性的，请参考图6，下面对全双工发射接收电路10中各个组成模块或者单元的具体电路结构进行详细说明。

比如，第一路发射器111中第一发射单元1111可以包括但不限于第一非门NG1、第一场效应管Q1、第一电流源A1、第一电阻R1、第二场效应管Q2、第二电流源A2和第二电阻R2，该第一电阻R1和第二电阻R2例如为50Ω。其中，第一非门NG1的输入端接入反向差分信号(对应RCH_TX)，第一非门NG1的输出端连接第一场效应管Q1的第一端，第一场效应管Q1的第二端连接第一电流源A1的第一端，第一电流源A1的第二端接地，第一场效应管Q1的第三端分别与正向差分信号的第一输入端(对应PAD_P)和第一电阻R1的第一端相连接，第一电阻R1的第二端连接电源(VDD18)，第二场效应管Q2的第一端接入反向差分信号(对应RCH_TX)，第二场效应管Q2的第二端连接第二电流源A2的第一端，第二电流源A2的第二端接地，第二场效应管Q2的第三端分别与正向差分信号的第二输入端(对应PAD_N)和第二电阻R2的第一端相连接，第二电阻R2的第二端连接电源(VDD18)。

可选的，本发明实施例中第一场效应管Q1和第二场效应管Q2均为NMOS管，则第一场效应管Q1的第一端为NMOS管的栅极(g)，第一场效应管Q1的第二端为NMOS管的源极(s)，第一场效应管Q1的第三端为NMOS管的漏极(d)，以及第二场效应管Q2的第一端为NMOS管的栅极(g)，第二场效应管Q2的第二端为NMOS管的源极(s)，第二场效应管Q2的第三端为NMOS管的漏极(d)。

再如，第一路发射器111中第一滤波单元1112可以包括但不限于第三电阻R3、第一电容C1、第四电阻R4、第五电阻R5、第二电容C2、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9。其中，第三电阻R3的第一端连接第一发射单元1111的第二端，第三电阻R3的第二端连接第一电容C1的第一端，第一电容C1的第二端(对应第一路发射器111的第一端，即RX_N)连接第四电阻R4的第一端，第四电阻R4的第二端连接第七电阻R7的第一端，第五电阻R5的第一端连接第一发射单元1111的第三端，第五电阻R5的第二端连接第二电容C2的第一端，第二电容C2的第二端(对应第一路发射器111的第二端，即RX_P)连接第六电阻R6的第一端，第六电阻R6的第二端连接第七电阻R7的第一端，第七电阻R7的第二端分别与第八电阻R8的第一端和第九电阻R9的第一端相连接，第八电阻R8的第二端接地，第九电阻R9的第二端连接电源(VDD12)。

同样的，第二路发射器112中第二发射单元1121可以包括但不限于非门NG1'、场效应管Q1'、电流源A1'、电阻R1'、场效应管Q2'、电流源A2'和电阻R2'，该电阻R1'和电阻R2'例如为50Ω。其中，非门NG1'的输入端接入反向差分信号(对应RCH_TX)，非门NG1'的输出端连接场效应管Q1'的第一端，场效应管Q1'的第二端连接电流源A1'的第一端，电流源A1'的第二端接地，场效应管Q1'的第三端连接电阻R1'的第一端，电阻R1'的第二端连接电源(VDD18)，第二场效应管Q2的第一端接入反向差分信号(对应RCH_TX)，场效应管Q2'的第二端连接电流源A2'的第一端，电流源A2'的第二端接地，场效应管Q2'的第三端连接电阻R2'的第一端相连接，电阻R2'的第二端连接电源(VDD18)。

可选的，本发明实施例中场效应管Q1'和场效应管Q2'均为NMOS管，则场效应管Q1'的第一端为NMOS管的栅极(g)，场效应管Q1'的第二端为NMOS管的源极(s)，场效应管Q1'的第三端为NMOS管的漏极(d)，以及场效应管Q2'的第一端为NMOS管的栅极(g)，场效应管Q2'的第二端为NMOS管的源极(s)，场效应管Q2'的第三端为NMOS管的漏极(d)。

以及，第二路发射器112中第二滤波单元1122可以包括但不限于电阻R3'、电容C1'、电阻R4'、电阻R5'、电容C2'、电阻R6'、电阻R7'、电阻R8'和电阻R9'。其中，电阻R3'的第一端连接第二发射单元1121的第二端，电阻R3'的第二端连接电容C1'的第一端，电容C1'的第二端(对应第二路发射器112的第一端，即RCH_RX_N)连接电阻R4'的第一端，电阻R4'的第二端连接电阻R7'的第一端，电阻R5'的第一端连接第二发射单元1121的第三端，电阻R5'的第二端连接电容C2'的第一端，电容C2'的第二端(对应第二路发射器112的第二端，即RCH_RX_P)连接电阻R6'的第一端，电阻R6'的第二端连接电阻R7'的第一端，电阻R7'的第二端分别与电阻R8'的第一端和电阻R9'的第一端相连接，电阻R8'的第二端接地，电阻R9'的第二端连接电源(VDD12)。

