CN111371429A - 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构 - Google Patents

控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构 Download PDF

Info

Publication number
CN111371429A
CN111371429A CN201811602834.4A CN201811602834A CN111371429A CN 111371429 A CN111371429 A CN 111371429A CN 201811602834 A CN201811602834 A CN 201811602834A CN 111371429 A CN111371429 A CN 111371429A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
electrode
cavity
layer
output electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811602834.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111371429B (zh
Inventor
秦晓珊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Smic Ningbo Co ltd Shanghai Branch
Original Assignee
Smic Ningbo Co ltd Shanghai Branch
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Smic Ningbo Co ltd Shanghai Branch filed Critical Smic Ningbo Co ltd Shanghai Branch
Priority to CN201811602834.4A priority Critical patent/CN111371429B/zh
Priority to JP2021525267A priority patent/JP2022507088A/ja
Priority to US17/417,932 priority patent/US20220094337A1/en
Priority to PCT/CN2019/117790 priority patent/WO2020134665A1/zh
Publication of CN111371429A publication Critical patent/CN111371429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111371429B publication Critical patent/CN111371429B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0557—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H2003/0071—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of bulk acoustic wave and surface acoustic wave elements in the same process
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

一种控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构。该方法包括：提供基底，基底形成有控制电路；在基底上形成第一空腔和第二空腔；提供SAW谐振片和BAW谐振结构，SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，BAW谐振结构包括第三空腔；将SAW谐振片的表面朝向基底，使SAW谐振片键合于基底且封闭第一空腔；将BAW谐振结构的表面朝向基底，使BAW谐振结构键合于基底且封闭第二空腔；将控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。本发明可通过设于基底的控制电路对声波滤波器进行控制，可避免现有声波滤波器作为分立器件集成于PCB导致的电连接工艺复杂、插入损耗大等问题。

Description

控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构
技术领域
本发明涉及声波滤波器技术领域，特别涉及一种控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构。
背景技术
SAW是在压电基片材料表面产生并传播，且振幅随着深入基片材料的深度增加而迅速减少的一种弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料上制作两个声电换能器－梳状电极叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)，分别用作发射换能器和接收换能器。SAW滤波器的工作频段一般在800MHz～2GHz，带宽为17MHz～30MHz。由于其选择型好、频带宽、性能稳定、可靠性高，已经成为目前应用最广泛的射频滤波器。
BAW滤波器是一种基于体声波理论、利用声学谐振实现电学滤波的器件，通过电极间的压电层(AlN、ZnO等)在垂直方向上的谐振进行滤波。空腔型BAW滤波器是目前应用最成功的BAW滤波器，其主体结构为上电极、压电层和下电极组成的三明治结构，上电极和下电极的两侧均设有空腔，当声波信号行进到上电极的顶端和下电极的底端时，由于声阻抗的巨大差异，造成声波的全反射。这种BAW滤波器的声泄露小，可实现器件的高Q值。BAW滤波器的工作频段一般在2GHz～6GHz。
SAW和BAW的工作频段不同，可组合使用以满足不同频段信号的滤波需求。进行封装时，一般将单个的SAW滤波器以及BAW滤波器封装为分立器件，再集成于印刷电路板(PCB)上。出于使用需求，往往需要在一个PCB板上集成多个滤波器。这种单独封装再进行系统集成的方式带来SIP接线复杂、插入损耗大等问题，且需要引入分立的开关、选择、控制器件对滤波器进行控制，提高了工艺复杂度和制造成本。
发明内容
本发明的目的是提出一种控制电路与声波滤波器的集成方法和相应的集成结构，以克服现有SAW滤波器以及BAW滤波器封装和集成过程中SIP接线复杂、插入损耗大的问题。
本发明一方面提出一种控制电路与声波滤波器的集成方法，包括：
提供基底，所述基底形成有控制电路；
在所述基底上形成第一空腔和第二空腔；
提供SAW谐振片和BAW谐振结构，所述SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，所述BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，所述BAW谐振结构包括第三空腔；
将所述SAW谐振片的所述表面朝向所述基底，使所述SAW谐振片键合于所述基底且封闭所述第一空腔，以及将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底，使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第二空腔；
将所述控制电路与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接。
可选地，所述基底包括衬底及形成在所述衬底上的第一介质层；
所述在所述基底上形成第一空腔和第二空腔包括：
在所述第一介质层内形成所述第一空腔和第二空腔。
可选地，所述衬底包括SOI衬底、硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、砷化镓衬底之一。
