KR100647691B1 - 평판 디스플레이 장치 - Google Patents

평판 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100647691B1
KR100647691B1 KR1020050033535A KR20050033535A KR100647691B1 KR 100647691 B1 KR100647691 B1 KR 100647691B1 KR 1020050033535 A KR1020050033535 A KR 1020050033535A KR 20050033535 A KR20050033535 A KR 20050033535A KR 100647691 B1 KR100647691 B1 KR 100647691B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film transistor
ldd
length
electrically connected
Prior art date
Application number
KR1020050033535A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060111131A (ko
Inventor
서창수
천필근
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050033535A priority Critical patent/KR100647691B1/ko
Publication of KR20060111131A publication Critical patent/KR20060111131A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100647691B1 publication Critical patent/KR100647691B1/ko

Links

Images

Classifications

    • DTEXTILES; PAPER
    • D04BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
    • D04BKNITTING
    • D04B9/00Circular knitting machines with independently-movable needles
    • D04B9/42Circular knitting machines with independently-movable needles specially adapted for producing goods of particular configuration
    • D04B9/46Circular knitting machines with independently-movable needles specially adapted for producing goods of particular configuration stockings, or portions thereof
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A41WEARING APPAREL
    • A41BSHIRTS; UNDERWEAR; BABY LINEN; HANDKERCHIEFS
    • A41B11/00Hosiery; Panti-hose
    • A41B11/001Decoration; Marking
    • DTEXTILES; PAPER
    • D04BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
    • D04BKNITTING
    • D04B1/00Weft knitting processes for the production of fabrics or articles not dependent on the use of particular machines; Fabrics or articles defined by such processes
    • D04B1/22Weft knitting processes for the production of fabrics or articles not dependent on the use of particular machines; Fabrics or articles defined by such processes specially adapted for knitting goods of particular configuration
    • D04B1/24Weft knitting processes for the production of fabrics or articles not dependent on the use of particular machines; Fabrics or articles defined by such processes specially adapted for knitting goods of particular configuration wearing apparel
    • D04B1/26Weft knitting processes for the production of fabrics or articles not dependent on the use of particular machines; Fabrics or articles defined by such processes specially adapted for knitting goods of particular configuration wearing apparel stockings
    • DTEXTILES; PAPER
    • D04BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
    • D04BKNITTING
    • D04B15/00Details of, or auxiliary devices incorporated in, weft knitting machines, restricted to machines of this kind
    • D04B15/94Driving-gear not otherwise provided for
    • D04B15/99Driving-gear not otherwise provided for electrically controlled
    • DTEXTILES; PAPER
    • D04BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
    • D04BKNITTING
    • D04B35/00Details of, or auxiliary devices incorporated in, knitting machines, not otherwise provided for
    • D04B35/10Indicating, warning, or safety devices, e.g. stop motions
    • D04B35/18Indicating, warning, or safety devices, e.g. stop motions responsive to breakage, misplacement, or malfunctioning of knitting instruments
    • DTEXTILES; PAPER
    • D04BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
    • D04BKNITTING
    • D04B35/00Details of, or auxiliary devices incorporated in, knitting machines, not otherwise provided for
    • D04B35/10Indicating, warning, or safety devices, e.g. stop motions
    • D04B35/20Indicating, warning, or safety devices, e.g. stop motions responsive to defects, e.g. holes, in knitted products
    • DTEXTILES; PAPER
    • D04BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
    • D04BKNITTING
    • D04B37/00Auxiliary apparatus or devices for use with knitting machines
    • D04B37/02Auxiliary apparatus or devices for use with knitting machines with weft knitting machines
    • DTEXTILES; PAPER
    • D04BRAIDING; LACE-MAKING; KNITTING; TRIMMINGS; NON-WOVEN FABRICS
    • D04BKNITTING
    • D04B39/00Knitting processes, apparatus or machines not otherwise provided for
    • DTEXTILES; PAPER
    • D10INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBLASSES OF SECTION D, RELATING TO TEXTILES
    • D10BINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBLASSES OF SECTION D, RELATING TO TEXTILES
    • D10B2501/00Wearing apparel
    • D10B2501/02Underwear
    • D10B2501/021Hosiery; Panti-hose

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 각 부화소의 색상별 발광 효율 차이에 의한 화이트 밸런스의 어긋남이 방지된 평판 디스플레이 장치를 위하여, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 구비되는 LDD(lightly doped drain) 구조를 구비한 제 1 박막 트랜지스터와, 상기 제 1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 디스플레이 소자를 구비하되, 어느 한 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이와 다른 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

