CN103247253B - 像素以及使用该像素的有机发光显示器 - Google Patents

像素以及使用该像素的有机发光显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN103247253B
CN103247253B CN201210303009.0A CN201210303009A CN103247253B CN 103247253 B CN103247253 B CN 103247253B CN 201210303009 A CN201210303009 A CN 201210303009A CN 103247253 B CN103247253 B CN 103247253B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
voltage
electrode
signal
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210303009.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103247253A (zh
Inventor
安定根
李王枣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN103247253A publication Critical patent/CN103247253A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103247253B publication Critical patent/CN103247253B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0847—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory without any storage capacitor, i.e. with use of parasitic capacitances as storage elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2014—Display of intermediate tones by modulation of the duration of a single pulse during which the logic level remains constant

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

本发明提供一种像素以及使用该像素的有机发光显示器。该像素包括：连接于第一电源和第一节点之间的第一晶体管，所述第一晶体管包括连接至第二节点的栅电极；连接于所述第一节点和第二电源之间的有机发光二极管（OLED）；用于响应于扫描信号而向所述第二节点提供数据信号的第二晶体管；具有彼此电连接的源电极和漏电极的第三晶体管，所述第三晶体管连接至所述第一电源和所述第二节点；以及具有彼此电连接的另一源电极和另一漏电极的第四晶体管，所述第四晶体管连接于所述第二节点和所述第一节点之间。

Description

像素以及使用该像素的有机发光显示器
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年2月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2012-0011161的优先权和权益，通过引用将该申请的全部内容合并于此。
技术领域
实施例涉及一种像素以及使用该像素的有机发光显示器。
背景技术
近来，已经研发出能够降低重量和体积的各种平板显示器（FPD），而重量和体积正是阴极射线管（CRT）的缺点。FPD包括液晶显示器（LCD）、场致发射显示器（FED）、等离子体显示板（PDP）以及有机发光显示器。
在FPD当中，有机发光显示器可利用通过电子和空穴的复合而产生光的有机发光二极管（OLED）来显示图像。有机发光显示器可具有高响应速度，并且可以以低功耗被驱动。
根据驱动有机发光显示器中的OLED的方法，有机发光显示器可被划分为无源矩阵型（PMOLED）和有源矩阵型（AMOLED）。
发明内容
根据实施例，提供一种像素，包括：连接于第一电源和第一节点之间的第一晶体管，所述第一晶体管包括连接至第二节点的栅电极；连接于所述第一节点和第二电源之间的有机发光二极管（OLED）；用于响应于扫描信号而向所述第二节点提供数据信号的第二晶体管；具有彼此电连接的源电极和漏电极的第三晶体管，所述第三晶体管连接至所述第一电源和所述第二节点；以及具有彼此电连接的另一源电极和另一漏电极的第四晶体管，所述第四晶体管连接于所述第二节点和所述第一节点之间。
所述数据信号可具有第一电压或第二电压，所述第二电压设为具有比所述第一电压大的值。
