CN103140922A - 等离子处理装置及等离子处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种实现等离子处理装置的小型化或设置面积的减少的等离子处理装置。干蚀刻装置(1)具备贮存部(13)，该贮存部(13)包含收纳有托盘(3)的盒(62)，该托盘(3)收容有基板(2)且可搬运。在收容有托盘(3)的搬运机构(15)的搬运部(12)内设置旋转台(33)。使载置有干蚀刻前的托盘(3)的旋转台(33)旋转，通过凹口检测传感器(44)检测凹口(3c)，由此进行托盘(3)的旋转角度位置调整。

Description

等离子处理装置及等离子处理方法
技术领域
本发明涉及一种干蚀刻装置、CVD装置等的等离子处理装置及其方法。
背景技术
在干蚀刻装置、CVD装置等的等离子处理装置中，已知有一种如下的结构：除了执行对基板的等离子处理的等离子处理部、基板的贮存部、及在等离子处理部与贮存部之间用于搬运基板的收容有搬运装置的搬运部之外，还具备作为与它们不同的腔室而在向等离子处理部供给之前执行基板的对准的对准部(参照专利文献1～4)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-182177号公报
专利文献2：日本特开2002-43292号公报
专利文献3：日本特开平6-51260号公报
专利文献4：日本特开2001-44257号公报
发明内容
发明要解决的课题
当与等离子供给部、贮存部及搬运部分开地设置对准部时，通过至少总计4个腔室来构成等离子处理装置，无法避免面装置的大型化或设置面积的增加。
本发明课题在于实现等离子处理装置中的装置的小型化或设置面积的减少。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明如下构成。
本发明的第一方式提供一种等离子处理装置，其具备：贮存部，其收纳等离子处理的对象物；等离子处理部，其对从所述贮存部搬入的所述对象物执行等离子处理；搬运部，其收容有搬运所述对象物的搬运装置；准备台，其收容于所述搬运部，从所述贮存部向所述等离子处理部搬入之前的所述对象物配置于该准备台；预备处理部，其与所述准备台协作而对所述对象物执行所述等离子处理用的预备性处理。
所述对象物可以是收容有基板的可搬运的托盘，也可以是大型的基板自身。托盘可以在沿着厚度方向贯通的基板收容孔内收容基板，也可以在有底的基板收容孔内收容基板。
通过设置在搬运部内的准备台和预备处理部来执行等离子处理用的预备性处理，因此无需另行设置该预备性处理用的专用的腔室。其结果是，能够实现等离子处理装置的小型化或设置面积的减少。
具体而言，所述准备台配置在所述搬运部的所述贮存部侧。尤其是在所述搬运装置具备支撑所述对象物的支撑部和使所述支撑部在水平面内回旋的回旋轴时，所述准备台优选配置在所述回旋轴与所述贮存部之间。更优选的是，所述搬运部内与所述贮存部内经由连通口连通，所述准备台在将所述回旋轴与所述贮存部的中心连结的假想的线上且在所述回旋轴与所述连通口之间配置。
根据这样的结构，为了预备处理部进行的预备性处理而配置在准备台上的对象物无需将其整体收容在搬运部内，可以使配置在准备台上的对象物的一部进入连通口。其结果是，在满足搬运装置能够动作即支撑有对象物的支撑部借助回旋轴能够回旋的条件的范围内，能够将搬运部内的空间的大小设定成最小限度，能够更有效地实现等离子处理装置的小型化或设置面积的降低。
通过准备台和预备处理部执行的预备性处理例如是周向的对准处理。
所述准备台能够绕着沿铅垂方向延伸的旋转轴旋转，所述预备处理部使所述准备台绕着所述旋转轴旋转，由此来调整载置在所述准备台上的所述对象物的旋转角度位置。
具体而言，所述对象物在外周缘具备凹口，所述预备处理部具备凹口检测传感器，该凹口检测传感器光学性地检测载置在所述准备台上的所述对象物的所述凹口，所述预备处理部根据来自所述凹口检测传感器的输出而使所述准备台旋转，由此来调整所述对象物的旋转角度位置。
所述预备处理部执行所述对象物是否为适合于所述等离子处理的状态的检查。
例如，所述对象物是收容有基板的可搬运的托盘，所述预备处理部具备基板检测传感器，该基板检测传感器光学性地检测载置在所述准备台上的所述托盘中的所述基板的有无，所述预备处理部基于来自所述基板检测传感器的输出来判定基板的有无。
另外，所述对象物是收容有基板的可搬运的托盘，所述预备处理部具备位置偏离检测传感器，该位置偏离检测传感器光学性地检测所述基板的相对于载置在所述准备台上的所述托盘的位置偏离，所述预备处理部基于来自所述基板检测传感器的输出来判定所述基板的相对于所述托盘的位置偏离的有无。
所述准备台优选沿着铅垂方向升降。
通过该结构，无需为了将对象物载置于准备台而使搬运装置升降，能够简化装置的结构。
本发明的第二方式提供一种等离子处理方法，其中，通过收容于搬运部的搬运装置，将收纳于贮存部的等离子处理的对象物向收容于所述搬运部的准备台搬运，对配置在所述准备台上的所述对象物执行所述等离子处理用的预备性处理，通过所述搬运装置将所述预备性处理结束后的所述对象物向等离子处理部搬运而执行等离子处理，将所述等离子处理后的所述对象物从所述等离子处理部向所述贮存部搬运。
尤其优选的是，在将所述回旋轴与所述贮存部的中心连结的假想的线上且在所述回旋轴与所述连通口之间配置所述准备台，在执行所述预备性处理时，配置在所述准备台上的所述对象物的一部分进入到所述连通口内。
发明效果
在本发明的等离子处理装置及其方法中，利用设置在搬运部内的准备台来执行等离子处理用的预备性处理(例如周向的对准处理)，因此无需另行设置该预备性处理用的专用的腔室。其结果是，能够实现等离子处理装置的小型化或设置面积的减少。
附图说明
图1是本发明的实施方式的干蚀刻装置的水平剖面图。
图2是本发明的实施方式的干蚀刻装置的剖面图(图13A的线II-II)。
图3是本发明的实施方式的干蚀刻装置的剖面图(图13A的线III-III)。
图4是本发明的实施方式的干蚀刻装置的框图。
图5是升降机和盒的俯视图。
图6是装配有盒的升降机的俯视图。
图7A是盒的侧视图。
图7B是盒的主视图。
图8是图7B的线VIII-VIII处的剖面图。
图9是图7B的线IX-IX处的剖面图。
图10是表示基板接受器(susceptor)和托盘的示意性的剖面图。
图11是表示托盘及基板的立体图。
图12是表示本发明的实施方式的干蚀刻装置的动作的时序图。
