CN109587924A - 等离子体处理装置 - Google Patents

等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109587924A
CN109587924A CN201811138919.1A CN201811138919A CN109587924A CN 109587924 A CN109587924 A CN 109587924A CN 201811138919 A CN201811138919 A CN 201811138919A CN 109587924 A CN109587924 A CN 109587924A
Authority
CN
China
Prior art keywords
coil
gas
chamber
processing apparatus
supply part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811138919.1A
Other languages
English (en)
Inventor
山泽阳平
齐藤武尚
宇田真代
豊田启吾
阿洛克·兰根
中岛俊希
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to CN202311444879.4A priority Critical patent/CN117440590A/zh
Publication of CN109587924A publication Critical patent/CN109587924A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/32119—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/26—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with electric discharge tube
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/4645—Radiofrequency discharges
    • H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明的各个方面以及实施方式涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
作为执行一个半导体制造工艺的处理装置，已知有将处理气体等离子体化来进行蚀刻、成膜处理等的等离子体处理。在例如单片式的等离子体处理装置中，谋求能够根据其处理种类来适当调整基板的面方向上的等离子体的密度分布。具体地说，存在基于处理容器内的构造的情况、与后处理中的基板面内的处理的偏移相对应的情况等。因此，不限于使基板的整个面内的等离子体的密度分布均匀的处理，有时也有意地使基板的中央部与周缘部之间的等离子体的密度分布产生差。
作为等离子体处理装置中的等离子体的产生方法，例如存在向天线供给高频电力，使处理容器内产生感应电场来对处理气体进行激发的方法(例如参照下述专利文献1)。该方法中记载了如下结构：作为输出高频的天线，设置线圈状的内侧天线以及与内侧天线同心的线圈状的外侧天线，使各天线各自以高频的1/2波长的频率进行谐振。根据该等离子体处理装置，独立地控制向各天线供给的高频电力，由此能够细致地调整等离子体的密度的面内分布。
另外，已知有如下技术：在ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)方式的等离子体处理装置中，从设置有天线的电介质窗的中心向腔室内供给处理气体(例如，参照下述专利文献2)。
专利文献1：日本特开2010-258324号公报
专利文献2：日本特开2005-507159号公报
发明内容
发明要解决的问题
在所述专利文献1所记载的技术中，内侧天线被配置在相比于外侧天线而言半径小的圆形状的区域，因此内侧天线不能太长。另外，在所述专利文献1所记载的技术中，构成为各天线以所供给的高频的1/2波长的频率进行谐振。因此，根据等离子体处理装置的大小，有时不得不使向内侧天线供给的高频的频率比向外侧天线供给的高频的频率高。当向天线供给的高频的频率变高时，存在从天线辐射的高频的电力增加的倾向。
另外，认为在所述专利文献1所记载的技术中，如所述专利文献2所记载的那样进行处理气体的供给，即从设置有天线的电介质窗的中心向腔室内供给处理气体。该情况下，在用于供给处理气体的气体管的附近配置内侧天线。另外，从内侧天线辐射高电力的高频波。因此，有时在配置于电介质窗的中心的气体管内发生异常放电。当发生异常放电时，气体管的内部损伤，气体管劣化。另外，当气体管的内部损伤时，有时因异常放电而从气体管的内部剥离的构件呈微粒状在腔室内漂浮并附着于被处理基板。
用于解决问题的方案
本发明的一个方面是等离子体处理装置，具备腔室、气体供给部、天线以及电力供给部。腔室用于收容被处理基板。气体供给部从腔室的上部向腔室内供给处理气体。天线设置在腔室的上方且气体供给部的周围，通过向腔室内供给高频波来在腔室内生成处理气体的等离子体。电力供给部向天线供给高频电力。天线具有内侧线圈和外侧线圈。内侧线圈以包围气体供给部的方式设置在气体供给部的周围。外侧线圈以包围气体供给部和内侧线圈的方式设置在气体供给部和内侧线圈的周围。另外，外侧线圈构成为：构成外侧线圈的线路的两端开放，从电力供给部向该线路的中点或者该中点附近供电，在该中点的附近处接地，以从电力供给部供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
发明的效果
根据本发明的各个方面以及实施方式，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。
附图说明
图1是示出等离子体处理装置的概要的一例的剖视图。
图2是示出天线的一例的概要立体图。
图3是示出内侧线圈和外侧线圈的配置的一例的图。
图4是示出变更了内侧线圈的电容器的容量的情况下的内侧线圈中流动的电流和外侧线圈中流动的电流的变化的一例的图。
图5是示出内侧线圈中流动的电流的流向与外侧线圈中流动的电流的流向的一例的图。
图6是示出晶圆上的离子电流的分布的一例的图。
图7是示出实施例1中的气体喷射部的构造的一例的剖视图。
图8是示出在比较例中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。
图9是示出在实施例1中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。
图10是示出模拟从气体喷射部喷射的气体流所得的模拟结果的一例的图。
图11是示出晶圆上的反应副产物的质量含量比的分布的一例的图。
图12是示出实际在腔室内生成蚀刻用的处理气体的等离子体来对晶圆进行蚀刻时的、与气体的流量相应的反应副产物的沉积率的分布的变化的一例的图。
图13是示出气体喷射部的构造的其它例的图。
图14是示出实施例2中的气体喷射部的构造的一例的图。
图15是示出棒状的屏蔽构件的配置的一例的图。
图16是示出屏蔽构件所引起的气体喷射部内的电场减少率的一例的图。
图17是示出在实施例2中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。
图18是示出屏蔽构件的配置的其它例的图。
图19是示出屏蔽构件的配置的其它例的图。
图20是示出实施例3中的气体喷射部的构造的一例的图。
图21是示出在实施例3中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。
图22是示出气体的流路的构造的其它例的图。
附图标记说明
W：晶圆；10：等离子体处理装置；100：控制装置；11：腔室；21：基座；41：气体喷射部；420：屏蔽构件；43a、43b：喷射口；430a、430b：空间；53：电介质窗；54：天线；541：外侧线圈；542：内侧线圈；543：电容器；61：高频电源。
具体实施方式