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第四晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管可被配置为以强反型模式被驱动。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第四晶体管被配置为以强反型模式被驱动。
所述第三晶体管和所述第四晶体管均可包括：位于基板上的半导体层；位于所述半导体层上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的栅电极；位于所述栅电极和所述栅极绝缘层上的中间绝缘层。所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极以及所述第四晶体管的所述另一源电极和所述另一漏电极可位于所述中间绝缘层上，并且可通过所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层中的多个接触孔电连接至所述半导体层。
所述源电极、所述漏电极、所述另一源电极以及所述另一漏电极可采用位于所述栅电极上方的一个板的形式。所述多个接触孔可形成在所述板的边缘，使得所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极与所述半导体层之间的接触面积、以及所述第四晶体管的所述另一源电极和所述另一漏电极与所述半导体层之间的另一接触面积增大。
所述第一晶体管至所述第四晶体管可为PMOS晶体管或者为NMOS晶体管。
根据实施例，提供一种有机发光显示器，包括：像素单元，包括连接至扫描线、数据线、第一电源和第二电源的像素；用于通过所述扫描线向所述像素提供扫描信号的扫描驱动器；以及用于通过所述数据线向所述像素提供数据信号的数据驱动器，其中每个像素包括：连接于第一节点和所述第二电源之间的有机发光二极管（OLED）；连接于所述第一电源和所述第一节点之间的第一晶体管，所述第一晶体管包括连接至第二节点的栅电极；用于响应于扫描信号而向所述第二节点提供数据信号的第二晶体管；具有彼此电连接的源电极和漏电极的第三晶体管，所述第三晶体管连接于所述第一电源和所述第二节点之间；以及具有彼此电连接的另一源电极和另一漏电极的第四晶体管，所述第四晶体管连接于所述第二节点和所述第一节点之间。
所述数据信号可具有第一电压或第二电压，所述第二电压具有比所述第一电压大的值。
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第四晶体管可被配置为作为MOS电容器操作。
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管可被配置为以强反型模式被驱动。在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第四晶体管可被配置为以强反型模式被驱动。
所述第三晶体管和所述第四晶体管均可包括：位于基板上的半导体层；位于所述半导体层上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的栅电极；位于所述栅电极和所述栅极绝缘层上的中间绝缘层。所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极以及所述第四晶体管的所述另一源电极和所述另一漏电极可位于所述中间绝缘层上，并且可通过所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层中的多个接触孔电连接至所述半导体层。
所述源电极、所述漏电极、所述另一源电极以及所述另一漏电极可采用位于所述栅电极上方的一个板的形式。
所述多个接触孔可形成在所述板的边缘，使得所述第三晶体管的所述源电极和所述漏电极与所述半导体层之间的接触面积、以及所述第四晶体管的所述另一源电极和所述另一漏电极与所述半导体层之间的另一接触面积可增大。
所述第一晶体管至所述第四晶体管可为PMOS晶体管或NMOS晶体管。
附图说明
附图与说明书一起举例说明了示例性实施例，并且与具体描述一起用于解释基本原理。
图1是示出根据实施例的有机发光显示器的视图。
图2是示出根据实施例的像素的视图。
图3是示出驱动图2的像素的方法的波形图。
图4是示出根据另一实施例的像素的视图。
图5是示出图2的像素的截面的视图。
图6是示出图5的像素的布局图。
图7是示出在第三晶体管的源电极和漏电极以及第四晶体管的源电极和漏电极中的每一个均作为一个板形成在第三晶体管的栅电极和第四晶体管的栅电极的上方时像素的截面的视图。
图8是示出图7的像素的布局图。
图9是示出其中另外形成有接触孔的像素的布局图。
具体实施方式
于2012年2月3日在韩国知识产权局提交的且名称为“像素以及使用该像素的有机发光显示器”的韩国专利申请No.10-2012-0011161通过引用整体合并于此。
在详细的描述和附图中包括其它的实施例的详细情况。
现在将参照其中示出本发明的示例性实施例的附图更充分地描述实施例。然而，这些可以采用许多不同的形式来具体实现，而不应当被解释为限于这里所阐述的实施例。在附图中，当一个部件连接至另一个部件时，该部件可直接连接至另一个部件，该部件也可利用在两个部件之间插入的另一元件电连接至另一个部件。在附图中，为了描述清楚起见，可省略与实施例无关的部件。在不同附图中相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略对它们的描述。