图13A是搬运臂从搬运部进入托盘贮存部之前的干蚀刻装置的水平剖面图。
图13B是搬运臂进入托盘贮存部时的干蚀刻装置的水平剖面图。
图13C是在旋转工作台上处理基板时的干蚀刻装置的水平剖面图。
图13D是搬运臂从搬运部进入等离子处理部之前的干蚀刻装置的水平剖面图。
图14是表示搬运臂从托盘盒搬出托盘的俯视图。
图15是用于说明向基板接受器载置托盘和基板的示意性的剖面图。
图16是本发明的变形例的干蚀刻装置的水平剖面图。
图17是本发明的另一变形例的干蚀刻装置的水平剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式。另外，本发明不受该实施方式的限定。
(实施方式)
图1至图4表示本发明的实施方式的ICP(感应耦合等离子)型的干蚀刻装置1。在该干蚀刻装置1中，使用用于搬运基板2的托盘3。
参照图11，在托盘3上设有从上表面3a到下表面3b沿着厚度方向贯通的多个(在本实施方式中为7个)基板收容孔4。在托盘3的中央存在1个基板收容孔4，其余的6个基板收容孔4在俯视下等角度间隔地配置在其周围。在各个基板收容孔4内收容有1张基板2。在各个基板收容孔4的孔壁上设有朝向基板收容孔4的中心突出的基板支撑部5。基板支撑部5的上表面即基板支撑面5a对收容于基板收容孔4的基板2的下表面的周缘附近进行支撑。在本实施方式中，基板支撑部5设置在基板收容孔4的孔壁的整周，在俯视下为宽度恒定的圆环状。如前述那样基板收容孔4以沿着厚度方向贯通托盘3的方式形成，因此从托盘3的下表面3b侧观察时，基板2的下表面借助基板收容孔4(由基板支撑部5的前端围成的圆形的区域)而露出。基板支撑部5可以是沿着基板收容孔4的孔壁的周向隔开间隔而设置的多个突起状。在托盘3的外周缘设有旋转角度位置检测用的凹口3c。
参照图1至图4，干蚀刻装置1具备：执行对基板2的干蚀刻的等离子处理部11；以及与等离子处理部11邻接设置并收容有单臂型的搬运装置15的搬运部12。而且，用于供给及回收托盘3的贮存部13与搬运部12邻接设置。
参照图1，在本实施方式的干蚀刻装置1中，等离子处理部11、搬运部12及贮存部13以在俯视下呈大致L字状的方式配置。即，等离子处理部11相对于搬运部12在图1中配置在右侧，贮存部13相对于搬运部12在图中配置在上侧。在等离子处理部11内的处理室16与搬运部12内的搬运室19之间设有连通口20A，在搬运部12内的搬运室19与贮存部13内的收容室17之间设有连通口20B。在连通口20A、20B分别安装有闸式阀21A、21B。在图1中连通口20A的闸式阀21A闭锁，连通口20B的闸式阀21B打开。
参照图1、图2、图4至图9，对贮存部13进行说明。贮存部13具备升降机61和以可拆装的方式装配于升降机61的盒62。在盒62中收容有托盘3。如图2所示，升降机61具备配置在贮存部13的收容室17内的升降台63和使该升降台63升降的升降驱动机构64。
以下，对盒62进行说明。
如图7A至图9所示，盒62在底板65与顶板66之间能够将多个(在本实施方式中最大为9个)托盘3以水平的姿势相互隔开间隔地收纳。而且，收容于盒62的各个托盘3不是对下表面3a的整体进行支撑，而是仅对下表面3a中的外周缘附近的多个部位(在本实施方式中为4个部位)进行支撑。
如图8及图9最为明确所示，盒62具备：在俯视下以夹着托盘3的中心相互对置的方式沿着铅垂方向延伸的主搁板构件67A、67B；以及在与各个主搁板构件67A、67B邻接的位置上沿着铅垂方向延伸的副搁板构件68A、68B。主搁板构件67A、67B和副搁板构件68A、68B的下端与底板65连结且上端与顶板66连结。副搁板构件68A、68B的相对于主搁板构件67A、67B的相反侧构成对于盒62进行出入的出入口71。换言之，副搁板构件68A、68B相对于出入口71配置在里侧。
俯视下比较长的矩形形状且上表面平坦的主搁板部67b从各个主搁板构件67A、67B的内表面67a隔开间隔地呈多层(在本实施方式中为8层)突出。而且，俯视下比较短的矩形形状且上表面平坦的主搁板部68b从各个副搁板构件68A、68B的内表面68a也呈多层(在本实施方式中为8层)突出。主搁板构件67A、67B和副搁板构件68A、68B的主搁板部67b、68b的高度(上表面的高度方向的位置)在各个层对齐。例如，主搁板构件67A、67B与副搁板构件68A、68B的最下端的主搁板部67b、68b的高度相同。因此，如图9最为明确所示，通过构成同一层的主搁板构件67A、67B和副搁板构件68A、68B的主搁板部67b、68b对下表面3a进行支撑，由此将托盘3保持为水平的姿势。详细而言，在托盘3的外周缘附近中的夹着托盘3的中心而对置的两个区域，下表面3a由两侧的主搁板部67b支撑，在所述区域的附近的另两个区域，下表面3a由里侧的主搁板部68b支撑。
如后面详细叙述，在各层的主搁板部67b、68b收容有等离子处理部11对基板2进行干蚀刻前或干蚀刻后的托盘3。
各个主搁板部67b、68b的主搁板构件67A、67B的内表面67a之间的间隔在容许经由出入口71的托盘3的进退的范围内设定为最小限度。即，正确地载置在主搁板部67b、68b上的托盘3与主搁板构件67A、67B的内表面67a的间隙t1设定为最小限度。因此，主搁板构件67A、67B的内表面67a具有将托盘3相对于盒62的在图9中的横向的位置进行定位的功能。而且，正确地载置在主搁板部67b、68b上的托盘3与副搁板构件68A、68B的内表面68a之间的间隙t2也设定为最小限度。因此，副搁板构件68A、68B的内表面68a具有将托盘3相对于盒62的在图9中的上下方向的位置(从出入口71朝向盒62的里侧的方向的位置)进行定位的功能。
在主搁板构件67A、67B的内表面67a上，临时放置搁板部67c相对于最上层的主搁板部67b隔开间隔而在上方的位置突出。而且，在各个副搁板构件68A、68B的内表面68a上，临时放置搁板部68c相对于最上层的主搁板部68b隔开间隔而在上方的位置突出。临时放置搁板部67c、68c分别与主搁板部67b、68b同样地在俯视下为矩形形状且上表面平坦。
