CN117914344A - 全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆 - Google Patents

Abstract

本公开涉及电子电器技术领域，提供了一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆。该全双工发射接收电路包括第一发射模块、第二发射模块、高通滤波模块和放大模块，其通过增加一路可与第一发射模块发射相同反向差分信号的第二发射模块以及在放大模块之前设置高通滤波模块，进而该高通滤波模块能够根据第二发射模块发送的反向差分信号，将混合信号中第一发射模块发送的反向差分信号滤除，并向放大模块输出正向差分信号以进行放大，由此实现了在同一信道上的全双工通信，无需额外增设信道，成本低，适用范围广泛。

Description

全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆

技术领域

本公开涉及电子电器技术领域，特别是涉及一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆。

背景技术

SERDES(SERializer-DESERializer，串行器和解串器)是一种在发送端多路低速并行信号被转换成高速串行信号，经过传输媒体(比如光纤、同轴电缆等)后，在接收端高速串行信号重新转换成低速并行信号的通信技术。

目前，相关技术中串行器和解串器之间一般是单向通道，也就是说不具有回传功能，即便有部分协议通过增设额外信道来回传控制信息，比如DP(Display Port，显示接口)，但这种方式会显著增加成本，不利于广泛应用。

发明内容

基于此，有必要针对上述缺陷或不足，提供一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆，能够在同一信道上实现全双工通信，降低成本。

第一方面，本公开实施例提供了一种全双工发射接收电路，所述全双工发射接收电路包括第一发射模块、第二发射模块、高通滤波模块和放大模块；

所述第一发射模块的第一端接入一路正向差分信号并连接所述高通滤波模块的第一端，所述第一发射模块的第二端接入另一路正向差分信号并连接所述高通滤波模块的第二端，所述第一发射模块的第三端接入反向差分信号并连接所述第二发射模块的第一端，所述第一发射模块的第四端连接所述第二发射模块的第二端，所述第二发射模块的第三端连接所述高通滤波模块的第三端，所述第二发射模块的第四端连接所述高通滤波模块的第四端，所述高通滤波模块的第五端连接所述放大模块的第一端，所述高通滤波模块的第六端连接所述放大模块的第二端；

所述第一发射模块被配置为接收正向差分信号，并将包含所述正向差分信号和所述反向差分信号的混合信号发送至所述高通滤波模块；所述第二发射模块被配置为发送所述反向差分信号至所述高通滤波模块；

所述高通滤波模块被配置为根据所述第二发射模块发送的反向差分信号，将所述混合信号中所述第一发射模块发送的反向差分信号滤除，并向所述放大模块输出所述正向差分信号以进行放大。

可选地，在本公开一些实施例中，所述第一发射模块包括第一反相器、第一场效应管、第一电阻、第二电阻和第二场效应管；

所述第一反相器的第一端接入所述反向差分信号，并连接所述第二场效应管的第一端以及所述第二发射模块的第一端，所述第一反相器的第二端连接所述第一场效应管的第一端以及所述第二发射模块的第二端，所述第一场效应管的第二端接地，所述第一场效应管的第三端接入所述一路正向差分信号，并连接所述第一电阻的第一端以及所述高通滤波模块的第一端，所述第一电阻的第二端连接电源，所述第二场效应管的第二端接地，所述第二场效应管的第三端接入所述另一路正向差分信号，并连接所述第二电阻的第一端以及所述高通滤波模块的第二端，所述第二电阻的第二端连接电源。

可选地，在本公开一些实施例中，所述第二发射模块包括第三场效应管、第三电阻、第四电阻和第四场效应管；

所述第三场效应管的第一端连接所述第一发射模块的第四端，所述第三场效应管的第二端接地，所述第三场效应管的第三端连接所述第三电阻的第一端以及所述高通滤波模块的第三端，所述第三电阻的第二端连接电源，所述第四场效应管的第一端连接所述第一发射模块的第三端，所述第四场效应管的第二端接地，所述第四场效应管的第三端连接所述高通滤波模块的第四端以及所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接电源。

