CN103219216A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供等离子体处理装置，包括上部电极和下部电极，在对上部电极施加直流电压时不会发生放电。对上部电极（42）与下部电极之间施加高频电力而对被处理体进行等离子体处理，具有：接地构件（61），其隔着绝缘构件（60）设置在上部电极的上方；直流电源，其对上部电极施加直流电压；在上部电极的内部设有与设置于该上部电极的下表面的气体供给口（53）相连通的气体扩散室（54、55），在绝缘构件（60）的内部形成有与气体扩散室相连通的气体流通路径（62）。在气体流通路径上以俯视看来不能从该气体流通路径的一端部观察到另一端部的方式设有弯曲部（63），用于使在该气体流通路径内流动的气体向至少具有水平分量的方向流动。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。
背景技术
作为利用等离子体的作用而在例如半导体晶圆（以下，称作“晶圆”）等被处理体上实施蚀刻、成膜等微细加工的装置，平行平板型（电容耦合型）等离子体处理装置、电感耦合型等离子体处理装置以及微波等离子体处理装置等已经实用化。
其中，在平行平板型等离子体处理装置中，对相对地设置的上部电极和下部电极中的至少任一个电极施加高频电力，利用其电场能量来激发气体而生成等离子体，并利用生成的放电等离子体来对被处理体进行微细加工。这种平行平板型等离子体处理装置在进行例如蚀刻处理时是主流。
在这种平行平板型等离子体处理装置中，向设有上部电极和下部电极的处理容器内导入处理气体，并且对至少一个电极施加高频电力而生成处理气体的等离子体，从而对例如晶圆进行蚀刻处理。
此外，在利用蚀刻处理形成蚀刻孔时，使用光致抗蚀剂作为蚀刻掩模，但是光致抗蚀剂带负电，在蚀刻初期，在蚀刻面上是电荷中和的状态。但是，当深径比随着蚀刻进行而变高时，阳离子沉积到蚀刻孔的底部，蚀刻面将会带正电荷，因此，存在如下这种问题：对蚀刻的贡献较大的阳离子因电荷的排斥而在孔内变向，蚀刻孔的形状会发生变向、歪曲。另外，由于阳离子难以达到蚀刻孔的底部，因此还存在蚀刻速率降低这样的问题。
因此，为了消除这种问题，例如在专利文献1中提出有以下方法：交替地开启、关闭对电极施加高频电力，反复进行在处理容器内的等离子体的生成和消失而进行等离子体处理，而且在关闭高频电力的期间内，以使施加电压比开启高频电力的期间内的施加电压高的方式对上部电极施加负的直流电压。
采用该方法，通过在关闭高频电源的期间内施加负的直流电压，从而生成更多的二次电子并且被进行较大的加速而入射到蚀刻孔内。因此，在关闭高频电源的期间内能够将较多的二次电子和阴离子供给到接触孔内。其结果，能够中和原本带正电荷的接触孔内的电荷，因此在开启高频电源而生成了等离子体时，阳离子在蚀刻孔内变向的现象消失，能够进行良好的蚀刻。
专利文献1：日本特开2010－219491号公报
此外，近年来，随着半导体器件的微细化的进展，要求形成高深径比的蚀刻孔。在形成该高深径比的蚀刻孔时，为了使二次电子和离子更大地加速，需要使在关闭高频电源的期间内施加的负的直流电压的电压更大。
然而，若使负的直流电压的施加电压变大，则产生了这样的问题：在上部电极附近发生异常放电，并且因放电而生成的反应生成物降落到晶圆上表面，从而成为半导体器件产品的成品率降低的原因。说明该异常放电。
图9是表示进行上述的蚀刻处理的等离子体处理装置的上部电极附近的概略结构的纵剖视图。如图9所示，上部电极200由与晶圆相对地设置的电极板201和用于支承该电极板201的电极支承体202构成。电极板201例如由硅等半导体构成，电极支承体202例如由铝等导电体构成。在电极支承体202的上方隔着圆筒状的绝缘构件203与电极支承体202相对且平行地设有由导电体形成的接地构件204。在电极支承体202的内部设有与形成在电极板201上的气体供给口210相连通的气体扩散室211，经由形成在绝缘构件203的内部的气体流通路径212将处理气体供给到该气体扩散室211中。在上部电极200和接地构件204上以上部电极200侧成为负极且接地构件204侧成为正极的方式电连接有直流电源220。
