CN103140914A - 薄膜蒸镀装置 - Google Patents

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Abstract

薄膜蒸镀装置包括：腔室；基座；源气体供给部；及基座支持台。腔室，具有执行蒸镀工序的内部空间。基座，安置于所述腔室内，沿上面中心圆周直接性地支持多个基板或支持安置有一个以上基板的基板支架。源气体供给部，以分离的第一、第二源气体的状态来向所述基座的上部中央供给源气体，并且通过上下排列的源气体喷射口将所述分离的第一、第二源气体分别喷射向所述基座周边来向所述基座上的基板供给所述第一、第二源气体。基座支持台，设置为在所述基座的下侧支撑所述基座的中央，并具备附加气体供给部来将从所述腔室的外部导入的附加气体喷射向所述基座的上面。

Description

薄膜蒸镀装置
技术领域
本发明涉及薄膜蒸镀装置，用于半导体等的制造中，在基板上进行薄膜蒸镀。
背景技术
通常，半导体中使用的薄膜制造方法有，CVD（Chemical VaporDeposition，化学气相沉积）法、PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）法。CVD法是将气态的混合物在被加热的基板表面进行化学反应来将生成物蒸镀于基板表面的技术。CVD法根据使用为前驱体（precursor）物质的种类、工序中的压力、反应所需的能量传达方式等而区分为，APCVD（Atmospheric CVD）、LPCVD（Low Pressure CVD）、PECVD（Plasma Enhanced CVD）、MOCVD（Metal Organic CVD）法等。
近年来，发光二级管用氮化物半导体备受瞩目，而为了发光二极管用氮化物半导体的单晶生长，多是会使用MPCVD法。MOCVD法是将作为液态原料的有机金属化合物气化为气态之后，将气化的源气体供给到作为蒸镀对象的基板从而与高温的基板接触，由此来在基板上蒸镀金属薄膜的方法。
这种MOCVD法的情况下，作为将源气体供给到基板的方式多是采用注射（injection）方式。注射方式，是通过设置于腔室中央的注射器将源气体导入到基座的上部中央之后，将导入的源气体以水平方向喷射向基座周边，从而向基座上的基板进行供给的方式。
但是，上述的注射方式中，从注射器喷射向基座的源气体会经过邻接于注射器的气体进入区域，进行到对于基板构成的有效蒸镀生长区域。源气体的流动会在气体进入区域内变得均匀，且至少会有部分被分解。此时，气体进入区域中源气体的分解会导致对应气体进入区域的基座部位发生不必要的薄膜蒸镀的问题。
但是，为了同时对更多的基板进行薄膜蒸镀，需要大型化腔室的大小，与此同时也需要增加源气体的供给，从而导致气体进入区域也会增加。因此，因为在气体进入区域中的不必要的薄膜蒸镀而导致所消耗的源气体量也会增加，从而会加重源气体的浪费。
如上所述，对基座部位的不必要的薄膜蒸镀会在蒸镀工序中脱落而对基板产生影响，因此有必要在事前进行维护。气体进入区域增加时，在基体进入区域的不必要的薄膜蒸镀的可能性也会增加。这会导致缩短PM（Preventive Maintenance；预防性维护）周期。
此外，为了同时对更多的基板进行薄膜蒸镀，需要加大基座的直径来进行大型化。但是，根据上述注射方式，存在有随着基座的大型化会导致蒸镀均匀性逐渐低下的问题。为此，需要增加源气体的使用量，但是这会导致工序效率性的低下。此外，随着增加源气体的使用量会导致发生基板的蒸镀面上不进行反应而以粒子状态残留的源气体的量逐渐增多的问题。
发明内容
（要解决的技术问题）
本发明要解决的技术问题在于提供薄膜蒸镀装置，可以防止在气体进入区域中的不必要的薄膜蒸镀，并且即使腔室的大小被大型化也可以减少不必要的薄膜蒸镀导致的源气体的浪费，且可以增加PM周期。
此外，本发明要解决的技术问题在于提供薄膜蒸镀装置，即使基座被大型化也可以确保对于基板的蒸镀均匀性，并且可以抑制源气体使用量及粒子化。