可选地，在本公开一些实施例中，所述第三场效应管和所述第四场效应管均为NMOS管；

所述第三场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第三场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第三场效应管的第三端为NMOS管的漏极，以及所述第四场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第四场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第四场效应管的第三端为NMOS管的漏极。

可选地，在本公开一些实施例中，所述高通滤波模块包括第五电阻、第一电容、第六电阻、第二电容、第七电阻、第三电容、第八电阻、第四电容、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻；

所述第五电阻的第一端连接所述第一发射模块的第一端，所述第五电阻的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第九电阻的第一端以及所述放大模块的第一端，所述第六电阻的第一端连接所述第一发射模块的第二端，所述第六电阻的第二端连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第十电阻的第一端以及所述放大模块的第二端，所述第七电阻的第一端连接所述第二发射模块的第四端，所述第七电阻的第二端连接所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接所述第一电容的第二端，所述第八电阻的第一端连接所述第二发射模块的第三端，所述第八电阻的第二端连接所述第四电容的第一端，所述第四电容的第二端连接所述第二电容的第二端，所述第九电阻的第二端连接所述第十电阻的第二端以及所述第十一电阻的第一端，所述第十一电阻的第二端连接所述第十二电阻的第一端以及所述第十三电阻的第一端，所述第十二电阻的第二端连接电源，所述第十三电阻的第二端接地。

可选地，在本公开一些实施例中，所述放大模块为基于连续时间线性均衡架构的电路。

可选地，在本公开一些实施例中，所述放大模块包括第五场效应管、第十四电阻、第五电容、第十五电阻、第一电流源、第六场效应管、第十六电阻和第二电流源；

所述第五场效应管的第一端连接所述高通滤波模块的第五端，所述第五场效应管的第二端连接所述第五电容的第一端、所述第十五电阻的第一端以及所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端接地，所述第五场效应管的第三端连接所述第十四电阻的第一端，所述第十四电阻的第二端连接电源，所述第六场效应管的第一端连接所述高通滤波模块的第六端，所述第六场效应管的第二端连接所述第五电容的第二端、所述第十五电阻的第二端以及所述第二电流源的第一端，所述第二电流源的第二端接地，所述第六场效应管的第三端连接所述第十六电阻的第一端，所述第十六电阻的第二端连接电源。

第二方面，本公开实施例提供了一种解串电路芯片，所述解串电路芯片包括第一方面中任意一项所述的全双工发射接收电路。

第三方面，本公开实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括串行电路芯片、传输媒体以及第二方面所述的解串电路芯片，其中所述传输媒体设置在所述串行电路芯片与所述解串电路芯片之间。

第四方面，本公开实施例提供了一种车辆，所述车辆包括第三方面所述的电子设备。

从以上技术方案可以看出，本公开实施例具有以下优点：

本公开实施例提供了一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆，通过增加一路可与第一发射模块发射相同反向差分信号的第二发射模块以及在放大模块之前设置高通滤波模块，进而该高通滤波模块能够根据第二发射模块发送的反向差分信号，将混合信号中第一发射模块发送的反向差分信号滤除，并向放大模块输出正向差分信号以进行放大，由此实现了在同一信道上的全双工通信，无需额外增设信道，成本低，适用范围广泛。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本公开实施例提供的一种全双工发射接收电路的应用框图；

图2为本公开实施例提供的另一种全双工发射接收电路的应用框图；

图3为本公开实施例提供的一种CTLE架构的示意图；

图4为本公开实施例提供的一种全双工发射接收电路的结构框图；

图5为本公开实施例提供的一种全双工发射接收电路的具体示例；

图6为本公开实施例提供的一种解串电路芯片的结构框图；

图7为本公开实施例提供的一种电子设备的结构框图；

图8为本公开实施例提供的一种车辆的结构框图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本公开方案，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。

本公开的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便描述的本公开的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。

此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或模块，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。