在下文中，将参照实施例以及描述这些实施例的附图来描述根据实施例的像素以及使用该像素的有机发光显示器。
图1是示出根据实施例的有机发光显示器的视图。
参照图1，根据实施例的有机发光显示器包括像素单元20，该像素单元20包括连接至扫描线S1至Sn、数据线D1至Dm、第一电源ELVDD和第二电源ELVSS的像素10，该有机发光显示器还包括通过扫描线S1至Sn向像素10提供扫描信号的扫描驱动器30以及通过数据线D1至Dm向像素10提供数据信号的数据驱动器40。有机发光显示器可进一步包括用于控制扫描驱动器30和数据驱动器40的时序控制器50。
像素10中的每一个均连接至第一电源ELVDD和第二电源ELVSS。
接收第一电源ELVDD和第二电源ELVSS的像素10中的每一个均通过从第一电源ELVDD经由有机发光二极管（OLED）流至第二电源ELVSS的电流产生与数据信号对应的光。
扫描驱动器30通过时序控制器50的控制产生扫描信号，并且通过扫描线S1至Sn将所产生的扫描信号提供至像素10。
数据驱动器40通过时序控制器50的控制产生数据信号，并且通过数据线D1至Dn将所产生的数据信号提供至像素10。
另外，数据驱动器40可进行操作，使得数据信号具有第一电压V1或第二电压V2。这里，第二电压V2可被设置为大于第一电压V1。
图2是示出根据实施例的像素的视图。在图2中，为方便起见，将举例说明连接至第n条扫描线Sn和第m条数据线Dm的像素10。
具体地，在该实施例中，构成像素10的晶体管P1至P4可为P型金属氧化物半导体（PMOS）场效应晶体管。
参照图2，根据实施例的像素10中的每一个均包括有机发光二极管（OLED）以及连接至数据线Dm和扫描线Sn的用以控制提供至OLED的电流量的像素电路12。
OLED的阳极电极可连接至像素电路12，OLED的阴极电极连接至第二电源ELVSS。OLED产生预定亮度的光，以与由像素电路12供应的电流对应。
在扫描信号提供至扫描线Sn时，像素电路12控制从第一电源ELVDD经由OLED流至第二电源ELVSS的电流，以对应于提供至数据线Dm的数据信号。因此，像素电路12可包括第一晶体管P1、第二晶体管P2、第三晶体管P3以及第四晶体管P4。
OLED连接于第一节点N1和第二电源ELVSS之间。详细地，OLED的阳极电极可连接至第一节点N1，而OLED的阴极电极可连接至第二电源ELVSS。
作为驱动晶体管的第一晶体管P1产生与提供至第一晶体管P1的栅电极的数据信号对应的电流，以将所产生的电流提供至OLED。因此，第一晶体管P1连接于第一电源ELVDD和第一节点N1之间，第一晶体管P1的栅电极连接至第二节点N2。
详细地，第一晶体管P1的源电极可连接至第一电源ELVDD，而第一晶体管P1的漏电极可连接至第一节点N1。
第二晶体管P2可响应于扫描信号的提供而向第二节点N2提供数据信号。当从扫描线Sn提供扫描信号时第二晶体管P2导通，并将来自数据线Dm的数据信号提供至第一晶体管P1的栅电极。
因此，第一晶体管P1产生与提供至其栅电极的数据信号的电压电平对应的电流，以将所产生的电流提供至OLED。
详细地，第二晶体管P2的栅电极可连接至扫描线Sn，第二晶体管P2的源电极可连接至数据线Dm，以及第二晶体管P2的漏电极可连接至第二节点N2。
第三晶体管P3可作为一种金属氧化物半导体（MOS）电容器操作。第三晶体管P3的源电极可电连接至第三晶体管P3的漏电极。详细地，第三晶体管P3的源电极和漏电极可连接至第一电源ELVDD，第三晶体管P3的栅电极可连接至第二节点N2。因此，第三晶体管P3的源电极和漏电极可彼此电连接，并且可电连接至第一晶体管P1的源电极。
具体地，当足够低的使得在半导体层形成沟道的电压（例如数据信号的第一电压V1）提供至第三晶体管P3的栅电极时，半导体层和第三晶体管P3的栅电极可作为一个具有预定电容的电容器操作，其中在半导体层和第三晶体管P3之间插有栅极绝缘层。
第四晶体管P4可作为一种类似第三晶体管P3的MOS电容器操作。第四晶体管P4的源电极和漏电极可彼此电连接。详细地，第四晶体管P4的源电极和漏电极可电连接至第二节点N2，而第四晶体管P4的栅电极可连接至第一节点N1。因此，第四晶体管P4的源电极和漏电极可彼此电连接，并且可电连接至第一晶体管P1的栅电极。
具体地，当足够低的使得在半导体层形成沟道的电压（例如数据信号的第二电压V2）提供至第四晶体管P4的源电极和漏电极时，半导体层和第四晶体管P4的栅电极可作为一个具有预定电容的电容器操作，其中在半导体层和第四晶体管P4之间插有栅极绝缘层。
第一节点N1可被定义为OLED的阳极电极、第一晶体管P1的漏电极以及第四晶体管P4的栅电极彼此连接的接触点。
第二节点N2可被定义为第一晶体管P1的栅电极、第二晶体管P2的漏电极、第三晶体管P3的栅电极以及第四晶体管P4的源电极和漏电极彼此连接的接触点。
作为高电位电源的第一电源ELVDD连接至第一晶体管P1的源电极。