（解决问题的手段）
为了达成所述的技术问题，根据本发明的薄膜蒸镀装置，包括：腔室，具有执行蒸镀工序的内部空间；基座，安置于所述腔室内，沿上面中心圆周直接性地支持多个基板或支持安置有一个以上基板的基板支架；源气体供给部，以分离的第一、第二源气体的状态来向所述基座的上部中央供给源气体，并且通过上下排列的源气体喷射口将所述分离的第一、第二源气体分别喷射向所述基座周边来向所述基座上的基板供给所述第一、第二源气体；及基座支持台，设置为在所述基座的下侧支撑所述基座的中央，并具备附加气体供给部来将从所述腔室的外部导入的附加气体喷射向所述基座的上面。
（发明的效果）
根据本发明，使源气体在基座上部沿基座上面流动来进行供给的同时，通过基座支持台来向基座上面供给附加气体，从而可以阻断从第一、第二源气体分解的物质接触于气体进入区域的基座部位。由此，可以防止气体进入区域的基座部位的不必要的薄膜蒸镀。此外，即使腔室的大小被大型化导致气体进入区域增加，也可以减少不必要的薄膜蒸镀导致的源气体的浪费，并缩短PM周期。
根据本发明，从基座的中央区域可以向基座的上部供给附加气体，由此，即使基座的直径变大而导致大型化，也可以有效地控制源气体的使用量并确保对于基板的蒸镀均匀性。此外，可以抑制源气体一部分不进行反应而以粒子状态残留的现象。此外，邻接于源气体喷射口的区域中，从源气体分解的物质不会接触于基座的中央区域，由此可以防止不必要薄膜蒸镀。
附图说明
图1是表示根据本发明的一实施例的薄膜蒸镀装置的侧面剖视图。
图2是图示图1的附加气体供给部中，结合于基座支持台的喷射帽的一例的分解立体图。
图3是表示对于图2的组装图。
图4是图示图1的附加气体供给部中，结合于基座支持台的喷射帽的另一例的分解立体图。
图5是表示对于图4的组装图。
图6是表示根据本发明的另一实施例的薄膜蒸镀装置的侧面剖视图。
图7是图示图6中抽取的基座及附加气体供给部的侧面剖视图。
图8是表示图6中的基座及附加气体供给部的平面图。
图9是图示图6中图示的附加气体供给部中具备气体引导部的例的侧面剖视图。
具体实施方式
以下参照附图对根据优选实施例的本发明进行详细地说明。
图1是表示根据本发明的一实施例的薄膜蒸镀装置的结构图。
参照图1，薄膜蒸镀装置100作为在基板10上蒸镀薄膜的装置，包括：腔室110、基座120、基座支持台130、源气体供给部140及附加气体供给部150。此处，基板10可以为晶片或者玻璃基板。
腔室110具有执行蒸镀工序的内部空间。腔室110包括：腔室本体111，向上部开口；上盖112，覆盖腔室本体111的上部开口。上盖112的下面可以具备有由石英等来构成的顶板来进行保护。上盖112，在蒸镀工序时通过下降动作来关闭腔室本体111的上部开口，在基板10加载或卸载时通过升降动作来开放腔室本体111的上部开口。
基座120安置于腔室10内，沿上面中心圆周来支持多个基板10。这是为了大量生产而一次性对更多的基板10进行薄膜蒸镀。基板安置部121，可以均匀地分布于基座120的中心周围来形成。各个基板10可以各自安置于基板安置部121并被支持。作为另一例，虽然未进行图示，但是多个基板支架可以均匀地分布于基座120的中心周围来进行设置。各个基板支架的上面可以收容至少一个基板并分别对其进行支持。
基板支持台130设置为从基座120的下侧支撑基座120的中央。基座支持台130具备附加气体供给部150。附加气体供给部150，将从腔室110外部导入的附加气体喷射向基座120的上面。附加气体供给部150，可以防止对应于气体进入区域的基座120部分的不必要的薄膜蒸镀。
随着基座支持台130通过旋转驱动器101来进行旋转，可以旋转基座120。例如，基座支持台130的下侧部位向腔室110的外部引出，并在引出的部位连接旋转驱动器101来使基座支持台130旋转。基座支持台130旋转时，可以使基座120一同旋转。