为了便于更好地理解本公开，现结合图1和图2所示的应用框图进行说明。示例性地，本公开实施例提供的基于CTLE(Continuous Time Linear Equalizer，连续时间线性均衡)架构的全双工发射接收电路可以应用在STP(Shielded Twisted Pair，屏蔽双绞线)传输模式或者COAX(Coaxial cable，同轴电缆)传输模式中，即发送端为Serializer(串行器)电路，接收端为Deserilalizer(解串器)电路，二者之间通过STP或者COAX等传输媒体进行信号传输。其中，FC表示正向通道，FC_driver表示正向驱动，FC_receiver表示正向接收，RC表示反向通道，RC_driver表示反向驱动，RC_receiver表示反向接收，TX表示发送以及RX表示接收。

进一步地，如图3所示本公开实施例提供的CTLE架构包括场效应管Q01、电流源A01、电阻R01、场效应管Q02、电流源A02、电阻R02、电容C01和电阻R03。其中，场效应管Q01的栅极通过端脚RX_P接入一路正向差分信号，场效应管Q01的源极连接电流源A01的第一端，电流源A01的第二端接地，场效应管Q01的漏极分别与端脚RX_OP和电阻R01的第一端相连接，电阻R01的第二端连接电源(VDD)，场效应管Q02的栅极通过端脚RX_N接入另一路正向差分信号，场效应管Q02的源极连接电流源A02的第一端，电流源A02的第二端接地，场效应管Q02的漏极分别与端脚RX_ON和电阻R02的第一端相连接，电阻R02的第二端连接电源(VDD)，电容C01的第一端连接场效应管Q01的源极，电容C01的第二端连接场效应管Q02的源极，电阻R03的第一端连接场效应管Q01的源极，电阻R03的第二端连接场效应管Q02的源极。

下面通过图4至图8详细地阐述本公开实施例提供的全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆。

请参考图4，其为本公开实施例提供的一种全双工发射接收电路的结构框图，该全双工发射接收电路1包括第一发射模块11、第二发射模块12、高通滤波模块13和放大模块14，其中第一发射模块11的第一端接入一路正向差分信号并连接高通滤波模块13的第一端，第一发射模块11的第二端接入另一路正向差分信号并连接高通滤波模块13的第二端，第一发射模块11的第三端接入反向差分信号并连接第二发射模块12的第一端，第一发射模块11的第四端连接第二发射模块12的第二端，第二发射模块12的第三端连接高通滤波模块13的第三端，第二发射模块12的第四端连接高通滤波模块13的第四端，高通滤波模块13的第五端连接放大模块14的第一端，高通滤波模块13的第六端连接放大模块14的第二端。实际使用时，第一发射模块11能够接收正向差分信号，并将包含正向差分信号和反向差分信号的混合信号发送至高通滤波模块13，第二发射模块12能够发送反向差分信号至高通滤波模块13，而高通滤波模块13能够根据第二发射模块12发送的反向差分信号，将混合信号中第一发射模块11发送的反向差分信号滤除，并向放大模块14输出正向差分信号以进行放大。

示例性地，请参考图5，下面对全双工发射接收电路1中各个组成模块的具体电路结构进行详细说明。

比如，第一发射模块11可以包括但不限于第一反相器B1、第一场效应管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2和第二场效应管Q2，该第一电阻R1和第二电阻R2例如为50Ω。其中，第一反相器B1的第一端(对应第一发射模块11的第三端)接入反向差分信号(对应RCH_TX)，并连接第二场效应管Q2的第一端以及第二发射模块12的第一端，第一反相器B1的第二端(对应第一发射模块11的第四端)连接第一场效应管Q1的第一端以及第二发射模块12的第二端，第一场效应管Q1的第二端接地，第一场效应管Q1的第三端(对应第一发射模块11的第一端)接入一路正向差分信号，并连接第一电阻R1的第一端以及高通滤波模块13的第一端，第一电阻R1的第二端连接电源(VDD18)，第二场效应管Q2的第二端接地，第二场效应管Q2的第三端(对应第一发射模块11的第二端)接入另一路正向差分信号，并连接第二电阻R2的第一端以及高通滤波模块13的第二端，第二电阻R2的第二端连接电源(VDD18)。