临时放置搁板部67c、68c的主搁板构件67A、67B的内表面67a之间的间隔和副搁板构件68A、68B的内表面68a之间的间隔设定得比主搁板部67b、68b的上述间隔宽。即，载置于临时放置搁板部67c、68c的托盘3与主搁板构件67A、67B的内表面67a的间隙t1’与间隙t1相比较设定得充分大(图9)。因此，即使托盘3的在图8中的横向的位置存在某种程度偏离的情况下，托盘3也不会与内表面67a发生接触。同样地，载置于临时放置搁板部67c、68c的托盘3与副搁板构件68A、68B的内表面68a的间隙t2’设定得远大于间隙t2(图9)。因此，即使托盘3的在图8中的纵向的位置存在某种程度偏离的情况下，托盘3也不会与内表面68a发生接触。
如后面详细叙述，在临时放置搁板部67c、68c临时放置对准处理后且干蚀刻前的托盘3。
接着，对升降机61进行说明。参照图5及图6，在升降机61的升降台63的上表面63a载置盒62的底板65。具体而言，如图2及图5中箭头所示，从门72打开的贮存部13的收容室17与外部的连通口20C将收容完托盘3的盒62向收容室17内搬入，底板65配置在升降台63的上表面63a。
在升降台63的上表面63a设有与底板65的端面抵接而用于进行盒62的水平方向的定位的固定的限制部73A、73B、73C。1个限制部73A配置在盒62的搬入方向(图5的箭头)的里侧，2个限制部73B、73C配置在搬入方向的两侧。而且，在升降机61的升降台63上的搬入方向的跟前侧具备将底板65以可解除的方式卡合的锁定机构74A、74B。
参照图5，锁定机构74A、74B具备杆76，该杆76由固定在升降台63的下表面63b上的轴承部75支撑为沿着盒62的搬入方向(图5的箭头)能够进退且能够旋转。杆76由弹簧77朝向搬入方向的里侧弹性地施力。而且，在杆76上固定有可动限制构件78的基端侧。此外，在从升降台63突出的杆76的端部设有操作用的捏手79。
对捏手79进行操作而克服弹簧77的作用力将杆76拉出并使其旋转，由此能够将锁定机构74A、74B设定为图5所示的“释放状态”和“锁定状态”的任一者。在“释放状态”下，可动限制构件78收纳在升降台63的下表面63侧，不向上表面63a突出。当锁定机构74A、74B为“释放状态”时，盒62被搬入升降机61，底板65的端面与限制部73A～73C抵接，由此将盒62相对于升降台63定位。当将锁定机构74A、74B设为“锁定状态”并使可动限制构件78经由设于升降台63的切口63c突出时，通过限制部73A～73C和可动限制构件78，将盒62的底板65的在升降台63的上表面63a锁定成沿着水平方向无法移动。即，当将锁定机构74A、74B设为“锁定状态”时，盒62被锁定成相对于升降台63定位的状态。锁定机构74A、74B仅在盒62的拆装时设定为“释放状态”。
参照图1至图4，对搬运部12进行说明。收容在搬运室19内的单臂型的搬运装置15对托盘3的下表面3b的外周缘附近进行支撑，从而仅具备一个能够保持托盘3的支撑叉(支撑部)28。支撑叉28与沿着水平方向(XY方向)能够直动的两连杆式的水平移动机构29连结，该水平移动机构29搭载于沿着铅垂方向延伸的回旋轴30。回旋轴30能够绕着其自身的轴线进行旋转。因此，支撑叉28能够进行水平面内的两方向的直动和回旋。水平驱动机构29和回旋轴30由搬运机构驱动部31驱动。
一并参照图14，支撑叉28具备：与水平移动机构29连结的基体38；从该基体38大致平行地延伸的一对臂39A、39B。在所述臂39A、38B上载置托盘3的下表面3b。在各个臂39A、39B的最前端设有向上突出的突起40。各个突起40具备与托盘3的最外周缘(在本实施方式中俯视下为圆形)抵接而对托盘3进行定位的限制面40a。另一方面，在臂39A、39B的基端侧的基体39上也设有向上突出的突起41，在该突起41也具备与托盘3的最外周缘抵接而对托盘3进行定位的限制面41a。臂39A、39B的突起40的限制面40a与基体38的突起41的限制面41a相互对置。
参照图1，搬运室19具备俯视下大致圆形的主部19a。而且，搬运室19f具备使主部19a与连通口20A、20B分别连通的俯视下大致矩形的通路部19b、19c。搬运室19的大小在搬运装置15执行必要的动作的基础上设定为必要最小限度。首先，在搬运装置15的支撑叉28支撑托盘3的状态下回旋轴30回旋360度时主部19a的壁面与托盘3不发生干涉的范围内，主部19a的俯视下的直径D设定成最小限度的大小。而且，在支撑有托盘3的支撑叉28通过连通口20A在搬运室19与处理室16之间往复时而在通路部19a的壁面与托盘3不发生干涉的范围内，将通路部19a的宽度W1设定为最小限度的大小。同样地，在支撑有托盘3的支撑叉28通过连通口29B在搬运室19与收容室17之间往复时而通路部19b的壁面与托盘3不发生干涉的范围内，将连通部19a的宽度W2设定为最小限度。
参照图1至图3，在搬运部12的搬运室19内收容有旋转台33(准备台)。如图3最为明确所示，旋转台33安装在沿着铅垂方向延伸的旋转轴36的上端。该旋转轴36由旋转台驱动机构部37驱动而旋转。如后面详细叙述，由搬运装置15搬运的托盘3载置在旋转台33的上表面。
参照图1，旋转台33配置在搬运室19的主部19a(俯视下大致圆形)中的贮存部13的收容室17侧。具体而言，旋转台33配置在搬运装置15的回旋轴30与收容室17之间的位置。更具体而言，在假定了将搬运装置15的回旋轴30的中心C1与收容室17的中心C2连结的假想的直线L时，旋转台33的旋转的旋转轴36的旋转的中心C3在直线L上且位于中心C1与中心C2之间。而且，在本实施方式中，回旋轴30的中心C1与圆形的主部19a的在俯视下的中心C4大体一致，收容室17的中心C2与在收容室17内的升降机61上装配的盒62内的托盘3的中心C5大体一致。换言之，在假想的直线L上，旋转台33的旋转轴36的中心C3、连通口20B、及收容室17的中心C2(收容室17内的托盘3的中心C5)从搬运装置15的回旋轴30的中心C1(主部19a的中心C4)依次排列。
参照图3，在搬运部18的上端壁且在旋转台33的上方的位置设置具有透明性或透光性的窗42。在该窗42的上方配置有2个基板检测传感器43A、43B和1个凹口检测传感器44。如图1及图7所示，基板检测传感器43A位于旋转台33的中心的正上方。基板检测传感器43B在俯视下位于从旋转台33偏离的位置。凹口检测传感器44在俯视下相对于旋转台33位于比基板检测传感器43B更靠外侧。在旋转台33上且在基板检测传感器43A的正下方的位置固定有光反射构件45A。同样地，在搬运部18的底壁上且在基板检测传感器43B和凹口检测传感器44的正下方的位置分别固定有光反射构件45B、45C。
