TWI581437B - 薄膜電晶體、包含薄膜電晶體之顯示裝置以及包含薄膜電晶體之有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Description

薄膜電晶體、包含薄膜電晶體之顯示裝置以及包含薄膜電晶 體之有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年03月15日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0026602號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
本發明實施例是有關於一種薄膜電晶體(TFT)、一種含有該薄膜電晶體的顯示裝置，與一種含有該薄膜電晶體的有機發光顯示裝置。
薄膜電晶體係作用於液晶顯示器裝置或有機發光顯示裝置之開關裝置或驅動裝置。薄膜電晶體的特性係被通道層的材料與狀態所影響。
雖然非晶矽具有低移動率，但具有高移動率且在低溫下處理之氧化物半導體已漸增地使用作為薄膜電晶體之通道層。
實施例係針對一種薄膜電晶體，其含有具有在第一方向測量的第一長度以及在第二方向測量的的第一寬度閘極電極，具有在第一方向測量的第二長度以及在第二方向測量的第二寬度之主動層，主動層的第二長度係大於閘極電極的第一長度，而主動層的第二寬度係大於閘極電極的第一寬度，以及連接至主動層之源極電極以及汲極電極，其中閘極電極在第一方向上延伸的複數個對面側邊緣係與主動層在第一方向上延伸的複數個對面側邊緣相分隔。
其中，閘極電極在第一方向上延伸的複數個對面側邊緣係與主動層在第一方向上延伸的複數個對面側邊緣相分隔。
其中，閘極電極在第一方向延伸的複數個對面側邊緣係與主動層在第一方向延伸的複數個對面側邊緣相分隔一相同的間隔。
其中，閘極電極在第一方向延伸的複數個對面側邊緣係安置在主動層在第一方向延伸的複數個對面側邊緣之內。
其中，閘極電極在第一方向延伸的複數個對面側邊緣之其中之一係在第二方向連接至在第一方向有一寬度的一配線，且此寬度係小於閘極電極的第一長度，而配線係與主動層在第一方向延伸的一邊界相重疊。
其中，閘極電極的第一長度係大於閘極電極的第一寬度。
其中，源極電極與汲極電極係在第一方向上延伸且彼此面對。
其中，主動層包含一氧化物半導體。
其中，主動層包含氧以及從鎵、銦、鋅、鉿以及錫之中選出的至少一個。
其中，源極電極與汲極電極係透過各自的接觸孔連接至主動層。
其中，主動層包含一摻雜離子雜質的區域，以及源極電極與汲極電極係透過各自的接觸孔連接至主動層。
其中，源極電極與汲極電極係透過各自的歐姆接觸層連接至主動層。
其中，閘極電極係安置在主動層下面。
其中，閘極電極係安置在主動層上面。
實施例也針對一顯示裝置，其包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體含有具有在第一方向測量之第一長度以及在第二方向測量之第一寬度的閘極電極，具有在第一方向測量之第二長度以及在第二方向測量之第二寬度的主動層，主動層的第二長度係大於閘極電極的第一長度，而主動層的第二寬度係大於第一寬度，以及連接至主動層的源極電極與汲極電極，其中閘極電極在第一方向延伸之複數個對面側邊緣的至少一個係與主動層在第一方向延伸的複數個對面側邊緣相分隔，以及由薄膜電晶體所驅動之顯示元件。
實施例亦針對一有機發光顯示裝置，其包含一薄膜電晶體，含有具有在第一方向測量之第一長度與在第二方向測量之第一寬度的閘極電極，具有在第一方向測量之第二長度與在第二方向測量之第二寬度的主動層，主動層的第二長度係大於閘極電極的第一長度，而主動層的第二寬度係大於第一寬度，以及連接至主動層的源極電極與汲極電極，其中閘極電極在第一方向延伸之複數個對面側邊緣的至少一個係與主動層在第一方向延伸的複數個對面側邊緣相分隔，以及連接至薄膜電晶體之源極電極與汲極電極之其中之一的像素電極，以及面向像素電極的對面電極，以及安置在像素電極與對面電極之間的有 機發光層。