평판 디스플레이 장치{Flat panel display apparatus}
도 1은 색상별 발광 효율 차이에 의한 화이트 밸런스의 어긋남이 방지된 종래의 평판 디스플레이 장치의 원리를 개념적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 색상별 발광 효율 차이에 의한 화이트 밸런스의 어긋남이 방지된 종래의 평판 디스플레이 장치의 다른 원리를 개념적으로 도시하는 평면도이다.
도 3은 반도체층에 LDD(lightly doped drain)가 구비되지 않은 경우, 게이트 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 4는 반도체층에 LDD가 구비된 경우, 게이트 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 5는 반도체층에 구비된 LDD의 길이 변화에 따른 누설 전류의 변화를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 6은 반도체층에 구비된 LDD의 길이 변화에 따른, 온 상태에서의 드레인 전류(온 커런트, on current)의 변화를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 7 및 도 8은 LDD의 길이가 서로 다른 박막 트랜지스터들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110: 기판 112: 버퍼층
113: 반도체층 113a: 채널 영역
113b: LDD 113c: 고농도 불순물 영역
114: 게이트 절연막 115: 게이트 전극
116: 층간 절연막 117: 소스 전극/드레인 전극
128: 보호막 129: 화소 정의막
131: 화소 전극 133: 중간층
134: 대향 전극
본 발명은 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 각 부화소의 색상별 발광 효율 차이에 의한 화이트 밸런스의 어긋남이 방지된 평판 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판 디스플레이 장치에는 적색, 녹색 또는 청색의 광을 방출하는 디스플레이 소자들이 구비되는데, 이 디스플레이 소자들의 발광 효율은 방출하는 광의 색에 따라 다르다. 특히, 최근 평판 디스플레이 장치로 주목받고 있는 유기 발광 디스플레이 장치의 경우 각 부화소를 이루는 유기 발광 소자들의 발광 효율이 방출하는 광의 색에 따라 현저히 다른데, 이러한 각 색의 광에 따른 발광 효 율의 차이는 결국 재현되는 이미지의 화이트 밸런스의 어긋남을 유발한다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 일본 특개평5-107561호에는 각 부화소에서 방출하는 광의 색에 따라 서로 다른 전압의 전원이 공급되는 전계발광 디스플레이 장치가 개시되어 있다. 발광 효율이 낮은 색의 광을 방출하는 부화소에 공급되는 전원 전압을 높임으로써, 궁극적으로 화이트 밸런스를 맞춘다는 원리이다. 그러나 이 경우 서로 다른 색의 광을 방출하는 부화소에는 서로 다른 전원을 공급해야 하므로, 구조가 복잡해진다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 일본 특개2001-109399호에는 도 1에 도시된 것과 같이 각 부화소의 구동 트랜지스터(driving transistor)의 사이즈, 즉 박막 트랜지스터의 채널의 폭과 길이의 비(W/L)가 서로 다르도록 되어 있는 컬러 표시 장치가 개시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 각각 적색, 녹색 및 청색의 광을 방출하는 부화소(R, G, B)에 구비된 각 박막 트랜지스터(RT, GT, BT)의 채널의 폭과 길이의 비를 변화시킴으로써 광을 방출하는 전계발광 소자에 공급되는 구동 전류를 변화시킬 수 있으며, 이 구동 전류를 변화시킴으로써 각 색상별 발광 효율의 차이를 보상하는 원리이다. 그러나 이러한 컬러 표시 장치의 경우, 각 부화소별로 구비되는 구동 트랜지스터의 채널의 폭과 길이의 비를 변화시켜 형성해야만 하므로, 공정이 복잡해진다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 일본 특개2001-290441호에는 도 2에 도시된 것과 같이 각 부화소별로 화소 전극의 크기가 서로 다르도록 되어 있는 컬러 표시 장치가 개시되어 있다. 발광 효율이 낮은 색의 광을 방출하는 부화소의 화소 전극을 더 크게 형성함으로써, 발광 면적이 늘어남에 따라 화이트 밸런스가 맞춰지도록 하는 원리이다. 그러나 구동 전류가 동일한 상태에서 화소 전극의 면적을 더 크게 하더라도 화이트 밸런스의 조정에는 한계가 있으며, 특히 화소 전극의 크기가 커짐에 따라 고정세의 이미지 구현이라는 디스플레이 장치의 목적을 달성할 수 없게 된다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 각 부화소의 색상별 발광 효율 차이에 의한 화이트 밸런스의 어긋남이 방지된 평판 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 구비되는 LDD(lightly doped drain) 구조를 구비한 제 1 박막 트랜지스터와, 상기 제 1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 디스플레이 소자를 구비하되, 어느 한 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이와 다른 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 상기 디스플레이 소자의 발광 효율에 따라 결정되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 상기 디스플레이 소자의 발광 효율에 비례하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 발광 효율이 제일 높은 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이보다 긴 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 발광 효율이 제일 높은 색은 녹색인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 발광 효율이 제일 낮은 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이보다 짧은 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 발광 효율이 제일 낮은 색은 적색 또는 청색인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 발광 효율이 제일 낮은 색은 적색인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 제 2 박막 트랜지스터를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 디스플레이 소자는 유기 발광 소자인 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 반도체층에 LDD(lightly doped drain)가 구비되지 않은 경우, 게이트 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화를 개략적으로 도시하는 그래프이다. 도 3을 참조하면, p형 박막 트랜지스터의 경우 게이트 전압(VG)이 증가하여 임계 전압 이상으로 상승하게 되면 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전류(ID)가 급격하게 증가한다는 것을 알 수 있다. 그런데, 게이트 전압(VG)이 임계 전압 이하일 경우에는 소스 전극과 드레인 전극 사이에 전류(ID)가 흐르지 않아야 하는데, 도 3에 도시된 것과 같이 상당히 큰 누설 전류(leakage current, off current)가 흐른다는 것을 알 수 있다.
