CN103189919B - 光学记录介质 - Google Patents

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Abstract

[问题]提供了一种可以控制每个记录层的反射率和透射率且在每个记录层中可以获得满意的记录特性的光学记录介质。[技术方案]一种光学记录介质（10），包括：基板（11）；和两个或更多个记录层（121、122、123），所述记录层包含Pd、O、和M（其中M是选自Zn、Al、In、和Sn中的一种或多种元素），并且O的含量大于M被完全氧化（被完全氧化成ZnO、Al2O3、In2O3、和SnO2）时的化学计量组成。当从与记录光入射的侧相对的侧计数时，第n个记录层的Pd含量小于第n-1个记录层中的Pd含量，其中所述第n个记录层是所述两个或更多个记录层（121、122、123）中的任意一个。

Description

光学记录介质
技术领域
本发明涉及一种光学记录介质例如光盘，更具体地涉及一种具有两层或更多层记录层且能够以高记录密度进行记录的光学记录介质。
背景技术
近年来，一种被称为蓝光盘（BD，注册商标）的高容量光盘被商品化。
利用用于记录和再现用约405nm的光的波长以及用于记录和再现作为光学系统的聚光透镜的约0.85的数值孔径（NA），这种高容量光盘可实现约25GB的记录容量。
在这种高容量光盘中，为了实现可记录光盘，考虑了各种类型的可记录记录层材料。
作为相关领域中的可记录光盘的记录层材料，已知有机染料材料。
然而，如果使用有机染料材料，则存在无法获得足够的生产率的问题和用于记录信号的长期稳定性和存储性能的问题。
此外，还存在这样的问题，即尚未找到可用于记录并再现约405nm波长的光的合适有机染料。
关于此，考虑了使用无机材料作为可记录记录层材料。
例如，提出了具有随着温度升高而快速结晶并引起光学变化的包含Te-O的记录层的光学记录介质（参见专利文献1）。
专利文献1：日本专利申请公开号2008-112556号
发明内容
本发明要解决的问题
同时，在上述高容量光盘的可记录光学记录介质中，为了获得更大的容量，其记录层具有两层或更多层，即，记录层为多层。
在记录层为上述多层的情况下，重要的是适当设定每个记录层的反射率和透射率。
然后，例如，通过将电介质层设置在记录层附近并选择电介质层的厚度，可以对反射率进行控制。
然而，如果每个记录层的反射率和透射率利用具有相同构造的层进行设定，则该记录层的记录特性可以彼此不同。由于该原因，一部分记录层不可能获得良好的记录特性。
为了解决上述问题，在本发明中，提供了一种能够控制每个记录层的反射率和透射率且在每个记录层中能够获得良好记录特性的光学记录介质。
解决问题的手段
根据本发明的光学记录介质包括基板以及两层以上的记录层。于是，两层以上的记录层包含Pd、O、和M（M是Zn、Al、In、和Sn中的一种或多种元素），并且O以大于M被完全氧化（被完全氧化成ZnO、Al2O3、In2O3、和SnO2）时的化学计量组成的量被包含。
此外，在记录层是从记录光的入射侧的相对侧开始算的两层以上的记录层中的第n个（n是2以上的自然数）记录层的情况下，其中的Pd含量小于第n-1个记录层中的含量。
根据上述本发明的光学记录介质的构造，在从记录光的入射侧的相对侧开始算的第n个记录层中的Pd含量小于第n-1个记录层中的含量。如上所述，第n个记录层中的Pd含量小于第n-1个记录层中的含量。这减少了光吸收，并因此增加了透射率。结果，虽然降低了具有低Pd含量的层中的记录灵敏度，但提高了入射侧的相对侧上的记录层中的记录灵敏度。
因此，通过将反射率设定为一致，可以补偿一部分记录层（特别是接近光的入射侧的相对侧的记录层）中的记录灵敏度的降低。
此外，通过改变记录层中的Pd含量，可以改变记录层的透射率。
本发明的效果
根据上述发明，通过改变每个记录层中的Pd含量，可以改变记录层中的透射率或记录灵敏度。
因此，可以控制每个记录层中的透射率和记录灵敏度并且可以获得良好的记录特性。
因此，根据本发明，可以实现一种由具有良好记录特性的多层记录层形成的光学记录介质。
附图说明
图1是根据本发明的第一实施方式的光学记录介质的示意性构造图（剖视图）。
图2是图1中所示的光学记录介质的主要部分的放大剖视图。
图3是根据本发明的第二实施方式的光学记录介质的示意性构造图（剖视图）。
图4是根据本发明的第三实施方式的光学记录介质的示意性构造图（剖视图）。
具体实施方式
在下文中，将描述用于实施方式本发明的最佳模式（在下文中称为实施方式）。
应注意的是，将以下列顺序给出描述。
1.第一实施方式
2.第二实施方式
3.第三实施方式
4.实验实施例
﹤1.第一实施方式﹥
图1示出了根据本发明的第一实施方式的光学记录介质的示意性构造图（剖视图）。
在该光学记录介质10中，在基板11上设置有三层记录层121（L0）、122（L1）、和123（L2）。应注意的是，为了方便起见，添加L0、L1、和L2用于显示，因为在多层记录介质中，通常将最靠近基板的记录层称为L0，接着为L1、L2、……。
此外，在记录层121、122、和123之间，设置有由透光性材料形成的中间层141和142。
此外，在作为最上层的记录层123上，设置有由透光性材料形成的保护层13。
在根据本实施方式的光学记录介质10具有上述高容量光盘（BD，注册商标）的构造的情况下，使用了厚度为约1.1mm和外径为约120mm的盘状基板11。然后，在其表面侧上，例如在形成作为摆动沟槽（wobblinggrooves）的凹凸形状的表面上，记录层121、122、和123经由由透光性材料形成的中间层141和142而被提供。此外，在记录层123上，设置有由透光性材料形成的保护层13，并且该光学记录介质10被构造成整体上具有1.2mm的厚度。
在光学记录介质10具有上述大容量光盘的构造的情况下，记录光的入射侧为保护层13的一侧。
应注意的是，本发明不限于上述大容量光盘的构造，并且光学记录介质的形状和尺度（大小、厚度等）、基板和保护层的厚度等可根据预期的用途而适当地选择。
作为基板11的材料，例如，可以使用聚碳酸酯树脂。
基板11可以通过例如注塑成型从母版转印用于跟踪的摆动沟槽的凹凸形状而形成。
应注意的是，在根据本发明的光学记录介质中，沟槽形状不是必须的，并且该光学记录介质仅必须具有可执行跟踪且可适当控制记录磁道之间的串话的构造。
此外，记录磁道可以位于从光的入射侧观察的沟槽上或平台（lands）上，并且可以使用任何记录方法。
记录层121、122、和123包含Pd、O、和M（M是Zn、Al、In、和Sn中的一种或多种元素），并且O以大于M被完全氧化（被完全氧化成ZnO、Al2O3、In2O3、和SnO2）的化学计量组成的量被包含。
具体地，在这些记录层121、122、和123中，不但含有诸如ZnO和Al2O3的稳定氧化物，而且还含有PdO或PdO2。
于是，当用例如中心波长为约405nm的激光的光照射时，PdO会分解成Pd和O2，并且PdO2会分解成PdO和O2。因为产生了O2，所以在构造中发生膨胀（凸起）。因此，形成了反射率与周围不同的记录标记。
作为中间层141和142的材料，可以使用例如UV（紫外线）固化树脂的光可固化树脂或热可固化树脂。在这种情况下，在通过旋涂等施加材料后，对其进行加热或用光照射。因此，可以形成中间层。
中间层141和142只要必须具有不影响记录特性的充分透光性即可，并且它们的厚度只要在可以将层间串话抑制为等于或小于预定值的范围内。
对于保护层13，可利用热可固化树脂或光可固化树脂材料。在将该材料通过旋涂法等施加而沉积后，通过加热或用光，例如紫外线照射，可使其固化。因此，可以形成保护层13。可替换地，可通过使用UV可固化树脂等和聚碳酸酯等的树脂片，或粘结层和聚碳酸酯等的树脂片来形成保护层13。