1、2、3、4、5、6、7‧‧‧薄膜電晶體
10‧‧‧閘極電極
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極電極
111‧‧‧配線
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧主動層
140‧‧‧第二絕緣層
150a‧‧‧源極電極
150b‧‧‧汲極電極
160a、160b‧‧‧歐姆接觸層
180‧‧‧第三絕緣層
190‧‧‧像素電極
210‧‧‧有機發光層
220‧‧‧對面電極
30‧‧‧汲極電極
50a‧‧‧源極電極
50b‧‧‧汲極電極
C1、C2、C3‧‧‧接觸孔
La‧‧‧第二長度
Lg‧‧‧第一長度
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
△X、△Y‧‧‧距離
W1‧‧‧寬度
Wa‧‧‧第二寬度
Wg‧‧‧第一寬度
G0、G1、G2‧‧‧Vg-Id關係
△V‧‧‧電壓差
本發明之特徵將藉由參照附圖詳細說明其例示性實施例而變得對此技術領域之技術者顯而易知，其中：第1A圖係為根據一實施例之薄膜電晶體之剖面圖；第1B圖係為根據一實施例之薄膜電晶體之平面圖；第2圖係為根據第1A圖與第1B圖之實施例之薄膜電晶體之閘極電壓(Vg)與汲極電流(Id)關係之圖表；第3圖係為根據一比較示例之薄膜電晶體之平面圖；第4圖係為根據第3圖之比較示例之薄膜電晶體之Vg與Id關係之圖表；第5圖係為根據另一實施例之薄膜電晶體之剖面圖；第6圖係為根據另一實施例之薄膜電晶體之剖面圖；第7圖係為根據另一實施例之薄膜電晶體之剖面圖；第8圖係為根據另一實施例之薄膜電晶體之剖面圖；以及第9圖係為根據一實施例含有第1A圖與第1B圖之薄膜電晶體之有機發光顯示裝置7之剖面圖。
下文中係參考附圖以更完整地描述例示性實施例；然而，此些實施例可用不同的形式來體現而不應解釋成受上述實施例限制。相反地，提供此 些實施例是為了使揭露徹底完全，且可將其範圍完整地傳達給熟悉此領域之技術者。
當在此所使用，"及/或"之用語包含相關聯的所列項目之一個或更多個之任意結合或所有的結合。例如“的至少一”之措辭，當前綴於一元件清單時，係修飾整體清單之元件而非修飾清單之個別元件。
第1A圖與第1B圖係繪示根據一實施例之薄膜電晶體1。
第1A圖係繪示薄膜電晶體1的剖面圖，而第1B圖係為薄膜電晶體1之平面圖。
請參閱第1A圖以及第1B圖，薄膜電晶體1具有閘極電極110、主動層130、源極電極150a與汲極電極150b依序地形成在基板100上的底部閘極結構。
基板100可用含有二氧化矽之透明玻璃材料作為主要構件來形成。在其他實現方式，基板100可用不透明的材料以及舉例如塑料材料之其他材料來形成。
含有二氧化矽及/或氮化矽(SiNx)的緩衝層(未顯示)可形成在基板100上。緩衝層可使基板100平滑且可防止雜質滲透到基板100。
閘極電極110具有在第一方向X上測量的第一長度Lg，以及在第二方向Y上測量的第一寬度Wg。閘極電極110係由具有在第一方向X測量之第一長度Lg之對面側邊緣以及具有在第二方向Y測量之第一寬度Wg之對面側邊緣所定義。閘極電極110之在第一方向X測量的第一長度Lg可大於在第二方向Y測量的第一寬度Wg。
閘極電極110的對面側邊緣之其中之一，其在第一方向X延伸，係連接至用以施加一掃描信號至閘極電極110的配線111。
根據本實施例，配線111在第一方向具有寬度W1，其小於閘極電極110的第一長度Lg。配線111在閘極電極110上於第二方向Y延伸。在第1B圖，閘極電極110與配線111如圖中所示係連接成“T”形狀，但是在其他實現方式中，其他形狀係可能的。