所公开的等离子体处理装置的一个实施方式具备腔室、电介质窗、气体供给部、天线以及电力供给部。腔室用于收容被处理基板。电介质窗构成腔室的上部。气体供给部从腔室的上部向腔室内供给处理气体。天线设置在腔室的上方且气体供给部的周围，通过向腔室内供给高频波来在腔室内生成处理气体的等离子体。电力供给部向天线供给高频电力。天线具有内侧线圈和外侧线圈。内侧线圈以包围气体供给部的方式设置在气体供给部的周围。外侧线圈以包围气体供给部和内侧线圈的方式设置在气体供给部以及内侧线圈的周围。另外，内侧线圈和外侧线圈中的任一方构成为：构成一方的线圈的线路的两端开放，从电力供给部向该线路的中点或者该中点附近供电，在该中点的附近处接地，以从电力供给部供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，在内侧线圈和外侧线圈中的另一方的线圈中，构成另一方的线圈的线路的两端经由电容器相互连接，另一方的线圈与一方的线圈感应耦合。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，一方的线圈也可以形成为两周以上大致圆形的螺旋状，另一方的线圈也可以形成为大致圆形的环状。另外，一方的线圈和另一方的线圈也可以配置为，一方的线圈的外形与另一方的线圈的外形成为同心圆。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，气体供给部也可以形成为大致圆筒状，一方的线圈和另一方的线圈也可以配置为，一方的线圈的外形的中心与另一方的线圈的外形的中心位于气体供给部的中心轴上。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，一方的线圈和另一方的线圈配置于电介质窗的内部或者电介质窗的上方，包含一方的线圈的平面与电介质窗的下表面之间的距离同包含另一方的线圈的平面与电介质窗的下表面之间的距离不同。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，一方的线圈也可以是外侧线圈，另一方的线圈也可以是内侧线圈。另外，也可以是，包含内侧线圈的平面与电介质窗的下表面之间的距离比包含外侧线圈的平面与电介质窗的下表面之间的距离短。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，电力供给部能够变更向天线供给的高频电力的频率。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，设置于另一方的线圈的电容器也可以是可变电容器。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，在气体供给部的内部设置有供向腔室供给的处理气体流通的流路，该流路内的压力比腔室内的压力高。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，气体供给部具有：突出部，其在气体供给部的下部从电介质窗的下表面向腔室内突出；第一喷射口，其设置于突出部，用于向下方向喷射处理气体；以及第二喷射口，其设置于突出部，用于向横方向或者斜下方喷射处理气体。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，在气体供给部以包围供处理气体通过的空间的方式设置有导电性的屏蔽构件。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件的下端位于比电介质窗的下表面靠下方的位置。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件形成为板状。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件为在气体供给部的外侧壁或者供处理气体通过的气体供给部内的空间的侧壁形成的金属膜。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件形成为棒状。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，在气体供给部内中供处理气体通过的空间的至少一部分弯曲，以使得不形成从第一喷射口和第二喷射口到气体供给部的上端的直线路径。
另外，所公开的等离子体处理装置的一个实施方式具备腔室、电介质窗、气体供给部、天线以及电力供给部。腔室用于收容被处理基板。电介质窗构成腔室的上部。气体供给部从腔室的上部向腔室内供给处理气体。天线设置在腔室的上方且气体供给部的周围，通过向腔室内供给高频波来在腔室内生成处理气体的等离子体。电力供给部向天线供给高频电力。另外，天线以包围气体供给部的方式设置在气体供给部的周围，且构成为：构成天线的线路的两端开放，从电力供给部向该线路的中点或者该中点的附近供电，在该中点的附近处接地，以从电力供给部供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，在气体供给部以包围供处理气体通过的空间的方式设置有导电性的屏蔽构件。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件的下端位于比电介质窗的下表面靠下方的位置。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件形成为板状。
另外，在本公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件为在气体供给部的外侧壁或者供处理气体通过的气体供给部内的空间的侧壁形成的金属膜。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，屏蔽构件形成为棒状。
另外，在所公开的等离子体处理装置的一个实施方式中，也可以是，气体供给部具有：突出部，其在气体供给部的下部从电介质窗的下表面向腔室内突出；第一喷射口，其设置于突出部，用于向下方向喷射处理气体；以及第二喷射口，其设置于突出部，用于向横方向或者斜下方喷射处理气体，气体供给部内供处理气体通过的空间的至少一部分弯曲，以使得不形成从第一喷射口和第二喷射口到气体供给部的上端的直线路径。
下面，基于附图详细说明所公开的等离子体处理装置的实施例。此外，所公开的等离子体处理装置不限定于以下的各实施例。另外，各实施例能够在处理内容不矛盾的范围内适当组合。
【实施例1】
[等离子体处理装置10的结构]
图1是示出等离子体处理装置10的概要的一例的剖视图。等离子体处理装置10具备由铝等导电体形成的腔室11。在腔室11的侧面设置有用于对作为被处理基板的一例的晶圆W进行搬入和搬出的开口110，能够利用闸阀111对该开口110进行开闭。腔室11接地。
在腔室11的底面侧的大致中央设置有由铝等导电性的材料构成的圆板形状的基座21，该基座21用于载置作为处理对象的晶圆W。基座21作为等离子体中的离子的引入用(偏置用)的电极发挥功能。基座21被由绝缘物形成的圆筒形状的基座支承部22支承。在本实施例中，将被基座支承部22支承的基座21的中心轴定义为Z轴。
另外，基座21经由供电棒32以及匹配电路31而与偏置用的高频电源30连接。从高频电源30向基座21供给例如13MHz的频率的高频电力。从高频电源30向基座21供给的高频电力的频率和电力由后述的控制装置100控制。
在基座21的上表面设置有用于通过静电吸附力来保持晶圆W的静电卡盘23，在静电卡盘23的外周侧以包围晶圆W的周围的方式设置有聚焦环24。大致圆板状的晶圆W以中心轴与Z轴一致的方式被载置于静电卡盘23上。
另外，在基座21的内部形成有例如用于使冷却水(C.W.)等制冷剂通流来对晶圆W进行温度控制的流路212。流路212经由配管213而与未图示的冷却单元连接，从该冷却单元经由配管213向流路212内供给进行了温度调节的制冷剂。冷却单元中的制冷剂的温度由后述的控制装置100控制。
在基座21的内部设置有用于向静电卡盘23的上表面与晶圆W的下表面之间供给例如He气体等传热气体的气体供给路214。气体供给路214贯通静电卡盘23，气体供给路214的上端在静电卡盘23的上表面具有开口。
另外，在基座21设置有升降销，该升降销沿上下方向贯通基座21，设置为能够相对于静电卡盘23的上表面突出和退回，并且用于与未图示的搬送臂之间进行晶圆W的交接。升降销的在上下方向上的移动由后述的控制装置100控制。
另外，在基座支承部22的外侧壁与腔室11的内侧壁之间设置有形成了大量贯通孔的环状的隔板12。另外，在腔室11的底面形成有排气口13，排气口13经由排气管14而与排气装置15连接。排气装置15由后述的控制装置100控制。
在腔室11的上部设置有例如由石英等电介质形成为圆板状的电介质窗53。电介质窗53的上方侧的空间被由铝等导电体形成为圆筒状的屏蔽盒51覆盖。屏蔽盒51经由腔室11接地。在屏蔽盒51和电介质窗53的中央形成有开口，在该开口处设置有用于向腔室11内供给处理气体的气体喷射部41。气体喷射部41的外形为大致圆筒形状，以中心轴与Z轴一致的方式设置于屏蔽盒51和电介质窗53的中央的开口。气体喷射部41是气体供给部的一例。
在气体喷射部41的上部设置有用于将处理气体导入气体喷射部41内的导入口42a和42b。气体喷射部41的下部从电介质窗53的下表面向下方突出。在气体喷射部41的下部形成有：喷射口43a，其用于沿着Z轴向下方喷射处理气体；以及喷射口43b，其用于向横方向、即从Z轴离开的方向喷射处理气体。喷射口43a是第一喷射口的一例，喷射口43b是第二喷射口的一例。
导入口42a经由阀46a以及MFC(Mass Flow Controller：质量流量控制器)45a而与气体供给源44a连接。另外，导入口42b经由阀46b以及MFC 45b而与气体供给源44b连接。
MFC 45a控制从气体供给源44a供给的处理气体的流量。阀46a控制被MFC 45a控制了流量的处理气体的向气体喷射部41的供给和供给停止。从喷射口43a将经由导入口42a导入到气体喷射部41内的处理气体向下方喷射到腔室11内。
MFC 45b控制从气体供给源44b供给的处理气体的流量。阀46a控制被MFC 45a控制了流量的处理气体的向气体喷射部41的供给和供给停止。从喷射口43b将经由导入口42b导入到气体喷射部41内的处理气体向横向喷射到腔室11内。MFC 45a和45b以及阀46a和阀46b由后述的控制装置100相独立地控制。