이러한 누설 전류를 방지하기 위해 박막 트랜지스터의 반도체층에 LDD가 구비되도록 한다. LDD가 구비된 반도체층 및 이를 구비한 박막 트랜지스터의 구조는 후술하기로 한다. LDD가 구비될 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 게이트 전압(VG)이 임계 전압 이하일 때 소스 전극과 드레인 전극 사이에 흐르는 누설 전류가 급격히 감소하게 된다.
그런데, 이와 같이 LDD가 구비될 경우 이 LDD의 길이에 따라 이러한 누설 전류의 크기가 달라진다. 즉, 도 5에 도시된 것과 같이 LDD의 길이(LLDD)가 증가함에 따라 누설 전류(ID)가 급격하게 감소한다. 이때, 이와 같은 누설 전류의 크기의 감 소 외에도, 도 6에 도시된 것과 같이 p형 박막 트랜지스터에서 게이트 전압이 임계 전압 이상일 경우 소스 전극과 드레인 전극 사이에 흐르는 전류(ID)의 크기 역시 LDD의 길이(LLDD)에 따라 점진적으로 감소한다.
따라서 이와 같은 원리를 이용하여, 발광 효율이 다른 부화소들간의 화이트 밸런스를 적절하게 맞출 수 있다. 즉, 발광 효율이 높은 부화소에 구비된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 길게 하고 발광 효율이 낮은 부화소에 구비된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 작게 함으로써, 전체적으로 균형 있는 화이트 밸런스를 유지할 수 있다.
도 7 및 도 8은 LDD의 길이가 서로 다른 박막 트랜지스터들을 개략적으로 도시하는 단면도들이다. 상기 도면들을 참조하면, 박막 트랜지스터는 기판(10) 상에 구비되는데, 이 기판(10)은 투명한 글라스재로 형성될 수 있는 데, 이 외에도, 아크릴, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 미라르(mylar) 기타 플라스틱 재료가 사용될 수도 있다.
기판(10) 상에는 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 물질로, 기판(10)의 평활성을 유지하고 불순물의 반도체층(13)으로의 침투를 방지하는 버퍼층(12)이 구비되어 있다. 이 버퍼층(12) 상에 반도체층(13)이 구비되어 있는데, 이 반도체층(13)은 채널 영역(13a)과, 이 채널 영역(13a) 양쪽의 LDD(13b)과, 소스 전극/드레인 전극(17)과 접하는 소스 영역/드레인 영역(13c)을 구비한다. 이러한 반도체층(13)은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥사이드 등과 같은 물질로 형 성된 게이트 절연막(14)으로 덮이고, 이 게이트 절연막(14) 상에 반도체층(13)의 채널 영역(13a)과 대응되도록 게이트 전극(15)이 구비된다. 이 게이트 전극(15)을 덮도록 층간 절연막(16)이 구비되어 있으며, 이 층간 절연막(16) 및 게이트 절연막(14)에는 컨택홀(16a)이 구비되어 있다. 이 컨택홀(16a)을 통해 소스 전극/드레인 전극(17)이 반도체층(13)의 소스 영역/드레인 영역(13c)에 전기적으로 연결된다.
이와 같은 구조의 박막 트랜지스터에서, 전술한 바와 같이 LDD(13b)의 길이를 변화시킴으로써 각 화소의 화이트 밸런스를 적절하게 맞출 수 있다. 이는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도인 도 9를 참조하여 설명하도록 한다.
도 9를 참조하면, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 것과 같은 구조의 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 보호막(128)이 구비되어 있으며, 이 보호막(128) 상에 화소 전극(131)이 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극/드레인 전극(117) 중 어느 한 전극에 전기적으로 연결되어 있다. 그리고 이 화소 전극(131)에 대향되도록 대향 전극(134)이 구비되어 있다. 유기 발광 소자는 이와 같이 서로 대향된 화소 전극(131)과 대향 전극(134), 그리고 그 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층(133)을 구비한다. 그리고 이러한 유기 발광 소자는 각 부화소를 이루는데, 인접한 부화소와 화소 정의막(129)에 의해 구별될 수 있다.
화소 전극(131)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(134)은 캐소드 전극의 기능을 하는데, 물론 이들 화소 전극(131)과 대향 전극(134)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(131)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3층을 형성한 형태로 구비될 수 있다.
대향 전극(134)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명전극으로 사용될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물로 이루어진 층을 증착 등의 방법으로 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명한 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인이 형성되도록 할 수 있다. 그리고 반사형 전극으로 사용될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.
적어도 발광층을 포함하는 중간층(133)은 유기물로 구비될 수 있는데, 이 유기물은 저분자 또는 고분자 유기물이다. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀 린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 마스크들을 이용하여 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
고분자 유기물의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL)과 발광층(EML)의 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다.
이와 같은 유기 발광 소자의 경우, 중간층(133)에 포함된 발광층에서 방출하는 광의 색에 따라 그 발광 효율이 다르다. 이 발광 효율은 발광층을 이루는 물질에 따라 다르게 되는데, 통상적으로 녹색의 광을 방출하는 유기 발광 소자는 12(Cd/A)의 발광 효율을 갖는 반면, 적색의 광을 방출하는 유기 발광 소자는 4.5(Cd/A)의 발광 효율을, 그리고 청색의 광을 방출하는 유기 발광 소자는 5(Cd/A)의 발광 효율을 갖는다. 이와 같이 발광 효율이 서로 상이하기 때문에, 이러한 유기 발광 소자를 부화소에 구비한 유기 발광 디스플레이 장치는 화이트 밸런스가 맞지 않게 될 수 있다.
따라서, 전술한 바와 같이 박막 트랜지스터의 LDD의 길이가 상기 디스플레이 소자, 즉 유기 발광 소자의 발광 효율에 따라 결정되도록 함으로써, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터의 LDD의 길이가 디스플레이 소자의 발광 효율에 비례하도록 함으로써, 전체적인 화이트 밸런스를 맞출 수 있다. 특히, 발광 효율이 제일 높은 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이가 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이보다 길게 함으로써, 전체적인 화이트 밸런스를 맞출 수 있다.