在閘極電極110上延伸的閘極電極110與配線111可以從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、白金(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鎢鉬合金(MoW)以及Al/Cu中所選出的至少一導電性材料來形成。
第一絕緣層120可為安置在閘極電極110上藉此覆蓋閘極電極110。第一絕緣層120可作為一閘極絕緣層。第一絕緣層120可為一從二氧化矽、氮化矽、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2以及ZrO2所選出的至少一種所形成的無機絕緣層。
含有一氧化物半導體的主動層130係安置在第一絕緣層120上。氧化物半導體可包含從鎵(Ga)、銦(In)、鋅(Zn)、鉿(Hf)、以及錫(Sn)所選出的至少一種。例如，主動層130可以從InGaZnO、ZnSnO、InZnO、InGaO、ZnO、TiO以及鉿銦鋅氧化物(HIZO)中選出的材料所形成。
根據本實施例，主動層130在第一方向X測量有一第二長度La以及在第二方向Y測量有一第二寬度Wa。主動層130在第一方向X測量的第二長度La可大於在第二方向Y測量第二寬度Wa。
第二絕緣層140可為安置在主動層130上。第二絕緣層140可為從二氧化矽、氮化矽、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、以及ZrO2選出之至少一種材料所形成之無機絕緣層。
源極電極150a與汲極電極150b可安置在第二絕緣層140上，藉此分別地透過形成在第二絕緣層140中的接觸孔C1與C2而連接至主動層130。
源極電極150a與汲極電極150b可在第一方向X延伸。如第1B圖所示，每一源極電極150a與汲極電極150b在第二方向Y測量的寬度可小於閘極電極110在第二方向Y測量的寬度。
n+或p+型離子雜質摻雜其上的區域可形成在主動層之各自的邊緣的130上。接觸孔C1與接觸孔C2可連接至離子雜質所摻雜的主動層130之區域。
一通道可形成在主動層130、閘極電極110以及連接至閘極電極110之配線111彼此重疊的一區域上。在一般薄膜電晶體，閘極電極110在第一方向X測量的第一長度Lg係小於主動層130的第二長度La，但是閘極電極110在第二方向Y測量的第一寬度Wg係大於主動層130的第二寬度Wa。
然而，在根據本實施例之薄膜電晶體1中，閘極電極110在第一方向X測量的第一長度Lg係小於主動層130的第二長度La，而且閘極電極110在第二方向Y測量的第一寬度Wg係小於主動層130的第二寬度Wa。
更詳細地說明，延伸在第一方向X閘極電極110的對面側邊緣係與延伸在第一方向X主動層130的對面側邊緣相分隔一距離△Y，藉此可位於向第一方向X延伸之主動層130之對面側邊緣之內。閘極電極110在第二方向Y延伸的對面側邊緣係與在第二方向Y延伸之主動層130之對面側邊緣相分隔一距離△X，藉此可位在向第二方向Y延伸之主動層130之對面側邊緣之內。
在第二方向Y連接閘極電極110的配線111可與在第一方向X延伸的主動層130的複數個相反邊界之一邊界部份地重疊。如此，配線111與主動層 130係與在第一方向X延伸的通道之邊界相重疊，重疊處為第一方向X之配線111之寬度W1。
在此情況中，在通道之邊界上連接至閘極電極110的配線111之一部分之寬度W1係減少與通道之邊界相重疊的區域。如此，遠離通道之邊界的配線111之一部分的寬度可大於重疊通道之邊界的配線111之部分之寬度W1。如第1B圖所示，遠離通道之邊界的配線111部分之寬度可與閘極電極110在第一方向X測量的第一長度Lg相同。在其他實現方式中，遠離通道之邊界的配線111部分的寬度可不同於閘極電極110在第一方向X測量的第一長度Lg。
如上所述，在根據本實施例之薄膜電晶體1中，與閘極電極110及/或配線111以及主動層130在第一方向X之邊界相重疊的通道之邊界之部分係小的。如此，根據汲極電壓的薄膜電晶體之臨界電壓(Vth)係幾乎沒有改變，致使可取得穩定的裝置特性。