等离子处理部11在处理室16内收容载置有基板2的托盘3而进行蚀刻，但蚀刻方式等并未特别限定。例如，等离子处理部11可以是ICP型，也可以是平行平板型。参照图1、图10、及图15，在本实施方式的等离子处理部11中，在处理室16的底部侧设有台23，该台23在上端面23a载置托盘3的下表面3b。在台23的上端面23a上，与托盘3的基板收容孔4同数(在本实施方式中为7个)的扁平的圆柱状的作为静电夹盘的基板保持部23b突出。而且，设有基板搬运机构15的支撑叉28与台23之间的托盘3的交接用的升降杆24。
干蚀刻装置1具备仅在图4中示出的控制部46。控制部46除了基于从操作/输入部47输入的作业者的指令之外，还基于来自包括基板检测传感器43A、43B、凹口检测传感器44在内的各种传感器的输入等，控制包括等离子处理部11、搬运装置15、真空泵48、及显示部49在内的装置整体的动作。尤其是控制部46具备：控制由搬运机构15进行的托盘3的搬运的托盘搬运处理部51；控制由升降机61的升降台63的升降驱动机构64进行的升降的升降机升降处理部52；控制由旋转台26和凹口检测传感器44进行的对准处理的对准处理部53；及控制由基板检测传感器43A、43B进行的基板2的有无确认的基板有无确认处理部54。
接着，对本实施方式的干蚀刻装置1的动作进行说明。
参照图12，干蚀刻装置1的动作开始后的第一个托盘3由搬运装置15从贮存部13的收容室17内的盒62的其中一个的主搁板部67b、68b向搬运部12的搬运室19搬入，载置在旋转台33的上表面。接着，对载置于旋转台33的托盘3执行由旋转台33的旋转进行的旋转角度位置的调整，即对准处理。然后，托盘3由搬运装置15从搬运室19经由搬运室16搬入到等离子处理部11的处理室16内，载置在台23上。通过在台23上配置托盘3而对载置在基板支撑部5的基板支撑面5a上的基板2执行等离子处理。在等离子处理后，托盘3由搬运装置15从处理室16经由搬运室19向收容室17搬运，由没有盒62的主搁板部67b、68b回收。
而且，参照图12，干蚀刻装置1的动作开始后的第二个以后的托盘3由搬运装置15从贮存部13的收容室17内的盒62的其中一个的主搁板部67b、68b向搬运部12的搬运室19搬入，载置在旋转台33的上表面。接着，对载置在旋转台33上的托盘3执行由旋转台33的旋转进行的旋转角度位置的调整，即对准处理。对准处理后的托盘3由搬运装置15从搬运室19向收容室17搬运而载置在盒62的临时放置搁板部67c、68c。然后，托盘3由搬运装置15从临时放置搁板部67c、68c取出，从收容室17经由搬运室16搬入到等离子处理部11的处理室16内，载置在台23上。通过在台23上配置托盘3，而对载置在基板支撑部5的基板支撑面5a上的基板2执行等离子处理。在等离子处理后，托盘3由搬运装置15从处理室16经由搬运室19向收容室17搬运，由没有盒62的主搁板部67b、68b回收。
以下，更具体地说明着眼于第二个以后的托盘3时的干蚀刻装置1的动作。
如图13A所示，借助回旋轴30的回旋而朝向收容室17的支撑叉28如图13B所示借助由移动机构29进行的直动而通过连通口20B，从搬运部12的搬运室19进入到贮存部13的收容室17内，对由盒62的其中一个的主搁板部67b、68b支撑的托盘3(收容有7张未处理的基板2)进行支撑。一并参照图14，首先，支撑叉28的臂39A、39B从出入口71进入到盒62内而隔开间隔地向托盘3的下表面3b插入。接着，利用升降驱动机构64使装配在升降机61的升降台63上的盒62下降，由此从主搁板部67b、68b向支撑叉28的臂39A、39B交接托盘3。具体而言，由主搁板部67b、68b支撑的托盘3的下表面3a由于盒62的下降而由支撑叉28的臂39A、39B的上表面支撑。此时，通过嵌入到臂39A、39B的突起40的支撑面40a与基体38的突起41的支撑面41a之间，而进行托盘3相对于支撑叉28(臂38A、38B)的对中(水平面内的相对于支撑叉28的位置对合)。
从盒62的主搁板部67b、68b交接了托盘3后的支撑叉28通过出入口71从盒62退避(参照图14)，通过连通口20B而从收容室17向搬运室19返回。如图13C所示，支撑叉28以托盘3位于旋转台33的上方的方式移动。接着，由于旋转轴36的向上移动而使得旋转台33上升。旋转台33通过支撑叉28的两个臂39A、39B之间而比支撑叉28向上方突出，由其将托盘3载置在旋转台33的上表面。
接着，通过旋转轴36使旋转台33旋转，由此来调整载置在旋转台33上的托盘3的旋转角度位置。在该旋转角度位置的调整时，从凹口检测传感器44以输出来检测凹口3c，对应于此使旋转台33旋转。而且，通过旋转轴36使旋转台33旋转，并监控基板检测传感器43A、43B的输出，由此确认在托盘3的基板收容孔4是否收容了基板2。通过来自基板检测传感器43A的输出，能够确认托盘3的中央的基板收容孔4内的基板2的有无，通过来自基板检测传感器43B的输出，能够确认托盘3的其余的6个基板收容孔4内的基板2的有无。凹口检测传感器44与前述的控制部46的对准处理部53一起构成本发明的预备处理部。而且，基板传感器43A、43B与前述的控制部46的对准处理部53一起构成本发明的预备处理部。
如图13C明确所示，在旋转角度位置的调整和基板有无的确认时，旋转台33上的托盘3不是整体收容于搬运室19的主部19a，而是一部分经由搬运室19的通路部19b进入到搬运室19与收容室17之间的连通口20B之间。这样的话，不仅有效地利用搬运室19的主部19a，而且有效地利用通路部19b和连通口20B，由此，如前述那样，将搬运室19的大小在搬运装置15执行必要的动作的基础上设定成必要最小限度，并且在配置于搬运室19的主部19a的旋转台33上能够进行托盘3的旋转角度位置的调整和基板有无的确认。换言之，不仅有效地利用搬运室19的主部19a，而且有效地利用通路部19b和连通口20B，由此，在无需设置用于收容旋转台33的专用的腔室这样的旋转台33之上的托盘3的旋转角度位置的调整和基板有无的确认时能够有效地利用通路部19b和连通口20B的原因是，参照图1详细叙述那样旋转台33配置在搬运装置15的回旋轴30与收容室17之间的位置的缘故。
在旋转角度位置的调整和基板有无的确认后，由于旋转轴36的向下移动而使得旋转台33下降，从旋转台33向支撑叉28交接托盘3。