但是，基座120上具备基板支架时，基板支架也可以设置为，通过气垫等来进行旋转。这是为了蒸镀工序中，从基座120的上部中央喷射的源气体可以均匀地供给于基座120上的所有基板10。基座120，在蒸镀工序中可以通过加热器（未图示）加热来给支持于上面的基板10加热。
源气体供给部140，在基座120的上部中央接收以相互分离的状态供给的第一、第二源气体后，将第一、第二源气体分别通过上下排列的源气体喷射口141a、141b向基座120周边进行喷射。由此，第一、第二源气体可以供给到基座120上的基板10。
源气体供给部140可以构成为，将第一、第二源气体沿并列于基座120的上面的水平方向进行喷射。但并不限定于此，源气体供给部140在可以向基座120上的基板10顺利地供给第一、第二源气体的范畴内，可以构成为沿向下侧倾斜的方向喷射等多种结构。
此外，源气体供给部140可以包括：供给线142a、142b，用于以相互分离的状态分别供给第一、第二源气体。供给线142a、142b贯通上盖112来延长至基座120上部中央，形成于延长的端部的源气体喷射口141a、141b可以构成为上下排列的弯曲的结构。
如上所述，从源气体供给部140喷射的第一、第二源气体，经过邻接于源气体喷射口141a、141b的气体进入区域进行到对于基板10构成有效蒸镀的生长区域。第一、第二源气体的流动会在气体进入区域内变均匀，并且至少有一部分会分解并尝试下降至基座120的上面。
此时，附加气体从附加气体供给部150喷射到基座120上面，从而从气体进入区域流到生长区域。此过程中，从第一、第二源气体分解的物质会被附加气体推动，从而无法下降到基座120的上面而是被引导流到向生长区域。
因此，第一、第二源气体中分解的物质不会与对应气体进入区域的基座120部位接触，因此可以防止不必要的薄膜蒸镀。此外，即使腔室110的大小被大型化而导致气体进入区域增加，也可以减少因不必要的薄膜蒸镀引起的源气体浪费，且可以缩短PM周期。
另一方面，附加气体供给部150可以包括：气体流路151，形成于基座支持台130的内部，从而使附加气体从腔室110的外部导入；附加气体喷射口152，将通过气体流路151流入的附加气体喷射向基座120的上面。
作为一例，附加气体喷射口152可以形成为，在基座支持台130的侧面与气体流路151连接。即，气体流路151的出口与附加气体喷射口152连接，气体流路151的入口与基座支持台130的附加气体流入口153连接。附加气体流入口153位于从基座支持台130向腔室110的外部引出的部位。附加气体流入口153与附加气体供给源连接来使附加气体供给源的附加气体向气体流路流入。
此外，附加气体喷射口152可以位于比基座120的上面更高的位置，从而向基座120的喷射附加气体。附加气体喷射口152可以在基座支持台130的侧面形成多个来来使附加气体同时从多处供给到气体进入区域。作为另一例，附加气体喷射口152不仅可以在基座支持台130的侧面还可以在上面形成为与气体流入151连接。附加气体喷射口152的大小及形状或从附加气体喷射口152喷射的流量在可以执行上述功能的范畴内可以进行多种构成。
附加气体，可以沿并列于基座120的上面的方向进行喷射。但并不限定于此，附加气体在可以执行上述功能的范畴内，可以沿对于基座120的上面向上方倾斜的方向进行喷射。例如，附加气体的喷射方向可以随着气体流路151与附加气体喷射口152连接的角度来进行调节或在附加气体喷射口152的前方设置引导部件来进行调节。
另一方面，如图2及图3所示，基座支持台130的上端可以结合有喷射帽160。喷射帽160具有与气体流路151连接的内部空间。此外，附加气体喷射口152可以形成多个来在喷射帽160的侧面与喷射帽160的内部空间连接。作为一例，喷射帽160可以具备有，圆板形状的帽本体161；肋部162，沿帽主体161的周围相互间隔并分别向下侧凸出。