在本实施例中，气体供给源44a和44b将例如CF4气体、氯气体等蚀刻用的处理气体作为处理气体供给到腔室11内。此外，气体供给源44a和44b也可以分别向腔室11内供给各自的处理气体。
在腔室11的上方且被电介质窗53和屏蔽盒51包围空间中收容有用于产生等离子体的天线54。天线54具有外侧线圈541和内侧线圈542。内侧线圈542以包围气体喷射部41的方式设置在气体喷射部41的周围。外侧线圈541以包围气体喷射部41和内侧线圈542的方式设置在气体喷射部41和内侧线圈542的周围。外侧线圈541和内侧线圈542被未图示的支承机构支承为以从电介质窗53离开的方式配置在电介质窗53的上方。此外，外侧线圈541和内侧线圈542不限定于从电介质窗53离开，也可以是外侧线圈541和内侧线圈542中的任一方或者双方与电介质窗53的上表面接触。另外，也可以是，外侧线圈541和内侧线圈542中的任一方或者双方形成在电介质窗53的内部。
[天线54的构造]
图2是示出天线54的一例的概要立体图。例如图2所示，外侧线圈541形成为两周以上的大致圆形的螺旋状，且以外侧线圈541的外形的中心轴与Z轴一致的方式配置在电介质窗53的上方。例如图2所示，内侧线圈542形成为大致圆形的环状，且以内侧线圈542的中心轴与Z轴一致的方式配置在电介质窗53的上方。
在本实施例中，外侧线圈541和内侧线圈542是平面线圈，以与载置在静电卡盘23上的晶圆W的面大致平行的方式配置于比与等离子体生成空间之间的边界面即电介质窗53的下表面靠上方的位置处。另外，在本实施例中，外侧线圈541与电介质窗53的下表面之间的距离同内侧线圈542与电介质窗53的下表面之间的距离不同。例如，内侧线圈542与电介质窗53的下表面之间的距离比外侧线圈541与电介质窗53的下表面之间的距离短。此外，作为其它例，也可以是，外侧线圈541与电介质窗53的上表面之间的距离同内侧线圈542与电介质窗53的上表面之间的距离为相同的距离。另外，也可以是，外侧线圈541与电介质窗53的上表面之间的距离比内侧线圈542与电介质窗53的上表面之间的距离长。另外，也可以构成为，能够利用未图示的驱动部对外侧线圈541与电介质窗53的下表面之间的距离以及内侧线圈542与电介质窗53的下表面之间的距离分别独立地进行变更。
图3是示出内侧线圈542和外侧线圈541的配置的一例的图。图3是示出从沿Z轴的方向观察时的内侧线圈542和外侧线圈541的配置的一例的图。内侧线圈542形成为半径r3的圆状，配置为圆的中心与Z轴一致。在本实施例中，半径r3例如是75mm以下的长度。
外侧线圈541呈大致圆形的螺旋状地形成于半径r1的圆与半径r2的圆之间的区域。外侧线圈541配置为半径r1的圆的中心及半径r2的圆的中心与Z轴一致。即，外侧线圈541和内侧线圈542配置为，外侧线圈541的外形与内侧线圈542的外形成为同心圆。在本实施例中，半径r1例如是140mm，半径r2例如是210mm。
构成外侧线圈541的线路的两端开放。另外，构成外侧线圈541的线路的中点或者该中点附近与高频电源61连接，从高频电源61向外侧线圈541供给高频电力。高频电源61是电力供给部的一例。另外，构成外侧线圈541的线路的中点的附近接地。外侧线圈541构成为相对于从高频电源61供给的高频电力的波长λ，以λ/2进行谐振。即，外侧线圈541作为平面型螺旋谐振器发挥功能。构成外侧线圈541的线路所产生的电压以如下方式分布：在线路的中点附近最小，在线路的两端最大。另外，构成外侧线圈541的线路所产生的电流以如下方式分布：在线路的中点附近最大，在线路的两端最小。向外侧线圈541供给高频电力的高频电源61能够变更频率和电力。从高频电源61向外侧线圈541供给的高频电力的频率和电力由后述的控制装置100控制。
关于内侧线圈542，构成内侧线圈542的线路的两端经由电容器543连接。在本实施例中，电容器543是可变电容器。此外，电容器543也可以是具有固定的容量的电容器。内侧线圈542与外侧线圈541感应耦合，在内侧线圈542中流动与因外侧线圈541中流动的电流而产生的磁场相抵消的方向的电流。通过控制电容器543的容量，能够与外侧线圈541中流动的电流相应地控制内侧线圈542中流动的电流的方向、大小。电容器543的容量由后述的控制装置100控制。
通过外侧线圈541中流动的电流、内侧线圈542中流动的电流，在Z轴方向产生磁场，通过所产生的磁场，在腔室11内产生感应电场。通过在腔室11内产生的感应电场，从气体喷射部41供给到腔室11内的处理气体进行等离子体化。而且，利用等离子体所包含的离子、活性种，对静电卡盘23上的晶圆W实施蚀刻等规定的处理。
在此，考虑在外侧线圈541的内侧(气体喷射部41侧)配置与内侧线圈542的大小程度相同的平面型螺旋谐振器来代替内侧线圈542。外侧线圈541的内侧的区域比配置外侧线圈541的区域狭窄，因此在外侧线圈541的内侧的区域难以配置与构成外侧线圈541的线路长度相同的线路。因此，构成在外侧线圈541的内侧的区域配置的平面型螺旋谐振器(以下记载为内侧谐振器)的线路只能比构成外侧线圈541的线路短。当线路变短时谐振频率变高，因此内侧谐振器的谐振频率只能比外侧线圈541的谐振频率高。当频率变高时，从线圈辐射的电磁波的能量变大。
另外，在内侧谐振器的内侧配置有气体喷射部41，内侧谐振器与气体喷射部41接近。因此，从内侧谐振器辐射的电磁波侵入到供处理气体流通的气体喷射部41内的空间。当内侧谐振器的谐振频率变高时，从内侧谐振器辐射的电磁波的能量变大，因此能量更大的电磁波侵入到供处理气体流通的气体喷射部41内的空间。因此，在供处理气体流通的气体喷射部41内的空间中有时发生异常放电。
考虑通过使内侧谐振器从气体喷射部41离开来抑制从内侧谐振器向气体喷射部41内的空间侵入的电磁波的能量。但是，当将内侧谐振器配置为从Z轴离开时，难以对Z轴附近的区域的等离子体和远离Z轴的区域的等离子体相独立地进行控制。因此，有助于控制Z轴附近的等离子体的内侧谐振器只能配置在气体喷射部41的附近。因此，在使用内侧谐振器的情况下，难以避免在供处理气体流通的气体喷射部41内的空间中发生的异常放电。
与之相对，本实施例中，在外侧线圈541的内侧(气体喷射部41侧)不是配置平面型螺旋谐振器，而是配置两端通过电容器543连接的环形的内侧线圈542。内侧线圈542不是利用直接供电的高频电力进行谐振，而是产生与通过外侧线圈541中流动的电流而产生的磁场相应的感应电流。因此，无论构成内侧线圈542的线路的长度如何，内侧线圈542中均流动与外侧线圈541中流动的电流的频率相同频率的电流。因此，即使在构成内侧线圈542的线路的长度比构成外侧线圈541的线路的长度短的情况下，内侧线圈542中也能够产生与外侧线圈541中流动的电流的频率相同频率的电流。
配置外侧线圈541的区域比外侧线圈541的内侧的区域宽广，因此作为构成外侧线圈541的线路，能够使用比较长的线路。因此，作为平面型螺旋谐振器发挥功能的外侧线圈541能够以比较低的频率进行谐振。因此，内侧线圈542中产生与外侧线圈541中流动的电流的频率相同的、频率比较低的电流。由此，抑制从内侧线圈542辐射的电磁波的能量，抑制向气体喷射部41内侵入的电磁波的能量。由此，能够抑制气体喷射部41内的空间中的异常放电。
返回图1继续进行说明。等离子体处理装置10具有控制装置100，该控制装置100控制等离子体处理装置10的各部。控制装置100具有ROM(Read Only Memory：只读存储器)或者RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)等存储器、CPU(Central ProcessingUnit：中央处理器)等处理器。控制装置100内的存储器中存储有制程等数据、程序等。控制装置100内的处理器读出控制装置100内的存储器中存储的程序并执行该程序，基于控制装置100内的存储器中存储的制程等数据来控制等离子体处理装置10的各部。
[外侧线圈541和内侧线圈542中流动的电流]
图4是示出变更了内侧线圈542的电容器543的容量的情况下的内侧线圈542和外侧线圈541中流动的电流的变化的一例的图。图4中示出在通过步进电机在10pF到100pF的电容器543的容量的范围内以0步到19200步进行了变化的情况下，内侧线圈542和外侧线圈541的各线圈中流动的电流的变化。
图4所示的实验结果的主要条件如下。
腔室11内的压力：100mT
处理气体：Ar/CF4＝70/10sccm
向外侧线圈541供给的高频电力：1000W
向外侧线圈541供给的高频电力的频率：27MHz。
例如图4所示，伴随着电容器543的容量从10pF(与0步对应的容量)起增加，通过电磁感应从外侧线圈541向内侧线圈542供给的能量增加，内侧线圈542中流动的电流增加。另一方面，伴随着向内侧线圈542供给的能量增加，外侧线圈541的能量减少，因此外侧线圈541中流动的电流减少。而且，在电容器543的容量成为与12200步对应的容量附近的情况下，内侧线圈542中流动的电流最大，外侧线圈541中流动的电流出成为与内侧线圈542中流动的电流相同程度的电流。