作为电压电平低于第一电源ELVDD的低电位电源的第二电源ELVSS连接至OLED的阴极电极。
图3是示出驱动图2的像素的方法的波形图。在下文中，参照图2和图3，将描述根据实施例的像素10的操作。
首先，在第一周期T1，提供具有低电平电压的扫描信号，并且提供具有第一电压V1的数据信号。
当提供扫描信号时，第二晶体管P2导通，并且通过导通的第二晶体管P2向第二节点N2提供数据信号。
提供至第二节点N2的数据信号具有第一电压V1，该电压为足够低的电压，使得当第一电压V1提供至第三晶体管P3的栅电极时，在第三晶体管P3的半导体层中形成沟道，从而第三晶体管P3作为MOS电容器操作。
然而，当向第四晶体管P4的源电极和漏电极提供第一电压V1时，由于在第四晶体管P4的半导体层中未形成沟道，因此第四晶体管P4不作为MOS电容器操作。
因此，可在作为MOS电容器操作的第三晶体管P3中充电以与第一电源ELVDD和第一电压V1之间的差对应的电压，使得第一晶体管P1的栅极-源极电压在提供下一个扫描信号之前可均匀地保持。因此，第一晶体管P1产生与对应的栅极-源极电压对应的电流，使得OLED可发光。
然后，在第二周期T2中，提供具有低电平电压的扫描信号，并且提供具有第二电压V2的数据信号。
当提供扫描信号时，第二晶体管P2导通，并且通过导通的第二晶体管P2向第二节点N2提供数据信号。
提供至第二节点N2的数据信号具有第二电压V2，该电压为足够高的电压，使得当第二电压V2提供至第三晶体管P3的栅电极时，在第三晶体管P3的半导体层中不形成沟道，从而第三晶体管P3不作为MOS电容器操作。
然而，当向第四晶体管P4的源电极和漏电极提供第二电压V2时，在第四晶体管P4的半导体层中形成沟道，使得第四晶体管P4作为MOS电容器操作。
因此，可在作为MOS电容器操作的第四晶体管P4中充电以与第二电压V2和第一节点N1的电压（OLED的阳极电极电压）之间的差对应的电压，使得第一晶体管P1在提供下一个扫描信号之前截止，以停止OLED的发射。
因此，在提供具有第一电压V1的数据信号的第一周期T1中，第三晶体管P3可作为MOS电容器操作。然而，在提供具有第二电压V2的数据信号的第二周期T2中，第四晶体管P4可作为MOS电容器操作。
另外，当提供具有第一电压V1的数据信号以提高第三晶体管P3的电容器特性时，第三晶体管P3可以以强反型模式（strong inversions mode）操作。当提供具有第二电压V2的数据信号以便提高第四晶体管P4的电容器特性时，第四晶体管P4可以以强反型模式操作。
因此，数据信号的第一电压V1可被设置为具有不高于OLED的阳极电极电压的电压值，而数据信号的第二电压V2可被设置为具有不低于第一电源ELVDD的电压的电压值。
图4是示出根据另一实施例的像素的视图。具体地，在该实施例中，构成像素10的晶体管P1至P4可为n型金属氧化物半导体（NMOS）场效应晶体管。
在该例子中，图4所示的像素中的大部分元件与图2所示的像素中的元件相同。不过，图4所示的像素的导电型（conduction type）与图2所示的像素的导电型相反。从而，第三晶体管P3和第四晶体管P4之间的连接关系被颠倒。
也就是说，第三晶体管P3的源电极和漏电极连接至第二节点N2，并且第三晶体管P3的栅电极连接至第一电源ELVDD。
另外，第四晶体管P4的源电极和漏电极连接至第一节点N1，并且第四晶体管P4的栅电极连接至第二节点N2。
作为对根据本实施例的像素的操作的描述，如果提供具有高电平电压的扫描信号并且提供具有第一电压V1的数据信号，则通过导通的第二晶体管P2将数据信号提供至第二节点N2。
提供至第二节点N2的数据信号具有第一电压V1，该电压为足够低的电压，使得当第一电压V1提供至第三晶体管P3的源电极和漏电极时，在第三晶体管P3的半导体层中形成沟道，从而第三晶体管P3作为MOS电容器操作。
然而，当向第四晶体管P4的栅电极提供第一电压V1时，由于在第四晶体管P4的半导体层中不形成沟道，因此第四晶体管P4不作为MOS电容器操作。
因此，可在作为MOS电容器操作的第三晶体管P3中充电以与第一电源ELVDD和第一电压V1的差对应的电压。第一晶体管P1的栅极-源极电压可在提供下一个扫描信号之前均匀地维持。因此，在预定的周期内第一晶体管P1可截止，从而可停止OLED的发射。
当提供具有高电平电压的扫描信号并且提供具有第二电压V2的数据信号时，通过导通的第二晶体管P2将数据信号提供至第二节点N2。
提供至第二节点N2的数据信号具有第二电压V2，该电压为足够高的电压，使得当第二电压V2提供至第三晶体管P3的源电极和漏电极时，在第三晶体管P3的半导体层中不形成沟道，从而第三晶体管不作为MOS电容器操作。
然而，当向第四晶体管P4的栅电极提供第二电压V2时，在第四晶体管P4的半导体层中形成沟道，使得第四晶体管P4作为MOS电容器操作。
因此，可在作为MOS电容器操作的第四晶体管P4中充电以与第二电压V2和第一节点N1的电压（OLED的阳极电极的电压）之间的差对应的电压，使得第一晶体管P1在提供下一个扫描信号之前产生与对应的栅极-源极电压对应的电流，从而使得OLED可发光。
另外，当提供具有第一电压V1的数据信号以提高第三晶体管P3的电容器特性时，第三晶体管P3可以以强反型模式操作。当提供具有第二电压V2的数据信号以便提高第四晶体管P4的电容器特性时，第四晶体管P4可以以强反型模式操作。