可选地，所述控制电路包括器件结构及与所述器件结构电连接的第一互连结构层，所述第一互连结构层位于所述第一介质层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接。
可选地，所述器件结构包括MOS器件。
可选地，将所述控制电路与所述第一输入电极、所述第一输出电极电连接包括：
在键合所述SAW谐振片之后，将所述第一互连结构层与所述第一输入电极、第一输出电极电连接；或者
在键合所述SAW谐振片之前，在所述第一互连结构层上形成第一重布线层及第一焊垫；
在键合所述SAW谐振片后，将所述第一焊垫与所述第一输入电极、所述第一输出电极电连接，以使所述第一输入电极、第一输出电极通过所述第一焊垫、所述第一重布线层与所述控制电路电连接。
可选地，将所述控制电路与所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接包括：
在键合所述BAW谐振结构之后，将所述第一互连结构层与所述第二输入电极、第二输出电极电连接；或者
在键合所述BAW谐振结构之前，在所述第一互连结构层上形成第二重布线层及第二焊垫；
在键合所述BAW谐振结构之后，将所述第二焊垫与所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接，以使所述第二输入电极、第二输出电极通过所述第二焊垫、所述第二重布线层与所述控制电路电连接。
可选地，将所述SAW谐振片的所述表面朝向所述基底，使所述SAW谐振片键合于所述基底且封闭所述第一空腔，以及将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底，使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第二空腔的步骤包括：
在所述基底的表面、所述第一空腔和所述第二空腔的外周分别形成第一粘合结构和第二粘合结构；
通过所述第一粘合结构将所述SAW谐振片粘结于所述基底；
通过所述第二粘合结构将所述BAW谐振结构粘结于所述基底。
可选地，所述第一粘合结构和/或第二粘合结构包括干膜。
可选地，通过曝光显影在所述干膜中形成所述第一空腔和/或第二空腔。
通过丝网印刷图案化的粘结层形成所述第一粘合结构和第二粘合结构。
可选地，所述集成方法还包括：
在所述基底的背面形成第三重布线层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极、所述控制电路电连接。
可选地，所述第三重布线层包括I/O焊垫。
可选地，在键合所述SAW谐振片和BAW谐振结构之后，还包括：
形成封装层，所述封装层覆盖所述基底、所述SAW谐振片和所述BAW谐振结构。
可选地，所述集成方法还包括：
在所述封装层上形成第四重布线层，与所述第一输入电极、第二输入电极、第一输出电极、第二输出电极、控制电路电连接。
可选地，所述第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极均包括焊垫。
本发明另一方面提供一种控制电路与声波滤波器的集成结构，包括：
基底，所述基底形成有控制电路，所述基底上形成有第一空腔和第二空腔；
SAW谐振片和BAW谐振结构，所述SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，所述SAW谐振片的所述表面朝向所述基底而键合于所述基底且封闭所述第一空腔，所述BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，所述BAW谐振结构包括第三空腔，所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底而键合于所述基底且封闭所述第二空腔；
所述控制电路与所述第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。
可选地，所述基底包括衬底及形成在所述衬底上的第一介质层；所述第一空腔和第二空腔形成于所述第一介质层内；
或者，所述基底与所述SAW谐振片通过第一粘合结构键合，所述第一空腔形成于所述第一粘合结构内；所述基底与所述BAW谐振结构通过第二粘合结构键合，所述第二空腔形成于所述第二粘合结构内。
可选地，所述第一粘合结构和/或第二粘合结构为干膜。
可选地，所述衬底包括SOI衬底、硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、砷化镓衬底之一。
可选地，所述控制电路包括器件结构及与所述器件结构电连接的第一互连结构层，所述第一互连结构层位于所述第一介质层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接。
可选地，所述器件结构包括MOS器件。
可选地，所述基底上形成有第一重布线层、第二重布线层、第一焊垫、第二焊垫，所述第一焊垫与所述第一输入电极、第一输出电极电连接，以使所述第一输入电极、第一输出电极通过所述第一焊垫、所述第一重布线层与所述控制电路电连接，所述第二焊垫与所述第二输入电极、第二输出电极电连接，以使所述第二输入电极、第二输出电极通过所述第二焊垫、所述第二重布线层与所述控制电路电连接。
可选地，所述集成结构还包括形成于所述基底的背面的第三重布线层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极、所述控制电路电连接。
可选地，所述第三重布线层包括I/O焊垫。
可选地，所述集成结构还包括封装层，所述封装层覆盖所述基底、所述SAW谐振片和所述BAW谐振结构。
可选地，所述集成结构还包括形成于所述封装层上的第四重布线层，与所述第一输入电极、第二输入电极、第一输出电极、第二输出电极、控制电路电连接。
可选地，所述第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极均包括焊垫。
本发明的有益效果在于在基底上形成控制电路和SAW滤波器和BAW滤波器所需要的空腔，再将已有SAW谐振片和BAW谐振结构安装于空腔，实现控制电路对声波滤波器的控制，从而可以避免现有SAW滤波器以及BAW滤波器作为分立器件集成于PCB导致的电连接工艺复杂、插入损耗大等问题，集成度高、降低工艺成本。
本发明具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本发明的特定原理。
附图说明
通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本发明示例性实施例中，相同的附图标记通常代表相同部件。
图1～图7分别显示根据本发明第一实施例的控制电路与声波滤波器的集成方法的各个流程；
图8～图10分别显示根据本发明第二实施例的控制电路与声波滤波器的集成方法的进行滤波器的电连接的各个流程。
附图标记说明：
101-硅衬底，102-绝缘层，103-硅顶层；201-源极，202-漏极，203-栅极，204-栅介质层；301-压电基片，302-梳状电极，303-第一电极，304-第二电极，305-压电层，306-硅片，307-第三空腔，308-第一支撑基片，309第二支撑基片；401-第一介质层，402-第一空腔，403-封装层，404-第一导电柱，405-第一线路层，406-第一重布线层，407-第一焊垫，408-第一粘合结构，409-第四重布线层，410-第二导电柱，411-I/O焊垫，412-第二空腔，413-第二粘合结构，414-第二重布线层，415-第二焊垫；501-第三导电柱，502-第二线路层，503-第三重布线层。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明。虽然附图中显示了本发明的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。
为了解决现有声波滤波器的封装集成中接线复杂、插入损耗大等问题，本发明实施例提出一种控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构。