在这种等离子体处理装置中，以往，对上部电极200施加例如300V左右的负的直流电压。在该情况下虽然不产生问题，但是本发明的发明人确认了如下情况：若为了使二次电子和离子更大地加速而使所施加的负的直流电压上升至例如1200V左右，则在构成作为负极的上部电极200的电极支承体202与作为正极的接地构件204之间经由流通路径212发生放电。因而，需要即使在施加了比以往高的直流电压的情况下也不会发生放电这样的对策。
发明内容
本发明是鉴于这一点而做成的，其目的在于，在包括上部电极和下部电极的等离子体处理装置中，使得在对上部电极施加比以往更高的直流电压时不会发生放电。
为了达成上述目的，本发明提供一种等离子体处理装置，其对设置在处理容器内的上部电极与下部电极之间施加高频电力而使处理气体等离子体化，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，该等离子体处理装置具有：接地构件，其以绝缘构件介于其与上述上部电极之间的方式设置在上述上部电极的上方；以及直流电源，其用于对上述上部电极施加负的直流电压；在上述上部电极的内部设有与设置在上部电极的下表面的气体供给口相连通的气体扩散室；在上述绝缘构件的内部形成有与上述气体扩散室相连通的气体流通路径；在上述气体流通路径上设有弯曲部，该弯曲部以俯视看来不能从该气体流通路径的一端部观察到另一端部的方式设置，用于使在该气体流通路径内流动的气体向至少具有水平分量的方向流动。
根据帕邢定律（Paschen law），在平行的电极之间发生放电的电压由电极之间的距离和电极之间的气体压力的乘积决定。而且，本发明的发明人着眼于以下方面：若能够使电极之间的距离、即气体流通路径的长度变大，则能够提高发生放电的电压，换句话说，即使施加较高的电压也能够防止发生放电。本发明是基于该想法的发明，采用本发明，在介于上部电极与接地构件之间的绝缘构件的内部形成的气体流通路径上设有弯曲部，该弯曲部以俯视看来不能从该气体流通路径的一端部观察到另一端部的方式设置，用于使在该气体流通路径内流动的气体向至少具有水平分量的方向流动，因此，与以往那样在上部电极与接地构件之间呈直线状形成气体流通路径的情况相比，能够使该气体流通路径的距离变长。由此，在作为放电电压决定因素的电极之间的距离和电极之间的气体压力之中，能够实质上使电极之间的距离变长，因此能够抑制因施加直流电压而发生放电。
另外，通过使气体流通路径的距离变长，该气体流通路径中的处理气体的压力损失也变大。其结果，电极之间的气体压力上升，因此，由此也能够抑制起因于直流电压的施加的放电的发生。
而且，通过以俯视看来不能从气体流通路径的一端部观察到另一端部的方式形成上述的弯曲部，该弯曲部作为障碍物发挥功能，因此不会像以往那样在上部电极与接地构件之间直线性地发生放电。因而，由于这一点，也能够抑制因施加直流电压而发生放电。
也可以使上述气体流通路径的弯曲部从该气体流通路径的一端部朝向另一端部形成为螺旋状。另外，也可以通过将妨碍处理气体在上述气体流通路径内直线行进的整流构件设置在该气体流通路径的内部而形成上述流通路径的弯曲部。在该情况下，也可以具有用于使上述整流构件在上述气体流通路径的内部移动的驱动机构。
也可以在上述气体供给口与上述气体扩散室之间设有用于使该气体供给口与气体扩散室之间的管路阻力增加的阻力部。
也可以使上述上部电极由与被处理体相对的电极板和设置于该电极板的上表面的电极支承体构成，并将上述阻力部设置于上述电极支承体，也可以将上述阻力部设置于上述电极板侧。
采用本发明，在包括上部电极和下部电极的等离子体处理装置中，能够使得在对上部电极施加直流电压时不发生放电。
附图说明
图1是表示实施本发明的等离子体处理装置的结构的一个例子的概略纵剖视图。
图2是表示本实施方式的上部电极附近的概略结构的纵剖视图。
图3是表示进行等离子体处理时的各电源的动作状态的时间图。
图4是表示另一个实施方式的上部电极附近的概略结构的纵剖视图。
图5是表示另一个实施方式的上部电极附近的概略结构的纵剖视图。
图6是表示另一个实施方式的上部电极附近的概略结构的纵剖视图。
图7是表示在上部电极上设置有阻力部的状态的说明图。
图8是表示在上部电极上设置有阻力部的状态的说明图。
图9是表示以往的上部电极附近的概略结构的纵剖视图。
具体实施方式
下面，参照图说明本发明的实施方式的一个例子。图1是表示本发明的实施方式的等离子体处理装置1的概略结构的纵剖视图。本实施方式的等离子体处理装置1为例如平行平板型的等离子体蚀刻处理装置。
等离子体处理装置1具有设置有晶圆吸盘10的呈大致圆筒状的处理容器11，该晶圆吸盘10用于保持作为硅基板的晶圆W。处理容器11与接地线12电连接而接地。在晶圆吸盘10的内部设有电极（未图示），能够利用通过对该电极施加直流电压而产生的静电力来吸附保持晶圆W。
晶圆吸盘10的下表面由作为下部电极的基座13支承。基座13由例如铝等金属形成为大致圆盘状。在处理容器11的底部上夹着绝缘板14设有支承台15，基座13被该支承台15的上表面支承。
在基座13的上表面且在晶圆吸盘10的外周部设有用于提高等离子体处理的均匀性的、例如由硅构成的导电性的校正环20。基座13、支承台15以及校正环20的外侧面被由例如石英构成的圆筒构件21覆盖。
在支承台15的内部例如呈圆环状设有供冷却介质流动的冷却介质路径15a，通过控制该冷却介质路径15a所供给的冷却介质的温度，能够控制被晶圆吸盘10保持的晶圆W的温度。另外，在晶圆吸盘10与被该晶圆吸盘10保持的晶圆W之间以例如贯通基座13、支承台15以及绝缘板14的方式设有导热气体管22，该导热气体管22用于供给例如氦气作为导热气体。
在基座13上经由第1匹配器31电连接有用于向该基座13供给高频电力而生成等离子体的第1高频电源30。第1高频电源30输出例如27MHz～100MHz的频率、在本实施方式中为例如40MHz的高频电力。第1匹配器31是用于使第1高频电源30的内部阻抗和负载阻抗匹配的构件，在处理容器11内生成有等离子体时，第1匹配器31以使第1高频电源30的内部阻抗和负载阻抗表观一致的方式发挥作用。
另外，在基座13上经由第2匹配器41电连接有第2高频电源40，该第2高频电源40用于向该基座13供给高频电力而对晶圆W施加偏压，从而向晶圆W引入离子。第2高频电源40输出例如400kHz～13.56MHz的频率、在本实施方式中为例如3.2MHz的高频电力。第2匹配器41与第1匹配器31同样地使第2高频电源40的内部阻抗和负载阻抗匹配。
在作为下部电极的基座13的上方与基座13相对且平行地设有上部电极42。上部电极42夹着绝缘性的屏蔽构件50被支承在处理容器11的上部。该上部电极42由电极板51和电极支承体52构成，该电极板51与被晶圆吸盘10保持的晶圆W形成相对的面，该电极支承体52从上方支承该电极板51。在电极板51上以贯通该电极板51的方式形成有用于向处理容器11的内部供给处理气体的多个气体供给口53。电极板51例如由焦耳热较少的低电阻的导电体或半导体构成，在本实施方式中使用了例如硅。另外，电极支承体52由导电体构成，在本实施方式中使用了例如铝。
另外，在上部电极42上经由用于捕获（drap）来自第1高频电源30和第2高频电源40的高频的低通滤波器80电连接有直流电源81。该直流电源81以上部电极42侧成为负极且接地构件61侧成为正极的方式连接。由此，能够对上部电极42施加负的直流电压。在本实施方式中，负的直流电压的电压为1200V。
第1高频电源30、第1匹配器31、第2高频电源40、第2匹配器41以及直流电源81与后述的控制部100相连接，由控制部100来控制上述部件的动作。
在电极支承体52内部的中央部设有形成为大致圆盘状的气体扩散室54。在气体扩散室54的外侧设有形成为圆环状的气体扩散室55。另外，在电极支承体52的下部形成有多个从气体扩散室54、55向下方延伸的气体孔56，气体供给口53经由该气体孔56与气体扩散室54、55相连接。此外，彼此独立地设置气体扩散室54和气体扩散室55是为了分别调整气体扩散室54和气体扩散室55的内部压力并独立地调整从电极支承体52中央付近的气体孔56和外周部附近的气体孔56流动的处理气体的流量，气体扩散室54、55的配置、形状并不限定于本实施方式。
在电极支承体52的上方以大致圆筒形状的绝缘构件60介于电极支承体52和接地构件61之间的方式与电极支承体52相对且平行地设有大致圆盘状的接地构件61。接地构件61由导电体构成，在本实施方式中使用例如铝。
在绝缘构件60的内部如图2所示那样形成有与气体扩散室54、55相连通的气体流通路径62。在该气体流通路径62上设有弯曲部63，该弯曲部63以俯视看来不能从例如气体流通路径62的靠接地构件61侧的端部经由气体流通路径62观察到气体流通路径62的靠电极支承体52侧的端部的方式设置，用于使在该气体流通路径62内流动的气体向至少具有水平分量的方向流动。例如，如图2所示，本实施方式的弯曲部63以使气体从气体流通路径62的靠接地构件61侧的端部朝向气体流通路径62的靠电极支承体52侧的端部呈螺旋状流动的方式形成。此外，具有水平分量的方向是指除了水平方向之外包括例如斜上方、斜下方这样的、除了铅垂方向之外的所有方向。
通过在气体流通路径62上设置弯曲部63，与图9所示的以往的绝缘构件203那样直线状地设置气体流通路径212的情况相比，能够使气体流通路径62的距离变长。本实施方式的弯曲部63以气体流通路径62的距离为以往的绝缘构件203的气体流通路径212的距离的约3倍的方式构成。利用该弯曲部63，能够使在作为放电电压的决定因素的电极之间的距离和电极之间的气体压力之中的电极之间的距离、即接地构件61与上部电极42之间的气体流通路径62变长，因此以抑制因施加直流电压而发生放电的方式发挥作用。此外，将气体流通路径62的长度设定为何种程度是根据气体扩散室54、55内的压力与所施加的直流电压之间的关系而在不会发生放电的范围内任意设定的，并不限定于本实施方式。
另外，通过设置弯曲部63，变得俯视看来不能够从气体流通路径62的一端部观察到另一端部，因此该弯曲部63作为防止在上部电极42与接地构件61之间直线状地发生放电的障碍物而发挥功能。因而，能够更可靠地抑制因施加直流电压而发生放电。
在接地构件61的与气体流通路径62相对应的位置以贯通该接地构件61的方式形成有气体导入口70。在气体导入口70上连接有气体供给管71。在气体供给管71上如图1所示那样连接有处理气体供给源72，从处理气体供给源72供给的处理气体经由气体供给管71和气体流通路径62被供给到气体扩散室54、55中。而且，被供给到气体扩散室54、55中的处理气体通过气体孔56和气体供给口53而被导入到处理容器11内。即，上部电极42作为向处理容器11内供给处理气体的簇射头发挥功能。此外，作为处理气体，能够采用以往的等离子体蚀刻所使用的各种气体，可以使用例如C4F8那样的碳氟化合物(Fluorocarbon)气体，而且，还可以含有Ar、O2这样的其他气体。
在气体供给管71上设有流量调整机构73，能够控制从处理气体供给源71向气体扩散室54、55供给的气体的量。流量调整机构73由例如质量流量控制器和阀构成。
在处理容器11的底面设有排气口90。在排气口90上经由排气管91连接有排气装置92，能够通过驱动该排气装置92而使处理容器11内的氛围减压至规定的真空度。另外，处理容器11的内壁被内衬93覆盖，该内衬93在表面上形成有由耐等离子体性的材料构成的喷镀皮膜。
在以上的等离子体处理装置1上如上述那样设有控制部100。控制部100例如为计算机，且具有程序存储部（未图示）。在程序存储部中还存储有用于控制各电源30、40、81、各匹配器31、41以及流量调整机构73等而使等离子体处理装置1进行动作的程序。
该程序能够控制例如第1高频电源30的开启、关闭以及输出功率。因而，例如能够连续地开启第1高频电源30而连续地生成等离子体，或者交替地开启、关闭第1高频电源30而脉冲状地施加高频电力而交替地形成存在等离子体的状态和等离子体消失了的状态。另外，对于偏压用的第2高频电源40，也能够与第1高频电源30同样地控制其开启、关闭以及输出功率，能够在等离子体处理过程中连续地施加偏压，或者与第1高频电源30的开启、关闭同步地脉冲状地施加偏压。而且，还能够控制直流电源81的开启、关闭、电压和电流。
此外，在本实施方式中，例如，如图3所示，通过交替地开启、关闭第1高频电源30，并与其同步地交替地开启、关闭第2高频电源40，从而交替地重复生成了等离子体的状态和等离子体消失了的状态。并且，与第1高频电源30的开启、关闭同步地自直流电源81对上部电极42施加负的直流电压。此时，控制直流电源81，使得等离子体消失的期间内所施加的负的直流电压的绝对值大于生成有等离子体的期间内所施加的负的直流电压的绝对值。
通过这样控制各电源30、40、81，在开启电源30、40的期间内利用第1高频电源30生成的等离子体的等离子体鞘层和利用第2高频电源40生成的等离子体鞘层叠加，形成较厚的等离子体鞘层。其结果，在开启电源30、40的期间内，电子被等离子体鞘层反射，但是在关闭电源30、40的期间内，等离子体鞘层消失，二次电子容易达到晶圆W。
而且，在此期间，通过以等离子体消失了的期间内利用直流电源81施加的负的直流电压的绝对值大于生成有等离子体的期间内利用直流电源81施加的负的直流电压的绝对值的方式施加直流电压，能够在关闭电源30、40的期间内将大量的电子供给到晶圆W的表面。因此，能够中和带有正电荷的接触孔内的电荷，因此在开启高频电源而生成有等离子体时，阳离子不会在蚀刻孔内偏向，能够进行良好的蚀刻。
此外，上述的程序也可以是记录在例如计算机可读取的硬盘（HD）、软盘（FD）、光盘（CD）、光磁盘（MO）以及存储卡等计算机可读取的存储介质H中的程序，并从该存储介质H安装到控制部100中。
本实施方式的等离子体处理装置1如以上那样构成，接着，说明在本实施方式的等离子体处理装置1中进行的等离子体蚀刻处理。
在等离子体蚀刻处理时，首先，将晶圆W输入到处理容器11内，并载置在晶圆吸盘10上而保持该晶圆W。接着，利用排气装置92对处理容器11内进行排气，并且从处理气体供给源72以规定的流量向处理容器11内供给处理气体。此时，利用流量调整机构73对处理气体的流量进行调整，使得处理容器11内的压力处于例如10Pa～150Pa的范围内。
之后，利用第1高频电源30和第2高频电源40对作为下部电极的基座13连续施加高频电力，并且利用直流电源81对上部电极42连续地施加直流电压。由此，使被供给到处理容器11内的处理气体在上部电极42与基座13之间等离子体化。
之后，以图3所示的模式来控制各电源30、40、81，利用由处理容器11内的等离子体生成的离子、自由基进行晶圆W的蚀刻处理。
此时，在气体流通路径62上设有弯曲部63，因此不会在接地构件61与上部电极42之间因施加直流电压而发生放电，能够避免因放电而生成的反应生成物降落在晶圆上而导致的半导体器件产品的成品率降低。由此，由于能够施加较高的负的直流电压，因此，与以往相比，能够形成高深径比的蚀刻孔。
采用以上的实施方式，在介于上部电极42与接地构件61之间的绝缘构件60的内部形成的气体流通路径62上设有使在该气体流通路径62中流动的气体向至少具有水平分量的方向流动的弯曲部63，由此，俯视看来不能从该气体流通路径62的端部观察到另一端部，因此，与以往那样在上部电极与接地构件之间呈直线状形成气体流通路径的情况相比，能够使该气体流通路径的距离变长。由此，不会伴随上部电极42与接地构件61之间的物理性的移动就使作为放电电压决定因素的电极之间的距离和电极之间的气体压力之中的电极之间的距离、即该上部电极42与接地构件61之间的电气距离实质上变长。因而，即使在利用直流电源81以比以往高的电压施加了直流电压的情况下，也能够抑制因施加该直流电压而发生放电。
另外，通过使气体流通路径62的距离变长，结果，在该气体流通路径62中的处理气体的压力损失也变大。因而，在气体流通路径62的两端部的压力差变大，换句话说，在从处理气体供给源71供给处理气体时，在接地构件61侧的处理气体的压力上升。因而，由此也能够抑制因施加直流电压而发生放电。
而且，通过以俯视看来不能从气体流通路径62的端部观察到另一端部的方式形成弯曲部63，该弯曲部63作为防止在上部电极42与接地构件61之间发生直线状的放电的障碍物而发挥功能。因而，采用以上的实施方式，能够更可靠地抑制因施加直流电压而发生放电。
在以上的实施方式中，气体流通路径62的弯曲部63形成为螺旋状，但是气体流通路径62的形状并不限定于本实施方式，只要以由于弯曲部而俯视看来不能从气体流通路径62的一端部观察到另一端部的方式形成弯曲部63，就能够形成为各种形状。具体而言，例如，可以如图4所示那样将弯曲部63的纵截面形状形成为大致U字状，或者如图5所示那样形成为大致V字状。
另外，如图6所示，也可以例如以如下方式形成弯曲部63：不能从气体流通路径62的靠接地构件61侧的端部经由气体流通路径62观察到气体流通路径62的靠电极支承体52侧的端部，换句话说，以妨碍处理气体在气体流通路径62内直线行进的方式在该气体流通路径62内部设置整流构件110并且与整流构件110的外形形状相对应地形成该弯曲部63。而且，可以通过将整流构件110连接在例如未图示的驱动机构上而使其移动自如并使气体流通路径62的内部的整流构件110的上下方向的位置、左右方向的位置变化，从而根据情况对气体流通路径62的压力损失进行调整。在该情况下，也可以将整流构件110形成为例如针形阀的阀体这样的更适合压力调整的形状。在任一情况下，只要是本领域技术人员，就都能够在权利要求书所记载的保护范围内设想到各种变更例或修改例是显而易见的，上述各种变更例或修改例也应当理解为属于本发明的保护范围。
此外，在以上的实施方式中，通过在气体流通路径62上设置弯曲部63而使得上部电极42与接地构件61之间的电气距离变长，其结果，作为放电电压的另一个决定因素的电极之间的气体压力也变大，但是为了主动使电极之间的气体压力变大，例如也可以在气体扩散室54、55侧设置用于使处理气体的压力损失增加的阻力部120。
具体而言，例如，如图7所示，也可以将电极支承体52的气体孔56的一部分形成为节流孔（orifice）形状，即通过设置朝向该气体孔56的中心部突出的圆环状的突出部而形成阻力部120。另外，例如，如图8所示，也可以将电极板51的气体供给口53的一部分形成为节流孔形状而形成阻力部120。另外，也可以在气体孔56和气体供给口53这双方上设置阻力部120，只要能够使气体扩散室54、55与气体供给口53之间的管路阻力增加，则能够任意设定阻力部120的形状、配置。因而，例如在并不是在气体孔56的一部分上设置突出部、而是在整个气体孔56的范围内减小该气体孔56的直径的情况下，也可以说形成有阻力部120。在任一情况下，阻力部120的前后之间的压差都会上升，由此，气体扩散室54、55的压力相对于处理容器11内的压力变高。作为其结果，气体扩散室54、55的作为上游侧的气体流通路径62中的处理气体的压力也变高，由此，能够抑制因施加直流电压而发生放电。
尤其是，电极板51的气体供给口53由于暴露在处理容器11内的等离子体中而被侵蚀，从而其直径渐渐扩大，因此气体供给口53本身的管路阻力会经时降低。在该情况下，气体扩散室54、55内的处理气体的压力降低，其结果，气体流通路径62中的压力也降低而变得容易引起放电。因此，以往需要定期更换电极板51，但是像本实施方式那样设置阻力部120而确保压力损失，维持气体扩散室54、55的压力，从而能够抑制气体压力经时降低。由此，还能够将电极板51的更换频率抑制得较低。此外，如上所述，由于电极板51的气体供给口53暴露在处理容器11内的等离子体中而被侵蚀，因此优选将阻力部120设置在与电极板51的下端面分开规定的距离以上的位置。
以上，说明了本发明的优选的实施方式，但是本发明并不限定于该例子。只要是本领域技术人员，就都能够在权利要求书所记载的保护范围内设想到各种变更例或修改例是显而易见的，上述各种变更例或修改例也应当理解为属于本发明的保护范围。
附图标记说明
1、等离子体处理装置；2、微波供给部；10、晶圆吸盘；11、处理容器；12、接地线；13、基座；14、绝缘板；15、支承台；20、校正环；21、圆筒构件；22、导热气体管；30、第1高频电源；31、第1匹配器；40、第2高频电源；41、第2匹配器；42、上部电极；50、屏蔽构件；51、电极板；52、电极支承体；53、气体供给口；54、55、气体扩散室；56、气体孔；60、绝缘构件；61、接地构件；62、气体流通路径；70、气体导入口；71、气体供给管；72、处理气体供给源；73、流量调整机构；80、低通滤波器；81、直流电源；90、排气口；91、排气管；92、排气装置；93、内衬；100、控制部；110、整流构件；120、阻力部；W、晶圆。

Claims (7)

1.一种等离子体处理装置，其对设置在处理容器内的上部电极与下部电极之间施加高频电力而使处理气体等离子体化，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，
该等离子体处理装置具有：
接地构件，其以绝缘构件介于其与上述上部电极之间的方式设置在上述上部电极的上方；以及
直流电源，其用于对上述上部电极施加负的直流电压；
在上述上部电极的内部设有与设置在上部电极的下表面的气体供给口相连通的气体扩散室；
在上述绝缘构件的内部形成有与上述气体扩散室相连通的气体流通路径；
在上述气体流通路径上设有弯曲部，该弯曲部以俯视看来不能从该气体流通路径的一端部观察到另一端部的方式设置，用于使在该气体流通路径内流动的气体向至少具有水平分量的方向流动。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述气体流通路径的弯曲部自该气体流通路径的一端部朝向另一端部形成为螺旋状。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
通过将妨碍处理气体在上述气体流通路径内直线行进的整流构件设置在该气体流通路径的内部而形成上述气体流通路径的弯曲部。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
该等离子体处理装置具有用于使上述整流构件在上述气体流通路径的内部移动的驱动机构。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
在上述气体供给口与上述气体扩散室之间设有用于使该气体供给口与气体扩散室之间的管路阻力增加的阻力部。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述上部电极由与被处理体相对的电极板和设置于该电极板的上表面的电极支承体构成，上述阻力部设置于上述电极支承体。
7.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，
上述上部电极由与被处理体相对的电极板和设置于该电极板的上表面的电极支承体构成，上述阻力部设置在上述电极板侧。
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