图5是示出图2的像素的截面的视图。图6是示出图5的像素的布局图。
参照图5和图6，将详细描述构成像素10的第一晶体管P1至第四晶体管P4的结构。
第一晶体管P1至第四晶体管P4形成在基板100上。基板100可由诸如玻璃、塑料、硅或合成树脂的具有绝缘特性的材料形成，并且优选地由诸如玻璃基板的透明基板形成。
首先，将示意性地描述第三晶体管P3的结构。第三晶体管P3包括半导体层102、栅极绝缘层103、栅电极104、中间绝缘层105以及源电极106a/漏电极106b。
另外，缓冲层101可形成在基板100上。用于防止在基板100中包含的杂质的污染的缓冲层101可由诸如氧化硅层SiO2或氮化硅层SiNx的绝缘材料形成。
半导体层102以预定的图案形成在缓冲层101上。半导体层102可由低温多晶硅（LTPS）形成，其中该低温多晶硅通过利用激光器使沉积在缓冲层101上的非晶硅结晶而得到。
栅极绝缘层103形成在半导体层102上。栅极绝缘层103可形成为氮化物层或氧化物层，例如氧化硅层或氮化硅层，或者形成为其它适合的材料。
栅电极104以预定图案形成在栅极绝缘层103上。中间绝缘层105形成在栅电极104上。
栅极绝缘层103使半导体层102与栅电极104绝缘。中间绝缘层105使栅电极104与源电极106a/漏电极106b绝缘。
源电极106a/漏电极106b形成在中间绝缘层105上。源电极106a/漏电极106b通过形成在栅极绝缘层103和中间绝缘层105中的接触孔ch电连接至半导体层102的两侧。
栅电极104和源电极106a/漏电极106b可由诸如Mo、W、Ti和Al的金属、或上述金属的合金或复合、或者其它适合的材料形成。
平坦化层107形成在中间绝缘层105和源电极106a/漏电极106b上，并且可由氮化物或氧化物或者其它适合的材料形成。OLED的阳极电极110形成在平坦化层107局部被去除的部分中。OLED的阳极电极110电连接至第一晶体管P1的漏电极。
另外，发光层112形成在OLED的阳极电极110上。发光层112具有空穴传输层、有机发光层和电子传输层堆叠的结构。可进一步包括空穴注入层和电子注入层。
另外，OLED的阴极电极形成在发光层112上。OLED的阴极电极114连接至第二电源ELVSS。
第三晶体管P3的上述结构可应用于其余的晶体管P1、P2和P4。从而，将不再重复对应用于其余晶体管P1、P2和P4的结构的描述。
图7是示出其中第三晶体管的源电极和漏电极以及第四晶体管的源电极和漏电极均作为一个板形成在第三晶体管的相应栅电极和第四晶体管的栅电极的上方的像素的截面的视图。图8是示出图7的像素的布局图。
参照图5和图6，第三晶体管P3和第四晶体管P4中的每一个的源电极106a和漏电极106b均可彼此连接，而无需接触栅电极104。不过，参照图7和图8，第三晶体管P3和第四晶体管P4中的每一个的源电极106a和漏电极106b均可作为一个板130形成在栅电极104上方。
因此，可通过形成于由源电极106a和漏电极106b形成的板130和栅电极104之间的重叠区域确保额外的电容。
图9是示出其中另外形成有接触孔的像素的布局图。参照图9，用于将第三晶体管P3和第四晶体管P4的源电极106a/漏电极106b连接至相应的半导体层102的多个接触孔ch可形成在板130的边缘，以增大源电极106a/漏电极106b和半导体层102之间的接触面积。
随着源电极106a/漏电极106b和半导体层102之间的接触面积增大，可稳定地维持数据信号。
因此，在第三晶体管P3中，接触孔ch可形成在由源电极106a和漏电极106b形成的板130的上侧和下侧的边缘，而另外的接触孔ch可形成在板130的右侧和左侧的边缘。
另外，在第四晶体管P4中，另外的接触孔ch可仅仅形成在左侧的边缘，从而可增大源电极106a/漏电极106b和半导体层102的接触面积。
通过总结和回顾，有源矩阵型有机发光显示器（AMOLED）包括用于充电以数据信号的储能电容器。储能电容器可通过向多晶硅掺入杂质而采用金属-绝缘体-金属（MIM）电容器的形式。不过，在这种情况下，由于会增加用于对半导体进行掺杂的沟道掺杂掩膜，因此延长了制造时间，并且提高了制造成本。相反，示例性实施例可提供一种简单结构的像素和利用该像素的有机发光显示器，从而通过省略沟道掺杂掩膜而可缩短制造时间，并降低制造成本。
虽然结合特定示例性实施例描述了实施例，但应当理解，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包含于所附权利要求的精神和范围以及其等同物内的各种修改和等同布置。

Claims (12)

1.一种像素，包括：
连接于第一电源和第一节点之间的第一晶体管，所述第一晶体管包括连接至第二节点的栅电极；
连接于所述第一节点和第二电源之间的有机发光二极管；
用于响应于扫描信号而向所述第二节点提供数据信号的第二晶体管；
具有彼此电连接的源电极和漏电极的第三晶体管，所述第三晶体管连接至所述第一电源和所述第二节点；以及
具有彼此电连接的源电极和漏电极的第四晶体管，所述第四晶体管连接于所述第二节点和所述第一节点之间；