根据本发明实施例的控制电路与声波滤波器的集成方法，包括：提供基底，基底形成有控制电路；在基底上形成第一空腔和第二空腔；提供SAW谐振片和BAW谐振结构，SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，BAW谐振结构包括第三空腔；将SAW谐振片的表面朝向基底，使SAW谐振片键合于基底且封闭第一空腔；将BAW谐振结构的表面朝向基底，使BAW谐振结构键合于基底且封闭第二空腔；将控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。
根据本发明实施例的集成方法在基底上形成控制电路和声波滤波器所需要的空腔，再将已有SAW谐振片和BAW谐振结构安装于空腔，实现控制电路对声波滤波器的控制，从而可以避免现有声波滤波器作为分立器件集成于PCB导致的电连接工艺复杂、插入损耗大等问题，集成度高、降低工艺成本。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示例图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间大小。
图1至图7分别显示根据本发明第一实施例的控制电路与声波滤波器的集成方法的各个流程，该集成方法包括以下步骤：
S1：参考图1至图4所示，提供基底，基底形成有控制电路。
参考图1和图2所示，在本实施例中，基底包括衬底及形成在衬底上的第一介质层401。可选地，衬底包括SOI衬底、硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、砷化镓衬底之一。本领域技术人员也可以根据基底上形成的控制电路选择衬底的类型。在本实施例中，衬底为SOI衬底。
SOI(Silicon-on-Insulator)即绝缘体上硅，其结构可以是绝缘硅衬底加顶层单晶硅层的双层结构，也可以是以绝缘层为中间层(称为埋层)的三明治结构。在进行器件制作时，仅使用顶层的薄硅层作为器件制作层，形成源极、漏极、沟道区等结构，而硅衬底仅起支撑作用。三明治结构中埋层将器件制作层与硅衬底在电学上隔离开，从而减少硅衬底对器件性能的影响。SOI在器件性能上具有减小寄生电容、降低功耗、消除闩锁效应等优点。目前获得SOI衬底的典型工艺是智能剥离(Smart-cutTM)工艺。本实施例选用SOI衬底以利用SOI的上述优点。
仍然参考图1所示，在本实施例中，SOI衬底包括硅衬底101、位于硅衬底101上的绝缘层102和位于绝缘层102上的硅顶层103，或者SOI衬底可以是绝缘层加顶层硅的双层结构。
仍然参考图2所示，第一介质层401为低K介质材料层，例如氧化硅层。可通过化学气相沉积(CVP)形成第一介质层401，第一介质层401用于形成声波滤波器工作所必需的空腔。
在本实施例中，控制电路包括器件结构及与器件结构电连接的第一互连结构层，第一互连结构层位于第一介质层401。器件结构包括MOS器件，例如MOS开关，MOS开关可以是nMOS或者pMOS开关。仍参考图1所示，MOS开关包括源极201、漏极202和栅极203，还包括硅顶层103表面的栅介质层204或栅介质区，以隔离源极、漏极和栅极。可通过浅掺杂源漏极(LowDose Drain，简称LDD)工艺和源漏极注入(Source/Drain Implantation，简称S/D IMP)在顶层硅中形成源极201和漏极202。
在本实施例中，控制电路分别电连接SAW谐振片和BAW谐振结构。
参考图3所示，可选地，第一互连结构层包括依次与器件结构电连接的第一导电柱404和第一线路层405。在本实施例中，首先形成贯穿第一介质层401的第一通孔和设于第一介质层表面的第一沟槽，然后在第一通孔和第一沟槽内填充电连接材料，以形成第一导电柱404和第一线路层405。
可通过刻蚀形成贯穿第一介质层401的第一通孔和设于第一介质层401表面的第一沟槽，第一沟槽定义了局部互连金属的路径，然后通过淀积(例如溅射)在第一通孔和第一沟槽内填充电连接材料，电连接材料优选为铜、钨、钛等。在本实施例中，在硅顶层103上形成了栅介质层204，因此第一通孔还贯穿栅介质层204。
参考图4所示，可选的，在第一互连结构层不适宜直接电连接第一输入电极、第一输出电极的情况下，在基底上形成第一重布线层406、第一焊垫407，第一焊垫407通过第一重布线层406与控制电路的第一线路层电连接；在第一互连结构层不适宜直接电连接第二输入电极、第二输出电极的情况下，在基底上形成第二重布线层414及第二焊垫415，第二焊垫415通过第二重布线层414与第一线路层405电连接；或者，也可以在基底上同时形成第一重布线层406、第一焊垫407、第二重布线层414、第二焊垫415。可通过淀积同时形成第一重布线层406和第二重布线层414，并类似的通过刻蚀、淀积同时形成第一焊垫407和第二焊垫415。
S2：参考图5所示，在基底上形成第一空腔和第二空腔。
参考图5所示，在本实施例中，通过刻蚀在第一介质层401上形成向内凹陷的第一空腔402和第二空腔412。
仍然参考图5所示，可选地，在基底表面形成第一粘合结构408和第二粘合结构413，以用于实现后续SAW谐振片和BAW谐振结构与基底的键合。第一粘合结构408和第二粘合结构413可以是干膜或者其他类型的芯片连接膜。可选地，在基底上形成空腔之前，在加热加压的条件下，在基底表面粘贴一层干膜，然后对干膜进行图形化，再通过对干膜进行曝光显影以及刻蚀第一介质层401在基底上形成向内凹陷的第一空腔402和第二空腔412，保留下来的干膜部分形成第一粘合结构408和第二粘合结构413。可选地，通过丝网印刷图案化的粘结层形成第一粘合结构408和第二粘合结构413。粘结层的材料通常采用环氧树脂。通过丝网印刷的方法，可以直接在基底表面形成图案化的粘结层，不需要光刻版、曝光和显影等步骤来实现图案化。
可选地，当基底上形成有第一重布线层406和第二重布线层414时，在基底上形成空腔之前，在加热加压的条件下，在第一重布线层406和第二重布线层414表面粘贴一层干膜，然后对干膜进行图形化，再通过刻蚀干膜、第一介质层401在基底上形成向内凹陷的第一空腔402和第二空腔412，保留下来的干膜部分形成第一粘合结构408和第二粘合结构413。
可选地，在第一空腔402和第二空腔412的深度较小时，可以在第一粘合结构408中形成第一空腔402，在第二粘合结构413中形成第二空腔413。
S3：参考图5所示，提供SAW谐振片和BAW谐振结构，SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，BAW谐振结构包括第三空腔。
如图5所示，SAW谐振片包括压电基片301、设于压电基片301上的一对梳状电极302，第一输入电极和第一输出电极(未显示)分别与一对梳状电极302电连接，可选地，第一输入电极和第一输出电极均包括焊垫。一对梳状电极302分别用作发射换能器和接收换能，发射换能器将电信号转换为声表面波，在压电基片301表面上传播，经过一定的延迟后，接收换能器将声波信号转换为电信号输出。滤波过程在电到声和声到电的转换中实现。
仍然参考图5所示，BAW谐振结构包括第一支撑基片308、第二支撑基片309、设于第一支撑基片308和第二支撑基片309之间的第一电极303和第二电极304、以及设于第一电极303和第二电极304之间的压电层305，第一支撑基片308的外侧面上设有第二输入电极和第二输出电极(未示出)，第二输入电极和第二输出电极分别与第一电极303和第二电极304电连接。此外，为了保证BAW滤波器的正常工作，在第二支撑基片309的外侧面设有硅片306，硅片306上设有第三空腔307。集成之后，第三空腔307作为本领域通常所指的下空腔，第二空腔412作为本领域通常所指的上空腔。
第一电极303和第二电极304的材料可为Mo、Al等，其厚度一般为100nm～200nm。压电层305的材料通常为PZT(锆钛酸铅压电陶瓷)、ZnO或AlN，其厚度通常为1～2μm。第一支撑基片308和第二支撑基片309通常采用Si3N4、AlN材料，其机械强度高，化学性能稳定，声速较高，对中心频率的影响较小。第一支撑基片308和第二支撑基片309的厚度一般为100nm～200nm。