可选地，本公开实施例中第一场效应管Q1和第二场效应管Q2均为NMOS管，则第一场效应管Q1的第一端为NMOS管的栅极(g)，第一场效应管Q1的第二端为NMOS管的源极(s)，第一场效应管Q1的第三端为NMOS管的漏极(d)，以及第二场效应管Q2的第一端为NMOS管的栅极(g)，第二场效应管Q2的第二端为NMOS管的源极(s)，第二场效应管Q2的第三端为NMOS管的漏极(d)。

再如，第二发射模块12可以包括但不限于第三场效应管Q3、第三电阻R3、第四电阻R4和第四场效应管Q4。其中，第三场效应管Q3的第一端(对应第二发射模块12的第二端)连接第一发射模块11的第四端，第三场效应管Q3的第二端接地，第三场效应管Q3的第三端(对应第二发射模块12的第三端)连接第三电阻R3的第一端以及高通滤波模块13的第三端，第三电阻R3的第二端连接电源(VDD18)，第四场效应管Q4的第一端(对应第二发射模块12的第一端)连接第一发射模块11的第三端，第四场效应管Q4的第二端接地，第四场效应管Q4的第三端(对应第二发射模块12的第四端)连接高通滤波模块13的第四端以及第四电阻R4的第一端，第四电阻R4的第二端连接电源(VDD18)。

可选地，本公开实施例中第三场效应管Q3和第四场效应管Q4均为NMOS管，则第三场效应管Q3的第一端为NMOS管的栅极(g)，第三场效应管Q3的第二端为NMOS管的源极(s)，第三场效应管Q3的第三端为NMOS管的漏极(d)，以及第四场效应管Q4的第一端为NMOS管的栅极(g)，第四场效应管Q4的第二端为NMOS管的源极(s)，第四场效应管Q4的第三端为NMOS管的漏极(d)。

又如，高通滤波模块13可以包括但不限于第五电阻R5、第一电容C1、第六电阻R6、第二电容C2、第七电阻R7、第三电容C3、第八电阻R8、第四电容C4、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12和第十三电阻R13。其中，第五电阻R5的第一端(对应高通滤波模块13的第一端)连接第一发射模块11的第一端，第五电阻R5的第二端连接第一电容C1的第一端，第一电容C1的第二端(对应高通滤波模块13的第五端)连接第九电阻R9的第一端以及放大模块14的第一端(对应RX_P)，第六电阻R6的第一端(对应高通滤波模块13的第二端)连接第一发射模块11的第二端，第六电阻R6的第二端连接第二电容C2的第一端，第二电容C2的第二端(对应高通滤波模块13的第六端)连接第十电阻R10的第一端以及放大模块14的第二端(对应RX_N)，第七电阻R7的第一端(对应高通滤波模块13的第四端)连接第二发射模块12的第四端，第七电阻R7的第二端连接第三电容C3的第一端，第三电容C3的第二端连接第一电容C1的第二端，第八电阻R8的第一端(对应高通滤波模块13的第三端)连接第二发射模块12的第三端，第八电阻R8的第二端连接第四电容C4的第一端，第四电容C4的第二端连接第二电容C2的第二端，第九电阻R9的第二端连接第十电阻R10的第二端以及第十一电阻R11的第一端，第十一电阻R11的第二端连接第十二电阻R12的第一端以及第十三电阻R13的第一端，第十二电阻R12的第二端连接电源(VDD12)，第十三电阻R13的第二端接地。