喷射帽160，在帽本体161的底面从基座支持台130的上面间隔的状态下，肋部162的各下侧部位可以固定于基座支持台130的上端周围。由此，帽本体161的底面与基座支持台130的上面之间会形成间隔空间，并且间隔空间会与肋部162之间的开口163联通。
开口163，起到上述附加气体喷射口152的功能。此时，上述气体流路151中出口151a会位于基座支持台130的上面。由此，附加气体在从气体流路151的出口151a供给到喷射帽160与基座支持台130之间后，可以通过形成于喷射帽160的周围的开口163来进行喷射。
作为另一例，如图4及图5所示，喷射帽260构成为，具有内部空间并且下部开口的形状。此外，喷射帽260可以形成有孔261，沿着周围来与内部空间联通。喷射帽260的底面从基座支持台130的上面间隔，并且在孔261位于高于基座支持台130的位置的状态下，喷射帽260的下侧部位可以固定于基座支持台130的上端周围。
由此，附加气体可以从气体流路151的出口151a供给到喷射帽260与基座支持台130之间后，通过形成于喷射帽160的周围的孔261进行喷射。如上所述的孔261，起到附加气体喷射口152的功能。另一方面，喷射帽260可以形成有与气体流路151连接的内部流路，内部流路可以分别与附加气体喷射口152进行连接。
在通过Ⅲ-Ⅴ族MOCVD法来执行蒸镀工序时，第一源气体可以为含有V族元素的源气体，第二源气体可以为含有Ⅲ族元素的源气体。第一源气体作为包括V族元素的氢化物，可以为NH3或PH3或AsH3等。第二源气体作为包括Ⅲ族元素的有机金属，可以为TMG（Trimethylgallium）或TEG（Triethylgallium）或TMI（Trimethylindium）等。第一、第二源气体中分别还可以包括运载气体。
附加气体可以选自含有V族元素的气体、氢气、非活性气体中的至少任意一种。含有V族元素的气体可以例举，如NH3或PH3或AsH3等的包括V族元素的氢化物。非活性气体可以例举，氮（N2)气或氦（He）气或氩（Ar）气等。
源气体供给部140中，喷射含有V族元素的源气体的源气体喷射口与喷射所述含有Ⅲ族元素的源气体的源气体喷射口中，最邻接于基座120侧的源气体喷射口为喷射所述含有Ⅲ族元素的源气体的源气体喷射口。当然，最邻接于基座120侧的源气体喷射口也可以为喷射含有V族元素的源气体的源气体喷射口。
此外，虽然未进行图示，但是薄膜蒸镀装置100还可以包括：非活性气体供给部，用于在源气体供给部140的源气体喷射口141a、141b之间，或在源气体供给部140的上部源气体喷射口141a的上侧，或在源气体供给部140的下部源气体喷射口141b的下侧供给非活性气体。
从非活性气体供给部供给的非活性气体可以起到在源气体喷射口邻接区域中防止从源气体供给部140喷射的第一、第二源气体之间进行反应的作用，或起到第一、第二源气体的载体的作用。此处，非活性气体可以为氮气或氦气或氩气。
图6是表示根据本发明的另一实施例的薄膜蒸镀装置的侧面剖视图，图7是图示图6中节选基座及附加气体供给部的侧面剖视图。此外，图8是表示图6中的基座及附加气体供给部的平面图。
参照图6至图8，薄膜蒸镀装置300作为在基板10上薄膜蒸镀的装置，包括：腔室310、基座320、基座支持台330、源气体供给部340及附加气体供给部350。
腔室310具有执行蒸镀工序的内部空间。腔室310包括：腔室本体311，向上部开口；上盖312，覆盖腔室本体311的上部开口。上盖312的下面可以具备有由石英等来构成的顶板来进行保护。上盖312，在蒸镀工序时通过下降动作来关闭腔室本体311的上部开口，在基板10加载或卸载时通过升降动作来开放腔室本体311的上部开口。
基座320安置于腔室310内，沿上面中心圆周来支持多个基板10。基板安置部321，可以均匀地分布于基座320的中心周围来形成。各个基板10可以各自安置于基板安置部321并被支持。作为另一例，虽然未进行图示，但是多个基板支架可以均匀地分布于基座320的中心周围来进行设置。各个基板支架的上面可以收容至少一个基板并分别对其进行支持。