应注意的是，虽然未示出，但在保护层13的表面（激光照射面）上，可以施加用于保护以抵抗机械冲击、刮擦等，或用于防止由于使用者使用时的灰尘或指纹的附着等引起的对信息信号的记录和再现质量劣化的硬涂层。
对于该硬涂层，可以使用为了提高机械性强度而混入硅胶的细粉末的材料，或诸如溶剂型树脂和非溶剂型树脂的UV可固化树脂。
为了使硬涂层可以具有机械强度和疏水性及疏油性，期望的是硬涂层的厚度为约1μm至数μm。
此外，图2示出了图1中所示的光学记录介质10的主要部分的放大剖视图。
在本实施方式中，在记录层121、122、和123的各自下层和上层上，设置有由具有作为保护膜的功能的材料形成的且厚度为约数nm至数十nm的透光性电介质层151、161、152、162、153、和163。
电介质层151、161、152、162、153、和163的材料的实例包括In-O、Zn-O、Al-O、Sn-O、Ga-O、Si-O、Ti-O、V-O、Cr-O、Nb-O、Zr-O、Hf-O、Ta-O、或Bi-O的氧化物。此外，也可利用诸如SiN和AlN的氮化物，和诸如SiC的碳化物。通过使用该材料，可增加记录层121、122、和123的耐久性。
电介质层151、161、152、162、153、和163可以通过使用上述氧化物、氮化物、或碳化物等作为靶材料通过溅射法等进行沉积。
各个电介质层151、161、152、162、153、和163的材料或厚度可根据必要的特性而适当选择。应注意的是，关于三层记录层121、122、和123中的每一层，其下层和上层上的电介质层的材料或厚度可以与其他记录层不同。
应注意的是，在如上所述设置电介质层的情况下，通过改变电介质层的材料、组成和沉积条件中的至少一个，可以改变包含电介质层的记录层的透射率。沉积条件的实例包括沉积期间的沉积功率（在溅镀法的情况下为溅射功率）和作为沉积氛围的氧分压。此处，氧分压是指在例如使用Ar气作为惰性气体的情况下，在包括Ar气和氧气的全部气体中的氧气的压力。
作为通过选择材料来改变透射率的实例，列举了In-Sn-O和In-Si-Zr-O。在这种情况下，与In-Sn-O相比，In-Si-Zr-O具有更高的透射率。此外，作为通过改变组成来改变透射率的实例，列举了In-Ga-Zn-O。与组成比为In：Ga：Zn=88：6：6的情况相比，利用In：Ga：Zn=34：33：33的组成比，增加了透射率。此外，在通过例如作为沉积条件的氧分压来改变透射率的情况下，与氧分压低的情况相比，在氧分压高的情况下，透射率增加。此外，在通过在沉积期间的功率来改变透射率的情况下，与功率低的情况相比，在功率高的情况下，透射率增加。
此外，尤其是，记录层121、122、和123的下层（基板11的一侧）上的电介质层151、152、和153主要有助于记录功率等的范围（裕度）。因此，通过使用在下层上的电介质层151、152、和153的材料或厚度，可以控制诸如记录功率的范围的特性。
此外，尤其是，记录层121、122、和123的上层（记录光的入射侧、保护层13的一侧）上的电介质层161、162、和163主要有助于记录层的反射率。因此，通过使用在上层上的电介质层161、162、和163的材料或厚度，可以控制各记录层的反射率。例如，通过在上层上使用In-O用于电介质层161、162、和163的材料，并且通过改变上层上的电介质层161、162、和163的膜厚度，可改变各记录层的反射率。由于上层上的电介质层的膜厚度较大，因此记录层的反射率降低。
从光的入射侧观察的各个记录层121、122、和123的反射率如下。
L0层121：L0层的反射率×（L1层的透射率）2×（L2层的透射率）2
L1层122：L1层的反射率×（L2层的透射率）2
L2层123：L2层的反射率
因此，如果以使得这些反射率为相同值的方式来设计各层的反射率和透射率，则可将从光的入射侧观察的三层记录层的反射率设定为相同。