其中所述数据信号具有第一电压或第二电压，所述第二电压设为具有比所述第一电压大的值；
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管被配置为作为金属氧化物半导体电容器操作，且所述第四晶体管被配置为不作为金属氧化物半导体电容器操作；并且
在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管被配置为不作为金属氧化物半导体电容器操作，且所述第四晶体管被配置为作为金属氧化物半导体电容器操作。
2.根据权利要求1所述的像素，其中：
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管被配置为以强反型模式被驱动，并且
在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第四晶体管被配置为以强反型模式被驱动。
3.根据权利要求1所述的像素，其中：
所述第三晶体管和所述第四晶体管均包括：
位于基板上的半导体层；
位于所述半导体层上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的栅电极；
位于所述栅电极和所述栅极绝缘层上的中间绝缘层；并且
所述第三晶体管的源电极和漏电极以及所述第四晶体管的源电极和漏电极位于所述中间绝缘层上，并且通过所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层中的多个接触孔电连接至所述半导体层。
4.根据权利要求3所述的像素，其中所述第三晶体管的源电极和漏电极以及所述第四晶体管的源电极和漏电极采用位于所述栅电极上方的一个板的形式。
5.根据权利要求4所述的像素，其中所述多个接触孔形成在所述板的边缘，使得所述第三晶体管的源电极和漏电极与所述半导体层之间的接触面积、以及所述第四晶体管的源电极和漏电极与所述半导体层之间的另一接触面积增大。
6.根据权利要求1所述的像素，其中所述第一晶体管至所述第四晶体管为p型金属氧化物半导体晶体管或者为n型金属氧化物半导体晶体管。
7.一种有机发光显示器，包括：
像素单元，包括连接至扫描线、数据线、第一电源和第二电源的像素；
用于通过所述扫描线向所述像素提供扫描信号的扫描驱动器；以及
用于通过所述数据线向所述像素提供数据信号的数据驱动器，
其中每个像素包括：
连接于第一节点和所述第二电源之间的有机发光二极管；
连接于所述第一电源和所述第一节点之间的第一晶体管，所述第一晶体管包括连接至第二节点的栅电极；
用于响应于扫描信号而向所述第二节点提供数据信号的第二晶体管；
具有彼此电连接的源电极和漏电极的第三晶体管，所述第三晶体管连接于所述第一电源和所述第二节点之间；以及
具有彼此电连接的源电极和漏电极的第四晶体管，所述第四晶体管连接于所述第二节点和所述第一节点之间；
其中所述数据信号具有第一电压或第二电压，所述第二电压设为具有比所述第一电压大的值；
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管被配置为作为金属氧化物半导体电容器操作，且所述第四晶体管被配置为不作为金属氧化物半导体电容器操作；并且
在具有所述第二电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管被配置为不作为金属氧化物半导体电容器操作，且所述第四晶体管被配置为作为金属氧化物半导体电容器操作。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示器，其中：
在具有所述第一电压的所述数据信号被提供至所述第二节点时，所述第三晶体管被配置为以强反型模式被驱动，并且
在具有所述第二电压的所述数据信号提供至所述第二节点时，所述第四晶体管被配置为以强反型模式被驱动。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示器，其中：
所述第三晶体管和所述第四晶体管均包括：
位于基板上的半导体层；
位于所述半导体层上的栅极绝缘层；
位于所述栅极绝缘层上的栅电极；
位于所述栅电极和所述栅极绝缘层上的中间绝缘层；并且
所述第三晶体管的源电极和漏电极以及所述第四晶体管的源电极和漏电极位于所述中间绝缘层上，并且通过所述栅极绝缘层和所述中间绝缘层中的多个接触孔电连接至所述半导体层。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示器，其中所述第三晶体管的源电极和漏电极以及所述第四晶体管的源电极和漏电极采用位于所述栅电极上方的一个板的形式。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示器，其中所述多个接触孔形成在所述板的边缘，使得所述第三晶体管的源电极和漏电极与所述半导体层之间的接触面积、以及所述第四晶体管的源电极和漏电极与所述半导体层之间的另一接触面积增大。
12.根据权利要求7所述的有机发光显示器，其中所述第一晶体管至所述第四晶体管为p型金属氧化物半导体晶体管或n型金属氧化物半导体晶体管。