从旋转台33交接了托盘3之后的支撑叉借助回旋轴30的回旋而朝向贮存部13的收容室17。支撑叉28通过连通口20B而进入到收容室17内。通过与参照图14说明的从主搁板部67b、68b向支撑臂28移载托盘3时相反的动作，从支撑叉28向没有盒62的临时放置搁板部67c、68c移载托盘3。即，支撑有托盘3的支撑叉28从出入口71进入到盒62内，将托盘3配置在临时放置搁板部67c、68c的上升。接着，通过升降驱动机构64使装配在升降机61的升降台63上的盒62上升，由此从支撑叉28的臂39A、39B向临时放置搁板部67c、68c交接托盘3。
参照图12，对于第二个以后的托盘3的到此为止说明的处理、即从盒62的主搁板部67b、68b向旋转台33的搬运、在旋转台33上的对准处理(旋转角度位置调整)、及从旋转台33向盒62的临时放置搁板部67c、68c的搬运在前一个托盘3的等离子处理中被执行。而且，对于前一个托盘3从等离子处理部11的处理室16到盒62的主搁板部67b、68b的搬运结束后，执行以下的处理。
首先，通过回旋轴30的回旋而使支撑叉28朝向贮存部13的收容室17。支撑叉28通过连通口20B而进入到收容室17内，隔开间隔而向由临时放置搁板部67c、68c支撑的托盘3的下表面3b的下侧插入。接着，通过升降驱动机构64使装配在升降机61的升降台63上的盒62下降，由此从临时放置搁板部67c、68c向支撑叉28的臂39A、39B交接托盘3。
如图13D所示，交接了托盘3之后的支撑叉28在搬运室19内回旋而朝向等离子处理部11的处理室16。然后，将闸式阀21A从闭阀状态切换成开阀状态而将连通口20A打开。
而且，通过图15所示的动作将托盘3载置在台23上。首先，支撑臂28经由连通口20A进入到处理室17内，配置在台23的上方。接着，升降杆24上升而使其上端将托盘3的下表面3b压起，由此从支撑臂28向升降杆24交接托盘3。然后，升降杆24下降，将托盘3载置在台23的上端面23a。一并参照图10，伴随着托盘3朝向台23的上端面23a的下降，基板保持部23b从托盘3的下表面3b侧向基板收容孔4进入。因此，当托盘3载置在台23的上端面23a时，各个基板收容孔4内的基板2从基板支撑部5的基板支撑面5a被抬起而载置在基板保持部23b的上端。
在托盘3向台23的配置完成后，执行对基板2的等离子蚀刻处理。
在蚀刻处理后，通过执行与参照图15说明的向台23的载置时相反的动作，而使得支撑叉28在处理室16内从台23接受托盘3，然后返回搬运室19。对托盘3进行支撑的支撑叉28在搬运室19内回旋而朝向贮存部13的收容室17。支撑叉28通过连通口20B而进入到收容室17内。通过与参照图14说明的从主搁板部67b、68b向支撑臂28移载托盘3时相反的动作(与从支撑臂28向临时放置搁板部67c、68c移载托盘3时同样的动作)，而从支撑叉28向没有盒62的主搁板部67b、68b移载托盘3。
本实施方式的干蚀刻装置1的特征尤其在于以下的点。
首先，对于1个托盘3的基板2在等离子处理部11的处理室16内执行干蚀刻处理中，对于下一个托盘3，执行从盒62的主搁板部67b、68b向旋转台33的搬运、由旋转台33的旋转和凹口检测传感器44进行的托盘3的旋转角度位置调整(也通过基板检测传感器43A、43B同时执行基板有无检测)、及从旋转台33向盒62的临时放置搁板部67b、68c的搬运。因此，采用结构简易且低成本的单臂型的搬运装置15并能够实现高生产量。
接着，在等离子处理部11的处理室16的干蚀刻处理前用于临时放置托盘3的旋转角度位置调整(通过基板检测传感器43A、43B进行基板有无检测)后的托盘3的机构作为临时放置搁板部67c、68c而设置在由贮存部13的收容室17收容的处理室17内。因此无需为了临时放置而另行设置专用的腔室，能够实现干蚀刻装置的小型化或设置面积的减少。
而且，在等离子处理部11的处理室16内的干蚀刻处理前需要执行的预备性处理即托盘3的旋转角度位置调整和基板有无检测通过在用于收容搬运机构15的搬运室19内收容的旋转台33(凹口检测传感器44、基板检测传感器43A、43B)来执行，因此无需为了上述的预备性处理而另行设置专用的腔室，在这一点上也能够实现干蚀刻装置的小型化或设置面积的减少。
此外，利用升降机61使盒62升降，由此进行主搁板部67b、68b与支撑叉28之间的托盘3的交接、和临时放置搁板部67c、68c之间的支撑叉28之间的托盘3的交接。因此，单臂型的搬运装置15的支撑叉28只要能够进行基于水平移动机构29的水平方向移动和基于回旋轴30的回旋即可。即，支撑叉28无需具备升降功能，能够简化搬运装置15的结构。
本发明并未限定为上述的实施方式而能够进行各种变形。
如图4所示，也可以设置用于光学性地检测基板2相对于托盘3的位置偏离的位置偏离传感器81(例如测定从一定位置到基板2的距离的传感器)，并基于该位置偏离传感器18的输出，控制部46的基板位置偏离确认处理部82来判定基板3相对于托盘3的位置偏离的有无。
等离子处理部11、搬运部12及贮存部13的俯视下的配置并未限定为实施方式那样的L字状(图1)。例如图16所示的变形例的干蚀刻装置1那样，也可以将等离子处理部11和贮存部13夹着搬运部12而彼此配置在相反侧，等离子处理部11、贮存部13及搬运部12以在俯视下呈大致直线状的方式配置。
与贮存部13关联的具体的结构也未限定为实施例的结构。例如，图17所示的变形例的干蚀刻装置1具备与贮存部13邻接设置的移载部83。从移载部83向贮存部13供给收容有处理前的基板2的托盘3，所述托盘3在基板2的处理后从贮存部13返回移载部71。在贮存部13内设有用于配置对准后的托盘3的临时放置部(未图示)。在移载部83内的移载室84收容有移载机器人85。
在图17中如箭头A1概念性所示，移载机器人85执行向托盘3的基板收容孔4收容干蚀刻前的基板2的作业，即向托盘3移载基板2的作业。而且，在图17中如箭头A2概念性所示，移载机器人85执行将干蚀刻完的基板2从托盘3移载的作业。而且，移载机器人72执行将收容有处理前的基板2的托盘3从移载部83向贮存部13搬入的作业(图17的箭头B1)和将收容有处理后的基板2的托盘3从贮存部13向移载部83搬出的作业(图14的箭头B2)。
托盘可以是具有有底的基板收容孔的结构。而且，本发明并未限定为向托盘收容基板的情况，例如在与实施方式中的托盘3相当的大型的基板自身中也可以适用本发明。而且，本发明并未限定为干蚀刻装置，也可以适用于CVD装置等的其他的等离子处理装置。
另外，通过将上述各种实施方式中的任意的实施方式适当组合，能够起到各自具有的效果。
