CN103311309B - 薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备 - Google Patents

薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示设备和一种包括该薄膜晶体管的有机发光显示设备。薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接到活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。

Description

薄膜晶体管、显示设备和有机发光显示设备
本申请要求于2012年3月15日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0026602号韩国专利申请的权益，上述申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种薄膜晶体管（TFT）、一种包括该TFT的显示设备以及一种包括该TFT的有机发光显示设备。
背景技术
TFT被用作液晶显示设备或有机发光显示设备的驱动器件或开关器件。TFT的特性受沟道层的材料和状态的影响。
因为非晶硅具有低的迁移率，所以具有高的迁移率且在低温下进行处理的氧化物半导体已经越来越多地被用作TFT的沟道层。
发明内容
实施例针对一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接至活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。
栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。
栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开相同的间隔。
栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边可以设置在活性层的沿第一方向延伸的相对侧边内。
栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个可以沿第二方向连接至布线，该布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。
栅电极的第一长度可以比栅电极的第一宽度长。
源电极和漏电极可以沿第一方向延伸并彼此面对。
活性层可以包括氧化物半导体。
活性层可以包括氧以及从镓、铟、锌、铪和锡中选择的至少一种元素。
源电极和漏电极可以通过相应的接触孔连接至活性层。
活性层可以包括离子杂质掺杂在其中的区域。源电极和漏电极可以通过接触孔连接至该区域。
源电极和漏电极可以通过相应的欧姆接触层连接至活性层。
栅电极可以设置在活性层下方。
栅电极可以设置在活性层上方。
实施例还针对一种显示设备，所述显示设备包括薄膜晶体管和由薄膜晶体管驱动的显示设备，所述薄膜晶体管包括：栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及连接至活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开。
实施例还针对一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、活性层以及连接至活性层的源电极和漏电极，栅电极具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度，活性层具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开；像素电极，连接至薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个；对向电极，面对像素电极；以及有机发光层，设置在像素电极和对向电极之间。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例，对于本领域技术人员来说，特征将变得清楚，其中：
图1示出了根据实施例的TFT，图1中的（a）示出了根据实施例的TFT的剖视图，图1中的（b）示出了根据实施例的TFT的平面图；
图2示出了根据图1的实施例的TFT的栅极电压（Vg）-漏电流（Id）关系的曲线图；
图3示出根据对比示例的TFT的平面图；
图4示出根据图3的对比示例的TFT的Vg-Id关系的曲线图；
图5示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；
图6示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；
图7示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；