基板支持台330设置为从基座320的下侧支撑基座320的中央。随着基座支持台330通过旋转驱动器301来进行旋转，可以旋转基座320。例如，基座支持台330的下侧部位向腔室310的外部引出，并在引出的部位连接旋转驱动器来使基座支持台330旋转。基座支持台330旋转时，可以使基座320一同旋转。
但是，基座320上具备基板支架时，基板支架也可以设置为，通过气垫等来进行旋转。这是为了蒸镀工序中，从基座320的上部中央喷射的源气体可以均匀地供给于基座320上的所有基板10。基座320，在蒸镀工序中可以通过加热器（未图示）加热来给支持于上面的基板10加热。
源气体供给部340，在基座320的上部中央接收以相互分离的状态供给的第一、第二源气体后，将第一、第二源气体分别通过上下排列的源气体喷射口341a、341b向基座320周边进行喷射。由此，第一、第二源气体可以供给到基座320上的基板10。
源气体供给部340可以构成为，将第一、第二源气体沿并列于基座320的上面的水平方向进行喷射。但并不限定于此，源气体供给部340在可以向基座320上的基板10顺利地供给第一、第二源气体的范畴内，可以构成为沿向下侧倾斜的方向喷射等多种结构。
此外，源气体供给部340可以包括：供给线342a、342b，用于以相互分离的状态分别供给第一、第二源气体。供给线342a、342b贯通上盖312来延长至基座320上部中央，形成于延长的端部的源气体喷射口341a、341b可以构成为上下排列的弯曲的结构。
附加气体供给部350是设置于，从基座320的上面相比于基板支持区域更向着内侧的中央区域，来用于向基座320的上部供给附加气体。附加气体供给部350具备有：气体流路部351，从腔室310的外部导入附加气体；附加气体喷射口356，将通过气体流路部351导入的附加气体喷射到基座320上面。气体流路部351形成于附加气体供给部350的内部，附加气体喷射口356形成为，在附加气体供给部350的上面与气体流路部351连接。
附加气体供给部350，即使基座320的直径变大导致大型化，也可以有效地控制第一、第二源气体的使用量并且确保对于基板10的蒸镀均匀度。如上所述，从源气体供给部340喷射的第一、第二源气体流向基座320的周边，在此过程中，第一、第二源气体供给到基板10的蒸镀面，来在基板10的蒸镀面进行反应来形成薄膜。但是，在基座320的直径变大时，如果不增加第一、第二源气体的使用量会导致无法使第一、第二源气体均匀地经过基板10的蒸镀面整体，从而会引起对于基板10的蒸镀均匀度低下的顾虑。
但是，因为附加气体从附加气体供给部350供给到基座320的上部，并向着基座320的周边流动，因此随着附加气体的流动可以使第一、第二源气体向着基座320周边更远的地方流动。此时，从附加气体供给部350供给附加气体来使第一、第二源气体可以均匀地经过基板10的蒸镀面整体而到达时，可以有效地控制第一、第二源气体的使用量，并且可以确保对于基板10的蒸镀均匀度。此外，还可以抑制在基板10的蒸镀面上，不进行反应而以粒子状态残留的现象。
此外，因为附加气体供给部350是设置于，从基座320的上面相比于着基板支持区域更向着内侧的中央区域，来向基座320的上部供给附加气体，因此可以在源气体喷射口341a、341b邻接的区域，使从第一、第二源气体分解的物质无法下降至基座320的中央区域，并被引导流向基板支持区域。因此，从第一、第二源气体分解的物质不会与基座320的中央区域接触，由此可以防止不必要的薄膜蒸镀。
另一方面，附加气体喷射口356，如图7所示，形成为以放射状或同心状排列多个，从而执行使附加气体从多处供给到基座320的上部的功能。此处，附加气体喷射口356可以以具有一定角度的放射状来进行排列或以一定间隔的同心状进行排列，从而按照各个区域均等地喷射附加气体。此时，气体流路部351可以包括：主流路352；分支流路353，分支于主流路352，并分别与附加气体喷射口356连接。流入到主流路352的附加气体会在分支到分支流路353后，通过附加气体喷射口356进行喷射。