又如，接收提取模块12可以包括第三场效应管Q3、第三电流源A3、第十电阻R10、第四场效应管Q4、第四电流源A4、第十一电阻R11、第三电容C3、第十二电阻R12、第五场效应管Q5、第五电流源A5和第六场效应管Q6。其中，第三场效应管Q3的第一端(对应接收提取模块12的第一端)连接第一路发射器111的第一端(对应RX_N)，第三场效应管Q3的第二端连接第三电流源A3的第一端，第三电流源A3的第二端接地，第三场效应管Q3的第三端分别与第十电阻R10的第一端和接收提取模块12的第一输出端(对应RX_ON)相连接，第十电阻R10的第二端连接电源(VDD12)，第四场效应管Q4的第一端(对应接收提取模块12的第二端)连接第一路发射器111的第二端(对应RX_P)，第四场效应管Q4的第二端连接第四电流源A4的第一端，第四电流源A4的第二端接地，第四场效应管Q4的第三端分别与第十一电阻R11的第一端和接收提取模块12的第二输出端(对应RX_OP)相连接，第十一电阻R11的第二端连接电源(VDD12)，第三电容C3的第一端连接第三场效应管Q3的第二端，第三电容C3的第二端连接第四场效应管Q4的第二端，第十二电阻R12的第一端连接第三场效应管Q3的第二端，第十二电阻R12的第二端连接第四场效应管Q4的第二端，第五场效应管Q5的第一端(对应接收提取模块12的第三端)连接第二路发射器112的第一端(对应RCH_RX_N)，第五场效应管Q5的第二端连接第五电流源A5的第一端，第五电流源A5的第二端接地，第五场效应管Q5的第三端连接第三场效应管Q3的第三端，第六场效应管Q6的第一端(对应接收提取模块12的第四端)连接第二路发射器112的第二端(对应RCH_RX_P)，第六场效应管Q6的第二端连接第五电流源A5的第一端，第六场效应管Q6的第三端连接第四场效应管Q4的第三端。

可选的，本发明实施例中第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5和第六场效应管Q6均为NMOS管，则第三场效应管Q3的第一端为NMOS管的栅极(g)，第三场效应管Q3的第二端为NMOS管的源极(s)，第三场效应管Q3的第三端为NMOS管的漏极(d)，而第四场效应管Q4、第五场效应管Q5和第六场效应管Q6的管脚对应关系与第三场效应管Q3相同。

下面结合图6，对本发明实施例提供的全双工发射接收电路10的工作过程进行说明。第一路发射器111中反向共模信号RCH_TX通过第一场效应管Q1和第二场效应管Q2发射到端脚PAD_P和PAD_N上，而使用差模传输反向共模信号的速率可以比共模传输方式快很多，但这个信号如果直接发送至AFE(Active Front End，整流/回馈单元)进行放大接收必然会导致出错，因此本发明实施例增加了第二路发射器112，该第二路发射器112与第一路发射器111的结构相同，其中端脚RX_N和RX_P上包含正向差分信号和反向差分信号，而端脚RCH_RX_N和RCH_RX_P上只有反向差分信号。进一步地，经过第三场效应管Q3、第四场效应管Q4、第五场效应管Q5和第六场效应管Q6之后可以将混合信号中的反向差分信号减去，从而端脚RX_ON和RX_OP处就只有正向差分信号，便可以实现全双工通信。测试结果表明，基于40hm工艺，芯片实际测量实现了正向7Gbps高速接收，反向回传实现了25Mbps传输速度。

作为另一方面，本发明实施例还提供了一种解串电路芯片。如图7所示，该解串电路芯片20可以包括但不限于图3-图6对应实施例中的全双工发射接收电路10。

作为再一方面，本发明实施例还提供了一种电子设备。如图8所示，该电子设备30可以包括串行电路芯片31、传输媒体32以及图7对应实施例中解串电路芯片20。其中，传输媒体32设置在串行电路芯片31与解串电路芯片20之间，比如该传输媒体32可以为屏蔽双绞线或者同轴电缆等。

作为又一方面，本发明实施例还提供了一种车辆。如图9所示，该车辆40可以包括图8对应实施例中的电子设备30。

本发明实施例提供了一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆，在接收电路的基础上增加差模发射模块，并通过该差模发射模块发射反向差分信号，进而接收提取模块可以从包含正向差分信号和反向差分信号的混合信号中提取正向差分信号并输出，由此能够在单通道上实现全双工通信，结构简单，便于广泛应用，同时差分模式传输速率快，极大地提升了实时性。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种全双工发射接收电路，其特征在于，所述全双工发射接收电路包括差模发射模块和接收提取模块，所述差模发射模块包括两路结构相同的发射器；