第2圖係為根據一實施例之薄膜電晶體1之閘極電壓(Vg)與汲極電流(Id)關係之圖表。
第2圖之圖表係有關於一個閘極電極110在第一方向X測量的第一長度Lg係為40μm，在第二方向Y測量的第一寬度Wg係為20μm的薄膜電晶體，而在第一方向X延伸之閘極電極110的複數個對面側邊緣係與主動層130在第一方向X延伸的複數個對面側邊緣係相分隔2μm(=△Y)，線路111的一部分之寬度W1與通道在第一方向X延伸之邊界相重疊4μm。
在第2圖，G0代表當偏壓為0.1V(VD=0.1V)時的閘極電壓(Vg)與汲極電流(Id)之關係，而G1代表當汲極電壓(VD)為5.1V時的Vg-Id關係。
參閱G0與G1，關於薄膜電晶體1，其所示者，即使汲極電壓增加，薄膜電晶體1之臨界電壓(Vth)也幾乎沒有改變。
當一汲極電壓增加，如果通道之邊界產生缺陷，則可能改變薄膜電晶體的臨界電壓。然而，根據本實施例可配置一薄膜電晶體使得閘極電極110以及主動層130與通道之邊界相重疊的部分減少，從而取得當汲極電壓增加時臨界電壓卻幾乎沒有改變的穩定裝置。
在一具有寬度大於長度的通道的裝置中，這樣一個會影響薄膜電晶體之臨界電壓的缺陷會更頻繁地產生。在閘極電極110在第一方向X延伸的第一長度Lg大於在第二方向Y延伸第二寬度Wg的薄膜電晶體中，可使用一將閘極電極110的一部分與通道之邊界相重疊處最小化的結構，從而將薄膜電晶體的臨界電壓之改變最小化。
第3圖係為根據一比較示例之薄膜電晶體2之平面圖。
請參閱第3圖，薄膜電晶體2包含一閘極電極10、一主動層30、一源極電極50a以及一汲極電極50b。
在比較示例中，與第1A圖與第1B圖揭露之實施例相似，主動層30在第一方向X可測量有第二長度La以及在第二方向Y可測量有第二寬度Wa。根據比較示例之閘極電極10具有第一長度Lg小於主動層30在第一方向X之第二長度La，比較示例之閘極層10也有第一寬度Wg小於主動層30在第二方向Y的第二寬度Wa。
亦即，閘極電極10在第一方向X延伸的複數個對面側邊緣係與主動層的30在第一方向X延伸的複數個對面側邊緣相分隔，藉此可位在主動層30在第一方向X延伸的對面側邊緣之內。然而，閘極電極10在第二方向Y延伸的對 面側邊緣係與主動層30在第二方向Y延伸的對面側邊緣相重疊，藉此可位在主動層30在第二方向Y延伸的對面側邊緣之外部。亦即，閘極電極10與主動層30在第一方向X上與通道之邊界相重疊，重疊處為閘極電極10在第一方向X的第一長度Lg。
在根據第3圖之比較示例之薄膜電晶體2中，相比於繪示在第1A圖與第1B圖中的薄膜電晶體1，閘極電極10與主動層30的複數個與通道之邊界相重疊的部分增加。如此，因為臨界電壓(Vth)會根據一汲極電壓而改變，所以無法取得穩定的裝置特性。
第4圖係繪示根據第3圖之比較示例之薄膜電晶體2之Vg與Id關係之圖表；第4圖之圖表係有關於一個閘極電極10在第一方向X測量的第一長度Lg為50μm，而在第二方向Y測量的第一寬度Wg為25μm的薄膜電晶體，而與通道之邊界在第一方向X相重疊的配線111之部分的寬度係等於閘極電極10的第一長度Lg(=50μm)。
在第4圖，G0代表偏壓為0.1V(VD=0.1V)時的Vg-Id關係，而G2代表當汲極電壓(VD)為5.1V時的Vg-Id關係。
請參閱G0與G2，其係關於根據比較示例之薄膜電晶體2，當汲極電壓增加，G2係右移△V。如此，在根據比較示例之薄膜電晶體2中，由於重疊通道之部分增加，因為薄膜電晶體2根據汲極電壓之臨界電壓(Vth)改變，所以無法取得穩定的裝置特性。
第5圖至第8圖係繪示根據另一實施例薄膜電晶體3、4、5與6之剖面圖。
第5圖係繪示根據另一實施例之薄膜電晶體3之剖面圖。