附加气体供给部350，一部分收容于基座320的收容槽322内，且附加气体喷射口356的高度可以位于高于基座320上的基板10的位置。此处，附加气体供给部350可以在对于收容槽322的底面接触的状态下固定于基座320，或非接触状态下固定于基座320。附加气体供给部350可以由碳化硅（SiC）、涂层有BN（Boron Nitride）的石墨（graphite）来制造。此外，附加气体供给部350可以由石英（Quartz）或氧化铝（Al2O3）来制造。
如图9所示，附加气体供给部350可以包括：气体引导部357，引导从附加气体喷射口356喷射的附加气体沿并行于基座320的上面的方向，向基座320的周边流动。但并不限定于此，在可以执行上述功能的范畴内，气体引导部357，可以引导从附加气体喷射口356喷射的附加气体沿对于基座320的上面向上方倾斜的方向喷射，或可以形成附加气体喷射口356。
薄膜蒸镀装置300可以包括：附加气体供给路360。附加气体供给路360形成于基座支持台330的内部。附加气体供给路360从腔室310的外部接收供给的附加气体并传达到气体流路部351。附加气体供给路360的一端延长至基座320的内部来与气体流路部351的主流路352连接，附加气体供给路360的另一端与基座支持台330的附加气体流入口361连接。附加气体流入口361位于，从基座支持台330向腔室310外部引出的部位。附加气体流入口361，与腔室310外部的附加气体供给源连接，来使附加气体供给源的附加气体流入到附加气体供给路360。
另一方面，在通过Ⅲ-Ⅴ族MOCVD法来执行蒸镀工序时，第一源气体可以为含有V族元素的源气体，第二源气体可以为含有Ⅲ族元素的源气体。第一源气体作为包括V族元素的氢化物，可以为NH3或PH3或AsH3等。第二源气体作为包括Ⅲ族元素的有机金属，可以为TMG（Trimethylgallium）或TEG（Triethylgallium）或TMI（Trimethylindium）等。第一、第二源气体中分别还可以包括运载气体。
附加气体可以选自含有V族元素的气体、氢气、非活性气体中的至少任意一种。含有V族元素的气体可以例举，如NH3或PH3或AsH3等的包括V族元素的氢化物。非活性气体可以例举，氮（N2）气或氦（He）气或氩（Ar）气等。
源气体供给部340中，喷射含有V族元素的源气体的源气体喷射口与喷射所述含有Ⅲ族元素的源气体的源气体喷射口中，最邻接于基座320侧的源气体喷射口为喷射含有Ⅲ族元素的源气体的源气体喷射口。当然，最邻接于基座320侧的源气体喷射口也可以为喷射含有V族元素的源气体的源气体喷射口。
此外，虽然未进行图示，但是薄膜蒸镀装置300还可以包括：非活性气体供给部，用于在源气体供给部340的源气体喷射口341a、341b之间，或在源气体供给部340的上部源气体喷射口341a的上侧，或在源气体供给部340的下部源气体喷射口341b的下侧供给非活性气体。从非活性气体供给部供给的非活性气体可以起到在源气体喷射口邻接区域中防止从源气体供给部340喷射的第一、第二源气体之间进行反应的作用，或起到第一、第二源气体的载体的作用。此处，非活性气体可以为氮气或氦气或氩气。
本发明参照附图中图示的一实施例进行了说明，但这仅仅是例示性，本发明所属技术领域中的技术人员应当理解，可以由此进行多种变形及实施等同的其他实施例。因此，本发明的真正的保护范围应当由所附请求范围来确定。

Claims (13)

1.一种薄膜蒸镀装置，其特征在于，包括：
腔室，具有执行蒸镀工序的内部空间；
基座，安置于所述腔室内，沿上面中心圆周直接性地支持多个基板或支持安置有一个以上基板的基板支架；