另外，当从与12200步对应的容量起使电容器543的容量进一步增加而成为与12400步对应的容量时，内侧线圈542中流动的电流的极性反转，向反方向流动大的电流。这是因为，例如图5的(a)所示，在从0步到12200步附近的容量下，外侧线圈541中流动的电流的方向与内侧线圈542中流动的电流的方向相同(同相)，例如图5的(b)所示，在从12400步附近到19200步的容量下，外侧线圈541中流动的电流的方向与内侧线圈542中流动的电流的方向相反(同相)。
图6是示出晶圆上的离子电流的分布的一例的图。使用平面型朗缪尔探针(Langmuir probe)，从晶圆W的中心位置朝向晶圆W的外周部沿径向测定离子电流。在图6中，将晶圆W的中心位置的离子电流标准化为1，来示出同与各步对应的电容器543的容量相应的离子电流的分布。晶圆W上的离子电流的大小与晶圆W上的等离子体的密度相关。因此，晶圆W上的离子电流的分布与晶圆W上的等离子体密度的分布对应。
参照图6，在与0步对应的电容器543的容量下，从晶圆W的中心起稍靠外侧的离子电流稍微变大。而且，伴随着电容器543的容量增加，晶圆W的中心附近的离子电流相对地变大。认为这是因为：例如图5的(a)所示那样处于外侧线圈541中流动的电流与内侧线圈542中流动的电流为相同方向(同相位)的状态，通过从各线圈产生的磁场而产生的感应电场相互增强，因此晶圆W的中心附近的离子电流增加。
另一方面，在电容器543的容量成为与12400步对应的容量的情况下，晶圆W的中心附近的离子电流相对地变小。认为这是因为：例如图5的(b)所示那样处于外侧线圈541中流动的电流与内侧线圈542中流动的电流为相反方向(反相位)的状态，通过从各线圈产生的磁场而产生的感应电场相互削弱，因此晶圆W的中心附近的离子电流减少。
这样，通过控制与内侧线圈542连接的电容器543的容量，能够控制晶圆W上的以Z轴为中心的径向上的等离子体密度的分布。由此，能够提高针对晶圆W的工艺的精度。
[气体喷射部41的构造]
图7是示出实施例1中的气体喷射部41的构造的一例的剖视图。气体喷射部41例如由陶瓷、石英等电介质形成，具有大致圆筒状的外形。气体喷射部41嵌入于在屏蔽盒51和电介质窗53的中央形成的开口，通过螺钉411被固定于电介质窗53。气体喷射部41以中心轴与Z轴一致的方式被固定于电介质窗53。气体喷射部41的下部410相比于电介质窗53的下表面更向电介质窗53的下方突出。气体喷射部41的下部410是突出部的一例。
在气体喷射部41的下部410形成有多个喷射口43a和多个43b。多个喷射口43a形成在气体喷射部41的下表面且以Z轴为中心的圆周上，朝向下方喷射处理气体。另外，多个喷射口43b形成在气体喷射部41的下部410的侧壁，用于向横方向喷射处理气体。
经由导入口42a供给的处理气体通过以Z轴为中心轴的大致圆筒状的空间430a而从喷射口43a向下方向被喷射。另外，经由导入口42b供给的处理气体通过在空间430a的周围设置的空间430b而从多个喷射口43b以Z轴为中心呈辐射状地被喷射。空间430a和空间430b是供向腔室11供给的处理气体流通的流路的一例。
另外，在气体喷射部41的上部设置有由石英等形成的透明的窗421。能够利用窗421来检测空间430a内有无放电。另外，也能够利用窗421经由空间430a和各个喷射口43a观测从腔室11内的等离子体发出的光的强度、波长等。
[实验结果]
接着，关于在使腔室11内产生等离子体的情况下在气体喷射部41内发生的异常放电进行了实验。图8是示出在比较例中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。图8的(a)示出腔室11内的压力为10mT的情况下的实验结果，图8的(b)示出腔室11内的压力为100mT的情况下的实验结果，图8的(c)示出腔室11内的压力为400mT的情况下的实验结果。在比较例中，代替内侧线圈542而在内侧线圈542的位置配置内侧谐振器来进行实验。此外，在实验中，不向外侧线圈541施加高频电力。
比较例中的实验的主要条件如下。
腔室11内的压力：10mT～400mT
使用气体：Ar＝100sccm～1500sccm
向内侧谐振器供给的高频电力：100W～650W
向内侧谐振器供给的高频电力的频率：60MHz
在图8中，没有发生异常放电的条件用○表示，发生了异常放电的条件用×表示。如图8所示，在代替内侧线圈542而使用内侧谐振器的比较例中，几乎在全部条件下均在气体喷射部41内发生了异常放电。此外，气体喷射部41的空间430a和430b内的压力远高于腔室11内的压力，变为3Torr到25Torr之间的压力。
图9是示出在实施例1中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。图9的(a)示出腔室11内的压力为10mT的情况下的实验结果，图9的(b)示出腔室11内的压力为100mT的情况下的实验结果，图9的(c)示出腔室11内的压力为400mT的情况下的实验结果。
图9所示的实验结果的主要条件如下。
腔室11内的压力：10mT～400mT
使用气体：Ar＝100sccm～1500sccm
向外侧线圈541供给的高频电力：100W～2000W
向外侧线圈541供给的高频电力的频率：27MHz
此外，关于与内侧线圈542连接的电容器543，设定为与图4所示的12200步对应的容量来进行实验。
例如图9所示，在实施例1中，在全部条件下，气体喷射部41内均没有发生异常放电。这样，通过在外侧线圈541的内侧配置内侧线圈542，能够抑制气体喷射部41内的异常放电。另外，如图6所示，通过控制内侧线圈542的电容器543的容量，能够调整晶圆W上的等离子体密度的分布。
[对从气体喷射部41喷射的气体流进行的模拟]
此外，在本实施例中，例如图7所示那样在气体喷射部41的下部410设置有用于向下方向喷射气体的多个喷射口43a和用于向横方向喷射气体的多个喷射口43b。图10是示出模拟从气体喷射部41喷射的气体流所得的模拟结果的一例的图。图10的(a)示出从多个喷射口43a向下方向喷射的气体流的模拟结果，图10的(b)示出从多个喷射口43b向横方向喷射的气体流的模拟结果。
模拟的主要条件如下。
腔室11内的压力：50mT
使用气体：Ar＝500sccm
反应副产物：SiCl4＝50sccm(晶圆W的整面)
此外，反应副产物是对晶圆W进行蚀刻处理时从蚀刻用的处理气体的等离子体生成的粒子以及与晶圆W发生反应而二次生成的物质。在模拟中，假设晶圆W所包含的硅与蚀刻用的处理气体所包含的卤素的化合物即SiCl4为反应副产物，从晶圆W的整面向腔室11内均匀地供给反应副产物。
在向下方向喷射气体的情况下，例如图10的(a)所示那样，在晶圆W的中心附近，从晶圆W的中心朝向边缘产生强的气体流。因此，认为在晶圆W的中心附近能够效率良好地去除所产生的反应副产物。但是，认为在晶圆W的边缘附近气体流弱，在边缘附近的反应副产物的去除效果低。
另一方面，在向横方向喷射气体的情况下，例如图10的(b)所示那样，在晶圆W的边缘附近产生强的气体流，但是在晶圆W的中心附近的气体流弱。因此，认为在晶圆W的边缘附近能够效率良好去除所产生的反应副产物，在晶圆W的中心附近，反应副产物的去除效果低。
图11是示出晶圆上的反应副产物的质量含量比的分布的一例的图。图11的(a)示出在Ar气体的流量为500sccm的情况下晶圆W上的反应副产物的质量含量比的分布，图11的(b)示出在Ar气体的流量为45sccm的情况下晶圆W上的反应副产物的质量含量比的分布。
例如根据图11的(a)可明确的那样，在从喷射口43a向下方向喷射气体的情况下，相比于晶圆W的边缘附近而言，晶圆W的中心附近的反应副产物的含量比低，晶圆W的中心附近比边缘附近更加能够效率良好地进行反应副产物的去除。另一方面，在从喷射口43b向横方向喷射气体的情况下，相比于晶圆W的中心附近而言，晶圆W的边缘附近的反应副产物的含量比低一些，晶圆W的边缘附近比中心附近更加能够效率良好地进行反应副产物的去除。
根据图11的(a)的结果，通过将从喷射口43a向下方向进行的气体喷射与从喷射口43b向横方向进行的气体喷射相组合，能够在晶圆W的中心附近和边缘附近这双方产生强的气体流。由此，能够效率良好地去除在晶圆W上产生的反应副产物。此外，在所喷射的气体的流量少的情况下，例如图11的(b)所示那样，无论气体的喷射方向为哪个方向，整体上反应副产物的含量比均变多，反应副产物的去除效果低。因此，需要从喷射口43a和43b喷射大流量的气体。
[从气体喷射部41喷射的气体流所产生的工艺影响]
图12是示出实际在腔室11内生成蚀刻用的处理气体的等离子体来对晶圆进行蚀刻时的、与气体的流量相应的反应副产物的沉积率的分布的变化的一例的图。此时，晶圆W的材质是硅，作为蚀刻用的处理气体，使用Cl2、HBr、Ar、O2，反应副产物是SiOClBr。通过蚀刻，从晶圆W表面向腔室11内释放反应副产物，反应副产物的一部分再次附着于晶圆W。因此，测定反应副产物的向晶圆W再次附着的量来作为沉积率。图12的(a)示出向下方向喷射气体的情况下的反应副产物的沉积率的分布，图12的(b)示出向横方向喷射气体的情况下的反应副产物的沉积率的分布。此外，在图12的(c)中，作为比较例示出从腔室11的侧壁朝向Z轴喷射了气体的情况下的反应副产物的沉积率的分布。图12所示的流量示出蚀刻用的处理气体的流量，基准流量为500sccm。