另如，放大模块14为基于连续时间线性均衡架构的电路，其可以包括但不限于第五场效应管Q5、第十四电阻R14、第五电容C5、第十五电阻R15、第一电流源A1、第六场效应管Q6、第十六电阻R16和第二电流源A2。其中，第五场效应管Q5的第一端(对应放大模块14的第一端，即RX_P)连接高通滤波模块13的第五端，第五场效应管Q5的第二端连接第五电容C5的第一端、第十五电阻R15的第一端以及第一电流源A1的第一端，第一电流源A1的第二端接地，第五场效应管Q5的第三端(对应输出端口RX_OP)连接第十四电阻R14的第一端，第十四电阻R14的第二端连接电源(VDD12)，第六场效应管Q6的第一端(对应放大模块14的第二端，即RX_N)连接高通滤波模块13的第六端，第六场效应管Q6的第二端连接第五电容C5的第二端、第十五电阻R15的第二端以及第二电流源A2的第一端，第二电流源A2的第二端接地，第六场效应管Q6的第三端(对应输出端口RX_ON)连接第十六电阻R16的第一端，第十六电阻R16的第二端连接电源(VDD12)。

可选地，本公开实施例中第五场效应管Q5和第六场效应管Q6均为NMOS管，则第五场效应管Q5的第一端为NMOS管的栅极(g)，第五场效应管Q5的第二端为NMOS管的源极(s)，第五场效应管Q5的第三端为NMOS管的漏极(d)，以及第六场效应管Q6的第一端为NMOS管的栅极(g)，第六场效应管Q6的第二端为NMOS管的源极(s)，第六场效应管Q6的第三端为NMOS管的漏极(d)。

下面结合图5，对本公开实施例提供的全双工发射接收电路1的工作过程进行说明。第一发射模块11通过第一场效应管Q1和第二场效应管Q2将反向差分信号RCH_TX发射到端脚PAD_P和PAD_N，而作为正向差分信号接收端的PAD_P和PAD_N，其处还存在上游串行电路芯片发送过来的正向差分信号，但这个信号如果直接发送至AFE(Active Front End，整流/回馈单元)进行放大接收必然会导致出错，因此本公开实施例增加了第二发射模块12以及高通滤波模块13，经过滤波过程，最终输入AFE的只有正向高速差分信号，实现了全双工通信。

作为另一方面，本公开实施例还提供了一种解串电路芯片。如图6所示，该解串电路芯片2可以包括但不限于图4～图5对应实施例中的全双工发射接收电路1。

作为再一方面，本公开实施例还提供了一种电子设备。如图7所示，该电子设备3可以包括串行电路芯片31、传输媒体32以及图6对应实施例中解串电路芯片2。其中，传输媒体32设置在串行电路芯片31与解串电路芯片2之间，比如该传输媒体32可以为屏蔽双绞线或者同轴电缆等。

作为又一方面，本公开实施例还提供了一种车辆。如图8所示，该车辆4可以包括图7对应实施例中的电子设备3。

本公开实施例提供的全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆，通过增加一路可与第一发射模块发射相同反向差分信号的第二发射模块以及在放大模块之前设置高通滤波模块，进而该高通滤波模块能够根据第二发射模块发送的反向差分信号，将混合信号中第一发射模块发送的反向差分信号滤除，并向放大模块输出正向差分信号以进行放大，由此实现了在同一信道上的全双工通信，无需额外增设信道，成本低，适用范围广泛。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。

Claims (10)

1.一种全双工发射接收电路，其特征在于，所述全双工发射接收电路包括第一发射模块、第二发射模块、高通滤波模块和放大模块；

所述第一发射模块的第一端接入一路正向差分信号并连接所述高通滤波模块的第一端，所述第一发射模块的第二端接入另一路正向差分信号并连接所述高通滤波模块的第二端，所述第一发射模块的第三端接入反向差分信号并连接所述第二发射模块的第一端，所述第一发射模块的第四端连接所述第二发射模块的第二端，所述第二发射模块的第三端连接所述高通滤波模块的第三端，所述第二发射模块的第四端连接所述高通滤波模块的第四端，所述高通滤波模块的第五端连接所述放大模块的第一端，所述高通滤波模块的第六端连接所述放大模块的第二端；

所述第一发射模块被配置为接收正向差分信号，并将包含所述正向差分信号和所述反向差分信号的混合信号发送至所述高通滤波模块；所述第二发射模块被配置为发送所述反向差分信号至所述高通滤波模块；

所述高通滤波模块被配置为根据所述第二发射模块发送的反向差分信号，将所述混合信号中所述第一发射模块发送的反向差分信号滤除，并向所述放大模块输出所述正向差分信号以进行放大。