图8示出根据另一个实施例的TFT的剖视图；以及
图9示出根据实施例的包括图1的TFT的有机发光显示设备7的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如“……中的至少一个（种）”的表述在一系列元件（要素）之后时，修饰整个系列的元件（要素），而不是修饰系列中的个别元件（要素）。
图1示出了根据实施例的TFT1。
图1中的(a)示出TFT1的剖视图，图1中的(b)是TFT1的平面图。
参照图1，TFT1具有底栅结构，其中，栅电极110、活性层130以及源电极150a和漏电极150b顺序地形成在基板100上。
可以由包括作为主要成分的SiO2的透明玻璃材料形成基板100。在其它实施方式中，基板100可以由不透明材料形成，并且可以是诸如塑料材料的其它材料。
可以将包括SiO2和/或SiNx的缓冲层（未示出）形成在基板100上。缓冲层可以使基板100光滑并且可以防止杂质渗入到基板100中。
栅电极110具有在第一方向X上测量的第一长度Lg和在第二方向Y上测量的第一宽度Wg。通过具有在第一方向X上测量的第一长度Lg的相对的侧边和具有在第二方向Y上测量的第一宽度Wg的相对的侧边限定栅电极110。栅电极110的在第一方向X上测量的第一长度Lg可以比在第二方向Y上测量的第一宽度Wg大。
栅电极110的沿第一方向X延伸的相对的侧边中的一个连接至用来向栅电极110施加扫描信号的布线111。
根据本实施例，布线111在第一方向上具有比栅电极110的第一长度Lg小的第一宽度W1。布线111在栅电极110上沿第二方向Y延伸。在图1中的(b)中，栅电极110和布线111被示出为连接成具有“T”形，但是在其它实施方式中，其它形状是可能的。
可以由选自于银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、MoW和Al/Cu中的至少一种导电材料形成栅电极110和在栅电极110上延伸的布线111。
第一绝缘层120可以设置在栅电极110上，以覆盖栅电极110。第一绝缘层120可以用作栅极绝缘层。第一绝缘层120可以是由选自于SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZrO2中的至少一种形成的无机绝缘层。
包括氧化物半导体的活性层130设置在第一绝缘层120上。氧化物半导体可以包括选自于镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中的至少一种。例如，可以由选自于InGaZnO、ZnSnO、InZnO、InGaO、ZnO、TiO和铪-铟-锌氧化物(HIZO)中的材料形成活性层130。
根据本实施例，活性层130具有在第一方向X上测量的第二长度La和在第二方向Y上测量的第二宽度Wa。活性层130的在第一方向X上测量的第二长度La可以比在第二方向Y上测量的第二宽度Wa大。
第二绝缘层140可以设置在活性层130上。第二绝缘层140可以是由选自于SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZrO2中的至少一种形成的无机绝缘层。
源电极150a和漏电极150b可以设置在第二绝缘层140上，以分别通过形成在第二绝缘层140中的接触孔C1和C2连接至活性层130。
源电极150a和漏电极150b可以沿第一方向X延伸，并且相互面对。如图1中的(b)中所示，源电极150a和漏电极150b中的每个的在第二方向Y上测量的宽度可以比栅电极110的在第二方向Y测量的宽度小。
可以在活性层130的相应边上形成掺杂有n+型或p+型离子杂质的区域。接触孔C1和接触孔C2可以连接至活性层130的其上掺杂有离子杂质的区域。
可以在活性层130、栅电极110和连接至栅电极110的布线111彼此叠置的区域上形成沟道。在一般的TFT中，在第一方向X上测量的栅电极110的第一长度Lg比活性层130的第二长度La小，而在第二方向Y上测量的栅电极110的第一宽度Wg比活性层130的第二宽度Wa大。
然而，在根据本实施例的TFT1中，在第一方向X上测量的栅电极110的第一长度Lg比活性层130的第二长度La小，并且在第二方向Y上测量的栅电极110的第一宽度Wg也比活性层的第二宽度Wa短。
更详细地，栅电极110的沿第一方向X延伸的相对侧边中的至少一个可以与活性层130的沿第一方向X延伸的对应的相对侧边分隔开。根据本实施例，栅电极110的沿第一方向X延伸的相对侧边与活性层130的沿第一方向X延伸的相对侧边分隔开距离ΔY，以在活性层130的沿第一方向X延伸的相对侧边之内。栅电极110的沿第二方向Y延伸的相对侧边与活性层130的沿第二方向Y延伸的相对侧边分隔开距离ΔX，以在活性层130的沿第二方向Y延伸的相对侧边之内。