源气体供给部，以分离的第一、第二源气体的状态来向所述基座的上部中央供给源气体，并且通过上下排列的源气体喷射口将所述分离的第一、第二源气体分别喷射向所述基座周边来向所述基座上的基板供给所述第一、第二源气体；及
基座支持台，设置为在所述基座的下侧支撑所述基座的中央，并具备附加气体供给部来将从所述腔室的外部导入的附加气体喷射向所述基座的上面。
2.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述附加气体是选自，含有V族元素的气体、氢气、非活性气体中的至少任意一种。
3.根据权利要求2所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述第一源气体为含有V族元素的源气体，所述第二源气体为含有Ⅲ族元素的源气体。
4.根据权利要求3所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述源气体供给部，
喷射含有所述V族元素的源气体的源气体喷射口与喷射所述含有Ⅲ族元素的源气体的源气体喷射口中，最邻接于所述基座侧的源气体喷射口为喷射所述含有Ⅲ族元素的源气体的源气体喷射口。
5.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述附加气体供给部包括：
气体流路，形成于所述基座支持台的内部来使附加气体从所述腔室的外部导入；附加气体喷射口，将通过所述气体流路流入的附加气体喷射向所述基座的上面。
6.根据权利要求5所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述附加气体喷射口，
在所述基座支持台的侧面形成多个来与所述气体流路连接，或分别在所述基座支持台的侧面与上面形成多个来与所述气体流路连接。
7.根据权利要求5所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述基座支持台的上端结合有喷射帽，形成内部空间或内部流路来与所述气体流路连接；
所述附加气体喷射口，
在所述喷射帽的侧面形成多个来与所述喷射帽的内部空间或内部流路连接，或分别在所述喷射帽的侧面及上面形成多个来与所述喷射帽的内部空间或内部流路连接。
8.根据权利要求5所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述附加气体向着并行于所述基座的上面的方向进行喷射，或向着对于所述基座的上面向上方倾斜的方向进行喷射。
9.根据权利要求1所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，还包括：
非活性气体供给部，用于在所述源气体供给部中，向上部源气体喷射口的上侧，或下部源气体喷射口的下侧，或在所述源气体供给部之间供给非活性气体。
10.根据权利要求5所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述附加气体喷射口形成为，以放射状或同心状排列多个。
11.根据权利要求5所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述附加气体供给部包括：
气体引导部，引导从所述附加气体喷射口喷射的附加气体沿并行于所述基座的上面的方向，向所述基座的周边流动。
12.根据权利要求5所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，
所述基座支持台内部形成有附加气体供给路，将从所述腔室外部流入的附加气体传达向所述附加气体供给部的气体流路。
13.根据权利要求5所述的薄膜蒸镀装置，其特征在于，还包括：
非活性气体供给部，用于在所述源气体供给部中，向上部源气体喷射口的上侧，或下部源气体喷射口的下侧，或在所述源气体供给部之间供给非活性气体。
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