각 색의 광을 방출하는 유기 발광 소자가 상기와 같은 발광 효율을 가질 경우, 녹색의 광을 방출하는 유기 발광 소자의 발광 효율이 다른 색의 광을 방출하는 유기 발광 소자들에 비해 현저히 높으므로, 녹색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 길게 하여 전체적인 화이트 밸런스를 맞출 수 있다.
물론 이와 반대로, 발광 효율이 제일 낮은 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이보다 짧게 함으로써 전체적인 화이트 밸런스를 맞출 수도 있다. 각 색의 광을 방출하는 유기 발광 소자가 상기와 같은 발광 효율을 가질 경우, 적색 또는 청색의 광을 방출하는 유기 발광 소자들의 발광 효율이 제일 낮으므로, 이들 유기 발광 소자들에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 녹색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이보다 짧게 함으로써, 전체적인 화이트 밸런스를 맞출 수 있다.
물론 적색과 청색 색의 광을 각각 방출하는 유기 발광 소자가 전술한 바와 같이 약간이나마 발광 효율이 다른 경우에는 이를 반영하여, 적색의 광을 방출하는 유기 발광 소자의 발광 효율이 제일 낮을 때는 이에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 더욱 짧게 하여, 더욱 정확하게 화이트 밸런스를 맞출 수도 있다.
전술한 바와 같이 통상적으로 녹색의 광을 방출하는 유기 발광 소자는 12(Cd/A)의 발광 효율을, 적색의 광을 방출하는 유기 발광 소자는 4.5(Cd/A)의 발광 효율을, 그리고 청색의 광을 방출하는 유기 발광 소자는 5(Cd/A)의 발광 효율을 갖는다. 이와 같이 발광 효율의 경우, 발광 효율이 가장 높은 녹색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 대략 1.2㎛ 내지 2.8㎛, 청색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 대략 0.7㎛ 내지 1.2㎛, 그리고 발광 효율이 가장 낮은 적색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 대략 0.2㎛ 내지 0.7㎛가 되도록 함으로써, 전체적인 화이트 밸런스를 맞출 수 있었다. 특히, 녹색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 대략 2㎛, 청색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 대략 0.8㎛, 그리고 적색의 광을 방출하는 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 대략 0.5㎛가 되도록 했을 때, 최적의 화이트 밸런스를 구현할 수 있었다.
물론 이러한 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 예시적인 것이며, 전술한 바와 같이 각 유기 발광 소자의 발광 효율에 따라 그 유기 발광 소자에 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터의 LDD의 길이를 변화시킴으로써 화이트 밸런스를 맞출 수 있음은 물론이다.
상술한 박막 트랜지스터는 이에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자에 구동 전류를 전하는 구동 트랜지스터들이다. 물론 이 박막 트랜지스터들을 제 1 박막 트랜지스터들이라고 할 경우, 스위칭 트랜지스터의 역할을 하는 적어도 하나의 제 2 박막 트랜지스터가 전기적으로 더 연결될 수도 있으며, 이 외에도 커패시터나 또 다른 박막 트랜지스터들이 더 연결될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.
또한, 상술한 실시예를 설명하는데 참조된 도면에는 박막 트랜지스터의 형태가 코플래나(coplanar)형 박막 트랜지스터인 경우만이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않음 역시 물론이다.
그리고 상술한 실시예를 설명함에 있어서 p형 박막 트랜지스터를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명이 n형 박막 트랜지스터 등에도 적용될 수 있음도 물론이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 평판 디스플레이 장치에 따르면, 복잡한 구성 없이도 간단하게 각 부화소의 색상별 발광 효율 차이에 의한 화이트 밸런스의 어긋남이 방지된 평판 디스플레이 장치를 제공할 수 있으며, 이를 통해 보다 자연스러운 이미지 등을 재현할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 구비되는 LDD(lightly doped drain) 구조를 구비한 제 1 박막 트랜지스터; 및
    상기 제 1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 디스플레이 소자;를 구비하되, 어느 한 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이와 다른 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 상기 디스플레이 소자의 발광 효율에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 상기 디스플레이 소자의 발광 효율에 비례하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    발광 효율이 제일 높은 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 발광 효율이 제일 높은 색은 녹색인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    발광 효율이 제일 낮은 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이는 다른 색의 광을 방출하는 디스플레이 소자에 전기적으로 연결된 제 1 박막 트랜지스터의 LDD의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    발광 효율이 제일 낮은 색은 적색 또는 청색인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    발광 효율이 제일 낮은 색은 적색인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 제 2 박막 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  10. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 디스플레이 소자는 유기 발광 소자인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
KR1020050033535A 2005-04-22 2005-04-22 평판 디스플레이 장치 KR100647691B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050033535A KR100647691B1 (ko) 2005-04-22 2005-04-22 평판 디스플레이 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050033535A KR100647691B1 (ko) 2005-04-22 2005-04-22 평판 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060111131A KR20060111131A (ko) 2006-10-26
KR100647691B1 true KR100647691B1 (ko) 2006-11-23