本发明通过参照附图并关联优选的实施方式而充分地作了记载，但对于本领域技术人员而言可知各种变形或修正。这样的变形或修正只要不脱离权利要求书的范围所决定的本发明的范围，就应该理解为包含于其中。
2011年4月13日提出申请的日本国专利申请No.2011-89262号的说明书、附图、及权利要求书的范围的公开的内容作为整体进行参照而援引于本说明书中。
符号说明：
1干蚀刻装置
2基板
3托盘
3a上表面
3b下表面
3c凹口
4基板收容孔
5基板支撑部
5a基板支撑面
11等离子处理部
12搬运部
13贮存部
15搬运装置
16处理室
17收容室
19搬运室
20A、20B、20C连通口
21A、21B闸式阀
23台
23a上端面
23b基板保持部
24升降杆
28支撑叉
29水平移动机构
30回旋轴
31搬运机构驱动部
33旋转台
36旋转轴
37旋转台驱动机构
38基体
39A、39B臂
40突起
40a限制面
41突起
41a限制面
42窗
43A、43B基板检测传感器
44凹口检测传感器
45A、45B、45C光反射构件
46控制部
47操作/输入部
48真空泵
49显示部
51托盘搬运处理部
52升降机升降处理部
53对准处理部
54基板有无确认处理部
61升降机
62盒
63升降台
63a上表面
63b下表面
63c切口
64升降驱动机构
65底板
66顶板
66a把手
67A、67B主搁板构件
67a内表面
67b主搁板部
67c临时放置搁板部
68A、68B副搁板构件
68a内表面
68b主搁板部
68c临时放置搁板部
71出入口
72门
73A、73B、73C限制部
74A、74B锁定机构
75轴承部
76杆
77弹簧
78可动限制构件
79捏手
81位置偏离传感器
82基板位置偏离确认处理部
83移载部
84移载室
85移载机器人

Claims (20)

1.一种等离子处理装置，其特征在于，
具备：
贮存部，其收纳等离子处理的对象物；
等离子处理部，其对从所述贮存部搬入的所述对象物执行等离子处理；
搬运部，其收容有搬运所述对象物的搬运装置；
准备台，其收容于所述搬运部，从所述贮存部向所述等离子处理部搬入之前的所述对象物配置于该准备台；以及
预备处理部，其与所述准备台协作而对所述对象物执行所述等离子处理用的预备性处理。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述准备台配置在所述搬运部的所述贮存部侧。
3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述搬运装置具备支撑所述对象物的支撑部和使所述支撑部在水平面内回旋的回旋轴，
所述准备台配置在所述回旋轴与所述贮存部之间。
4.根据权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述搬运部内与所述贮存部内经由连通口连通，
所述准备台在将所述回旋轴与所述贮存部的中心连结的假想的线上且在所述回旋轴与所述连通口之间配置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述准备台能够绕着沿铅垂方向延伸的旋转轴旋转，
所述预备处理部使所述准备台绕着所述旋转轴旋转，由此来调整载置在所述准备台上的所述对象物的旋转角度位置。
6.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述对象物在外周缘具备凹口，
所述预备处理部具备凹口检测传感器，该凹口检测传感器光学性地检测载置在所述准备台上的所述对象物的所述凹口，所述预备处理部根据来自所述凹口检测传感器的输出而使所述准备台旋转，由此来调整所述对象物的旋转角度位置。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述预备处理部执行所述对象物是否为适合于所述等离子处理的状态的检查。
8.根据权利要求7所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述对象物是收容有基板的可搬运的托盘，
所述预备处理部具备基板检测传感器，该基板检测传感器光学性地检测载置在所述准备台上的所述托盘中的所述基板的有无，所述预备处理部基于来自所述基板检测传感器的输出来判定基板的有无。
9.根据权利要求7或8所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述对象物是收容有基板的可搬运的托盘，
所述预备处理部具备位置偏离检测传感器，该位置偏离检测传感器光学性地检测所述基板的相对于载置在所述准备台上的所述托盘的位置偏离，所述预备处理部基于来自所述基板检测传感器的输出来判定所述基板的相对于所述托盘的位置偏离的有无。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述准备台沿着铅垂方向升降。
11.一种等离子处理方法，其特征在于，
通过收容于搬运部的搬运装置，将收纳于贮存部的等离子处理的对象物向收容于所述搬运部的准备台搬运，
对配置在所述准备台上的所述对象物执行所述等离子处理用的预备性处理，
通过所述搬运装置将所述预备性处理结束后的所述对象物向等离子处理部搬运而执行等离子处理，
将所述等离子处理后的所述对象物从所述等离子处理部向所述贮存部搬运。
12.根据权利要求11所述的等离子处理方法，其特征在于，
在所述收容部的所述贮存部侧配置所述准备台。
13.根据权利要求12所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述搬运装置具备支撑所述对象物的支撑部和使所述支撑部在水平面内回旋的回旋轴，
在所述回旋轴与所述贮存部之间配置所述准备台。
14.根据权利要求13所述的等离子处理方法，其特征在于，
经由连通口将所述收容部内与所述贮存部内连通，
在将所述回旋轴与所述贮存部的中心连结的假想的线上且所述回旋轴与所述连通口之间配置所述准备台，
在执行所述预备性处理时，配置在所述准备台上的所述对象物的一部分进入到所述连通口内。
15.根据权利要求11～14中任一项所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述预备性处理使所述准备台绕着沿铅垂轴方向延伸的旋转轴旋转，来调整载置在所述准备台上的所述对象物的旋转角度位置。