CN201210303009.0A 2012-02-03 2012-08-23 像素以及使用该像素的有机发光显示器 Active CN103247253B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120011161A KR101882297B1 (ko) 2012-02-03 2012-02-03 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR10-2012-0011161 2012-02-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103247253A CN103247253A (zh) 2013-08-14
CN103247253B true CN103247253B (zh) 2017-06-16

Family

ID=47008290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210303009.0A Active CN103247253B (zh) 2012-02-03 2012-08-23 像素以及使用该像素的有机发光显示器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9058774B2 (zh)
EP (1) EP2624244B1 (zh)
JP (1) JP6043507B2 (zh)
KR (1) KR101882297B1 (zh)
CN (1) CN103247253B (zh)
TW (1) TWI619245B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015025978A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 駆動回路、表示装置、及び駆動方法
KR102534116B1 (ko) * 2017-12-21 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 Dc-dc 컨버터, 이를 포함하는 표시 장치
KR102500205B1 (ko) 2018-01-24 2023-02-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CN114185214B (zh) * 2022-02-16 2022-05-03 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板和显示器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
CN100338879C (zh) * 2002-12-25 2007-09-19 株式会社半导体能源研究所 配备了校正电路的数字电路及具有该数字电路的电子装置
GB0318611D0 (en) 2003-08-08 2003-09-10 Koninkl Philips Electronics Nv Circuit for signal amplification and use of the same in active matrix devices
TWI288900B (en) * 2004-04-30 2007-10-21 Fujifilm Corp Active matrix type display device
US8576217B2 (en) * 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
JP4931367B2 (ja) * 2005-04-28 2012-05-16 シャープ株式会社 検出装置及びそれを備えた表示装置
KR20070019457A (ko) * 2005-08-12 2007-02-15 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR101211265B1 (ko) 2005-08-31 2012-12-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP5656321B2 (ja) * 2005-10-18 2015-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR101324756B1 (ko) * 2005-10-18 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그의 구동방법
KR100805597B1 (ko) * 2006-08-30 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 및 그의구동방법
JP4353237B2 (ja) 2006-11-17 2009-10-28 ソニー株式会社 画素回路および表示装置、並びに画素回路の製造方法