当向下方向喷射的气体的流量增加时，例如图12的(a)所示那样，在晶圆W的中心附近反应副产物的沉积率大幅度降低，但是晶圆W的边缘附近的反应副产物的沉积率几乎没有变化。另一方面，当向横方向喷射的气体的流量增加时，例如图12的(b)所示那样，在晶圆W的边缘附近反应副产物的沉积率大幅度降低，但是晶圆W的中心附近的反应副产物的沉积率几乎没有变化。
反应副产物的沉积率与其附近滞留的反应副产物的剩余量成比例，因此根据图12的(a)和图12的(b)的结果也能认为，通过将从喷射口43a向下方向进行的气体喷射与从喷射口43b向横方向进行的气体喷射相组合，能够在晶圆W的中心附近和边缘附近这双方均效率良好地去除反应副产物。
此外，在从腔室11的侧壁朝向Z轴喷射气体的情况下，例如图12的(c)所示那样，如果所喷射的气体的流量少，则晶圆W的中心附近与边缘附近的中间的沉积率高，随着所喷射的气体的流量变多，晶圆W的边缘附近的沉积率变低，并且中心附近的沉积率变高。认为这是因为：由于从腔室11的侧壁喷射气体，因此气体的流量变得越多则晶圆W的边缘附近的反应副产物越向晶圆W的中央附近被推压。因此，在从腔室11的侧壁朝向Z轴喷射气体的情况下，难以从整体上效率良好地去除晶圆W上的反应副产物。
以上说明了实施例1。根据上述说明所明确的那样，根据本实施例的等离子体处理装置10，能够抑制异常放电，并且能够细致地调整等离子体的密度的分布。另外，本实施例中，从设置在腔室11的上部中央的气体喷射部41向下方向以及横方向喷射处理气体，由此能够效率良好地去除在晶圆W上产生的反应副产物。
此外，在所述的实施例1中，例如图7所示那样，各个喷射口43b向横方向喷射处理气体，但所公开的技术并不仅限于此。也可以是，例如图13所示那样，各个喷射口43b构成为向从Z轴离开的方向且斜下方喷射处理气体。图13是示出气体喷射部41的构造的其它例的图。
【实施例2】
在实施例1中，通过在外侧线圈541的内侧设置内侧线圈542，抑制了气体喷射部41内的异常放电。与之相对，在本实施例2中，通过在气体喷射部41内且供处理气体流通的空间的周围配置屏蔽构件，来抑制气体喷射部41内的异常放电。
[气体喷射部41的构造]
图14是示出实施例2中的气体喷射部41的构造的一例的图。此外，除了下面要说明的方面以外，图14所示的构件中的标注有与图7所示的构件相同的附图标记的构件具有与使用图7说明了的构件的功能同样的功能，因而省略详细的说明。
在本实施例中的气体喷射部41中，例如图14所示那样，在构成气体喷射部41内的空间430a的侧壁设置板状的屏蔽构件420。屏蔽构件420由钛等具有非磁性的导电性的金属形成。屏蔽构件420的下端延伸至比电介质窗53的下表面靠下方的位置处。例如，屏蔽构件420是通过将钛等喷镀到构成气体喷射部41内的空间430a的侧壁而形成的金属膜。气体喷射部41内的空间430a为大致圆筒状，因此屏蔽构件420形成为筒状。
在构成气体喷射部41内的空间430a的侧壁设置屏蔽构件420，由此抑制从天线54产生的电磁波向空间430a内侵入。由此，抑制空间430a内的异常放电。此外，在图14的例子中，在构成空间430a的侧壁设置有屏蔽构件420，但也可以在各个空间430b的侧壁也设置屏蔽构件420。
另外，在图14的例子中，在构成空间430a的侧壁设置板状的屏蔽构件420，但作为其它例，也可以在空间430a的周围配置形成为棒状的多个屏蔽构件420。图15是示出棒状的屏蔽构件420的配置的一例的图。图15是从Z轴的方向观察气体喷射部41的情况的剖视图。在图15的例子中，形成为棒状的八根屏蔽构件420埋入在邻接的空间430b之间，但也可以将八根以上的屏蔽构件420配置在空间430a的周围。在将八根以上的屏蔽构件420配置在空间430a的周围的情况下，屏蔽构件420除了可以埋入在邻接的空间430b之间之外，也可以埋入在比空间430b靠外侧的侧壁内。由此，能够抑制空间430b内的异常放电。
图16是示出屏蔽构件420所引起的气体喷射部41的电场减少率的一例的图。另外，在图16中示出以在没有设置屏蔽构件420的情况下对包括空间430a和空间430b的气体喷射部41的下部410的区域内作用的电场强度为基准，对设置有各方式的屏蔽构件420的情况下的电场强度的减少率进行模拟的模拟结果。另外，在图16中，代替内侧线圈542而使用内侧谐振器，向内侧谐振器供给60MHz、1kW的高频电力，以1/2波长进行谐振。图16所示的上部、中部以及下部分别表示气体喷射部41的下部410区域的上部、中部以及下部。此外，在图16中，将例如图14所例示的筒状的屏蔽构件420(筒状屏蔽件)的厚度设为0.5mm，将例如图15所例示的棒状的屏蔽构件420(棒状屏蔽件)的直径设为2mm来进行模拟。
例如图16所示那样，在任一方式的屏蔽构件420中，对气体喷射部41的下部410的区域内作用的电场强度均减少，有屏蔽效果。另外，相比于棒状屏蔽件而言，筒状屏蔽件整体的屏蔽效果高。另外，关于棒状屏蔽件，根数越多、即棒状屏蔽件的间隔越狭窄，则屏蔽效果变得越高。
图17是示出在实施例2中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。图17的(a)示出腔室11内的压力为10mT的情况下的实验结果，图17的(b)示出腔室11内的压力为100mT的情况下的实验结果，图17的(c)示出腔室11内的压力为400mT的情况下的实验结果。在图17所示的实验中，使用图14所示的构造的气体喷射部41，代替内侧线圈542而使用内侧谐振器。此外，不向外侧线圈541施加高频电力。
图17所示的实验结果的主要条件如下。
腔室11内的压力：10mT～400mT
使用气体：Ar＝100sccm～1500sccm
向内侧谐振器供给的高频电力：100W～650W
向内侧谐振器供给的高频电力的频率：60MHz
例如图17所示那样，即使在气体喷射部41的附近设置了内侧谐振器的情况下也是，与没有配置屏蔽构件420的气体喷射部41的实验结果(参照图8)相比，在内部配置了屏蔽构件420的实施例2的气体喷射部41中能够大幅度抑制异常放电的发生。这样，通过在气体喷射部41且供处理气体流通的空间的周围配置屏蔽构件420，即使在体喷射部41的附近设置有内侧谐振器的情况下，也能够抑制气体喷射部41内的异常放电。另外，通过设置内侧谐振器来代替内侧线圈542，也能够抑制气体喷射部41内的异常放电。
此外，在实施例2中，在空间430a的周围配置有板状的屏蔽构件420(参照图14)、棒状的屏蔽构件420(参照图15)，但是屏蔽构件420的配置方式不限于此。例如，也可以如图18所示那样，板状的屏蔽构件420以包围空间430a和430b的方式埋入在气体喷射部41的侧壁。另外，例如也可以如图19所示那样，在气体喷射部41的外侧壁设置屏蔽构件420。另外，例如也可以是，通过将构成屏蔽构件420的金属喷镀到气体喷射部41的侧壁来形成屏蔽构件420的金属膜，之后再将陶瓷等喷镀到屏蔽构件420的表面。
【实施例3】
当在气体喷射部41内供处理气体流通的空间在Z轴方向上直线状地扩展时，电子容易在Z轴方向上加速，气体喷射部41内的空间容易发生异常放电。因而，在实施例3中，以使气体喷射部41内的空间中的在Z轴方向上直线状地扩展的长度变短的方式构成气体喷射部41内的空间。
图20是示出实施例3中的气体喷射部41的构造的一例的图。此外，除了下面要说明的方面以外，图20所示的构件中的标注有与图7所示的构件相同的附图标记的构件具有与使用图7说明了的构件的功能同样的功能，因而省略详细的说明。
例如图20所示那样，供从喷射口43a喷射的气体流动的空间430a形成为至少一部分弯曲，以使得不形成从喷射口43a到气体喷射部41的上端的直线路径。同样，供从喷射口43b喷射的气体流动的空间430b也形成为至少一部分弯曲，以使得不形成从喷射口43b到气体喷射部41的上端的直线路径。空间430a和430b成为所谓的迷宫构造。
图21是示出在实施例3中对有无放电进行调查所得的实验结果的一例的图。图21的(a)示出腔室11内的压力为10mT的情况下的实验结果，图21的(b)示出腔室11内的压力为100mT的情况下的实验结果，图21的(c)示出腔室11内的压力为400mT的情况下的实验结果。在图21所示的实验中，使用图20所示的构造的气体喷射部41，代替内侧线圈542而使用内侧谐振器。此外，不向外侧线圈541施加高频电力。
图21所示的实验结果的主要条件如下。
腔室11内的压力：10mT～400mT
使用气体：Ar＝100sccm～1500sccm
向内侧谐振器供给的高频电力：100W～650W
向内侧谐振器供给的高频电力的频率：60MHz
例如图21所示那样，即使在气体喷射部41的附近设置了内侧谐振器的情况下也是，与气体喷射部41内的空间不是迷宫构造的气体喷射部41(参照图7)的实验结果(参照图8)相比，在气体喷射部41内的空间为迷宫构造的本实施例的气体喷射部41中大幅度抑制了异常放电的发生。这样，通过将气体喷射部41内供处理气体流通的空间设为迷宫构造，即使在气体喷射部41的附近设置有内侧谐振器的情况下，也能够抑制气体喷射部41内的异常放电。另外，通过设置内侧谐振器来代替内侧线圈542，也能够抑制气体喷射部41内的异常放电。