16.根据权利要求15所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述对象物在外周缘具备凹口，
所述预备性处理根据来自凹口检测传感器的输出而使所述准备台旋转，该凹口检测传感器光学性地检测载置在所述准备台上的所述对象物的所述凹口。
17.根据权利要求11～14中任一项所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述预备性处理是所述对象物是否为适合于所述等离子处理的状态的检查。
18.根据权利要求17所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述对象物是收容有基板的可搬运的托盘，
所述预备性处理是基于来自基板检测传感器的输出的基板的有无的判定，该基板检测传感器光学性地检测载置在所述准备台上的所述托盘中的所述基板的有无。
19.根据权利要求17所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述对象物是收容有基板的可搬运的托盘，
所述预备性处理是基于来自位置偏离检测传感器的输出的所述基板的位置偏离的有无的判定，该位置偏离检测传感器光学性地检测所述基板的相对于载置在所述准备台上的所述托盘的位置偏离。
20.根据权利要求11～19中任一项所述的等离子处理方法，其特征在于，
通过所述准备台的升降而在所述搬运装置与所述准备台之间执行所述对象物的移载。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015032136A1 (zh) * 2013-09-09 2015-03-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 转盘定位装置、装载传输系统及等离子体加工设备
CN104851831A (zh) * 2015-04-08 2015-08-19 沈阳拓荆科技有限公司 一种应用于半导体设备的自动传片装置及控制方法
CN105448631A (zh) * 2014-06-12 2016-03-30 中微半导体设备(上海)有限公司 一种基片安装平台和一种等离子处理装置及其运行方法
CN108557419A (zh) * 2018-05-31 2018-09-21 君泰创新（北京）科技有限公司 升降机、工艺腔设备及其控制方法
CN111261565A (zh) * 2020-01-21 2020-06-09 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法
CN113303039A (zh) * 2019-02-01 2021-08-24 雅马哈发动机株式会社 托板运送装置、部件安装机、托板运送方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104871658B (zh) * 2012-12-12 2018-04-24 富士机械制造株式会社 裸片供给装置
JP6029250B2 (ja) * 2013-03-28 2016-11-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP5987976B2 (ja) * 2013-04-18 2016-09-07 株式会社島津製作所 基板検出システム及び基板検出方法
US11077535B2 (en) * 2018-02-14 2021-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Process system having locking pin and locking pin
JP7137976B2 (ja) * 2018-07-04 2022-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP7257914B2 (ja) * 2019-08-08 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板処理方法
CN112478540B (zh) * 2019-09-12 2023-05-02 北京京东乾石科技有限公司 控制托盘转动的方法和装置
JP7488442B2 (ja) 2019-09-26 2024-05-22 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送システム
CN110592560B (zh) * 2019-10-18 2022-02-22 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备
DE102020109866B3 (de) * 2020-04-08 2021-07-01 Muetec Automatisierte Mikroskopie Und Messtechnik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Entnehmen eines gerahmten Wafers aus einer Waferablage

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4824309A (en) * 1983-11-28 1989-04-25 Hitachi, Ltd. Vacuum processing unit and apparatus
WO2002007236A1 (fr) * 2000-07-19 2002-01-24 Tokyo Electron Limited Detecteur de deplacement et systeme de traitement
JP2004241428A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006019544A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Ulvac Japan Ltd 基板移載装置および基板搬送システム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5558482A (en) 1992-07-29 1996-09-24 Tokyo Electron Limited Multi-chamber system