KR100867926B1 (ko) 2007-06-21 2008-11-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
KR100911978B1 (ko) * 2008-03-10 2009-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR100916903B1 (ko) * 2008-04-03 2009-09-09 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
JP2009288592A (ja) 2008-05-30 2009-12-10 Sony Corp パネルおよび駆動制御方法
KR100962961B1 (ko) * 2008-06-17 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR20100064620A (ko) 2008-12-05 2010-06-15 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US8648787B2 (en) 2009-02-16 2014-02-11 Himax Display, Inc. Pixel circuitry for display apparatus
JP5456372B2 (ja) * 2009-05-29 2014-03-26 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 表示装置
KR101142729B1 (ko) * 2010-03-17 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201334173A (zh) 2013-08-16
US20130201087A1 (en) 2013-08-08
EP2624244A1 (en) 2013-08-07
JP6043507B2 (ja) 2016-12-14
TWI619245B (zh) 2018-03-21
US9058774B2 (en) 2015-06-16
JP2013161081A (ja) 2013-08-19
KR20130090088A (ko) 2013-08-13
CN103247253A (zh) 2013-08-14
KR101882297B1 (ko) 2018-07-30
EP2624244B1 (en) 2017-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI552333B (zh) 具有矽及半導電性氧化物薄膜電晶體之顯示器
JP4838571B2 (ja) 発光表示装置およびその製造方法
JP5702886B1 (ja) トランジスタ
CN104143562B (zh) 有机发光二极管显示器
CN104867442A (zh) 一种像素电路及显示装置
US20110175886A1 (en) Display element drive circuit and display apparatus
EP2009618A2 (en) Pixel, organic light emitting display and associated methods
KR20200064230A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20110220878A1 (en) Thin film transistor and method of manufacturing the same
JP5030682B2 (ja) 有機発光表示装置
JP2006065322A (ja) キャパシタ及びキャパシタ装置
CN103247253B (zh) 像素以及使用该像素的有机发光显示器
JP2003223120A (ja) 半導体表示装置
US20140042405A1 (en) Thin film transistor and organic light emitting diode display including the same
KR102062841B1 (ko) 캐패시터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR100589375B1 (ko) 커패시터 및 이를 이용하는 발광 표시 장치
JP2004133455A (ja) フラットパネルディスプレイ
US11437455B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102517126B1 (ko) 표시 장치
JP2006154495A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
CN114068521A (zh) 一种发光测试控制电路以及显示面板
CN116666400A (zh) 一种阵列基板和显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant