CN219960546U - 滤波器及双工器 - Google Patents

Abstract

一种滤波器及双工器，涉及滤波器技术领域。该滤波器包括衬底、设于衬底上的介质层、设于介质层上的第一谐振器件、设于第一谐振器件上的第一连接层以及设于第一连接层上的第二谐振器件；第一谐振器件包括第一压电层和设于第一压电层上的第一电极层；第二谐振器件包括第二压电层和设于第二压电层上的第二电极层；第一压电层和第二压电层的厚度不同。该滤波器及双工器能够解决质量负载带来的机械阻尼增加的问题，以及刻蚀压电层带来的工艺问题，且能够降低芯片占用面积。

Description

滤波器及双工器

技术领域

本实用新型涉及滤波器技术领域，具体而言，涉及一种滤波器及双工器。

背景技术

压电薄膜声学谐振器主要包括声表面波(surface acoustic wave，SAW)、体声波(bulk acoustic wave，BAW)器件、兰姆波谐振器(lamb wave resonator，LWR)和横向激励体声波谐振器(laterally excited bulk acoustic resonator，XBAR)。其中，XBAR器件由于其采用具有较高有效机电耦合系数的薄膜压电材料如LiNbO₃(LN)、LiTaO₃(LT)等，具备高耦合系数的优点，XBAR器件主要激发一阶不对称兰姆波作为主模态，其工作频率可高达3GHz至7GHz，很好地满足了面对5G高频的需求。

其中，XBAR器件的压电层一般是通过离子注入的方式获得单晶压电薄膜，而后通过晶圆键合的方式将压电层与衬底键合在一起，最后通过热处理和抛光得到完整的衬底晶圆。而要形成滤波器，则需要在同一片晶圆上集成不同频率的谐振器。目前在同一片晶圆上集成不同频率的谐振器主要通过以下两种方式实现：一种是采用质量负载的方式，用二氧化硅作为质量负载调节频率。但这种结构会增加机械阻尼，降低品质因素；另一种是在同一个晶圆上通过剪薄、刻蚀等工艺来获得两种不同厚度的压电层。然而，这种方式在实际工艺中，由于XBAR器件常用的单晶压电材料(如LiNbO₃、LiTaO₃)硬度大，因此常用的湿法刻蚀、干法刻蚀、感光耦合等离子体刻蚀等均存在可控性较低，难以实现纳米量级的精确控制的问题。且经刻蚀后，单晶压电材料表面粗糙度较大，也会影响滤波器性能。另外，现有的滤波器通常按照梯型或格子型拓扑结构形成，由于串、并联谐振器均在同一平面实现电气连接，因此还会占用较大的芯片面积，难以实现同一晶圆上的多个滤波器的集成。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种滤波器及双工器，该滤波器及双工器能够解决质量负载带来的机械阻尼增加的问题，以及刻蚀压电层带来的工艺问题，且能够降低芯片占用面积。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本实用新型的一方面，提供一种滤波器，该滤波器包括衬底、设于衬底上的介质层、设于介质层上的第一谐振器件、设于第一谐振器件上的第一连接层以及设于第一连接层上的第二谐振器件；第一谐振器件包括第一压电层和设于第一压电层上的第一电极层；第二谐振器件包括第二压电层和设于第二压电层上的第二电极层；第一压电层和第二压电层的厚度不同。该滤波器及双工器能够解决质量负载带来的机械阻尼增加的问题，以及刻蚀压电层带来的工艺问题，且能够降低芯片占用面积。

可选地，第一连接层为填充层。

可选地，滤波器还包括设于介质层和第一谐振器件之间的布拉格反射层。

可选地，第一压电层上设有围设于第一电极层外周的第一电气连接层以及设于第一电气连接层上的第一金属层，第一连接层位于第一金属层和第二谐振器件之间；第二压电层上设有围设于第二电极层外周的第二电气连接层以及设于第二电气连接层上的第二金属层，第二电气连接层位于第二压电层背离第一连接层的一面。