JP3139155B2 (ja) 1992-07-29 2001-02-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US5636960A (en) 1992-07-29 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus for detecting and aligning a substrate
JPH06140492A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Fujitsu Ltd クラスタ装置
JPH09102530A (ja) * 1995-06-07 1997-04-15 Varian Assoc Inc ウェーハの向き検査システム
JP2695403B2 (ja) * 1995-12-14 1997-12-24 株式会社日立製作所 半導体基板処理方法および半導体基板処理装置
JPH10242250A (ja) 1997-02-26 1998-09-11 Fujitsu Ltd ウェハ位置検出方法、アライメント装置、及び、半導体処理装置
JP2001044257A (ja) 1999-07-27 2001-02-16 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP2002043292A (ja) 2000-07-19 2002-02-08 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および処理方法
KR100964775B1 (ko) 2005-10-12 2010-06-21 파나소닉 주식회사 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
JP2007109771A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用のトレイ
JP4515507B2 (ja) 2008-01-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4824309A (en) * 1983-11-28 1989-04-25 Hitachi, Ltd. Vacuum processing unit and apparatus
WO2002007236A1 (fr) * 2000-07-19 2002-01-24 Tokyo Electron Limited Detecteur de deplacement et systeme de traitement
JP2004241428A (ja) * 2003-02-03 2004-08-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006019544A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Ulvac Japan Ltd 基板移載装置および基板搬送システム

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015032136A1 (zh) * 2013-09-09 2015-03-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 转盘定位装置、装载传输系统及等离子体加工设备
CN105448631A (zh) * 2014-06-12 2016-03-30 中微半导体设备(上海)有限公司 一种基片安装平台和一种等离子处理装置及其运行方法
TWI575647B (zh) * 2014-06-12 2017-03-21 A substrate mounting platform and a plasma processing apparatus and a method of operating the same
CN105448631B (zh) * 2014-06-12 2017-07-25 中微半导体设备(上海)有限公司 一种基片安装平台和一种等离子处理装置及其运行方法
CN104851831A (zh) * 2015-04-08 2015-08-19 沈阳拓荆科技有限公司 一种应用于半导体设备的自动传片装置及控制方法
CN104851831B (zh) * 2015-04-08 2018-10-23 沈阳拓荆科技有限公司 一种应用于半导体设备的自动传片装置及控制方法
CN108557419A (zh) * 2018-05-31 2018-09-21 君泰创新（北京）科技有限公司 升降机、工艺腔设备及其控制方法
CN113303039A (zh) * 2019-02-01 2021-08-24 雅马哈发动机株式会社 托板运送装置、部件安装机、托板运送方法
CN113303039B (zh) * 2019-02-01 2022-07-22 雅马哈发动机株式会社 托板运送装置、部件安装机、托板运送方法
CN111261565A (zh) * 2020-01-21 2020-06-09 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法
CN111261565B (zh) * 2020-01-21 2023-11-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体设备及其晶圆传输腔室和晶圆传输方法

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Publication number Publication date
US20130180953A1 (en) 2013-07-18
JP5538291B2 (ja) 2014-07-02
US8945411B2 (en) 2015-02-03
WO2012140837A1 (ja) 2012-10-18
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