請參閱第5圖，與繪示在第1A圖與第1B圖之薄膜電晶體1相似，薄膜電晶體3具有閘極電極110、主動層130、源極電極150a與汲極電極150b依序地形成在基板100上的底部閘極結構。然而，與第1A圖與第1B圖之薄膜電晶體1不同的是，源極電極150a與汲極電極150b不透過接觸孔C1與C2(請見第1A圖)連接至主動層130，且歐姆接觸層160a與歐姆接觸層160b係分別地安置在主動層130、源極電極150a與汲極電極150b之間。
第6圖係繪示根據另一實施例薄膜電晶體4之剖面圖。
請參閱第6圖，薄膜電晶體4有一個主動層130、源極電極150a、汲極電極150b與閘極電極110依序地形成在基板100上的頂部閘極結構。源極電極150a與汲極電極150b係透過形成在第一絕緣層120中的接觸孔C1與接觸孔C2以連接至主動層130。
第7圖係為根據另一實施例薄膜電晶體5之剖面圖。
請參閱第7圖，與第6圖之薄膜電晶體4相似，薄膜電晶體5具有一個主動層130、源極電極150a、汲極電極150b與閘極電極110依序地形成在基板100上的頂部閘極結構。然而，與第6圖之薄膜電晶體4不同的是，源極電極150a與汲極電極150b不透過接觸孔C1與C2(請見第6圖)連接至主動層130，而歐姆接觸層160a與歐姆接觸層160b係分別地安置在主動層130、源極電極150a以及汲極電極150b之間。
第8圖係為根據另一實施例薄膜電晶體6之剖面圖。
請參閱第8圖，薄膜電晶體6具有一個主動層130、閘極電極110、源極電極150a與汲極電極150b依序地形成在基板100上的頂部閘極結構。閘極電極110與主動層130的順序係不同於第1A圖與第1B圖所繪示的。
第5圖至第8圖係僅繪示剖面圖，其顯示在薄膜電晶體3、薄膜電晶體4、薄膜電晶體5與薄膜電晶體6中閘極電極110的第一長度Lg係小於主動層130的第二長度La。然而，此外，與第1A圖與第1B圖繪示之薄膜電晶體1相似，在這些實施例中閘極電極110的第一寬度Wg小於主動層130的第二寬度Wa。如此，閘極電極110與通道之邊界重疊的部分係小的。如此，薄膜電晶體根據一汲極電壓之臨界電壓(Vth)可幾乎沒有改變，因而可取得具有穩定的裝置特性之薄膜電晶體。
第5圖至第8圖的薄膜電晶體3、薄膜電晶體4、薄膜電晶體5與薄膜電晶體6係為非限制的示例。在其他實現方式中，可提供具有各種結構的薄膜電晶體。
第9圖係為根據一實施例含有第1A圖與第1B圖之薄膜電晶體之有機發光顯示裝置7之剖面圖。
第9圖之有機發光顯示裝置7包含一含有氧化物半導體的薄膜電晶體。第9圖係顯示第1A圖與第1B圖所繪示之薄膜電晶體1，但是在其他實現方式，有機發光顯示裝置7可包含第5圖至第8圖之薄膜電晶體3至6。
在有機發光顯示裝置7中，閘極電極110、第一絕緣層120、主動層130、第二絕緣層140、源極電極150a以及汲極電極150b可依序地形成在基板上100，而第三絕緣層180可形成在源極電極150a與汲極電極150b之上。該薄膜電晶體之構件可與第1A圖與第1B圖所示者相同，因此不再重複其細節。
薄膜電晶體可連接且驅動一顯示裝置，例如一有機發光二極體(OLED)。例如，一像素電極190可透過形成在第三絕緣層180的接觸孔C3而連接至汲極電極150b。第9圖係顯示薄膜電晶體為一驅動電晶體之情形，在該驅動電晶體中源極電極150a與汲極電極150b之其中之一係直接地連接至像素電極190。然而，如上所述，根據一實施例，薄膜電晶體可為一切換薄膜電晶體(switching TFT)。
有機發光層210可形成在像素電極190上。作為一共同電極的對面電極220可形成在有機發光層210上。在有機發光顯示裝置7，像素電極190可使用作為一陽極，而對面電極220可使用作為一陰極。像素電極190之極性與對面電極220之極性可彼此相反。