可选地，第一连接层为键合层。

可选地，滤波器还包括设于介质层和第一谐振器件之间的布拉格反射层。

可选地，第一压电层上设有围设于第一电极层外周的第一电气连接层，第一连接层位于第一电气连接层和第二谐振器件之间；第二压电层上设有围设于第二电极层外周的第二电气连接层以及设于第二电气连接层上的第二金属层，第二电气连接层位于第二压电层背离第一连接层的一面。

可选地，键合层连接于第一压电层和第二压电层之间，第一电极层位于第一压电层靠近第二压电层的一面，第二电极层位于第二压电层靠近第一压电层的一面。

可选地，滤波器还包括第二连接层和第三谐振器件，第二连接层设于第三谐振器件和第二谐振器件之间；第三谐振器件包括第三压电层和设于第三压电层上的第三电极层。

可选地，第一电极层包括至少两个并排设置的第一子电极层，第二电极层包括并排设置的至少两个第二子电极层。

本实用新型的另一方面，提供一种双工器，该双工器包括发射滤波器和接收滤波器，发射滤波器和/或接收滤波器为上述的滤波器。

本实用新型的有益效果包括：

本申请提供的滤波器包括衬底、设于衬底上的介质层、设于介质层上的第一谐振器件、设于第一谐振器件上的第一连接层以及设于第一连接层上的第二谐振器件；第一谐振器件包括第一压电层和设于第一压电层上的第一电极层；第二谐振器件包括第二压电层和设于第二压电层上的第二电极层；第一压电层和第二压电层的厚度不同。本申请通过将第一谐振器件和第二谐振器件呈层叠设置，这样，在制备该滤波器时，只需要形成不同厚度的第一压电层和第二压电层就行，而无需采用质量负载调频，或者通过刻蚀压电层使其呈现两种不同厚度来调频，因此，本申请提供的滤波器能够解决质量负载带来的机械阻尼增加的问题以及刻蚀压电层带来的工艺问题；另外，由于本申请的第一谐振器件和第二谐振器件层叠设置，因此，还能够降低芯片占用面积。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型第一实施例提供的滤波器的结构示意图；

图2为图1的俯视图之一；

图3为图1的俯视图之二；

图4为本实用新型第二实施例提供的滤波器的结构示意图；

图5为本实用新型第三实施例提供的滤波器的结构示意图；

图6为图5的俯视图；

图7为本实用新型第四实施例提供的滤波器的结构示意图；

图8为本实用新型第五实施例提供的滤波器的结构示意图；

图9为图8的俯视图；

图10为本实用新型第六实施例提供的滤波器的结构示意图；

图11为图10的俯视图；

图12为本实用新型第七实施例提供的滤波器的结构示意图；

图13为图12中A-A`处的截面图；

图14为图12中B-B`处的截面图。

图标：10-衬底；11-空腔；20-介质层；30-第一谐振器件；31-第一压电层；32-第一电极层；321-第一子电极层；33-第一电气连接层；34-第一金属层；40-第一连接层；50-第二谐振器件；51-第二压电层；52-第二电极层；521-第二子电极层；53-第二电气连接层；54-第二金属层；60-布拉格反射层；61-高声阻抗层；62-低声阻抗层；70-第二连接层；80-第三谐振器件；81-第三压电层；82-第三电极层；83-第三电气连接层；84-第三金属层；90-释放孔。

具体实施方式

下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式。在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本实用新型的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，这些概念和应用属于本实用新型和随附权利要求的范围内。

应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本实用新型的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。

应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。

诸如“在…下方”或“在…上方”或“上部”或“下部”或“水平”或“垂直”的相关术语在本文中可用来描述一个元件、层或区域与另一个元件、层或区域的关系，如图中所示出。应当理解，这些术语和上文所论述的那些术语意图涵盖装置的除图中所描绘的取向之外的不同取向。

本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而且并不意图限制本实用新型。如本文所使用，除非上下文明确地指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”意图同样包括复数形式。还应当理解，当在本文中使用时，术语“包括”指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者增添一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或上述各项的组。

除非另外界定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本实用新型所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样界定。

第一实施例

请参照图1至图3，本实施例提供一种滤波器，该滤波器包括衬底10、设于衬底10上的介质层20、设于介质层20上的第一谐振器件30、设于第一谐振器件30上的第一连接层40以及设于第一连接层40上的第二谐振器件50；第一谐振器件30包括第一压电层31和设于第一压电层31上的第一电极层32；第二谐振器件50包括第二压电层51和设于第二压电层51上的第二电极层52；第一压电层31和第二压电层51的厚度不同。该滤波器及双工器能够解决质量负载带来的机械阻尼增加的问题，以及刻蚀压电层带来的工艺问题，且能够降低芯片占用面积。

在本实施例中，如图1所示，滤波器包括层叠设置的衬底10、介质层20、第一谐振器件30、第一连接层40和第二谐振器件50。

其中，衬底10的材料可以但不限于是单晶硅、砷化镓、碳化硅、蓝宝石等，介质层20的材料可以但不限于是二氧化硅或氮化硅等。

还有，在第一压电层31下方，该滤波器还包括通过局部刻蚀衬底10和介质层20以形成的空腔11，如图1所示。

上述第一谐振器件30包括第一压电层31和设于第一压电层31上的第一电极层32。其中，第一电极层32在本实施例中采用的是叉指电极，如图1所示。

上述第二谐振器件50包括第二压电层51和设于第二压电层51上的第二电极层52。其中，第二电极层52在本实施例中采用的也是叉指电极，如图2和图3所示。

需要说明的是，上述第一电极层32和第二电极层52采用图2和图3中的叉指电极形状仅为本申请给出的叉指电极的形状的一种示例，并非是对叉指电极的具体形状的限制。在其他的实施例中，叉指电极的形状也可以为其他形状(例如每个叉指为圆形或者椭圆形)或者不规则的条形(例如每个叉指可以为不规则的条形)，以进一步实现一直杂散模态，提升滤波器性能的作用。

还有，在本实施例中，上述第一压电层31和第二压电层51的厚度不同，且第一压电层31和第二压电层51的材料均为单晶压电材料，该单晶压电材料包括但不限于铌酸锂、钽酸锂等。本申请通过将第一谐振器件30和第二谐振器件50呈层叠设置，这样，在制备该滤波器时，只需要在制备时形成不同厚度的第一压电层31和第二压电层51就行(通过控制离子注入的参数就能实现)，而无需采用质量负载来实现同一片晶圆上集成不同频率，且无需通过刻蚀压电层使其呈现两种不同厚度来实现调频，因此，本申请提供的滤波器能够解决质量负载带来的机械阻尼增加的问题，以及刻蚀压电层带来的工艺问题(刻蚀单晶压电材料时存在刻蚀难度大、刻蚀厚度不易控制且刻蚀后的压电层表面不平整等问题)；另外，由于本申请的第一谐振器件30和第二谐振器件50层叠设置，因此，还能够降低芯片占用面积。

需要说明的是，上述第一连接层40可以为键合层或者填充层。本实施例中以该第一连接层40为填充层为例进行举例说明。

即，上述第一连接层40为填充层。

其中，该填充层可以采用牺牲材料，这样，可以通过填充层将第一谐振器件30和第二谐振器件50连接起来，且在后续制备工艺中，在第二压电层51上形成释放孔90后，可以通过该释放孔90释放填充于第一谐振器件30和第二谐振器件50之间的填充层，以形成第一谐振器件30的谐振腔，以供声波振荡，如图1所示。

还有，上述释放孔90的数量和设置位置可以如图2所示，也可以如图3所示。当然，图2和图3所示出的释放孔90的形状、大小和位置仅为示例，不应当看做是对本申请的释放孔90的具体限制。

另外，请继续参照图1，在本实施例中，可选地，第一压电层31上设有围设于第一电极层32外周的第一电气连接层33以及设于第一电气连接层33上的第一金属层34，第一连接层40位于第一金属层34和第二谐振器件50之间；第二压电层51上设有围设于第二电极层52外周的第二电气连接层53以及设于第二电气连接层53上的第二金属层54，第二电气连接层53位于第二压电层51背离第一连接层40的一面。

需要说明的是，第一，上述第一电气连接层33、第二电气连接层53、第一金属层34和第二金属层54的设置是为了实现不同谐振器件之前的串、并联连接。

第二，第一电气连接层33分布在第一电极层32的四周，主要是用于电气连接，实现射频信号的输入输出，第一电气连接层33的材料可以与第一电极层32相同也可以不同，第一电气连接层33的材料包括但不限于钼、金、钛、铝、镁、铜等。同理，第二电气连接层53也分布于第二电极层52的四周，且第二电气连接层53的材料可以与第二电极层52相同也可以不同。

第三，第一金属层34和第二金属层54的设置是为了进一步提高电气连接性能，第一金属层34和第二金属层54的材料包括但不限于金、铜、镁等。

综上所述，本申请提供的滤波器包括衬底10、设于衬底10上的介质层20、设于介质层20上的第一谐振器件30、设于第一谐振器件30上的第一连接层40以及设于第一连接层40上的第二谐振器件50；第一谐振器件30包括第一压电层31和设于第一压电层31上的第一电极层32；第二谐振器件50包括第二压电层51和设于第二压电层51上的第二电极层52；第一压电层31和第二压电层51的厚度不同。本申请通过将第一谐振器件30和第二谐振器件50呈层叠设置，这样，在制备该滤波器时，只需要形成不同厚度的第一压电层31和第二压电层51就行，而无需采用质量负载调频，或者通过刻蚀压电层使其呈现两种不同厚度来调频，因此，本申请提供的滤波器能够解决质量负载带来的机械阻尼增加的问题以及刻蚀压电层带来的工艺问题；另外，由于本申请的第一谐振器件30和第二谐振器件50层叠设置，因此，还能够降低芯片占用面积。

第二实施例

该实施例与第一实施例相比，区别仅在于该实施例中在第一实施例的基础上增加了布拉格反射层60，且该实施例未设置空腔11。

请参照图4，该实施例提供的滤波器在第一实施例的基础上还包括设于介质层20和第一谐振器件30之间的布拉格反射层60。本申请通过设置布拉格反射层60能够减少声波能量损耗。

其中，上述布拉格反射层60由高声阻抗层61和低声阻抗层62交替层叠形成。需要说明的是，图4仅以该布拉格反射层60包括层叠的一层高声阻抗层61和一层低声阻抗层62为例进行示例的，并非是对本申请的限制，上述布拉格反射层60还可以包括两层及其以上的反射层。

需要说明的是，为避免重复，本实施例与第一实施例相同的地方本申请在此不再重复说明。

第三实施例

该实施例与第一实施例相比，区别在于，上述第一连接层40为键合层，请参照图5和图6。

在本实施例中，第一连接层40为键合层，第一谐振器件30和第二谐振器件50通过键合层局部键合。其中，上述键合层的键合材料可以为镁、铝、铜、钼、金或钛等金属。

另外，在本实施例中，可选地，第一压电层31上设有围设于第一电极层32外周的第一电气连接层33，第一连接层40位于第一电气连接层33和第二谐振器件50之间；第二压电层51上设有围设于第二电极层52外周的第二电气连接层53以及设于第二电气连接层53上的第二金属层54，第二电气连接层53位于第二压电层51背离第一连接层40的一面。即，本实施例与第一实施例相比，还可以不设置第一金属层34。

可选地，在第一电气连接层33和键合层的键合处还可以形成高低声阻抗结构，以有效减少声波能量泄露。示例性地，可以通过将第一电气连接层33和键合层的材料设置的不同实现，例如，可以使得其中一个为高声阻抗材料，另一个为低声阻抗材料。

另外，需要说明的是，在键合层上设有第二压电层51，由于第一谐振器件30和第二谐振器件50是采用键合的方法将两个具有不同压电层的晶圆倒扣在一起的，因此，该实施例中，无需在第二压电层51上设置释放孔90。

还有，为避免重复，本实施例与第一实施例相同的地方本申请在此不再重复说明。

第四实施例

该实施例与第三实施例相比，区别在于，请参照图7，为减少声波能量损耗，本实施例的滤波器还包括设于介质层20和第一谐振器件30之间的布拉格反射层60，且本实施例未设置空腔11。

其中，上述布拉格反射层60由高声阻抗层61和低声阻抗层62交替层叠形成。需要说明的是，图7仅以该布拉格反射层60包括层叠的一层高声阻抗层61和一层低声阻抗层62为例进行示例的，并非是对本申请的限制。本申请对高声阻抗层61和低声阻抗层62的具体层数不做限制，只要两者交替层叠设置即可。在其他的实施例中，上述布拉格反射层60还可以包括两层及其以上的反射层。

需要说明的是，为避免重复，本实施例与第三实施例相同的地方本申请在此不再重复说明。

第五实施例

该实施例与第三实施例相比，区别在于，本实施例的第一谐振器件30和第二谐振器件50的谐振腔共用，且本实施例是将第一压电层31和第二压电层51直接通过键合层键合在一起的，并未设置第一电气连接层33、第二电气连接层53、第一金属层34和第二金属层54。

请参照图8和图9，在本实施例中，键合层连接于第一压电层31和第二压电层51之间，第一电极层32位于第一压电层31靠近第二压电层51的一面，第二电极层52位于第二压电层51靠近第一压电层31的一面。

需要说明的是，为避免重复说明，本实施例与第三实施例相同的地方本申请在此不再赘述。

第六实施例

该实施例与第一实施例相比，区别在于，本实施例在第一实施例的基础上还包括了第二连接层70和第三谐振器件80。

即，请参照图10和图11，可选地，滤波器还包括第二连接层70和第三谐振器件80，第二连接层70设于第三谐振器件80和第二谐振器件50之间；第三谐振器件80包括第三压电层81和设于第三压电层81上的第三电极层82。

其中，第一连接层40可以为键合层或者填充层，同样地，在该实施例中，上述第二连接层70也可以为键合层或者填充层。

第三谐振器件80包括第三压电层81和设于第三压电层81上的第三电极层82。其中，第三压电层81的厚度可以与第一压电层31和第二压电层51的厚度均不同，也可以仅与第一压电层31和第二压电层51的其中一个的厚度不同。

第三电极层82可以为叉指电极，其中，第三电极层82采用图11中的叉指电极形状仅为本申请给出的叉指电极的形状的一种示例，并非是对第三电极层82的叉指电极的具体形状的限制。在其他的实施例中，第三电极层82的叉指电极的形状也可以为其他形状(例如每个叉指为圆形或者椭圆形)或者不规则的条形(例如每个叉指可以为不规则的条形)，以进一步实现一直杂散模态，提升滤波器性能的作用。

另外，第三谐振器件80还可以包括形成于第三压电层81上且围设于第三电极层82外周的第三电气连接层83以及设于第三电气连接层83上的第三金属层84，如图10和图11所示。

需要说明的是，第三电气连接层83分布在第三电极层82的四周，主要是用于电气连接以实现射频信号的输入输出。第三电气连接层83的材料可以与第三电极层82相同或者不同，第三电气连接层83的材料包括但不限于是钼、金、钛、铝、镁或铜等。

第三金属层84的材料包括但不限于金、铜、镁等材料，第三金属层84的设置是为了进一步提高电气连接性能。

在本实施例中，为避免重复说明，本实施例与第一实施例相同的地方本申请在此不再赘述。

第七实施例

该实施例与第一实施例相比，区别在于，请参照图12至图14，可选地，第一电极层32包括至少两个并排设置的第一子电极层321，第二电极层52包括并排设置的至少两个第二子电极层521。

即本实施例与第一实施例相比，除了多个谐振器件沿纵向层叠排布之外，每个谐振器件还可以沿水平方向排开。其中，沿水平方向排开的谐振器件各自的压电层可以共用。这样，可以实现多个谐振器件的串联、并联的电气连接，从而实现多个不同频段的滤波器的集成。

可选地，在该实施例中，第一谐振器件30和第二谐振器件50与第一实施例相同的是，都可以包括对应的电气连接层和金属层(即第一谐振器件30包括第一电气连接层33和第一金属层34，第二谐振器件50包括第二电气连接层53和第二金属层54)。这时，第二电极层52特指图12中叉指电极区域的部分，用于产生逆压电效应，以使声波进行横向和纵向传播、震荡和反射。第二电气连接层53指图12中非叉指电极区域，主要是用于电气连接，实现射频信号(信号源和接地)的输入输出，以及沿图12中B-B`方向上的相邻两个横向分布的谐振器件(具体为第二子电极层521)之间的连接。第二金属层54是用于进一步提高电气连接性能。第一电极层32、第一电气连接层33和第一金属层34同理，本申请不再赘述。

另外，需要说明的是，本实施例在可以将每个谐振器件横向排开的基础上(其中，横向排开的数量为两个及其以上，具体数量本申请不做限制)，还不限制层叠设置的谐振器件的数量，其可以像第一实施例的图1中一样，包括层叠设置的两个谐振器件；也可以像第六实施例的图10中一样，包括层叠设置的三个谐振器件；或者，在其他的实施例中，也可以包括层叠设置的三个以上的谐振器件。

需要说明的是，在本实施例中，为避免重复说明，本实施例与第一实施例相同的地方本申请在此不再赘述。

本实用新型的另一方面，提供一种双工器，该双工器包括发射滤波器和接收滤波器，发射滤波器和/或接收滤波器为上述的滤波器。其中，上述的滤波器的具体结构及其有益效果均已在前文做了详细阐述与说明，故本申请在此不再赘述。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。

Claims (10)

1.一种滤波器，其特征在于，包括衬底、设于所述衬底上的介质层、设于所述介质层上的第一谐振器件、设于所述第一谐振器件上的第一连接层以及设于所述第一连接层上的第二谐振器件；所述第一谐振器件包括第一压电层和设于所述第一压电层上的第一电极层；所述第二谐振器件包括第二压电层和设于所述第二压电层上的第二电极层；所述第一压电层和所述第二压电层的厚度不同。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一连接层为填充层。

3.根据权利要求2所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括设于所述介质层和所述第一谐振器件之间的布拉格反射层。

4.根据权利要求2或3所述的滤波器，其特征在于，所述第一压电层上设有围设于所述第一电极层外周的第一电气连接层以及设于所述第一电气连接层上的第一金属层，所述第一连接层位于所述第一金属层和所述第二谐振器件之间；所述第二压电层上设有围设于所述第二电极层外周的第二电气连接层以及设于所述第二电气连接层上的第二金属层，所述第二电气连接层位于所述第二压电层背离所述第一连接层的一面。

5.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第一连接层为键合层。

6.根据权利要求5所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括设于所述介质层和所述第一谐振器件之间的布拉格反射层。

7.根据权利要求5或6所述的滤波器，其特征在于，所述第一压电层上设有围设于所述第一电极层外周的第一电气连接层，所述第一连接层位于所述第一电气连接层和所述第二谐振器件之间；所述第二压电层上设有围设于所述第二电极层外周的第二电气连接层以及设于所述第二电气连接层上的第二金属层，所述第二电气连接层位于所述第二压电层背离所述第一连接层的一面。

8.根据权利要求5所述的滤波器，其特征在于，所述键合层连接于所述第一压电层和所述第二压电层之间，所述第一电极层位于所述第一压电层靠近所述第二压电层的一面，所述第二电极层位于所述第二压电层靠近所述第一压电层的一面。

9.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器还包括第二连接层和第三谐振器件，所述第二连接层设于所述第三谐振器件和所述第二谐振器件之间；所述第三谐振器件包括第三压电层和设于所述第三压电层上的第三电极层；

和/或，所述第一电极层包括至少两个并排设置的第一子电极层，所述第二电极层包括并排设置的至少两个第二子电极层。

10.一种双工器，其特征在于，包括发射滤波器和接收滤波器，所述发射滤波器和/或所述接收滤波器为权利要求1至9中任一项所述的滤波器。