所述差模发射模块中第一路发射器的第一端与所述接收提取模块的第一端连接，所述第一路发射器的第二端与所述接收提取模块的第二端连接，所述差模发射模块中第二路发射器的第一端与所述接收提取模块的第三端连接，所述第二路发射器的第二端与所述接收提取模块的第四端连接；

所述差模发射模块被配置为发射包含正向差分信号和反向差分信号的混合信号；

所述接收提取模块被配置为从包含正向差分信号和所述反向差分信号的混合信号中提取所述正向差分信号，并输出所述正向差分信号；

所述第一路发射器包括第一发射单元和第一滤波单元；所述第一发射单元的第一端连接所述反向差分信号的输入端，所述第一发射单元的第二端分别与所述正向差分信号的第一输入端和所述第一滤波单元的第一端相连接，所述第一发射单元的第三端分别与所述正向差分信号的第二输入端和所述第一滤波单元的第二端相连接，所述第一滤波单元的第三端连接所述接收提取模块的第一端，所述第一滤波单元的第四端连接所述接收提取模块的第二端；

所述第二路发射器包括第二发射单元和第二滤波单元；所述第二发射单元的第一端连接所述反向差分信号的输入端，所述第二发射单元的第二端连接所述第二滤波单元的第一端，所述第二发射单元的第三端连接所述第二滤波单元的第二端，所述第二滤波单元的第三端连接所述接收提取模块的第三端，所述第二滤波单元的第四端连接所述接收提取模块的第四端。

2.根据权利要求1所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第一发射单元包括第一非门、第一场效应管、第一电流源、第一电阻、第二场效应管、第二电流源和第二电阻；

所述第一非门的输入端接入所述反向差分信号，所述第一非门的输出端连接所述第一场效应管的第一端，所述第一场效应管的第二端连接所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端接地，所述第一场效应管的第三端分别与所述正向差分信号的第一输入端和所述第一电阻的第一端相连接，所述第一电阻的第二端连接电源，所述第二场效应管的第一端接入所述反向差分信号，所述第二场效应管的第二端连接所述第二电流源的第一端，所述第二电流源的第二端接地，所述第二场效应管的第三端分别与所述正向差分信号的第二输入端和所述第二电阻的第一端相连接，所述第二电阻的第二端连接电源。

3.根据权利要求2所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第一场效应管和所述第二场效应管均为NMOS管；所述第一场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第一场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第一场效应管的第三端为NMOS管的漏极，以及所述第二场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第二场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第二场效应管的第三端为NMOS管的漏极。

4.根据权利要求1所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第一滤波单元包括第三电阻、第一电容、第四电阻、第五电阻、第二电容、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第九电阻；

所述第三电阻的第一端连接所述第一发射单元的第二端，所述第三电阻的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接所述第七电阻的第一端，所述第五电阻的第一端连接所述第一发射单元的第三端，所述第五电阻的第二端连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第六电阻的第一端，所述第六电阻的第二端连接所述第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端分别与所述第八电阻的第一端和所述第九电阻的第一端相连接，所述第八电阻的第二端接地，所述第九电阻的第二端连接电源。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述接收提取模块基于连续时间线性均衡架构。

6.根据权利要求5所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述接收提取模块包括第三场效应管、第三电流源、第十电阻、第四场效应管、第四电流源、第十一电阻、第三电容、第十二电阻、第五场效应管、第五电流源和第六场效应管；

所述第三场效应管的第一端连接所述第一路发射器的第一端，所述第三场效应管的第二端连接所述第三电流源的第一端，所述第三电流源的第二端接地，所述第三场效应管的第三端分别与所述第十电阻的第一端和所述接收提取模块的第一输出端相连接，所述第十电阻的第二端连接电源，所述第四场效应管的第一端连接所述第一路发射器的第二端，所述第四场效应管的第二端连接所述第四电流源的第一端，所述第四电流源的第二端接地，所述第四场效应管的第三端分别与所述第十一电阻的第一端和所述接收提取模块的第二输出端相连接，所述第十一电阻的第二端连接电源，所述第三电容的第一端连接所述第三场效应管的第二端，所述第三电容的第二端连接所述第四场效应管的第二端，所述第十二电阻的第一端连接所述第三场效应管的第二端，所述第十二电阻的第二端连接所述第四场效应管的第二端，所述第五场效应管的第一端连接所述第二路发射器的第一端，所述第五场效应管的第二端连接所述第五电流源的第一端，所述第五电流源的第二端接地，所述第五场效应管的第三端连接所述第三场效应管的第三端，所述第六场效应管的第一端连接所述第二路发射器的第二端，所述第六场效应管的第二端连接所述第五电流源的第一端，所述第六场效应管的第三端连接所述第四场效应管的第三端。

7.一种解串电路芯片，其特征在于，所述解串电路芯片包括权利要求1至6中任意一项所述的全双工发射接收电路。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括串行电路芯片、传输媒体以及权利要求7所述的解串电路芯片，其中所述传输媒体设置在所述串行电路芯片与所述解串电路芯片之间。

9.一种车辆，其特征在于，所述车辆包括权利要求8所述的电子设备。