2.根据权利要求1所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第一发射模块包括第一反相器、第一场效应管、第一电阻、第二电阻和第二场效应管；

所述第一反相器的第一端接入所述反向差分信号，并连接所述第二场效应管的第一端以及所述第二发射模块的第一端，所述第一反相器的第二端连接所述第一场效应管的第一端以及所述第二发射模块的第二端，所述第一场效应管的第二端接地，所述第一场效应管的第三端接入所述一路正向差分信号，并连接所述第一电阻的第一端以及所述高通滤波模块的第一端，所述第一电阻的第二端连接电源，所述第二场效应管的第二端接地，所述第二场效应管的第三端接入所述另一路正向差分信号，并连接所述第二电阻的第一端以及所述高通滤波模块的第二端，所述第二电阻的第二端连接电源。

3.根据权利要求1所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第二发射模块包括第三场效应管、第三电阻、第四电阻和第四场效应管；

所述第三场效应管的第一端连接所述第一发射模块的第四端，所述第三场效应管的第二端接地，所述第三场效应管的第三端连接所述第三电阻的第一端以及所述高通滤波模块的第三端，所述第三电阻的第二端连接电源，所述第四场效应管的第一端连接所述第一发射模块的第三端，所述第四场效应管的第二端接地，所述第四场效应管的第三端连接所述高通滤波模块的第四端以及所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端连接电源。

4.根据权利要求3所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第三场效应管和所述第四场效应管均为NMOS管；

所述第三场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第三场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第三场效应管的第三端为NMOS管的漏极，以及所述第四场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第四场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第四场效应管的第三端为NMOS管的漏极。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述高通滤波模块包括第五电阻、第一电容、第六电阻、第二电容、第七电阻、第三电容、第八电阻、第四电容、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻；

所述第五电阻的第一端连接所述第一发射模块的第一端，所述第五电阻的第二端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第九电阻的第一端以及所述放大模块的第一端，所述第六电阻的第一端连接所述第一发射模块的第二端，所述第六电阻的第二端连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第十电阻的第一端以及所述放大模块的第二端，所述第七电阻的第一端连接所述第二发射模块的第四端，所述第七电阻的第二端连接所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接所述第一电容的第二端，所述第八电阻的第一端连接所述第二发射模块的第三端，所述第八电阻的第二端连接所述第四电容的第一端，所述第四电容的第二端连接所述第二电容的第二端，所述第九电阻的第二端连接所述第十电阻的第二端以及所述第十一电阻的第一端，所述第十一电阻的第二端连接所述第十二电阻的第一端以及所述第十三电阻的第一端，所述第十二电阻的第二端连接电源，所述第十三电阻的第二端接地。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述放大模块为基于连续时间线性均衡架构的电路。

7.根据权利要求6所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述放大模块包括第五场效应管、第十四电阻、第五电容、第十五电阻、第一电流源、第六场效应管、第十六电阻和第二电流源；

所述第五场效应管的第一端连接所述高通滤波模块的第五端，所述第五场效应管的第二端连接所述第五电容的第一端、所述第十五电阻的第一端以及所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端接地，所述第五场效应管的第三端连接所述第十四电阻的第一端，所述第十四电阻的第二端连接电源，所述第六场效应管的第一端连接所述高通滤波模块的第六端，所述第六场效应管的第二端连接所述第五电容的第二端、所述第十五电阻的第二端以及所述第二电流源的第一端，所述第二电流源的第二端接地，所述第六场效应管的第三端连接所述第十六电阻的第一端，所述第十六电阻的第二端连接电源。

8.一种解串电路芯片，其特征在于，所述解串电路芯片包括权利要求1至7中任意一项所述的全双工发射接收电路。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括串行电路芯片、传输媒体以及权利要求8所述的解串电路芯片，其中所述传输媒体设置在所述串行电路芯片与所述解串电路芯片之间。

10.一种车辆，其特征在于，所述车辆包括权利要求9所述的电子设备。