S4：将SAW谐振片的表面朝向基底，使SAW谐振片键合于基底且封闭第一空腔，以及将BAW谐振结构的表面朝向所述基底，使BAW谐振结构键合于基底且封闭第二空腔。
参考图5所示，在本实施例中，第一输入电极和第一输出电极位于压电基片301的第一表面，键合时，使第一表面朝向第一空腔402，使SAW谐振片键合于基底且封闭第一空腔402。同样，第二输入电极和第二输出电极位于第一支撑基片308的外侧面，键合时，使该外侧面朝向第二空腔412，使BAW谐振结构键合于基底且封闭第二空腔412。
可选地，在基底的表面、第一空腔402和第二空腔412的外周分别形成有第一粘合结构408和第二粘合结构413。通过第一粘合结构408将SAW谐振片的压电基片301粘结于基底，从而使SAW谐振片键合于基底且封闭第一空腔402，同时通过第二粘合结构413将BAW谐振结构的第一支撑基片308粘结于基底，从而使BAW谐振结构键合于基底且封闭第二空腔412。通过第一粘合结构408和第二粘合结构413可以分别将压电基片301和第一支撑基片308牢固地固定于基底。
S5：将控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。
在步骤S1中提到，控制电路可以包括器件结构及与器件结构电连接的第一互连结构层，第一互连结构层位于第一介质层401。相应地，将控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接包括在键合SAW谐振片之后，将第一互连结构层分别与第一输入电极、第二输出电极电连接，以及在键合BAW谐振结构之后，将第一互连结构层与第二输入电极、第二输出电极电连接。
仍然参考图5所示，可选的，基底上形成有第一重布线层406、第一焊垫407、第二重布线层414及第二焊垫415。相应地，将控制电路与第一输入电极、第一输出电极电连接包括：
在键合SAW谐振片之前，在第一互连结构层上形成第一重布线层406及第一焊垫407；
在键合SAW谐振片后，将第一焊垫407与第一输入电极、第一输出电极电连接，以使第一输入电极、第一输出电极通过第一焊垫407、第一重布线层406与控制电路电连接。
将控制电路与第二输入电极、第二输出电极电连接包括：
在键合BAW谐振结构之前，在第一互连结构层上形成第二重布线层414及第二焊垫415；
在键合BAW谐振结构之后，将第二焊垫415与第二输入电极、第二输出电极电连接，以使第二输入电极、第二输出电极通过第二焊垫415、第二重布线层414与控制电路电连接。
通过以上步骤S1至S5实现了控制电路与声波滤波器的集成。在本实施例中，该集成方法还可以包括以下步骤S6至S8：
S6：参考图6所示，形成封装层403，封装层覆盖基底、SAW谐振片和BAW谐振结构。可以通过塑封(molding)方法形成封装层403，塑封采用的材料可为环氧树脂。
S7：参考图7所示，去除硅衬底101，以减薄集成结构。在本实施例中，可通过化学机械抛光(CMP)去除硅衬底101。
S8：仍然参考图7所示，在封装层403上形成第四重布线层，与第一输入电极、第二输入电极、第一输出电极、第二输出电极、控制电路电连接。
具体地，形成贯穿封装层403的第二通孔，在第二通孔内填充电连接材料，以形成第二导电柱410，然后在封装层403上形成第四重布线层409，第四重布线层409与第二导电柱410电连接。第四重布线层409还包括I/O焊垫411。类似地，可通过刻蚀形成第二通孔，通过淀积(例如溅射)在第二通孔内填充电连接材料(例如铜)，以形成第二导电柱410。I/O焊垫411可连接外部电源。
本实施例获得的集成结构如图7所示。
根据本发明第二实施例的控制电路与声波滤波器的集成方法也包括前述步骤S1至S7，其与第一实施例的差别在于步骤S8。参考图8至图10所示，根据本发明第二实施例的集成方法包括在步骤S7之后执行以下步骤：
在基底的背面形成第三重布线层503，与第一输入电极、第二输入电极、第一输出电极、第二输出电极、控制电路电连接。
具体地，参考图8和图9所示，在图8显示的形成有封装层403且去除了硅衬底101的集成结构中形成贯穿绝缘层102、硅顶层103和第一介质层401的第三通孔，在第三通孔内填充电连接材料，以形成第三导电柱501，第三导电柱501与第一互连结构层405电连接，在绝缘层表面形成第二线路层502，与第三导电柱501电连接；
参考图10所示，在绝缘层102表面形成与第二线路层502、第三导电柱501依次电连接的第三重布线层503，第三重布线层503还包括I/O焊垫411。
本发明实施例还提供一种控制电路与声波滤波器的集成结构，包括：基底，基底形成有控制电路，基底上形成有第一空腔和第二空腔；SAW谐振片和BAW谐振结构，SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，SAW谐振片的表面朝向基底而键合于基底且封闭第一空腔，BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，BAW谐振结构包括第三空腔，BAW谐振结构的表面朝向基底而键合于基底且封闭第二空腔；控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。
根据本发明实施例的集成结构通过形成于基底的控制电路实现对声波滤波器的控制，从而可以避免现有声波滤波器作为分立器件集成于PCB导致的电连接工艺复杂、插入损耗大等问题，集成度高、降低工艺成本
参考图7所示，根据本发明第一实施例的控制电路与声波滤波器的集成结构包括：
基底，基底形成有控制电路，基底上形成有第一空腔402和第二空腔412；
SAW谐振片和BAW谐振结构，SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，SAW谐振片的表面朝向基底而键合于基底且封闭第一空腔402，BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，BAW谐振结构包括第三空腔307，BAW谐振结构的表面朝向基底而键合于基底且封闭第二空腔412；
控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。
在本实施例中，基底包括衬底及形成在衬底上的第一介质层401，其中衬底为SOI衬底；SOI衬底包括绝缘层102和位于绝缘层102上的硅顶层103。
控制电路包括器件结构及与器件结构电连接的第一互连结构层。器件结构包括MOS开关，MOS开关包括形成于SOI衬底的硅顶层103内的源极201和漏极202，以及形成于硅顶层103上的栅介质层204和栅极203。
第一互连结构层位于第一介质层401，与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接；具体地，第一互连结构层包括依次与器件结构电连接的第一导电柱404和第一线路层405。第一空腔402和第二空腔412形成于第一介质层401内。
SAW谐振片括压电基片301、设于压电基片301上的一对梳状电极302以及分别与一对梳状电极电连接的第一输入电极和第一输出电极，可选地，第一输入电极和第一输出电极均包括焊垫。
BAW谐振结构包括第一支撑基片308、第二支撑基片309、设于第一支撑基片308和第二支撑基片309之间的第一电极303和第二电极304、以及设于第一电极303和第二电极304之间的压电层305，第一支撑基片308的外侧面上设有第二输入电极和第二输入电极(未示出)，第二输入电极和第二输入电极分别与第一电极303和第二电极304电连接。此外，为了保证BAW滤波器的正常工作，在第二支撑基片309的外侧面设有硅片306，硅片306上设有第三空腔307。可选地，第二输入电极和第二输出电极均包括焊垫。
在本实施例中，集成结构还包括形成于基底上的第一重布线层406及第一焊垫407，第一焊垫407与第一输入电极、第一输出电极电连接，以使第一输入电极、第一输出电极通过第一焊垫407、第一重布线层406与控制电路电连接。集成结构还包括第二重布线层414及第二焊垫415，第二焊垫415与第二输入电极、第二输出电极电连接，以使第二输入电极、第二输出电极通过第二焊垫415、第二重布线层414与控制电路电连接。