有機發光層210可包含一含有小分子有機材料或聚合物有機材料的有機發光層(有機EML)。當有機EML包含小分子有機材料，則電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)與一電子注入層(EIL)可依照有機EML而堆疊。在其他實現方式中，各種層可依所需的方式堆疊。有機材料可包含銅酞菁(CuPc)、N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine(NPB)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)或其相似物。當有機EML包含聚合物有機材料，則除了有機EML 120之外尚可包含一HTL。HTL可以poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。在此，有機材料可包含聚合物有機材料例如以苯撐乙烯(PPV)為基礎的聚合物有機材料，以及以聚芴為基礎的聚合物有機材料。
當像素電極190使用作為一透明電極，對面電極220可使用作為一反射電極。在其他實現方式中，像素電極190可使用作為一反射電極而對面電極 220可使用作為一透明電極。同樣地，從有機發光層210射出的光可透過透明電極從有機發光顯示裝置7釋放出，藉此顯示影像。
雖然未顯示在第9圖，用以保護有機發光層210阻隔外部氧氣與濕氣的一封裝構件(未顯示)可安置在對面電極220上。
含有氧化物半導體的薄膜電晶體可具有極好的裝置特性且可在低溫下處理。如此，薄膜電晶體可理想地使用在平面顯示器之背板。此外，含有氧化物半導體的薄膜電晶體在可見光頻帶可為透明，且亦可為可彎曲的。如此，薄膜電晶體可使用在一透明顯示裝置或一可撓式顯示裝置。如上所述，因為薄膜電晶體根據一汲極電壓的臨界電壓(Vth)幾乎沒有改變，所以含有氧化物半導體的薄膜電晶體可具有穩定裝置特性。如此，薄膜電晶體可使用作為平面顯示之背板中的一開關電晶體及/或一驅動電晶體。
有機發光顯示裝置可為透明與可彎曲的。如此，有機發光顯示裝置與含有氧化物半導體的薄膜電晶體可一起使用在一透明顯示裝置或一可撓式顯示裝置。
雖然已描述關於一有機發光顯示裝置的實施例，但應理解的是在其他實現方式中，其他顯示裝置例如含有液晶的液晶顯示器裝置亦可使用。
作為總結與回顧，複數個實施例係提供具有極好的裝置特性的薄膜電晶體。根據一或更多的實施例，在一薄膜電晶體中，因為減少閘極電極與主動層之邊界相重疊的部分，如此臨界電壓幾乎沒有改變，從而取得穩定的裝置特性。一顯示裝置例如一有機發光顯示裝置，可包含薄膜電晶體。
在此已揭露例示性實施例，雖然使用特定的用語，但其係僅用於一般性與描述性語意之解釋而非為限制之目的。在一些範例中，對於在本發明 之申請之技術領域之通常知識者而言，除非有特別指明，否則在特定的實施例所描述之特徵、特性，及/或元件可單一使用或結合其他實施例所描述之特徵、特性、及/或元件而使用之。因此，此技術領域之技術者將可理解，在不脫離下列的申請專利範圍之精神與範圍下，各種在形式與細節上的改變係為可行的。
3‧‧‧薄膜電晶體
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極電極
120‧‧‧第一絕緣層
130‧‧‧主動層
150a‧‧‧源極電極
150b‧‧‧汲極電極
160a、160b‧‧‧歐姆接觸層
La‧‧‧第二長度
Lg‧‧‧第一長度

Claims (16)

  1. 一種薄膜電晶體，包含：一閘極電極，具有在一第一方向測量的一第一長度與在一第二方向測量的一第一寬度；一主動層，具有在該第一方向測量的一第二長度，與在該第二方向測量的一第二寬度，該主動層的該第二長度係大於該閘極電極的該第一長度，而該主動層的該第二寬度係大於該閘極電極的該第一寬度；以及一源極電極以及一汲極電極，係連接至該主動層；其中該閘極電極在該第一方向延伸之複數個對面側邊緣的至少一個係與該主動層在該第一方向延伸的一對應的對面側邊緣相分隔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極在該第一方向延伸的該複數個對面側邊緣係與該主動層在該第一方向延伸的該複數個對面側邊緣相分隔。