此外，气体喷射部41内供处理气体流通的空间430a和430b例如也可以如图22所示那样形成为，从喷射口43a和喷射口43b到气体喷射部41的上端的气体的流通路径为螺旋状。
[其它]
此外，本发明不限定于上述的实施方式，在其主旨的范围内能够进行各种变形。
在上述各实施例中，从设置在电介质窗53的大致中央的气体喷射部41向腔室11内供给处理气体，但也可以是，除了设置气体喷射部41之外，还沿着腔室11的侧壁在周向上设置用于朝向Z轴喷射处理气体的多个喷射口。
另外，在上述的实施例2和实施例3中，各个喷射口43b也可以例如图13所示那样构成为向从Z轴离开的方向且斜下方喷射处理气体。

Claims (21)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
腔室，其用于收容被处理基板；
电介质窗，其构成所述腔室的上部；
气体供给部，其从所述腔室的上部向所述腔室内供给处理气体；
天线，其设置在所述腔室的上方且所述气体供给部的周围，通过向所述腔室内供给高频来在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体；以及
电力供给部，其向所述天线供给高频电力，
其中，所述天线具有：
内侧线圈，其以包围所述气体供给部的方式设置在所述气体供给部的周围；以及
外侧线圈，其以包围所述气体供给部和所述内侧线圈的方式设置在所述气体供给部和所述内侧线圈的周围，
所述内侧线圈和所述外侧线圈中的任一方的线圈构成为：构成所述一方的线圈的线路的两端开放，从所述电力供给部向所述线路的中点或者该中点的附近供电，在所述中点的附近处接地，以从所述电力供给部供给的高频电力的1/2波长进行谐振，
在所述内侧线圈和所述外侧线圈中的另一方的线圈中，构成所述另一方的线圈的线路的两端经由电容器连接，所述另一方的线圈与所述一方的线圈感应耦合。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述一方的线圈形成为两周以上的大致圆形的螺旋状，
所述另一方的线圈形成为大致圆形的环状，
所述一方的线圈和所述另一方的线圈配置为，所述一方的线圈的外形与所述另一方的线圈的外形成为同心圆。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述气体供给部形成为大致圆筒状，
所述一方的线圈和所述另一方的线圈配置为，所述一方的线圈的外形的中心与所述另一方的线圈的外形的中心位于所述气体供给部的中心轴上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述一方的线圈和所述另一方的线圈配置于所述电介质窗的内部或者所述电介质窗的上方，
包含所述一方的线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离同包含所述另一方的线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离不同。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述一方的线圈为外侧线圈，
所述另一方的线圈为内侧线圈，
包含所述内侧线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离比包含所述外侧线圈的平面与所述电介质窗的下表面之间的距离短。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述电力供给部能够变更向所述天线供给的高频电力的频率。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
设置于所述另一方的线圈的所述电容器为可变电容器。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在所述气体供给部的内部设置有供向所述腔室供给的所述处理气体流通的流路，
所述流路内的压力比所述腔室内的压力高。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述气体供给部具有：
突出部，其在所述气体供给部的下部从所述电介质窗的下表面向腔室内突出；
第一喷射口，其设置于所述突出部，用于向下方向喷射所述处理气体；以及
第二喷射口，其设置于所述突出部，用于向横方向或者向斜下方喷射所述处理气体。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在所述气体供给部以包围供所述处理气体通过的空间的方式设置有导电性的屏蔽构件。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件的下端位于比所述电介质窗的下表面靠下方的位置。
12.根据权利要求10或11所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件形成为板状。
13.根据权利要求10或11所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件为在所述气体供给部的外侧壁或者供所述处理气体通过的所述气体供给部内的空间的侧壁形成的金属膜。
14.根据权利要求10或11所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件形成为棒状。
15.根据权利要求9至14中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述气体供给部内供处理气体通过的空间的至少一部分弯曲，以使得不形成从所述第一喷射口和所述第二喷射口到所述气体供给部的上端的直线路径。
16.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
腔室，其用于收容被处理基板；
电介质窗，其构成所述腔室的上部；
气体供给部，其从所述腔室的上部向所述腔室内供给处理气体；
天线，其设置在所述腔室的上方且所述气体供给部的周围，通过向所述腔室内供给高频来在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体；以及
电力供给部，其向所述天线供给高频电力，
其中，所述天线以包围所述气体供给部的方式设置在所述气体供给部的周围，且构成为：构成所述天线的线路的两端开放，从所述电力供给部向所述线路的中点或者该中点的附近供电，在所述中点的附近处接地，以从所述电力供给部供给的高频电力的1/2波长进行谐振，
在所述气体供给部以包围供所述处理气体通过的空间的方式设置有导电性的屏蔽构件。
17.根据权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件的下端位于比所述电介质窗的下表面靠下方的位置。
18.根据权利要求16或17所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件形成为板状。
19.根据权利要求16或17所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件为在所述气体供给部的外侧壁或者供所述处理气体通过的所述气体供给部内的空间的侧壁形成的金属膜。
20.根据权利要求16或17所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述屏蔽构件形成为棒状。
21.根据权利要求16至20中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述气体供给部具有：
突出部，其在所述气体供给部的下部从所述电介质窗的下表面向腔室内突出；
第一喷射口，其设置于所述突出部，用于向下方向喷射所述处理气体；以及
第二喷射口，其设置于所述突出部，用于向横方向或者向斜下方喷射所述处理气体，
所述气体供给部内供处理气体通过的空间的至少一部分弯曲，以使得不形成从所述第一喷射口和所述第二喷射口到所述气体供给部的上端的直线路径。
CN201811138919.1A 2017-09-28 2018-09-28 等离子体处理装置 Pending CN109587924A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311444879.4A CN117440590A (zh) 2017-09-28 2018-09-28 等离子体处理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-188480 2017-09-28
JP2017188480A JP7002268B2 (ja) 2017-09-28 2017-09-28 プラズマ処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311444879.4A Division CN117440590A (zh) 2017-09-28 2018-09-28 等离子体处理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109587924A true CN109587924A (zh) 2019-04-05

Family

ID=65808206

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311444879.4A Pending CN117440590A (zh) 2017-09-28 2018-09-28 等离子体处理装置
CN201811138919.1A Pending CN109587924A (zh) 2017-09-28 2018-09-28 等离子体处理装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311444879.4A Pending CN117440590A (zh) 2017-09-28 2018-09-28 等离子体处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US11470712B2 (zh)
JP (1) JP7002268B2 (zh)
KR (1) KR20190037118A (zh)
CN (2) CN117440590A (zh)
TW (2) TWI804510B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146067A (zh) * 2019-12-24 2020-05-12 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈组件及半导体设备
CN116673273A (zh) * 2023-08-03 2023-09-01 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2582948B (en) * 2019-04-10 2021-12-08 Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh Plasma source chamber for a spectrometer
US11151981B2 (en) * 2019-10-10 2021-10-19 International Business Machines Corporation Audio quality of speech in sound systems
JP7330079B2 (ja) 2019-11-28 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7313269B2 (ja) 2019-12-23 2023-07-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TW202209406A (zh) * 2020-07-02 2022-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
TW202226319A (zh) 2020-08-31 2022-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置及電漿處理方法
JP7479255B2 (ja) 2020-09-14 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7479256B2 (ja) 2020-09-15 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2022059163A1 (ja) * 2020-09-18 2022-03-24 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
TW202230440A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置及電漿處理用線圈
KR20220094272A (ko) * 2020-12-28 2022-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2022155462A1 (en) * 2021-01-15 2022-07-21 Fuse Energy Technologies Corp. Plasma injection and confinement systems and methods
WO2022220932A2 (en) * 2021-02-26 2022-10-20 Fuse Energy Technologies Corp. Plasma generation systems and methods with enhanced electrode configurations
KR20240017372A (ko) 2021-06-08 2024-02-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JPWO2023042857A1 (zh) 2021-09-15 2023-03-23

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1639831A (zh) * 2001-10-15 2005-07-13 兰姆研究公司 可调谐的多区气体喷射系统
CN101640091A (zh) * 2008-07-28 2010-02-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 电感耦合线圈及采用该电感耦合线圈的等离子体处理装置
CN101877312A (zh) * 2009-04-28 2010-11-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN102054649A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
CN102194639A (zh) * 2010-03-18 2011-09-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN102760632A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN103140914A (zh) * 2010-09-17 2013-06-05 圆益Ips股份有限公司 薄膜蒸镀装置
CN103219216A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN103780241A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 朗姆研究公司 用于等离子体蚀刻腔室的tcct匹配电路
CN104241070A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 中微半导体设备(上海)有限公司 用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置
CN104684235A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电感线圈组及电感耦合等离子体处理装置
CN104994676A (zh) * 2011-03-30 2015-10-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN107180737A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于实现阻抗匹配和功率分配的装置及半导体加工设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US20030037879A1 (en) * 2001-08-24 2003-02-27 Applied Materials, Inc. Top gas feed lid for semiconductor processing chamber
AU2002238951A1 (en) * 2002-03-18 2003-09-29 Tokyo Electron Limited Plasma device
JP5584412B2 (ja) * 2008-12-26 2014-09-03 株式会社メイコー プラズマ処理装置
CN102056395B (zh) * 2009-10-27 2014-05-07 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
JP5694721B2 (ja) * 2009-10-27 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5800532B2 (ja) * 2011-03-03 2015-10-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5851899B2 (ja) * 2011-03-25 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5901887B2 (ja) * 2011-04-13 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理方法
US20140209244A1 (en) * 2013-01-25 2014-07-31 Applied Materials, Inc. Skew elimination and control in a plasma enhanced substrate processing chamber
JPWO2015016149A1 (ja) * 2013-07-29 2017-03-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US9472379B2 (en) * 2014-06-20 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma
JP6623511B2 (ja) * 2014-11-05 2019-12-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20160372306A1 (en) * 2015-06-18 2016-12-22 Tokyo Electron Limited Method for Controlling Plasma Uniformity in Plasma Processing Systems
US10283329B2 (en) * 2017-07-10 2019-05-07 Applied Materials, Inc. ICP source for M and W-shape discharge profile control

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1639831A (zh) * 2001-10-15 2005-07-13 兰姆研究公司 可调谐的多区气体喷射系统
CN101640091A (zh) * 2008-07-28 2010-02-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 电感耦合线圈及采用该电感耦合线圈的等离子体处理装置
CN101877312A (zh) * 2009-04-28 2010-11-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN102054649A (zh) * 2009-10-27 2011-05-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
CN102194639A (zh) * 2010-03-18 2011-09-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN103140914A (zh) * 2010-09-17 2013-06-05 圆益Ips股份有限公司 薄膜蒸镀装置
CN104994676A (zh) * 2011-03-30 2015-10-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN102760632A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN103219216A (zh) * 2012-01-20 2013-07-24 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN103780241A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 朗姆研究公司 用于等离子体蚀刻腔室的tcct匹配电路
CN104241070A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 中微半导体设备(上海)有限公司 用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置
CN104684235A (zh) * 2013-11-28 2015-06-03 中微半导体设备(上海)有限公司 一种电感线圈组及电感耦合等离子体处理装置
CN107180737A (zh) * 2016-03-11 2017-09-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于实现阻抗匹配和功率分配的装置及半导体加工设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146067A (zh) * 2019-12-24 2020-05-12 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈组件及半导体设备
CN116673273A (zh) * 2023-08-03 2023-09-01 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置
CN116673273B (zh) * 2023-08-03 2023-10-27 北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司 一种氟化钙原料表面去杂方法及其装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20240049379A1 (en) 2024-02-08
US11470712B2 (en) 2022-10-11
CN117440590A (zh) 2024-01-23
JP2019067503A (ja) 2019-04-25
TW202333196A (zh) 2023-08-16
KR20190037118A (ko) 2019-04-05
TWI804510B (zh) 2023-06-11
TW201919089A (zh) 2019-05-16
JP7002268B2 (ja) 2022-01-20
US11832373B2 (en) 2023-11-28
US20190098740A1 (en) 2019-03-28
US20230021588A1 (en) 2023-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109587924A (zh) 等离子体处理装置
KR101974691B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
CN109755091B (zh) 等离子体处理装置
CN201869431U (zh) 电感耦合型等离子体处理装置
CN1689132A (zh) 用于产生均匀的处理速率的方法和设备
KR20140051250A (ko) 플라즈마 챔버에 대한 전력 그리드
JP2007317661A (ja) プラズマ反応器
KR20190035589A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
KR101093606B1 (ko) 기판 처리 효율이 향상된 플라즈마 반응기
CN109559968A (zh) 等离子体处理装置
KR101395229B1 (ko) 기판 처리 장치
TW201432777A (zh) 具有變壓器耦合型電漿線圈區域間的電漿密度去耦合結構之法拉第屏蔽
KR20060094409A (ko) 유도 결합 플라즈마 처리장치
KR101297267B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101039232B1 (ko) 고밀도 플라즈마 발생장치
WO2020023784A1 (en) Magnetic shielding for plasma sources
KR101297269B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 방법
JP7507620B2 (ja) プラズマ処理装置
US20220005672A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2023119621A (ja) プラズマ処理装置
KR101286710B1 (ko) 유도결합 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법
KR20070104704A (ko) 내장 마그네틱 코어를 갖는 유도 결합 플라즈마 소스

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190405