在第二方向Y上连接至栅电极110的布线111可以与活性层130的沿第一方向X延伸的相对的边界中的一个边界局部叠置。因此，布线111和活性层130与沟道的沿第一方向X延伸的边界叠置了布线111的沿第一方向X的宽度W1。
在这种情况下，布线111的在沟道的边界处连接至栅电极110的部分的宽度W1使与沟道的边界叠置的面积减小。因此，布线111的远离沟道边界的部分的宽度可以比布线111的与沟道边界叠置的部分的宽度W1大。如图1中的(b)中所示，当在第一方向X测量时，布线111的远离沟道边界的部分的宽度可以与栅电极110的长度Lg相同。在其它实施方式中，当在第一方向X测量时，布线111的远离沟道边界的部分的宽度可以与栅电极的长度Lg不同。
如上所述，在根据本实施例的TFT1中，沟道的边界的与栅电极110和/或布线111的第一方向X的边界及活性层130叠置的部分小。因此，TFT的阈值电压（Vth）几乎不根据漏电压改变，从而可以获得稳定的器件特性。
图2示出了根据实施例的TFT1的栅极电压（Vg）-漏电流（Id）关系的曲线图。
图2的曲线图涉及一种TFT，在这种TFT中，栅电极110的在第一方向X上测量的第一长度Lg是40μm，栅电极110的在第二方向Y上测量的第一宽度Wg是20μm，栅电极110的沿第一方向X延伸的相对侧边与活性层130的沿第一方向X延伸的相对侧边分隔开2μm（=ΔY），布线111的与沟道的沿第一方向X延伸的边界叠置的部分的宽度W1是4μm。
在图2中，G0表示VD=0.1V（偏置电压）的栅极电压（Vg）-漏电流（Id）关系，G1表示当漏电压（VD）是5.1V时的Vg-Id关系。
参照GO和G1，对于TFT1，表明：即使漏电压增大，TFT1的阈值电压（Vth）几乎不改变。
当漏电压增大时，如果在沟道边界处产生缺陷，会改变TFT的阈值电压。然而，根据本实施例，TFT可以被构造为使得栅电极110和活性层130的与沟道边界叠置的部分减小，从而获得当漏电压增大时阈值电压几乎不改变的稳定器件。
在具有其长度比宽度大的沟道的器件中，比较频繁地产生这样的影响TFT的阈值电压的缺陷。在栅电极110的沿第一方向X延伸的第一长度Lg比沿第二方向Y延伸的第二宽度Wg大的TFT中，可以使用用于使栅电极110的与沟道的边界叠置的部分最小化的结构，从而使TFT的阈值电压的改变最小化。
图3示出根据对比示例的TFT2的平面图。
参照图3，TFT2包括栅电极10、活性层30以及源电极50a和漏电极50b。
在对比示例中，像在图1中公开的实施例一样，活性层30具有在第一方向X上测量的第二长度La和在第二方向Y上测量的第二宽度Wa。然而，尽管根据对比示例的栅电极10在第一方向X上具有比活性层30的第二长度La小的第一长度Lg，但是对比示例的栅电极10在第二方向Y上还具有比活性层30的第二宽度Wa大的第一宽度Wg。
即，栅电极10的沿第一方向X延伸的相对侧边与活性层30的沿第一方向X延伸的相对侧边分隔开，以在活性层30的沿第一方向X延伸的相对侧边之内。然而，栅电极10的沿第二方向Y延伸的相对侧边与活性层30的沿第二方向Y延伸的相对侧边叠置，以在活性层30的沿第二方向Y延伸的相对侧边的外部。即，栅电极10和活性层30与沟道的在第一方向X上的边界叠置了栅电极10的沿第一方向X的第一长度Lg。
在根据图3的对比示例的TFT2中，与在图1中示出的TFT1中相比，增大了栅电极10和活性层30的与沟道边界叠置的部分。因此，由于根据漏电压的阈值电压Vth的改变，导致不会得到稳定的器件特性。
图4示出根据图3的对比示例的TFT2的Vg-Id关系的曲线图。
图4的曲线图涉及一种TFT，在这种TFT中，栅电极10的在第一方向X上测量的第一长度Lg是50μm，在第二方向Y上测量的第一宽度Wg是25μm，布线111的在第一方向X上与沟道边界叠置的部分的宽度等于栅电极10的第一长度Lg（=50μm）。
在图4中，G0表示VD=0.1V（偏置电压）的Vg-Id关系，G2表示当漏电压（VD）是5.1V时的Vg-Id关系。
参照G0和G2，关于根据对比示例的TFT2，随着漏电压增大，G2向右移动了ΔV。因此，在根据对比示例的TFT2中，因为与沟道叠置的部分增大，所以由于根据漏电压的TFT2的阈值电压的改变，导致不会得到稳定的器件特性。
图5至图8示出根据其它实施例的TFT3、TFT4、TFT5和TFT6的剖视图。
图5示出根据另一个实施例的TFT3的剖视图。
参照图5，像在图1中示出的TFT1一样，TFT3具有底栅结构，在该底栅结构中，栅电极110、活性层130以及源电极150a和漏电极150b顺序地形成在基板100上。然而，与图1中示出的TFT1不同，源电极150a和漏电极150b没有通过接触孔C1和接触孔C2（见图1中的(a)）连接至活性层130，并且欧姆接触层160a和欧姆接触层160b分别设置在活性层130与源/漏电极150a和150b之间。
图6示出根据另一个实施例的TFT4的剖视图。
参照图6，TFT4具有顶栅结构，在该顶栅结构中，活性层130、源电极150a和漏电极150b以及栅电极110顺序地形成在基板100上。源电极150a和漏电极150b通过形成在第一绝缘层120中的接触孔C1和接触孔C2连接至活性层130。