在本实施方式中，尤其是，记录层121、122、和123中的Pd含量从基板11的侧朝向记录光的入射侧变小。
具体地，L1的记录层122中的Pd含量小于L0的记录层121中的Pd含量，并且L2的记录层123中的Pd含量小于L1的记录层122中的Pd含量。
通过如上所述改变Pd含量，可以显著改变透射率。此时，反射率不会显著改变，并且可显著改变吸收。
换句话说，如果Pd含量增加，则透射率会降低，并且吸收会增大。如果Pd含量减少，则透射率增加，并且吸收减少。一般而言，记录灵敏度与吸收有关，并且由于吸收高，记录灵敏度被改善。
如上所述，在选择各记录层的上层上的电介质层的膜厚度并将从光的入射侧观察的三层记录层121、122、和123的反射率设定为相等的情况下，如果三层记录层具有相同的构造（组成和膜厚度），则各记录层的最佳记录功率会产生差异。例如，如果将记录层的上层上的电介质层161、162、和163的膜厚度从基板11的侧朝向光的入射侧增厚，并且满足方程161<162<163，则可将从光的入射侧观察的三层记录层121、122、和123的反射率设定为相等。此时，基板11的所述侧上的L0的记录层121的记录灵敏度降低。
另一方面，如果增加L0的记录层121中的Pd含量，则可提高吸收，并且记录灵敏度可被改善。此外，如果提高L2的记录层123的透射率，则该记录层123的记录灵敏度会下降。然而，由于较多的光进入下层上的记录层121和122，因此认为可改善下层上的记录层121和122的记录灵敏度。
因此，可以弥补各记录层121、122、和123的最佳记录功率的差异，并使各记录层121、122、和123的最佳记录功率具有接近的值。
根据上述实施方式的光学记录介质10的构造，记录层121、122、和123中的Pd含量从基板11的侧到记录光的入射侧变小。
因此，由于从基板11侧到记录光的入射侧，Pd含量变小，因此光的吸收会减少，并且透射率增加。因此，在具有小的Pd含量的层中的记录灵敏度降低。然而，入射侧的相对侧上的记录层的记录灵敏度增大。
因此，通过将反射率设定为相等，可以补偿一部分记录层（尤其是，靠近光的入射侧的相对侧的L0的记录层121）的记录灵敏度的降低。
此外，通过改变记录层中的Pd含量，可以改变记录层的透射率。
根据本实施方式的光学记录介质10的构造，通过改变各记录层121、122、和123中的Pd含量，可以改变各记录层121、122、和123的透射率和记录灵敏度，如上所述。因此，可控制各记录层121、122、和123的透射率和记录灵敏度，并且可实现良好的记录特性。
因此，可实现记录特性具有良好的记录特性并且由三层记录层形成的光学记录介质10。
﹤2.第二实施方式﹥
图3示出了根据本发明的第二实施方式的光学记录介质的示意性构造图（剖视图）。
在该光学记录介质20中，在基板21上，设置有三层记录层221（L0）、222（L1）、223（L2）、和224（L3）。
此外，在记录层221、222、223、和224之间，设置有由透光性材料所形成的中间层241、242、和243。
此外，在作为最上层的记录层224上，设置有由透光性材料形成的保护层23。
在根据本实施方式的光学记录介质20具有上述大容量光盘（BD，注册商标）的构造的情况下，使用了厚度为约1.1mm且外径为约120mm的盘状基板21。然后，在其表面侧上，例如在形成作为摆动沟槽的凹凸形状的表面上，记录层221、222、223、和224经由由透光性材料形成的中间层241、242、和243而提供。此外，在记录层224上，设置有由透光性材料形成的保护层23。光学记录介质20被构造成使得整体具有1.2mm的厚度。
在光学记录介质10具有上述大容量光盘的构造的情况下，记录光的入射侧为保护层23的一侧。
光学记录介质20的各层的材料或形成方法可与根据第一实施方式的光学记录介质10相同。
具体地，作为基板21的材料，例如，可以使用聚碳酸酯树脂。
记录层221、222、223、和224包含Pd、O、和M（M是Zn、Al、In、和Sn中的一种或多种元素），并且O以大于M被完全氧化（被完全氧化成ZnO、Al2O3、In2O3、和SnO2）的化学计量组成的量被包含。
作为中间层241、242、和243的材料，可使用诸如UV可固化树脂的光可固化树脂或热可固化树脂。
对于保护层23，可使用热可固化树脂材料或光科固化树脂材料。
此外，虽然未示出，但在保护层23的表面上，可以涂敷硬涂层。对于这种硬涂层，可以使用为了提高机械强度而混入硅胶的细粉末的材料，或诸如溶剂型树脂和非溶剂型树脂的UV可固化树脂。
此外，虽然未示出，但是与第一实施方式的图2的情况类似，在记录层221、222、223、和224的各自下层和上层上，可以设置有电介质层。
电介质层的材料的实例包括In-O、Zn-O、Al-O、Sn-O、Ga-O、Si-O、Ti-O、V-O、Cr-O、Nb-O、Zr-O、Hf-O、Ta-O、或Bi-O的氧化物。此外，可以使用诸如SiN和AlN的氮化物，和诸如SiC的碳化物。
然后，通过使用在记录层221、222、223、和224的下层上的电介质层的材料或厚度，可以控制诸如记录功率的范围的特性。
此外，通过使用记录层221、222、223、和224的上层上的电介质层的材料或厚度，可以控制各记录层的反射率。例如，通过使用In-O用于上层上的电介质层的材料并且改变上层上的电介质层的厚度，可改变各记录层的反射率。由于上层上的电介质层的膜厚度较大，因此记录层的反射率降低。
在本实施方式中，尤其是，记录层221、222、223、和224中的Pd含量从基板21侧朝向记录光的入射侧变小。
具体地，记录层222中的Pd含量小于记录层221中的Pd含量，记录层223中的Pd含量小于记录层222中的Pd含量，并且记录层224中的Pd含量小于记录层223中的Pd含量。
通过如上所述改变Pd含量，可以与根据第一实施方式的光学记录介质10的情况类似地来显著改变透射率，反射率不会显著改变，并且可显著改变吸收。
如上所述，在选择各记录层的上层上的电介质层的膜厚度并将从光入射侧观察的四层记录层221、222、223、和224的反射率设定为相等的情况下，如果四层记录层具有相同的构造（组成和膜厚度），则各记录层的最佳记录功率会产生差异。例如，如果记录层的上层上的电介质层的膜厚度从基板21侧朝向光的入射侧增厚，则可将从光的入射侧观察的四层记录层221、222、223、和224的反射率设定为相等。此时，基板21侧上的L0的记录层221的记录灵敏度降低。
另一方面，如果增加L0的记录层221中的Pd含量，则可提高吸收，并且记录灵敏度可被改善。此外，如果提高L3的记录层224的透射率，则该记录层224的记录灵敏度会下降。然而，由于较多的光进入下层上的记录层221、222、和223，因此认为可改善下层上的记录层221、222、和223的记录灵敏度。
因此，可以弥补各记录层221、222、223、和224的最佳记录功率的差异，并使各记录层221、222、223、和224的最佳记录功率具有相近的值。
根据上述实施方式的光学记录介质20的构造，记录层221、222、223、和224中的Pd含量从基板21侧朝向记录光的入射侧变小。
因此，由于Pd含量从基板21侧朝向记录光的入射侧变小，因此光吸收会减少，并且透射率会增加。因此，在具有小的Pd含量的层中的记录灵敏度会减少。然而，入射侧的相对侧上的记录层的记录灵敏度增大。
因此，通过将反射率设定为相等，可补偿一部分记录层（尤其是，靠近光的入射侧的相对侧的L0的记录层221）的记录灵敏度的降低。
此外，通过改变记录层中的Pd含量，可改变记录层的透射率。
根据本实施方式的光学记录介质20的构造，通过改变各记录层221、222、223、和224中的Pd含量，可以改变各记录层221、222、223、和224的透射率和记录灵敏度，如上所述。因此，可控制各记录层221、222、223、和224的透射率和记录灵敏度，并且可实现良好的记录特性。
因此，可实现记录特性具有良好的记录性能并且由四层记录层形成的光学记录介质20。
﹤3.第三实施方式﹥
图4示出了根据本发明的第三实施方式的光学记录介质的示意性构造图（剖视图）。
示出了在其记录层具有n层（n为5以上的任意自然数）的情况下的光学记录介质30的构造。
在根据本实施方式的光学记录介质30中，在基板31上，与第一实施方式及第二实施方式的情况类似，形成有作为摆动沟槽的凹凸形状。然后，在该凹凸形成面上，从基板31侧开始经由中间层341、342、343、……、34n设置有记录层321（L0）、322（L1）、323（L2）、324（L3）、……、32n（Ln）。在作为最上层的记录层32n（Ln）上，设置有保护层33。
同样在这种情况下，在光学记录介质30具有上述大容量光盘的构造的情况下，基板31的厚度及外径以及保护层33的厚度与图1所示的第一实施方式相同。
在本实施方式中，构成光学记录介质30的各层的材料等可以与根据第一实施方式的光学记录介质10和根据第二实施方式的光学记录介质20相同。
在本实施方式中，尤其是，记录层321、322、323、324、……、32n中的Pd含量从基板31侧朝向记录光的入射侧变大。具体而言，从记录光的入射侧的相对侧开始计算，第k个（k为2以上且n以下的自然数）记录层中的Pd含量小于第k-1个记录层中的Pd含量。
通过如上所述改变Pd含量，可以与根据第一实施方式的光学记录介质10类似地显著改变透射率，不显著改变反射率，并且显著改变吸收。
如上所述，在选择各记录层的上层上的电介质层的膜厚度并将从光入射侧观察的n层记录层（321至32n）的反射率设定为相等的情况下，则n层记录层具有相同的构造（组成和膜厚度），则各记录层的最佳记录功率会产生差异。
例如，如果设置在第k个（k为2以上的自然数）记录层的上层上的电介质层的膜厚度比设置在第k-1个记录层的上层上的电介质层的膜厚度厚，则记录层的上层上的电介质层的膜厚度从基板31侧朝向光的入射侧增厚。利用这样的构造，可以将从光的入射侧观察的n层记录层（321至32n）的反射率设定为相等。此时，靠近基板31侧的记录层（L0的记录层321等）的记录灵敏度降低。
另一方面，如果增加靠近基板31侧的记录层中的Pd含量，则可提高吸收，并且记录灵敏度可被改善。此外，如果提高光的入射侧上的记录层（Ln的记录层32n等）的透射率，则该记录层的记录灵敏度会下降。然而，由于较多的光进入下层上的记录层，因此认为可以改善下层上的记录层的记录灵敏度。
因此，可弥补各记录层（321至32n）的最佳记录功率的差异，并使各记录层（321至32n）的最佳记录功率具有相近的值。
根据上述实施方式的光学记录介质30的构造，记录层321至32n中的Pd含量从基板31侧朝向记录光的入射侧变小。具体地，从记录光的入射侧的相对侧的基板31侧开始算，第k个（k为2以上且n以下的自然数）记录层中的Pd含量小于第k-1个记录层中的Pd含量。
因此，由于Pd含量从基板31的侧朝向记录光的入射侧变小，因此光的吸收会减少，并且透射率会增加。因此，在具有小的Pd含量的层中的记录灵敏度会减少。然而，入射侧的相对侧上的记录层的记录灵敏度增大。
因此，通过将反射率设定为一致，可补偿一部分记录层（尤其是靠近光入射侧的相对侧的L0的记录层321等）的记录灵敏度的降低。
此外，通过改变记录层中的Pd含量，可改变记录层的透射率。
根据本实施方式的光学记录介质30的构造，通过改变各记录层321至32n中的Pd含量，可以改变各记录层321至32n的透射率和记录灵敏度。因此，可以控制各记录层321至32n的透射率和记录灵敏度，并且可以实现良好的记录特性。
因此，可实现具有良好的记录特性并且由n层记录层形成的光学记录介质30。
在上述实施方式中，示出了记录层具有三层（n=3）、四层（n=4）、和n层（n≥5）的情形。然而，本发明可以应用于记录层具有两层（n=2）的情况。
此外，在上述实施方式中，与上述大容量光盘的构造类似，记录光从与基板的相对侧入射。本发明包括从基板侧入射记录光的构造。在该构造中，记录光充分穿过基板，并且基板侧上的记录层中的Pd含量较小，与上述实施方式相反。
此外，期望记录层的下层或上层上的电介质层设置在记录层的下层或上层上。然而，在本发明中，可以将电介质层设置在记录层的下层和记录层的上层中的一个上。可替换地，可以不将电介质层设置在记录层上。
此外，在上述实施方式中，所有记录层都是包含Pd、O、和M的记录层。
本发明包括一种光学记录介质，该光学记录介质进一步包括具有另一种构造的记录层。
例如，可以另外设置由不含Pd的其他材料形成的记录层、或具有凹凸形状并由反射膜形成的专用再现的记录层。具有其他构造的记录层设置的位置没有限定。然而，如果设置在更靠近含Pd的多个记录层的基板侧上，则可以很容易设计光学记录介质的各记录层的透射率或反射率。
﹤4.实验实施例﹥
此处，实际制造了根据第一实施方式的光学记录介质10和具有不同构造的记录层作为比较例的光学记录介质，并测量了记录层的透射率、反射率、和记录功率灵敏度。
（比较例）
作为比较例，制作了记录层的构造与根据第一实施方式的光学记录介质10不同，且记录层121、122、和123具有相同构造的光学记录介质。
作为基板11，使用了外径为120mm且厚度为1.1mm的盘状聚碳酸酯树脂。
三层记录层121、122、和123由膜厚度为40nm的Zn-In-O-Pd膜（Zn：In=5：5，（Zn+In）：Pd=8：2）形成。
此外，记录层的下层上的电介质层151、152、和153由膜厚度为10nm的In2O3膜形成。
此外，记录层的上层上的电介质层161、162、和163由In2O3膜形成以使具有x（nm）的不同膜厚度。具体而言，L0的记录层121的上层上的电介质层161的膜厚度为5nm，L1的记录层122的上层上的电介质层162的膜厚度为20nm，并且L2的记录层123的上层上的电介质层163的膜厚度为35nm。
作为中间层141和142，使用了丙烯酸类紫外线可固化树脂。
在作为最上层的记录层123上，提供了由丙烯酸类紫外线可固化树脂形成的保护层13。
各记录层以及其上层和下层上的电介质层通过溅射法来形成。此外，中间层和保护层通过旋涂法形成。
其他部件与根据第一实施方式的光学记录介质10相同，因此制作作为比较例的光学记录介质。
接下来，测量作为比较例的光学记录介质的各记录层121、122、和123的透射率和反射率。
各记录层121、122、和123的透射率为约55%且恒定，不管上层上的电介质层161、162、和163的厚度如何。
此外，L0的记录层121的反射率为10%，L1的记录层122的反射率为5.5%，并且L2的记录层123的反射率为3%。从光的入射侧观察的记录层121、122和123的总反射率可以设定为等于约3%。
接下来，测量作为比较例的光学记录介质中的各记录层的记录功率灵敏度。然后，发现如下显著差异。
L0的记录层121：最佳记录功率20.1mw
L1的记录层122：最佳记录功率10.9mW
L2的记录层123：最佳记录功率6.0mW
如上所述，虽然能够获得各记录层中的良好的平衡反射率，但记录功率灵敏度的平衡变差。
（实施例）
例如，制作了如图1及图2所示的根据第一实施方式的光学记录介质10。
作为基板11，使用厚度为1.1mm的盘状聚碳酸酯树脂。
三层记录层121、122、和123由膜厚度为40nm的Zn-In-O-Pd膜形成，并且三层记录层121、122、和123的组成，尤其是其Pd含量不同。具体地，组成如下。
L0的记录层121Zn：In=5：5，（Zn+In）：Pd=5：5
L1的记录层122Zn：In=5：5，（Zn+In）：Pd=8：2
L2的记录层123Zn：In=5：5，（Zn+In）：Pd=9：1
此外，记录层的下层上的电介质层151、152、和153由膜厚度为10nm的In2O3膜形成。
此外，记录层的上层上的电介质层161、162、和163由In2O3膜形成，以使具有x（nm）的不同膜厚度。具体而言，L0的记录层121的上层上的电介质层161的膜厚度为5nm，L1的记录层122的上层上的电介质层162的膜厚度为20nm，并且L2的记录层123的上层上的电介质层163的膜厚度为35nm。
作为中间层141和142，使用了丙烯酸类紫外线可固化树脂。
在作为最上层的记录层123上，设置由丙烯酸类紫外线可固化树脂形成的保护层13。
各记录层以及其上层和下层上的电介质层通过溅射法来形成。此外，中间层及保护层通过旋涂法来形成。
因此，制作光学记录介质10。
接下来，测量根据该实施例的光学记录介质10中的各记录层121、122、和123的透射率、反射率和最佳记录功率。测量结果如下。
L0的记录层121：透射率32%、反射率3%、最佳记录功率10.9mW
L1的记录层122：透射率55%、反射率3%、最佳记录功率8.0mW
L2的记录层123：透射率75%、反射率3%、最佳记录功率9.0mW
如上所述，能够得到记录层中的良好平衡反射率和记录灵敏度的结果。
因此，作为根据本发明的光学记录介质的构造，通过控制光学记录介质中的多层记录层中的Pd含量，可以控制反射率和记录灵敏度，并可以使各记录层的平衡达到优化。
根据本发明的光学记录介质可以具有被采用作为一般光学记录介质的盘形状。然而，可采用诸如卡片形状的其他形状。
本发明不限于上述实施方式，并且在不背离本发明的宗旨的情况下，可以采用其他不同的构造。
符号说明
10，20，30光学记录介质
11，21，31基板
121，122，123，221，222，223，224，321，322，323，324，32n记录层
13，23，33保护层
141，142，241，242，243，341，342，343中间层
151，152，153电介质层（在下层上）
161，162，163电介质层（在上层上）。

Claims (6)

1.一种光学记录介质，包括：
基板；以及
两层或更多层的记录层，所述记录层包含Pd、O、和M，M是Zn、Al、In、和Sn中的一种或多种元素，并且O以大于M被完全氧化成ZnO、Al2O3、In2O3、和SnO2中的一种或多种时的化学计量组成的量被包含，其中
所述两层或更多层的记录层中的从记录光的入射侧的相对侧数的第n个记录层中的Pd含量小于第n-1个记录层中的Pd含量，n是2以上的自然数。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，
邻近所述两层或更多层的记录层，设置电介质层，所述电介质层由In、Zn、Al、Sn、Ga、Si、Ti、V、Cr、Nb、Zr、Hf、Ta、和Bi中的至少任意一种的氧化物，或SiN、AlN、和SiC中的任意一种的材料中的一种形成。
3.根据权利要求2所述的光学记录介质，其中，
所述电介质层被设置于所述两层或更多层的记录层的至少记录光的入射侧，并且在设置于所述两层或更多层的记录层的记录光的所述入射侧的所述电介质层中，设置于第n个记录层的电介质层的厚度大于设置于第n-1个记录层的电介质层的厚度。
4.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，
记录光的所述入射侧是与所述基板相对的侧。
5.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，
在所述记录层之间设置有由透光性材料形成的中间层。
6.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，
在作为最上层的所述记录层上设置有由透光性材料形成的保护层。
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