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極在該第一方向延伸的該複數個對面側邊緣係與該主動層在該第一方向延伸的該複數個對面側邊緣相分隔一相同的間隔。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極在該第一方向延伸的該複數個對面側邊緣係安置在該主動層在該第一方向延伸的該複數個對面側邊緣之內。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極在該第一方向延伸的該複數個對面側邊緣之其中之一係在該第二 方向連接至在該第一方向有一寬度的一配線，該寬度係小於該閘極電極的該第一長度，而該配線係與該主動層在該第一方向延伸的一邊界相重疊。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極的該第一長度係大於該閘極電極的該第一寬度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該源極電極與該汲極電極係在該第一方向上延伸且彼此面對。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該主動層包含一氧化物半導體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之薄膜電晶體，其中該主動層包含氧以及從鎵、銦、鋅、鉿以及錫之中選出的至少一個。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該源極電極與該汲極電極係透過各自的接觸孔連接至該主動層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體，其中：該主動層包含摻雜離子雜質的一區域，且該源極電極與該汲極電極係透過該各自的接觸孔連接至該區域。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該源極電極與該汲極電極係透過各自的歐姆接觸層連接至該主動層。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極係安置在該主動層下面。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該閘極電極係安置在該主動層上面。
  15. 一種顯示裝置，包含： 一薄膜電晶體，含有：具有在一第一方向測量之一第一長度與在一第二方向測量之一第一寬度的一閘極電極，具有在該第一方向測量之一第二長度與在該第二方向測量之一第二寬度的一主動層，該主動層的該第二長度係大於該閘極電極的該第一長度，而該主動層的該第二寬度係大於該第一寬度，以及連接至該主動層的一源極電極與一汲極電極，其中該閘極電極在該第一方向延伸之複數個對面側邊緣的至少一個係與該主動層在該第一方向延伸的複數個對面側邊緣相分隔；以及一顯示元件，係由該薄膜電晶體所驅動，其中該閘極電極係安置在該主動層上面或下面。
  16. 一種有機發光顯示裝置，包含：一薄膜電晶體，含有：具有在一第一方向測量之一第一長度與在一第二方向測量之一第一寬度的一閘極電極，具有在該第一方向測量之一第二長度與在該第二方向測量之一第二寬度的一主動層，該主動層的該第二長度係大於該閘極電極的該第一長度，而該主動層的該第二寬度係大於該第一寬度，以及連接至該主動層的一源極電極與一汲極電極，其中該閘極電極在該第一方向延伸之複數個對面側邊緣的至少一個係與該主動層在該第一方向延伸的複數個對面側邊緣相分隔；一像素電極，連接至該薄膜電晶體之該源極電極與該汲極電極之其中之一；一對面電極，面向該像素電極；以及 一有機發光層，安置在該像素電極與該對面電極之間，其中該閘極電極係安置在該主動層上面或下面。
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