图7示出根据另一个实施例的TFT5的剖视图。
参照图7，像图6的TFT4一样，TFT5具有顶栅结构，在该顶栅结构中，活性层130、源电极150a和漏电极150b以及栅电极110顺序地形成在基板100上。然而，与图6的TFT4不同，源电极150a和漏电极150b没有通过接触孔C1和接触孔C2（见图6）连接至活性层130，并且欧姆接触层160a和欧姆接触层160b分别设置在活性层130与源/漏电极150a和150b之间。
图8示出根据另一个实施例的TFT6的剖视图。
参照图8，TFT6具有顶栅机构，在该顶栅结构中，活性层130、栅电极110以及源电极150a和漏电极150b顺序地形成在基板100上。栅电极110和活性层130的顺序不同于图1示出的TFT1中的顺序。
图5至图8仅示出了剖视图，这些剖视图示出了在TFT3、TFT4、TFT5和TFT6中，栅电极110的第一长度Lg比活性层130的第二长度La小。然而，此外，像图1中示出的TFT1中一样，这些实施例中的栅电极110的第一宽度Wg比活性层130的第二宽度Wa小。因此，栅电极110的与沟道的边界叠置的部分是小的。因此，TFT的阈值电压（Vth）几乎不会根据漏电压改变，可以获得具有稳定器件特性的TFT。
图5至图8的TFT3、TFT4、TFT5和TFT6是非限制性的示例。在其它实施方式中，可以提供具有不同结构的TFT。
图9示出根据实施例的包括图1示出的TFT的有机发光显示设备7的剖视图。
图9的有机发光显示设备7包括含有氧化物半导体的TFT。图9示出的是在图1中示出的TFT1，但是在其它实施方式中，有机发光显示设备7可以包括图5至图8的TFT3至TFT6中的任一种。
在有机发光显示设备7中，栅电极110、第一绝缘层120、活性层130、第二绝缘层140以及源电极150a和漏电极150b可以顺序地形成在基板100上，第三绝缘层180可以形成在源电极150a和漏电极150b上。TFT的元件可以与图1中的相同，因此，将不重复其细节。
TFT可以连接到并可以驱动诸如有机发光二极管（OLED）的显示装置。例如，像素电极190可以通过形成在第三绝缘层180中的接触孔C3连接至漏电极150b。图9示出了TFT是驱动晶体管的情况，在该TFT中，源电极150a和漏电极150b中的一个直接连接至像素电极190。然而，如上所述，根据实施例的TFT可以是开关TFT。
有机发光层210可以形成在像素电极190上。作为共电极的对向电极220可以形成在有机发光层210上。在有机发光显示设备7中，像素电极190可以用作阳极，对向电极220可以用作阴极。像素电极190和对向电极220的极性可以是彼此相反的。
有机发光层210可以包括有机发射层（有机EML），该有机发射层包括小分子有机材料或者聚合物有机材料。当有机EML包括小分子有机材料时，可以相对于有机EML堆叠空穴传输层（HTL）、空穴注入层（HIL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）。在其它实施方式中，可以按所期望的堆叠各种层。有机材料可以包括钛菁酮（CuPc）、N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。当有机EML包括聚合物有机材料时，除了有机EML120之外，还可以包括HTL。HTL可以由聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或者聚苯胺(PANI)形成。这里，有机材料可以包括诸如苯撑乙烯撑（PPV）类聚合物有机材料和聚芴类聚合物有机材料的聚合物有机材料。
当像素电极190用作透明电极时，对向电极220可以用作反射电极。在其它实施方式中，像素电极190可以用作反射电极，对向电极220可以用作透明电极。同样，从有机发光层210发射的光可以穿过透明电极射到有机发光显示设备7外，从而显示图像。
尽管没有在图9中示出，但是可以将用于保护有机发光层210不受外部氧和水分的影响的包封构件（未示出）设置在对向电极220上。
包括氧化物半导体的TFT可以具有优良的器件特性，并且可以在低温下进行处理。因此，TFT作为平板显示器的背板可以是理想的。此外，包括氧化物半导体的TFT在可见光线下可以是透明的并且可以是柔性的。因此，TFT可以被用在透明显示设备或者柔性显示设备中。如上所述，因为TFT的阈值电压（Vth）几乎不根据漏电压改变，所以包括氧化物半导体的TFT会具有稳定的器件特性。因此，在平板显示器的背板中，TFT可以用作开关晶体管和/或驱动晶体管。
有机发光显示设备可以是透明的和柔性的。因此，在透明显示设备或者柔性显示设备中，可以与包括氧化物半导体的TFT一起主要使用有机发光显示设备。
尽管已经针对有机发光显示设备描述了实施例，但是要理解的是，在其它实施方式中，可以使用诸如包括液晶的液晶显示设备的其它显示设备。