Family

ID=37619997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050033535A KR100647691B1 (ko) 2005-04-22 2005-04-22 평판 디스플레이 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100647691B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1098196A (ja) 1996-09-21 1998-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
JPH10197900A (ja) 1997-12-27 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JP2000277740A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板の検査方法、および半導体装置の製造方法
JP2000315798A (ja) 1999-03-04 2000-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1098196A (ja) 1996-09-21 1998-04-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
JPH10197900A (ja) 1997-12-27 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
JP2000315798A (ja) 1999-03-04 2000-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2000277740A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板の検査方法、および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060111131A (ko) 2006-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8587499B2 (en) Organic light emitting diode display
KR100964225B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
CN109004010B (zh) 有机发光显示装置
US8809838B2 (en) Organic light emitting diode display
US8593058B2 (en) Organic light-emitting display device
US8941133B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR100615211B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100709194B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100615199B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치
KR100625994B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100759558B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100658755B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100813841B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
KR100647691B1 (ko) 평판 디스플레이 장치
KR100741097B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR100603335B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100563060B1 (ko) 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치
KR100573138B1 (ko) 평판 표시 장치
KR100787458B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
KR100528914B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
KR100683665B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치
KR100669709B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100659097B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
US11430965B2 (en) Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
KR100669708B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치와, 이를 제조하기 위한 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141030

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171101

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 13