基底与SAW谐振片通过第一粘合结构408键合，第一粘合结构408设于第一重布线层406上、第一空腔402的外周，可选地，第一粘合结构408为干膜或者通过丝网印刷形成的粘结层，或者其他芯片连接膜。
基底与BAW谐振结构通过第二粘合结构413键合，第二粘合结构413设于第二重布线层413上、第二空腔412的外周，可选地，第二粘合结构413为干膜或者通过丝网印刷形成的粘结层，或者其他芯片连接膜。
可选地，第一粘合结构408和第二粘合结构413均为环形。
在本实施例中，集成结构还包括封装层403，封装层403覆盖基底、SAW谐振片和BAW谐振结构。
在本实施例中，集成结构还包括第四重布线层409，与第一输入电极、第二输出电极、第二输入电极、第二输出电极、控制电路电连接。具体地，第四重布线层409与贯穿封装层403的第二导电柱410电连接，第四重布线层409还包括I/O焊垫411。
参考图10所示，根据本发明第二实施例的控制电路与声波滤波器的集成结构包括：
基底，基底形成有控制电路，基底上形成有第一空腔402和第二空腔412；
SAW谐振片和BAW谐振结构，SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，SAW谐振片的表面朝向基底而键合于基底且封闭第一空腔402，BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，BAW谐振结构包括第三空腔307，BAW谐振结构的表面朝向基底而键合于基底且封闭第二空腔412；
控制电路与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。
在本实施例中，基底包括衬底及形成在衬底上的第一介质层401，其中衬底为SOI衬底；SOI衬底包括绝缘层102和位于绝缘层102上的硅顶层103。
控制电路包括器件结构及与器件结构电连接的第一互连结构层。器件结构包括MOS开关，MOS开关包括形成于SOI衬底的硅顶层103内的源极201和漏极202，以及形成于硅顶层103上的栅介质层204和栅极203。
第一互连结构层位于第一介质层401，与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接；具体地，第一互连结构层包括依次与器件结构电连接的第一导电柱404和第一线路层405。第一空腔402和第二空腔412形成于第一介质层401内。
SAW谐振片括压电基片301、设于压电基片301上的一对梳状电极302以及分别与一对梳状电极电连接的第一输入电极和第一输出电极，可选地，第一输入电极和第一输出电极均包括焊垫。
BAW谐振结构包括第一支撑基片308、第二支撑基片309、设于第一支撑基片308和第二支撑基片309之间的第一电极303和第二电极304、以及设于第一电极303和第二电极304之间的压电层305，第一支撑基片308的外侧面上设有第二输入电极和第二输入电极(未示出)，第二输入电极和第二输入电极分别与第一电极303和第二电极304电连接。此外，为了保证BAW滤波器的正常工作，在第二支撑基片309的外侧面设有硅片306，硅片306上设有第三空腔307。可选地，第二输入电极和第二输出电极均包括焊垫。
在本实施例中，集成结构还包括形成于基底上的第一重布线层406及第一焊垫407，第一焊垫407与第一输入电极、第一输出电极电连接，以使第一输入电极、第一输出电极通过第一焊垫407、第一重布线层406与控制电路电连接。集成结构还包括第二重布线层414及第二焊垫415，第二焊垫415与第二输入电极、第二输出电极电连接，以使第二输入电极、第二输出电极通过第二焊垫415、第二重布线层414与控制电路电连接。
基底与SAW谐振片通过环形的第一粘合结构408键合，第一粘合结构408设于第一重布线层406上、第一空腔402的外周，可选地，第一粘合结构408为干膜或者通过丝网印刷形成的粘结层，或者其他芯片连接膜。
基底与BAW谐振结构通过环形的第二粘合结构413键合，第二粘合结构413设于第二重布线层413上、第二空腔412的外周，可选地，第二粘合结构413为干膜或者通过丝网印刷形成的粘结层，或者其他芯片连接膜。
可选地，第一粘合结构408和第二粘合结构413均为环形。
在本实施例中，集成结构还包括封装层403，封装层403覆盖基底、SAW谐振片和BAW谐振结构。
在本实施例中，集成结构还包括形成于基底的背面的第三重布线层503，与第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极控制电路电连接。具体地，第三重布线层503设于绝缘层102表面，与贯穿基底的第三导电柱501以及设于绝缘层表面的第二线路层502电连接，第三导电柱501与第一互连结构层405电连接，第三重布线层503还包括I/O焊垫411。
以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。

Claims (28)

1.一种控制电路与声波滤波器的集成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底形成有控制电路；
在所述基底上形成第一空腔和第二空腔；
提供SAW谐振片和BAW谐振结构，所述SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，所述BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，所述BAW谐振结构包括第三空腔；
将所述SAW谐振片的所述表面朝向所述基底，使所述SAW谐振片键合于所述基底且封闭所述第一空腔，以及将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底，使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第二空腔；
将所述控制电路与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接。
2.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，所述基底包括衬底及形成在所述衬底上的第一介质层；
所述在所述基底上形成第一空腔和第二空腔包括：
在所述第一介质层内形成所述第一空腔和第二空腔。
3.根据权利要求2所述的集成方法，其特征在于，所述衬底包括SOI衬底、硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、砷化镓衬底之一。
4.根据权利要求2所述的集成方法，其特征在于，所述控制电路包括器件结构及与所述器件结构电连接的第一互连结构层，所述第一互连结构层位于所述第一介质层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接。
5.根据权利要求4所述的集成方法，其特征在于，所述器件结构包括MOS器件。
6.根据权利要求4所述的集成方法，其特征在于，将所述控制电路与所述第一输入电极、所述第一输出电极电连接包括：
在键合所述SAW谐振片之后，将所述第一互连结构层与所述第一输入电极、第一输出电极电连接；或者
在键合所述SAW谐振片之前，在所述第一互连结构层上形成第一重布线层及第一焊垫；
在键合所述SAW谐振片后，将所述第一焊垫与所述第一输入电极、所述第一输出电极电连接，以使所述第一输入电极、第一输出电极通过所述第一焊垫、所述第一重布线层与所述控制电路电连接。
7.根据权利要求6所述的集成方法，其特征在于，将所述控制电路与所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接包括：
在键合所述BAW谐振结构之后，将所述第一互连结构层与所述第二输入电极、第二输出电极电连接；或者
在键合所述BAW谐振结构之前，在所述第一互连结构层上形成第二重布线层及第二焊垫；
在键合所述BAW谐振结构之后，将所述第二焊垫与所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接，以使所述第二输入电极、第二输出电极通过所述第二焊垫、所述第二重布线层与所述控制电路电连接。
8.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，将所述SAW谐振片的所述表面朝向所述基底，使所述SAW谐振片键合于所述基底且封闭所述第一空腔，以及将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底，使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第二空腔的步骤包括：
在所述基底的表面、所述第一空腔和所述第二空腔的外周分别形成第一粘合结构和第二粘合结构；
通过所述第一粘合结构将所述SAW谐振片粘结于所述基底；
通过所述第二粘合结构将所述BAW谐振结构粘结于所述基底。
9.根据权利要求8所述的集成方法，其特征在于，所述第一粘合结构和/或第二粘合结构包括干膜。
10.根据权利要求9所述的集成方法，其特征在于，通过曝光显影在所述干膜中形成所述第一空腔和/或第二空腔。
11.根据权利要求8所述的集成方法，其特征在于，通过丝网印刷图案化的粘结层形成所述第一粘合结构和第二粘合结构。
12.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，还包括：
在所述基底的背面形成第三重布线层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极、所述控制电路电连接。
13.根据权利要求12所述的集成方法，其特征在于，所述第三重布线层包括I/O焊垫。
14.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，在键合所述SAW谐振片和BAW谐振结构之后，还包括：
形成封装层，所述封装层覆盖所述基底、所述SAW谐振片和所述BAW谐振结构。
15.根据权利要求14所述的集成方法，其特征在于，还包括：
在所述封装层上形成第四重布线层，与所述第一输入电极、第二输入电极、第一输出电极、第二输出电极、控制电路电连接。
16.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，所述第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极均包括焊垫。
17.一种控制电路与声波滤波器的集成结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底形成有控制电路，所述基底上形成有第一空腔和第二空腔；
SAW谐振片和BAW谐振结构，所述SAW谐振片的表面设有第一输入电极、第一输出电极，所述SAW谐振片的所述表面朝向所述基底而键合于所述基底且封闭所述第一空腔，所述BAW谐振结构的表面设有第二输入电极、第二输出电极，所述BAW谐振结构包括第三空腔，所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底而键合于所述基底且封闭所述第二空腔；
所述控制电路与所述第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极电连接。
18.根据权利要求17所述的集成结构，其特征在于，所述基底包括衬底及形成在所述衬底上的第一介质层；所述第一空腔和第二空腔形成于所述第一介质层内；
或者，所述基底与所述SAW谐振片通过第一粘合结构键合，所述第一空腔形成于所述第一粘合结构内；所述基底与所述BAW谐振结构通过第二粘合结构键合，所述第二空腔形成于所述第二粘合结构内。
19.根据权利要求18所述的集成结构，其特征在于，所述第一粘合结构和/或第二粘合结构为干膜。
20.根据权利要求18所述的集成结构，其特征在于，所述衬底包括SOI衬底、硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、砷化镓衬底之一。
21.根据权利要求18所述的集成结构，其特征在于，所述控制电路包括器件结构及与所述器件结构电连接的第一互连结构层，所述第一互连结构层位于所述第一介质层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极电连接。
22.根据权利要求21所述的集成结构，其特征在于，所述器件结构包括MOS器件。
23.根据权利要求21所述的集成结构，其特征在于，所述基底上形成有第一重布线层、第二重布线层、第一焊垫、第二焊垫，所述第一焊垫与所述第一输入电极、第一输出电极电连接，以使所述第一输入电极、第一输出电极通过所述第一焊垫、所述第一重布线层与所述控制电路电连接，所述第二焊垫与所述第二输入电极、第二输出电极电连接，以使所述第二输入电极、第二输出电极通过所述第二焊垫、所述第二重布线层与所述控制电路电连接。
24.根据权利要求17所述的集成结构，其特征在于，还包括形成于所述基底的背面的第三重布线层，与所述第一输入电极、所述第一输出电极、所述第二输入电极、所述第二输出电极、所述控制电路电连接。
25.根据权利要求24所述的集成结构，其特征在于，所述第三重布线层包括I/O焊垫。
26.根据权利要求17所述的集成结构，其特征在于，还包括封装层，所述封装层覆盖所述基底、所述SAW谐振片和所述BAW谐振结构。
27.根据权利要求26所述的集成结构，其特征在于，还包括形成于所述封装层上的第四重布线层，与所述第一输入电极、第二输入电极、第一输出电极、第二输出电极、控制电路电连接。
28.根据权利要求17所述的集成结构，其特征在于，所述第一输入电极、第一输出电极、第二输入电极、第二输出电极均包括焊垫。
CN201811602834.4A 2018-12-26 2018-12-26 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构 Active CN111371429B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811602834.4A CN111371429B (zh) 2018-12-26 2018-12-26 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构
JP2021525267A JP2022507088A (ja) 2018-12-26 2019-11-13 制御回路と弾性波フィルタの集積方法及び集積構造
US17/417,932 US20220094337A1 (en) 2018-12-26 2019-11-13 Integration Method and Integration Structure for Control Circuit and Acoustic Wave Filter
PCT/CN2019/117790 WO2020134665A1 (zh) 2018-12-26 2019-11-13 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811602834.4A CN111371429B (zh) 2018-12-26 2018-12-26 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111371429A true CN111371429A (zh) 2020-07-03
CN111371429B CN111371429B (zh) 2022-07-12

Family

ID=71128305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811602834.4A Active CN111371429B (zh) 2018-12-26 2018-12-26 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220094337A1 (zh)
JP (1) JP2022507088A (zh)
CN (1) CN111371429B (zh)
WO (1) WO2020134665A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114884483A (zh) * 2022-05-09 2022-08-09 上海芯波电子科技有限公司 一种saw和baw的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺
CN115242215A (zh) * 2022-09-19 2022-10-25 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及其形成方法

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1340240A (zh) * 1999-02-12 2002-03-13 汤姆森Csf公司 用导电粘合剂连接至基座上的表面波装置
CN1441613A (zh) * 2002-02-26 2003-09-10 京瓷株式会社 高频组件
US20070024396A1 (en) * 2005-07-27 2007-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated filter including FBAR and saw resonator and fabrication method therefor
CN1929293A (zh) * 2005-09-09 2007-03-14 安捷伦科技有限公司 具有双振荡器的振荡电路
US20080024245A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-band filter module and method of fabricating the same
US20100013573A1 (en) * 2007-04-11 2010-01-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film filter
US8071398B1 (en) * 2008-07-08 2011-12-06 MCube Inc. Method and structure of monolithically integrated IC-MEMS oscillator using IC foundry-compatible processes
CN102577115A (zh) * 2009-10-09 2012-07-11 原子能和能源替代品委员会 包括表面波滤波器和体波滤波器的声波器件及其制造方法
CN102739180A (zh) * 2011-03-30 2012-10-17 日本电波工业株式会社 压电器件的制造方法、以及利用该方法制造的压电器件
US20130147319A1 (en) * 2011-12-12 2013-06-13 International Business Machines Corporation Loading element of a film bulk acoustic resonator
CN103378817A (zh) * 2012-04-13 2013-10-30 太阳诱电株式会社 滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器
CN104609358A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mems器件及其形成方法
CN105590869A (zh) * 2014-10-24 2016-05-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制作方法
CN105897216A (zh) * 2016-04-18 2016-08-24 中国工程物理研究院电子工程研究所 单片集成的体声波双工器及其制造方法
CN107181469A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法
CN107786183A (zh) * 2016-08-25 2018-03-09 通用电气公司 嵌入式rf滤波器封装结构及其制造方法
CN108696263A (zh) * 2017-04-06 2018-10-23 英飞凌科技股份有限公司 用于制造谐振器结构的方法和谐振器结构
US20180309425A1 (en) * 2016-03-11 2018-10-25 Akoustis, Inc. 5.6 GHz Wi-Fi ACOUSTIC WAVE RESONATOR RF FILTER CIRCUIT

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163801A (ja) * 1996-11-26 1998-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
JP2001308681A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電フィルタ
JP3648462B2 (ja) * 2001-04-27 2005-05-18 沖電気工業株式会社 弾性表面波分波器
US7898047B2 (en) * 2003-03-03 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices
US9299914B2 (en) * 2011-04-01 2016-03-29 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device, manufacturing method of the same, and mobile phone
DE102016100925B4 (de) * 2016-01-20 2018-05-30 Snaptrack, Inc. Filterschaltung
CN105703736B (zh) * 2016-02-25 2018-12-07 锐迪科微电子（上海）有限公司 一种体声波器件及集成结构
WO2019132925A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation Rf front end system with co-integrated acoustic wave resonator

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1340240A (zh) * 1999-02-12 2002-03-13 汤姆森Csf公司 用导电粘合剂连接至基座上的表面波装置
CN1441613A (zh) * 2002-02-26 2003-09-10 京瓷株式会社 高频组件
US20070024396A1 (en) * 2005-07-27 2007-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated filter including FBAR and saw resonator and fabrication method therefor
CN1929293A (zh) * 2005-09-09 2007-03-14 安捷伦科技有限公司 具有双振荡器的振荡电路
US20080024245A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-band filter module and method of fabricating the same
US20100013573A1 (en) * 2007-04-11 2010-01-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film filter
US8071398B1 (en) * 2008-07-08 2011-12-06 MCube Inc. Method and structure of monolithically integrated IC-MEMS oscillator using IC foundry-compatible processes