通过总结和回顾，实施例提供了具有优良器件特性的TFT。根据一个或多个实施例，在TFT中，减小了栅电极的与活性层的边界叠置的部分，因此，阈值电压几乎不改变，从而获得稳定的器件特性。诸如有机发光显示设备的显示设备可以包括TFT。
这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但是仅以普通的和描述性的含义而不是出于限制的目的来使用和解释这些术语。在某些情况下，如本领域普通技术人员将清楚的，自提交本申请之时起，除非另外具体的指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所阐述的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (15)

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；
活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；以及
源电极和漏电极，连接到活性层；
其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开,
其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边与活性层的沿第一方向延伸的相对侧边分隔开相同的间隔。
4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边设置在活性层的沿第一方向延伸的相对侧边内。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极的第一长度比栅电极的第一宽度长。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极沿第一方向延伸并彼此面对。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧化物半导体。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，活性层包括氧以及从镓、铟、锌、铪和锡中选择的至少一种元素。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极通过相应的接触孔连接到活性层。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中：
活性层包括掺杂有离子杂质的区域，以及
源电极和漏电极通过接触孔连接到所述区域。
11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源电极和漏电极通过相应的欧姆接触层连接到活性层。
12.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极设置在活性层下方。
13.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，栅电极设置在活性层上方。
14.一种显示设备，所述显示设备包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；
活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；
连接到活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开；以及
由薄膜晶体管驱动的显示设备；
其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。
15.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极，具有在第一方向上测量的第一长度和在第二方向上测量的第一宽度；
活性层，具有在第一方向上测量的第二长度和在第二方向上测量的第二宽度，活性层的第二长度比栅电极的第一长度长，活性层的第二宽度比栅电极的第一宽度长；
连接到活性层的源电极和漏电极，其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的至少一个与活性层的沿第一方向延伸的对应的相对侧边分隔开；
像素电极，连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个；
对向电极，面对像素电极；以及
有机发光层，设置在像素电极和对向电极之间；
其中，栅电极的沿第一方向延伸的相对侧边中的一个沿第二方向连接到布线，所述布线在第一方向上具有比栅电极的第一长度短的宽度，并且布线与活性层的沿第一方向延伸的边界叠置。
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