CN102577115A (zh) * 2009-10-09 2012-07-11 原子能和能源替代品委员会 包括表面波滤波器和体波滤波器的声波器件及其制造方法
CN102739180A (zh) * 2011-03-30 2012-10-17 日本电波工业株式会社 压电器件的制造方法、以及利用该方法制造的压电器件
US20130147319A1 (en) * 2011-12-12 2013-06-13 International Business Machines Corporation Loading element of a film bulk acoustic resonator
CN103378817A (zh) * 2012-04-13 2013-10-30 太阳诱电株式会社 滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器
CN104609358A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mems器件及其形成方法
CN105590869A (zh) * 2014-10-24 2016-05-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制作方法
CN107181469A (zh) * 2016-03-10 2017-09-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法
US20180309425A1 (en) * 2016-03-11 2018-10-25 Akoustis, Inc. 5.6 GHz Wi-Fi ACOUSTIC WAVE RESONATOR RF FILTER CIRCUIT
CN105897216A (zh) * 2016-04-18 2016-08-24 中国工程物理研究院电子工程研究所 单片集成的体声波双工器及其制造方法
CN107786183A (zh) * 2016-08-25 2018-03-09 通用电气公司 嵌入式rf滤波器封装结构及其制造方法
CN108696263A (zh) * 2017-04-06 2018-10-23 英飞凌科技股份有限公司 用于制造谐振器结构的方法和谐振器结构

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D. H. BANG, S. J. CHEON AND J. Y. PARK: "Compact quintplexer module with meshed ground plane for US-CDMA handset applications《》", 《2009 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST》 *
杨铁军主编: "《《产业专利分析报告 第46册 新型传感器》》", 31 March 2015, 上海交通大学出版社 *
田文超，娄利飞编著: "《微机电技术》", 31 August 2014, 西安电子科技大学出版社 *
罗旭荣: "《WCDMA系统中的无源组件的研制》", 《中国硕博期刊》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114884483A (zh) * 2022-05-09 2022-08-09 上海芯波电子科技有限公司 一种saw和baw的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺
CN114884483B (zh) * 2022-05-09 2024-01-30 上海芯波电子科技有限公司 一种saw和baw的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺
CN115242215A (zh) * 2022-09-19 2022-10-25 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及其形成方法
CN115242215B (zh) * 2022-09-19 2023-02-21 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及其形成方法
WO2024061071A1 (zh) * 2022-09-19 2024-03-28 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020134665A1 (zh) 2020-07-02
CN111371429B (zh) 2022-07-12
JP2022507088A (ja) 2022-01-18
US20220094337A1 (en) 2022-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6242597B2 (ja) 弾性波デバイス及びその製造方法
EP1471635B1 (en) Surface acoustic wave device and method of fabricating the same
US7448119B2 (en) Method of producing a surface acoustic wave device
US20230336157A1 (en) Mems device and fabrication method thereof
WO2021253757A1 (zh) 一种薄膜声波滤波器及其制造方法
JP3913700B2 (ja) 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP2021534613A (ja) Ｂａｗ共振器のパッケージングモジュールおよびパッケージング方法
CN111371429B (zh) 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构
US20230134889A1 (en) Stacked die transversely-excited film bulk acoustic resonator (xbar) filters
JP2008135971A (ja) 弾性波デバイス
CN111371424A (zh) 控制电路与体声波滤波器的集成方法和集成结构
US6495398B1 (en) Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same
JP7426196B2 (ja) 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ及びマルチプレクサ
CN111371428A (zh) 控制电路与表面声波滤波器的集成方法和集成结构
JP4825111B2 (ja) 圧電薄膜デバイスの製造方法
KR20170020835A (ko) 체적 음향 공진기 구조 및 제조 방법
JP4693397B2 (ja) 薄膜バルク音響波共振子およびフィルタならびに通信装置
JP7297329B2 (ja) エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法
JP2006246538A (ja) 弾性表面波デバイス
WO2020228152A1 (zh) 空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法
KR20170073188A (ko) 표면 탄성파 웨이퍼 레벨 패키지 및 이를 위한 pcb 제작 방법
JP2005136683A (ja) 電子部品
JP5111307B2 (ja) 共振器、フィルタおよびデュプレクサ、ならびに共振器の製造方法
JP7361343B2 (ja) モジュール
JP2003037473A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant